LES MEMOIRES

Mémoire
vive

Mémoire
morte

Mémoire
cache
 RAM
 Espace temporaire de stockage

 Se décharge quand elle n’est plus

alimentée

 Composé de 2 éléments :
 Modules
 Puces
 Les modules RAM
Ce sont des supports qui accueillent des puces
mémoires.

 SIMM : Single In-line Memory Module

 SO-SIMM : Small Out-Line SIMM
 DIMM : Dual In-line Memory Module
 SO-DIMM : Small Out-line DIMM
 RIMM : Rambus In-line Memory Module
 SO-RIMM : Small Out-line RIMM
 Barrette SIMM
 Apparut au début des années 80.

 Support spécialisés pour la RAM de manière

généralisé.

 Caractéristique : contacts électriques que d’un seul

côté de la mini carte, ils sont liés électriquement à
leurs homologues d’en face.
 Barrette DIMM

 Ces modules ont succédés au SIMM.

 Il y a 168 contacts où passent le bus de données de

64 bits, le bus d’adresse, le bus de commande, le
signal d’horloge et l’alimentation de la RAM.
 Barrette RIMM
 Fabriqué par la société Rambus

 184 contacts
 Bus de données de 16 bits
 Vitesse de transfert élevée
 Film d’aluminium pour dissiper la chaleur
Puces RAM
 ROM

 Contient les éléments nécessaires au

démarrage

 Temps d’accès plus élevé que la RAM

 Shadowing
 Mémoire Cache

 Méthode d’adressage :
 Set libre
 Aléatoire
 FIFO
 LRU
 Mémoires mortes

 ROM : Read Only Memory

 PROM : Programmable ROM

 EPROM : Erasable Programmable ROM

 EEPROM : Electrically Erasable Programmable ROM

 NVRAM : RAM non volatile

 Mémoires vives

 DIP : DualIn-line Package

 DRAM : Dynamique Ramdom Access Memory
 S-RAM : Static RAM
 SD-RAM : Synchronious Dynamique RAM
 DDR-RAM : Dual Data Rate RAM
 RDRAM : Rambus DRAM
 DIP

 Puce (circuit intégré) directement implanté à la

carte mére, sur deux rangée de pattes.

 Défaults : Fragile et sensible à l’électricité statique.

 Précurceur de la mémoire sur barettes ou RAM.

 DRAM
Créé en 1967 par INTEL pour le microprocesseur 4004

 DRAM PM : Paged Mode

 DRAM FPM : Fast Paged Mode
 DRAM EDO : Extended Out Data
 DRAM-PM
 Organisée en matrice.

 Il y a autant de condensateur que de bit à stocker ;

dans lesquels sont mémoriser les données
logiques sous formes de petites charges
électriques : mémoires dynamique.

 Utiliser par les premiers ordinateurs personnels.

 DRAM-FPM

 Utiliser sur Mac, sont cycle d’horloge est inférieure

à la DRAM-PM.

 Indépendance avec le cycle d’horloge de la carte

mère.
 DRAM EDO

 Utiliser d’abord sur les PC puis sur les MAC.

 Elle permet de lire les données durant la période de

rafraîchissement, ce qui diminue le temps d’accès.
 S-RAM

 Cette mémoire utilise des bascules comme points

de mémoires.

 Utilisées comme mémoire vive principale dans les

premiers Apple portables, car elle consomme
moins d’énergie.
 SD-RAM

 Utiliser avec au maximum une fréquence de 150

Mhz, et une capacité de 512 Mo.

 Synchronisé avec le bus de la carte mère, elle

permet d’éviter les longs cycles d’attentes.
 DDR-RAM

 Fréquence pouvant atteindre 200 Mhz.

 Module extensible jusqu’à 1 Go

 La plus vendue actuellement, excellent rapport

qualité/prix.
 RDRAM

 Innovation de la société RAMBUS.

 Pouvant atteindre jusqu’à 800 Mhz de Fréquence,

et 512 Mo de capacité.
 Mémoires graphiques

WRAM (abandonnée)

VRAM (la plus utilisée actuellement)

SGRAM
EDO (abandonnée)
SDRAM
DDRAM
 Autres mémoires
 ESDRAM (Enhanced SDRAM)

 FCRAM (Fast cycle RAM)

 SLDRAM (Synclink DRAM)

 VCM (Virtual Channel memory)

 Mémoire Flash
 Caractéristiques
 Contrôleur mémoire

 MMU (Memory Management Unit)

 Parité

 ECC

 La mémoire Buffered

 La mémoire Registred
RECAPITUALITIF
 CONCLUSION

 Évolution rapide des capacités et des

performances en 20 ans

 DDR II : nouvelle génération de PC et

serveurs
 2X la bande passante de la DDR standard