1.

Modélisation du module photovoltaïque :

1.1. Modélisation d’une cellule photovoltaïque :

L’utilisation des circuits électriques équivalents rend possible la modélisation des

caractéristiques d’une cellule photovoltaïque. La méthode utilisée ici est implantée dans les
programmes de Matlab pour les simulations. La même technique de modélisation est aussi
applicable pour la modélisation d’un module photovoltaïque.

A / Le modèle simple :

Le modèle le plus simple d’une cellule photovoltaïque se montre comme un circuit équivalent
ci-dessous qui consiste en une source de courant idéale en parallèle avec une diode idéale. La
source de courant représente le courant généré par les photons (souvent noté I p h ou I L), et sa
sortie est constante sous une température constante et une radiance constante.

Figure 1 : circuit équivalent d’une cellule PV

Le courant de sortie I issu de la cellule PV est obtenu en appliquant les lois de Kirchhoff du
circuit équivalent montré à la figure 1.
(1)
I =I sc −I d

Avec : I sc est le courant de court-circuit qui est égal au courant généré par les photons, et I d est le
courant qui traverse la diode.

Le courant de la diode I dest donné par l’équation suivante :

( e KT )−1 )
( (2)
qVd

I d=I 0

1
Avec :

I 0: est le courant de saturation inverse de la diode (A)

q : est la charge de l‘électron (1,602 ×10−19 C )

V d : est la tension qui traverse la diode (V )

K : est la constante de Boltzmann (1,381 ×10−23 J / K )

T : est la température de la jonction exprimée en Kelvin

En remplaçant l’expression de I dexprimée dans l’équation (1) par celle figurant dans
l’équation (2), on obtient la relation entre la tension et le courant suivante :

−I (e )
qV
KT
(3)
I =I sc 0 −1

Avec : V est la tension traversant la cellule PV, et I est le courant de sortie de la cellule.

Le courant de saturation inverse de la diode I 0 est constant sous une température constante et
obtenu en condition de circuit ouvert. En utilisant l’équation (3), en prenant I =0 (pas de courant de
sortie) et en résolvant pour I 0

0=I −I ( e
( q V oc
KT )−1 ) (4)
sc 0

(e KT )−1)
( (5)
qV oc

I sc =I 0
I sc (6)
I 0=
(e( )−1 )
q V oc
KT

Pour une meilleure approximation, le courant de photons généré, qui est égal à I sc est
directement proportionnel à la radiance : l’intensité de l’incidence solaire. Par conséquent, si
la valeur de I scest connue de la fiche technique, sous un rayonnement standard
2
G0=1000 W /m , ainsi le courant I sc obtenu pour une autre valeur de la radiance G(W /m2 ) est
donné par l’éqation suivante :

2
 I sc ( G )= ( )
G
I (G )
G0 sc 0
(7)

B/ Modèle d’une cellule solaire réelle :

On rencontre dans la littérature plusieurs modèles de la cellule photovoltaïque qui différent
entre eux par le nombre de paramètres intervenant dans le calcul de la tension et de l’intensité
de courant de sortie.
Rauschenbach (1980) et Townsend (1981) ont prouvé que des cellules photovoltaïques
peuvent être modélisées par un circuit électrique équivalent qui contient des paramètres ayant
les significations liées aux phénomènes physiques de la cellule.
 Modèle à une diode :
Réellement il existe plusieurs influences des résistances parasites dans la production de
l’énergie électrique, et la cellule photovoltaïque est représentée généralement par le schéma
suivant :

Figure 2 : Modèle d’une cellule photovoltaïque à une diode

C’est le modèle le plus classique dans la littérature, il fait intervenir un générateur de courant
pour la modélisation du flux lumineux incident, une diode pour les phénomènes physiques de
polarisation et deux résistances (série et parallèle).

 Modèle à deux diodes (à deux exponentielles):

La cellule photovoltaïque est représentée par le circuit électrique suivant (fig. 3), qui se
compose d’une source de courant modélisant le flux lumineux, deux diodes pour la
polarisation de la cellule, une résistance parallèle et une résistance série.

3
 Figure 3 : Modèle d’une cellule photovoltaïque à deux diodes

Le courant généré par la cellule PV est donné par la loi des mailles :
Ainsi :

(e ( )−1 )−I (e( )−1 )− ( V + Rs I ) (8)

q(V +R s I ) q (V + Rs I)
KT 2 KT
I =I sc −I 01 02
Rp

Il est possible de combiner les deux diodes D1 et D2 et par suite on obtient l’équation
suivante :

−I ( e −1 )−
I =I sc
( nKT )
q (V + R I) s
(V + Rs I ) (9)
0
Rp
Avec : n est connu sous le nom de ‘’ facteur d’idéalité ‘’ ( il est aussi parfois noté A )

1.2. Le module photovoltaïque :

Une cellule photovoltaïque produit une tension de sortie inférieure à 1V, par conséquent un
nombre de cellules photovoltaïques sont connectées en série pour obtenir la tension de sortie
désirée. La plupart des modules PV commercialisés avec des cellules crystalline-Si sont
constituées de 36 ou 72 cellules connectées en série. Quand les cellules PV sont connectées en
série, le courant de sortie est le même que celui d’une cellule, cependant la tension de sortie
est la somme de chaque tension de sortie de chaque cellule.
Aussi, de multiples modules peuvent être rassemblés en série ou en parallèle pour délivrer la
tension et le courant voulus. Le groupement de modules est appelé panneau.

4
A/ Modélisation d’un module photovoltaïque :

Le module BP Solar BP SX 150S, présenté à la figure 4, est choisi pour un modèle de

simulation Matlab. Le module est constitué de 72 cellules solaires multi-crystalline-silicon en
série et fournit 150 W comme puissance maximale nominale.

Figure 4 : Module Solar BP SX 150S

La stratégie de modélisation d’un module PV n’est pas différente de celle d’une cellule PV.
Cette stratégie utilise le même modèle de cellule PV. Les paramètres sont les mêmes, mais
seulement le paramètre de tension (comme la tension de circuit ouvert) est différente et doit
être divisée par le nombre de cellules.
L’étude réalisée par Walker de l’université de Queensland, Australie, utilise le modèle
électrique avec une complexité modérée, présenté à la figure 5, et fournit des résultats précis.
Le modèle consiste en un courant de source I sc , une diode D et une résistance série R s.
L’effet de la résistance parallèle R p est très négligeable dans le cas d’un seul module, par
conséquent le modèle choisi ne l’inclut pas. Pour améliorer l’étude, le modèle inclut les effets
de la température sur le courant de court circuit I sc , et le courant de saturation inverse de la
diode I 0. Ce modèle utilise une seule diode avec un facteur d’idéalité de la diode n fixé de
façon à réaliser la meilleure caractéristique I-V.

5
 Figure 5 : Circuit équivalent utilisé dans les simulations Matlab.

Comme ce modèle n’inclut pas l’effet de la résistance parallèle R p , en admettant que R p =∞

dans l’équation (9), l’équation qui décrit la relation entre le courant et la tension de la cellule
PV est présentée comme suit :

I =I sc −I 0 [ e( (
q
V +I Rs
nKT
−1 ]
)) (10)

Avec

I : est le courant de la cellule (le même que celui du module)

V : est la tension de la cellule = tension du module / (nombre des cellules en série)

T : est la température de la cellule en Kelvin ( K )

D’abord, le courant de court-circuit I sc est calculé à une température de cellule

I sc ( T )=I sc ( T réf ) [ 1+a(T−T réf ) ] (11)

Ou : I sc ( T réf )est donné dans la fiche technique (mesuré sous une radiance de 1000 W /m2)

T r é f : est la température de référence de la cellule PV en Kelvin(K ), généralement (298 K )

°
25 C .
a : est le coefficient de température de I sc , en pourcentage par degré de température aussi
donné dans la fiche technique.

Le courant de court-circuit I sc est proportionnel à l’intensité de la radiance, par conséquent

I sc à une radiance donnée (G) est :

I sc ( G )=
( )
G
I (G )
G0 sc 0
(12)

6
Le courant de saturation inverse de la diode I 0à la température de référence T réf est donné par
l’équation (13) avec un facteur d’idéalité de la diode ajouté :

I sc (13)
I 0=
(e( )−1 )
q V oc
nKT

Le courant de saturation inverse I 0 dépend de la température et I 0à une température donnée T

est calculé selon l’équation suivante :

( 3n ) e( )( 1T − T1 ) (14)
−q E g

I 0 ( T )=I 0 ( T réf )
T
T réf ( ) nK réf

 Effet de la résistance série :

La résistance série R sdu module photovoltaïque a un grand impact sur la pente de la

caractéristique I-V autour de la tension du circuit ouvert V oc , ainsi la valeur de la résistance
dI
série R sest calculée en évaluant la pente de la courbe I-V au point V oc . L’équation de R s
dV
est dérivée en différenciant l’équation (10) et ensuite en l’arrangeant en terme de R s.

I =I −I [ e
q ( VnKT
+I R
)−1 ]
s (15)
sc 0

dV + R s dI q ( ) (16)
V+I Rs

dI =0−I 0 .q
nKT
e ( ) nKT

−dI nKT /q (17)

R s= −
dV q( )
V+I R s

I 0 .e nKT

En évaluant l’équation (17) à V =V oc et en prenant I =0 , on obtient :

R s=− ( )
dV
dI V oc
−
nKT /q
(
q
nKT )
V oc
(18)

I0 .e

Avec ( dVdI ) V oc
est la pente de la courbe I-V au point V oc

7
V oc est la tension de circuit ouvert de la cellule (obtenu en divisant la valeur V oc trouvé dans
la fiche technique par le nombre de cellules connectées en série).

Finalement, il est possible de résoudre la caractéristique I-V. Cette résolution se révèle

complexe vu que la solution du courant est récursive en incluant la résistance série dans le
modèle.
Cependant, il est possible de trouver une réponse par des itérations simples, en effet, la
méthode de Newton est choisie pour une convergence rapide de la réponse. La méthode de
Newton est choisie comme suit :
f ( xn ) (19)
x n+1=x n − '
f (x n)

Ou f ' ( x ) est la dérivée de la fonction, f ( x )=0, x n est la valeur présente, x n+1est la valeur
suivante.

En réécrivant l’équation (10), on obtient la fonction suivante :

[ e nKT )−1]
( (20)
V +I R s
q
f ( I )=I sc −I −I 0

En injectant cette équation dans l’équation(19), on obtient l’équation récursive suivante et le

courant de sortie I est calculé itérativement.

I −I −I [ e
( q
V + In R s
nKT )−1 ] (21)
sc n 0
I n+1 =I −
n
q Rs q( )
V +I n Rs

−1−I 0
nKT
e( ) nKT

B/ Simulation :

Sur la base du modèle mathématique de la cellule solaire développé, on obtient le bloc

schématique de SIMULINK montré sur figure (6).

8
 Figure 6 : Modèle simulink du module PV

Les résultats de simulation du bloc SIMULINK sont montrés sur la Figure 7 et Figure 8, pour
l'éclairement G=1000 W /m2 et la température T =25 °

5
4.5
4
3.5
3
Ipv (A)

2.5
2
1.5
1
0.5
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Vpv (V)

Figure 7 : Caractéristique I-V du module PV.

9
 160
140
120
100
P (W)

80
60
40
20
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Vpv (V)

Figure 8 : Caractéristique de la puissance P du module PV.

 Influence de la température :

L’expérience montre que la tension de circuit ouvert d’une cellule solaire diminue avec
l’augmentation de la température de la cellule. Nous présentons ci-dessous la caractéristique
I-V d’un module photovoltaïque pour un niveau d’ensoleillement G=1000 W /m2 et pour
différentes températures (25°C, 50°C, 75°C) :

5
4.5
4
3.5
3
Ipv (A)

2.5
2 25°C
1.5 50°C
1 75°C
0.5
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Vpv (V)

Figure 9 : Caractéristique I-V du module PV pour différentes températures.

10
 150

100
P (W)

25°C
50 50°C
75°C

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Vpv (V)

Figure 10 : Caractéristique P-V du module PV pour différentes températures.

 Influence du rayonnement :

L’augmentation d’ensoleillement (flux lumineux) se traduit par un déplacement de la

caractéristique I =f ( V ) suivant l’axe des courants.
L’accroissement du courant de court-circuit est beaucoup plus important que celui de la
tension à circuit ouvert étant donné que le courant de court-circuit est une fonction linéaire de
l’éclairement, alors que celle de la tension à circuit ouvert est logarithmique.
L’influence du flux lumineux sur la caractéristique de la cellule solaire est représentée sur les
figures 11 et 12 à une température constante T =25 ° C .

5
4.5
4
3.5
3
Ipv (A)

2.5
2
1.5 500W/m2

1 750W/m2

0.5 1000W/m2

0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Vpv (V)

Figure 11 : Caractéristique I-V du module PV pour différentes valeurs d’éclairement

11
 160

140

120

100
P (W)

80

60

40 500W/m2
750W/m2
20
1000W/m2
0
0 5 10 15 20 25 30 35 40 45
Vpv (V)
Figure 12 : Caractéristique P-V du module PV pour différentes valeurs d’éclairement

Sur chacune des courbes, on remarque l’existence d’un point qui représente le maximum de
puissance que peut fournir le module photovoltaïque.

Il est clair que pour une température et un éclairement donnés, il existe une valeur où la
puissance générée par le module PV est maximale. Il est donc intéressant d’extraire les
coordonnées de ce point pour chaque variation de sa position sur la caractéristique. Il est
nécessaire donc d’insérer un convertisseur de puissance entre le module PV et sa charge pour
s’assurer à chaque changement du point de fonctionnement que le système se comporte d’une
façon optimale quelles que soient les conditions d’éclairement, de température et celles de la
charge.

2. Chaîne de conversion photovoltaïque

Un panneau photovoltaïque présente une caractéristique V=f (I) non linéaire avec un point de
puissance maximale (PPM). Cette caractéristique dépend de la température et du niveau
d’éclairement de la cellule photovoltaïque. De plus, selon la caractéristique de la charge
couplée à la sortie du système photovoltaïque et dans le but d’extraire à chaque instant le
maximum de puissance générée aux bornes du module et de la transmettre à la charge, l’idée
est d’utiliser un étage « d’adaptation » entre le module et la charge. Cet étage est considéré
comme une interface entre le système PV et la charge tout en assurant le transfert de la
puissance maximale.

12
Le schéma de la figure suivante nous donne une schématisation synoptique de l’ensemble
photovoltaïque étudié.

Figure 13 : Etage d’adaptation entre le module photovoltaïque et la charge

2.1. Convertisseur DC/DC

Ce type de convertisseur est destiné à adapter à chaque instant l’impédance apparente de la

charge à l’impédance du champ PV correspondant au point de puissance maximale.

 Hacheur dévolteur

Ce nom est lié au fait que la tension moyenne de sortie est inférieure à celle de l'entrée. Il
comporte un interrupteur à amorçage commandé (transistor bipolaire, transistor MOS ou
IGBT…) et en série avec la source et une diode de roue libre. Le cycle de fonctionnement, de
période de hachage T, comporte deux étapes. Lors de la première, on rend le MOSFET
passant et la diode polarisée en inverse, est bloquée. Cette phase dure de 0 à DT, avec D: est
appelé rapport cyclique, et compris entre 0 et 1.
Lors de la seconde, on bloque le MOSFET. La diode devient passante. Cette phase dure de
DT à T.

 Hacheur survolteur

Dans ce hacheur, la tension moyenne de sortie est supérieure à la tension d'entrée.

Le montage le plus simple consiste à mettre périodiquement en court-circuit la résistance R
pendant une durée tf = DT bien déterminée ; cette mise en court-circuit est assurée par un
hacheur branché en parallèle avec la résistance.

13
 Figure 14 : Hacheur survolteur Figure 15 : Hacheur dévolteur

2.2. La technique MPPT, une bibliographie :

A/ Approche Perturb and Observe

C’est l’algorithme le plus répandu dans le domaine de l’extraction de l’énergie PV.

L’algorithme Pertub and Observe (P&O) repose sur une perturbation due à une augmentation
ou une diminution de la tension V ref, ou du courant Iref, et l’observation de la conséquence de
cette perturbation sur la puissance mesurée (P=VI).

Explication en utilisant la perturbation de Vréf :

 Si dP=P (k) -P (k-1) <0 et si dVréf =Vréf (k) -Vréf(k-1) <0, on augmente Vréf ;
 Si dP=P (k) -P (k-1) <0 et si dVréf =Vréf (k) -Vréf(k-1) >0, on diminue Vréf ;
 Si dP=P (k) -P (k-1) >0 et si dVréf =Vréf (k) -Vréf(k-1) <0, on diminue Vréf ;
 Si dP=P (k) -P (k-1) >0 et si dVréf =Vréf (k) -Vréf(k-1) >0, on augmente Vréf ;

La figure (16) présente l’organigramme de la méthode « perturb and observe ».

14
 Figure 16 : Organigramme de la méthode « perturb and observe ».

Plusieurs méthodes sont adoptées pour assurer cette fonction, les premières utilisations de
cette technique MPPT remontent à 1968 dans le cadre des applications spatiales ayant comme
générateur électrique des panneaux photovoltaïques.

 Approche Open- and Short-Circuit

Cette méthode de détermination du MPP (Maximum Power Point) est basée sur la mesure en
temps réel du courant de court-circuit (short-circuit current) ou de la tension de circuit ouvert
(open circuit voltage) ainsi que sur l’utilisation de courbes Courant-Tension prédéfinies.
C’est sur ces dernières qu’est lue la valeur optimale pour la tension ou le courant.

15
  Approche Incremental Conductance
dP
dV
Cette approche se base sur l’observation de . Lorsque cette dernière quantité atteint 0, cela
signifie que la puissance extraite est sur l’unique extremum de la courbe et par conséquent au
maximum de puissance extractible. Cette méthode est plus rapide que P&O mais elle présente
de mauvais résultats pour de faibles ensoleillements.

 Approche Logique Floue

Cette technique est tout à fait nouvelle et elle repose sur l’observation en temps réel de deux
dP
dV
critères qui sont l’écart E de par rapport à la valeur recherchée (c’est-à-dire 0) et la
variation CE de cet écart. Dans chacune de ces démarches, un convertisseur est utilisé. Ces
critères permettent de construire une valeur D qui est le rapport cyclique du convertisseur.
Cette valeur D aboutit à la détermination de la valeur VMPPT à chaque instant.

3. Simulation du système photovoltaïque :

3.1. Modélisation du module photovoltaïque sous Matlab:

Cette partie est étudiée à la section 1.2/B.

3.2. Modélisation du hacheur :

Les convertisseurs DC/DC se divisent en quatre familles qui se différencient comme suit :

 Convertisseur DC/DC direct abaisseur dit ‘Buck’.

 Convertisseur DC/DC direct élévateur dit ‘Boost’.
 Convertisseur DC/DC à stockage intermédiaire abaisseur élévateur dit ‘Cuck’.
 Convertisseur DC/DC à stockage intermédiaire élévateur abaisseur ’Buck-Boost’.

Le choix de la structure à adopter reste lié au type d’application, le rapport de transformation

et le rendement du système.

Dans notre étude, l’objectif est de récupérer le maximum de puissance donc d’énergie solaire,
donc nous nous intéressons à la structure Boost.

16
  Implémentation de la structure Boost :

Figure 17 : Schéma du convertisseur BOOST

Nous avons utilisé dans notre chaîne de conversion un hacheur élévateur à cause du risque de
fonctionnement à un faible niveau de rayonnement. Le hacheur élévateur (Boost) est constitué
par une seule cellule de commutation.

Deux modes de fonctionnement sont possibles et leurs durées dépendent de la capacité de

stockage d’énergie du hacheur et de la période de commutation de l’interrupteur.

 Conduction continue : le courant dans l’inductance ne s’annule pas car l’énergie

emmagasinée dans celle-ci est transmise partiellement à la sortie du convertisseur.
 Conduction discontinue : dans ce cas, l’énergie emmagasinée dans l’inductance L
est transférée totalement et par conséquent le courant dans celle-ci s’annule.

Lors du fonctionnement du convertisseur en conduction continue nous pouvons distinguer

deux phases distinctes suivant l’état de l’interrupteur T1 :

Phase d'accumulation d'énergie : l'interrupteur T1 est fermé (état passant), ce qui

entraîne une augmentation du courant dans l'inductance. La diode D est bloquée et la
charge est alors déconnectée de l'alimentation. L’énergie stockée est sous la forme
magnétique.
L'interrupteur est ouvert, l'inductance est en série avec le module PV, sa f.e.m
s'additionne à celle du générateur : c’est l’effet survolteur. Le courant traversant

17
 l'inductance passe ensuite par la diode D, le condensateur C et la charge couplée à ses
bornes. Il en résulte un transfert de l'énergie déjà accumulée dans l'inductance vers la
capacité.

Ce fonctionnement est régi par les équations suivantes :

dI p V p −(1−C (t )) V c (21)
=
dt L

dV c (1−C(t )) I p −I c
= (22)
dt C1

C(t) : la commande de l’interrupteur T1.

Le rapport cyclique α représente la durée pendant laquelle l'interrupteur T 1 conduit par rapport
à la période de fonctionnement T qui doit être plus courte que les variations des grandeurs
électriques.

La commande prend cette expression par intervalle :

C(t)=¿ {1 si t∈[0 ,αT[ ¿ ¿¿¿

(23)

Hypothèses de calcul

Dans cette première partie nous admettrons les hypothèses suivantes :

 Tous les composants seront considérés comme parfaits (sans pertes)
 Le régime sera supposé établi (nous ne prenons pas en considération les régimes
dynamiques)
Pour fermer le circuit, nous considérons une charge résistive R branchée à la sortie du
convertisseur.

18
Nous distinguons deux phases de fonctionnement :

 1ére phase : (0 < t < αT)

Figure 18: Schéma équivalent du convertisseur pour (0 < t < αT)

Durant cette phase et comme montré par la figure (18) l’interrupteur T 1 est fermé, la diode est
bloquée, les équations sont les suivantes :

di p (24)
V p =L
dt

dV c V c (25)
C1 =
dt R

:
D’où le courant peut s’écrire

V (26)
i p (t )=I m+ p t
L
A l’instant t= αT, nous avons :

Vp (27)
I M =I m + αT
L

19
2éme phase : (αT < t < T)

Figure 19 : Schéma équivalent du convertisseur pour (αT < t < T)

A t= αT, nous ouvrons l’interrupteur et la diode D devient conductrice. Le circuit devient
comme celui donné par la figure (19) et les équations deviennent :

di p (28)
V p −V c=L
dt

dV c V c
C1 + =i p
dt R
(29)

D’où le courant s’écrit :

V c −V p (30)
i p (t )=I M − (1−α )t
L

A l’instant t=T nous aurons :

V c−V p
I m=I M − (1−α )T ( 31)
L

En combinant les relations (27) et (31) nous aurons :

20
 Vp (32)
V c=
1−α
Nous pouvons constater que la tension de sortie Vs du convertisseur ne dépend que de la
tension d'entrée Ve et du rapport cyclique α.
Ce dernier est toujours compris entre 0 et 1 alors le convertisseur sujet d’étude est toujours
élévateur de tension.

3.3. Simulation

En prenant en considération les équations différentielles déjà établies, nous pourrons passer à
la simulation du circuit du convertisseur Boost.

Nous donnons à la figure suivante l’interface du simulateur et l’implémentation des blocs

constitutifs du hacheur proposé.

Figure 20: Interface de la simulation du convertisseur Boost

 Résultats de la simulation :

21
Cette simulation nous donne les allures de la tension et du courant de sortie du convertisseur
quand il est couplé à une charge purement résistive de résistance R.

La simulation ne peut être judicieuse que si l’on ajoute la commande de l’interrupteur

considérée ici comme un train d’impulsion.

350

300

250

200
Vhach (V)

150

100

50

0
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200
t(s)

Figure 21: Tension à la sortie du hacheur

La commande doit prendre en considération le point du maximum de puissance selon lequel

se comporte l’interrupteur et alors tout le système photovoltaïque. Cette commande est dite la
commande MPPT (Maximum Power Point Tracker).

Dans notre étude on va s’intéresser à la méthode de l’Extremum Seeking Control.

3.4. L’extremum seeking control, une théorie :

L’idée derrière l’extremum seeking control est qu’un estimateur de maximas/minimas d’une
caractéristique soit perturbé par un signal sinusoidal pour mesurer les sorties correspondantes
et ajuster l’estimation. Cette estimation est après perturbée une seconde fois pour être utilisée
comme entrée de la caractéristique non-linéaire. De cette façon, l’estimateur s’approche de la
valeur du maxima/minima. La fonction non-linéaire est supposée de forme quadratique.

¿ ¿
Si J ' ' > 0 la fonction a un minimum J avec un minima θ .

22
 Figure 22 : Schéma de base de l’ESC

''
¿ J ¿ 2 (33)
J ( θ )=J + (θ ( t )−θ )
2

La variable θ^ est la valeur estimée du minimum θ . Cette estimation est perturbée par un signal
¿

sinusoïdal et utilisé comme entrée de la caractéristique non-linéaire.

θ ( t )=θ^ ( t )+ α sin ⁡(ωt) (34)

L’erreur d’estimation peut être définie comme suit :

~( ) ¿ ^ ( ) (35)
θ t =θ −θ t

En combinant les deux dernières équations, on obtient :

~
θ ( t )−θ¿ =α sin ( ωt )−θ ( t ) (36)

Ainsi, on obtient :

''
¿ J ~ 2 (37)
J=J + (α sin ( ωt ) −θ ( t ) )
2

'' 2 ''
J ~ 2
¿ ''~ α J 2 (38)
J=J + θ ( t ) −α J θ ( t ) sin ( ωt )+ ¿ sin (ωt)¿
2 2

23
 '' 2 ''
¿ J ~ ( )2 ''~ α J 2 (39)
J=J + θ t −α J θ ( t ) sin ( ωt )+ ¿ sin (ωt)¿
2 2

''
J ~ ( )2
Le terme θ t est supposé d’être faible parce qu’il s’agit d’une analyse locale, et donc par
2
conséquent peut être supprimé. L’expression résultante peut être développée en utilisant
l’expression d’identité trigonométrique suivante :

2 1 1 (40)
sin ( ωt )= − cos ⁡(2 ωt)
2 2
Ainsi :

2 '' 2 ''
¿ α J '' ~ α J (41)
J=J + −α J θ (t ) sin ( ωt )−¿ cos ⁡(2 ωt) ¿
4 4

Le filtre passe haut filtre les composantes continues du signal de sortie J :

2 ''
s '' ~ α J (42)
χ= J ≈−α J θ ( t ) sin ( ωt )− cos ⁡(2 ωt)
s+ h 4

En multipliant par le terme sin ( ωt ) , on obtient :

2 ''
'' ~ 2 α J (43)
ξ ≈−α J θ ( t ) sin ( ωt )− cos ( 2 ωt ) sin ⁡(ωt )
4

Cette fonction peut être développée en utilisant les deux identités trigonométriques suivantes :

1 (44)
cos (2 ωt ) sin ( ωt )= (sin ( 3 ωt )−sin ( ωt ) )
2

2 1 1 (45)
sin ( ωt )= − cos ⁡(2 ωt)
2 2

Donc :

2 '' 2 ''
'' ~ α J ~( ) α J (46)
ξ ≈−α J θ ( t ) + θ t cos ( 2 ωt ) + (sin ( ωt )−sin (3 ωt ))
2 8

24
L’intégrateur va atténuer les composantes de hautes fréquences avec cos ⁡(2 ωt ), sin ⁡(ωt ), et
sin ⁡(3 ωt),

''
^ ≈ β αJ ~ (47)
O(t) θ (t )
s 2
''
^˙ ( t ) = αβ J ~ (48)
O θ (t )
2

En tenant compte de l’équation :

~( ) ¿ ^ ( ) (49)
θ t =θ −θ t

Avec θ¿ une constante, on aura :

''
~˙ ( ) −αβ J ~ ( ) (50)
θt= θt
2
Ou α , β et J ' ' >0, ceci conduit alors à un système stable tel que :

(51)
~
O ( t ) →0

^
O(t)→ O¿ (t) (52)

Ce schéma, peut être utilisé pour localiser un maximum(J ' ' < 0), le gain d’adaptation β doit
être donc négatif β <0.

Dans notre travail on s’est focalisé sur la méthode du : Sinusoïdal Extremum Seeking
Control :

3.5. Sinusoïdal Extremum Seeking Control :

Le schéma de principe de cette méthode est donné par la figure suivante :

25
 Figure 23 : Schéma de principe de Sinusoïdal Extremum Seeking Control

On se propose d’appliquer une variation brusque d’éclairement de 1000 W /m2 à 500 W /m2 à
t=0.2 s . Les simulations sous l’environnement Simulink/Matlab ont donné les figures
suivantes :

Figure 24: Caractéristique I=f(V) du panneau photovoltaique pour un changement

d’éclairement de1000 W /m2 à 500 W /m2

26
 Figure 25: Caractéristique P=f(V) du panneau photovoltaique pour un changement
d’éclairement de1000 W /m2 à 500 W /m2

Figure 26 : Variation temporelle de la puissance P du panneau photovoltaique pour un

changement d’éclairement de1000 W /m2 à 500 W /m2

On remarque que le système atteint la valeur maximale de puissance correspondante à chaque

valeur d’éclairement.

27
 3.6. Sliding mode Extremum seeking control

Le mode glissant est l’une des approches de commande les plus robustes.

Le schéma de principe de cette méthode est donné dans la figure suivante :

Figure 27 : Module photovoltaïque connecté à la charge

La surface de glissement S ( . ) proposée est exprimée par l’expression suivante :

u=
{
1 si S (ν 0 , u , ξ)>0
0 si S (ν 0 , u , ξ)<0 } (53)

S ( ν 0 , u , ξ )=i L −i Lref + K 0 ξ (54)

ξ̇=ν 0−V e , 𝜉(0)=0 (55)

Avec K 0 est une constante positive et i Lref est la valeur de référence du courant traversant la
bobine, V e est la tension désirée.

En mesurant le courant et la tension issus du module photovoltaïque, la puissance du module

est calculée et comparée à sa valeur antérieure. En prenant en considération cette
comparaison, i Lref est recalculé.

28
 i Lref [ n+1 ]=i Lref [ n ] + Δi Lref (56)
Avec i Lref [ n ] et Δi Lref sont respectivement le courant de référence et sa perturbation tels que :

Δ P PV (57)
Δi Lref =α
Δ V PV
Δ P PV =P [ n ]−P [ n−1 ] (58)
Δ V PV =V PV [ n ] −V PV [n−1] (59)

On se propose d’appliquer une variation brusque d’éclairement de 1000 W /m2 à 500 W /m2 à
t=1 s . Les simulations sous l’environnement Simulink/Matlab ont donné les figures
suivantes :

Figure 28: Caractéristique I=f(V) du panneau photovoltaique pour un changement

d’éclairement de1000 W /m2 à 500 W /m2

29
 Figure 29: Caractéristique P=f(V) du panneau photovoltaique pour un changement
d’éclairement de1000 W /m2 à 500 W /m2

Figure 30: Variation temporelle de la puissance P du panneau photovoltaique pour un

changement d’éclairement de1000 W /m2 à 500 W /m2

On remarque qu’à l’issue de ces simulations, le système atteint la valeur maximale de

puissance correspondante à chaque valeur d’éclairement.

30
Conclusion :

Lors de cette première année de thèse, on a pu modéliser le module photovoltaïque, le hacheur

boost et le bloc MPPT. La simulation sous l’environnement Matlab/Simulink a permis de
décrire le comportement du système pour des variations de conditions climatiques en mettant
en œuvre la méthode du Sinusoïdal Extremum Seeking Control et celle du Sliding Mode
Extremum Seeking Control.

31
Références bibliographiques :

[1] H. Zazo, R. Leyva and E. del Castillo: ‘’Analysis of Newton-Like Extremum Seeking Control
in Photovoltaic Panels’’ International Conference on Renewable Energies and Power Quality
(ICREPQ’12)

[2] R. LEYVA et Al: ‘’ MPPT of Photovoltaic Systems using Extremum–Seeking Control’’IEEE

Log No. T-AES/42/1/862549.

[3] R. Leyva,1 C. Olalla et al, :’’ MPPT Based on Sinusoidal Extremum-Seeking Control in
PV Generation’’International Journal of Photoenergy Volume 2012, Article ID 672765

[4]Azad Ghaffari, Sridhar Seshagiri, et, Miroslav Krsti´c : Power Optimization for Photovoltaic
Micro-Converters using Multivariable Gradient-Based Extremum-Seeking.

[5] Her-Terng Yau * and Chen-Han Wu : ‘’ Comparison of Extremum-Seeking Control

Techniques for Maximum Power Point Tracking in Photovoltaic Systems’’ Energies 2011, 4.

[6] Scott Moura : ‘’ a switched extremum seeking approach to maximum power point
tracking in photovoltaic systems’’EECS 498-003 Project, April 21, 2009.

[7] Her-Terng Yau, Chih-Jer Lin, and Chen-Han Wu:’’ Sliding Mode Extremum Seeking
Control Scheme Based on PSO for Maximum Power Point Tracking in Photovoltaic
Systems’’ International Journal of Photoenergy Volume 2013.

[8] Miroslav Krstic:’’Extremum Seeking Feedback Tools for Real-Time Optimization’’,

Large Scale Robust Optimization, Sandia, August 2005

[9] N.Muralikrishna*, N.Swathi: ‘’ four switch buck-boost converter for grid connected pv
application’’ International Journal of Engineering & Science Research, Volume-2, Sept 2012

[10] Maouedj Rachid : ‘’application de l’energie photovoltaïque au pompage hydraulique sur

les sites de tlemcen et de bouzareah’’, mémoire de magister, Université Abou Bekr Belkaïd
Faculté des Sciences, 2005.

[11] Souleymane NDOYE, Ibrahima LY, Fabé Idrissa BARRO, Ould Habiboulahi
LEMRABOTT, Grégoire SISSOKO : ‘’ Modelisation et simulation sous matlab/simulink de
la chaine d’alimentation d’une station relais de telecommunications en energie solaire
photovoltaique dans une zone isolee du reseau electrique’’ , Journal des Sciences

[12] Meflah aissa : Modélisation et commande d’une chaine de pompage photovoltaique,

Universite abou bekr belkaid - tlemcen faculte des sciences, 2011.

32