V. Etude d'un montage 1 transistor.

(montage charge rpartie avec dcouplage d'metteur)

Pour toute la suite, on utilisera comme exemple le schma suivant appel montage charge rpartie avec dcouplage d'metteur (Charge rpartie, car il y a une rsistance dans le collecteur et
dans l'metteur. Dcouplage d'metteur en rapport avec le condensareur en parallle sur la rsistance d'metteur).
+Vcc

R5

R1

C1

Pour l'exercice on prendra Vcc=10V, R1=22k, R2=10k,

R3=10k, R4=1k, R5=2,2k.

C3
R3
T1
Vs

Ve

R2

On choisira C1, C2, C3 de valeur suffisante pour avoir un

amplificateur ayant un courbe de rponse plate dans la bande
de 50Hz 20kHz.

C2
R4

GND

Sparation du rgime statique et du rgime dynamique.

L'tude du rgime statique a un triple but:
- lors de la conception (le choix du montage et de la polarisation rduit les inconvnients dus
aux carts trs importants sur les transistors; ex: bta de 125 900 pour un BC 108).
- lors de l'tude en dynamique (il est indispensable de connatre le courant de repos pour
calculer h11 (voir schma quivalent du transistor en dynamique).
- Pour la maintenance (les tensions de repos sont souvent indiques sur les schmas, elles
permettent dja de dceler un grand nombre de pannes par simple mesure l'aide d'un
multimtre).
1) le rgime statique
Prdtermination des tensions et courants de repos. On utilise alors un schma simplifi en sachant qu'en continu tous les condensateurs sont enlevs.
Il suffit:
a) Soit d'crire les lois des mailles (d'entre ou de sortie) en utilisant les outils mathmatiques
courants (thorme de Thvenin ou de Norton, tho. de superposition ou de Millman) puis en
utilisant les valeurs et quations connues du transistor (Vbecond=0,7V ; Ic= . Ib ; Ic+Ib=Ie
etc). On dtermine alors tous les courants (Ib, Ic et Ie), puis toutes les tensions (Vpo, Vbo,
Veo et Vco).
b) Soit d'utiliser les courbes relles du transistor par construction graphique de la droite
d'attaque et de la droite de charge.On dtermine de mme l'ensemble des tensions et courants
de repos.
(Rem: cette methode est plus prcise, si les tras sont fait avec prcision, car on tient compte
de la non linarit des caractristiques ( et Vbe), alors que la mthode mathmatique
suppose la connaissance de Vbe et de comme des constantes).

Le transistor bipolaire.

Page N6

Tranlin

schma simplifi en statique

+Vcc

R5
R1

Vco
R3

Vpo

T1
Vbo
Veo

R2

R4

Ex: En supposant Vbe 0,7V et 180 (voir caractristiques du

transistor 2N2222) on peut crire:
Vcc.R2/(R1+R2)= Ib.[R4.( +1) +R3 +R1.R2/(R1+R2) ] +Vbe
d'ou
Ib= (Vcc.R2/(R1+R2) -Vbe ) / [R4.( +1) +R3 +R1.R2/(R1+R2) ]
soit Ib=12A
Veo = R4.( +1).Ib = 2,2V
Ic = 2,2mA
Vco = Vcc - R5.c = 5,2V

GND

Rem: La simulation en analyse DC avec PSPICE donne Ib=15A, Veo=2,21V et Vco=5,16V

20C.
2) le rgime dynamique. (schma petits signaux).
On remplace le transistor par son schma quivalent simplifi soit en BF soit en HF, et on reprsente le schma quivalent en dynamique de l'ensemble (On passive les gnrateurs continus. on
court-circuite les gnrateurs de tension continue, et les condensateurs de liaison et de dcouplage. On enlve les ventuels gnrateurs de courants continus).
Attention: certains circuits RC jouent un rle de filtrage ou de compensation en frquence, il faudra alors comparer leur frquence de coupure avec la frquence des signaux d'entre avant d'apporter toute simplification (circuit ouvert ou court-circuit).
Rappel des principaux schmas quivalents du transistor.
Schma quivalent en du transistor en metteur commun (Giacoletto). Attention: Pour le montage base commune, on adopte plutt un schma quivalent appel en T (qui n'est valable qu'en
HF).

Schma simplifi en BF
B ib
ic

Schma simplifi de Giacoletto (montage metteur commun)

ib rbb'
Cb'c
C
B
C
B'

ib'
ve

h11
vs

ve
h21.ib
E

1/h22

rb'e=
h11

ie

vs

Cb'e
h21.ib'
E

Rem: B' est appele base interne. On simplifie souvent (rbb' 0 (rbb' 100 ), rb'e=h11, h22
0 ). On ne prend en compte que les capacits Cb'e et Cb'c que l'on confond souvent respectivement avec Ceb (capacit d'entre en base commune) et Cob (capacit de sortie en base
commune).
Attention le terme 1/h22 n'est pas toujours ngligeable (de l'ordre de 10k 100k).

Le transistor bipolaire.

Page N7

Tranlin

schma simplifi du montage en dynamique

ie

R3

is

Rg

ib

ve

R1//R2
R5 vs

h11
eg
h21.ib

Rappel: h21 =

h11 =

h21.Ut
Ic

ic
ib

On calcule alors l'amplification

vide: Av=vs/ve
La rsistance d'entre: Re=ve/ie
et la rsistance de sortie:
Rs=vs/is quand le gnrateur
d'attaque eg est 0 (il faut laisser sa rsistance de sortie Rg).

(a` verifier sur la courbe Ic=f(Ib))

h21
40.Ic
(Ut =

25mV a` 25C)

KT
q

Ici h11=2k.

Amplification en tension vide: Av. Elle permet d'obtenir le gain en db de la fonction de

transfert g = 20.log(vs/ve).
vs= -R5 . h21 . ib
et ib= ve / (h11 + R3) donc Av = vs/ve= -R5 . h21 / (h11+R3)= - 2,2k . 180 / (2k+10k) = 33
gv=20.log(Av) = 30db.
Rsistance d'entre: Re
Re= ve/ie= R1 // R2 // (R3+h11) = 4,3k
Rsistance de sortie: Rs
Rs = vs/is (avec eg=0) = R5=2,2k car ib=0
VI) Association de montages transistors (impdance d'entre et de sortie)
a) Impdance d'entre: Ze. Elle correspond ve/ie (elle se calcule partir du schma simplifi
en dynamique).
b) Impdance de sortie: Zs. Elle correspond vs/is (elle se calcule aussi partir du schma simplifi en dynamique mais: il faut remplacer le gnrateur d'attaque (Ve) par sa rsistance
interne.
c) Amplification vide ou en charge (influence des impdances d'entre et de sortie)
ie

ie

Zs
Ze

Ze1
Vs

Ve

Zs1

Eth

Ve

Ze2
Vs
E1

Quadriple actif

Le gain vide est donn par Av=Vs/Ve = Eth/Ve. Le gain en charge (cas de l'association de 2
cellules) se trouve modifi (voir schma ci dessus) Ac= Vs/Ve = (Eth/Ve) . Ze2 / (Ze2+Zs1)
Le transistor bipolaire.

Page N8

Tranlin

VII) Calcul des condensateurs de liaison ou de dcouplage.

+Vcc

R5

R1

C1

On veut calculer C1 C3 pour obtenir une frquence de coupure basse infrieure 50Hz.
C3

Pour le calcul de C3 on reliera la charge Ru (utilisation) en

sortie (On prendra Ru = 4,7k ).

R3
T1
Vs

Ve

R2

C2

Le calcul de C2 sera fait en ngligeant l'impdance de C1 et

R4

GND

a) Calcul de C1.
Le schma quivalent en dynamique du montage
fig1
ie
correspond au quadripole reprsent ci-contre
(fig1). Nous avons calcul prcdemment
Rg
Re=4.3k , Rs=2.2k et Av=33.
Il suffit d'ajouter C1 et d'crire la nouvelle foncve
tion de transfert vs/ve.
eg
Le schma correspond alors la figure 2.

Quadripole

Re

fig2 ie

vs/ve=(vs/v1).(v1/ve)= Av. Re/(Re+1/jC1w)

is

Rs
Av.ve

Quadripole

vs

is

Rg
C1

Soit vs/ve = Av . j.Re.C1.w / (1+j.Re.C1.w)

ve v1

Nous avons donc un dispositif de type passe

haut, dont la frquence de coupure basse est
f1=1/2.. Re.C1

Re

eg

Rs
Av.v1

vs

Si on dsire f1=50Hz (Attention il faudrait prendre f1<50Hz car chaque condensateur C1 C3

apportera -3dB la frquence de coupure, soit -9db au total ). C1=1/2.. Re.f1=0,74.10-6.
C1>740nF pour avoir f1<50Hz
b) Calcul de C3
En ajoutant C3 et la charge Ru, la fonction de transfert devient:
vs/ve=Av. Ru/(Rs +Ru+1/j.C3.w)
Ou aprs mise en facteur:
vs = Ac. j(Rs+Ru)C3w
ve
(1+j(Rs+Ru)C3w)
.
avec Ac=Av. Ru
(Rs+Ru)
Ac est appel amplification en charge.
Le transistor bipolaire.

fig3
Rg

ie

Page N9

is
C3

ve
eg

Quadripole

Re

Rs
Av.ve

Ru
vs

Tranlin

On calcule alors Ac = 33 . 4,7k / (2,2k+4,7k) = 22

La pulsation de coupure basse correspond : w3 = 1/(Rs+Ru).C3
d'ou la frquence de coupure basse = f3 = 1/2..(Rs+Ru).C3 . Si on dsire avoir f3= 50Hz (Rappel: il faudrait prendre plus bas car les trois condensateur apporterons chacun 3db d'attenuation
pour leur frquence de coupure).
C3 = 1/2..(Rs+Ru).f3 = 0,46 . 10-6 = 0,46F
C3>460nF pour avoir f3<50Hz
c) Calcul de C2.
Si on tiend compte uniquement
de C2, le schma quivalent en
dynamique devient celui de la
figure 4 (Ce=C2, Re=R4). On
appellera Ze, l'impdance quivalente Re et Ce en parallle.
Il faut alors calculer la nouvelle
fonction de transfert vs/ve.

fig4

ie

is

R3

Rg
ve

h21.ib

ib
h11

R1//R2

R5 vs
eg

Ze

Re

Ce

Av = vs/ve (avec is=0)= -h21.R5 .ib / (Ze.(h21+1) +h11 +R3).ib

h 21 . Z 5e
h 21 .R 5
Av = =
Ze.(h 21 + 1) + h 11 + R 3 (h 21 + 1) + (h 11 +R 3)
Ze
R

Or

1
Ze

(1+jR e C e w)
Re

Donc Av =

Av =

h 21. R 5 .(1+j.R e .C e .w)

(1+j.R e .Ce .w)
R e. (h 21 +1)+(h 11 +R 3 ).
Re

h 21. R 5
(h 11 +R 3 )

(1+j.R e .C e .w)

R e. (h 21 +1)
(h 11 +R 3 )

h 21. R 5 .(1+j.R e .C e .w)

R e. (h 21 +1)

(h 11 +R 3 ). (h +R
+1+j.R e .C e .w
11 3 )

j.R e .C e .w
+1. 1+ R (h +1)
e. 21

+1
(h 11 +R 3 )

(1+j. ww )

= Av (sans C2 ) . w12 . (1+j. w1 )

w2

R e. (h 21 +1)
w
w 1 (1+j. w 1 )
w 2 (1+j. w )
w2

Av = Av (sans C 2) . .

Avec w 1 =

1
R e .C e

et w2 =

(h 11 +R 3 )

+1

R e .C e

Comme w2 > w1 on obtient le diagramme de Bode fig5. Pour une pulsation > w2 la fonction de
transfert est alors quivalente Av (sans C2). Il faut donc avoir f2 < 50Hz .
(Rappel: Mme remarque que pour les autres condensateurs C1 et C3, il faudrait prendre
f2<<50Hz ).
Le transistor bipolaire.

Page N10

Tranlin

Courbe de gain en db
Courbe de Bode
g=20.Log(vs/ve)

g=20.Log(Av)

sans C2

20db/dcade
w
w1

w2

Application numrique:
1+

Ce

10 3.181

2.10 3+10.10 3
2..50.10 3

= 51.10 6 F 50F

Ce=C2>50F pour avoir f2<50Hz

Rsultats de simulation avec PSPICE:

*tran_cr2
Date/Time run: 11/19/94 11:32:10

Temperature: 27.0

50

(4.0195K,26.464)

(143.301K,23.433)

(51.090,17.430)

La simulation avec
PSPICE donne -9db pour
une frquence de 51Hz.

0
-9db pour 51Hz

De plus le gain est de

26,5db par la simulation.
Or Ac= Av.Ru/(Rs+Ru)=
33.4,7k/(2,2k+4,7k)=22,5
soit g=20Log(Ac)=27db

-50

Courbe de gain

-100
1.0h

10h

100h

1.0Kh

10Kh

100Kh

1.0Mh

Vdb(VS)- Vdb(VE)
Frequency

C1 =

3.9811K,

C2 =

51.090,

dif=

3.9300K,

26.464
17.430
9.0343

Conclusion: Malgr les approximations de calcul, les rsultats peuvent tre trs proche de la simulation ou de la pratique. Il faut toutefois porter une attention particulire aux valeurs de et
de h21 .
Le transistor bipolaire.

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Tranlin