Diodes Cours - Projection - MASSON PDF

Pascal MASSON Les diodes
Les diodes
cole Polytechnique Universitaire de Nice Sophia cole Polytechnique Universitaire de Nice Sophia- -Antipolis Antipolis
Cycle Initial Polytechnique Cycle Initial Polytechnique
1645 route des Lucioles, 06410 BIOT 1645 route des Lucioles, 06410 BIOT
Pascal MASSON
(pascal.masson@unice.fr)
Sommaire
I. Historique
II. La diode PN : caractristique
III. La diode PN : applications
IV. La diode PN : modlisation
VI. Effet photolectrique : absorption
V. La diode Zener
VII. Effet photolectrique : mission
I.1. Dfinition
I. Historique
La diode est un lment qui ne laisse passer le courant que dans un sens
La diode semi-conducteur prsente aussi des proprits photolectriques
1903 1950 1956 1990 1901
LED Solaire Photosensible Laser OLED
I.2. Histoire de la diode semi-conducteur
I. Historique
1874 : effet dcouvert sur de la galne par Ferdinand BRAUN (24 ans).
1956
1901
1901 : dpt dun brevet par Jagadis
Chandra BOSE pour lutilisation de la
galne avec contact mtallique comme
dtecteur dondes lectromagntiques.
1940 : dcouverte de la diode PN par
Russell OHL.
Remarque : le transistor bipolaire a t
dcouvert en 1948 par William SHOCKLEY.
I.3. Histoire de la diode tube
I. Historique
1879 : invention de la lampe par thomas EDISON.
1873 : dcouvert de leffet thermoonique par Frederick
GUTHRIE. Cet effet est redcouvert par Thomas EDISON
en 1880 (puis brevet en 1883).
1903 1950
1879
1904 : John Ambrose FLEMING
brevette la diode vide.
I. Historique
Fonctionnement
vide
filament
I. Historique
Fonctionnement
vide
filament
I. Historique
Fonctionnement
vide
filament
I. Historique
Fonctionnement
vide
filament
I. Historique
Fonctionnement
vide
filament
I
I
I. Historique
Fonctionnement
vide
filament
I = 0
I = 0
II.1. Dfinition de la jonction PN
Une jonction P-N est cre en juxtaposant un semi-conducteur dop N (les
lectrons sont majoritaires) avec un semi-conducteur dop P (les trous sont
majoritaires).
II.2. Reprsentation
cathode
anode
V
D
I
D
P
N
anneau de
reprage
E
G
V
R
V
D
R
I
D
II.3. Caractristique idale
On applique une rampe de
tension au circuit compos
dune diode et dune
rsistance (R = 1000 ).
E
G
(V)
t
0
1
1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
E
G
= V
D
+ V
R
E
G
V
R
V
D
R
I
D
dune diode et dune
E
G
(V)
t
0
1
1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
E
G
= V
D
+ V
R
E
G
V
R
V
D
R
I
D
dune diode et dune
E
G
(V)
t
0
1
1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
E
G
= V
D
+ V
R
E
G
V
R
V
D
R
I
D
dune diode et dune
E
G
(V)
t
0
1
1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
E
G
= V
D
+ V
R
E
G
V
R
V
D
R
I
D
dune diode et dune
E
G
(V)
t
0
1
1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
E
G
= V
D
+ V
R
E
G
V
R
V
D
R
I
D
dune diode et dune
E
G
(V)
t
0
1
1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
E
G
= V
D
+ V
R
E
G
V
R
V
D
R
I
D
dune diode et dune
E
G
(V)
t
0
1
1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
E
G
= V
D
+ V
R
E
G
V
R
V
D
R
I
D
dune diode et dune
V
D
(V) 0 1 1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
I
D
(mA)
1
1
E
G
= V
D
+ V
R
E
G
V
R
V
D
R
I
D
dune diode et dune
V
D
(V) 0 1 1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
I
D
(mA)
1
1
inverse
E
G
= V
D
+ V
R
E
G
V
R
V
D
R
I
D
dune diode et dune
V
D
(V) 0 1 1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
I
D
(mA)
1
inverse directe
1
E
G
= V
D
+ V
R
II.4. Caractristique relle
V
D
(V) 0 1 1
I
D
(mA)
1
inverse directe
1
Existence dune tension de seuil, V
S
, dont la valeur dpend du semi-
conducteur utilis et de ses dopages.
V
D
(V) 0 1 1
I
D
(mA)
1
1
inverse directe
V
S
S
Existence dune rsistance interne la diode, R
D
(en srie avec la diode
idale).
V
D
(V) 0 1 1
I
D
(mA)
1
1
inverse directe
V
S
S
D
idale).
Existence dun phnomne davalanche en inverse qui conduit la
destruction de la diode.
V
D
(V) 0 1 1
I
D
(mA)
1
1
inverse directe
V
S
S
D
idale).
Existence dun phnomne davalanche en inverse qui conduit la
destruction de la diode.
V
D
(V) 0 1 1
I
D
(mA)
1
1
inverse directe
V
S
V
D
(V) 0 1 1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
I
D
(mA)
1
1
E
G
V
R
V
D
R
I
D
inverse directe
E
G
= V
D
+ V
R
V
D
(V) 0 1 1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
I
D
(mA)
1
1
E
G
V
R
V
D
R
I
D
inverse directe
V
S
V
S
Tension de seuil.
E
G
= V
D
+ V
R
V
D
(V) 0 1 1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
I
D
(mA)
1
1
E
G
V
R
V
D
R
I
D
inverse directe
V
S
V
S
Tension de seuil.
E
G
= V
D
+ V
R
V
D
(V) 0 1 1
t
0
1
1
V
D
(V)
t
0
1
I
D
(mA)
I
D
(mA)
1
1
E
G
V
R
V
D
R
I
D
inverse directe
V
S
V
S
Tension de seuil.
Rsistance srie, R
D
.
E
G
= V
D
+ V
R
III. La diode PN : application
III.1. Redressement mono alternance
Transformation dune tension alternative en provenance dEDF (par
exemple) en tension continue.
t 0
V
R
(V)
t 0
E
G
(V)
E
G
EDF
V
R
t
r
a
n
s
f
o
r
m
a
t
e
u
r
t 0
V
Q
(V)
quadriple systme
tl, HiFi, PC,
portable
R
L
reprsente la rsistance dentre
du systme que lon alimente.
E
G
(V)
t
0
t
0
V
D
(V)
t
0
V
R
(V)
V
S
V
S
Rcupration de lalternance positive
E
G
V
R
V
D
R
L
I
D
systme
E
G
(V)
t
0
t
0
V
D
(V)
t
0
V
R
(V)
V
S
V
S
R
L
E
G
V
R
V
D
R
L
I
D
systme
E
G
(V)
t
0
t
0
V
D
(V)
t
0
V
R
(V)
V
S
V
S
R
L
E
G
V
R
V
D
R
L
I
D
systme
E
G
(V)
t
0
t
0
V
D
(V)
t
0
V
R
(V)
V
S
V
S
R
L
La diode ne laisse passer que
lalternance positive du signal E
G
.
E
G
V
R
V
D
R
L
I
D
systme
E
G
(V)
t
0
t
0
V
D
(V)
t
0
V
R
(V)
V
S
V
S
R
L
La diode ne laisse passer que
lalternance positive du signal E
G
.
E
G
V
R
V
D
R
L
I
D
systme
R
L
Transformation en tension continue
E
G
V
R
V
D
R
L
I
D
systme
C
Ajout dune capacit en parallle avec
lentre du systme.
t
0
V
R
(V)
t
0
V
R
(V)
R
L
E
G
V
R
V
D
R
L
I
D
systme
C
lentre du systme.
t
0
V
R
(V)
R
L
E
G
V
R
V
D
R
L
I
D
systme
C
lentre du systme.
R
L
E
G
V
R
V
D
R
L
I
D
systme
C
lentre du systme.
t
0
V
R
(V)
ondulation
III.2. Redressement double alternance
Un rcupre lalternance ngative et donc son nergie.
t 0
V
R
(V)
t 0
E
G
(V)
E
G
EDF
V
R
t
r
a
n
s
f
o
r
m
a
t
e
u
r
t 0
V
Q
(V)
quadriple systme
tl, HiFi, PC,
portable
Un rcupre lalternance ngative et donc son nergie.
t 0
V
R
(V)
t 0
E
G
(V)
E
G
EDF
V
R
t
r
a
n
s
f
o
r
m
a
t
e
u
r
t 0
V
Q
(V)
quadriple systme
tl, HiFi, PC,
portable
E
G
(V)
t
0
Alternance positive
E
G
V
R
R
L
I
D
systme
C
V
D
t
0
V
R
(V)
2V
S
E
G
(V)
t
0
Alternance positive
E
G
V
R
R
L
I
D
systme
C
V
D
t
0
V
R
(V)
2V
S
E
G
(V)
t
0
Alternance positive
E
G
V
R
R
L
I
D
systme
C
V
D
t
0
V
R
(V)
2V
S
Alternance ngative
E
G
(V)
t
0
Alternance positive
E
G
V
R
R
L
I
D
systme
C
V
D
t
0
V
R
(V)
2V
S
Alternance ngative
ondulation
Exemples de pont de diodes
1,5 A - 80 V 1,5 A - 1000 V
1 A - 80 V
5 A - 100 V
35 A - 200 V
50 A - 600 V
Alimentation train lectrique
Alimentation dcoupage
III.3. Pompe de charges
Les cartes puces, tiquettes lectroniques, des lecteurs MP3, tlphones
portables, appareils photos et dune manire gnrale les circuits intgrs
monts sur des supports portables embarquent des mmoires EEPROM et
Flash.
Ces mmoires permettent de stocker des donnes (code, photos, mots de
passe) de faon permanente.
La programmation ncessite des
tensions typiquement de l'ordre de 15
20 V alors que la tension d'alimentation
d'un circuit intgr n'est que de l'ordre
de 3 5 V.
Il faut donc intgr des survolteurs qui
dans ce cas seront des pompes de
charges.
Flash
EEPROM
pompe
Le doubleur de tension
V
R
C
2
E
G
D
1
D
2
V
A
V
DD
C
1
On suppose : V
S
= 0 et C
1
= C
2
Etat initial : C
1
et C
2
dcharges
t
0
V
R
(V)
E
G
(V)
t
0
V
DD
t
0
V
A
(V)
2 V
DD
2 V
DD
V
DD
V
DD
V
R
C
2
E
G
D
1
D
2
V
A
V
DD
C
1
On suppose : V
S
= 0 et C
1
= C
2
Etat initial : C
1
et C
2
dcharges
t
0
V
R
(V)
E
G
(V)
t
0
V
DD
t
0
V
A
(V)
2 V
DD
2 V
DD
V
DD
V
DD
V
R
C
2
E
G
D
1
D
2
V
A
V
DD
C
1
On suppose : V
S
= 0 et C
1
= C
2
Etat initial : C
1
et C
2
dcharges
t
0
V
R
(V)
E
G
(V)
t
0
V
DD
t
0
V
A
(V)
2 V
DD
2 V
DD
1,5 V
DD
1,5 V
DD
V
R
C
2
E
G
D
1
D
2
V
A
V
DD
C
1
On suppose : V
S
= 0 et C
1
= C
2
Etat initial : C
1
et C
2
dcharges
t
0
V
R
(V)
E
G
(V)
t
0
V
DD
t
0
V
A
(V)
2 V
DD
2 V
DD
V
DD
1,5 V
DD
1,5 V
DD
V
R
C
2
E
G
D
1
D
2
V
A
V
DD
C
1
On suppose : V
S
= 0 et C
1
= C
2
Etat initial : C
1
et C
2
dcharges
t
0
V
R
(V)
E
G
(V)
t
0
V
DD
t
0
V
A
(V)
2 V
DD
2 V
DD
V
DD
1,75 V
DD
1,75 V
DD
V
R
C
2
E
G
D
1
D
2
V
A
V
DD
C
1
On suppose : V
S
= 0 et C
1
= C
2
Etat initial : C
1
et C
2
dcharges
La tension V
R
tend vers V
DD
t
0
V
R
(V)
E
G
(V)
t
0
V
DD
t
0
V
A
(V)
2 V
DD
2 V
DD
III.4. Rcepteur radio
Une porteuse (sinusode une certaine frquence) et module en amplitude
par le signal information (morse, musique)
Modulation damplitude
i
n
f
o
r
m
a
t
i
o
n
(
V
)
t
0
P
o
r
t
e
u
s
e
(
V
)
t
0
m
i
s
s
i
o
n
(
V
)
t
0
F
A
porteuse
F
P
0
i
n
f
o
r
m
a
t
i
o
n
(
V
)
t
0
P
o
r
t
e
u
s
e
(
V
)
t
0
m
i
s
s
i
o
n
(
V
)
t
0
F
A
porteuse
signal
F
P
0
i
n
f
o
r
m
a
t
i
o
n
(
V
)
t
0
P
o
r
t
e
u
s
e
(
V
)
t
0
m
i
s
s
i
o
n
(
V
)
t
0
F
A
porteuse
signal
F
P
0
porteuse
signal
F
P
porteuse
signal
F
P2
i
n
f
o
r
m
a
t
i
o
n
(
V
)
t
0
P
o
r
t
e
u
s
e
(
V
)
t
0
m
i
s
s
i
o
n
(
V
)
t
0
F
A
0
Modulation damplitude (AM)
i
n
f
o
r
m
a
t
i
o
n
(
V
)
t
0
P
o
r
t
e
u
s
e
(
V
)
t
0
m
i
s
s
i
o
n
(
V
)
t
0
Dmodulation damplitude
r
c
e
p
t
i
o
n
(
V
)
t
0
F
i
l
t
r
a
g
e
(
V
)
t
0
D
t
e
c
t
i
o
n
(
V
)
t
0
Le poste Galne
V
e
F
P
F
P2
F
A
0
t
V
e
0
terre
porteuse F
P
couteur
Rcepteur radio qui ne ncessite pas
dalimentation.
antenne
terre
Le poste Galne
V
e
F
P
F
P2
F
A
0
t
V
e
0
porteuse F
P2
couteur
dalimentation.
Lantenne reoit toutes les frquences.
antenne
terre
Le poste Galne
V
e
F
P
F
P2
F
A
0
t
V
e
0
porteuse F
P2
couteur
dalimentation.
antenne
terre
Le poste Galne
V
e
F
P
F
P2
F
A
0
t
V
e
0
C L
porteuse F
P
couteur
dalimentation.
Circuit bouchon : slection de la porteuse.
antenne
terre
Le poste Galne
V
e
F
P
F
P2
F
A
0
t
V
e
0
porteuse F
P2
C L
couteur
dalimentation.
antenne
terre
Le poste Galne
V
e
F
P
F
P2
F
A
0
t
V
e
0
porteuse F
P2
C L
couteur
dalimentation.
couteur de haute impdance (> 1 k).
antenne
terre
Le poste Galne
V
e
F
P
F
P2
F
A
0
t
V
e
0
porteuse F
P2
C L
couteur
dalimentation.
antenne
terre
Le poste Galne
V
e
F
P
F
P2
F
A
0
t
V
e
0
porteuse F
P2
C L
couteur
dalimentation.
Diode de type Galne (diode Schottky)
faible seuil.
antenne
terre
Le poste Galne
V
e
F
P
F
P2
F
A
0
t
V
e
0
porteuse F
P2
C L
dalimentation.
faible seuil.
Lcouteur est aussi un filtre passe-bas.
couteur
C
E
antenne
antenne
terre
Le poste Galne
V
e
C L
dalimentation.
faible seuil.
Lcouteur est aussi un filtre passe-bas.
couteur
C
E
III.5. La logique diode
Exemple : la porte OU
Les circuits logiques constituent plus de 90 % des circuits intgrs que nous
utilisons au quotidien.
Bien quils soient raliss partir de transistors MOS (Mtal Oxyde
Semi-conducteur), on peut utiliser des diodes pour obtenir les fonctions de
base.
R
D
1
D
2
S
A
B
A B S
0 0
base.
R
D
1
D
2
S
A
B
A B S
0 0 0
base.
R
D
1
D
2
S
A
B
A B S
V
DD
0 0 0
0
base.
R
D
1
D
2
S
A
B
A B S
V
DD
0 0 0
0 V
DD
base.
R
D
1
D
2
S
A
B
A B S
V
DD
0 0 0
0 V
DD
V
DD
0
V
DD
V
DD
base.
R
D
1
D
2
S
A
B
A B S
V
DD
0 0 0
0 V
DD
V
DD
0 V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
En fait :
V
DD
V
S
base.
R
D
1
D
2
S
A
B
A B S
1
0 0 0
0 1
1 0 1
1 1 1
S = A + B
III.6. Double alimentation
Lorsque lalimentation est prsente, la LED est
alimente par le pont de diodes.
E
G
13 V
I
D
C
E
D
F
t
r
a
n
s
f
o
r
m
a
t
e
u
r
12 V
R
III.6. Double alimentation
Lorsque lalimentation est prsente, la LED est
alimente par le pont de diodes.
Si il y a une panne de secteur, cest laccumulateur (pile)
qui prend le relais.
E
G
13 V
I
D
C
E
D
F
t
r
a
n
s
f
o
r
m
a
t
e
u
r
12 V
R
III.7. Diode de protection
Pour protger un systme contre les inversions de polarit, il suffit de placer
une diode entre lalimentation et le systme.
Si lalimentation est bien raccorde, le systme fonctionne. Attention la
chute de tension due au seuil de la diode.
Protection contre une inversion de polarit
Pour protger un systme contre les inversions de polarit, il suffit de placer
une diode entre lalimentation et le systme.
Si lalimentation est bien raccorde, le systme fonctionne. Attention la
chute de tension du au seuil de la diode.
Si lalimentation est mal raccorde, la diode bloque le courant et le systme
nest pas dtruit.
Protection contre une inversion de polarit
Protection de circuits intgrs
Il faut prendre certaines prcautions pour manipuler
des circuits intgrs (CI).
Llectricit statique dtruit des transistors MOS.
Insertion dune diode (de grande dimension) sur les
plots dentre/sortie des CI.
Pad
Wafer
Pad Masse
P
N N
Dcharge lectrostatique durant un trs bref instant.
Pad
Wafer
Pad Masse
P
N N
Pad
Wafer
Pad Masse
P
N N
Pad
Wafer
Pad Masse
P
N N
Pad
Wafer
Pad Masse
P
N N
III.7. Diode de roue libre
La diode de roue libre sert vacuer lnergie emmagasine par une bobine.
On prend ici pour exemple la commande dun relais.
L
Commande dun relais
V
DD
A
relais
TMOS
L
Commande dun relais
V
DD
A
relais
TMOS
A = 0 V, le TMOS est un circuit ouvert.
0 V
L
Commande dun relais
V
DD
A
relais
TMOS
A = V
DD
, le TMOS est un circuit ferm :
V
DD
L
Commande dun relais
V
DD
A
relais
TMOS
A = V
DD
, le TMOS est un circuit ferm : un courant circule dans la bobine
do basculement du relais. La diode est bloque.
V
DD
I
L
Commande dun relais
V
DD
A
relais
TMOS
A = V
DD
A = 0 V,
I
0 V
L
Commande dun relais
V
DD
A
relais
TMOS
A = V
DD
A = 0 V, la diode devient passante pour vacuer lnergie de la bobine.
I
0 V
I
L
Commande dun relais
V
DD
A
relais
TMOS
A = V
DD
0 V
L
Commande dun relais
V
DD
A
relais
TMOS
A = V
DD
0 V
diode
bobine
Lexpression du courant ne fait intervenir
que deux paramtres :
V
D
0
I
D
inverse directe
V
S
( )
=
> =
S D D
S D S D
D
D
V V si 0 I
V V si V V
R
1
I
V
S
(V) : tension de seuil de la diode
R
D
() : rsistance srie de la diode
Expression du courant
IV.1. Approche rsistive
Dtermination de la rsistance srie
D
D
D
D
D
I
V
dI
dV
R
= =
V
D
0
I
D
V
S
I
D
V
D
IV.2. Approche classique
V
D
0
I
D
inverse directe
V
S
=
D
I
Il est frquent de modliser le courant
dune diode par cette quation :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
I
S
(A) : dpend des paramtres technologiques de la diode
q (C) : valeur absolue de la charge de llectron (1,610
19
C)
k (J.K
1
) : constante de Bolztmann (1,38110
23
J.K
1
)
T (K) : temprature (0C = 273,15 K)
Simplifications
Si V
D
>> q/kT :
V
D
0
I
D
inverse directe
V
S
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
I
S
19
C)
k (J.K
1
23
J.K
1
)
Simplifications
Si V
D
>> q/kT :
(
=
kT
qV
exp . I I
D
S D
Si V
D
< 0 :
=
D
I
V
D
0
I
D
inverse directe
V
S
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
I
S
19
C)
k (J.K
1
23
J.K
1
)
Simplifications
Si V
D
>> q/kT :
Si V
D
< 0 : S D
I I =
(
=
kT
qV
exp . I I
D
S D
IV.3. Modle physique
P N
Formation de la diode PN
charge fixe ngative charge fixe positive
trou (charge > 0) lectron (charge < 0)
NEUTRE NEUTRE
P N
P N
P N
P N

P N

P N
ZCE : la Zone de Charge dEspace correspond la zone dans laquelle il ny a

pas de porteurs libres (lectrons et trous)
ZCE zone neutre zone neutre
P N
Le champ lectrique interne de la diode correspond la tension V

b
dont la
valeur est trs proche de V
S
.
V
b
P N
V
D
I
D
V
b
V
b
P N
Fonctionnement idal de la diode PN
c
a
t
h
o
d
e
a
n
o
d
e
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <
V
D
0
V
D
0
I
D
V
S
V
S
lnI
D
V
D
P N
Fonctionnement idal de la diode PN : V
D
= 0
V
D
0
V
D
0
I
D
V
S
V
D
= 0
I
D
V
S
lnI
D
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <
Le champ lectrique interne quilibre les courants
de diffusion et de conduction
P N
D
= 0
V
D
0
V
D
0
I
D
V
S
V
D
= 0
I
D
V
S
lnI
D
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <
de diffusion et de conduction
diffusion
P N
V
D
0
I
D
V
S
lnI
D
V
D
0
I
D
V
S
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <
V
D
= 0
D
= 0
de diffusion et de conduction : I
D
= 0
diffusion
P N
V
D
0
I
D
V
S
lnI
D
V
D
0
I
D
V
S
de diffusion et de conduction : I
D
= 0
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <
V
D
= 0
D
= 0
conduction
diffusion
P N
V
D
> 0
I
D
V
D
0 V
S
V
D
> 0 : diminution de
lnI
D
V
D
0
I
D
V
S
D
> 0 (polarisation directe)
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <

P N
V
D
> 0
I
D
V
D
0 V
S
V
D
> 0 : diminution de
lnI
D
V
D
0
I
D
V
S
D
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <
P N
V
D
> 0
I
D
V
D
0 V
S
V
D
> 0 : diminution de
lnI
D
V
D
0
I
D
V
S
D
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <
diffusion
P N
V
D
> 0
I
D
V
D
0 V
S
V
D
> 0 : diminution de
lnI
D
V
D
0
I
D
V
S
D
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <
d
i
f
f
u
s
i
o
n
diffusion
d
iffu
s
io
n
V
D
> 0 V
D
0 V
S
V
D
> 0 : diminution de
lnI
D
diffusion
V
D
0
I
D
V
S
D
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <
P N
I
D
d
i
f
f
u
s
i
o
n
diffusion
d
iffu
s
io
n
I
D
> 0
V
D
< 0
D
< 0 (polarisation inverse)
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
V
D
< 0 : augmentation de
P N
I
D
V
D
0 V
S
lnI
D
diffusion
V
D
0
I
D
V
S
2 1 < <
P N
I
D
V
D
< 0
D
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
V
D
V
D
0 V
S
lnI
D
diffusion
V
D
0
I
D
V
S
2 1 < <
P N
I
D
V
D
< 0
D
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
V
D
Prsence de porteurs minoritaires dans les zones
neutres
V
D
0 V
S
lnI
D
diffusion
V
D
0
I
D
V
S
2 1 < <
P N
I
D
V
D
< 0
D
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
V
D
< 0 : diminution du
conduction
V
D
0 V
S
lnI
D
diffusion
V
D
0
I
D
V
S
2 1 < <
P N
I
D
V
D
0
lnI
D
V
S
lnI
S
diffusion
diffusion
V
D
0
I
D
V
S
V
D
< 0
D
Courant :
(
= 1
kT
qV
exp . I I
D
S D
2 1 < <
V
D
< 0 : diminution du
conduction
d
i
f
f
u
s
i
o
n
d
i
f
f
u
s
i
o
n
I
D
< 0 qui atteint la valeur I
S
trs faible
V
D
proche de V
s
: prise en compte de R
S
V
D
V
D
0 V
S
lnI
D
( )
(
= 1
kT
I . R V q
exp . I I
D S D
S D
2 1 < <
lnI
S
diffusion
forte injection
diffusion
V
D
0
I
D
V
S
Fonctionnement rel de la diode PN : V
D
>> 0 (forte injection)
P N
I
D
d
i
f
f
u
s
i
o
n
diffusion
d
iffu
s
io
n
c
o
n
d
u
c
t
i
o
n
c
o
n
d
u
c
t
io
n
forte injection
En inverse : courant de gnration (lectrons-trous)
dont lorigine est lagitation thermique du silicium ou
la prsence de photons
V
D
0 V
S
lnI
D
lnI
S
P N
V
D
I
D
diffusion
diffusion
( )
D GR
V , T , W f I =
V
D
0
I
D
V
S
D
< 0 (gnration)
V
D
0 V
S
lnI
D
lnI
S
P N
V
D
I
D
W
diffusion
diffusion
gnration
( )
D GR
V , T , W f I =
V
D
0
I
D
V
S
En inverse : courant de gnration (lectrons-trous)
dont lorigine est lagitation thermique du silicium ou
la prsence de photons
D
< 0 (gnration)
V
D
0 V
S
lnI
D
lnI
S
P N
V
D
I
D
diffusion
diffusion
gnration
recombinaison
V
D
0
I
D
V
S
En direct : courant de recombinaison (lectrons-
trous) dans la ZCE
D
> 0 (recombinaison)
( )
D GR
V , T , W f I =
V
D
0 V
S
lnI
D
lnI
S
diffusion
diffusion
gnration
recombinaison
P N
V
D
I
D
W
V
D
0
I
D
V
S
En inverse : phnomne davalanche dans la ZCE
qui conduit au claquage de la diode
D
<< 0 (avalanche)
( )
D Av
V , T , W f I =
V
D
0 V
S
lnI
D
lnI
S
diffusion
diffusion
gnration
recombinaison
P N
V
D
I
D
W
V
D
0
I
D
V
S
D
<< 0 (avalanche)
( )
D Av
V , T , W f I =
V
D
0 V
S
lnI
D
lnI
S
diffusion
diffusion
gnration
recombinaison
P N
V
D
I
D
W
V
D
0
I
D
V
S
D
<< 0 (avalanche)
( )
D Av
V , T , W f I =
V
D
0 V
S
lnI
D
lnI
S
diffusion
diffusion
gnration
recombinaison
P N
V
D
I
D
W
V
D
0
I
D
V
S
D
<< 0 (avalanche)
( )
D Av
V , T , W f I =
V
D
0 V
S
lnI
D
lnI
S
diffusion
diffusion
gnration
recombinaison
P N
V
D
I
D
W
avalanche
V
D
0
I
D
V
S
D
<< 0 (avalanche)
( )
D Av
V , T , W f I =
Fonctionnement rel de la diode PN
V
D
0
V
D
0
I
D
V
S
V
S
lnI
D
lnI
S
diffusion
diffusion
idale
diode idale
V
D
I
D
( )
(
= 1
kT
V q
exp . I I
D
S D
V
D
0
V
D
0
I
D
V
S
V
S
lnI
D
lnI
S
diffusion
forte injection
diffusion
idale
diode idale
+ R
S
V
D
R
S
I
D
( )
(
= 1
kT
I . R V q
exp . I I
D S D
S D
V
D
0
V
D
0
I
D
V
S
V
S
lnI
D
lnI
S
diffusion
forte injection
diffusion
gnration
recombinaison
idale
diode idale
+ R
S
+ gnration / recombinaison
V
D
R
S
I
D
I
GR
( )
GR
D S D
S D
I 1
kT
I . R V q
exp . I I +
(
=
( )
Av GR
D S D
S D
I I 1
kT
I . R V q
exp . I I + +
(
=
avalanche
idale
diode idale
+ R
S
+ gnration / recombinaison
+ avalanche
V
D
0
V
D
0
I
D
V
S
V
S
lnI
D
lnI
S
diffusion
forte injection
diffusion
V
D
R
S
I
D
gnration
recombinaison
I
GR
I
Av
IV.4. Comportement capacitif
Une variation V
D
implique une variation Q
P N
+ Q Q
Une variation V
D
P N
+ Q
V
D
> 0
Q
Q
Une variation V
D
P N
Q + Q
V
D
> 0
zone neutre ?
zone neutre ?
Une variation V
D
implique une variation Q : courant transitoire
P N
Q + Q
V
D
> 0
Une variation V
D
La diode a aussi un comportement capacitif :
P N
Q + Q
V
D
> 0
D
V
Q
C
=
Une variation V
D
La diode a aussi un comportement capacitif :
D
V
Q
C
=
idale
V
D
R
S
I
D
C
V
D
V
S
C
0
I
GR
I
Av
Cet effet capacitif est avantageusement utilise avec les diodes varicap
dans les circuits daccord des rcepteurs radios et des tlviseurs.
IV.5. La diode en commutation
P N
I
D
Initialement la diode est polarise en direct : V
D
> 0, I
D
> 0
Mouvement des lectrons et des trous
P N
I
D
D
> 0, I
D
> 0
On polarise brusquement la diode en inverse : V
D
< 0, I
D
< 0
P N
I
D
D
> 0, I
D
> 0
D
< 0, I
D
< 0
P N
I
D
D
> 0, I
D
> 0
D
< 0, I
D
< 0
Phase 1 : vacuation des lectrons (zone P) et des trous (zone N)
P N
I
D
D
> 0, I
D
> 0
D
< 0, I
D
< 0
P N
I
D
D
> 0, I
D
> 0
D
< 0, I
D
< 0
Phase 2 : largissement de la zone dserte
D
> 0, I
D
> 0
D
< 0, I
D
< 0
P N
I
D
D
> 0, I
D
> 0
t
0
V
D
t
0
I
D
t
1
t
1
t
0
V
D
t
0
I
D
t
1
t
1
D
> 0, I
D
> 0
D
< 0, I
D
< 0
t
0
V
D
t
0
I
D
t
1
t
1
D
> 0, I
D
> 0
D
< 0, I
D
< 0
Phase 1
t
0
V
D
t
0
I
D
t
1
t
1
D
> 0, I
D
> 0
D
< 0, I
D
< 0
Phase 1 Phase 2
t
0
V
D
t
0
I
D
t
1
t
1
D
> 0, I
D
> 0
D
< 0, I
D
< 0
Phase 1 Phase 2
Si la frquence de commutation de V
D
est trop leve alors
la diode est toujours passante !!!!!
V.1. Dfinition de la zener
V. La diode zener
Une diode zener est une jonction P-N dont la fabrication permet son
utilisation en rgime davalanche ou tunnel :
V.2. Reprsentation(s)
cathode
anode
V
D
P
N
Leffet Zener a t dcouvert par Clarence ZENER (1905-1993)
Trs forte variation de courant pour une trs faible variation de tension
V
D
0
I
D
V
S
diode PN
I
D
V. La diode zener
V
D
0
I
D
V
S
diode zener
cathode
anode
V
D
P
N
I
D
V
Z
V
D
V
Z
V. La diode zener
0
I
D
V
S
diode zener
cathode
anode
P
N
I
D
I
D
V
D
V. La diode zener
0
I
D
V
S
diode zener
cathode
anode
P
N
I
D
I
D
V
D
I
D
V
D
V
Z
V. La diode zener
diode zener
cathode
anode
P
N
I
D
I
D
V
D
I
D
anneau de
reprage
V.3. Effet zener
V. La diode zener
Lorsque le champs lectrique est trs fort et que la largueur de la ZCE est
trs faible :
P N
Des lectrons de la zone P en frontire de la ZCE peuvent tre

arrachs au rseau cristallin
On obtient des tensions de rupture qui vont de 2 200 V
I
D
zener
zener
avalanche
avalanche
V.4. Caractristique en courant
V. La diode zener
La caractristique I
D
(V
D
) rsulte de leffet davalanche et/ou de leffet zener
V
Z
< 5 V : effet zener
V
D
0
I
D
P N
V
D
I
D
W
5 V 10 V
zener
zener
avalanche
avalanche
V. La diode zener
La caractristique I
D
(V
D
V
Z
< 5 V : effet zener
5 V < V
Z
< 10 V : effet zener + effet davalanche
V
D
0
I
D
P N
V
D
I
D
W
5 V 10 V
zener
zener
avalanche
avalanche
V. La diode zener
La caractristique I
D
(V
D
V
D
0
I
D
P N
V
D
I
D
W
5 V 10 V
V
Z
< 5 V : effet zener
5 V < V
Z
< 10 V : effet zener + effet davalanche
V
Z
> 10 V : effet davalanche
V.5. Application
V. La diode zener
Stabilisateur de tension
Le but ici est de supprimer londulation
rsiduelle aprs le filtrage capacitif.
E
G
V
R
R
L
systme
C
V
R
(V)
ondulation
0 t(s)
V.5. Application
V. La diode zener
E
G
V
R
R
L
systme
C
R
V
L
I
D
La tension de rupture (V
Z
) est la tension
que lon souhaite avoir sur la charge.
V
R
(V)
ondulation
0 t(s)
V.5. Application
V. La diode zener
V
R
R
L
systme
R
V
L
I
D
Z
) est la tension
t(s)
V
R
, V
L
(V)
0
I
D
(A)
0
V
D
(V) V
Z
V
Z
V
R
V.5. Application
V. La diode zener
V
R
R
L
systme
R
V
L
I
D
Z
) est la tension
t(s)
V
R
, V
L
(V)
0
I
D
(A)
0
V
D
(V) V
Z
V
Z
V
R
V
L
V.5. Application
V. La diode zener
V
R
R
L
systme
R
V
L
I
D
Z
) est la tension
t(s)
V
R
, V
L
(V)
0
I
D
(A)
0
V
D
(V) V
Z
V
Z
V
R
V
L
V.5. Application
V. La diode zener
V
R
R
L
systme
R
V
L
I
D
Z
) est la tension
R est une rsistance de protection.
t(s)
V
R
, V
L
(V)
0
I
D
(A)
0
V
D
(V) V
Z
V
Z
V
R
V
L
VI.1. Phnomne physique
V
D
0 V
S
I
D
P N
V
D
I
D
W
Des photons ayant une nergie suffisante (h) peuvent gnrer des paires
lectron-trou.
Modification de la caractristique courant-tension
V
D
0 V
S
I
D
V
D
P N
V
D
I
D
W
lectron-trou.
V
D
0 V
S
I
D
V
D
P N
V
D
I
D
W
lectron-trou.
Si gnration dans la ZCE : augmentation du courant inverse.
La diode se comporte comme un gnrateur : V
D
positif et I
D
ngatif.
V
D
0
I
D
V
D
P N
V
D
I
D
W
lectron-trou.
D
positif et I
D
ngatif.
Existence dun couple (V
D
, I
D
) qui donne une puissance maximale.
lectron-trou.
D
positif et I
D
ngatif.
Existence dun couple (V
D
, I
D
) qui donne une puissance maximale.
V
D
0
I
D
V
D
0
P
Lnergie minimale des photons pour crer des paires lectron-trou dpend
du type de semi-conducteur.
Absorption dans le silicium
E
G
(eV)
Infra-Rouge
Rouge
Visible
Violet
Ultra-Violet
0 1 2 3 4
1 3 1,5 10 0,5 0,65 0,35
l
(m)
InSb Ge Si GaAs
CdSe AlAs
GaP
CdS
SiC ZnS
Cd
x
Hg
1-x
Te
GaN
Lnergie minimale des photons pour crer des paires lectron-trou dpend
du type de semi-conducteur.
R
p
o
n
s
e

r
e
l
a
t
i
v
e
0,0
1,0
0,8
0,2 0,8 1,2 0,4 0,6 1,0
Longueur donde (m)
0,6
0,4
0,2
silicium
Les photons ont une certaine distance de pntration dans le semi-
conducteur.
x
0
Semi-conducteur
Nombre de photon

VI.2. Applications : cellules photovoltaques (panneau solaire)
Elles permettent damener de llectricit dans des endroits reculs
Prsentation
Elles permettent damener de llectricit dans des endroits reculs
Elles commencent tre rentable pour de la production de masse
Prsentation
Fabrication du silicium poly-cristallin (source : www.photowatt.com)
Fabrication du silicium mono-cristallin
Rendement des cellules (source : Systmes Solaires, juillet 2006)
Type
Cellule
(en labo)
Module
(en labo)
Module
(commerciale)
Rendement
Niveau de
dveloppement
Si monocristallin 24,70 % 22,70 % 12-20 % Production industrielle
Si polycristallin 20,30 % 16,20 % 11-15 % Production industrielle
Si amorphe 13,40 % 10,40 % 5-9 % Production industrielle
Si cristallin en
couche mince
7 % 9,40 % Production industrielle
CIS 19,30 % 13,50 % 9-11 % Production industrielle
CdTe Prt pour la production 16,70 % 6-9 %
Cellule organique 5,70 % Recherche
Cellule organique 11 % 8,40 % Recherche
Cellule multi-jonctions 39 % 25-30 % Recherche (spatiales)
1
e
r
e
g
r
a
t
i
o
n
2
m
e
g
r
a
t
i
o
n
3
m
e
g
r
a
t
i
o
n
VI.2. Applications : pixel
Principe de fonctionnement
E
G
V
P
I
P
t 0
V
P
V
P
I
P
Oscilloscope
E
G
gnration
thermique
courant inverse de la diode

0
= 0
E
G
V
P
I
P
t 0
V
P
V
P
I
P
Oscilloscope
E
G
On polarise la diode en inverse E
G
E
G

0
= 0
E
G
V
P
I
P
t 0
V
P
V
P
I
P
Oscilloscope
E
G
G
et on dconnecte le gnrateur.
E
G

0
= 0
E
G
V
P
I
P
t 0
V
P
V
P
I
P
Oscilloscope
E
G
G
La capacit parasite de la diode se
dcharge avec le courant inverse.
E
G

0
= 0
E
G
V
P
I
P
t 0
V
P
V
P
I
P
Oscilloscope
E
G
G
E
G

0
= 0
E
G
V
P
I
P
t 0
V
P
V
P
I
P
Oscilloscope
E
G
G
Le courant inverse augmente avec
lclairement.
E
G

0
= 0

1
>
0

0
= 0
h
E
G
V
P
I
P
t 0
V
P
V
P
I
P
Oscilloscope
E
G
G
lclairement.
E
G

0
= 0

1
>
0

0
= 0

1
>
0
h
E
G
V
P
I
P
t 0
V
P
V
P
I
P
Oscilloscope
E
G
G
lclairement.
E
G

0
= 0

1
>
0

0
= 0

1
>
0

2
>
1

2
>
1
h
E
G
V
P
I
P
t 0
V
P
V
P
I
P
Oscilloscope
E
G
G
lclairement.
Chute de V
P
: image lumineuse
E
G

0
= 0

1
>
0

0
= 0

1
>
0

2
>
1

2
>
1
E
G
V
P
I
P
t 0
V
P
V
P
I
P
E
G
G
lclairement.
Chute de V
P
: image lumineuse
E
G

0
= 0

1
>
0

0
= 0

1
>
0

2
>
1

2
>
1
Dtection de la couleur
E
G
V
P
I
P
Chaque diode est couverte dun filtre bleu, rouge ou vert
h
VI2. Applications : pixel
Dtection de la couleur
E
G
V
P
I
P
Chaque diode est couverte dun filtre bleu, rouge ou vert
h
Exemples de matrice
Exemples dutilisation
VII.1. Phnomne physique
La diode est polarise en direct : les porteurs majoritaires traversent la ZCE,
et deviennent minoritaires.
V
D
0 V
S
I
D
P N
I
D
V
D
et deviennent minoritaires.
Un trou peut se recombiner avec un lectron
V
D
0 V
S
I
D
P N
I
D
V
D
et deviennent minoritaires
Un trou peut se recombiner avec un lectron : mission dun photon.
V
D
0 V
S
I
D
P N
I
D
h
V
D
et deviennent minoritaires
Un trou peut se recombiner avec un lectron : mission dun photon.
Lnergie du photon dpend du semi-conducteur.
Tous les semi-conducteurs nmettent pas de photons.
Ajout datomes parasites : recombinaison intermdiaire
V
D
0 V
S
I
D
P N
I
D
h
VII.2. Application : diode lectroluminescente (LED)
Les types de LED et utilisations
11,06 m
2
, 442368 LED
Lopto-coupleur
Il sert transmettre une information entre
deux circuits lectroniques isols
lectriquement.
quadriple opto-coupleur quadriple
E
G
R
S
R
E
masse 1 masse 2
V
DD
t
E
G
0
V
S
V
E
t
V
E
0
V
DD
Lopto-coupleur
lectriquement.
E
G
R
S
R
E
masse 1 masse 2
V
DD
t
E
G
0
V
S
V
E
t
V
E
0
V
DD
Lopto-coupleur
lectriquement.
E
G
R
S
R
E
masse 1 masse 2
V
DD
t
E
G
0
V
S
V
E
t
V
E
0
V
DD
h
Lopto-coupleur
lectriquement.
E
G
R
S
R
E
masse 1 masse 2
V
DD
t
E
G
0
V
S
V
E
t
V
E
0
V
DD
Lopto-coupleur
lectriquement.
E
G
R
S
R
E
masse 1 masse 2
V
DD
V
S
V
E
VII.3. Quelques chiffres sur les LED
LED
classique
LED haute
luminosit
LED de
puissance
Puissance
consomme
3 20 mW 30 200 mW 1 5 W
Puissance
lumineuse
< 0,1 lm 0,1 1 lm 15 75 lm
Applications
Tmoins
lumineux
Eclairage
dappoints
Lampe de poche
Eclairage
monochrome
Incandescence
5 20 Lm/W
Halogne
Lampe
Fluo-compactes
LED
Blanches
10 26 Lm/W 50 70 Lm/W 15 100 Lm/W
1 000 h 4 000 h 2 000 h 100 000 h
Efficacit
lumineuse
Dure de vie
VII.3. Quelques chiffres sur les LED
Couleur
Longueur donde
(m)
Tension de seuil
(V)
Semi-conducteur
> 760 V
S
< 1,63 arseniure de gallium-aluminium (AlGaAs) InfraRouge
Rouge 610 < < 760
arseniure de gallium-aluminium (AlGaAs)
phospho-arseniure de gallium (GaAsP)
1,63 < V
S
< 2,03
Orange 590 < < 610 1,63 < V
S
< 2,03 phospho-arseniure de gallium (GaAsP)
Jaune 570 < < 590 2,10 < V
S
< 2,18 phospho-arseniure de gallium (GaAsP)
Vert 500 < < 570 2,18 < V
S
< 2,48
nitrure de gallium (GaN)
phosphure de gallium (GaP)
Bleu 450 < < 500 2,48 < V
S
< 2,76
sleniure de zinc (ZnSe)
nitrure de gallium/indium (InGaN)
carbure de silicium (SiC)
VII.5. Diode laser
P N
I
D
V
D
La diode laser est une htrojonction : empilement de semi-conducteurs
diffrents.
Les lectrons sont confins dans un puits quantique : mme nergie.
Lmission de photons provient de la recombinaison lectron-trou.
h
confinement
Phnomne physique
VII.5. Diode laser
P N
I
D
V
D
La diode laser est une htrojonction : empilement de semi-conducteurs
diffrents.
Les lectrons sont confins dans un puits quantique : mme nergie.
Lmission de photons provient de la recombinaison lectron-trou.
La longueur donde des photons dpend du semi-conducteur.
h
confinement
Phnomne physique
VIII. Effet photolectrique : mission
VIII.5. Diode laser
Exemples dutilisation

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