EXERCICES D’ELECTRONIQUE

I. TRANSISTOR BIPOLAIRE
I.1. PRINCIPES FONDAMENTAUX

Les symboles de transistor bipolaire sont :

Les courants du transistor bipolaire sont

✓ Le courant de base 𝐼𝐵 Figure 1

✓ Le courant collecteur 𝐼𝐶
✓ Le courant émetteur 𝐼𝐸

Les relations fondamentales entre les trois courants sont :

→ Le courant d’émetteur est 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

→ Le courant collecteur 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶𝐵𝑂 ≅ 𝛽. 𝐼𝐵
𝐼
→ Le facteur d’amplification ou gain en courant continu 𝛽 = 𝐶
𝐼𝐵
𝐼𝐸
→ le rapport entre 𝐼𝐸 et 𝐼𝐶 donne le facteur α ; α = 𝐼𝐵
𝛽 𝛼
→ le rapport entre α et β est ∶ 𝛼=
1+ 𝛽
et 𝛽=
1− 𝛼

Le courant de saturation 𝐼𝐶𝐵𝑂 est très faible et négligeable. Dans la pratique on prend
𝐼𝐶
𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 𝛽=
𝐼𝐵

EXERCICES SUR LES PRINCIPES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR

1. Un transistor bipolaire a un gain en courant continu 𝛽 = 200, Figure 2

un relais de 4 mA connecté dans le circuit collecteur doit être
entraîné par le transistor comme le montre la Figure 2. Calculez
le courant de base 𝐼𝐵 requis pour commuter le relais dans le
circuit collecteur.

2. Un transistor bipolaire a le courant d’émetteur de 250 mA

lorsque son courant de base est de 5 mA. Quelle est la valeur
du courant collecteur et son gain de courant continu.

Solution n° 1

Le courant de base se calcule à partir de l’équation 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 et on tire

𝐼𝐶 4 𝑥 10−3 0,004
𝐼𝐵 = = = = 𝑂, 00002 𝐴 = 20 𝜇𝐴
𝛽 200 200

Solution n° 2
 Le courant collecteur s’obtient à partir de la relation 𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶 , d’où nous tirons

𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 + 𝐼𝐵 = 250 𝑚𝐴 − 5 𝑚𝐴 = 245 𝑚𝐴

Le gain de courant continu est

𝐼𝐶 245 𝑚𝐴
𝛽= = = 49
𝐼𝐵 5 𝑚𝐴

EXERCICES

I.2. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES

Il existe plusieurs types de polarisation de transistor :

✓ la polarisation par la base

✓ la polarisation par la base stabilisée par la résistance d’émetteur
✓ la polarisation par rétroaction au collecteur
✓ la polarisation par l’émetteur
✓ la polarisation par pont diviseur de tension

Polarisation par la base Formules

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶

Polarisation stabilisée par la résistance d’émetteur RE Formules

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

Résistance d’émetteur vue

en entrée est

𝑅𝑖𝑛 = (𝛽 + 1)𝑅𝐸
Polarisation par rétroaction au collecteur Formules

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + 𝛽(𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

Polarisation par pont diviseur de tension Formules

𝑉𝐶𝐶 . 𝑅2
𝑉𝐵 =
𝑅1 + 𝑅2

𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 =
𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

𝑆𝑡𝑎𝑏𝑙𝑒 𝑠𝑖 𝛽. 𝑅𝐸 ≥ 10𝑅𝐸

Polarisation par rétroaction au collecteur Formules

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

Résistance d’émetteur vue en

entrée est

𝑅𝑖𝑛 = (𝛽 + 1)𝑅𝐸

Polarisation par l’émetteur Formules

 𝑉𝐸𝐸 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 + 𝑉𝐸𝐸

− 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 )

EXERCICES SUR LA POLARISATION DES

TRANSISTORS
1. Pour la polarisation fixe de la Figure 3, déterminez les
paramètres requis :

a) Les valeurs au point de fonctionnement : 𝐼𝐵𝑄 , 𝐼𝐶𝑄 et 𝑉𝐶𝐸𝑄

b) 𝑉𝐵 et 𝑉𝐶
Figure 3
Solution

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 𝑉 – 0,7 𝑉 11,3 𝑉

(𝑎) 𝐼𝐵𝑄 = = = = 0,000024 𝐴 = 24 µ𝐴
𝑅𝐵 470 𝐾Ω 470000 Ω

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = (75)( 0,000024 𝐴) = 0,0018 𝐴 = 1,8 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 – 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 12– (1,8 𝑚𝐴)(2,2 Ω𝐾) = 12 𝑉 − 3,96 𝑉 = 8,04 𝑉

(b) Du circuit, nous avons

VE = 0 V Emetteur est directement à la masse. Et par définition de tensions composées nous avons

𝑉𝐸 = 0,7 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 𝑉𝐵 − 𝑉𝐸 → 𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 = 𝑉𝐵𝐸 + 0 = 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉

𝑉𝐶𝐸 = 8,04 𝑉, 𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶 − 𝑉𝐸 → 𝑉𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝑉𝐸 = 𝑉𝐶𝐸 + 0 = 𝑉𝐶𝐸 = 8,04 𝑉

Rappelons que (volt)=(ohm)(ampère) et (volt)=(milliampère)(kiloohms)

Figure 4
2. Pour la configuration à polarisation fixe de la Figure 4,

(a) si 𝛽 = 100, déterminer le point de fonctionnement.

(b) Dans le même problème 14, si le transistor est remplacé par un

autre ayant 𝛽 = 150, quel est le nouveau point de fonctionnement
du nouveau transistor ?
Solution

(a) pour 𝛽 = 100, nous avons :

 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 16 𝑉 – 0,7 𝑉 15,3 𝑉
𝐼𝐵𝑄 = = = = 0,00003255 𝐴 = 32,55 µ𝐴
𝑅𝐵 470 𝐾Ω 470000 Ω

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = (100)( 0,00003255 𝐴) = 0,003255 𝐴 = 3,255 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 – 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 16 𝑉– (3,255 𝑚𝐴)(2,7 𝐾Ω) = 16 𝑉 − 8,7885 = 7,2115 ≅ 7,2 𝑉

(b) pour 𝛽 = 150, nous aurons 𝐼𝐵𝑄 = 0,00003255 𝐴 = 32,55 𝜇𝐴

𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 = (150)( 0,00003255 𝐴) = 0,0048825 𝐴 = 4,8825 𝑚𝐴 ≅ 4,9 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 – 𝐼𝐶 𝑅𝐶 = 16 𝑉– (4,9 𝑚𝐴)(2,7 Ω𝐾) = 16 𝑉 − 13,23 𝑉 = 2,77 𝑉

Figure 5
3. Pour la configuration à polarisation fixe de la Figure 5, si
𝛽 = 100, alors déterminez les valeurs de 𝑅𝐵 , 𝑅𝐶 et 𝐼𝐶 .

Solution

De la formule de 𝐼𝐵 , nous pouvons tirer la résistance de base

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵𝑄 =
𝑅𝐵

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 12 𝑉 − 0,7 𝑉 11,3 𝑉 11,3 𝑉x 106 11,3 𝑉 𝑥 100000 113𝑂𝑂𝑂𝑂𝑂

𝑅𝐵 = = = = = =
𝐼𝐵𝑄 40 x 10−6 40 x 10−6 40 40 40

𝑅𝐵 = 282500 Ω = 282,5 𝐾Ω normalisée 270 KΩ

La résistance de collecteur est tirée de l’équation de la maille de sortie

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 – 𝐼𝐶 𝑅𝐶 et 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6 𝑉 sur la Figure

𝐸𝑡 𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (100)(40 𝜇𝐴) = 4000 µ𝐴 = 4 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 12 𝑉 − 6 𝑉 6𝑉
𝑒𝑛𝑠𝑢𝑖𝑡𝑒 𝑅𝐶 = = = = 1,5 𝐾Ω
𝐼𝐶𝑄 4 𝑚𝐴 4 𝑚𝐴

4. Pour la configuration à polarisation fixe de la Figure 6, Figure 6

déterminer les valeurs de 𝛽, 𝑉𝐶𝐶 et 𝑅𝐵 .

Solution

Pour la Figure 𝐼𝐶 = 𝐼𝐸 = 4 𝑚𝐴, 𝑅𝐶 = 2,2 𝐾Ω ; 𝑉𝐶𝐸 = 7,2 𝑉 et

𝐼𝐵 = 20 µ𝐴

(𝑎) 𝑉𝐶𝐶 = 𝑉𝐶𝐸 + 𝐼𝐶 . 𝑅𝐶 = 7,2 𝑉 + (4 𝑚𝐴)(2,2 𝐾Ω)

 𝑉𝐶𝐶 = 7,2 𝑉 + 8,8 𝑉 = 16 𝑉

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 16 𝑉 − 0,7 𝑉 15,3 𝑉 15,3 𝑉𝑥 106 15,3 𝑉 𝑥 100000

(𝑏) 𝑅𝐵 = = = = =
𝐼𝐵𝑄 20 𝑥 10−6 20 𝑥 10−6 20 20

153𝑂𝑂𝑂𝑂𝑂
𝑅𝐵 = = 765000Ω = 765 𝐾Ω et la valeur normalisée est 750 𝐾Ω
20

(c) Calcul de β

𝐼𝐶 4 𝑚𝐴 4 𝑥10−3 𝐴 4 𝑥10−3 𝑥 106 4 𝑥103 4000

𝛽= = = = = = = 200
𝐼𝐵 20 𝜇𝐴 20 𝑥 10−6 𝐴 20 20 20

5. Soit la polarisation stabilisée par la résistance d’émetteur de la Figure 7. Si l’alimentation 𝑉𝐶𝐶 est
10 V, 𝛽 = 50, 𝑅𝐶 = 2.2 𝐾Ω, 𝑅𝐵 = 470 𝐾Ω et 𝑉𝐵𝐸 = 0,7 𝑉 déterminez : Figure 7

(a) le point de fonctionnement (point Q, et

(b) la tension de base 𝑉𝐵 .

Solution
(a)

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 10 V − 0,7 V

𝐼𝐵𝑄 = =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 470 𝐾Ω + (50 + 1)1𝐾Ω
11,3 𝑉 11,3 𝑉 V
= = = 0,0217
470 𝐾Ω + 51 𝐾Ω 521 𝐾Ω KΩ
𝐼𝐵𝑄 = 0,0217 𝑚𝐴 = 21,7 𝜇𝐴

𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵 = (50)(0,0217 𝑚𝐴) = 1,085 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 10 𝑉 − (1,085 𝑚𝐴)(2,2 𝐾Ω + 1𝐾Ω) = 10 𝑉 − (1,085𝑚𝐴)(3,3 𝐾Ω)

𝑉𝐶𝐸 = 10 𝑉 − 3,58 𝑉 = 6,42 𝑉

(b) la tension de base est

𝑉𝐵 = 𝑉𝐵𝐸 + 𝑉𝐸 𝑒𝑡 𝑉𝐸 = 𝐼𝐶 . 𝑅𝐸 = (1,085 𝑚𝐴)(1 𝐾Ω) = 1,085 𝑉

𝑉𝐵 = 0,7 𝑉 + 1,085 𝑉 = 1,785 𝑉

Figure 8
6. (a) Pour le réseau de polarisation pont diviseur de tension
illustré à la Figure 8, déterminez le point de fonctionnement

(b) Dans le problème, si le transistor est remplacé par un autre

ayant 𝛽 = 150, quel est le nouveau point de fonctionnement ?

Solution

Vérifions d’abord la stabilité

𝛽. 𝑅𝐸 ≥ 10𝑅𝐸 𝛽. 𝑅𝐸 ≥ 10𝑅𝐸 𝑑𝑜𝑛𝑐 (80)(0,68 𝐾Ω

≥ 10(9,1 𝐾Ω)

54,4 𝐾Ω ≥ 91 𝐾Ω non satisfait, donc la méthode introduit beaucoup d’erreur

𝑉𝐶𝐶 . 𝑅2 (16 𝑉)(9,1 𝐾Ω) 145,6

𝑉𝐵 = = = = 2,0478 V ≅ 2,05 V
𝑅1 + 𝑅2 62 𝐾Ω + 9,1 𝐾Ω 71,1

𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 2,05 𝑉 − 0,7 𝑉 1,35 𝑉

𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 = = = = 1,985 mA
𝑅𝐸 0,68 𝐾Ω 0,68 𝐾Ω

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 16 𝑉 − (1,985 𝑚𝐴)(3,9 𝐾Ω + 0,68 𝐾Ω) = 16 𝑉 − (1,98 𝑚𝐴)( 4,58 𝐾Ω)

𝑉𝐶𝐸 = 16 𝑉 − 9,07 𝑉 = 6,93 𝑉

Figure 9
7. Une configuration Polarisation avec un circuit diviseur de
potentiel pour un transistor bipolaire est illustré sur la Figure 9.
Déterminer pour le circuit :

(a) le point de fonctionnement (point Q), et

(c) la tension de base 𝑉𝐵 .

Solution

Vérifions d’abord la stabilité

𝛽. 𝑅𝐸 ≥ 10𝑅𝐸 𝑑𝑜𝑛𝑐 (100)(1,5 𝐾Ω ≥ 10(3,9 𝐾Ω)

150 𝐾Ω ≥ 39 𝐾Ω non satisfait, donc la méthode introduit beaucoup d’erreur

𝑉𝐶𝐶 . 𝑅2 (25 𝑉)(3,9 𝐾Ω) 97,5

𝑉𝐵 = = = = 2,27 V
𝑅1 + 𝑅2 39 𝐾Ω + 3,9 𝐾Ω 42,9

𝑉𝐵 − 𝑉𝐵𝐸 2,27 𝑉 − 0,7 𝑉 1,57 𝑉

𝐼𝐸 ≅ 𝐼𝐶 = = = = 1,0466 mA ≅ 1,05 mA
𝑅𝐸 1,5 𝐾Ω 1,5 𝐾Ω

𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐶 . (𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 ) = 25 𝑉 − (1,05 𝑚𝐴)(5 𝐾Ω + 1,5 𝐾Ω) = 25 𝑉 − (1,05 𝑚𝐴)( 6,5 𝐾Ω)

𝑉𝐶𝐸 = 25 𝑉 − 6,825 𝑉 = 18,175 𝑉

Exemple de conception 1
La configuration polarisation par la base de la Figure 4.61. Déterminez 𝑉𝐶𝐶 𝑅𝐶 , et 𝑅𝐵 .

Solution :

De la droite de charge 𝑉𝐶𝐶 = 20 𝑉, 𝐼𝐵𝑄 = 40 µ𝐴 et 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 8 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 𝑉𝐶𝐶 20 𝑉
𝑂𝑟 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 𝑒𝑡 𝑅𝐶 = = = 2,5 𝐾Ω 𝑙𝑎 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑢𝑟 𝑛𝑜𝑟𝑚𝑎𝑙𝑖𝑠é𝑒 𝑒𝑠𝑡 𝑅𝐶 = 2,4 𝐾Ω
𝑅𝐶 𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 8 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
De la maille d’entrée, nous avons 𝐼𝐵𝑄 = , nous pouvons tirer
𝑅𝐵

VCC − VBE 20 V − 0,7 V 19,3 V

𝑅𝐵 = = = = 0,4825 MΩ = 482,5 KΩ normalisée à 470 KΩ
IBQ 40 μA 40 μA

EXEMPLE DE CONCEPTION 1
Objectif : Concevoir un circuit avec une résistance à base unique pour répondre à un ensemble de
spécifications.
Spécifications : La configuration du circuit à concevoir est illustrée à la figure 5.55(b). Le circuit doit
être réglé avec 𝑉𝐶𝐶 = +12 𝑉. Les valeurs de repos des transistors doivent être 𝐼𝐶𝑄 = 1 𝑚𝐴 et
𝑉𝐶𝐸𝑄 = 6 𝑉.
Choix : Le transistor utilisé dans la conception a des valeurs nominales de 𝛽 = 100 et 𝑉𝐵𝐸(𝑜𝑛) =
0,7 𝑉, mais le gain de courant pour ce type de transistor est supposé être compris entre 50 ≤ 𝛽 ≤
150 en raison d'une tolérance assez large. Nous supposerons, dans cet exemple, que les valeurs de
résistance conçues sont disponibles.
Solution : La résistance du collecteur se trouve à partir de

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸𝑄 12 𝑉 − 6 𝑉 6𝑉
𝑅𝐶 = = = = 6 𝐾𝛺
𝐼𝐶𝑄 1 𝑚𝐴 1 𝑚𝐴

Le courant de base est

𝐼𝐶𝑄 1 𝑚𝐴
𝐼𝐵𝑄 = = = 0,01 𝑚𝐴 = 10 µ𝐴
𝛽 100
et la résistance de base est déterminée comme étant

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵 𝐸 12 𝑉 − 0,7 𝑉
𝑅𝐵 = = ≅ 1,13 𝑀𝛺
𝐼𝐵𝑄 10 µ𝐴

Les caractéristiques du transistor, la ligne de charge et le point Q pour cet ensemble de conditions
sont illustrés à la figure 5.56(a)

EXERCICE DE CONCEPTION 2
La configuration émetteur-polarisation de la figure 4.61
1
présente les spécifications suivantes : 𝐼𝐶𝑄 = 𝐼 ,
2 𝐶𝑠𝑎𝑡

𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 = 8 𝑚𝐴, 𝑉𝐶 = 18 𝑉 et 𝛽 = 110. Déterminez 𝑅𝐶 ,

𝑅𝐸 et 𝑅𝐵 .

Solution :
1 8 𝑚𝐴
𝐼𝐶𝑄 = 𝐼 = = 4 𝑚𝐴
2 𝐶𝑠𝑎𝑡 2

𝑉𝑅𝐶 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶 28 𝑉 − 18 𝑉
𝑅𝐶 = = = = 2.5 𝐾𝛺
𝐼𝐶𝑄 𝐼𝐶𝑄 4 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 =
𝑅𝐶 + 𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐶 28 𝑉
𝑒𝑡 𝑅𝐶 + 𝑅𝐸 = = = 3.5 𝐾𝛺
𝐼𝐶𝑠𝑎𝑡 8 𝑚𝐴

𝑅𝐸 = 3.5 𝐾𝛺 − 𝑅𝐶 = 3,5 𝐾Ω − 2,5𝐾Ω = 1 𝐾𝛺

𝐼𝐶𝑄 4 𝑚𝐴
𝐼𝐵𝑄 = = = 36.36 𝜇𝐴
𝛽 110

𝑉𝑅𝐵 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 28 𝑉 − 18 𝑉

𝑅𝐵 = = = = 2,5 𝐾𝛺
𝐼𝐵 𝐼𝐶𝑄 4 𝑚𝐴

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐸𝑡 𝑝𝑎𝑟 𝑙𝑎 𝑚𝑎𝑖𝑙𝑙𝑒 𝑑 ′ 𝑒𝑛𝑡𝑟é𝑒 𝐼𝐵 =
𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸

𝑅𝐵 + (𝛽 + 1)𝑅𝐸 = et 𝑅𝐵 = − (𝛽 + 1)𝑅𝐸
𝐼𝐵 𝐼𝐵

28 𝑉 − 0,7 𝑉 27,3 𝑉
𝑅𝐵 = − (110 + 1)(1 KΩ) = − 111 KΩ = 0,7508 MΩ + 111 KΩ
36,36 µ𝐴 36,36 µ𝐴

𝑅𝐵 = 750,8 KΩ − 111 KΩ = 639,8 KΩ

Les valeurs normalisées sont : 𝑅𝐵 = 620 KΩ, 𝑅𝐶 = 2,4 𝐾Ω et 𝑅𝐸 = 1 KΩ

I.3. MARQUAGE DES TRANSISTORS ET DES COMPOSANTS
ELECTRONIQUES

Sur un transistor, on marque une série d’information suivant la norme

1 La norme Américaine JEDEC

Chiffre+Lettre → Numéro de série → Suffixe]

✓ Le premier chiffre indique le nombre inférieur au nombre de jonction PN du composants. On

donne 1N aux diodes, 2N aux transistors, thyristors et triacs
✓ Le numéro de la série va de 100 à 9999 indiquant sa date de développement.
✓ Le suffixe (facultatif) indique le gain de courant du transistor (ℎ𝑓𝑒 )
A : faible de courant gain
B : gain de courant moyen
C : gain de courant élevé
Pas de suffixe : non groupé (tout gain de courant)

Exemple : 2N2222A, 2N3055, 2N3906, 2N104

2. Le modèle Japonais et asiatique (JIS)

Pour ce modèle

✓ le premier chiffre désigne le composant transistor est 2,

✓ les lettres qui suivent ce chiffre indiquent le domaine d’utilisation du transistor suivant le code
suivant :

SA : Transistor PNP haute fréquence

SB : Transistor PNP basse fréquence
SC : Transistor NPN haute fréquence
SD : Transistor NPN basse fréquence
SE : Diode
SF : Thyristor
SG : Diode Gunn
SH : Transistor Unijonction (UJT)
SJ : MOSFET à canal P
SK : MOSFET à canal N
SM : triac
SQ : LED
SR : Redresseur
SS : Diode de signal
ST : Diode à avalanche
SV : Diode Varicap
SZ : Diode Zener
✓ Le numéro de série va de 10 à 9999

Exemple : 2SA2222, 2SB719, 2SC583, 2SC435, C435

3. Modèle de Proelectron (référence sur http://proelectronic.rs)
Ce modèle est le modèle Européen de désignation des composants actifs dont les semi-
conducteurs. On l’appelle aussi modèle « EECA (European Electronic Component
Manufacturers) » ou en français « Association Européenne des composants électronique) ».

Ce modèle utilise deux lettres suivies d’un numéro de série

✓ La première lettre désigne le matériau semi-conducteur utilisé pour fabriquer le

composant

A : Germanium (Ge)
B : Silicium (Si)
C : Arséniure de Gallium
R : Matériaux composés
Le type le plus utilisé, le plus courant est la lettre B, c’est-à-dire le silicium

✓ La deuxième lettre indique l’application ou l’utilisation du composant

A : diode Radiofréquence (RF)

B : Diode Varicap
C : Transistor, basse fréquence, petit signal
D : Transistor, basse fréquence de puissance
E : Diode Tunnel
F : Transistor HF (Haute Fréquence), petit signal
K : Dispositif à effet hall
L : Transistor HF (Haute Fréquence) de puissance
N : Optocoupleur
P : Appareil sensible aux radiations
Q : Autre appareil produisant des radiations
R : Thyristor, faible puissance
U : Transistor de puissance de commutation
Y : Redresseur
Z : Diode Zener ou régulateur de tension
NB : Le troisième lettre, si elle est utilisée, est généralement un W, X, Y ou Z et indique une
utilisation non commerciale.

✓ Le numéro de série va de 100 à 9999

Exemple : BC204A, BAW45, BF299, BFY62

EXERCICES SUR LE MARQUAGE DES COMPOSANTS

1. Identifiez le types des composants suivants et donnez leur utilisation

a) 2N1711 d) 2N3773 g) 2N4401

b) 2N2905 e) 2N3904 h) 2N5551
c) 2N3055 f) 2N3906 i) 2N2955
2. Soit le numéro des composants électronique suivant. Identifiez le transistor, les diodes, les
thyristors et les triacs parmi eux.
a) 2SK2750 e) BFY51 i) BZX55C6V2
b) TYN640 RG f) EC103D j) BC300
c) BT151 g) BD131 k)
d) 1N4148 h) BC548
 LE TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP EN JONCTION (JFET)
Les transistors à effet de champ se regroupe en deux catégories :

✓ le JFET (Junction Field Effect Transistor),

✓ le MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor.

II.1. JFET

a) Introduction
Le transistor à effet de champ en jonction (JTEC en français ou JFET en Anglais) est symbolisé par
les figures ci-dessous :

Figure 1. Symboles des JFET ancien modèle

Figure 2. Symboles des JFET nouveau modèle

Les trois électrodes sont appelées :

➢ la grille : c’est la borne de commande l’état de fonctionnement du JFET. La jonction grille-

source est polarisée en inverse, donc le courant qui circule à la grille est négligeable (𝐼𝐺 =
0𝐴).
➢ la source : c’est la borne qui pompe les électrons (JFET à canal N) ou les trous (JFET à canal
P). Ces électrons ou trous sont dirigés de la source vers le drain et donne le courant de source
𝐼𝑆 .
➢ le drain : qui constitue le chemin qui attire les charges de la source pour produire le courant
de drain 𝐼𝐷 .

b) Relation entre les courants du JFET

Les trois courants du JFET ; le courant de grille 𝐼𝐺 , le courant de drain 𝐼𝐷 et le courant de source 𝐼𝑆
sont reliés par les formules suivants :
c) Les tension du JFET
Comme pour les transistors bipolaires, le JFET a également trois chutes de tension internes :

➢ la tension grille-source 𝑉𝐺𝑆

➢ la tension drain-source 𝑉𝐷𝑆
➢ la tension grille-drain 𝑉𝐺𝐷 qu’on ignore souvent

d) Relation de Schockley
La relation de Schockley est celle qui relie le courant de drain ID à la tension grille-source 𝑉𝐺𝑆 . C’est
l’équation de transfert du JFET donnée par :

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ]
𝑉𝑃

𝐼𝐷 : courant de drain

𝐼𝐷𝑆𝑆 : courant drain-source

𝑉𝐺𝑆 : tension grille-source

𝑉𝑃 = 𝑉𝐺𝑆 (𝑜𝑓𝑓) : Tension de pincement

e) La tension de saturation 𝑽𝑫𝑺 (𝒔𝒂𝒕)

la tension de saturation du JFET se détermine à partir de l’équation

𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃

f) Caractéristiques du JFET
Le JFET a trois caractéristiques :

✓ la caractéristique d’entrée 𝐼𝐺 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 )

✓ la caractéristique de transfert 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 )
✓ la caractéristique de sortie 𝐼𝐷 = 𝑓(𝑉𝐷𝑆 )

1°) Caractéristique d’entrée du JFET

Comme la jonction grille-source est polarisée en inverse, 𝐼𝐺 = 𝑓(𝑉𝐺𝑆 ) est celle d’une diode polarisée
en inverse. Sur toute la caractéristique 𝐼𝐺 = 0 𝐴 mais en augmentant exagérément VGS, on arrive au
point de claquage.

2°) Caractéristique de transfert

C’est la caractéristique qui représente le courant de drain 𝐼𝐺 en fonction de la tension grille-source
𝑉𝐺𝑆 . C’est la relation de Schockley qui représente cette caractéristique.

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ]
𝑉𝑃

On sait que

si 𝑉𝐺𝑆 = 𝑂, on a 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆
si 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝑃 /2, on a 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 /4

si 𝑉𝐺𝑆 = 𝑂, 3 𝑉𝑃 , on a 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 /2

C’est une parabole qui est représentée sur la Figure suivante

Figure 3. Caractéristique de transfert d’un JFET : (a) JFET à canal N et (b) JFET à canal P

EXERCICES SUR L’EQUATION DE SCHOCKLEY

1. Calculez le courant ID et la tension de saturation Vds pour un JFET à canal N ayant pour courant
de saturation IDSS=2 mA et la tension de pincement VP=-3,5 V lorsque :

a) VGS=0 V

b) VGS=VP/2 V

c) VGS=VP/4

Solution

a) 𝑉𝐺𝑆 = 0𝑉 dans l’équation de Schockley donne

𝑉𝐺𝑆 2 0 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] = 2 𝑚𝐴 [1 − ] = 2 𝑚𝐴[1 − 0]2 = 2 𝑚𝐴
𝑉𝑃 −3,5 𝑉

La tension de saturation est

𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 = 0 𝑉 − (−3,5 𝑉) = 3,5 𝑉

𝑉𝑃⁄ −3,5⁄ = −1,75 𝑉 dans l’équation de Schockley donne

b) 𝑉𝐺𝑆 = 2= 2

𝑉𝐺𝑆 2 −1,75 𝑉 2 12 1 2 1
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] = 2 𝑚𝐴 [1 − ( )] = 2 𝑚𝐴 [1 − ] = 2 𝑚𝐴 ( ) = 2 𝑚𝐴 ( )
𝑉𝑃 −3,5 𝑉 2 2 4

𝐼𝐷 = 0,5 𝑚𝐴

La tension de saturation est

𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 = −1,75 𝑉 − (−3,5 𝑉) = 1,75 𝑉

𝑉𝑃⁄ −3,5⁄ = −0,875 𝑉 dans l’équation de Schockley donne

c) 𝑉𝐺𝑆 = 4= 4
 𝑉𝐺𝑆 2 −0,875 2 12 4−1 2 3 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] = 2 𝑚𝐴 [1 − ( )] = 2 𝑚𝐴 [1 − ] = 2 𝑚𝐴 ( ) = 2 𝑚𝐴 ( )
𝑉𝑃 −3,5 𝑉 4 4 4

9
𝐼𝐷 = 2 𝑚𝐴 ( ) = 1,125 𝑚𝐴
16
La tension de saturation est

𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 = −0,875 𝑉 − (−3,5 𝑉) = 2,625 𝑉

2. Les paramètres du JFET à canal N sont IDSS=12 mA et 𝑉𝑝 = −4,5 𝑉. Déterminez 𝑉𝐷𝑆(𝑠𝑎𝑡) pour
𝑉𝐺𝑆 = 1,2 𝑉 et calculez ID pour 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐷𝑆(𝑠𝑎𝑡)

Solution

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 12 𝑚𝐴 𝑉𝑃 = −4,5 𝑉 𝑉𝐺𝑆 = −1,2 𝑉

𝑎)𝑉𝐷𝑆 (𝑠𝑎𝑡) = 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑃 = −1,2 𝑉 − (−4,5 𝑉) = −1,2 𝑉 + 4,5 𝑉 = 3,3 𝑉

𝑉𝐺𝑆 2 −1,2 2
𝑏)𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] = 2 𝑚𝐴 [1 − ( )] = 2 𝑚𝐴[1 − 0,267]2 = 2 𝑚𝐴(0,733)2
𝑉𝑃 −4,5 𝑉

𝐼𝐷 ≅ 6,45 𝑚𝐴

3. Les valeurs typiques du JFET 2N5457 sont : 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 3 𝑚𝐴, 𝑉𝑃 = 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −6 𝑉. Quelle est
la valeur de ID lorsque 𝑉𝐺𝑆 = −4𝑉

Solution

IDSS=3 mA VP=VGS(off)=-6 V VGS=-4 V

𝑉𝐺𝑆 2 −4 𝑉 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] = 3 𝑚𝐴 [1 − ( )] = 3 𝑚𝐴[1 − 0,67]2 = 3 𝑚𝐴(0,33)2
𝑉𝑃 −6 𝑉

𝐼𝐷 = 0,3267 𝑚𝐴 = 326,7 𝜇𝐴

4. Un JFET à canal N a pour ID=12 mA et VGS(off)=VP=-8 V. Pour quelle valeur de VGS, 𝐼𝐷 =

0,75 𝑚𝐴

Solution

𝐼𝐷 = 12 𝑚𝐴 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝑃 = −8 𝑉 𝐼𝐷 = 0,75 𝑚𝐴

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ]
𝑉𝑃

𝑉𝐺𝑆 2
0,75 𝑚𝐴 = 12 𝑚𝐴 [1 − ]
−8 𝑉
Mettons au même dénominateur

−8 − 𝑉𝐺𝑆 2
0,75 𝑚𝐴 = 12 𝑚𝐴 [ ]
−8 𝑉
éliminons le carré

(−8 − 𝑉𝐺𝑆 )2
0,75 𝑚𝐴 = 12 𝑚𝐴 [ ]
(−8 𝑉)2

(−8 − 𝑉𝐺𝑆 )2 est de la forme (𝑎 − 𝑏)2 = 𝑎2 − 2𝑎𝑏 + 𝑏 2 avec a=-8 et b=VGS

(−8 − 𝑉𝐺𝑆 )2 = (−8)2 − 2(−8)(𝑉𝐺𝑆 ) + 𝑉𝐺𝑆 2 = 64 + 16𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐺𝑆 2

Finalement on a

64 + 16𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐺𝑆 2
0,75 𝑚𝐴 = 12 𝑚𝐴 [ ]
64

Le produit des moyens donne le produit des extrêmes

(0,75 𝑥 64) = 12(64 + 16𝑉𝐺𝑆 + 𝑉𝐺𝑆 2 )

48 = 768 + 192𝑉𝐺𝑆 + 12𝑉𝐺𝑆 2

En organisant cette équation, nous avons :

12𝑉𝐺𝑆 2 + 192𝑉𝐺𝑆 + 720 = 0

C’est l’équation du second degré de la forme 𝐴𝑋 2 + 𝐵𝑋 + 𝐶 = 0 avec 𝐴 = 12, 𝐵 = 192 ; 𝐶 = 720

et 𝑋 = 𝑉𝐺𝑆

Δ = 𝐵 − 4𝐴𝐶 = (192)2 − 4(12)(720) = 36864 − 34560 = 2304

−𝐵 + √Δ −192 + √2304 −192 + 48 −144

𝑉𝐺𝑆1 = 𝑋1 = = = = = −6 𝑉
2𝐴 2(12) 24 24

−𝐵 − √Δ −192 − √2304 −192 − 48 −240

𝑉𝐺𝑆2 = 𝑋2 = = = = = −10 𝑉
2𝐴 2(12) 24 24

Dans la pratique le module de 𝑉𝐺𝑆 ne dépasse pas le module de 𝑉𝑃

|𝑉𝐺𝑆 | ≦ |𝑉𝑃 |. Raison pour laquelle 𝑉𝐺𝑆 = −10 𝑉 est à rejeter

𝑉𝐺𝑆 = −6 𝑉

3°) Transconductance 𝑔𝑚

La transconductance 𝑔𝑚 est le rapport entre la variation du courant de drain 𝛥𝐼𝐷 et la variation de la

tension grille-source 𝛥𝑉𝐺𝑆 .
 𝛥𝐼𝐷
𝑔𝑚 =
𝛥𝑉𝐺𝑆

Or la relation liant ID à VGS est la relation de Schockley donnée par :

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ]
𝑉𝑃

La transconductance s’obtient en dérivant ID par rapport à VGS qui donne

2𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝐺𝑆
𝑔𝑚 = [1 − ]
|𝑉𝑃 | 𝑉𝑃

on préfère mettre cette équation sous forme

𝑉𝐺𝑆 2𝐼𝐷𝑆𝑆
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 [1 − ] 𝑎𝑣𝑒𝑐 𝑔𝑚𝑜 =
𝑉𝑃 |𝑉𝑃 |

EXERCICES SUR LA TRANSCONDUCTANCE 𝑔𝑚

La fiche technique du JFET 2N5457 indique les valeurs typiques 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 3 𝑚𝐴 (maximum), 𝑉𝑃 =
−6 𝑉 (maximum), 𝑔𝑚𝑜 = 5000 µ𝑆. Trouvez la transconductance gm et le courant ID lorsque 𝑉𝐺𝑆 =
−4𝑉

Solution

a) le calcul de ID est déjà réalisé dans l’exercice n° 4 de l’application de relation de Schockley

𝐼𝐷 = 0,3267 𝑚𝐴 = 326,7 µ𝐴
𝑉𝐺𝑆 −4 𝑉 2 1
b) 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 [1 − ] = 5000 µ𝑆 [1 − (−6 𝑉)] = 5000 µ𝑆 (1 − 3) = 5000 µ𝑆 (3) = 1666,67𝜇𝑆
𝑉𝑃

2. Les caractéristiques d’un JFET sont 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 12 𝑚𝐴, 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = −5 𝑉 et 𝑔𝑚𝑜 = 3000 µ𝑆.
Trouvez gm lorsque 𝑉𝐺𝑆 = −2 𝑉.

Solution

𝑉𝐺𝑆 −2 𝑉 2 5−2
𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 [1 − ] = 3000 µ𝑆 [1 − ( )] = 5000 µ𝑆 (1 − ) = 5000 µ𝑆 ( )
𝑉𝑃 −5 𝑉 5 5

3
𝑔𝑚 = 5000 µ𝑆 ( ) = 1800 µ𝑆
5

3. La fiche technique partielle du JFET 2N5459 indique les valeurs typiques : 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 9 𝑚𝐴
(maximum), 𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑓𝑓) = 𝑉𝑃 = −8 𝑉.

a) Déterminez la valeur de 𝑔𝑚𝑜.

b) Trouvez également ID et 𝑔𝑚 lorsque 𝑉𝐺𝑆 = 0 𝑉

c) Trouvez également ID et 𝑔𝑚 lorsque 𝑉𝐺𝑆 = −1𝑉

d) Trouvez également ID et 𝑔𝑚 lorsque 𝑉𝐺𝑆 = −4 𝑉

Solution

𝐼𝐷𝑆𝑆 = 9 mA 𝑉𝑃 = −8 𝑉

2𝐼𝐷𝑆𝑆 2(9 𝑚𝐴) 18 𝑚𝐴

𝑎) 𝑔𝑚𝑜 = = = = 4,5 𝑚𝐴⁄𝑉 = 4,5 𝑚𝑆
|𝑉𝑃 | |−8 𝑉| 8𝑉

b) pour 𝑉𝐺𝑆 = 𝑂𝑉, nous avons

𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 9 𝑚𝐴 et 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 = 4,5 𝑚𝑆

c) pour 𝑉𝐺𝑆 = −1𝑉

𝑉𝐺𝑆 2 −1 2
➢ 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] = 9 𝑚𝐴 [1 − (−8 𝑉)] = 9 𝑚𝐴[1 − 0,125]2 = 9 𝑚𝐴(0,875)2
𝑉𝑃

𝐼𝐷 = 6,89 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 −1 1
➢ 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 [1 − ] = 4,5 𝑚𝑆 [1 − (−8 𝑉)] = 4,5 𝑚𝑆 (1 − 8) = 4,5 𝑚𝑆(1 − 0,125)
𝑉𝑃

𝑔𝑚 = 4,5 𝑚(0,875) = 3,9375 𝑚𝑆 ≅ 3,94 𝑚𝑆

d) pour VGS=-‘V

𝑉𝐺𝑆 2 −4 2
➢ 𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 [1 − ] = 9 𝑚𝐴 [1 − (−8 𝑉)] = 9 𝑚𝐴[1 − 0,5]2 = 9 𝑚𝐴(0,75)2
𝑉𝑃

𝐼𝐷 = 2,25 𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 −4
➢ 𝑔𝑚 = 𝑔𝑚𝑜 [1 − 𝑉𝑃
] = 4,5 𝑚𝑆 [1 − (−8 𝑉)] = 4,5 𝑚𝑆(1 − 0,5) = 4,5 𝑚𝑆(0,5)

𝑔𝑚 = 2,25 𝑚𝑆
 TABLE DES MATIERES
I. TRANSISTOR BIPOLAIRE ......................................................................................................... 1
I.1. PRINCIPES FONDAMENTAUX............................................................................................. 1
EXERCICES SUR LES PRINCIPES FONDAMENTAUX DU TRANSISTOR .................. 1
I.2. POLARISATION DES TRANSISTORS BIPOLAIRES .......................................................... 2
EXERCICES SUR LA POLARISATION DES TRANSISTORS .............................................. 4
Exemple de conception 1 ............................................................................................................. 8
EXEMPLE DE CONCEPTION 1................................................................................................ 8
EXERCICE DE CONCEPTION 2 .............................................................................................. 9
I.3. MARQUAGE DES TRANSISTORS ET DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES .......... 10
1 La norme Américaine JEDEC................................................................................................. 10
2. Le modèle Japonais et asiatique (JIS) .................................................................................... 10
3. Modèle de Proelectron (référence sur http://proelectronic.rs) ............................................... 11
EXERCICES SUR LE MARQUAGE DES COMPOSANTS ................................................... 11
TABLE DES MATIERES ............................................................................................................... 21