SIMULATIONS SPICE

LSE2-AU: 2021-2022
 I-INTRODUCTION
 La simulation est
Réaliser une reproduction artificielle
l’expérimentation sur un modèle
(modèle) du phénomène à étudier

 la première étape dans la conception CAO

(Conception Assistée par Ordinateur) d’un
circuit ou d’un système électronique

 En électronique, la simulation permet de vérifier la fonctionnalité d’une conception

avant de passer à l’étape de réalisation d’un prototype

 Types des simulateurs

 Analogique : PSPICE, ELDO, SABER.
 Numérique (VHDL, Verilog, System C) : ADV-MS, Simplorer 2
 Hyperfréquence : MDS, ADS

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  Les catégories des simulations ( suivant le mode de description employé pour définir
le système) :
 Comportemental : Niveau système
 VHDL (logique)

 VHDL-AMS, Verilog (logique, Analogique)

 Matlab / Simulink (logique, analogique)

 Logique (Circuits logiques ou Numériques)

 Modèles structurels (VHDL, System C)

 Niveaux (0, 1, Z, …)

 Electrique : circuits analogiques

 Modèles structurels

 Niveaux de V et I (logiciel de type SPICE)

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 II-SIMULATION ÉLECTRIQUE AVEC SPICE
SPICE : Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis)

 SPICE : un simulateur électrique développé à Berkley en Californie dans les années

soixante dix
 Dérivés
 PSPICE de la société Microsim, HSPICE de Meta Software,
 ISPICE de Intusoft, etc.

 PSPICE : apporte de nombreuses améliorations, par rapport au logiciel SPICE

original,
 Niveau interface utilisateur: Microsim a ajouté l’outil graphique PROBE
 Niveau simulation: types des analyses enrichis
 Analyse de courant continu : Circuits linéaires et non linéaires

 Point de polarisation (I0, V0)

 Courbe de transfert (Vs/Ve)

 Caractéristique des dispositifs

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  Analyse fréquentielle : circuits linéaires
 Analyse de Fourier
 Diagramme de Bode (GdB, )
 Bruits

 Analyse temporelle : Circuits linéaires et non linéaires

 Oscilloscope
 Retards (t)
 Distorsions harmoniques de Fourier

 Analyse statistique (Analyse Monte-Carlo, pire cas) température, sensibilité

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 Version SPICE à télécharger
● Dernière version disponible PSpice 9.1
● http://www.electronics-lab.com/downloads/schematic/013/
● Version de démonstration, avec limitations:
● Bibliothèque de composants limitée
● Saisie de schémas limitée à une page A4
● 50 composants
● Simulation limitée à 64 nœuds,
● 10 transistors ou 65 fonctions logiques

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 III-DESCRIPTION DU FICHIER D’ENTRÉE DE
SPICE (*.CIR)
 Composition du fichier d’entrée:
 Un titre
 Une « netlist » donnant une description topologique du circuit à analyser à partir
du type et de la valeur des différents composants actifs et passifs et de leur
interconnexion
 Un ensemble de commandes pour fixer les analyses et le type de sortie à
réaliser.
 Un jeu de paramètres de simulation
 Un jeu de paramètres de contrôle
 Un jeu de structures de données
 Une indication de fin de fichier

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  Structure du fichier d’entrée
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------

Titre Ligne obligatoire

*Commentaires
Vxx . . .
Ixx . . . Définition des sources
………
Rxx . . .
Qxx . . . Description du circuit
………
.Model . . .
.Model . . . Définition des modèles
………
.DC . . .
.AC . . . Commandes de simulation
.TRAN . . .
.Print . . .
Stockage des résultats
.Probe
.Option . . .
………
Options de simulation 8
.END Fin Ligne obligatoire
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------
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 EXEMPLE
On considère un circuit RLC série pour lequel on veut réaliser une analyse fréquentielle
de 1kHz à 10MHz avec une source de tension Ve ayant une composante continue (DC)
de 0,5V et une composante alternative de 1V. Les résultats seront visualisés par
PROBE. On prendra C1 = 1nF, R1 = 1KΩ, L1 = 1µH.
-------------------------------------------
Simulation de circuit RLC série
* Carte éléments (netlist du circuit)
Ve 1 0 AC 1 DC 0.5
R1 2 3 1K
C1 1 2 1N
L1 3 0 1U
* Carte analyse
.AC DEC 100 1K 10MEG
* Carte impression des résultats
.PROBE
.END 9
-------------------------------------------

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 RÈGLES D’ÉCRITURE DU FICHIER D’ENTRÉE
 Commencer par numéroter (ou nommer) les nœuds du circuit sur le schéma (sur
papier)
 La masse est toujours nécessaire, elle est notée zéro « 0 »
 La première ligne du fichier est toujours un titre qui ne sera pas analysé par le
simulateur, la dernière ligne est toujours .END. Entre le titre et la fin du fichier,
l’ordre est arbitraire.
 Dans la description du circuit (sources et composants), chaque ligne commence par la
référence du composant où la première lettre indique le type de composant (par
exemple R pour résistance, C pour capacité). Les champs suivants sont l’énumération
des nœuds d’interconnexion, puis la référence à un modèle, la valeur du composant, et
éventuellement d’autres valeurs optionnelles.
 Les commandes de simulation commencent toujours par un point (ex : .DC)
 Les commentaires commencent toujours par « étoile ou astérisque » (*) et peuvent être
placés dans n’importe quelle ligne entre le titre et le .END.
 Aucune différence entre majuscule et minuscule (.TRAN = .tRan = .tran = …)
 Sur une même ligne un espace est équivalent à n espaces
 Entre le titre et le .END, on peut introduire un nombre (n > 1 ) arbitraire de lignes
vierges
 Une ligne qui commence par « + » est une continuation de la ligne précédente 10

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  Dans un dipôle et une source de courant, le sens positif du courant est de la borne (+)
à la borne (-). Pour un générateur de tension, le sens positif du courant est de la
borne (-) à la borne (+)
 Lorsque l’une des bornes d’un composant est en l’air, le simulateur génère une
erreur. Pour résoudre le problème, on peut connecter une très grande résistance dont
la deuxième borne est reliée à la masse et à condition de considérer le bruit
supplémentaire généré par cette résistance.
 Les commandes d’analyse sont :
 .OP : analyse du point de repos (un seul point)
 .DC : analyse statique (ensemble de points)
 .AC : analyse alternative petit signal
 .TRAN : analyse transitoire
 .NOISE : analyse en bruit
 .PZ : analyse pole-zéros
 .SENS : analyse en sensibilité
 .TF : analyse de la fonction de transfert
 .DISTO : analyse des distorsions
 .FOUR : analyse de Fourier

 Les commandes de sortie :

 .PRINT : sortie listing d’un tableau de valeurs calculées
 .PLOT : sortie listing d’un graphique des valeurs calculées
 .PROBE : visualisation des résultats graphiques 11

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  Les commandes de simulation
 .OPTION : options
 .NODESET : conditions initiales pour le statique
 .IC : conditions initiales pour le transitoire
 .INCLUDE : inclusion de fichiers
 .END : fin de fichier
 Les structures de données
 Les modèles (.MODEL) : certains composants principalement les composants
actifs et les dispositifs intégrés, nécessitent pour leur instantiation un grand
nombre de paramètres SPICE et utilisent la notion de modèle pour définir une
structure de données une seule fois avec un nom unique
 Les sous-circuits (.SUBCKT) : le sous circuit permet de regrouper plusieurs
instances dans un corps de fichier commençant par .SUBCKT et se terminant
par (.ENDS). l’instantiation se fait avec le nom du sous-circuit précédé par « X »
 Pour la valeur du composant, il n’est pas nécessaire de préciser l’unité, elle est
connue par le programme ainsi : pour un condensateur Cx placé entre les nœuds
101 et 102 de valeur 1nF, les déclarations suivantes sont équivalentes :
 Cx 101 102 1nF  Cx 101 102 1N  Cx 101 102 1nH (H est une erreur négligée
par le logiciel)
12

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 Les facteurs d’échelle des valeurs des composants

Unité Symbole Multiple

Femto F 10-15
Pico P 10-12
Nano N 10-9
Micro U 10-6
Milli M 10-3
Kilo K 103
Méga Meg 106
Giga G 109
Téra T 1012

13

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 IV-LES COMPOSANTS DE LA SIMULATION
LES SOURCES D’ALIMENTATION ET D’EXCITATION

 Les sources indépendantes

 Source continue : source utilisée pour l’analyse continue (DC)

 Source de courant : Ixx N+ N- DC Valeur N+ N-

 Source de tension : Vxx N+ N- DC Valeur

N+ N-
V3 1 0 5

 Source alternative : source utilisée pour l’analyse fréquentielle (AC)

 Source de courant : Ixx N+ N- AC Amplitude Phase

 Source de tension : Vxx N+ N- AC Amplitude Phase

 Source combinée : source employée pour l’analyse continue et l’analyse alternative

 Source de courant : Ixx N+ N- AC Amplitude Phase DC Valeur

I1 4 5 AC 0.001 DC 1e-4
14
 Source de tension : Vxx N+ N- AC Amplitude Phase DC Valeur

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 LES SOURCES D’ALIMENTATION ET D’EXCITATION

 Signaux transitoire et périodiques : sources employées pour l’analyse

temporelle. Chaque source temporelle d’un circuit peut contenir simultanément
une information DC, AC, et temporelle (mais un seul type de fonction transitoire
par source)

 PWL : nuage de points, segments fonction du temps

PWL (T1, Val1) (T2, Val2) (T3, Val3) (T1, Val1)… (Tx, Valx) …
Tx : instant Tx
 Valx : valeur à l’instant Tx

Ixx N+ N- PWL(…)

Vxx N+ N- PWL(…)

V3 1 0 PWL(0,0) (10u, 5) (30u, 5) (60u, 2) (80u, 2)

15

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 LES SOURCES D’ALIMENTATION ET D’EXCITATION

 Exp : somme de deux exponentielles (une croissante et l’autre décroissante)

Exp(Val_Ini Val_Max T_Mont Tcst_Mont T_chute Tcst_chute)

Val_Ini : valeur initiale (courant ou tension)

Val_Max : valeur maximale atteinte
T_Mont : temps de début de front montant (0 par défaut)
Tcst_Mont : constante de temps du front montant (Tstep par défaut)
T_chute : temps de début de front descendant (Tstep + T_Mont par défaut)
Tcst_chute : constante de temps du front descendant (Tstep par défaut)

0 < t < T_Mont Val _ Ini


T_Mont < t < T_chute Val _ Ini  Val _ Max  Val _ Ini  1  e T _ Mont t / Tcst _ Mont 
t > T_chute   
Val _ Ini  Val _ Max  Val _ Ini  1  e T _ Mont t / Tcst _ Mont  Val _ Max  Val _ Ini  1  e T _ chute t / Tcst _ chute 
Ixx N+ N- Exp(…)
800mV

Vxx N+ N- Exp(…) 600mV

400mV

16
V1 1 0 EXP(0 1 5n 5n 10n 5n)
200mV

LSE2-2021-2022 0V
0s 5ns 10ns 15ns 20ns 25ns 30ns 35ns 40ns 45ns 50ns
V(2)
 LES SOURCES D’ALIMENTATION ET D’EXCITATION

PULSE : impulsion avec un niveau haut et un niveau bas, définis par

différents temps.
PULSE(Val_Init Val_Imp TR TM TD TLarg TPer)

Val_Init : valeur initiale

Val_Imp : valeur de l’impulsion
TR : retard de début d’impulsion (0 par défaut)
TM : temps de monté (toujours supérieur à 0, Tstep par défaut)
TD : temps de descente (toujours supérieur à 0, Tstep par défaut)
TLarg : largeur de l’impulsion (Tstop par défaut)
TPer : période (Tstop par défaut)

6.0V

4.0V
17
V 1 0 Pulse(0 5 1n 1n 1n 5n 8ns)
2.0V

LSE2-2021-2022 0V
0s
V(1)
1ns 2ns 3ns 4ns 5ns 6ns 7ns 8ns 9ns 10ns 11ns 12ns 13ns 14ns 15ns 16ns

Time
 LES SOURCES D’ALIMENTATION ET D’EXCITATION

 Sin : Sinusoïde d’amplitude constante ou amortie.

SIN(Offset Ampl Freq TR Fact_Amort Phase)
V  Offset  Ampl * expTR  t * Fact _ Amort * sin 2 * Freq * t  Phase 

Offset : valeur continue

Ampl : amplitude de la sinusoïde
Freq : fréquence du signal sinusoïdal (1/Tstep par défaut)
TR : temps de retard du début d’amortissement
Fact_Amort : facteur d’amortissement
Phase : déphasage initial (en degré)

V 1 0 sin(1 1 100Meg 2n 50meg 0)

2.0V

1.5V

1.0V

0.5V
18

0V
0s 10ns 20ns 30ns 40ns 50ns 60ns 70ns 80ns 90ns 100ns

LSE2-2021-2022 V(1)
Time
 LES SOURCES D’ALIMENTATION ET D’EXCITATION

 SFFM : Modulation de fréquence

SFFM(Offset Ampl Freq_Port Modulation Freq_signal)
V  Offset  Ampl * sin2 * Freq _ Port * t  Modulation * sin 2 * Freq _ signal * t 

Offset : valeur continue

Ampl : amplitude de la porteuse
Freq_Port : fréquence du signal porteur (1/Tstop par défaut)
Modulation : amplitude du signal modulant (0 par defaut)
Freq_signal : fréquence du signal modulant (1/Tstop par defaut)

V 1 0 SFFM(1 1 100Meg 2 30Meg)

19

LSE2-2021-2022
 LES SOURCES D’ALIMENTATION ET D’EXCITATION

 Les sources commandées

Le contrôle des sources peut être linéaire ou polynomial. Il existe 4 types de

sources commandées.
 E : source de tension commandée en tension
Exx N+ N- Ncom+ Ncom- ValGv

N+ et N- : les deux bornes de la source de tension

Ncom+ et Ncom- : les deux nœuds entre lesquels est prise la tension de commande
ValGv : gain en tension

Ecircuit 4 5 3 2 1e+6
source de tension entre les nœuds 4 et 5 commandée par la différence de potentiel entre
les nœuds 3 et 2 et de gain 106.

 F : source de courant commandée en courant

Fxx N+ N- VIcom ValGi

ValGi : gain en courant

VIcom : source de tension indépendante de valeur nulle intercalée dans la branche ou circule
le courant de commande : source ampèremètre.
20

LSE2-2021-2022
 LES SOURCES D’ALIMENTATION ET D’EXCITATION

 G : source de courant commandée en tension

Gxx N+ N- Ncom+ Ncom- ValGm

ValGm est une transconductance

 H : source de tension commandée en courant

Hxx N+ N- VIcom ValR

ValR est une transrésistance

21

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 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE
 Résistance : Rxx=Val
N+ N-
Rxx N+ N- Val

N+ et N- : Nœuds de connexion
Val : valeur de la résistance (positive ou négative mais jamais nulle)

 Capacité : N+ Cxx=Val N-
Cxx N+ N- Val
Cxx N+ N- Val IC=cond_Init

IC : différence de potentiel se trouvant entre les 2 bornes de la capacité en

début de simulation lors d’une analyse transitoire.

 Inductance :
N+ Lxx=Val N-
Lxx N+ N- Val
Lxx N+ N- Val IC=Cond_Init 22

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 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE
o Mutuelles inductances
K
i1 i2
Kxx L1 L2 Val_couplage
V1 L1 L2 V2

Val_couplage est comprise entre 0 et 1

o Lignes de transmission

Txx N1 N2 N3 N4 Z0=valeur (TD= ) (F= (NL= )) (IC=V1,I1,V2,I2)

Z0 : l'impédance caractéristique
TD : le temps de propagation
F : la fréquence
NL : la longueur normalisée (Nombre de longueur d'onde L/λ)
IC : la condition initiale éventuelle
23

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 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE
 Diode :

Dxx N+ N- Modèle N- N+
N+ = Anode
N- = Cathode
Modèle : modèle défini de la diode

• bibliothèque de composants, ici on doit appeler cette bibliothèque (par exemple) :

.lib eval.lib
• commande .model
.model Nom_modèle D paramètres
 Exemple 1 :

DN 1 2 Mod_DN
.model Mod_DN D IS=100p

 Exemple 2 :

D1 6 9 D1N4148
.Lib eval.lib 24

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 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE

Paramètres du modèle diode

Nom Paramètre Défaut Unité

IS Saturation current 1.0e-14 A

RS Ohmic resistance 0 
N Emission coefficient 1 -
TT Transit Time 0 s
CJO Zero-bias junction capacitance 0 F
VJ Junction potential 1 V
M Grading coefficient 0.5 -
EG Activation energy 1.11 eV
XTI Saturation-current temp.exp. 3.0 -
FC Coefficient for forward-bias depletion capacitance formula 0.5 -
BV Reverse breakdown voltage  V
IBV Current at breakdown voltage 1.0e-3 A
KF Flicker noise coefficient 0 -

25

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 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE
 Transistor bipolaire NC NC

Qxx NC NB NE Nom_modèle NB NB

NE
NC : Nœud du collecteur NE

NB : Nœud de la base
NE : Nœud de l’emetteur Modèle d'EBERS-MOLL
Nom_modèle : modèle défini

• Bibliothèque
.lib eval.lib
• commande .model
.model Nom_modèle PNP paramètres
.model Nom_modèle NPN paramètres
.model Nom_modèle LNPN paramètres

Pour les transistors bipolaires, SPICE utilise le modèle d'EBERS-MOLL ou de GUMMEL-POON(si le

paramètre ISE et/ou le paramètre IKF est précisé)
Modèle de GUMMEL-POON

 Exemple 1 :
Q1 2 3 4 Q2N2222A
.lib eval.lib 26
 Exemple 2 :
Q2 5 6 7 Nom_Mod
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.Model Nom_Mod NPN BF=100 VJE=0.8
 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE

Paramètres du modèle BJT (1)

Nom Paramètre Défaut Unité

IS Transport saturation current 1.0e-16 A

BF Ideal maximum forward beta 100 -
NF Forward current emission coefficient 1.0 -
VAF Forward early voltage  V
IKF Corner for forward beta high current roll-off  A
ISE B-E leakage saturation current 0 A
NE B-E leakage emission coefficient 1.5 -
BR Ideal maximum reverse beta 1 -
NR Reverse current emission coefficient 1 -
VAR Reverse early voltage  V
IKR Corner for reverse beta high current roll-off coefficient  A
ISC B-C leakage saturation current 0 A
NC B-C leakage emission coefficient 2 -
TF Ideal forward transient time 0 s
TR Ideal reverse transit time 0 s

27

LSE2-2021-2022
 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE

Paramètres du modèle BJT (2)

Nom Paramètre Défaut Unité

RB Zero bias base resistance 0 

IRB Current where base resistance falls halfway to its min value  A
RBM Minimum base resistance at high currents RB 
RE Emitter resistance 0 
RC Collector resistance 0 
CJE B-E zero-bias depletion capacitance 0 F
VJE B-E built_in potential 0.75 V
MJE B-E junction exponential factor 0.33 -
XTF Coefficient for bias dependence of TF 0 -
VTF Voltage describing VBC dependence of TF  V
ITF High current parameter for effect on TF 0 A
PTF Excess phase at freq=1/(TF*2)Hz 0 Deg
CJC B-C zero-bias depletion capacitance 0 F
VJC B-C built_in potential 0.75 V
MJC B-C junction exponential factor 0.33 -
XCJC Fraction of B-C depletion capacitance connected to internal base node 1 -
CJS Zero-bias collector-substrate capacitance 0 F
VJS Substrate junction built_in potential 0.75 V
MJS Substrate junction exponential factor 0 -
XTB Forward and reverse beta temperature exponent 0 -
EG Energy gap for temperature effect on IS 1.11 eV
XTI Temperature exponent for effect on IS 3 -
KF Flicker-noise coefficient 0 -
AF Flicker-noise exponent 1 - 28
FC Coefficient for forward-bias depletion capacitance formula 0.5 -

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 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE

 Transistor JFET : ( Schichman et Hodges)

ND ND

NG NG

NS NS
Jxx ND NG NS Nom_modèle

ND : nœud de drain
NG : nœud de grille
NS : nœud de source
Nom_modèle : défini dans une bibliothèque ou par la commande .model.
.model Nom_modèle NJF paramètres
.model Nom_modèle PJF paramètres

 Exemple :
J1 2 3 4 MODJ 29
.model MODJ NJF

LSE2-2021-2022
 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE

Paramètres du modèle JFET

Nom Paramètre Défaut Unité

B Doping profile parameter 1 -

BETA Transconductance parameter 1E-3 A/V2
DELTA Coefficient of thermal current reduction 0 1/w
IBD Breakdown current of diode junction 0 A
IS Gate junction saturation current 1E-14 A
LAMBDA Channel length modulation parameter 0 1/V
LFGAMMA Drain feedback parameter 0 1/V
MXI Saturation potential modulation 0 -
N Gate junction ideality factor 1 -
P Power law (triode region) 2 -
RD Drain ohmic resistance 0 
RS Source ohmic resistance 0 
VBD Breakdown potential of diode junction 1 V
VST Critical potential for sub-threshold conduction 0.025 V
VTO Threshold voltage -2.0 V
XI Velocity saturation index 1E+3 -
Z Exponent of velocity saturation formula 2 -
CGS Zero-bias G-S junction capacitance 0 F
CGD Zero-bias G-D junction capacitance 0 F
PB Gate junction potential 1 V
FC Coefficient for forward bias depletion capacitance formula 0.5 -
XC Amount of capacitance reduced at pinch-off (used when CMOD=2) 0 -
CMOD Select capacitance model to use (1=Berkeley JFET, 2=Statz model) 1 -
HFGAMMA High frequency drain feedback parameter 0 1/V
TAU Drain feedback relaxation time 0 s 30
TAUD Thermal relaxation time 0 s
KF Flicker noise coefficient 0 -
AF Flicker noise exponent 1 -
LSE2-2021-2022
 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE
ND

 Transistor MOS
NG NB

Mxx ND NG NS NB Nom_modèle [L=valL] [w=valw]

NS
ND : nœud de drain
NG : nœud de grille
NS : nœud de source
NB : nœud de substrat (Bulk)
L : longueur du canal du transistor
W : largeur du canal du transistor

.model Nom_modèle PMOS paramètres

.model Nom_modèle NMOS paramètres
 Plusieurs niveaux de modèles : LEVEL 1, 2, 3 et autres plus évolués. Ces niveaux utilisent
différents modèles de transistors.
 Le modèle du transistor de niveau 1 utilise la représentation de Shichmann et Hodges.

 A partir du niveau 3, les modèles sont semi-empiriques ou empiriques.

o Exemple
M1 5 3 2 0 ModM1 L=1u W=1u 31

.model ModM1 NMOS TOX=1.2e-8 KP=1e-5 CJ=0.4e-3

LSE2-2021-2022
 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE

Paramètres du modèle MOSFET niveaux 1,2, et 3 (1)

Nom Paramètre Défaut Unité

LEVEL Model index 1 -

VTO Zero-bias threshold voltage 0 V
KP Transconductance parameter 2E-5 A/V2
GAMMA Bulk threshold parameter 0 V0.5
PHI Surface potential 0.6 V
LAMBDA Channel-length modulation (MOS1 and MOS2 only) 0 V-1
CBD Zero-bias B-D junction capacitance 0 F
CBS Zero-bias B-S junction capacitance 0 F
TOX Oxide thickness 1.0E-7 m
NSUB Substrate doping 0 AT/cm3
NSS Surface state density 0 AT/cm2
NFS Fast surface state density 0 AT/cm2
TPG Type of gate material (+1 opposite to substrate, -1 same as substrate, 0 Al gate) 1.0 -
XJ Metallurgical junction depth 0 m
LD Lateral diffusion 0 m
UO Surface mobility 600 cm2/V/s
UCRIT Critical field for mobility degradation (MOS2 only) 1.0E4 V/cm
UEXP Critical field exponent in mobility degradation (MOS2 only) 0 -
UTRA Transverse field coefficient (mobility) (deleted for MOS2) 0 -
VMAX Maximum drift velocity of carriers 0 m/s
NEFF Total channel charge coefficient (fixed and mobile) coefficient (MOS2 only) 1 -
FC Coefficient for forward-bias depletion capacitance formula 0.5 -
THETA Mobility modulation (MOS3 only) 0 1/V
ETA Static feedback (MOS3 only) 0 - 32
KAPPA Saturation field factor (MOS3 only) 0.2 -
KF Flicker noise coefficient 0 -

LSE2-2021-2022
 LES COMPOSANTS ANALOGIQUES DE BASE

Paramètres du modèle MOSFET niveaux 1,2, et 3 (2)

Nom Paramètre Défaut Unité

RD Drain ohmic resistance 0 

RS Source ohmic resistance 0 
JS Bulk junction saturation current per sq-meter of junction area 0 Am-2
IS Bulk junction saturation current 1E-14 A
PB Bulk junction potential 0.8 V
CGSO G-S overlap capacitance per meter channel length 0 F/m
CGDO G-D overlap capacitance per meter channel length 0 F/m
CGBO G-B overlap capacitance per meter channel length 0 F/m
RSH Drain and source diffusion sheet resistance 0 /SQ
CJ Zero-bias bulk junction bottom capacitance per meter of junction area 0 F/m2
MJ Bulk junction bottom grading coefficient 0.5 -
MJSW Bulk junction sidewall grading coefficient 0.5(l(evel 1) -
0.33(level2,3)
CJSW Zero-bias bulk junction sidewall capacitance per meter of junction perimeter 0 F/m2

33

LSE2-2021-2022
 LES SOUS-CIRCUITS

 Quand une structure se répète plusieurs fois dans un circuit, et pour alléger le fichier d’entrée, on
associe les éléments de cette structure en un bloc appelé sous-circuit
 Syntaxe

.SUBCKT nom N1 N2 N3 … Nm
*Description des branches du sous-circuit
-
-
-
.ENDS nom

 Appel

Xref N11 N12 N13 … N1m nom

34

LSE2-2021-2022
 V- LA SIMULATION SOUS SPICE
SIMULATION EN RÉGIME CONTINU
 Dans un même fichier d’entrée, on peut définir simultanément différentes analyses
 .OP : analyse du point de fonctionnement

(commande ne nécessite aucun argument)

 .DC : analyse avec balayage en continu

(commande permet de simuler la variation continue d’un paramètre du circuit et d’en mesurer les
conséquences)
.DC Loi_var Var Valdebut ValFin Pas
.DC Loi_var Var Valdebut ValFin Nb_points
.DC Var List Val1 Val2 … Valm

Loi_var : mode de variation du paramètre (LIN, DEC, OCT)

Var : nom du paramètre à varier
Valdebut : valeur initiale du paramètre
ValFin : valeur finale du paramètre
Pas : pas de variation
Nb_points : nombre de points simulés entre ValDebut et ValFin
LIST : suite de valeurs prises successivement par le paramètre.
 Exemple :
.DC Vcc 10 15 1
35
.DC TEMP LIST 0 10 20 30 40
≡ .TEMP LIST 0 10 20 30 40

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 SIMULATION DANS LE DOMAINE FRÉQUENTIEL

 Simulation sur un schéma équivalent petit signal du circuit (schéma équivalent autours du
point de repos)
 Les sources non alternatives sont ignorées
 Il faut vérifier que le circuit se trouve dans une zone de linéarité du montage par une analyse
temporelle sinon les résultats seront erronés
 Syntaxe
.AC Loi_Var NbPoints Freq_Debut FreqFin
Loi_Var : loi de variation du paramètre (LIN, DEC, OCT)
NbPoints : nombre de points par unité de variation
Freq_Debut : fréquence de début d’analyse
FreqFin : fréquence de fin d’analyse

 Exemples
.AC DEC 100 1 1Meg
.AC LIN 100 100 10K

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 SIMULATION TEMPORELLE

 Cette simulation permet d’observer les variations d’un signal en fonction du

temps
 syntaxe
.TRAN Pas_Max Durée_Ana
.TRAN Pas_Max Durée_Ana Delai
.TRAN Pas_Max Durée_Ana Delai Pas_Ana

Pas_Max : pas de génération des résultats (.print, .plot)

Durée_Ana : dimension de la fenêtre de simulation
Delai : délai de début d’analyse
Pas_Ana : le pas d’analyse

 Exemples
.TRAN 1n 100n

.TRAN 1n 100n 10ns

(Même simulation avec un retard de 10ns du début de stockage des résultats
de simulation)
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 SIMULATIONS COMPLÉMENTAIRES
 Les conditions initiales
 Cette simulation permet d’imposer une valeur de potentiel à un nœud en début de simulation
 Syntaxe
.IC V(Nœuds)=Valeur
 Exemples
.IC V(5,6)=1
.IC V(4)=5

 Les Simulations multiples

 Il s’agit d’effectuer plusieurs fois la même simulation en faisant varier la valeur d’un paramètre ou d’une
variable (température, tension d’un nœud, un paramètre du modèle)
 syntaxe
.STEP Loivar Var ValDebut ValFin Pas
.STEP Loivar Var ValDebut ValFin Nb_Pt
.STEP Var LIST Valeurs

Loivar : loi de variation

Var : variable
ValDebut : valeur de début de la variable
ValFin : valeur de fin de la variable
Pas : pas de simulation
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Nb_t : nombre des points de simulation
Valeurs : valeurs prises successivement par la variable

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 SIMULATIONS COMPLÉMENTAIRES

 L’utilisation des variables n’est permise qu’après leur définition à l’aide de la commande .PARAM
 Les variables sont utilisées entre accolades
 syntaxe
.PARAM Var Valeur
.STEP PARAM Var LoiVar

Valeur : valeur initiale de la variable

 Il existe deux variables internes au système :
 TEMP : température définie par la commande .TEMP et qui est par défaut 27°C.

 TIME : temps lors d’une analyse transitoire (.TRAN)

 Exemple
.PARAM Rcharge 2K
.STEP PARAM Rcharge LIST 20 60 200 1.2K
Rc 7 0 {Rcharge}

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 VI- L’AFFICHAGE DES RÉSULTATS
SYNTAXE DES EXPRESSIONS DE SORTIE

 Les résultats peuvent se présenter sous différentes formes

 Par tableau de valeurs : .PRINT
 Par tracé de courbes : .PLOT
 Les résultats de ces deux commandes est dirigé vers le fichier de sortie (.out). Le tracé des courbes se
fait avec des caractères ASCII semi graphiques dans le fichier de sortie.
 Par visualisation à l’écran : .PROBE
 Le résultat est dirigé vers le fichier de sortie au format binaire (.dat)

 Les commandes (.Print), (.Plot), et (.Probe) ne sont valables que s’il existe au moins une
commande d’analyse .AC, .DC, ou .TRAN
 Les commandes de sortie (.Print et .Plot) sont impérativement liées au type de l’analyse (.AC,
.DC, ou .TRAN)
 la commande .PROBE est générale à tous les types de simulation effectués
 Les expressions des signaux à visualiser dépendent de la nature, tension ou courant, du signal
 Pour une tension, l’appel se fait avec la lettre clé V qui peut être suivie par une modification
algébrique ou d’une référence au nom d’une broche d’un composant.
 Syntaxe
V[Nœud]
Vexp[Nœud]
Vexp[Nœud1 – Noeud2]
Vtype(composant) 40
(exp représente une opérante mathématique modifiant la représentation du signal)

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 SYNTAXE DES EXPRESSIONS DE SORTIE
 Pour un courant, la lettre clé est I. Le sens positif du courant est fixé arbitrairement
par le courant circulant de la broche + à la broche – d’un dipôle
 Syntaxe
I(composant traversé)
Iexp(composant traversé)

 Pour un signal logique, la lettre clé utilisé est D

 Syntaxe
D(Nœud logique)
 Exemples

 VDB(Vout) : affichage en décibel de Vout

 VC(Q1) : tension absolue du collecteur de Q1
 I(R3) : courant qui traverse R3
 D(CLK) : affichage du nœud logique CLK

 Exemples de résultats

.DC V2 0 3 0.1
.PRINT DC V(Vout) I(R1) I(R2) 41
.PLOT DC V(Vout) I(R2)

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 MODIFICATEURS DES EXPRESSIONS DE SORTIE

Modificateur Description
M Valeur absolue (magnitude) de x

P Phase de x

R, I Parties réelle et imaginaire de x

DB Valeur de 20logx

 Les modificateurs sont aussi utilisables sous probe ou couplés avec des macro-fonctions, ils permettent une
grande variété de traitements mathématiques sur les donnée à afficher .

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 VII- EXEMPLE DE SIMULATION
CIRCUIT RLC SÉRIE

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