Travaux dirigs - SupCom - InDp2

LED-Laser-Photodiode

1. Une photodiode est ralise avec un semi-conducteur de bande interdite Eg=0.95eV. Quelle
longueur donde peut elle dtecter ?
2. Quel est le matriau le plus utilis pour les photodtecteurs oprant dans la fentre autour de
1.5m (Silicium, Germanium, GaAs, InGaAs, tous les matriaux prcdents)
3. Expliquer pourquoi la sensibilit spectrale dune photodiode possde deux longueurs donde de
coupure.
4. Expliquer pourquoi une diode mettrice (laser ou lectroluminescente) ncessite une
polarisation directe alors que pour une photodiode, la polarisation est inverse.
5. Quappelle-t-on courant de seuil dans les lasers semi conducteur.
6. Dfinir les conditions pour quun milieu soit amplificateur de rayonnement optique.
7. Peut-on avoir de lmission stimule sans la cavit rsonnante. Justifier votre rponse.
8. Comparer les caractristiques des diodes laser DFB et celles du type Fabry-Prot.

Exercice Diode Laser
Une diode laser du type Fabry-Prot met un certain nombre de modes longitudinaux une longueur
donde centrale =1550 nm. La cavit, de longueur L=500 m, est en InGaAsP dindice de rfraction
n=3.5.
2.1. Dterminer le nombre de modes longitudinaux de la cavit ainsi que lcart entre deux modes
longitudinaux adjacents en fonction de n, L et .
2.2. Calculer son efficacit quantique externe
ext
sachant quen rgime laser, il possde une pente
S=0.08 mW/mA avec S=(E
photon
/e).
ext
et e= 1.6 .10
-19
C
Exercice DEL :
Une diode lectroluminescente en Al
x
Ga
1-x
As, utilise comme un metteur dans un rseau local,
prsente le spectre dmission montr par la figure 1. Elle est conue pour avoir un pic dmission 820
nm 25C.

Spectre dmission de la DEL diffrentes tempratures
1. Dterminer la largeur spectrale de cette diode -40C, 25C et 85C? En dduire la relation
entre et T?
2. Pourquoi le pic dmission de la DEL augmente avec la temprature ?
3. Dterminer lnergie de gap de cette DEL tudie ?
4. Lnergie de gap
g
E du Al
x
Ga
1-x
As dpend de lexpression suivante :
( )
2
1,424 1,266 0,266
g
E eV x x = + +
Quelle est dans ce cas la fraction molaire x utilise ?
5. On polarise la LED avec une tension de 1,5V et un courant dalimentation de 40mA. On
rcupre une puissance couple dans la fibre de lordre de 120 W. Calculer le rendement de
cette DEL?
Exercice Photodiode:
Il sagit de spcifier certains paramtres pour le choix dune photodiode PIN qui sera utilise dans les
conditions suivantes :
- Longueur donde du signal dtecter varie entre 1.3 m et 1.6 m
- clairement (intensit) du signal : 50 W/m
2


Matriau E
g
(eV)
GaAs 1.42
InP 1.35
Si 1.12
In
0.7
Ga
0.3
As
0.64
P
0.36
0.89
In
0.53
Ga
0.47
As 0.75
Ge 0.66
Tableau 1 : Proprits de matriaux semi-conducteurs T=300 K

Coefficient dabsorption de matriaux semi-conducteurs
1. Parmi les matriaux disponibles (tableau 1 et figure 2) lequel choisirez-vous et pourquoi ?
2. La photodiode doit absorber 99% des photons qui pntrent dans sa couche intrinsque (i) sur
la plage de longueur donde du signal. Quelle doit donc tre lpaisseur de la couche intrinsque
(i) sachant que la puissance transmise dans le matriau sur une tranche dpaisseur dz vaut
( )
( )z
tr incident
dP z P e dz

= ?
3. On dsire que lefficacit quantique de la photodiode soit de 95% et quelle produise un
photocourant moyen de 1 A.
i) Quelle devra tre la responsivit (sensibilit spectrale) minimale de la photodiode ?
ii) Quelle devra tre la surface minimale de la photodiode ?

Constantes :
23
1,3807.10
B
k

= J/K (Constante de Boltzmann)
34
6,6261.10 h

= J s (Constante de Planck)
8
3.10 c = m/s (Vitesse de la lumire dans le vide)
19
1,60218.10 e

= C (Charge de l'lectron)