MECANISME DE LA

CONDUCTION ELECTRIQUE
DANS LES SOLIDES

ENCADRE PAR
Soufyan El Abbassi M.CHAKIR
Mohamed Essaih
Dehbi Chaimae
 01 MODÈLE DE DRUDE

02 APPLICATION
EFFET HALL
PLAN
D’ETUDE
03 MODÈLE DES BANDES

04 CONCLUSION
INTRODUCTION
La conduction dans les solides impacte une très large
gamme d'applications en microélectronique, thermométrie
et métallurgie…

La compréhension des mécanismes d'origine microscopique

ou macroscopique responsables du transport électrique
dans ces solides est une nécessite pour optimiser
l'utilisation des matériaux.

Au début du 20eme siècle, on cherche à modéliser la

conduction électrique dans les solides, et quelques modèles
commencent à émerger.
01

MODÈLE DE DRUDE
Hypothèses
Mécanisme
Limites
 De la cause vers l'effet

Les lois de Fick et de Fourier mettent en

évidence des relations simples et linéaires
entre une cause et un effet. Ainsi, la non
uniformité de la densité particulaire ou de la
température entraîne l'apparition d'un flux
particulaire ou d'un flux thermique. Ces
relations s'expriment localement par
𝑫 = −𝒈𝒓𝒂𝒅 (𝒏) et 𝒋 = −𝒈𝒓𝒂𝒅 (𝑻), la
cause du transport étant traduite par le
vecteur gradient.
En électricité, la loi d'Ohm constitue un autre
exemple de relation linéaire cause-effet, sa
forme locale s'écrit 𝒋 = − 𝒈𝒓𝒂𝒅 𝑽 ,
j étant le vecteur densité de courant et V le
potentiel. Cette relation induit que pour
obtenir une circulation de porteurs de
charge, il faut disposer d'une différence de
potentiels
“tout comme une cascade d'eau requiert
l'existence d'une différence d'altitudes”.
Analogie entre la loi d'Ohm et loi de Fourier
 3. Modele de drude

• On considère ici un échantillon parallélépipédique dont le

volume est délimité par les plans
• Le milieu matériel, électriquement neutre, est décrit comme
un ensemble d'électrons ( de charge -e ) évoluant au sein
d'un réseau constitué de charges positives fixes.
• Les interactions de ces électrons "de conduction" avec le
milieu sont entièrement prises en compte en leur affectant
une masse effective m (différente de celle me d'un électron
dans le vide) et en introduisant une force de "frottement"
d'expression f = −𝛼𝑣
• 𝛼 est un coefficient positif, caractéristique du milieu
• la vitesse v décrit la dérive moyenne de l'ensemble des
électrons par rapport au réseau sous l'action d'un champ
électromagnétique (E, B)
𝒙 = 𝟎 ,𝒙 = 𝑳 ,
𝒚 = 𝟎 ,𝒚 = 𝒍 ,
𝒂 𝒂
𝒛 = − ,𝒛 =
𝟐 𝟐
 Loi d’ohm local (B=0) :

➢ L’équation vectorielle du mouvement d’un L’équation devient

électron en présence d’un champ électrique 𝐸 𝑣 𝑒
𝒅𝒗 𝒗 𝒆
= − 𝐸
𝜏 𝑚
𝒎 + =− 𝑬
𝒅𝒕 𝝉 𝒎
Avec 𝜏 le temps de relaxation
Or 𝐽Ԧ = −𝑛𝑒𝑣Ԧ
➢ En absence d’un champ électrique (𝐸 = 0)

𝒎
𝒅𝒗 𝒗
+ =𝟎 Ԧ𝐽 = 𝑛𝑒²𝜏 𝐸
𝒅𝒕 𝝉 𝑚
Avec 𝜏 le temps de freinage (amortissement)
➢ En régime stationnaire (𝑡 ≫ 𝜏) : 𝑱Ԧ = 𝜸𝑬 𝐜 ′ 𝐞𝐬𝐭 𝐥𝐚 𝐥𝐨𝐢 𝐝′ 𝐎𝐡𝐦 𝐥𝐨𝐜𝐚𝐥𝐞

𝒅𝒗
=𝟎 𝑛𝑒²𝜏
𝒅𝒕 Avec 𝛾 =
𝑚
 Loi d’Ohm anisotrope : 𝑑 𝑣Ԧ
𝑚 = −𝛼𝑣Ԧ − 𝑒𝐸 − 𝑒𝑣Ԧ × 𝐵
𝑑𝑡
𝑗Ԧ 𝑒 𝑒 𝑗Ԧ
0 = −𝛼 − 𝐸− ×𝐵
(−𝑒). 𝑚. 𝑛 𝑚 𝑚 (−𝑒). 𝑛
L’échantillon est désormais plongé dans un champ
magnétique extérieur uniforme et stationnaire dirigé selon 𝑗Ԧ 𝑗Ԧ
0= − 𝐸 + × 𝜔𝑐 𝑒𝑧 𝜏
l’axe (Oz), 𝐵 = 𝐵𝑒Ԧ𝑧 𝛾 𝛾

➢ L’équation différentielle vérifiée par la vitesse : 𝑗Ԧ 𝜔𝑐 𝜏

𝐸= + 𝑗Ԧ × 𝑒𝑧
𝛾 𝛾
𝑑𝑣Ԧ 𝑣Ԧ 𝑒 𝑒𝐵
+ = − 𝑣Ԧ × 𝐵 = 𝑒 × 𝑣Ԧ
𝑑𝑡 𝜏 𝑚 𝑚 𝑧 𝐸𝑥 1 𝐽𝑥 𝜔𝑐 𝜏 𝐽𝑥 0
𝐸𝑦 = 𝐽 + 𝐽𝑦 × 0
𝛾 𝑦 𝛾
= 𝜔𝑐 𝑒𝑧 × 𝑣Ԧ 0 0 0 1

Avec 𝜔𝑐 c’est la pulsation cyclotron 1 𝜔𝑐 𝜏

𝐸𝑥 = 𝐽𝑥 + 𝐽
𝛾 𝛾 𝑦
1 𝜔𝑐 𝜏
𝐸𝑦 = 𝐽𝑦 − 𝐽
𝛾 𝛾 𝑥
Loi d’Ohm anisotrope :

1 𝜔𝑐 𝜏
𝐸𝑥 𝛾 𝛾 𝐽𝑥
𝐸𝑦 = −𝜔𝑐 𝜏 1 𝐽𝑦
𝛾 𝛾

➢ Commentaire : Les vecteurs 𝐸 𝑒𝑡 𝑗Ԧ ne sont pas colinéaires ֜ Le

milieu est Anisotrope
➢ Conclusion : les phénomènes liés à l’anisotropie précédente
sont plus importants dans les semi-conducteurs et ils
dépendent de la géométrie du système étudié ! !
Quelques ordres de grandeur

pour le cuivre

✓ La conductivité 𝜸 = 𝟓, 𝟗 × 𝟏𝟎𝟕 𝑺. 𝒎 − 𝟏
✓ La masse volumique est 𝛍 = 𝟖, 𝟗𝟔 × 𝟏𝟎𝟑 𝒌𝒈. 𝒎 − 𝟑
✓ La masse molaire du cuivre est 𝐌 = 𝟔𝟑, 𝟓 × 𝟏𝟎−𝟑 𝒌𝒈. 𝒎𝒐𝒍 − 𝟏
✓ La masse d’un électron est 𝐦 = 𝟗, 𝟏 × 𝟏𝟎−𝟑𝟏 𝒌𝒈
✓ Le nombre d’Avogadro 𝑵𝑨 = 𝟔, 𝟎𝟐 × 𝟏𝟎𝟐𝟑 𝒎𝒐𝒍 − 𝟏

Notez bien
M doit être en kg.mol-1 et non en g.mol-1 comme c’est souvent donné dans les tables.
Quelques limites de ce modèle
➢ La loi d’Ohm est applicable dans les métaux si la durée caractéristique d’évolution
du champ électromagnétique est très supérieure à 10-14
➢ La valeur de l est très supérieur, d'au moins un ordre de grandeur, aux distances
interatomiques (≈ 0, 2nm)

➢ En effet ce n'est pas les collisions sur les réseaux qui sont
responsables à la loi d'hom
 02

APPLICATION
EFFET HALL
EFFET HALL

Définition
Edwin H. Hall a placé un échantillon conducteur, parcouru
par un courant, dans un champ magnétique en 1879 et a
découvert qu’on peut mesurer une différence de potentiel,
transversale à la direction du courant et du champ. Cet effet,
appelé l’Effet Hall, était une des premières expériences
indiquant que la charge des porteurs de courant était négative.
L’Effet Hall n’est qu’un des effets de la famille des effets
d’interaction, nommés phénomènes galvanomagnétiques, qui
sont dus aux actions communes des champs électrique et
magnétique .
EFFET HALL
On considère un échantillon conducteur (métal ou
semi conducteur) ayant la forme d’un parallélépipède
rectangulaire de dimensions LxLyLz . Ce barreau est
placé dans un champ électrique longitudinal Ex
(donnant naissance à un courant électrique) et un
champ magnétique transversal B = Bz.
Sous l’action de la force magnétique 𝑭 = −𝒆(Ԧ𝒗 ∧ 𝑩) ,
l’électron sera dévié dans la direction -ey . Des
électrons s’accumulent alors sur une face du barreau
et un excès d’ions positifs s’établit sur l’autre face: il
apparaît donc un champ électrique transverse Ey entre
les deux faces.
 EFFET HALL

A l’équilibre le champ transverse Ey crée une force qui On définit une grandeur importante, notée RH, par la
compense exactement l'effet du champ B, de telle relation:
sorte que seule la composante jx du courant est non
𝑬𝒚
nulle (𝑣𝑦 = 0, 𝑗𝑦 = 0 ). A partir des équations du 𝑹𝑯 =
mouvement, établies précédemment, on obtient la 𝒋𝒙 𝑩
relation suivante pour le champ transverse Ey : ✓ La quantité RH est appelée constante de Hall.
𝒆𝑩𝝉 En tenant compte de l’expression de la densité du courant
𝑬𝒚 = −𝝎𝒄 𝝉𝑬𝒙 = − 𝑬
𝒎 𝒙 électrique𝑗𝑥 = (𝑛𝑒 2 𝜏 ∕ 𝑚)𝐸𝑥 , on obtient

𝟏
✓ La tension transversale, apparaissant entre les deux 𝑹𝑯 = −
bords du l’échantillon conducteur, est appelée 𝒏𝒆
tension de Hall UH et a pour expression: ✓ La mesure de RH est donc un moyen important de
mesure de la concentration en porteurs de charge libres
𝑼𝑯 = 𝑬𝒚 𝑳𝒚 dans un matériau.
 EFFET HALL

Sur ce tableau, nous présentons des valeurs expérimentales de la constante de Hall de certains
métaux ainsi que les résultats théoriques obtenus par la théorie des électrons libres
(Modèle de Drude)
03

Modèle des bandes

Vers une théorie quantique
Modèle des bandes
I. Rappels
Dans un isolant tous les électrons des
couches externes sont liés car ils
participent aux liaisons.
Dans un métal certains électrons sont libres
ce qui leur permet d’assurer la conductivité
électrique
Modèle des bandes
II. Formation des bandes

En physique quantique dans un atome,

l’énergie d’un électron est quantifiée c'est-
à-dire elle peut prendre que des valeurs
bien déterminées appelées niveaux
d'énergie
Modèle des bandes
II. Formation des bandes
Modèle des bandes
Niveau d'Energie
III. Bandes D'énergie

Bande de conduction
Les niveaux d’énergie ,sous l’effet des interactions, se
rassemblent et forment des bandes d’énergie . 𝑬𝒄
On distingue des bandes permises et les bandes interdites
appelées gap.
Bande interdite

𝑬𝒗

𝑬𝑮 = 𝑬𝒄 − 𝑬𝒗
Bande de valence
 Modèle des bandes
IV. Remplissage d'une bande par les électrons

Les bandes de valence des solides peuvent être

totalement occupées par les électrons, ou
partiellement occupées, ou vides.
De même, le principe de Pauli s'applique de façon
stricte
Considérons le cas d'un élément alcalin dont la
configuration de valence est : 𝒏𝒔𝟏 .
 Modèle des bandes

A basse température (T ≈ 0K) seuls les niveaux

d'énergie inférieur à une certaine valeur Ef ,
appelée énergie de Fermi, sont occupés.
 Modèle des bandes
La distinction entre isolant et conducteur n'est
finalement liée qu'à la position du niveau de Fermi
dans le diagramme énergétique des bandes
Conducteurs
Le niveau de Fermi est situé dans une bande permise.
La Bande de conduction est partiellement remplie. Lors
de l’application d’un champ électrique, les électrons
peuvent acquérir de l'énergie et occuper des niveaux
d'énergie supérieure inoccupés en l'absence du champ

Isolant
Le niveau de Fermi est situé dans une bande interdite
la bande de valence est pleine, elle ne participe pas à la
conduction
La bande de conduction étant vide, il ne peut y avoir de
courant.
Modèle des bandes

Matériaux semi-conducteurs

Il existe des matériaux pour lesquels le gap énergétique est

faible ; L'écart 𝐸𝐺 n'est pas trop grand devant l'énergie
𝐾𝐵 𝑇 caractéristique de l'agitation thermique.

Un semi-conducteur et un isolant à T=0 ayant un gap non

nul mais suffisamment petit pour qu’une conductivité
mesurable soit obtenue si on augmente la température.
En pratique un matériau et semi-conducteur lorsque son
gap est inférieur à 1EV
Modèle des bandes

IV. Paramètres influents

Les paramètres influents sur la conductivité d'un matériau peuvent être:

La température :
Les impuretés
Pour un conducteur
𝒏𝒆²𝝉 Pour un conducteur les impuretés brisent la symétrie
D’après la formule de Drude 𝜸= ,
𝒎 du cristal et donc la mobilité des électrons diminue et
Lorsque T augmente les vibrations du réseau la conduction aussi.
augmentent, les collisions aussi donc : Pour un semi-conducteur, certains types d'impuretés
𝝉 diminue 𝜸 diminue permettent d'augmenter n : c'est le dopage.
𝜸𝒎𝒆𝒕𝒂𝒍 ↓ 𝒍𝒐𝒓𝒔𝒒𝒖𝒆 𝑻 ↑ exemple, dans un cristal de silicium « tétravalent » cela
consiste au remplacement d'un atome de Si par un
Pour un semi-conducteur atome de phosphore « pentavalent » dopage n
Cette fois ci n dépond de la Température ou de bore « trivalent » dopage p
(franchissement du gap par les e −) elle augmente
quand T augmente donc :
𝜸𝑺𝒆𝒎𝒊 𝒄𝒐𝒏𝒅𝒖𝒄𝒕𝒆𝒖𝒓 ↑ 𝒍𝒐𝒓𝒔𝒒𝒖𝒆 𝑻 ↑
Modèle des bandes
Le dopage provoque l'apparition de nouveaux niveaux accepteurs et donneurs d'électrons dans la structure de
bande du matériau dopé. Ces niveaux apparaissent dans le gap, entre la bande de conduction et la bande de
valence.
Lors d'un dopage N Lors d'un dopage P

L'introduction d'atomes donneurs d'électrons L'introduction d'atomes accepteurs d'électrons entraîne,

entraîne l'apparition d'un pseudo niveau d'énergie
situé juste sous la bande de conduction. Ainsi,
l'énergie nécessaire pour que les électrons passent
dans la bande de conduction est bien plus
facilement atteinte
de manière analogue, l'apparition d'un pseudo niveau
situé au-dessus de la bande de valence. L'énergie à
fournir aux électrons de valence pour passer sur ce
niveau accepteur est faible, et le départ des électrons
entraîne l'apparition de trous dans la bande de valence.
 04

CONCLUSION
 CONCLUSION

Nous avons vu que la conductivité est un paramètre qui caractérise la réponse que
donne un milieu matériel lorsqu'on le soumet à l'action d'un champ électrique
macroscopique, champs magnétique ou bien les deux.
L'interprétation microscopique du phénomène permet de rendre compte du large
éventail des valeurs de conductivité.
Cette leçon nous a donné une opportunité de réfléchir un peu sur d’autres effets
analogiques, comme l'effet seebeck, effet Zeeman ou encore l’effet Meissner sur lequel
se base la lévitation magnétique qui a été relevée après la découverte impressionnante
de la supraconductivité.
La supraconductivité a été découverte en 1911 avec l’observation d’une résistivité dans
le mercure qui s’annule de façon abrupte lorsque la température est abaissée en
dessous de 4,2 K ce qui signifie qu’un courant peut circuler sans dissipation d’énergie, se
courant et alors qualifié de courant persistant.
Ses applications sont nombreuses et étonnantes :