Rappels Electrostatique :

1. Lois de Coulomb, champ électrostatique :

Entre deux charges q1 et q 2 existe une force d’interaction électrostatique (force de Coulomb) tel que :
𝑞1 . 𝑞2
𝐹⃗1/2 = 𝑘. 2 . 𝑢 ⃗⃗12 = −𝐹⃗2/1
𝑟
1
✓ Dans le vide : 𝑘 = = 9. 109 𝑆𝐼 ( 𝑁. 𝑚2 . 𝐶 −2 )
4𝜋𝜀0
1
✓ Dans un milieu : 𝑘 =
4𝜋𝜀
−12 (𝐹/𝑚)
✓ 𝜀0 = 8,854 10 est la permittivité du vide.
✓ 𝜀 est la permittivité du milieu 𝜀 = 𝜀𝑟 . 𝜀0 ⇒ 𝜀 > 𝜀0 𝑐𝑎𝑟 𝜀𝑟 > 1
✓ 𝜀𝑟 (Grandeur sans unité) est la permittivité relative du milieu.
✓ La force de Coulomb est répulsive si les charges ont même signes.
✓ La force de Coulomb est attractive si les charges ont des signes opposés.
𝐹⃗1/2 = 𝑞2 . 𝐸⃗⃗1 (𝑀2 )
✓ 𝐸⃗⃗1 (𝑀2 ) : le champ électrostatique crée par la charge 𝑞1 au point 𝑀2 .

Distribution de charge Champ électrostatique Potentiel électrostatique

Charge ponctuelle 𝒒 placée en 𝑞 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗

𝑃𝑀 1 𝑞
𝐸⃗⃗𝑃 (𝑀) = . 𝑉(𝑀) = . + 𝑐𝑡𝑒
𝑷. 4𝜋𝜀0 𝑃𝑀 3 4𝜋𝜀0 𝑃𝑀

Ensemble de charges
𝑛 𝑛
ponctuelles 𝒒𝒊 placées aux 𝑞𝑖 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑃𝑖 𝑀 1 𝑞𝑖
points 𝑷𝒊 𝐸⃗⃗ (𝑀) = ∑ . 𝑉(𝑀) = ∑ . + 𝑐𝑡𝑒
4𝜋𝜀0 𝑃𝑖 𝑀3 4𝜋𝜀0 𝑃𝑖 𝑀
𝑖=1 𝑖=1

Distribution volumique
𝜌(𝑃). 𝑑𝑣 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑃𝑀
𝐸⃗⃗ (𝑀) = ∭ .
4𝜋𝜀0 𝑃𝑀3 𝜌(𝑃). 𝑑𝑣 1
𝑃∈𝑉 𝑉(𝑀) = ∭ . + 𝑐𝑡𝑒
4𝜋𝜀0 𝑃𝑀
𝑃∈𝑉

Distribution surfacique
𝜎(𝑃). 𝑑𝑆 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑃𝑀 𝜎(𝑃). 𝑑𝑆 1
𝐸⃗⃗ (𝑀) = ∬ . 𝑉(𝑀) = ∬ . + 𝑐𝑡𝑒
4𝜋𝜀0 𝑃𝑀3 4𝜋𝜀0 𝑃𝑀
𝑃∈𝑆 𝑃∈𝑆

𝜆(𝑃). 𝑑𝑙 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑃𝑀 𝜆(𝑃). 𝑑𝑙 1
Distribution linéique 𝐸⃗⃗ (𝑀) = ∫ . 𝑉(𝑀) = ∫ . + 𝑐𝑡𝑒
4𝜋𝜀0 𝑃𝑀3 4𝜋𝜀0 𝑃𝑀
𝑃∈𝐿 𝑃∈𝐿

1
2. Symétrie du champ électrostatique :

Le champ électrostatique 𝐸⃗⃗ est un vrai vecteur d’où :

• Le plan de symétrie noté 𝜫 ou 𝜫𝑺 .
✓ Si 𝑀 ∈ 𝛱 alors 𝐸⃗⃗ (𝑀) ∈ 𝛱 .
✓ Si 𝑀’ = 𝑠𝑦𝑚 (𝑀/𝛱) alors ⃗⃗⃗⃗⃗
𝐸(𝑀’) = 𝑠𝑦𝑚 ( 𝐸⃗⃗ (𝑀)/𝛱)

• Le plan de symétrie noté 𝜫∗ ou 𝜫𝒂𝑺 .

✓ Si 𝑀 ∈ 𝛱 ∗ alors 𝐸⃗⃗ (𝑀) ⊥ 𝛱 ∗ .
✓ Si 𝑀’ = 𝑠𝑦𝑚 (𝑀/𝛱 ∗ ) alors 𝐸( ⃗⃗⃗⃗⃗𝑀’) = −𝑠𝑦𝑚 ( 𝐸⃗⃗ (𝑀)/𝛱∗ )

3. Invariances.

Le champ électrostatique sera indépendant de la variable dont laquelle on a invariance.

4. Enoncé du théorème de Gauss.

Le flux du champ électrostatique 𝐸⃗⃗ à travers une surface fermée est éagale à la charge intérieure à
cette surface divisée par ε0 .

𝑄𝑖𝑛𝑡
⃗⃗⃗⃗⃗ =
∯ 𝐸⃗⃗ (𝑀). 𝑑𝑆
ε0
𝑀∈𝑆
NB : Si le milieu n’est pas du vide on remplace ε0 par ε .

5. Applications.
a. Champ et potentiel crée par une sphère uniformément chargée en surface.
Considérons une sphère de centre O et de rayon R chargée uniformément en surface avec une
densité surfacique de charge 𝜎 voir figure :
On utilisera la base sphérique (𝑢
⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑟 ⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑢𝜃 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝜑 ) et les coordonnées sphériques (𝑟, 𝜃, 𝜑)
• Analyse de symétrie :
✓ Tout plan passant par O et M est un plan de symétrie. Le champ 𝐸⃗⃗ (𝑀) doit appartenir à tous
ces plans ; donc il appartient à leur l’intersection d’où :
𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝐸(𝑟, 𝜃, 𝜑). 𝑢
⃗⃗⃗⃗⃗𝑟

R 𝝈

O r ⃗⃗𝒓
𝒖

• Invariances : la sphère est invariante par rotation selon 𝜃 𝑒𝑡 𝜑 donc

𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝐸(𝑟). ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑟
2
• Surface de Gauss : On choisit une surface de Gauss sous forme d’une sphère de rayon r et de centre
O.
𝑄
⃗⃗⃗⃗⃗ = 4𝜋. 𝑟 2 . 𝐸(𝑟) = 𝑖𝑛𝑡
∯ 𝐸⃗⃗ . 𝑑𝑆
𝜀0
• Puisque le champ dépend seulement de 𝑟 , alors pour tous les points de la surface de Gauss on a
même norme du champ :
• Autrement :
⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑆 = 𝑟 2 𝑠𝑖𝑛𝜃. 𝑑𝜃. 𝑑𝜑. ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑟 ; car la normale à 𝑑𝑆 dirigée vers l’extérieur est 𝑛⃗⃗(𝑀) = 𝑢
⃗⃗⃗⃗⃗𝑟
𝜋 2𝜋

∯ 𝐸(𝑟). 𝑟 𝑠𝑖𝑛𝜃. 𝑑𝜃. 𝑑𝜑 = 𝐸(𝑟). 𝑟 ∫ 𝑠𝑖𝑛𝜃. 𝑑𝜃. ∫ 𝑑𝜑 = 4𝜋. 𝑟 2 . 𝐸(𝑟)

2 2

0 0
• On distingue deux cas :
✓ 𝑟 > 𝑅 : voir figure (a) ; dans ce cas la charge intérieure est la charge totale portée par la
𝜋 2𝜋
sphère : 𝑄𝑖𝑛𝑡 = 𝑄 = 𝜎. 𝑅 2 ∫0 𝑠𝑖𝑛𝜃. 𝑑𝜃. ∫0 𝑑𝜑 = 𝜎. 4𝜋. 𝑅 2
✓ 𝑟 < 𝑅 : voir figure (b) ; dans ce cas la charge intérieure est nulle : 𝑄𝑖𝑛𝑡 = 0

• L’expression du champ est donc :

𝜎.𝑅 2 𝜎.𝑅 2
✓ 𝑟 > 𝑅 : 𝐸(𝑟) = 𝜀 2
⇒ 𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝜀 .𝑟 2 . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑟
0 .𝑟 0

✓ 𝑟 < 𝑅 : 𝐸(𝑟) = 0 ⇒ 𝐸⃗⃗ (𝑀) = ⃗0⃗

• Potentiel :
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑉
On a : 𝐸⃗⃗ = −𝑔𝑟𝑎𝑑
𝜕𝑉 1 𝜕𝑉 1 𝜕𝑉
En coordonnées sphériques : ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑉 = 𝜕𝑟 . 𝑢⃗⃗𝑟 + 𝑟 . 𝜕𝜃 . 𝑢
⃗⃗𝜃 + 𝑟.𝑠𝑖𝑛𝜃 . 𝜕𝜑 . 𝑢
⃗⃗𝜑
𝜕𝑉 𝜕𝑉 𝜕𝑉
D’où : 𝐸(𝑟) = − 𝜕𝑟 , = 0 et = 0 ⇒ 𝑉(𝑟) = − ∫ 𝐸(𝑟). 𝑑𝑟 + 𝐶𝑡𝑒
𝜕𝜃 𝜕𝜑
✓ Si 𝑟 < 𝑅 , alors 𝐸(𝑟) = 0 donc : 𝑉(𝑟) = 𝐶𝑡𝑒1
𝜎.𝑅 2 𝜎.𝑅 2
✓ Si > 𝑅 , alors 𝐸(𝑟) = 𝜀 donc : 𝑉(𝑟) = + 𝐶𝑡𝑒2
0 .𝑟 2 𝜀0 .𝑟
En prenant 𝑉(𝑟 → +∞) = 0 , alors 𝐶𝑡𝑒2 = 0
Déterminons la constante 𝐶𝑡𝑒1 par continuité :
𝜎.𝑅 𝜎.𝑅
𝑉(𝑟 = 𝑅 − ) = 𝐶𝑡𝑒1 = 𝑉(𝑟 = 𝑅 + ) = ⇒ 𝐶𝑡𝑒1 =
𝜀0 𝜀0

3
• Finalement :
𝜎.𝑅
✓ Si 𝑟 < 𝑅 : 𝑉(𝑟) = 𝑉0 = 𝜀0
𝜎.𝑅 2
✓ Si 𝑟 > 𝑅 : 𝑉(𝑟) = 𝜀0 .𝑟

• L’allure de 𝐸(𝑟) et de 𝑉(𝑟) sont :

• Remarque :
➢ Le champ est discontinu car on a une distribution de charge surfacique.
➢ Le potentiel est toujours continu.

b. Champ et potentiel crée par une sphère uniformément chargée en volume.

Considérons une sphère de centre O et de rayon R chargée uniformément en volume avec une densité
volumique de charge 𝜌 :
On utilisera la base sphérique (𝑢
⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑟 ⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑢𝜃 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝜑 ) et les coordonnées sphériques (𝑟, 𝜃, 𝜑)
• Analyse de symétrie :
✓ Tout plan passant par O et M est un plan de symétrie. Le champ 𝐸⃗⃗ (𝑀) doit appartenir à tous
ces plans ; donc il appartient à leur l’intersection d’où :
𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝐸(𝑟, 𝜃, 𝜑). 𝑢
⃗⃗⃗⃗⃗𝑟
• Invariances : la sphère est invariante par rotation selon 𝜃 𝑒𝑡 𝜑 donc
𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝐸(𝑟). ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑟
• Surface de Gauss : On choisit une surface de Gauss sous forme d’une sphère de rayon r et de centre
O.
𝑄𝑖𝑛𝑡
∯ 𝐸⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑆 = 4𝜋. 𝑟 2 . 𝐸(𝑟) =
𝜀0
• On distingue deux cas :
✓ 𝑟 > 𝑅 : voir figure (a) ; dans ce cas la charge intérieure est la charge totale portée par la
𝑅 𝜋 2𝜋 4𝜋.𝑅 3
sphère : 𝑄𝑖𝑛𝑡 = 𝑄 = 𝜌. ∫0 𝑟 2 . 𝑑𝑟. ∫0 𝑠𝑖𝑛𝜃. 𝑑𝜃. ∫0 𝑑𝜑 = 𝜌. 3
✓ 𝑟 < 𝑅 : voir figure (b) ; dans ce cas la charge intérieure est :
𝑟 𝜋 2𝜋 4𝜋.𝑟 3
𝑄𝑖𝑛𝑡 = 𝜌. ∫0 𝑟′2 . 𝑑𝑟′. ∫0 𝑠𝑖𝑛𝜃. 𝑑𝜃. ∫0 𝑑𝜑 = 𝜌. 3

4
• L’expression du champ est donc :
𝜌.𝑅 3 𝜌.𝑅 3
✓ 𝑟 > 𝑅 : 𝐸(𝑟) = ⇒ 𝐸⃗⃗ (𝑀) = . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑟
3.𝜀0 .𝑟 2 3.𝜀0 .𝑟 2
𝜌.𝑟 𝜌.𝑟
✓ 𝑟 < 𝑅 : 𝐸(𝑟) = 3.𝜀 ⇒ 𝐸⃗⃗ (𝑀) = 3.𝜀 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
. 𝑢𝑟
0 0

• Potentiel :
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑉 ⇒ 𝑉(𝑟) = − ∫ 𝐸(𝑟). 𝑑𝑟 + 𝐶𝑡𝑒
On a : 𝐸⃗⃗ = −𝑔𝑟𝑎𝑑
𝜌.𝑟 𝜌.𝑟 2
✓ Si 𝑟 < 𝑅 , alors 𝐸(𝑟) = 3.𝜀 donc : 𝑉(𝑟) = − 6.𝜀 + 𝐶𝑡𝑒1
0 0
𝜌.𝑅 3 𝜌.𝑅 3
✓ Si 𝑟 > 𝑅 , alors 𝐸(𝑟) = 3.𝜀 2 donc : 𝑉(𝑟) = 3.𝜀 + 𝐶𝑡𝑒2
0 .𝑟 0 .𝑟
En prenant 𝑉(𝑟 → +∞) = 0 alors 𝐶𝑡𝑒2 = 0
Déterminons la constante 𝐶𝑡𝑒1 par continuité :
𝜌.𝑅 2 𝜌.𝑅 2 𝜌.𝑅 2
𝑉(𝑟 = 𝑅 − ) = − 6.𝜀 + 𝐶𝑡𝑒1 = 𝑉(𝑟 = 𝑅 + ) = ⇒ 𝐶𝑡𝑒1 =
0 3.𝜀0 2.𝜀0
Finalement :
𝜌.𝑟 2 𝜌.𝑅 2
✓ Si 𝑟 < 𝑅 : 𝑉(𝑟) = − 6.𝜀 +
0 2.𝜀0
𝜌.𝑅 3
✓ Si 𝑟 > 𝑅 : 𝑉(𝑟) = 3.𝜀
0 .𝑟

• L’allure de 𝐸(𝑟) et de 𝑉(𝑟) sont :

• Remarque :
➢ Le champ est continu car on a une distribution de charge volumique.

5
c. Champ et potentiel crée par un cylindre infini chargé uniformément en surface.

On considère un cylindre infini d’axe Oz, de rayon R portant une

densité surfacique uniforme 𝜎 sur la surface latérale voir figure :
On utilisera la base cylindrique (𝑢 ⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑟 ⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑢𝜃 ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑧 )
Les coordonnées cylindriques (𝑟, 𝜃, 𝑧)
• Analyse de symétrie :
- Le plan contenant l’axe (Oz) et le point M ; cad le
plan (𝑢⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑟 ⃗⃗⃗⃗⃗)
𝑢𝑧 est un plan de symétrie
- Le plan passant par M et perpendiculaire à l’axe
(Oz) ; cad le plan (𝑢 ⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑟 ⃗⃗⃗⃗⃗)
𝑢𝜃 est un plan de symétrie
Le champ appartient au 2 plans donc à leur
l’intersection d’où : 𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝐸(𝑟, 𝜃, 𝑧). ⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑢𝑟
• Invariances :
✓ Le cylindre est infini donc invariant par translation selon z
✓ Le cylindre est invariant par rotation selon θ
✓ D’où : 𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝐸(𝑟). ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑟
• Surface de Gauss : On choisit une surface de Gauss sous forme d’un cylindre de rayon r et de hauteur
h.

𝑄𝑖𝑛𝑡
⃗⃗⃗⃗⃗ =
∯ 𝐸⃗⃗ . 𝑑𝑆 ∬ ⃗⃗⃗⃗⃗ = 2. 𝜋. 𝑟. ℎ. 𝐸(𝑟) =
𝐸⃗⃗ . 𝑑𝑆
𝜀0
𝑠𝑢𝑟𝑓 𝑙𝑎𝑡é𝑟𝑎𝑙𝑒
Or :

∯ 𝐸⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑆 = ∬ 𝐸⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑆 + ∬ 𝐸⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑆 + ∬ 𝐸⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑆
𝑠𝑢𝑟𝑓 𝑏𝑎𝑠𝑒 1 𝑠𝑢𝑟𝑓 𝑏𝑎𝑠𝑒 2 𝑠𝑢𝑟𝑓 𝑙𝑎𝑡é𝑟𝑎𝑙𝑒

Puisque la normale à surface de base 1 et 2 est ⃗⃗⃗⃗⃗𝑢𝑧 et −𝑢

⃗⃗⃗⃗⃗𝑧 respectivement (voir les figures a et b ci-
dessous) d’où le flux à travers les surfaces de base est nul.
Le flux à travers la surface latérale est :

6
 ✓ Si r < 𝑅 figure a: 𝑄𝑖𝑛𝑡 = 0 d’où∶ 𝐸(𝑟) = 0
✓ Si r > 𝑅 figure b : 𝑄𝑖𝑛𝑡 = 2𝜋𝑅ℎ. 𝜎
𝜎.𝑅
d’où : 𝐸(𝑟) = 𝜀
0 .𝑟

• Potentiel :
⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ 𝑉
On a : 𝐸⃗⃗ = −𝑔𝑟𝑎𝑑
𝜕𝑉 1 𝜕𝑉 𝜕𝑉
En coordonnées sphériques : ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗
𝑔𝑟𝑎𝑑 𝑉 = 𝜕𝑟 . 𝑢⃗⃗𝑟 + 𝑟 . 𝜕𝜃 . 𝑢
⃗⃗𝜃 + 𝜕𝑧 . 𝑢
⃗⃗𝑧
𝜕𝑉 𝜕𝑉 𝜕𝑉
D’où : 𝐸(𝑟) = − 𝜕𝑟 , = 0 et = 0 ⇒ 𝑉(𝑟) = − ∫ 𝐸(𝑟). 𝑑𝑟 + 𝐶𝑡𝑒
𝜕𝜃 𝜕𝑧
✓ Si 𝑟 < 𝑅 , alors 𝐸(𝑟) = 0 donc : 𝑉(𝑟) = 𝐶𝑡𝑒1
𝜎.𝑅 𝜎.𝑅
✓ Si > 𝑅 , alors 𝐸(𝑟) = 𝜀 donc : 𝑉(𝑟) = − 𝐿𝑛𝑟 + 𝐶𝑡𝑒2
0 .𝑟 𝜀0
𝜎.𝑅
En prenant 𝑉(𝑟 = 𝑅) = 0 alors 𝐶𝑡𝑒2 = 𝐿𝑛𝑅
𝜀0
𝜎. 𝑅 𝑅
𝐿𝑛 ( )
𝑉(𝑟) =
𝜀0 𝑟
Déterminons la constante 𝐶𝑡𝑒1 par continuité :
𝑉(𝑟 = 𝑅 − ) = 𝐶𝑡𝑒1 = 𝑉(𝑟 = 𝑅 + ) = 0 ⇒ 𝐶𝑡𝑒1 = 0

Finalement :
✓ Si 𝒓 < 𝑹 : 𝑽(𝒓) = 𝟎
𝜎.𝑹 𝑹
✓ Si 𝒓 > 𝑹 : 𝑽(𝒓) = 𝑳𝒏 ( 𝒓 )
𝜺𝟎

• L’allure du champ et du potentiel est :

7
d. Champ et potentiel crée par un fil infini uniformément chargé.

Considérons un fil infini portant une densité linéique uniforme λ ; z

voir figure :
NB : Symétrie, invariance et surface de Gauss sont identique à
l’application précédente.
𝝀
⃗⃗𝒛
𝒆
• Le flux à travers la surface latérale est :
O +
∬ ⃗⃗⃗⃗⃗ = 2. 𝜋. 𝑟. ℎ. 𝐸(𝑟)
𝐸⃗⃗ . 𝑑𝑆 r ⃗⃗𝒓
𝒖
M
𝑠𝑢𝑟𝑓 𝑙𝑎𝑡é𝑟𝑎𝑙𝑒
𝜆
Avec 𝑄𝑖𝑛𝑡 = ℎ. 𝜆 d’où 𝐸(𝑟) = 2𝜋.𝜀
0 .𝑟
Finalement :
𝜆
𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝑢
⃗⃗⃗⃗⃗ z'
2𝜋. 𝜀0 . 𝑟 𝑟
𝜆 𝜆
• Le potentiel électrostatique 𝑉(𝑟) = − ∫ 2𝜋.𝜀 . 𝑑𝑟 + 𝑐𝑡𝑒 = − 2𝜋.𝜀 𝐿𝑛𝑟 + 𝑐𝑡𝑒
0 .𝑟 0

e. Champ et potentiel crée par un plan infini uniformément chargé en surface.

Soit un plan infini dans le plan (𝑂𝑥𝑦) portant une densité surfacique 𝜎0 .

On utilisera la base cartésienne (𝑢

⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑥 ⃗⃗⃗⃗⃗,
𝑢𝑦 ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑧 ) et les coordonnées cartésiennes (𝑥, 𝑦, 𝑧)

• Analyse de symétrie :
- Tout plan contenant le point M et perpendiculaire au plan (𝑜𝑥𝑦) est un plan de symétrie,
le champ appartient à leur l’intersection d’où :
𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝐸(𝑥, 𝑦, 𝑧). ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑧
• Invariances : Le plan infini est invariant par translation selon 𝑥 𝑒𝑡 𝑦 d’où :
𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝐸(𝑧). ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑧

• Surface de Gauss : On choisit une surface de Gauss sous forme d’un cylindre de surface de base 𝑆 et
de hauteur 2𝑧 .
8
 𝑄𝑖𝑛𝑡
⃗⃗⃗⃗⃗ = ∬
∯ 𝐸⃗⃗ . 𝑑𝑆 ⃗⃗⃗⃗⃗ + ∬
𝐸⃗⃗ . 𝑑𝑆 ⃗⃗⃗⃗⃗ + ∬
𝐸⃗⃗ . 𝑑𝑆 ⃗⃗⃗⃗⃗ =
𝐸⃗⃗ . 𝑑𝑆
𝑠𝑢𝑟𝑓 𝑏𝑎𝑠𝑒 1 𝑠𝑢𝑟𝑓 𝑏𝑎𝑠𝑒 2 𝑠𝑢𝑟𝑓 𝑙𝑎𝑡é𝑟𝑎𝑙𝑒 𝜀0
La normale à la surface latérale est perpendiculaire au champ d’où le flux à travers la surface
latérale est nul.
La normale à surface de base 1 et 2 est ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑧 et −𝑢
⃗⃗⃗⃗⃗𝑧 respectivement.
Soit 𝑀’ la symétrie du point M par rapport au plan de symétrie 𝜋𝑠 =(oxy)
Donc 𝐸⃗⃗ (𝑀′) = −𝑠𝑦𝑚 𝐸⃗⃗ (𝑀)/𝜋𝑠 d’où 𝐸(−𝑧) = −𝐸(𝑧)

𝜎0 .𝑆
⃗⃗⃗⃗⃗ = 𝐸⃗⃗ (𝑀). 𝑆. ⃗⃗⃗⃗⃗
∯ 𝐸⃗⃗ . 𝑑𝑆 𝑢𝑧 − 𝐸⃗⃗ (𝑀′). 𝑆. ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑧 = 𝜀0
𝜎0 .𝑆
𝐸(𝑧). 𝑆 − 𝐸(−𝑧). 𝑆 = 2. 𝐸(𝑧). 𝑆 = 𝜀0
𝜎0
𝑑𝑜𝑛𝑐 ∶ 𝐸(𝑧) = 2.𝜀
0
Finalement :
𝜎
✓ Si 𝑧 > 0 : 𝐸(𝑧) = 2.𝜀0
0
𝜎
✓ Si 𝑧 < 0 : 𝐸(𝑧) = − 2.𝜀0
0

• Le potentiel
𝜎 𝜎 .𝑧
si 𝑧 > 0 𝑉(𝑧) = − ∫ 2.𝜀0 . 𝑑𝑧 + 𝑐𝑡𝑒 = − 2.𝜀
0
+ 𝑐𝑡𝑒1
0 0
𝜎0 𝜎0 .𝑧
Si 𝑧 < 0 𝑉(𝑧) = ∫ 2.𝜀 . 𝑑𝑧 + 𝑐𝑡𝑒 = 2.𝜀 + 𝑐𝑡𝑒2
0 0
En prenant 𝑉(0) = 0 alors les constantes 1 et 2 sont nulles.

• Finalement :
0 𝜎 .𝑧
✓ si 𝑧 > 0 𝑉(𝑧) = − 2.𝜀
0
𝜎0 .𝑧
✓ si 𝑧 < 0 𝑉(𝑧) = 2.𝜀0

9
6. Théorème de Gauss en gravitation.

Analogie électrostatique gravitation :

Electrostatique Gravitation

Force 𝑞1 . 𝑞2 𝑚1 . 𝑚2
𝐹⃗𝑒 = 𝑘. .𝑢
⃗⃗𝑟 𝐹⃗𝑔 = −𝐺. .𝑢
⃗⃗𝑟
𝑟2 𝑟2

Particule Charge q masse m

Champ 𝐸⃗⃗ (𝑀) 𝐺⃗ (𝑀)

1 −𝐺
𝑘=
Constante 4𝜋𝜀0

1 −4𝜋. 𝐺
𝜀0

Théorème de Gauss Qint

∯ ⃗E⃗. ⃗⃗⃗⃗⃗
dS = ∯ ⃗G⃗. ⃗⃗⃗⃗⃗
dS = − 4π. G. 𝑚𝑖𝑛𝑡
ε0

10
7. Condensateurs :
• Un condensateur est constitué de deux conducteurs en influence totale (portant des charges opposées).

• Exemples :
✓ Condensateur plan :
✓ Condensateur cylindrique :
✓ Condensateur sphérique :

• Applications :
✓ Condensateur plan : Constitué de deux plans parallèles de même surface 𝑆 portants des charges
opposées, séparés par une distance 𝑒.

✓ La plaque inférieure situé à 𝑧 = 0 , porte la charge 𝑄1 = 𝜎. 𝑆 et portée au potentiel 𝑉1 .

✓ La plaque inférieure situé à 𝑧 = 0 , porte la charge 𝑄2 = − 𝜎. 𝑆 et portée au potentiel 𝑉2 .
✓ On peut négliger les effets de bords si les dimensions des deux plaques sont très grandes par
rapport à l’épaisseur : √𝑆 ≫ 𝑒 .
⃗⃗ (𝑀) est uniforme entre les deux plaques.
✓ Effet de bords négligés le champ 𝐸

Rappel :
✓ Le champ électrostatique crée par un plan infini confondu avec le plan (𝑂𝑥𝑦) et uniformément
chargé avec une densité surfacique 𝜎 est :
𝜎 𝜎
⃗⃗(𝑀) = −
𝐸⃗⃗ (𝑀) = 2𝜀 𝑒⃗𝑧 , si 𝑧 > 0 𝑒𝑡 𝐸 𝑒⃗ 𝑧 , si 𝑧 < 0
0 2𝜀0

✓ Les deux plans créent le champ total : 𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝐸⃗⃗1 (𝑀) + 𝐸⃗⃗2 (𝑀)

11
 𝜎 −𝜎
➢ Si 𝑧 > 𝑒 : 𝐸⃗⃗ (𝑀) = 2𝜀 𝑒⃗𝑧 + 2𝜀 𝑒⃗𝑧 = ⃗0⃗
0 0
𝜎 𝜎 𝜎
➢ Si : 0 < 𝑧 < 𝑒 : 𝐸⃗⃗ (𝑀) = 2𝜀 𝑒⃗𝑧 + 2𝜀 𝑒⃗𝑧 = 𝜀 𝑒⃗𝑧
0 0 0
⃗⃗ (𝑀) = 𝜎 𝑒⃗𝑧 + −𝜎 𝑒⃗𝑧 = ⃗0⃗
➢ Si 𝑧 < 0: 𝐸
2𝜀 0 2𝜀 0
✓ On sait que :
𝐸. 𝑑𝑙⃗
𝑑𝑉 = −⃗⃗⃗
2 2
⃗⃗⃗. 𝑑𝑙⃗ = − ∫
𝜎 𝜎 𝜎
𝑉2 − 𝑉1 = − ∫ 𝐸 𝑒⃗⃗𝑧 dz 𝑒⃗⃗𝑧 = − (𝑧2 − 𝑧1 ) = − . 𝑒
1 1 𝜀0 𝜀0 𝜀0
✓ La capacité du condensateur est définie par :
𝑄1 𝑄2
𝐶= =
𝑉1 − 𝑉2 𝑉2 − 𝑉1
✓ Or : 𝑄1 = 𝜎. 𝑆
𝜎. 𝑆 𝜀0 𝑆
𝐶= 𝜎 =
𝑒
𝜀0 . 𝑒
✓ Si on a un matériau diélectrique de permittivité 𝜀 = 𝜀𝑟 𝜀0 , 𝜀𝑟 > 1
𝜀. 𝑆
𝐶=
𝑒

• Condensateur cylindrique :
Constitué de deux cylindres ayant même axe de révolution, de hauteur ℎ (supposé infinie) l’un de rayon
𝑅1 , portant la charge 𝑄1 , porté au potentiel 𝑉1 et l’autre de rayon 𝑅2 , portant la charge 𝑄2 =
−𝑄1 , porté au potentiel 𝑉2.

12
 ✓ En choisissant une surface Gauss : sous forme d’un cylindre de hauteur ℎ et de rayon 𝑟 tel que
𝑅1 < 𝑟 < 𝑅2 .
𝑄1
∯ 𝐸⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑆 =
𝜀0

𝑄1
∬ 𝐸⃗⃗ . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑑𝑆 = 2. 𝜋. 𝑟. ℎ. 𝐸(𝑟) =
𝜀0
𝑠𝑢𝑟𝑓 𝑙𝑎𝑡é𝑟𝑎𝑙𝑒

✓ Entre les deux cylindres le champ électrostatique :

𝑄1
𝐸⃗⃗ = . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢
2. 𝜋. 𝑟. ℎ. 𝜀0 𝑟
2 𝑅2 𝑄1 𝑄1 𝑅2
𝑉2 − 𝑉1 = − ∫ 𝐸 ⃗⃗⃗. 𝑑𝑙⃗ = − ∫ 𝑑𝑟 = − . 𝐿𝑛 ( )
1 𝑅1 2. 𝜋. 𝑟. ℎ. 𝜀0 2. 𝜋. 𝑟. ℎ. 𝜀0 𝑅1

𝑄1 𝑅2
𝑉1 − 𝑉2 = . 𝐿𝑛 ( )
2. 𝜋. 𝑟. ℎ. 𝜀0 𝑅1
𝑄1 2𝜋𝜀0 . ℎ
𝐶= =
𝑉1 − 𝑉2 𝐿𝑛 (𝑅2 )
𝑅1
2𝜋𝜀0 . ℎ
𝐶=
𝑅
𝐿𝑛 ( 2 )
𝑅1

✓ La capacité linéique :
𝐶 2𝜋𝜀0
𝐶𝑙 = =
ℎ 𝑅
𝐿𝑛 ( 2 )𝑅1

8. Energie potentiel électrostatique :

• Le travail élémentaire de la force électrostatique est :

𝛿𝑊(𝐹 ⃗⃗⃗⃗𝑒 ) = ⃗⃗⃗⃗ ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = 𝑞. 𝐸⃗⃗ . 𝑑𝑂𝑀
𝐹𝑒 . 𝑑𝑂𝑀 ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ = −𝑞. 𝑑𝑉 = −𝑑(𝑞𝑉 + 𝑐𝑡𝑒) = −𝑑𝐸𝑝
D’où :
𝐸𝑝 = 𝑞𝑉 + 𝑐𝑡𝑒

Le travail entre 2 positions A et B est :

𝑊𝐴→𝐵 (𝐹 ⃗⃗⃗⃗𝑒 ) = −∆𝐸𝑝 = 𝑞(𝑉𝐴 − 𝑉𝐵 )
𝐴→𝐵

• L’énergie d’interaction entre deux charges

1
𝐸𝑒 =
(𝑞 . 𝑉 + 𝑞2 . 𝑉2 )
2 1 1
• Dans le cas de N charges l’énergie d’interaction est :
𝑁
1
𝐸𝑒 = . ∑ 𝑞𝑖 . 𝑉𝑖
2
𝑖=1
𝑉𝑖 Potentiel crée par les autres charges au point 𝑀𝑖 .

13
• Dans le cas d’une distribution continue :
1
𝐸𝑒 = ∫ 𝑉(𝑀) . 𝑑𝑞
2 𝑀∈𝐷
• Remarque :
L’énergie électrostatique se calcul à partir de :
𝜀0 . 𝐸 2
𝐸𝑒 = ∭ . 𝑑𝜏
𝑒𝑠𝑝𝑎𝑐𝑒 2

𝜀0 .𝐸 2
: la densité d’énergie électrostatique.
2
Application :
• Le champ électrostatique crée par une sphère chargée uniformément en surface est :
𝜎.𝑅 2
✓ 𝑟 > 𝑅 : 𝐸⃗⃗ (𝑀) = 𝜀 .𝑟 2 . ⃗⃗⃗⃗⃗
𝑢𝑟
0

✓ 𝑟<𝑅: 𝐸⃗⃗ (𝑀) = ⃗0⃗

• Calculer l’énergie d’interaction électrostatique

Réponse :
𝜀0 . 𝐸 2
𝐸𝑒 = ∭ . 𝑑𝜏
𝑒𝑠𝑝𝑎𝑐𝑒 2

𝑑𝜏 = 𝑟2 𝑑𝑟. 𝑠𝑖𝑛𝜃𝑑𝜃. 𝑑𝜑
∞ 𝜋 2𝜋
𝜀0
𝐸𝑒 = . ∫ 𝐸 2 . 𝑟2 𝑑𝑟. ∫ 𝑠𝑖𝑛𝜃. 𝑑𝜃. ∫ 𝑑𝜑
2
0 0 0
𝑅 ∞
4𝜋𝜀0
𝐸𝑒 = . [∫ 𝐸 2 . 𝑟2 𝑑𝑟 + ∫ 𝐸 2 . 𝑟2 𝑑𝑟]
2
0 𝑅
𝑅 ∞ 2
2 𝜎. 𝑅2
𝐸𝑒 = 2𝜋𝜀0 . ∫ 𝐸 . 𝑟 𝑑𝑟 + ∫ (
2
2
) . 𝑟2 𝑑𝑟
⏟
𝜀 0 . 𝑟
0 𝑅
[ =0 ]
2 2 ∞
𝜎. 𝑅 1
𝐸𝑒 = 2𝜋𝜀0 . ( ) [∫ 2 𝑑𝑟]
𝜀0 𝑟
𝑅
4𝜋𝜎 𝑅3
2
𝐸𝑒 =
𝜀0

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