Alimentation À Découpage

Jean-Yves LE CHENADEC
Lyce Louis ARMAND

173 Bd de Strasbourg
94736 NOGENT sur Marne
jy.lechenadec@libertysurf.fr
: 01 45 14 28 28
: 01 48 73 63 15
ALIMENTATION A DECOUPAGE
Etude, choix et dimensionnement des alimentations dcoupage

usuelles.
Objectif
Connatre les principes de fonctionnement des alimentations dcoupage
Etre capable de raliser le dimensionnement des principaux lments dune
alimentation dcoupage.
Etre capable de raliser lanalyse fonctionnelle dune alimentation
dcoupage.
Pr-requis
Principales lois de llectromagntisme

Equation diffrentielle du 1er ordre
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Sommaire
1 Introduction
2 Principe de fonctionnement des alimentations dcoupage.
2.1 Alimentation dcoupage stockage inductif (FLYBACK)
2.1.1 Principe
2.1.2 Etude des formes donde :
2.1.3 Avantages:
2.1.4 Inconvnients:
2.2 Alimentation dcoupage conduction directe (FORWARD)
2.2.1 Etude des formes donde :
2.2.2 Avantages / Inconvnients:
2.3 Alimentation dcoupage symtrique, montage PUSH PULL.
3 Les composants passifs dans les alimentations dcoupage.
3.1 Les condensateurs.
3.1.1 Le phnomne
3.1.1.1 Modle quivalent
3.1.2 Les principales technologies

3.1.2.1 Dilectriques plastiques.
3.1.2.2 Condensateurs dilectrique chimique.
3.1.3 Les condensateurs dans les alimentations dcoupage.
3.2 Les matriaux magntiques

3.2.1 Les matriaux
3.2.2 Grandeurs caractristiques des matriaux magntiques
3.2.2.1 La caractristique magntique
3.2.2.2 Les pertes magntiques
3.2.3 Les matriaux magntiques dans les alimentations dcoupage

3.2.4 Principe de calcul des inductances et des transformateurs.
4 Exercice autocorrectif
4.1 Dimensionnement dune structure de type FORWARD
4.2 Analyse fonctionnelle et structurelle dune alimentation
FLYBACK industrielle.
5 Correction exercices autocorrectifs.
5.2 Analyse fonctionnelle et structurelle dune alimentation
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1 Introduction
Les structures dalimentation dcoupage telles que nous les rencontrons actuellement sont
en fait directement drives de la structure des alimentations stabilises, o lon aurait chercher
minimiser les deux inconvnients principaux des alimentations dites linaires :
- la taille et le poids du transformateur
- le mauvais rendement d la puissance dissipe dans le rgulateur.
Sur un plan fonctionnel, le rgulateur est un convertisseur continu continu (une source de
tension valeur moyenne non nulle en entre, une source de tension valeur moyenne non nulle
en sortie), asservi en tension. La puissance dissipe par le rgulateur est due au caractre
linaire du fonctionnement du composant, a savoir quil prsente simultanment une tension
non nulle ses bornes, et un courant non nul le traversant. Il est possible dobtenir la mme
fonction en utilisant un hacheur (srie par exemple) associ un filtre, le tout asservi en tension.
Dans ce cas, le transistor de puissance utilis pour moduler la tension en sortie du montage
fonctionne en rgime de commutation, et prsente des pertes de fonctionnement beaucoup plus
faibles (le composant est soit bloqu, et le courant qui le traverse est nul, soit passant et la
tension ses bornes est proche de zro)
Hac he u r
R g ul ate u r
Fil tre
Me sur e
te nsi o n
R gul a ti on
Lutilisation dune association hacheur + filtre + rgulation permet donc damliorer

considrablement le rendement de notre alimentation, mais permet galement, indirectement, de
rduire le volume et la taille du transformateur. En effet, la meilleure faon de rduire la taille
dun circuit magntique, notamment pour un transformateur, est daugmenter sa frquence de
fonctionnement. Si lon tudie la formule dite de Bouchereau qui relie la valeur efficace de la
tension aux bornes dun enroulement la frquence, la surface du circuit magntique et
.n.S.f , il apparat que pour diminuer la
linduction crte en rgime sinusodal : U = 4,44.B
surface du circuit magntique (et donc son poids et son volume) induction constante, sans
modifier le nombre de spires (ce qui augmenterait le volume du transformateur), il suffit
daugmenter la frquence.
Dans une alimentation stabilise classique, le transformateur est plac directement sur le
rseau, et fonctionne donc 50 Hz. Dans une alimentation dcoupage, il est possible de placer
le transformateur entre le hacheur et le filtre. De cette faon, il est aliment par une source de
tension alternative (la tension de sortie du hacheur), mais fonctionne la frquence du hacheur,
gnralement de lordre de quelques dizaines quelques centaines de kilo-hertz.
La structure d'une alimentation dcoupage base sur lutilisation dun hacheur srie
peut alors tre reprsente sous la forme suivante :
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Transformateur
Filtre
Rseau
220 V
50 Hz
Charge
Commande
Redresseur
Hacheur
Filtre
Nous allons rencontrer, et donc tudier, trois grandes familles dalimentations

dcoupage, bases sur trois types de hacheurs :
les alimentation FLYBACK (bas sur le hacheur stockage inductif)
les alimentation FORWARD (bas sur le hacheur srie un quadrant)
les alimentation PUSH PULL (bas sur le principe du hacheur en pont)
2 Principe de fonctionnement des alimentations dcoupage.

2.1 Alimentation dcoupage stockage inductif (FLYBACK)
2.1.1
Principe
ie
Tp
it
is
Lalimentation de type Flyback

est base sur le principe du
id
hacheur stockage inductif :
D
vt
il
L'interrupteur Tp est ferm
R
vd C
vs pendant la fraction T de la
ve
Ce
priode de dcoupage T. La source
L
primaire fournit alors de l'nergie
l'inductance L (croissance du courant), la diode D est bloque (Vd<0). Le courant dans la charge
est fourni par la dcharge du condensateur C.
Lors du blocage de Tp, la diode D assure la continuit du courant dans l'inductance L. On a
alors dcharge de L dans R et C.
vl
ve
Si la valeur du condensateur est bien

calcule (suffisante), on peut considrer la
dcharge de C entre T et T comme
ngligeable, et donc assimiler la tension de
il
sortie une constante. La dcroissance du
is
courant de T et T peut alors tre considre
comme linaire, et lon obtient les
chronogrammes ci-contre :
it
id
-vs
cr oi ssa nc e du cou ra nt
dan s L
d ch ar ge de L
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vd
i1
Pour transformer un tel hacheur en alimentation

dcoupage, il est ncessaire dinsrer une isolation
galvanique entre linterrupteur et le filtre de sortie.
Nous allons remplacer linductance par deux
inductances couples, bobines sur le mme noyau.
On obtient alors le schma ci-contre. La
magntisation de linductance est ralise par
lenroulement 1, alors que la dmagntisation est
ralise par lenroulement 2.
2.1.2
i2
D
v1
v2
N1
N2
ve
vt
Etude des formes donde :
On supposera que la constante de temps RC du filtre de sortie est trs grande devant la
priode de fonctionnement T de lalimentation, nous assimilerons donc tension de sortie une
constante.
Etude t 0,T (Interrupteur ferm)
n2
Ve (Attention la
n1
d
d
, v 2 = n 2 .
positon des bornes homologues sur linductance coupl, v1 = + n 1.
dt
dt
La tension vs est ncessairement positive, or vd = v2 Vs < 0 , donc D est bloque. On
stocke alors de l'nergie dans le circuit primaire de l'inductance couple. Alors, si lon note
la rluctance du circuit magntique,
Linterrupteur est passant, do v t = 0 v1 = Ve v 2 =
Etude t = T
La continuit du flux dans le circuit magntique entrane la continuit des ampres tours au
niveau de linductance couple. Le courant magntisant conscutif la prsence du flux dans
linductance ne pouvant plus passer par lenroulement 1 (interrupteur bloqu), il est forc dans
lenroulement 2, entranant la mise en conduction de la diode.
V .T
A t = T , i 1 = I1max = e
+ I1min , do n1.i 1max = max
L1
A t = T + , i 2 = I 2 max , do n 2 .i 2 max = max
On en dduit qu linstant t = T + , n 2 .i 2 = n1 .i1max
Etude t T, T
La diode D est passante, la relation dHopkinson nous donne alors :

n 2 di
di
n1.i1 + n 2 .i 2 = n 2 .i 2 = , do v s = 2 . 2 = L 2 . 2 , o L2 reprsente linductance de
dt
dt
lenroulement 2. On en dduit alors : L2
di 2
v .t
= vs i 2 = s + I 2 max
dt
L2
Il est alors possible par une simple loi des mailles de dduire la tension aux bornes de
l'interrupteur: vt = ve + vs
n1
n2
Les formes dondes sont alors les suivantes :
vs
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F Les
v1
deux enroulements ne sont pas

parcourus par du courant en mme temps.
Linductance couple stocke de l'nergie tant que
l'interrupteur est ferm, puis restitue cette nergie
par le secondaire quand l'interrupteur est ouvert.
Cette caractristique ncessite un circuit
magntique avec entrefer, le courant principal
tant le courant magntisant.
ve
T
n1
Vs
n2
i1
F Le calcul de valeur de la tension de sortie
i2
en fonction de n1, n2, et Ve est immdiat, si

lon tient compte du fait que la tension moyenne
T
aux bornes dune inductance, en rgime

permanent, est nulle. On peut alors crire :
n1
n1
Vs
n 2 .
T
T
T
0 v 1 (t ).dt = 0 Ve .dt + T Vs . n .dt = Ve ..T Vs . n .(1 ).T = 0 d'o V = n .(1 )
2
2
e
1
2.1.3
Avantages:
-
2.1.4
Peu de composants.
Un seul composant bobin
Architecture conomique pour les faibles puissances (<150W)
Inconvnients:
-
Lnergie tant stocke dans linductance couple et dans le condensateur de sortie,

ceux-ci deviennent encombrants pour des puissances suprieures 200 W, et
lalimentation Flyback devient alors moins intressante.
Risque de surtension lors du fonctionnement vide : lnergie stocke durant la
phase de magntisation est alors transmise au condensateur durant la phase de
dmagntisation. Cette nergie est alors stocke par le condensateur qui voit sa
tension monter, et il y a alors risque de destruction.
2.2 Alimentation dcoupage conduction directe (FORWARD)

Il sagit de lalimentation dont le principe est le plus proche de celui dcrit dans
lintroduction, car bas sur le principe du hacheur srie. Le schma de base de cette alimentation
est alors le suivant :
vd
i1
i2
il
is
D
v3
v1
N1
v2
N1
C
Drl
N2
ve
vt
Dm
i3
vd
vs
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Le transformateur est plac en srie avec linterrupteur statique du hacheur, la diode de

roue libre tant place au secondaire du transformateur. Un troisime enroulement (tension V3)
est plac sur le noyau du transformateur. Il permet la dmagntisation du transformateur aprs la
phase de conduction de linterrupteur T. La diode D permet de forcer la dmagntisation par le
troisime enroulement. Le fonctionnement peut tre divis en deux phases :
De 0 T, linterrupteur est passant, le primaire est soumis la tension E. Il sen suit la
magntisation du transformateur, et un transfert dnergie de la source vers le filtre et la charge,
via le transformateur et la diode D.
De T T, linterrupteur est bloqu. Il apparat une phase de roue libre au niveau du
secondaire (continuit du courant dans linductance via la diode de roue libre), et une phase de
dmagntisation du transformateur par continuit du courant magntisant travers le troisime
enroulement. Il est ncessaire dattendre la fin de la dmagntisation du transformateur avant
dentrer nouveau dans une phase de magntisation et de transfert dnergie.
2.2.1
Etude des formes donde :
Hypothse: On supposera que le filtrage est suffisamment efficace pour que la tension de
sortie Vs soit constante. Le courant Is sera alors lui aussi constant.
Etude t 0,T (Interrupteur ferm)
Dtermination de la valeur de v1 et v2 :
Linterrupteur est passant do vt = 0 v1 = Ve v2 =
n2
Ve
n1
Dtermination du courant Il
La diode D est passante et la diode Drl bloque. (VDRL= - v2, Drl est
ncessairement bloqu...)
On peut crire, pour l'inductance L: L
dil
( v Vs). t + I , il y
= v2 Vs il = 2
l min
dt
L
a croissance linaire du courant dans linductance sous la tension v 2 Vs

Dtermination de i1 :
La relation d'Hopkinson permet d'crire: n1.i1 n 2 .i 2 + n 3i 3 = . (le courant i 2
est sortant). La maille Ve,VDM , V3 nous donne Vdm= -Ve-V3 = -Ve-V1= -2Ve<0
donc la diode Dm est bloqu. On obtient alors n1.i1 n 2 .i 2 = . , do
n
n
i1 =
. + 2 .i 2 = i10 + 2 .i 2 . Le courant i1 se dcompose donc en un courant
n1
n1
n1
n
magntisant i10 , et un courant li lappel de courant au secondaire 2 .i 2 .
n1
d
Ve
remarque: i10 =
.( t ) or
v1 = + n 1.
do (t ) =
t (circuit initialement
n1
dt
n1
dmagntis, constante dintgration nulle). On trouve alors lexpression de i1 complte :
i1 =
.Ve .t
n 12
n 2 (v 2 Vs ).t
+ I l min
n1
L
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Etude t [T, T] (Interrupteur ouvert)

Etude de la dmagntisation :
La continuit du flux dans le circuit magntique entrane la continuit des ampres tours
magntisants. L'interrupteur tant bloqu, la topologie du circuit impose une continuit du
courant magntisant travers Dm, permettant ainsi la rcupration de lnergie stocke dans le
circuit magntique par la source de tension. (La diode D interdit une dmagntisation par le
secondaire). Alors v3 = ve . Le nombre de spires de l'enroulement de dmagntisation tant le
mme que celui de l'enroulement 1, la dure de dmagntisation est gale au temps de
conduction de l'interrupteur (la dmagntisation prend fin pour t=(2..T). Le courant i 3 est donc
symtrique par rapport i10 . On peut alors calculer la valeur de la tension vt aux bornes de
linterrupteur : vt = ve v1 = ve v3 = 2. ve . Une fois la dmagntisation finie, la diode Dm est
bloque, les courants i1 et i 3 sont nuls, d'o: v1 = v3 = 0 vt = ve
Etude au secondaire du transformateur:
La continuit du courant dans linductance du filtre est assurer par la prsence de la
diode de roue libre DRL, qui devient passante. On peut crire, pour l'inductance L:
L
di l
Vs. t
= Vs i l =
+ Il max
dt
L
Formes dondes :
v1
vt
2ve
v1
ve
2 T
-ve
n2
ve- vs
n1
vl
il
-vs
i1
i3
i 10
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Le calcul de valeur de la tension de sortie en fonction de n1, n2, et Ve est rapide si

lon se base sur la tension aux bornes de l'inductance de lissage, dont la valeur moyenne
est nulle en rgime permanent. On peut alors crire :
n
1 n 2
Ve Vs . T Vs .(1 ).T = 0 do Vs = 2 Ve .
n1
T n1
Le principe de dmagntisation par un troisime enroulement nest pas le seul possible.

En faible puissance, on peut trouver des montages ou lnergie stocke dans le circuit
magntique est dissipe, comme cela est ralis pour les transformateurs dimpulsion :
Diode zener
fixant la t ension
de
dm agntisat ion
o des montages en petit pont asymtrique, o la dmagntisation est ralise par lenroulement
primaire, et o lnergie est renvoye vers la source :
E
d ma gn tis atio n
2.2.2
Avantages / Inconvnients:
Cette architecture s'adapte bien aux sorties basse tension fort courant car le filtrage de sortie
est ais, pour des puissances d'environ 100 500W. Elle prsente nanmoins des inconvnients
inhrents la structure :
- Prsence de deux composants magntiques
- Ncessit de prvoir un systme de dmagntisation du transformateur.
- Mauvaise utilisation du circuit magntique du transformateur, qui nest utilis que dans
un quadrant magntique (de 0 Bm, le flux ne changeant pas de signe)
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2.3 Alimentation dcoupage symtrique, montage PUSH PULL.

Ce type dalimentation t conu pour palier un des inconvnients de lalimentation
Forward, savoir lutilisation dans un seul quadrant magntique du transformateur. Pour
permettre lutilisation dans deux quadrants du circuit magntique (B>0 et B<0), il est ncessaire
de pouvoir magntiser le transformateur sous une tension positive, puis sous une tension
ngative. Parmi les diffrentes structures existantes, celle base sur lutilisation dun hacheur en
pont est la plus simple au niveau de ltude.
D2
T1
D3
T3
Ve
D1
D4
T2
T4
V1
I1
N1
N2
N2
D5
D6
VP
IL
L
C
Rs
Les interrupteurs dun mme bras de pont sont commands de faon complmentaire, avec
un temps de conduction dune demi-priode. Le dphasage entre les commandes des deux bras
de pont est not T avec <1/2.
Les ordres de commandes des transistors sont alors les suivants :
T1
T4
T2
T1
T3
T
T4
/2
T2
T3
T4
Nous allons tudier qualitativement le fonctionnement de cette alimentation dans ces

diffrentes phases de fonctionnement, en ngligeant le courant magntisant :
pour t [0, T] :
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-
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Les transistors T1 et T4 sont commands, V1=Ve, il y a croissance du flux dans le

circuit magntique
La diode D5 conduit, linductance est soumise une tension positive (mVe-Vs), il y a
croissance du courant IL.
Il y a croissance du courant I1 (I1 = mIs)
pour t [T, T / 2] :
- Les transistors T1 et T3 sont commands, la continuit du courant magntisant I1 impose
la mise en conduction de la diode D3, alors V1=0, le flux dans le circuit magntique est
constant
- Linductance est soumise une tension ngative, (-Vs), il y a dcroissance du courant
IL, qui est fourni par la diode D5.
- Il y a dcroissance du courant I1 (I1 = mIs)
pour t [T / 2, T / 2 + T] :
- Les transistors T2 et T3 sont commands, V1=-Ve, le flux dans le circuit magntique est
dcroissant
- La diode D6 conduit, linductance est soumise une tension positive (mVe-Vs), il y a
croissance du courant IL.
- Il y a dcroissance du courant I1 (I1 =- mIs)
pour t [T / 2 + T, T / 2] :
- Les transistors T2 et T4 sont commands, la continuit du courant magntisant I1 impose
la mise en conduction de la diode D4, V10, le flux dans le circuit magntique est
constant.
- Linductance est soumise une tension ngative, (-Vs), il y a dcroissance du courant
IL, qui est fourni par la diode D6.
- Il y a croissance du courant I1 (I1 =- mIs)
Les formes dondes sont alors les suivantes :
T1
T4
T2
T3
T1
T4
V1=Ve
Vp=m.Ve
IL
I1
/2
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En calculant la valeur moyenne de la tension Vp, on dmontre facilement la
relation Vs = 2..m.Ve
On rencontre galement parfois des alimentations dcoupage travaillant dans

deux quadrants magntiques, mais ne prsentant que deux interrupteurs statiques au
niveau primaire. Dans ce cas, il ncessaire de prvoir deux enroulements au niveau du
primaire pour assurer le changement du signe de la tension de magntisation :
3 Les composants passifs dans les alimentations dcoupage.

Une alimentation dcoupage est essentiellement constitue, en dehors des interrupteurs
statiques, de composants magntiques fonctionnant en haute frquence. Le choix et le bon
dimensionnement de ces composants est un lment essentiel lors de lavant projet dune
alimentation dcoupage.
3.1 Les condensateurs.

3.1.1
Le phnomne
Deux conducteurs spars par un isolant constituent un condensateur. La valeur de ce

S
condensateur, ou sa capacit, s'exprime de faon gnrale par : C = . , avec
e
= 0 . r permittivit dilectrique ou constante dilectrique
( 0 = 8,85.10 8 )
S est la surface des armatures
e est l'paisseur de l'isolant
F La valeur de capacit tant directement proportionnelle
3.1.2
r ,
nous rechercherons utiliser des isolants forte constante dilectrique.
Paramtres caractristiques dun dielectrique, et donc dun condensateur :
Les principaux paramtres dun dilectrique sont les suivants :
F La permittivit relative du dilectrique:
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F La rigidit dilectrique (k): la rigidit dilectrique ainsi que l'paisseur de l'isolant vont
limiter la tension maximale d'utilisation: U max = k. e . Ce paramtre est directement li au

niveau d'humidit du milieu o fonctionne le composant.
L'nergie maximale stocke dans un dilectrique ne dpend que des caractristiques du
volume du dilectrique :
1
1
S
1
Wm = . C. U2m = . 0. r . . k2 . e2 == . 0. r . k 2. Volume
2
2
e
2
F Les pertes dilectriques : Elles sont reprsentatives des pertes dans le dilectrique lors
de son utilisation en rgime alternatif
Rsistance d'isolement : Le dilectrique n'a pas une rsistance statique infinie (impuret,
humidit...). De plus l'enveloppe du composant influe sur ce paramtre.
Stabilit du dilectrique vis vis:

- de la temprature : elle dpend de la nature du dilectrique
- de l'humidit : elle dpend de la nature du dilectrique
- du temps : les proprits du dilectrique varient dans le temps
3.1.2.1 Modle quivalent
Les remarques prcdentes nous amnent modliser le condensateur de la faon
suivante :
Rs
l
Ri
C est la valeur du condensateur idal.

l est l'inductance des armatures et des connections. Elle est lie la technologie de
fabrication.
Rs est la rsistance des armatures et connections. Elle rend compte galement des pertes
dilectriques.
Ri est la rsistance reprsentant les dfauts d'isolement. Elle dpend de la technologie de
fabrication.
Impdance
Comportement
capacitif
Comportemen
inductif
Frquence
Frquence
de
rs onnance fo
Il est alors possible de tracer la caractristique de limpdance en fonction de la frquence,

1
o f 0 =
2 lC
3.1.3
Les principales technologies
Elles dpendent de la nature du dilectrique utilis.
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3.1.3.1
Dilectriques plastiques.
Les armatures sont constitues par deux feuilles d'tain ou d'aluminium dont l'paisseur
(de 5 40 ) est dtermine en fonction du courant traversant. Les dilectriques composites
associent des films de nature diffrente dont les caractristiques spcifiques se compltent. Les
condensateurs films possdent d'excellentes proprits lectriques notamment une bonne tenue
en tension et en frquence.
FCondensateurs films mtalliss
Les armatures sont constitues par une couche trs fine (0.02 ) de zinc ou
d'aluminium dpose par vaporation sous vide sur le dilectrique film synthtique ou papier
(1,5 25 ).
- L'autocicatrisation est une proprit essentielle de ces condensateurs. Lorsqu'un amorage
se produit entre les armatures d un dfaut du dilectrique, l'arc lectrique vaporise localement
la mtallisation en formant un oxyde mtallique isolant. Le condensateur ainsi rgnr
redevient oprationnel.
F La qualit des films plastique permet de les utiliser en faible paisseur ( e = 2 20 m).
Il est possible d'obtenir des rsistances d'isolement trs leves et constantes dans la gamme
d'utilisation de temprature. De plus les pertes dilectriques frquence leve sont faibles.
Il existe quatre type de film plastique:
Polystyrne.
Polyester (mtallis ou non).
Polycarbonate (mtallis ou non).
Polypropylne (mtallis ou non).
F Principales caractristiques (source SPRAG)

+20
1.75
+15
1.50
+10
1.25
Polyester
+5
Polystirne
Polycarbonate
-5
Polypropylne
Polyester
1.00
Polystirne
0.75
Polycarbonate
0.50
Polypropylne
0.25
-10
-15
-50 -25 0
25
50
75
-50 -25 0
100 125 150 175 200
%Capacitance change / Temperature in C
14
25
50
75
100 125 150 175 200
% Dissipation Factor (0.1F) /

Temperature in C
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1000000
1.6
1.4
1.2
Polyester
100000
Polystirne
0.8
Polyester
Polycarbonate
0.6
Polypropylne
0.4
10000
Polystirne
(Metallized)
0.2
Polycarbonate
1000
0
0.1
10
Polypropylne
100
% Dissipation Factor / Frequency in kHz

100
10
25
50
75
100 125 150 175 200
Typical Insulation Resistance in Meghoms

* Micorfarads / Temperature in C
Dielectric
Typical
dissipation
factor
25C/1kz
0.83
0.30%
Vol.
factor
Polyester
Rs
M par
F
25C
50000
max
Outstanding
Properties
150C
Polyester
Metallized
Polycarbonate
0.47
0.45%
25000
125C
3.30
0.10%
100000
125C
Polycarbonate
Metal.
Polypropylene
0.47
0.25%
100000
125C
0.05%
200000
105C
Polypropylene
Metal.
Polystyrene
0.67
0.10%
200000
105C
4.7
0.025%
250000
85C
High Temperature
Small size
High insulation resistance
High stability
High frequency capability
Low losses
Small capacitance change with
temp.
3.1.3.2 Condensateurs dilectrique chimique.

Les deux armatures en aluminium pur 99,99 % du condensateur sont places dans une
solution lectrolytique. Lorsqu'on applique une tension, une couche d'alumine isolant de trs
faible paisseur se forme (e = 0,01 m), d'o la possibilit de fortes capacits.
Le condensateur est polaris, les lectrodes ne jouant pas le mme rle dans l'lectrolyse (
Anode, Cathode ).
Il existe deux types d'lectrolytes :
Aluminium
La structure d'un condensateur lectrolytique aluminium est reprsente ci-dessous :
1. Anode : feuille d'aluminium

2. Dilectrique : alumine 13 / V.
3. Papiers sparateurs imprgns d'lectrolyte
1
15
2
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4. Cathode : feuille d'aluminium
Les constructeurs lheure

actuelle
conoivent
deux
grandes
familles
de
condensateurs,
les
condensateurs dits classiques et
dits faible rsistance srie. Ces
derniers sont notamment utiliss
lectronique de puissance de par
meilleure tenue en frquences et
pertes joules beaucoup plus
faibles.
ceux
en
leur
leurs
Tantale
- Le mtal de base est une poudre
de Tantale de trs fine granulomtrie.
- Les anodes sont obtenues par
compression dans des moules dont la
forme la plus usuelle est cylindrique.
Le corps poreux ainsi ralis
prsentent une grande surface par
unit de volume.
- Ces condensateurs prsente
particulirement une bonne tenue en
frquence.
(ELPI)
3.1.4
Les condensateurs dans les alimentations dcoupage.
Les condensateurs que nous rencontrons dans les alimentations dcoupage remplissent
deux rles distincts : ils servent de rservoir dnergie lors des variations de commande ou de
charge, et ils servent galement de condensateur de dcouplage ou de filtrage vis vis du
fonctionnement haute frquence de lalimentation. Cest pourquoi certains constructeurs ont
dvelopp une gamme de condensateur spcifique pour les alimentations dcoupage et autre
systme dlectronique de puissance. Ce sont les condensateurs chimiques dits faible
rsistance srie, qui prsentent des valeurs de capacit importantes, tout en prsentant une
excellente tenue en frquence. Si toutefois les performances de ces condensateurs se trouvaient
insuffisantes, il est possible dassocier deux condensateurs de technologies diffrentes, par
exemple un condensateur aluminium en parallle avec un condensateur polypropylne.
16
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3.2 Les matriaux magntiques

3.2.1
Les matriaux
Les matriaux utiliss en lectrotechnique et en lectronique de puissance

sont
principalement :
- L'air, rserv au domaine des trs hautes frquences et des faibles puissances
- Les tles de fer magntique lamines et assembles pour constituer des circuits
magntiques, utilises aux frquences dites industrielles (16.66, 50,60 et 400 Hz)
- Les ferrites : Cramiques magntiques, moules selon la forme dsire du circuit
magntique, utilises en lectronique de puissance haute frquence.
3.2.2
Grandeurs caractristiques des matriaux magntiques
3.2.2.1 La caractristique magntique

Un matriau magntique est dfini par sa caractristique B=f(H) [induction magntique en
fonction du champ magntique], sa courbe de 1re aimantation, ses diffrents cycles d'hystrsis
(en fonction de la frquence)
La caractristique typique dun matriau est la suivante :
B
O :
Br reprsente linduction rmanente,

Hc le champ coercitif et
OA la courbe de 1re aimantation.
Br
-Hc
O
-Br
zone de
Cette caractristique est frquemment

idalise de la manire suivante, o lon spare la
zone de fonctionnement dite non sature de la
zone de fonctionnement sature :
Dans la zone de fonctionnement non sature,
on dfinit alors la permabilit relative du
matriau r tel que :
fonctionnement
satur
H
zone de
fonctionnement
satur
B = o . r H
zone de
fonctionnement
non satur
3.2.2.2
Les pertes magntiques

Un matriau ferromagntique soumis un champ magntique variable est source de
pertes ayant 2 origines :
Les pertes par courant de Foucault : le matriau est soumis un champ magntique
variable, il apparat alors dans ce matriau des tensions induites, donc des courants induits, et
(
B M .S.f )2
, o BM reprsente
donc des pertes joules. Ces pertes sont proportionnelles
linduction maximale, S la section du circuit magntique, f la frquence de fonctionnement et

la rsistivit du matriau.
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Pertes hystrtiques : elles sont dues l'nergie mise en jeu pour parcourir le cycle
d'hystrsis. Leur expression est donne par Ph = f .V.A , o f reprsente la frquence, V le
volume de circuit magntique et A laire du cycle d'hystrsis du matriau.
3.2.3
Les matriaux magntiques dans les alimentations dcoupage
Les alimentations dcoupage fonctionnant en

haute frquence, il est impossible dutiliser des tles
pour la ralisation des composants magntiques, les
pertes devenant trop importantes. Les fabriquants
utilisent donc des ferrites, mieux adapt au
fonctionnement haute frquence. Ce sont des
cramiques magntiques haute rsistivit (de 10 2
108 cm), donc prsentant des pertes par courant
foucault particulirement faible, et haute permabilit
(de 2000 10000 environ). Leur fabrication par
moulage permet de raliser toutes formes de gomtrie,
permettant de raliser une grande varit de circuits
magntiques.
L'induction de saturation des ferrites est de l'ordre
de 0.4 0.5 T. On les emploie gnralement hors
saturation et lon retient Bmax = 0.3 T.
F Un composant magntique est constitu dun

circuit magntique, mais galement dun ou
plusieurs bobinages. Si le courant traversant les
bobinages constituants des inductances ou des
transformateurs haute frquence est alternatif,
les lectrons ont tendance se rpartir la
priphrie du conducteur, dans une zone
caractrise par son paisseur, appele paisseur
de peau (voir ci contre).
ep
basse frquence
haute frquence
Une valeur couramment admise pour lpaisseur de peau est donne par e p =
pour un fil de cuivre e p (en mm )
, ou
. 0 .f
70
. Si lon souhaite utiliser de faon correcte notre

f
conducteur, il ne faut pas que son rayon excde lpaisseur de peau. On peut alors calculer pour
diffrentes frquences lintensit maximale admissible dans un fil, en effet la section du fil tant
donn par
S fil = . r
I eff
, alors I eff
max
= ..e p 2 o reprsente la densit de courant
(gnralement fixe autour de 5 A/mm) :

f (en kHz)
5
10
20
50
100
ep (mm)
1.00
0.70
0.50
0.30
0.22
18
Imax (A)
15
7.5
4
1.5
0.8
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Si le courant efficace devant circuler dans le bobinage est suprieur ces valeurs limites, il
est ncessaire de prvoir lutilisation de fil divis (ou fil de litz, fil multi brins donc chaque brin
est isol ), du fil mplat ou encore du feuillard.
F Les bobinages prennent place lintrieur du circuit magntique dans la fentre de

bobinage. Malheureusement, il est impossible de remplir totalement cette fentre, notamment
lorsque le nombre de spires est peu lev :
Spires
Fentre
de
bobinage
On dfini alors un coefficient dit de

bobinage ou de remplissage(Kb), defini
Surface de la fentre
par : Kb =
, o la
Surface de cuivre
surface de cuivre reprsente la surface
effective du bobinage, soit le nombre total
de spire multipli par la surface des spires.
On obtient alors :
Sb
Sb
Kb =
=
Ieff
Sc
n.
tout les
bobinages
o
Sb reprsente la surface de la fentre de bobinage,
n le nombre de spires de lenroulement considr (il peut y en avoir plusieurs dans le
cas de transformateur ou dinductances couples
Ieff le courant efficace de lenroulement considr
la densit de courant.
3.2.4
Principe de calcul des inductances et des transformateurs.
La principale difficult lors du calcul de linductance ou dun transformateur est de choisir la

bonne taille de circuit magntique. Nous allons dmontrer que la taille de ce circuit est
proportionnelle, ou lnergie stocke dans le cas dune
inductance, ou la puissance apparente dans le cas dun
transformateur. Il sera alors facile de choisir le bon circuit.
e
Nous noterons :
- Sb la surface bobinable
Sb
- Sf ou Ae la section effective du noyau du circuit
magntique
- B le champs dinduction magntique
Sf
- H le champs dexcitation magntique
- (e) lpaisseur de lentrefer dans le cas dune inductance
- n le nombre de spires
3.2.4.1 Exemple de dimensionnement dune inductance.
Dtermination de lexpression de L :
Nous allons montrer dans un premier temps que lessentiel de lnergie est stocke dans
lentrefer. Par dfinition, lexpression de lnergie lectromagntique volumique stocke dans
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1
B.H.V . Les fabriquants de ferrite ralisent leurs
2
circuits magntiques de telle sorte que le champs dinduction soit constant dans tout le circuit.
On peut alors en dduire lnergie stocke dans la ferrite et lnergie stocke dans lentrefer :
1
1 B2
1 B 2 Vf
.Vf =
.
Dans la ferrite : W = B.H.Vf =
2
2 0 . r
2 0 r
un volume V est donn par la relation : W =
Dans lentrefer : W =
1
1 B2
1 B2
B.H.Ve =
.Ve =
.Ve
2
2 0
2 0
Mme si le volume de ferrite est bien suprieur au volume de lentrefer, la permabilit

V
relative des ferrites est tel que f << Ve . Nous considrons donc que lintgralit de lnergie
r
est stocke dans lentrefer.
Il est alors possible de dterminer lexpression de l'inductance L en fonction de 0 , n
(nombre de spire), S f (surface magntique effective) et e (valeur de l'entrefer) :
1
1
W = B.H.S f .e = . 0 .H 2 .S f .e
2
2
Le thorme dampre appliqu le long dune ligne de champs dans notre inductance nous
B
B lf
B
donne : n.i = He.e + Hf .lf =
.e +
.
.e
0
0 r 0
Nous obtenons alors :
1
n 2 .i 2
1
W = . 0 .
.S f .e = L.i 2
2
2
2
e
do
L=
n2. 0 .S f
= n2 . A L
e
o A L reprsente le facteur d'inductance du circuit magntique, qui ne dpend que de sa

gomtrie.
Dtermination de la puissance maximale stockable dans un circuit magntique donn,
choix dun circuit magntique :
1 2 1
1
.L.i = ..i = .n..i
2
2
2
.S b
1
.S b
.B m
Or = B.Sf et i =
, do Wm = .n.S f .B m .
=
.S f .S b
n.K b
2
n.K b 2.K b
Nous voyons alors apparatre le terme Sf .Sb reprsentatif du volume du circuit magntique.
Afin dtre sr de choisir le bon circuit magntique, il suffit de choisir un pot dans le produit
Sf .Sb sera lgrement suprieur celui ncessaire.
Par dfinition, W =
Calcul du nombre de spires et de la valeur de lentrefer.
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Le nombre de spires peut facilement tre dtermin partir de la surface bobinable du circuit
magntique retenu :
S .
Sb Sb
Nous avons vu : Kb =
=
, do n = b
i
K b .i
Sc
n.
Une fois le nombre de spire dtermin, le calcul de lentrefer est immdiat, partir de
n 2 . 0 .S f
n 2 . 0 .S f
lexpression de L : L =
e=
e
L
4 Exercice autocorrectif
On se propose de choisir et de dimensionner les lments de l'alimentation de type Foward
suivante :
vd
i1
Ls
i2
il
is
D
v3
v1
N1
v2
N1
Drl
vs
N2
ve=300V
vt
Dm
i3
Vs : 5v, Is : 20A,
Vs / Vs < 1% Frquence de dcoupage : f = 100kHz
On impose les hypothses de travail suivantes:

- < 0. 45 = M
- pour tenir compte des chutes de tension rsistives dans le transformateur et
l'inductance de lissage, on prendra une marge de calcul de 35% sur la tension de
sortie,
- le rendement de l'alimentation est estim 80%,
- le courant magntisant sera considr comme ngligeable tout comme le volume de
lenroulement de dmagntisation.
- londulation du courant dans linductance du filtre sera nglig : i L ( t ) = I L = IS
1/ Dimensionnement lectrique :
1-1 En tenant compte des hypothses prcdantes, tracer les forme donde pour une
priode de fonctionnement de v1, vl,vt,il,i1.
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1-2 A partir de lexpression de la tension Vs dmontre dans le cours, et en tenant

compte de la marge de tension de 35%,calculer le rapport de transformation m =
n2
.
n1
1-3 Dterminer :
- les valeurs moyenne et efficace de i1 , i 2 et i 3 .
- les valeurs maximales de Vt , VD , VDRL et VDm.
2/ Dimensionnement du transformateur
Nous allons utiliser des circuits magntiques de type RM, couramment nomm pot. Les
caractristiques de ces pots en ferrites sont donnes en annexe. Nous noterons la densit de
courant, K1 et K2 les coefficients de remplissage primaire et secondaire. Le principe du
dimensionnement sera le mme que celui retenu pour linductance, savoir :
- Dterminer la relation existant entre la puissance apparente du transformateur et le
produit (surface de bobinage * surface du circuit magntique) du pot.
- Choisir un pot adapter au transformateur raliser
Calculer le nombre de spires du transformateur.
2-1 Dtermination de lexpression de S :
- Sachant que lpaisseur de peau dans le cuivre, 100kHz, est de 0,2mm, et en retenant
comme valeur pour 4A/mm, dterminer la nature des conducteurs primaires et secondaires
(fil plein ou fil divis) ?
dans le matriau en fonction de :
- Exprimer le champs maximal B
- E la tension dalimentation
- F la frquence de fonctionnement
- n1 le nombre de spires au primaire du transformateur,
- SF la section effective du noyau du circuit magntique
- M le rapport cyclique maximal.
d
(on appliquera la relation u = n
au primaire du transformateur lors de sa
dt
magntisation)
- Dterminer alors lexpression de SF.
- Exprimer SB en fonction de n1, I1(valeur efficace de i1), , K1, K2.
- En dduire lexpression du produit caractristique SB.SF, exprim en fonction de
Pe, puissance absorbe en entre de lalimentation), puis en fonction de Ps, la
puissance en sortie de lalimentation.
2-2 Choix du circuit magntique:
- Calculer la valeur du produit SB.SF ncessaire pour la ralisation de notre
alimentation. Nous prendrons K1= 2, K2 = 5, BM = 0,15T (marge de scurit
importante pour viter de saturer le pot)
- Calculer le produit SB.SF pour les pots RM10 et RM14. Choisir le pot adapt.
- Calculer les valeurs de n1 et n2 .
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3/ INDUCTANCE LS
3-1 On suppose constante la tension Vs. Dterminer lexpression de l'ondulation I L de
di
I L en fonction de , E, m, f (appliquer U L = L S L entre 0 et T). Pour quelle valeur de estdt
elle maximale?
3-2 Afin dviter les discontinuits de courant dans linductance, on impose
k = I L / I s max < 10% .Calculer alors la valeur de linductance de filtrage.
3-3 En reprenant la mthodologie de dimensionnement dcrite dans le cours, choisir un
pot adapt la ralisation de linductance, puis calculer sont nombre de spire et lpaisseur de
lentrefer.
i
Remarque : i L max = IS + L
2
Application numrique :
- K', coefficient de remplissage = 2 5,
- ', densit de courant = 4A/mm,
- BM', induction maximale = 0 3T,
4 CONDENSATEUR CS
En utilisant l'expression de I L , dterminer lexpression de l'ondulation de la tension de
sortie, VS , en fonction de m, E, f, Ls, C, sachant que Vs =
permettant de respecter le cahier des charges.
23
I L
8. f . CS
. En dduire la valeur de Cs
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4.2
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Analyse fonctionnelle
et
structurelle
dune
alimentation
Remarque : Lanalyse dun schma industriel et la justification des solutions retenues,

notamment en lectronique de puissance, est particulirement complexe et ncessite de bonnes
connaissances technologiques. Si vous narrivez pas justifier la prsence et le rles de
certains composants, reportez-vous directement la correction.
Le schma lectrique de lalimentation utilise est donn en annexe. Il est possible de
raliser le dcoupage fonctionnel de cette alimentation de la faon suivante :
R s e au
Te ns ion
220 V
50 H z
Continue
Filtr e
Re dre ss e me nt
/
Filtra ge
D co upage
de
la te nsio n
continue
Transfe rt
d' ne rgie
ave c
iso lation
galv anique
Re dre ss e me nt
Prote ction
contre le s
Filtra ge
surte ns ions
Te nsion Continue
R gule r Isol e
M e sure
te nsio n
Controle du
ave c
d coupage
isola tion
galvanique
1/ Identifier sur le schma les diffrentes fonctions de lalimentation dcoupage. Encadrer

sur le schma lensemble des composants constituants ces fonctions.
2/ Pour chacun des blocs suivants, analyse le role des principaux composants le constituant.
- Bloc redressement / filtrage rseau.
Transfert d'nergie
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Bloc redressement / filtrage secondaire.
Bloc mesure tension avec isolation galvanique
Bloc dcoupage de la tension continue
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5 Correction exercices autocorrectifs.

1-1
v1
vt
2ve
Les formes dondes sont identiques

celle du cours, simplement le courant il est
constant et la forme du courant i1 peut tre
assimile un rectangle.
v1
ve
T
2 T
-ve
n2
ve-vs
n1
vl
il=constante
T
-vs
i1
1-2 Nous avons montr dans le cours Vs = m..E . Nous devons retenir pour le calcul
comme tension de sortie 5V+35%=6.75V.Cette tension devant tre obtenu pour le rapport
V + 35%
= 0,05
cyclique maximal de 0.45, le calcul de m est alors immdiat : m = S
M .E
1-3 Dans tous les cas, il prfrable de revenir aux dfinitions des valeurs moyennes et
efficaces pour raliser le calcul.
Calcul pour le courant i1 :
1 T
1 T
i1 = 0 i1 ( t ).dt = 0 m.Is.dt = m..Is
T
T
1 T 2
1 T
i 1eff =
i1 ( t ).dt =
(m.Is)2 .dt = m.Is.
0
0
T
T
Calcul pour le courant i 2 :
1 T
1 T
i 2 = 0 i 2 ( t ).dt = 0 Is.dt = .Is
T
T
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1 T 2
1 T
i 2 ( t ).dt =
(Is)2 .dt = Is.
0
T
T 0
Pour le courant i 3 , aucune donne ne permettent dvaluer sa valeur. Nanmoins, nous
i 2eff =
considrons lintensit i 3 ngligeable devant i1 et i 2 .

Application numrique :
i1 = M . m.I S 0 .45A
I1 = M .m.I S 0 .64 A
i 2 = M. I S 9A
I 2 = M .I S 14 A
2-1 Dtermination de lexpression de S :

- Nature des conducteurs :
Si ep=0.2mm, alors la surface maximale dun conducteur est de .e 2p = 0.125 mm . Le
courant efficace maximal par conducteur est donc de ..e 2p = 0.5A .
Cette valeur est lgrement infrieure I1, on peut nanmoins penser que lutilisation
dun fil plein est possible, par contre, il est manifestement ncessaire dutiliser du fil
divis pour le secondaire.
et de SF
- Expression de B
dB
. Or pendant la magntisation, la
Par dfinition, pendant la magntisation, E = n 1.S F .
dt
dB
B
= E..T .
=
B
croissance de linduction est linaire, do
dt .T
n1 .S F
On en tire alors lexpression de SF : S F =
SF =
E.
. Dans le cas le plus dfavorable,
.f
n 1.B
E. M
.f
n .B
1
- Expression de SB .
La surface totale du bobinage est la somme de la surface du primaire plus la surface du
secondaire.
I
Pour le primaire, .S B = n 1 1 K 1
.
I
Pour le secondaire, .S B = n 2 2 K 2
.
I
Or n1.I1 = n 2 .I 2 , do S B = n 1 1 ( K 1 + K 2 )
.
- Expression de SB.SF.
I
E. M
S B .SF = 1 ( K 1 + K 2 ).
.f
.
.B
Afin de faire apparatre la puissance de sortie de lalimentation, nous allons exprimer
SB.SF en fonction de la puissance absorbe (not Pe), puis nous exprimerons Pe en
fonction de Ps.
30
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Pe =
Par dfinition,
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1 T
1 T
1 T
v e ( t ).i e ( t ).dt = 0 E.i e ( t ).dt = E. 0 i e (t ).dt = E.i1 ,
0
T
T
T
or
i 1 = .I1 , do Pe = E.I1. . Si lon reporte dans lexpression de SB.SF, on obtient :

S F .S B =
Or Pe =
Pe M
f ..B M
Ps
( K1 + K 2 ) .
, do S F .S B =
PS M
.f ..B M
2-2 Choix du circuit magntique:
(K 1 + K 2 )
- Application numrique.
Lapplication numrique ne pose pas de problmes si lon pense convertir la densit
de courant de A/mm A/m :
P M
S F .S B = S
(K1 + K 2 )
.f ..B M
S F .S B =
(5 .20 ).
0.45
(2 + 5 )
0,8.1e5.4e6.0,15
S F .S B = 0,98.10 8 m 4 = 9800 mm 4
-
Choix du pot :
RM10 : SF .SB = 95 * 42 = 3990mm 4

RM14 : SF .SB = 190 *106 = 20140mm4
Nous retiendrons donc le pot de type RM14, qui est manifestement surdimensionn.
Cela se traduira, soit par une fentre de bobinage trop grande et donc sous utilise, soit
par une section de circuit magntique trop grande et donc une induction dans le pot
infrieur 0.15T. Par principe, nous utiliserons le pot 0.15T, et nous ne remplirons pas
la fentre de bobinage de cuivre, ce qui est conomiquement plus intressant que de
diminuer le champ dinduction magntique.
- Calcul de n1 et n2 .
= E..T 0 .15 .
: B
Le calcul de n1 peut se faire partir de lexpression de B
n 1.S F
E..T 300 .0,45.1e 5
On en dduit n 1 =
= 47.36 et n 2 = m.n1 2.36 .

.S
0,15.190e 6
B
F
Nous retiendrons donc 60 spires au primaire, 3 spires au secondaire.
3-1 De 0 T, U L = V2 Vs = m.E m..E = mE(1 ) = C te
La tension UL tant constante, au peut remplacer lexpression de la drive du courant par le
di
i
i
rapport de la variation du courant sur le temps, soit L = L = L .
dt
t
.T
i L
m.E.(1 ).
On en dduit alors : U L = m.E.(1 ) = L S .
do i L =
.T
f .Ls
Cette expression est maximale pour =0.5, nous retiendrons donc comme cas le plus
dfavorable =M.
31
Lyce Louis ARMAND
: 01 45 14 28 28
: 01 48 73 63 15
3-2 si I L = I s max *10% = 2A , alors L s =
m.E
. M (1 M ) = 18 .5H
i L .f
3-3
-
Expression de SF :
= L .i
Max = n.S F .B
S L max
L S 1 +
i
k
2
or i max = I S + L = I S 1 + S F =
.I S
2
2
nB
Expression de SB : S B = K.n
IS
L S 1 +
I
2
.IS = 1,62.10 8 m 4 = 16200 mm 4

Expression de SB SF : S F .S B = K.n S .
n.B M
Choix du pot : RM 14
S .
Nombre de spires : n = b = 8 spires
K b .i
Entrefer : e =
n 2 . 0 .S f 8. 4..10 7.190 .10 6

=
= 0,8.10 3 m
6
L
18,5.10
4 Il suffit de remplacer I L par son expression

Vs =
Vs =
I L
m. E
=
. (1 ) , do la valeur de Cs=50F.
2
8. f . C S 8. f . Ls . C S
32
I L
. On obtient alors
8. f . CS
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5.2 Analyse fonctionnelle et

structurelle
33
dune
alimentation
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: 01 45 14 28 28
: 01 48 73 63 15
2 (A partir de la documentation constructeur)

-
Bloc redressement / filtrage rseau.
La rsistance R2 limite l'appel de courant d la charge des condensateurs lors de la

mise sous tension.
GZI : ecrteur de puissance de type vahstance oxyde mtallique (Mtal Oxyde
Vahstor, MOV). Protge l'alimentation contre les surtensions suprieures 275 V
provenant de l'extrieur.
Les perturbations mises ou reues sont fitres par les condensateurs C8, C11, C12 et
les inductances L2 (L2 est un composant utilis en tlvision).
Les condensateurs C13 et C14 servent de rservoir dnergie.
-
Transfert d'nergie
Le circuit RCD aux bornes de l'enroulement primaire protge le transistor en limitant

l'excursion en tension due la self de fuite du transformateur lorsque le transistor se
bloque.
En effet, le couplage entre les deux enroulements de linductance ntant pas
parfait, il existe une petite inductance de fuite primaire reprsentative du flux vu par
lenroulement primaire qui nest pas vu par lenroulement secondaire. La part de
courant magntisant correspondant ce flux ne peut donc tre transfr lenroulement
secondaire lors du blocage du transistor. Il apparat alors aux bornes de cette inductance
di
de fuite une surtension l f .
dt
- Bloc redressement / filtrage secondaire.
R6 et C10 permettent de ralentir la monte en tension aux bornes de la diode lors du
blocage du transistor.
Les condensateurs de sortie C4, C5, C6, C7, doivent maintenir la tension de sortie
dans une plage de tolrance spcifie pendant le temps de conduction du transistor.
La protection contre les surtensions d'origine externe est ralise par le systme
CROW-BAR : le thyristor TY1 @YN610de THOMSON) est command par une diode
zener de prcision qui est passante pour une tension suprieure 30 V.
L1 est une self de lissage des pointes de courant.
La rsistance R4 est calcule de telle sorte que l'alimentation consomme un courant
minimal de 50 mA, afin de maintenir le dcoupage en permanence.
La sortie est filtre en hautes frquences par C1, C2 et C3.
Pour viter les mauvaises circulations de courant lors d'une mise en srie
d'alimentations, nous mettons une diode D2.
Pour signaler la prsence de tension au secondaire nous ajoutons une diode
lectroluminescente D1 dont l'adaptation est ralise par R1.
34
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- Bloc mesure tension avec isolation galvanique

Le retour d'information s'effectue par l'intermdiaire d'un photocoupleur NAI de type
CNYI7 III qui assure l'isolation entre primaire et secondaire. Ce circuit fonctionne en
mode linaire. La broche 2 de ce circuit est mise un potentiel de rfrence par
l'utilisation de la diode D4, zener programmable MOTOROLA TL431 trie + 2,5 %,
renomme TYA0301 par le fabricant.
- Bloc dcoupage de la tension continue
Le transistor de dcoupage TR4 est donc un BUS48AP (MOTOROLA). Il est maintenu
en quasi-saturation pendant toute la phase de conduction grce la diode D13 qui
vacue le surplus de courant de base :
- l'allumage il reoit une impulsion d'environ 1A car la diode D12 et le condensateur
C21 se comportent pendant un court instant comme un court-circuit. C21 se charge et
le courant de base passe par R27.
- l'extinction C21 cre par lintermdiaire du transistor TR3 (PNP) un Vbe ngatif sur
TR4 et en amliore ainsi le blocage.
Le circuit d'aide la commutation R29, C23, Dl 5 retarde lors de l'extinction de TR4 la
monte en tension par rapport la descente en courant.
Les rsistances R25 et R26 servent de prise de tension pour la dtection d'un courtcircuit au secondaire, le courant les traversant tant une image du courant
secondaire.
35

Alimentation À Découpage

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Jean-Yves LE CHENADEC

Lyce Louis ARMAND

Etude, choix et dimensionnement des alimentations dcoupage

Principales lois de llectromagntisme

3.1.2 Les principales technologies

3.2 Les matriaux magntiques

3.2.3 Les matriaux magntiques dans les alimentations dcoupage

Lutilisation dune association hacheur + filtre + rgulation permet donc damliorer

Nous allons rencontrer, et donc tudier, trois grandes familles dalimentations

2 Principe de fonctionnement des alimentations dcoupage.

Lalimentation de type Flyback

Si la valeur du condensateur est bien

Pour transformer un tel hacheur en alimentation

Etude des formes donde :

La diode D est passante, la relation dHopkinson nous donne alors :

Les formes dondes sont alors les suivantes :

deux enroulements ne sont pas

F Le calcul de valeur de la tension de sortie

en fonction de n1, n2, et Ve est immdiat, si

aux bornes dune inductance, en rgime

Lnergie tant stocke dans linductance couple et dans le condensateur de sortie,

2.2 Alimentation dcoupage conduction directe (FORWARD)

Le transformateur est plac en srie avec linterrupteur statique du hacheur, la diode de

Etude des formes donde :

a croissance linaire du courant dans linductance sous la tension v 2 Vs

Etude t [T, T] (Interrupteur ouvert)

Le calcul de valeur de la tension de sortie en fonction de n1, n2, et Ve est rapide si

Le principe de dmagntisation par un troisime enroulement nest pas le seul possible.

2.3 Alimentation dcoupage symtrique, montage PUSH PULL.

Nous allons tudier qualitativement le fonctionnement de cette alimentation dans ces

Les transistors T1 et T4 sont commands, V1=Ve, il y a croissance du flux dans le

En calculant la valeur moyenne de la tension Vp, on dmontre facilement la

On rencontre galement parfois des alimentations dcoupage travaillant dans

3 Les composants passifs dans les alimentations dcoupage.

3.1 Les condensateurs.

Deux conducteurs spars par un isolant constituent un condensateur. La valeur de ce

F La valeur de capacit tant directement proportionnelle

nous rechercherons utiliser des isolants forte constante dilectrique.

Paramtres caractristiques dun dielectrique, et donc dun condensateur :

Les principaux paramtres dun dilectrique sont les suivants :

F La permittivit relative du dilectrique:

limiter la tension maximale d'utilisation: U max = k. e . Ce paramtre est directement li au

Stabilit du dilectrique vis vis:

C est la valeur du condensateur idal.

Il est alors possible de tracer la caractristique de limpdance en fonction de la frquence,

Les principales technologies

Elles dpendent de la nature du dilectrique utilis.

FCondensateurs films mtalliss

F Principales caractristiques (source SPRAG)

100 125 150 175 200

%Capacitance change / Temperature in C

100 125 150 175 200

% Dissipation Factor (0.1F) /

% Dissipation Factor / Frequency in kHz

100 125 150 175 200

Typical Insulation Resistance in Meghoms

3.1.3.2 Condensateurs dilectrique chimique.

1. Anode : feuille d'aluminium

4. Cathode : feuille d'aluminium

Les constructeurs lheure

Les condensateurs dans les alimentations dcoupage.

3.2 Les matriaux magntiques

Les matriaux utiliss en lectrotechnique et en lectronique de puissance