RAPPORT DE L’ENERGIE

RNOUVLABLE

Thème :
Modélisation des caractéristiques électriques de la cellule
photovoltaïque Considérant le modèle à diode unique

Encadrer par : Dr. Pr .Moutabir Présenter par :

-Aziza Marzoukh
 -Asmae Elkortobi
-Hafsa Choukairi

2023/ 2024

1
 SOMMAIRE

Introduction …………………………………………………………………………………………………………………………… 1
MODÉLISATION DE CELLULE SOLAIRE MONODIODE ………………………………………………………2

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 IN TRODUCTION

L'énergie solaire est une source d'énergie renouvelable majeure, a connu un développement

important grâce à l'avènement de divers modèles de cellules solaires. Parmi ces modèles, les

cellules photovoltaïques à diode unique font l'objet d'une attention particulière. Cet article

se focalise sur l'analyse des caractéristiques courant-tension et puissance-tension de ces

modèles en fonction de la résistance série, de la résistance shunt, de la température et de

l'irradiation. Une comparaison entre un modèle idéal, un modèle avec résistance série et un

modèle avec résistances série et shunt est également effectué. Les résultats obtenus,

visualisés et commentés, permettent de tirer des conclusions sur les performances et les

avantages de chaque modèle. Cette étude contribue à la compréhension et à l'optimisation

des cellules photovoltaïques à diode unique pour une meilleure exploitation de l'énergie

solaire.

Le photovoltaïque connaît un essor important ces dernières années et est appelé à devenir

une source d'énergie majeure dans le futur. Les cellules solaires convertissent l'énergie

solaire en électricité grâce à l'effet photovoltaïque, en absorbant les photons d'énergie

adéquate au niveau de la jonction PN. Seuls les photons d'énergie supérieure à la bande

interdite de la cellule génèrent de l'électricité. De nombreux modèles mathématiques ont

été développés pour simuler le comportement des cellules solaires, et le modèle à diode

unique est utilisé dans ce cas pour évaluer leurs performances.

3
 I. MODÉLISATION DE CELLULE SOLAIRE MONODIODE :

Les modèles de circuits équivalents définissent l'intégralité de la courbe IV d'une

cellule, d'un module ou d'un réseau en tant que fonction continue pour un ensemble
donné de conditions de fonctionnement. Trois modèles de circuits équivalents
peuvent être utilisés pour décrire un modèle à diode unique tels que : la cellule
solaire idéale ou le modèle 1M4P, la cellule solaire à résistance série appelée
également 1M5P, et la cellule solaire à résistance série et shunt résistances qui
s’appelle 1M5P

A. Cellule solaire idéale (1M4P)

Les caractéristiques IV d'une cellule solaire ont une caractéristique exponentielle similaire à
celle d'une diode. Le circuit équivalent idéal d’une cellule solaire est une source de courant en
parallèle avec une seule diode, Ce modèle implique les quatre paramètres inconnus ce modèle est
également appelé 1M3P (Single Mechanism, Three Parameters). La configuration de la cellule solaire
idéale simulée avec une seule diode est illustrée à la figure 1.

Figure 1 : Schéma équivalent d’une cellule solaire idéale à diode unique (1M3P)

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  ANALYSE :
L'équation caractéristique est déduite directement de la Loi de Kirchhoff :

Le courant de la diode est donc la sortie le courant est présenté par l’équation
IV non linéaire suivante :

Avec :

PV : Photovoltaïque

IV : courant-tension

PV : puissance-tension

Iph[A] : le courant généré par la lumière incidente Is[A]

 Remarque :
Pour les mêmes conditions d'irradiation et de température de jonction PN, le courant de court-circuit
Isc est la plus grande valeur du courant généré par la cellule et la tension en circuit ouvert Voc est la
plus grande valeur de la tension aux bornes de la cellule Ils sont donnés par :

pour Vpv=0

pour IPv=0

La puissance de sortie est :

B. Cellule solaire avec résistance en série

Plus de précision peut être introduite dans le modèle en ajoutant une résistance série. Le
schéma électrique équivalent à ce modèle est représenté sur la figure 2. Ce modèle implique les

5
quatre paramètres inconnus suivants : modèle m, Iph, Rs et Is qui est également appelé 1M4P (Single
Mechanism, Four Parameters)

Figure 2 : Modèle équivalent de cellule solaire à diode unique avec résistance série (1M4P).
 ANALYSE :
Le courant des diodes est :

Par conséquent, les caractéristiques IV de la cellule solaire à diode unique et résistance série sont
données par :

Avec :

PV : Photovoltaïque

IV : courant-tension

PV : puissance-tension

Iph[A] : le courant généré par la lumière incidente Is[A]

 Remarque
Pour les mêmes conditions d'irradiation et de température de jonction PN, l'inclusion d'une
résistance série dans le modèle implique l'utilisation d'une équation récurrente pour déterminer le
courant de sortie en fonction de la tension aux bornes. Une technique itérative simple initialement
essayée ne convergeait que pour les courants positifs

C. Cellule solaire avec résistances série et shunt (1M5P)

La cellule photovoltaïque dans ce cas est représentée par le circuit de la Fig. 3 qui est

constitué d'une source de courant modélisant le flux lumineux, les pertes sont modélisées par deux

résistances : la résistance shunt, et la résistance série. Le modèle fait donc intervenir les cinq

paramètres inconnus suivants : m, Iph, Rs Rsh et Est . Ce modèle est également appelé 1M5P (Single

Mechanism, Five settings)

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Fig. 3. Modèle équivalent de cellule solaire à diode unique avec résistances série et shunt (1M5P)

 ANALYSE
L'équation caractéristique peut être déduite directement en utilisant la loi de Kirchhoff :

Où le courant de la diode est :

Et le courant shunt est :

La relation entre le courant de sortie de la cellule photovoltaïque et la tension aux bornes selon
le modèle à diode unique est régie par l'équation :

 Remarque :
Pour les mêmes conditions d'irradiation et de température de jonction PN, l'inclusion d'une
résistance série dans le modèle implique l'utilisation d'une équation récurrente pour déterminer le
courant de sortie en fonction de la tension aux bornes. Une technique itérative simple initialement
essayée ne convergeait que pour les courants positifs

La modélisation de la cellule PV dans les trois cas a été réalisée en appliquant les équations
précédentes. De nombreux types de simulation sont réalisés en fonction du modèle choisi et des
paramètres sélectionnés.

II. INFLUENCES ENVIRONNEMENTALES ET PHYSIQUES PARAMÈTRES

7
 A. Influence de l'irradiation et de la température

Dans les trois modèles, la température est maintenue constante à 25°C et en faisant
varier l'irradiation (250W/m2, à 500W/m2, 750W/m2 , 1000W/m2 )

influence de l'irradiation

La figure 4 montre le programme Matlab résultats dans ces conditions sur les
caractéristiques IV et PV respectivement. Il est clair que le courant généré par la lumière
incidente dépend de l’irradiation : plus l’irradiation est élevée, plus le courant est important.
D'un autre côté, la tension reste presque constante et elle ne le sera pas. L'influence de
l'irradiation sur le point de puissance maximale est claire : plus l'irradiation est élevée, plus le
point de puissance maximale sera élevé
 Analyse du graphe

Le graphe montre l'effet de la tension et du courant sur la fréquence d'un oscillateur. Il y a

deux courbes sur le graphe :

 Courbe 1 : Tension (V) en fonction de la puissance (w) pour différentes valeurs d'irradiations
(E)
 Courbe 2 : Courant (A) en fonction de la tension (V) pour différentes valeurs d'irradiations (E)

 Observations:

Courbe 1:

 Pour chaque valeur d'irradiations, la tension et la puissance sont proportionnelles.

 La puissance augmente avec l’irradiation.
 La pente de la courbe est plus prononcée pour les valeurs d'irradiations plus élevées.

8
 Courbe 2:

 Le courant et la tension sont non linéaires.

 Le courant augmente avec la tension, mais à un rythme décroissant.
 L'augmentation du courant est plus prononcée pour les valeurs de tension plus basses.

 Conclusion:

Le graphe montre que la tension et le courant ont un effet significatif sur la fréquence
d'un oscillateur. L’irradiation affecte également la puissance en rendant l'oscillateur
plus sensible aux variations de tension.

Influence de la température
Deuxièmement, l'irradiation est maintenue constante à 1 000 W/m2 et des températures
variables (25°C, 50°C, 75°C, 100°C) généreront les courbes caractéristiques.

La figure 5 montre les résultats de simulation des caractéristiques IV et PV respectivement dans

les mêmes conditions. Le courant généré par la lumière incidente va rester constant même s'il
augmente légèrement tandis que la tension diminue

 Analyse du graphe
 Courbe 1 : Courant (A) en fonction de la tension (V) pour différentes valeurs de
température (T)
 Courbe 2 : Puissance (W) en fonction de la tension (V) pour différentes valeurs de
température (T)
 Observations:
 Courbe 1:

 Le courant et la tension sont non linéaires.

 Le courant augmente avec la tension, mais à un rythme décroissant.
 L'augmentation du courant est plus prononcée pour les valeurs de tension plus basses.
 Effet de la température:
o Le courant diminue avec l'augmentation de la température.
o La diminution du courant est plus prononcée pour les valeurs de tension plus élevées.
 Courbe 2:

 La puissance est proportionnelle à la tension pour les faibles valeurs de tension.

 La puissance atteint un maximum puis décroît avec la tension.

9
 La tension maximale pour laquelle la puissance est maximale diminue avec l'augmentation
de la température.
 Effet de la température:
o La puissance diminue avec l'augmentation de la température.
o La diminution de la puissance est plus prononcée pour les valeurs de tension élevées.

 Interprétation:

 L'augmentation de la température a un effet négatif sur le courant et la puissance d'une

cellule photovoltaïque.
 Cet effet est plus prononcé pour les valeurs de tension élevées.
 La diminution du courant et de la puissance est due à la diminution de la tension de seuil et
de l'efficacité de conversion de la cellule avec l'augmentation de la température.

 Conclusion:

Le graphe montre que la température est un facteur important à prendre en compte pour la
performance d'une cellule photovoltaïque.

Influence de la température et de l'irradiation.

L'effet de l'augmentation de la température diminue la tension et la puissance. La figure 6

montre l'influence à la fois de l'irradiation et de la température, on peut remarquer que les courbes
IV et PV sont similaires à celles de l'influence de l'irradiation avec des valeurs de puissance
légèrement supérieures ; l'effet de la température dans ce cas est presque ignoré

 Analyse du graphe

Le graphique montre l'influence de la température et de l'irradiation sur la puissance

d'un transistor. Il y a deux courbes distinctes :

 Courbe 1 : Puissance vs Tension (courant constant)

 Cette courbe représente la puissance dissipée par le transistor en fonction de la

tension appliquée à ses bornes, à un courant constant.
 On observe que la puissance augmente avec la tension, de manière non linéaire.

10
 La pente de la courbe indique la résistance interne du transistor.

 Courbe 2 : Puissance vs Courant (tension constante)

 Cette courbe montre la puissance dissipée par le transistor en fonction du courant

qui le traverse, à une tension constante.
 La puissance augmente également avec le courant, de manière non linéaire.
 La pente de la courbe indique la transconductance du transistor.

 Effet de la température

 Deux jeux de courbes sont représentés, l'un pour une température ambiante de 0°C
et l'autre pour une température de 25°C.
 On observe que la puissance dissipée est plus élevée à 25°C qu'à 0°C, pour une
même tension ou un même courant.
 Cela est dû à l'augmentation de la résistance interne du transistor avec la
température.

 Effet de l'irradiation

 Trois jeux de courbes sont représentés pour différentes irradiations : 250 W/m², 500
W/m² et 750 W/m².
 On observe que la puissance dissipée augmente avec l'irradiation, pour une même
tension ou un même courant.
 Cela est dû à l'augmentation du nombre de porteurs de charge dans le transistor
sous l'effet de l'irradiation.

B. Influence de la résistance série et de la température

Influence de la résistance série

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 La figure 7 montre l'influence de la résistance série sur les caractéristiques IV et PV des cellules
photovoltaïques 1M4P et 1M5P. La résistance série est la pente de la caractéristique dans la zone où
la cellule PV se comporte comme un générateur de tension ; elle ne modifie pas la tension en circuit
ouvert et, lorsqu'elle est élevée, elle diminue la valeur du courant de court-circuit.

 Analyse des graphiques

 Graphique 1 : Tension en fonction Courant

Ce graphique montre la relation entre la tension et le courant dans un circuit avec une
résistance série. La tension est mesurée en volts (V) et le courant en ampères (A).

 Observations:

 La courbe est une ligne droite qui passe par l'origine.

 La pente de la ligne droite est positive, ce qui indique une relation directe entre la tension et
le courant.
 Plus la tension est élevée, plus le courant est élevé.
 La valeur de la résistance série peut être déterminée à partir de la pente de la ligne droite.

 Calcul de la résistance série:

La résistance série (Rs) est égale à la tension divisée par le courant. En utilisant les
valeurs indiquées sur le graphique, on obtient :

 Rs = 1 V / 0,2 A = 5 ohms
 Rs = 1,2 V / 0,3 A = 4 ohms

 Graphique 2 : Puissance en fonction de tension

Ce graphique montre la relation entre la puissance et la tension dans le même circuit. La

puissance est mesurée en watts (W).

 Observations:

 Puissance-tension (P-V):

 La courbe P-V est déduite de la courbe I-V.

 La puissance maximale (Pmax) est atteinte pour une tension (Vmp) et un courant (Imp)
spécifiques.
 L'augmentation de Rs se traduit par une diminution de Pmax, Vmp et Imp.
 La réduction de Pmax est plus importante pour les valeurs élevées de Rs.

12
  Calcul de la puissance maximale:

La puissance maximale (Pmax) est égale à la tension carrée divisée par quatre fois la
résistance série. En utilisant les valeurs indiquées sur le graphique, on obtient :

 Pmax = (1 V)^2 / (4 * 5 ohms) = 0,05 W

 Pmax = (1,2 V)^2 / (4 * 4 ohms) = 0,09 W

Conclusion:

 La résistance série a un impact négatif sur les performances d'une cellule photovoltaïque.
 Cet impact est plus prononcé à bas voltage et pour des valeurs élevées de Rs.
 Il est important de minimiser la résistance série pour maximiser l'efficacité de la cellule.

Influence de la résistance série et de la température.

L'influence de la résistance série et de la température sur les mêmes modèles précédents

est présentée sur la figure 8, où le courant de court-circuit prend la même valeur tandis que
la tension en circuit ouvert augmente

 Analyse du graphe I-V et P-V d'une cellule photovoltaïque

 Courbe I-V

L'image montre trois courbes I-V d'une cellule photovoltaïque à différentes températures et
résistances série.

 Points clés à observer:

 Courant de court-circuit (Isc): Le courant maximal généré par la cellule lorsqu'elle est court-
circuitée (tension = 0).

13
 Tension à vide (Voc): La tension maximale générée par la cellule lorsqu'elle n'est pas
connectée à une charge (courant = 0).
 Point de puissance maximale (MPP): Le point sur la courbe où la puissance produite par la
cellule est maximale. Ce point est caractérisé par la tension de fonctionnement (Vmpp) et le
courant de fonctionnement (Impp).
 Facteur de remplissage (FF): Un indicateur de l'efficacité de la cellule, défini comme le
rapport entre la puissance maximale et le produit de Voc et Isc.

 Effets de la température et de la résistance série:

 Augmentation de la température:
o Diminue Isc et Voc.
o Déplace le MPP vers des tensions et courants plus faibles.
o Réduit le FF.
 Augmentation de la résistance série:
o Réduit Isc et Voc.
o Diminue la pente de la courbe I-V.
o Réduit le FF.

 Courbe P-V

La courbe P-V est obtenue en multipliant chaque point de la courbe I-V par la tension
correspondante.

 Points clés à observer:

 Puissance maximale (Pmax): La puissance maximale que la cellule peut fournir à une charge.
 Efficacité: Le rapport entre la puissance maximale et l'éclairement incident.

Effets de la température et de la résistance série:

 Augmentation de la température:
o Réduit Pmax.
 Augmentation de la résistance série:
o Réduit Pmax.

 Conclusion:

L'analyse des courbes I-V et P-V permet de déterminer les caractéristiques électriques d'une
cellule photovoltaïque et d'évaluer l'impact de la température et de la résistance série sur
ses performances.

C. Influence de la résistance série et de l'irradiation

Influence de la résistance série et de l'irradiation pour le

modèle 1M4P et 1M5P

14
 figures 9 et 10 montrent l'importance de la résistance série, qui indique la différence entre les
différents modèles. Sur la figure 10, les performances d'une cellule PV 1M4P sont très dégradées
lorsque Rs et l'irradiation sont élevés, d'un autre côté, le modèle 1M5P n'est pas aussi influencé par
la résistance série que le modèle 1M4P

 Analyse des courbes:

 Courbe 1 - Influence de la résistance série (Rs):

 Courant (I): Diminution du courant avec l'augmentation de la résistance série.

 Puissance (P): Diminution de la puissance avec l'augmentation de la résistance série.
 Tension (V): Augmentation de la tension avec l'augmentation de la résistance série.

 Courbe 2 - Influence de l'irradiation (E):

 Courant (I): Augmentation du courant avec l'augmentation de l'irradiation.

15
 Puissance (P): Augmentation de la puissance avec l'augmentation de l'irradiation.
 Tension (V): Augmentation de la tension avec l'augmentation de l'irradiation.

 Remarque:

 L'impact de la résistance série est plus significatif sur le courant que sur la tension.
 L'irradiation a un impact important sur toutes les caractéristiques électriques (I, P, V).

 Conclusions:

 La résistance série a un impact négatif sur les performances de la cellule PV (diminution du

courant et de la puissance).
 L'irradiation est un facteur clé pour maximiser les performances de la cellule PV
(augmentation du courant, de la puissance et de la tension).

D. Influence de la résistance aux shunts et de l'irradiation

Influence de la résistance du shunt.

la figure 11, avec les mêmes valeurs de court-circuit. courant de circuit et tension
en circuit ouvert, de sorte que l'influence de la résistance du shunt dans ce cas a été
ignorée par rapport à l'influence de l'irradiation.
 Analyse de graphe
 Courbes:

 Courbe rouge: Puissance en fonction de la tension pour une résistance de shunt de

Rsh
 Courbe bleue: Puissance en fonction de la tension pour une résistance de shunt de
0.1*Rsh
 Courbe verte: Puissance en fonction de la tension pour une résistance de shunt de
0.01*Rsh
 Courbe orange: Puissance en fonction de la tension pour une résistance de shunt
de 0.005*Rsh
16
 Courbe violette: Puissance en fonction de la tension pour une résistance de shunt
de 0.001*Rsh

 Observations:

 La puissance maximale est atteinte pour une tension d'environ 0.6 V.

 La puissance diminue lorsque la résistance du shunt diminue.
 La diminution de la puissance est plus prononcée pour les faibles tensions.

 Conclusion:

La résistance du shunt a un impact important sur la puissance de sortie d'un circuit

photovoltaïque. Une résistance de shunt plus faible permet d'obtenir une puissance
plus élevée, mais elle peut également entraîner une diminution de la tension de
sortie. Il est donc important de choisir une résistance de shunt adaptée aux besoins
de l'application.

E. Influence de la résistance du shunt et de la température

Influence de la résistance du shunt et de la température.

La résistance shunt est une résistance qui prend en compte la fuite inévitable de courant qui se
produit entre les bornes d'une cellule solaire. En général, lorsque la résistance du shunt est très
élevée, son effet se fait surtout sentir dans la production d’énergie. L'influence de la résistance shunt
sur les caractéristiques courant-tension se traduit par une légère diminution de la tension en circuit
ouvert et une augmentation de la pente de la courbe IV de la cellule dans la zone correspondant au
fonctionnement en source de courant [8] (voir Fig. 12).

 Analyse de graphe :

 Courbes:

17
 Courbe rouge: Courant en fonction de la tension pour une résistance de shunt de
Rsh et une température de 0 °C
 Courbe bleue: Puissance en fonction de la tension pour une résistance de shunt de
Rsh et une température de 0 °C
 Courbe verte: Courant en fonction de la tension pour une résistance de shunt de
0.01*Rsh et une te
 mpérature de 25 °C
 Courbe orange: Puissance en fonction de la tension pour une résistance de shunt
de 0.01*Rsh et une température de 25 °C
 Courbe violette: Courant en fonction de la tension pour une résistance de shunt de
0.05*Rsh et une température de 50 °C
 Courbe marron: Puissance en fonction de la tension pour une résistance de shunt
de 0.05*Rsh et une température de 50 °C
 Courbe turquoise: Courant en fonction de la tension pour une résistance de shunt
de 0.001*Rsh et une température de 75 °C
 Courbe grise: Puissance en fonction de la tension pour une résistance de shunt de
0.001*Rsh et une température de 75 °C

 Observations:

 La puissance maximale est atteinte pour une tension d'environ 0.6 V.

 La puissance diminue lorsque la résistance du shunt diminue.
 La diminution de la puissance est plus prononcée pour les faibles tensions.
 La puissance maximale diminue lorsque la température augmente.
 La diminution de la puissance maximale est plus prononcée pour les faibles
résistances de shunt.

 Conclusion:

La résistance du shunt et la température ont un impact important sur la puissance de

sortie d'un circuit photovoltaïque. Une résistance de shunt plus faible permet
d'obtenir une puissance plus élevée, mais elle peut également entraîner une
diminution de la tension de sortie. Une augmentation de la température entraîne une
diminution de la puissance maximale. Il est donc important de choisir une résistance
de shunt et une température de fonctionnement adaptées aux besoins de
l'application.

F. Influence des résistances shunt et série

Influence de la résistance shunt et série

18
  Analyse du graphe de simulation MATLAB

 Graphique 1 : Courant (A) en fonction de la Tension (V)

 Ce graphique montre l'influence de la résistance série (Rs) et de la résistance shunt

(Rsh) sur le courant généré par une cellule photovoltaïque.
 On observe que le courant augmente avec la tension, mais à un rythme décroissant.
 L'augmentation de la résistance série (Rs) diminue le courant généré.
 L'augmentation de la résistance shunt (Rsh) augmente le courant généré.

 Graphique 2 : Puissance (W) en fonction de la Tension (V)

 Ce graphique montre la puissance électrique générée par la cellule photovoltaïque

en fonction de la tension.
 La puissance maximale est atteinte pour une tension optimale (environ 0,5 V).
 L'augmentation de la résistance série (Rs) diminue la puissance maximale.
 L'augmentation de la résistance shunt (Rsh) augmente la puissance maximale.

 Conclusion :

 Ces graphiques permettent de comprendre l'influence de la résistance série et de la

résistance shunt sur les performances d'une cellule photovoltaïque.
 Ils peuvent être utilisés pour optimiser la conception d'un système photovoltaïque.

G. Influence de la résistance aux shunts et de l'irradiation

19
 La figure 14 présente l'influence simultanée de la résistance shunt et de l'irradiation sur un
modèle 1M5P, à partir de laquelle nous pouvons conclure que les caractéristiques IV et PV sont
similaires à celles de l'influence de la résistance shunt représentée sur la figure 11, avec les mêmes
valeurs de court-circuit. Courant de circuit et tension en circuit ouvert, de sorte que l'influence de la
résistance du shunt dans ce cas a été ignorée par rapport à l'influence de l'irradiation

 Analyse simple du graphe de simulation MATLAB

 Le graphe présente l'influence de la résistance du shunt (Rsh) et de l'irradiance sur le

comportement d'une cellule photovoltaïque (PV).Plusieurs courbes sont
représentées, chacune correspondant à une valeur d'irradiance différente :

 250 W/m² (bleu)

 500 W/m² (orange)
 750 W/m² (vert)
 1000 W/m² (violet)

 Chaque courbe montre la relation entre la tension (en volts) et le courant (en
ampères) pour une valeur de Rsh donnée.
 Observations:

 Augmentation de l'irradiance:
o Augmentation du courant de court-circuit (Isc)
o Augmentation du courant à la tension maximale (Im)
o Augmentation de la puissance maximale (Pmax)
 Augmentation de Rsh:
o Diminution du courant de court-circuit (Isc)
o Diminution du courant à la tension maximale (Im)
o Diminution de la puissance maximale (Pmax)
o Augmentation du facteur de forme (FF).

 Conclusion:

 L'irradiance et Rsh ont un impact significatif sur les performances d'une cellule PV.
 Le choix de Rsh est important pour optimiser la Pmax et le FF.

III. COMPARAISON ENTRE LES TROIS MODÈLES

La même condition de référence est sélectionnée pour chaque modèle Les performances
de la cellule solaire sont normalement évaluées dans les conditions de test normalisées
(STC), l'irradiation est normalisée à 1000W/m2 et température à 25°C.

20
 . Comparaison entre les trois modèles de cellules PV monodiode.

La Fig. 15 présente une comparaison entre différents modèles de cellules PV mono

diode à partir de laquelle on peut noter que le 1M3P a les performances optimisées du
modèle mono diode avec des valeurs de courant et de puissance plus élevées, à l'inverse
le 1M5P donne des valeurs de courant et de puissance plus faibles, ainsi les courbes
1M4P prouvent qu'il s'agit du modèle le plus précis car plus proche du fonctionnement
réel de la cellule PV
 ANALYSE DE GRAPHE
 Le graphe présente la comparaison des caractéristiques courant-tension (I-V)
de trois modèles de cellules photovoltaïques (PV) monodiode : 1M3P, 1M4P et
1M5P.
 Observations:

 Modèle 1M3P:
o Courant de court-circuit (Isc) le plus élevé
o Tension à vide (Voc) la plus basse
o Facteur de forme (FF) le plus bas
 Modèle 1M4P:
o Isc et Voc intermédiaires
o FF intermédiaire
 Modèle 1M5P:
o Isc le plus bas
o Voc la plus élevée
o FF le plus élevé.

 En résumé:

 Le graphe montre que le modèle 1M5P a la meilleure efficacité, suivi par le modèle 1M4P et
le modèle 1M3P.
 Le choix du modèle dépend de l'application et des exigences spécifiques.

21
22
 CONCLUSION

Nous avons présenté les caractéristiques électriques fondamentales de la cellule

photovoltaïque à diode unique où tous les circuits équivalents ont été décrits et

les modèles équivalents ont été discutés. Une comparaison entre ces modèles a

démontré que le modèle de cellule solaire à résistance série (1M4P) offre un

comportement plus réaliste pour les systèmes photovoltaïques tout en combinant

simplicité et précision. Le modèle à diode unique a été analysé en fonction de

phénomènes physiques tels que la série de résistances et le shunt de résistance,

et de paramètres environnementaux tels que l'irradiation et la température.

23