EXERCICE 1 : Semi-Conducteurs (5points)

Une jonction PN est réalisée dans le germanium de type N par alliage avec de l’indium. La région P a une
concentration d’impuretés de 3.1018At/cm3et une épaisseur de 1µm. La surface de la jonction est de 105µm2.
La durée de vie des trous dans la région N est de 20µS. La température est de 300°K.
1.1 Calculer la valeur du potentiel de contact de la jonction à l’équilibre sachant que ND=5.1014At/cm3
1.2 Calculer la longueur de diffusion des trous.
1.3 Calculer le courant direct pour une polarisation directe. On donne : V0=0,25V ; Is=314nA.
1.4 Calculer l’épaisseur de la région de charge d’espace pour une polarisation inverse appliquée Va= −5V et
directe Va= − 0,25V.
1.5 Calculer la capacité de la jonction pour Va= − 0,25V et Va= − 5V.

EXERCICE 2 : Transistor à effet de champ (5points)

Soit l’amplificateur TEC de la figure 01 ci-dessous. La résistance d’entrée du TEC est supposée infinie
en régime continu comme en régime dynamique. On donne 𝑉𝐷𝑆 = 20𝑉; 𝐼𝐷 = 1,8𝑚𝐴; 𝑉𝐺𝑆 = 1,8𝑉; 𝑅2 =
1,9𝑀Ω; 𝑅𝐷 = 4,56𝐾Ω 𝑒𝑡 𝑉𝐷𝐷 = 30𝑉
2.1. Etude statique
2.1.1. Donner le schéma équivalent de cette étude.
2.1.2. Calculer 𝑅𝑆 𝑒𝑡 𝑅1
2.2. Etude dynamique
2.2.1. Comment appelle-t-on les condensateurs 𝐶1 𝑒𝑡 𝐶3 ? Préciser leurs rôles.
2.2.2. Donner le schéma équivalent du montage en régime petits signaux. On donne : 𝑅𝑆 = 1𝐾Ω, 𝑅1 =
13,96𝑀Ω, 𝜌 = 220𝐾Ω; 𝑅𝐿 = 1𝐾Ω 𝑒𝑡 𝑔𝑚 = 8𝑚𝑠
2.2.3. Calculer l’amplification en tension en charge.
2.2.4. Calculer l’impédance d’entrée et l’impédance de sortie du montage.
+𝑉𝐷𝐷

𝑅𝐷 𝐶2
𝑅1
𝑅𝑔 𝐶1

𝑅𝐿 𝑣𝐿
𝑒𝑔 ~ 𝑅2
𝑅𝑆 𝐶3

Figure 01

EXERCICE 03 : Filtres actifs (5points)

Les deux filtres représentés à la figure 02 ci- dessous, attaqués par une tension d’entrée ve(t)
sinusoïdale, de fréquence variable f = /2, délivre à la sortie, en charge infinie, une tension
vs(t). Les amplificateurs opérationnels sont supposés parfaits ; la capacité est donnée : C1 =
0.01µF ; les résistances R, R1 et R2 sont variables.
R2
C1 C1
R1
+ -

- +
ve R
ve
vs vs

a) Filtre 1 b) Filtre 2
Figure 02
I- Etude du filtre 1 (figure 02.a)
V A1
1°) Calculer la fonction de transfert complexe de ce filtre sous la forme : H 1( jf ) = = s =
Ve 1 − j f 1
f
En déduire le gain G du filtre et le déphasage  de vs sur ve si f << f1 et si f >> f1. Pouvait-on
prévoir sans calcul ce comportement asymptotique du filtre ?
2°) Pour quelle valeur de R la fréquence de coupure à –3 dB est 5 KHz ?
3°) Compléter le tableau ci-dessous et tracer les diagrammes de Bode du gain en décibel GdB(f)
et de phase (f) en échelle semi-logarithmique.

F 0 f1/10 f1/2 f1 2f1 10f1 

Gain GdB
(en décibels)
Déphasage 
(en radian)

II- Etude du filtre 2 (figure 02.b)

1°) Mêmes questions qu’en I-/1) ; on remplace l’indice 1 par l’indice 2.
2°) Quelles valeurs convient-il de choisir pour les résistances R1 et R2 pour obtenir un filtre
passe-haut de fréquence de coupure 5 kHz et de gain en bande passante 6 dB ?
3°) Mêmes questions qu’en I-/3).