TP – Capteurs et

instrumentations –
Capteurs de lumière

Groupe :
Thomas Costa 210 200
Elie Ibrahim 211 995
Karl Tohmé 210 844
Georges Khoury 212 493
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 Sommaire
1 Résumé....................................................................................................................................................3
2 Introduction.............................................................................................................................................3
3 Contexte théorique...................................................................................................................................4
a) Photodiode :.............................................................................................................................................4
b) Les phototransistors :...............................................................................................................................5
4 Procédure expérimentale :.......................................................................................................................5
5 Résultats expérimentaux..........................................................................................................................6
a) Photodiode :.............................................................................................................................................6
b) Phototransistor.........................................................................................................................................7
6 Résultats numériques :.............................................................................................................................8
a) Photodiode :.............................................................................................................................................8
b) Phototransistor :.....................................................................................................................................10
7 Analyse et Conclusion...........................................................................................................................10
a) Photodiode :...........................................................................................................................................10
b) Phototransistor :.....................................................................................................................................10
8 Remerciements......................................................................................................................................11
9 Références.............................................................................................................................................11

Table des figures

Figure 2-1 Schéma normalisé de la photodiode.................................................................................................3
Figure 2-2 Schéma normalisé du phototransistor..............................................................................................3
Figure 3-1 Photo d'une photodiode....................................................................................................................4
Figure 4-1 Montage du circuit de la photodiode sur ThinkerCAD......................................................................5
Figure 4-2 Montage du phototransistor sur ThinkerCAD...................................................................................6
Figure 6-1 Graphe montrant la variation de l'intensité en fonction du pourcentage de luminosité pour une
alimentation de 5V.............................................................................................................................................8
Figure 6-2 Graphe montrant la variation de l'intensité en fonction du pourcentage de luminosité pour une
alimentation de 10V...........................................................................................................................................8
Figure 6-3 Graphe montrant la variation de l'intensité en fonction du pourcentage de luminosité pour une
alimentation de 20V...........................................................................................................................................9
Figure 6-4 Graphe montrant la variation de l'intensité en fonction du pourcentage de luminosité pour une
alimentation de 30V...........................................................................................................................................9
Figure 6-5 Graphe montrant la variation de l'intensité en fonction du pourcentage de luminosité pour une
alimentation de 10V.........................................................................................................................................10

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 1 Résumé
Le but de ce TP est d'explorer le fonctionnement des capteurs de lumière, à savoir la photodiode et le
phototransistor, afin de comprendre comment ils réagissent à l'intensité lumineuse incidente. Cette
compréhension nous permettra d'évaluer leur utilité dans diverses applications où la détection et la
mesure précise de la lumière sont essentielles.

Pour nos expériences, nous allons travailler avec deux types de capteurs de lumière : une photodiode et
un phototransistor. Dans chaque expérience, nous maintiendrons une alimentation électrique constante.
Notre objectif principal est d'explorer la relation entre l'intensité lumineuse incidente et la réponse
électrique des capteurs.

Dans la première expérience, nous utiliserons une photodiode. Nous ajusterons l'intensité de la lumière
incidente en modifiant la distance entre la source de lumière et la photodiode ou en modifiant l'intensité
de la source lumineuse. Ensuite, nous mesurerons l'intensité lumineuse à l'aide de la photodiode et
enregistrerons les valeurs de tension aux bornes de la photodiode correspondante. Ces données nous
permettront de comprendre comment la photodiode réagit à la lumière incidente et comment sa sortie
électrique varie en fonction de l'intensité lumineuse.

Dans la deuxième expérience, nous travaillerons avec un phototransistor. De manière similaire à la

première expérience, nous varierons l'intensité de la lumière incidente et mesurerons cette intensité à
l'aide du phototransistor. Cependant, cette fois, nous enregistrerons les valeurs de sortie du
phototransistor. En analysant ces données, nous serons en mesure de comprendre comment le
phototransistor réagit à la lumière incidente et comment sa sortie électrique change en fonction de
l'intensité lumineuse.

2 Introduction
Les capteurs de lumière jouent un rôle essentiel dans notre monde de plus en plus axé sur l'électronique
et la technologie. Deux composants clés dans cette catégorie sont la photodiode et le phototransistor,
chacun offrant des capacités uniques pour détecter et mesurer la lumière de manière précise. Ces
dispositifs exploitent les principes de l'effet photoélectrique et de l'amplification électrique pour répondre
à une variété d'applications, de la communication optique à la photographie numérique en passant par la
détection de lumière ambiante. Leur polyvalence et leur réactivité rapide les rendent incontournables
dans le domaine de l'électronique moderne. Dans cette exploration, nous plongerons dans le
fonctionnement de ces capteurs et examinerons comment ils sont utilisés pour répondre à nos besoins
croissants en matière de détection lumineuse.

3
 Figure 2-1 Schéma normalisé de
Figure 2-2 Schéma normalisé du phototransistor
la photodiode

3 Contexte théorique
a) Photodiode :
Les photodiodes sont des composants électroniques cruciaux qui exploitent l'effet photoélectrique pour
détecter la lumière et d'autres formes de rayonnement électromagnétique. Leur mode de fonctionnement
se résume comme suit : Lorsque la lumière atteint la surface de la photodiode, les photons sont absorbés
par les atomes du matériau semi-conducteur de la photodiode, ce qui libère des électrons et crée des
paires électron-trou. Les électrons ainsi libérés peuvent se déplacer librement, créant un courant
électrique à travers la photodiode, du côté négatif au côté positif. Ce courant électrique est ensuite
mesuré pour quantifier l'intensité de la lumière incidente.

En ce qui concerne les différents types de photodiodes, il existe une variété de catégories, chacune
présentant des caractéristiques spécifiques adaptées à des besoins particuliers. Parmi ces types, on
retrouve les photodiodes à jonction simple (PN), qui sont sensibles à un large spectre de longueurs d'onde,
y compris la lumière visible et l'infrarouge proche. Les photodiodes à avalanche, quant à elles, sont
capables de générer un courant plus important grâce à la multiplication d'électrons, ce qui les rend idéales
pour détecter de faibles intensités lumineuses, notamment dans les communications optiques. Les
photodiodes à avalanche à un photon (SPAD) sont conçues pour détecter des photons individuels avec
une grande précision temporelle, et elles sont couramment utilisées dans la photonique quantique. Enfin,
les photodiodes à infrarouge lointain (IRL) sont spécialement adaptées pour détecter l'infrarouge lointain,
ce qui les rend utiles dans la détection de chaleur et d'autres rayonnements infrarouges.

4
 Figure 3-3 Photo d'une photodiode

b) Les phototransistors :
Les phototransistors sont des dispositifs électroniques qui exploitent les caractéristiques de la lumière
incidente pour contrôler le courant électrique qui les traverse, fonctionnant de manière similaire à un
transistor classique. Leur opération est basée sur une zone active sensible à la lumière, où les photons
lumineux sont absorbés par le matériau semi-conducteur du phototransistor, transférant de l'énergie aux
électrons. La quantité de paires électron-trou créées dépend de l'intensité lumineuse incidente, ce qui
influence le courant de sortie. Ce courant est ensuite amplifié pour activer d'autres composants
électroniques ou générer un signal de sortie adapté à l'application spécifique du phototransistor.

Il existe divers types de phototransistors, chacun offrant des caractéristiques spécifiques pour répondre à
des besoins variés. Les phototransistors à jonction simple (PNP ou NPN) sont les plus courants, exploitant
la jonction P-N pour générer un courant en réponse à la lumière. Les phototransistors à jonction bipolaire
(BJT) offrent une amplification de courant supérieure, idéale pour une sensibilité accrue. Les
phototransistors à effet de champ (FET) fonctionnent différemment et offrent également une
amplification de courant. Les phototransistors à avalanche (APD) sont conçus pour une sensibilité très
élevée et sont utilisés dans les communications optiques. Les phototransistors à boîtier de détection sont
conçus pour un alignement précis avec une source lumineuse, tandis que les phototransistors à large
bande détectent une gamme étendue de longueurs d'onde. Les phototransistors infrarouges (IR) sont
optimisés pour détecter la lumière infrarouge et sont couramment utilisés dans les télécommandes
infrarouges. Chacun de ces types s'adapte à des applications spécifiques en fonction de leurs
caractéristiques de détection et d'amplification.

5
 4 Procédure expérimentale :
Dans cette expérience, un circuit électronique sera réalisé en utilisant d'abord une photodiode alimentée
par un générateur de tension et une résistance de charge de 1 Kohm. Pour différentes valeurs de tension
aux bornes de la photodiode (5, 10, 20, 30V), le courant généré sera mesuré en utilisant des pourcentages
d'éclairage maximum (0%, 25%, 50%, 75%, et 100%). Ensuite, les caractéristiques du courant seront
tracées en fonction des tensions aux bornes de la photodiode, et les résultats seront interprétés pour
comprendre la relation entre l'intensité lumineuse et le courant généré. Par la suite, la photodiode sera
remplacée par un phototransistor, et pour une tension Vce de 10V, le courant généré sera mesuré pour
différentes valeurs d'intensité lumineuse. Enfin, une comparaison sera établie par rapport à la photodiode,
et les résultats seront interprétés pour comprendre les différences dans le comportement des deux
capteurs en réponse à l'intensité lumineuse.

Figure 4-4 Montage du circuit de la photodiode sur

ThinkerCAD

6
 Figure 4-5 Montage du phototransistor sur ThinkerCAD

5 Résultats expérimentaux
a) Photodiode :
Luminosité en  Courant en A
25 31
50 56.9
75 80.9
100 105
Tableau 5.1 Tableau montrant la variation du courant en fonction du pourcentage de la luminosité avec un alimentation de
5V

Luminosité en  Courant en A
25 38
50 61.9

7
75 83.9
100 110
Tableau 5.2 Tableau montrant la variation du courant en fonction du pourcentage de la luminosité avec un alimentation de 10V

Luminosité en  Courant en A
25 46
50 73.9
75 95.9
100 120
Tableau 5.3 Tableau montrant la variation du courant en fonction du pourcentage de la luminosité avec un alimentation de 20V

Luminosité en  Courant en A
25 55.9
50 81.9
75 106
100 130
Tableau 5.4 Tableau montrant la variation du courant en fonction du pourcentage de la luminosité avec un alimentation de 30V

b) Phototransistor
Luminosité en  Courant en mA
25 0.552
50 1.2
75 1.7
100 2.3
Tableau 5.5 Tableau montrant la variation du courant en fonction du pourcentage de la luminosité captée par le transistor
avec une alimentation de 10V

6 Résultats numériques :
a) Photodiode :

8
 120

100

80

Intensité en A 60

40

20

0
20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100% 110%
Pourcentage de la luminosité

Figure 6-6 Graphe montrant la variation de l'intensité en fonction du pourcentage de luminosité pour une alimentation de 5V

120

100

80
Intensité en A

60

40

20

0
20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100% 110%
Pourcentage de la luminosité

Figure 6-7 Graphe montrant la variation de l'intensité en fonction du pourcentage de luminosité pour une alimentation de
10V

9
 140

120

100

Intensité en A
80

60

40

20

0
20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100% 110%
Pourcentage de la luminosité

Figure 6-8 Graphe montrant la variation de l'intensité en fonction du pourcentage de luminosité pour une alimentation de
20V

140

120

100
Intensité en A

80

60

40

20

0
20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100% 110%
Pourcentage de la luminosité

Figure 6-9 Graphe montrant la variation de l'intensité en fonction du pourcentage de luminosité pour une alimentation de
30V

S=1.08 μ A /%d’eclairage.

10
 b) Phototransistor :
2.5

Intensité en mA
1.5

0.5

0
20% 30% 40% 50% 60% 70% 80% 90% 100% 110%
Pourcentage de la luminosité

Figure 6-10 Graphe montrant la variation de l'intensité en fonction du pourcentage de luminosité pour une alimentation de
10V

S=22.08 m A/%

7 Analyse et Conclusion
a) Photodiode :
Les graphiques mettent en évidence la corrélation entre le courant généré et le pourcentage d'éclairage,
et cette relation est clairement influencée par la tension appliquée à la photodiode. Il est notable que, à
tension constante aux bornes de la photodiode, une augmentation du pourcentage d'éclairage
s'accompagne d'une augmentation proportionnelle du courant généré. Cette corrélation entre l'intensité
lumineuse et le courant généré est de nature progressive et linéaire. Par ailleurs, à mesure que la tension
aux bornes de la photodiode augmente, le courant généré augmente également, illustrant une
dépendance du courant envers la tension d'alimentation.

b) Phototransistor :
La relation entre le courant généré et le pourcentage d'éclairage est clairement linéaire et progressive, ce
qui signifie que plus l'intensité lumineuse augmente, plus le courant généré s'accroît. Par ailleurs, une
observation significative est que, dans cette étude, le courant généré par un phototransistor est
considérablement supérieur à celui produit par une photodiode pour des conditions de circuit identiques.
Cette disparité marquée en termes de valeurs de courant est l'un des traits distinctifs du phototransistor,
renforçant son attrait par rapport à la photodiode, car il génère sensiblement plus de courant pour des
paramètres de circuit similaires.

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 8 Remerciements
Nous souhaitons exprimer notre sincère gratitude envers le Professeur Elie Aouad pour son encadrement
précieux et son enseignement tout au long de ce TP sur les capteurs et instrumentation. Sa vaste expertise
dans le domaine a été une source inestimable de connaissances et d'inspiration pour nous tous. De plus,
l'utilisation de ThinkerCAD a enrichi notre expérience en nous permettant d'explorer les concepts de
manière interactive. Ses conseils perspicaces et sa disponibilité ont grandement facilité notre
compréhension des capteurs passifs et actifs. Nous tenons à le remercier chaleureusement pour sa
dévotion à l'enseignement et pour avoir rendu cette expérience éducative aussi enrichissante que
passionnante.

9 Références
 Tinkercad.com
 http://www.elektronique.fr/
 Cours de notre professeur
Dr.Elie Aouad

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