Electronique Numrique par A.

OUMNAD

Electronique Fondamentale
A. Oumnad
aoumnad@menara.ma

Electronique Numrique par A. OUMNAD

SOMMAIRE

I.

Notions gnrales...................................................................................................................4
I.1
Loi d'Ohm ............................................................................................................................4
I.2
Puissance..............................................................................................................................4
I.3
Les rsistances ..................................................................................................................5
I.3.1 Code de couleur 4 bandes ..........................................................................................5
I.3.2 Code de couleur 5 bandes ..........................................................................................5
I.4
Association de rsistances..............................................................................................6
I.5
La masse...............................................................................................................................6
I.6
Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs .............................................................7
I.7
Diviseur de tension............................................................................................................7
I.8
Les condensateurs.............................................................................................................8
I.8.1 Charge et dcharge d'un condensateur.....................................................................8
I.8.2 Association de Condensateur .......................................................................................9
II.
Les Conducteurs et les semi-conducteurs...................................................................... 10
II.1 Les semi-conducteurs ..................................................................................................... 10
II.2 Agitation thermique .........................................................................................................11
II.3 Bande de Valence..............................................................................................................11
II.4 Bande de conduction ........................................................................................................11
II.5 Les conducteurs ................................................................................................................11
II.6 Les Isolants .......................................................................................................................11
II.7 Les semi-conducteurs intrinsques ............................................................................. 12
II.8 semi-conducteurs extrinsques ................................................................................... 12
II.8.1 Semi-conducteurs extrinsques de type N............................................................. 12
II.8.2 Semi-conducteurs extrinsques de type P.............................................................. 13
III. La jonction PN ....................................................................................................................... 13
III.1 Polarisation de la jonction PN ....................................................................................... 14
III.2 Caractristique de la diode ........................................................................................... 14
III.3 Diode Zener ...................................................................................................................... 15
III.3.1
Stabilisation par diode Zener ............................................................................ 16
III.4 Redressement des tensions (courants) alternatifs................................................. 17
III.4.1
Redressement simple (mono) alternance ......................................................... 17
III.4.2
Redressement double alternance ...................................................................... 18
III.4.3
Filtrage par condensateur en tte.................................................................... 19
IV.
Transistor jonction ou transistor bipolaire ............................................................... 22
IV.1 Principe de fonctionnement : effet transistor........................................................ 22
IV.2 Rseau de caractristique du transistor .................................................................. 23
IV.3 Polarisation du transistor ............................................................................................. 24
IV.3.1 Polarisation par une rsistance de base ................................................................. 24

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IV.3.2 Polarisation par pont.................................................................................................... 25

IV.4 L'opration d'amplification .......................................................................................... 27
IV.4.1 Grandeurs caractristiques d'un amplificateur.................................................... 27
IV.5 Transistor bipolaire en amplification......................................................................... 28
IV.5.1 Schma quivalent du transistor pour les petits signaux................................... 29
IV.5.2 Schma quivalent simplifi ...................................................................................... 30
IV.6 Montage metteur commun (EC) ..................................................................................31
IV.6.2 Impdance d'entre .................................................................................................... 33
IV.6.3 Impdance de sortie.................................................................................................... 33
IV.7 Montage collecteur commun (CC)................................................................................ 33
IV.7.1 Gain en tension.............................................................................................................. 33
IV.7.2 Impdance d'entre .................................................................................................... 34
IV.7.3 Impdance de sortie.................................................................................................... 34
V.
LAmplificateur Oprationnel ........................................................................................... 36
V.1
Dfinition.......................................................................................................................... 36
V.2 Approximation ................................................................................................................. 36
V.3 Montage INVERSUR ...................................................................................................... 37
V.4 Montage NON-INVERSUR........................................................................................... 37
V.5 Montage SUIVEUR......................................................................................................... 37
V.6 Montage SOMMATEUR - INVERSUR ....................................................................... 38
V.7 Montage SOMMATEUR NON-INVERSUR.............................................................. 38
V.8 Amplificateur diffrentiel ........................................................................................... 38
V.9 Montage intgrateur...................................................................................................... 39
V.10 Montage drivateur........................................................................................................ 39
V.11 Convertisseur courant tension..................................................................................... 39

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I.

NOTIONS GENERALES

I.1 Loi d'Ohm

Si on applique une tension (pression) U aux bornes d'une rsistance R, il en
rsulte la circulation d'un courant I li aux deux grandeurs prcdentes par la
relation :

U = R I .
U : en Volt (V)
R : en Ohm ()
I : en Ampre (A)
I
U = Va - Vb
+
U

Fig. I-1 : convention de dessin

I.2 Puissance
Un composant ayant une tension U ses bornes et qui est travers par un
courant I dissipe une puissance P (en gnral par effet joule = chauffement) telle
que :

P = U I .
P est la quantit d'nergie dissipe pendant l'unit de temps (joule/seconde),
elle est exprime en Watt (W)
Dans le cas d'une rsistance, si on applique la loi d'ohm on obtient :

P = UI = RI 2 = U
R

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I.3 Les rsistances

Les rsistances sont les lments les plus utiliss en lectronique. Leur fonction
est de s'opposer au passage du courant, la loi d'ohm donne la relation entre la
tension, la rsistance du circuit et le courant. L'unit de mesure des rsistances
est l'Ohm.
Les rsistances vendues dans le commerce sont marques avec un code de
couleur qui permet de reconnatre leurs valeurs. Les systmes les plus utiliss sont
le systme 4 anneaux et le systme 5 annaux.
I.3.1 Code de couleur 4 bandes

nombre de zros tolrance

chiffres significatifs
Fig. I-2 : code de couleur 4 anneaux

La lecture se fait de gauche droite partir de

l'extrmit ou sont groups les anneaux. Les deux
premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres
significatifs. Le troisime anneau indique le nombre de
zros. Le quatrime anneau indique la tolrance :
Or = 5%, Argent = 10 %

Noir

Maron

Rouge

Orange

jaune

Vert

Bleu

Violet

Gris

Blanc

tab. I-1 : code de couleurs

Ainsi une rsistance marque : V B R Or a une valeur de : 56 00 5% = 5.6 k

I.3.2 Code de couleur 5 bandes

nombre de zros tolrance

chiffres significatifs
Fig. I-3 : code de couleur 5 bandes

Les trois premiers anneaux indiquent la valeur des chiffres significatifs. Le

quatrime anneau indique le nombre de zros. Le cinquime anneau indique la
tolrance :
Rouge = 2%, Or = 5%, Argent = 10 %
Ainsi une rsistance marque : J Vi Ve R Or a une valeur de : 47500 5%

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I.4 Association de rsistances

Les rsistances peuvent tre associes soit en srie soit en parallle
Srie
R2

R1

R = R1 + R2

R1
Parallle
R=

R1 R2
R1 + R2

R2
Fig. I-4 : association de rsistances

I.5 La masse
Quand on parle de tension, il s'agit d'une diffrence de potentiel entre deux
points d'un circuit. Ainsi, dans la figure ci-dessous, on a :
V1 = VA - VB
V2 = VB VC
V3 = VC - VD
U = VA - VD
En lectronique, on a l'habitude de considrer un point du circuit comme
rfrence de tension (tension zro) qu'on apple la masse. Les tensions aux
diffrent point du circuit seront calcules par rapport ce point. En gnral, on
prend pour masse la borne ngative de l'alimentation. Ainsi sur la figure ci-dessous,
c'est le point D qui constitue la masse, on a donc VD = 0 zt on a :
- Tension au point A = VA VD = VA
- Tension au point B = VB VD = VB
- Tension au point C = VC VD = VC
-...
V1
A

V2

+
U

V2
masse
D
Fig. I-5 : rpartition des tensions dans un circuit

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I.6 Les tensions s'ajoutent comme des vecteurs

Le schma de la figure (Fig. I-5) peut tre
redessin comme suit et on constate d'une
manire visuelle simple que U = V1 + V2 + V3
Or :
V1 = R1 I1
V2 = R2 I1
V3 = R3 I2 = R4 I3

A
I1
R1
V1
B
+
U

Il en rsulte que :

R2
V2

C
I3

I2

U = R1 I1 + R2 I1 + R3 I2
ou
U = R1 I1 + R2 I1 + R4 I3

V3
R3

R4

masse

Fig. I-6 : rpartition des tensions

I.7 Diviseur de tension

Il est toujours possible de calculer la tension en un point d'un circuit en
utilisant correctement la loi d'Ohm et les rgles d'association des rsistances.
Mais l'utilisation de quelques rgle simples peut faciliter les calculs.
R1

+
U
-

R1

R2

R1

R2

U1
U2

U2
-

R2
R1
V=
U +
U
R1 + R2 1 R1 + R2 2
Fig. I-7 : Diviseurs de potentiel

+
-

R2
V=
U
R1 + R2

R3

+
U1

R2

U3

1U + 1U + 1U
R1 1 R2 2 R3 3
V=
1 + 1 + 1
R1 R2 R3

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I.8 Les condensateurs

Un condensateur est un composant constitu de deux armatures
mtalliques spares par un isolant appel dilectrique. Pour
C
simplifier, on peut considrer le condensateur comme un rservoir qui
peut emmagasiner des lectrons. Comme tout rservoir, il a un volume
Fig. I-8 :
condensateur
d'emmagasinage qu'on appelle CAPACITE qu'on dsigne par la lettre
C et qui se mesure en Farad. Les valeurs qu'on trouve dans le commerce vont de
quelques picofarads (pF : pico = 10-12) quelques milliers de
+
microfarad (F : micro = 10-6). A partir de quelques F, la
technologie de fabrication devient lectrochimique, les
condensateurs sont alors polariss, ils ont une borne (+) et une Fig. I-9 : condensateurs
polariss
borne (-) et se comporte un peur comme une pile rechargeable
qu'il ne faut surtout pas charger dans le sens inverse.
Les condensateurs jouent des rles trs divers dans les montages lectroniques.
Une configuration trs souvent rencontre est la charge et dcharge travers une
rsistance sous l'effet d'un gnrateur de tension constante.
I.8.1 Charge et dcharge d'un condensateur
K1
Considrons
le
R
montage de Fig. I-10, ds
qu'on
ferme
K2
Vc
C
l'interrupteur
K1,
la E
capacit commence se
charger. Le courant de
Fig. I-10 : charge et dcharge d'un condensateur
charge est d'abord trs
fort, puis il dcrot rapidement, en mme
temps la tension Vc aux bornes du
E
condensateur croit rapidement au dbut et
Vc
ralentit ensuite. Quand la tension Vc est
gale la tension E du gnrateur, la charge
I
s'arrte, Vc n'augmente plus et le courant de
t
charge s'annule, on obtient les variations
Fig. I-11 : charge d'un condensateur
illustres sur Fig. I-11. L'expression de la
tension aux bornes du condensateur est donne par :
- t

VC = E 1 - e RC

On ouvre maintenant l'interrupteur K1, Le condensateur conserve sa charge et

la tension ses bornes reste constante.
Si maintenant on ferme l'interrupteur K2, Le condensateur se dcharge
travers R d'une faon similaire sa charge, au dbut la dcharge est rapide,
ensuite elle ralentit jusqu' ce que le condensateur soit compltement dcharg

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c..d Vc = 0. L'allure de la tension Vc est

illustre sur Fig. I-12. L'quation de sa variation E
est donne par :
- t

VC = E e RC

Vc

D'une manire gnrale, l'quation d'une

charge ou d'une dcharge d'une capacit C
travers une rsistance R est donne par
l'expression :

t
Fig. I-12 : dcharge d'un condensateur

V(t) = V - (V - V0 ) e RC
- t

I.8.2 Association de Condensateur

Les Condensateurs peuvent tre associes soit en srie soit en parallle

C1
Parallle
C = C1 + C2
C2

Srie
C1

C2

C=

C1 C2
C1 + C2

Fig. I-13 : association de condensateurs

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II.

10

LES CONDUCTEURS ET LES SEMI-CONDUCTEURS

Il n'est pas ncessaire de connatre en dtail le principe de fonctionnement

(interne) des composants comme la diode et le transistor pour savoir s'en servir
correctement. Nous allons quand mme donner (pour ceux qui dsirent en savoir un
peu plus) quelques principes sans nous aventurer aligner les quations trop
complexes de la physique du solide.
II.1 Les semi-conducteurs
Les semi-conducteurs doivent leur nom au fait que leur
conductivit (rsistivit) est intermdiaire entre celle des
conducteurs comme les mtaux et celle des isolants. En fait, la
diffrence la plus caractristique rside dans le sens de la
variation de la conductivit avec la temprature. Alors que la
rsistance d'un fil mtallique augmente avec la temprature, Fig. II-1 : structure d'un
SC
celle d'un semi-conducteur diminue.
Les semi-conducteurs les plus utiliss sont le
silicium et le germanium qui sont des lments
tetravalents qui appartiennent la quatrime colonne
de la classification priodique des lments. Leurs
atomes comportent quatre lectrons (de valence) sur
la couche priphrique (couche de valence). Ces
lments cristallisent dans un systme cubique, avec
sur chaque cube lmentaire, un atome chaque
sommet, un atome au centre de chaque face et 6
atomes l'intrieur. Avec cette structure, chaque Fig. II-2 : reprsentation des liaisons de
valence dans un cristal de SC
atome se trouve au centre d'un ttradre rgulier
dans les quatre atomes voisins occupent les sommets (Fig. II-1).
On sait qu'une couche lectronique est particulirement stable quand elle a 8
lectrons; les semi-conducteurs ralisent cette situation en mettant en commun
chaque lectron de la couche de valence par deux atomes voisins, la figure Fig.
II-2 illustre un exemple simplifi de ce cette situation. Cette figure n'est qu'une
reprsentation commode, car, en ralit, un atome et ses 4 voisins ne sont pas
situs sur le mme plan. Cette reprsentation n'est d'ailleurs pas trs bonne bien
qu'elle soit largement utilise. En effet, les lectrons
gravitent autour du noyau atomique comme les
satellites gravitent autour de la terre. La stabilit de
leur orbite rsulte de l'quilibre entre la force
d'attraction lectrostatique exerce par le noyau la
force centrifuge due leur rotation. Quand on dit que
deux atomes voisins mettent en commun un lectron
chacun, cela signifie que ces deux lectrons gravitent
sur une orbite qui entoure les deux noyaux (Fig. II-3). Fig. II-3 : reprsentation des orbites
des lectrons de valences

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II.2 Agitation thermique

Les particules qui constituent la matire sont en perptuel mouvement. Les
lectrons tournent autour des noyaux, et ceux-ci, bien que figs dans le cristal,
vibrent autour de leurs positions moyennes. Ces mouvements s'appellent l'agitation
thermique dont l'ampleur augmente avec la temprature, et sarrette compltement
au zro absolu (-273 C).
II.3 Bande de Valence
Nous avons vu comment les lectrons de la dernire couche taient coups
assurer la liaison de valence avec les atomes voisins, c'est pour a qu'on les appelle
les lectrons de valence. Leur niveau d'nergie se situe entre des limites qui
constituent une bande d'nergie dite bande de Valence.
II.4 Bande de conduction
Si un lectron reoit une nergie suffisante par chauffement ou par
rayonnement, il peut quitter son orbite et devenir libre dans le rseau cristallin
d'une faon analogue un satellite auquel on communique une nergie suffisante
pour le librer de l'attraction terrestre. Les lectrons libres ont leur nergie qui
se situe dans une bande d'nergie dite bande de conduction, car, tants libres, ils
peuvent participer la conduction d'un courant lectrique si un champ est appliqu
au semi-conducteur.

II.5 Les conducteurs

Dans les conducteurs, la bande de valence et la bande de conduction se
chevauchent, il n'a pas de gap entre les deux. Un lectron n'a aucun mal de quitter
son atome pour aller "vagabonder" dans le rseau cristallin, on dit qu'il passe dans
la bande de conduction. L'nergie d'agitation thermique la temprature ambiante
fait que chaque atome libre au moins un lectron qui voyage librement dans le
cristal et on se retrouve avec un nombre extrmement de porteurs libres qui, ds
qu'on cre un champ lectrique au sein du conducteur l'aide d'un gnrateur, vont
tre attirs par la borne positive de ce dernier crant un courant lectrique
important.
II.6 Les Isolants
Les isolant sont caractriss par une bande interdite trs importante sparant
la bande de valence de la bande de conduction. Ce qui veut dire qu'il faut beaucoup
trop d'nergie pour arracher un lectron de sa liaison de valence. Le rsultat est
qu'on ne trouve aucun lectron libre dans le cristal et mme si on applique un champ
lectrique, aucun courant n'en rsulte.

11

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12

II.7 Les semi-conducteurs intrinsques

Dans ces semi-conducteurs idalement purs, il y a autant de trous que
d'lectrons libres car les premiers apparaissent lors de la formation des seconds,
on dit qu'il y a cration d'une paire lectron-trou. Le nombre d'lectrons est not
ni. Si on applique un champ au sein du semi-conducteur en connectant un gnrateur
de tension ses bornes, il circule un courant qui rsulte du dplacement des deux
type de conducteurs, les lectrons libre vers le ple (+) du gnrateur et les trous
vers le ple (-) du gnrateur. L'expression de la conductivit est : i = ni e (n + p).
n est la mobilit des lectrons libres et p est la mobilit des trous. Pour le silicium
n = 0.13 m2/Vs et p = 0.05 m2/Vs ce qui donne une conductivit i = 1.6 1016 1.6

1019(0.13 + 0.05) = 0.46 10-3 (m)-1 soit une rsistivit i= 1/i = 2200m.
Quand la temprature augmente, la croissance de ni est trs importante ce qui

provoque une augmentation importante de la conductivit et donc du courant

lectrique.
II.8 semi-conducteurs extrinsques
Ce sont des semi-conducteurs intrinsques dans lesquels on a introduit des
atomes trangers qu'on appelle impurets ce qui va modifier compltement leurs
caractristiques lectriques. Cette opration d'injections d'impurets s'appelle
dopage d'un semi-conducteur.

II.8.1 Semi-conducteurs extrinsques de type N

C'est le cas o les atomes trangers sont lectron

pentavalents (antimoines, phosphore, arsenic) c.a.d. qu'il libre
Si
ont 5 lectrons sur la couche priphrique (de valence).
Parmi ces 5 lectrons, 4 vont tre mis en commun avec
les atomes voisins pour assurer les liaisons de valence, le
Si
P
Si
me
5
, rest libre, peut ce dplacer et participer la
conduction. On dit que les impurets utiliss sont des
donneurs (d'lectrons). Bien que l'lectron devenu libre
Si
laisse un ion positif derrire lui, celui ci (constitu de
l'atome donneur) a 8 lectrons sur sa couche de Fig. II-4 : dopage par atome donneur
valence, il n'a pas tendance capter l'lectron d'un atome voisin, ce n'est
donc pas un trou (porteur) car il ne participera pas au courant de trous (par le
mcanisme de dplacement de trou qui lieu chaque fois qu'un atome ionis
comportant un trou capte un lectron de l'atome voisin pour complter sa dernire
couche).
Le dopage par des atomes donneurs va donc favoriser la conduction par
lectrons libres au dtriment de la conduction par trous. On dit que les lectrons
constituent les porteurs majoritaires. Comme il sont porteurs de charge
ngatives, le semi-conducteur extrinsque est dit de type N.

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II.8.2 Semi-conducteurs extrinsques de type P

Ici, les atomes d'impuret sont des accepteurs

(bore, aluminium, gallium, indium), ils ont seulement trois manque un
Si
lectron
lectrons sur la couche de valence. Si on les introduit
dans un cristal intrinsque, ils mettent en commun leurs
3 lectrons avec les 4 atomes du semi-conducteur qui les
In
Si
Si
entourent pour former les liaisons de valence. Ils se
trouvent la fin avec 7 (3+4) lectrons sur la couche de
valence, cette configuration est instable et aura
Si
tendance capter un lectron d'un atome voisin pour
Fig. II-5 : dopage par atome
complter sa couche 8 lectrons. Ds que cet lectron
accepteur
est capt, l'atome Accepteur devient un ion ngatif et
introduit un trou dans le cristal qui va participer la conduction par trou. Aucun
lectron libre n'a t cre lors de la formation du trou, les trous sont donc
beaucoup plus nombreux que les lectrons, ils constituent les porteurs majoritaires
et le semi-conducteur est de type P.
III.

LA JONCTION PN

P
N
Si on place l'un contre l'autre deux
cristaux semi-conducteurs, un de type P et
l'autre de type N, au voisinage de la
jonction ainsi effectue,
le lectrons
majoritaire du cot N vont diffuser vers le
cot P et trous majoritaires du ct P vont
P
N
diffuser vers le ct N. Les lectrons
passs du cot P vont se recombiner avec
Ei
les trous abondants de ce ct, et les trous
passs du ct N vont se recombiner avec
Fig. III-1 : Jonction PN
les lectrons abondants de ce cot. Il se
cre alors une rgion sans porteurs o il n'y a plus que des ions positifs du cot N
et des ions ngatifs du cot P. Cette rgion dite, zone de charge d'espace ou
zone dpeuple n'est plus neutre lectriquement. De part et d'autre de la jonction,
il existe une double rpartition des charges assez semblable celle que l'on trouve
sur les armatures d'un condensateur, les charges positifs d'un ct, les ngatifs de
l'autre. Il se cre alors un champ lectrique interne Ei orient de N vers P qui va
s'opposer la diffusion des porteurs de part et d'autre de la jonction. En effet, si
un lectron arrive dans la zone dpeuple, il sera rappel par le champ vers la zone
d'o il vient. De la mme faon, les trous qui arrivent dans cette zone sont
renvoys par le champ dans la zone P d'o ils sont venus. Si on reprend le
phnomne depuis le dbut, au fur et mesure que les porteurs diffusent de part
et d'autre de la jonction, les charges d'espace (+) et (-) augmentent et le champ
augmente avec elles. Plus le champ augmente, plus la diffusion des porteurs est
freine, on dit qu'il y a cration d'une barrire de potentiel qui empche les

13

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14

porteurs de traverser la jonction. Il arrive un moment o il s'tablit un quilibre

statistique, tout se passe comme si aucun lectron n'arrive diffuser du cot P et
aucun trou n'arrive diffuser du cot N, les charge (+) et (-) de chaque ct de la
jonction cessent d'augmenter et le champ aussi.
III.1 Polarisation de la jonction PN
On dit qu'une jonction PN est polarise en directe
P
Ei N
lorsqu'on relie l'extrmit P au ple (+) et l'extrmit N au
Eext
ple (-) d'un gnrateur de tension (Fig. III-2). Le champs
U
externe Eext cre par ce gnrateur au sein de la jonction
s'oppose au champ interne Ei. Tant que la tension U du
Fig. III-2 : jonction PN
gnrateur reste infrieure un certain seuil, Eext reste
polarise en directe
infrieur Ei, et les porteur ne peuvent toujours pas
traverser la jonction, il n'y a donc pas de courant. Si la tension du gnrateur
devient suprieure au seuil, Eext devient suprieur Ei, le champ rsultant dans la
jonction est maintenant orient de P cers N et va donc favoriser la diffusion des
lectron de N vers P et des trous de P vers N. Il se cre alors un courant
lectrique important de P vers N au sein de la jonction (de N vers P dans le circuit
extrieur). On dit que la diode est passante. Le seuil de tension partir duquel la
diode devient passante est d'environ 0.2V pour le germanium et 0.65V pour le
silicium.
P
Ei N
On dit qu'une jonction est polarise en sens inverse
Lorsque le potentiel de son extrmit N est suprieur celui
Eext
de son extrmit P (Fig. III-3). L'action du champ Eext crs
U
par le gnrateur externe d'ajoute celle de champ interne
Ei , les porteurs majoritaire sont repousss encore un peu Fig. III-3 : jonction PN
polarise en inverse
plus loin de la jonction ce qui augmente la largeur de la zone
dpeuple. Aucun courant important ne circule dans la jonction, on dit qu'elle est
bloque. Le seul courant qui arrive a passer est celui cr par les porteur
minoritaires dont la diffusion est encourage par le champ. Ce courant reste
cependant trs faible, si bien qu'on peut considrer qu'une jonction PN polarise en
inverse correspond une rsistance trs leve ou mme un circuit ouvert.
III.2 Caractristique de la diode
Une diode est un composant lectronique obtenu en
recouvrant une jonction PN par une couche protectrice
en plastique afin d'en faciliter sa manipulation. (Fig.
III-4)
Quand la diode est polarise en direct, si on note VD
la tension applique ses bornes, alors elle est
traverse par un courant ID t.q:

P N

Anode

Cathode
Fig. III-4 : diode

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VD
I D = I o e 1

avec =

15

kT
q

k est la constante de Boltzmann, T

est la temprature absolue et q est la

I D (mA)
80
70

60
charge de l'lectron. A la temprature
50
ambiante (T=300 K), = 26 mV.
40
Io est le courant inverse de la diode,
30
il ne dpend pas de la tension de
20
10
polarisation, mais dpend fortement de
VD (V)
la temprature. A la temprature
0.2
0.4
0.6
0.8
25 C
ambiante (25 C), sa valeur ne dpasse
gure le nA, 125 C, sa valeur est
125C
Fig. III-5 : caractristique de la diode
multiplie par 16000. Sur la figure (Fig.
III-5) lchelle de la tension et du courant nest pas la mme dans le sens directe
et le sens inverse.

III.3 Diode Zener

I D (mA)

Lorsque la diode est polarise

80
en inverse, le courant inverse qui
70
la traverse est quasiment nul. On
Vz
60
ne peut cependant pas augmenter
50
Iz
indfiniment la tension inverse aux
40
30
bornes dune diode. Lorsque cette
20
tension atteint une certaine
10
Vz
valeur, le champ lectrique qui
VD (V)
rgne dans la jonction devient
0.2 0.4 0.6 0.8
10
suffisamment lev pour ioniser
20
les atomes en leur arrachant les
30
40
lectrons
de
valence
qui
50
deviennent libres et gnrent un
60
courant inverse trs important. On
70
dit quil y a un effet davalanche ou
80
quil y a claquage de la diode. La
tension aux bornes de la diode
I z (mA)
reste constante quel que soit le
Fig. III-6 : caractristique de la diode Zener
courant inverse qui circule dans la
diode. Cette tension dite tension de claquage VB (breakdown voltage) reste
importante pour les diodes usage gnral (quelques 100ne de Volts), sa valeur est
prcise par les constructeurs pour chaque type de diode.
La diode Zener est une diode pour laquelle on a utilis des semi-conducteurs N
et P trs fortement dops ce qui a comme effet de rduire la tension de claquage

Electronique Numrique par A. OUMNAD

VB qui sera appele tension Zener VZ . Durant la fabrication, on sait contrler avec
prcision la valeur de VZ. Les diodes Zener sont fabriqu pour tre utiliss en

inverse dans la zone davalanche. Dans ce cas, la tension ses bornes reste gale
VZ quelque soit le courant Iz qui la traverse. On lappelle diode stabilisatrice de
tension. Evidemment, une Zener polarise en directe fonctionne comme une diode
normale.
III.3.1 Stabilisation par diode Zener
R=100 I
Avec le montage de la figure Fig. III-7, on va
essayer de stabiliser la tension aux bornes la charge RL
IZ
IL
E
laide dune diode Zener (VZ=5V).
RL
Pour les faibles valeurs de E, la Zener reste
Vz=5V
200
bloque, la tension VL aux bornes de RL sera calcule
comme si la Zener tait absente. Ds que VL dpasse
Fig. III-7 : stabilisation par zener
VZ, la Zener conduit et VL reste gale VZ .

a) E = 3V

On suppose que la Zener est bloque, Iz = 0,

VL =

RL

E =

200
3 =2 V
300

RL + R
VL < VZ , donc la Zener est bien bloque, tout le courant I passe de la charge,
E
3V
IL = I =
=
= 10 mA
R L + R 0 .3 K
VL = 2 V , I L = 10 mA
b) E = 6V

On suppose que la Zener est bloque, Iz = 0,

VL =

RL

E =

200
6 =4 V
300

RL + R
VL < VZ , donc la Zener est encore bloque, tout le courant I passe de la charge,
E
6V
IL = I =
=
= 20 mA
R L + R 0 .3 K
VL = 4 V , I L = 20 mA
c) E = 9V

On suppose que la Zener est bloque, Iz = 0,

VL =

RL

E =

200
9 =6 V
300

RL + R
VL > VZ , donc la Zener conduit et impose VL = VZ = 5 V, le courant I se partage
entre Iz et IL
V
E V Z 9V 5V
5V
IL = L =
= 25 mA , I =
=
= 40 mA , I Z = I I L = 15 mA
R L 0 .2 K
R
0 .1K
VL = 5 V , I L = 25 mA

16

Electronique Numrique par A. OUMNAD

17

d) E = 12V

Il est vident que la Zener va conduire ici aussi et imposer VL = VZ = 5 V

V
E V Z 12V 5V
5V
IL = L =
= 25 mA
I =
=
= 70 mA ,
,

IZ

R L 0 .2 K
= I I L = 35 mA

0 .1 K

V L = 5 V , I L = 25 mA

En conclusion, on remarque que tant que la Zener est bloque, la tension VL aux
bornes de la charge nest pas stabilise. Tout se passe comme si la Zener ntait
pas l.
Ds que la Zener conduit, la tension aux bornes de la charge est stabilise la
valeur VZ, le courant dans la charge RL reste gal VZ/RL , et cest le courant Iz qui
circule dans la Zener qui varie pour compenser les variations de I.

III.4 Redressement des tensions (courants) alternatifs

Le but du redressement est la transformation des tensions alternatives en
tensions continues pour alimenter les charges qui doivent tre alimentes toujours
dans le mme sens.
III.4.1 Redressement simple (mono) alternance

IL
Pour simplifier on va considrer la diode comme
un interrupteur parfait (Vi = 0 et ri = 0) :
Ve > 0 Diode passante interrupteur ferm Secteur
RL
Ve
VL
VL = Ve
Ve < 0 Diode bloque interrupteur ouvert
VL = 0
Fig. III-8 : redressement mono-alternance
On constate sur Fig. III-9 que la tension redresse est toujours positive mais
elle est encore loin dtre continue. Calculons sa composante continue qui nest rient
dautre que sa valeur moyenne :

VL =

1
1
VL ( t ) dt =

2 0
2

E sin( ) d

Ve

E 2
0
= sin( ) dt = [cos( ) ]
0
E
VL =

III.4.1.1 Tension inverse maximale

A linstant = 3/2, la tension inverse aux

bornes de la diode atteint sa valeur maximale :
VD = Ve - VL = -E - 0 = -E

VL

Fig. III-9 : signaux dun redresseur mono-alternance

Electronique Numrique par A. OUMNAD

18

III.4.2 Redressement double alternance

Pour que VL sapproche un peu plus dune tension continue, on va redresser les
deux alternances.
III.4.2.1 Montage base de transformateur point milieu

Si on prend le point milieu du transformateur comme rfrence, les tensions de

sortie du transformateur V1 et V2 sont en opposition de phase (Fig. III-10).
Pendant lalternance positive de V1, (ngative de V2), la diode D1 conduit et alimente
la charge alors que la diode D2 est bloque (Fig. III-12) VL = V1.
Pendant lalternance ngative de V1, (positive de V2), la diode D1 est bloque alors
que la diode D2 conductrice, alimente la charge (Fig. III-12) VL = V2. La charge
se trouve ainsi alimente pendant les deux alternances. La tension VL est
reprsente sur Fig. III-10.
D1
V1

v1 RL

IL

Secteur

vL

v2

D2
Fig. III-11 : redresseur double alternance point milieu

V2

D1

v1 RL

IL

Secteur

vL
VL
Fig. III-10 : signaux dun redresseur double
alternance

D
RL

IL

Secteur

v2

vL
D2

Fig. III-12 : premire alternance

Fig. III-13 : deuxime alternance

III.4.2.2 Montage pont

Le redressement double alternance est obtenu

D1
D4
laide dun pont redresseur 4 diodes (Fig.
R L IL
Secteur
Ve
III-14).
vL
D2
D3
Pendant lalternance positive de Ve , les diodes
D1 et D2 sont conductrice et alimentent la charge Fig. III-14 : redresseur double alternance
pont
(VL = Ve), les diodes D3 et D4 sont bloque (Fig.
III-15). Pendant lalternance ngative de Ve, les diodes D3 et D4 sont conductrice
et alimentent la charge, (VL = -Ve) les diodes D1 et D2 sont bloque (Fig. III-15). Le

Electronique Numrique par A. OUMNAD

19

rsultat est que la charge est alimente toujours dans le mme sens, la tension VL
est la mme que celle de Fig. III-10.
D1
Secteur

RL

Ve
D2

D4

IL

Secteur

vL

Ve

RL

IL

vL
D3

Fig. III-15 : alternance positive

Fig. III-16 : alternance ngative

La composante continue de la tension VL a doubl par rapport au redressement

simple alternance :

VL =

2E

III.4.2.3 Tension inverse maximale

Montage point milieu : Pendant la premire alternance, la diode D2 est

bloque, la tension inverse ses bornes atteint sa valeur max linstant = /2,
VD = V2 - V1 = -E - E = -2E. Pour la diode D1, cette valeur est atteinte linstant

= 3/2.

Montage pont : Pendant lalternance positive de Ve, les diodes D3 et D4 sont

bloques, la tension inverse leurs bornes atteint sa valeur max linstant =
/2, VD3 = VD4 = 0 - Ve = 0 - E = -E.
III.4.3 Filtrage par condensateur en tte

IL

RL
Le filtrage est ralis laide dun
Ve
VL
condensateur de forte valeur plac en parallle de Secteur
C
la charge RL comme cela est indiqu sur Fig.
III-17. Lallure de la tension VL obtenue est
Fig. III-17 : redressement et filtrage
illustre sur Fig. III-18 pour C=2200 F et sur
Fig. III-19 pour diffrentes valeurs de C. La diode conduit pendant lintervalle [a,
b
b
b], la tension VC = VL suit
b
alors la valeur de Ve. A
a
a
a
linstant
b, Ve diminue
VL
VL
rapidement, la capacit ne
peut se dcharger dans le
transformateur cause de la
diode, elle va donc se
dcharger (alimenter) dans la
10
20
30
40
50
60 ms
charge RL avec la constante 0
Fig. III-18 : Tension VL avec R=100 et C=2200 F
de temps =RL C. Si la valeur
de C est importante, cette dcharge est lente et Ve devient trs vite infrieure
VL ce qui provoque le blocage de la diode. On constate donc que pendant la quasi

Electronique Numrique par A. OUMNAD

20

4700F
totalit du temps, la charge RL
2200F
1000F
est
alimente
par
le
470F
condensateur qui est recharg
chaque
priode
pendant
lintervalle de temps [a,b].
La tension VL aux bornes de
100F
la charge nest pas tout fait
continue, mais comporte une
ondulation damplitude V qui
R =100
est dautant plus faible que la 0
20 ms
10
Fig.
III-19
:
Tension
V
avec
R=100

et
diffrentes
valeurs
de
C
L
valeur de C est leve (Fig.
III-19).
Essayons de dterminer lexpression de londulation V et de la valeur moyenne
VL .

Lquation de VL pendant la dcharge est V L = Ee

t
R LC

. Si on note E la valeur de VL

linstant t = a, on aura 2V = E - E. Si la valeur de C est importante, la dcharge

dure
quasiment
toute
la
priode
T
et
on
aura :
T
T

2 V = E E' = E Ee R LC = E 1 e RLC

Le terme

T
R LC

est faible devant lunit, on peut donc faire un dveloppement au

premier ordre de lexponentielle et utiliser lapproximation e x = 1 + x , ce qui

donne :

T
ET
E

2 V = E 1 1
soit
V =
=
R LC
2 R LC 2 R LCf

La valeur moyenne de la tension obtenue est : V L = E V = E 1

2 R LCf

En gnral la rsistance RL nest pas connue et cest plutt le courant moyen IL

fourni par lalimentation ainsi obtenue qui permet de la caractriser. Sachant que
V L est voisine de E, on peut crire E = RL IL la place de V L = RL IL ce qui donne RL =
E / IL do :

V =

Application numrique :

IL
2 Cf

E = 9V, f = 50 Hz , C = 4700 F
IL
V
VL

50 mA
0.106 V
8.89 V

100 mA
0.21 V
8.79 V

et VL = E

500 mA
1.06 V
7.94 V

IL
2 Cf

V = IL / 0.47
1A
2.13 V
6.87 V

Dans le cas du redressement double alternance, lamplitude de londulation est

divise par 2, en effet,

Electronique Numrique par A. OUMNAD

21

D1

IL

v1

RL

Secteur
C

v2
D2
~
D1

D4
Secteur

Ve

IL

D3

D2

RL
C

Fig. III-20 : redresseurs double alternance avec filtrage

T/2

Fig. III-21 : redressement double alternance et filtrage

La dcharge se fait pendant une demi-priode de Ve (ou de V1 ) do :

T
T

2 R LC
2 R LC

2 V = E E' = E Ee
= E 1 e

En utilisant la mme approximation pour lexponentielle, on obtient :

V =

I
E
= L
4 R LCf 4 Cf

Electronique Numrique par A. OUMNAD

IV.

22

TRANSISTOR A JONCTION OU TRANSISTOR BIPOLAIRE

Il est constitu de trois couches de semiconducteurs extrinsques (Fig. IV-1). On distingue

deux types de transistors bipolaires, les
transistors NPN et les transistors PNP.

NPN

PNP

N
B

Le transistor NPN est constitu par :

Une couche N fortement dope constituant
lmetteur.
Une couche P trs mince et faiblement dope
constituant la base.
Une couche N faiblement dope constituant le
collecteur.

N
E

E
C

Fig. IV-1 : transistors bipolaires

Le transistor PNP est constitu par :

Une couche P fortement dope constituant lmetteur.
Une couche N trs mince et faiblement dope constituant la base.
Une couche P faiblement dope constituant le collecteur.
IV.1 Principe de fonctionnement : effet transistor.
En labsence de polarisation (Fig. IV-2), les
porteurs majoritaires diffusent de part et dautres
E
des deux jonctions PN, provoquant la cration de
deux zones dpeuples (de dpltion) o rgnent
deux champs Ei qui sopposent la diffusion et
engendrent une situation dquilibre..

P
Ei

Ei

C
B

Fig. IV-2 : NPN non polaris

Si on applique un gnrateur externe entre le

C
collecteur et lmetteur (Fig. IV-3), la jonction
N
collecteur-base est polarise en inverse, sa zone
dpeuple devient plus large, aucun courant ne
Vcc
circule entre le collecteur et lmetteur.
Ei
P
B
Ei
Si on applique un deuxime gnrateur entre la
base et lmetteur (Erreur ! Source du renvoi
N
introuvable.), la jonction base - metteur se trouve
polarise en direct, la zone de dpltion qui
E
lentourait disparat et un courant directe circule Fig. IV-3 : alimentation du collecteur
entre la base et lmetteur, on lappelle le courant de base IB .
La polarisation de la jonction B-E en direct va tre lorigine dun deuxime
courant dans le transistor, en effet, lmetteur fortement dop N injecte un grand
nombre dlectrons dans la base (diffusion des porteurs majoritaires), ces

Electronique Numrique par A. OUMNAD

23

lectrons ne vont pas tous tre rcuprs par le

Ic
N
circuit extrieur, car, comme la base est trs mince,
un grand nombre dentre eux va se trouver au
Vcc
IB
Ei
P
voisinage de la jonction base - collecteur. Pour cette
B
jonction, les lectrons du ct de la base constituent
VBB
les porteurs minoritaires dont le passage ct
N
collecteur est fortement encourag par le champ
IE
important qui rgne autour de cette jonction. Il en
E
rsulte la circulation dun courant important entre le
fig. IV-1 : NPN polaris
collecteur et lmetteur travers la base (Fig.
IV-4), ce phnomne est appel effet transistor. Le courant le lmetteur est not
IE , celui de la base est not IB et celui du collecteur est not IC . Ces trois
courants obissent aux relations suivantes :
C

IE = IB + IC
I C = I E
I C = I B

Ei

lectrons

B
est voisin de lunit (0.95 0.99) ce qui permet

Fig. IV-4 : effet transistor

souvent de considrer IC = IE, par contre, le rapport entre le courant du

collecteur et celui de la base est important, il varie entre quelques dizaines
quelques centaines, cest le gain en courant du transistor. Dans les ouvrages
anglophones, est souvent not h21 ou hfe
En rsum, le transistor est un composant lectronique gr par la relation IC =
IB . Cette relation traduit la possibilit de contrler un courant important (IC)
laide dun courant beaucoup plus faible (IB) do son utilisation grande chelle en
amplification.
En ralit, le fonctionnement du transistor est lgrement plus complexe, il faut
tenir compte des courants inverses des jonctions. Si la base nest pas polarise
(Fig. IV-3), le courant entre le collecteur et lmetteur nest pas tout fait nul
mais il a une faible valeur, on le note ICEO. De la mme faon si on laisse lmetteur
ouvert et on polarise la jonction C-B en inverse, elle est traverse par un courant
inverse qui sera not ICBO. La relation IC = IB devient IC = IB + ICEO , avec ICEO =

ICBO.

IV.2 Rseau de caractristique du transistor

Cest un rseau de courbes qui dcrit lvolution du courant du collecteur IC en
fonction de la tension VCE et ceci pour diffrentes valeurs du courant de base IB.
I C = f (VCE ) I =C te
B

En observant le rseau de caractristiques de Fig. IV-5, on peut faire deux

observations :

Electronique Numrique par A. OUMNAD

24

pour les mmes variations du courant IB,

Ic (mA)
Les courbes sont plus espaces pour les
140A
16
valeur importante de IC, ce qui veut dire
14
120A
que nest pas rellement une constante
12
mais augmente avec IC. La variation de
100A
avec le courant IC nest pas trs 10
80A
8
importante, dans la suite de ce cours nous
60A
considrerons que est une Constante qui
6
40A
ne dpend que du type du transistor.
4
1) Pour les valeurs importantes de IC, les
I B =20A
2
courbes ne sont plus tout fait
Vce
horizontales mais lgrement inclines.
Fig. IV-5 : caractristiques dun transistor bipolaire
Dans ce cas la relation IC + IB devrait
tre remplace par IC = IB + 1/ VCE . est la rsistance interne de sortie du
transistor, elle varie dun transistor lautre. Dune manire gnrale sa valeur
est suffisamment importante pour puisse ngliger le terme 1/ VCE devant IB
. Dans les ouvrages anglophones, 1/ est souvent not h22 ou hoe
IV.3 Polarisation du transistor
Pour fonctionner correctement, le transistor doit avoir sa jonction basemetteur polarise en direct ce qui engendre un courant IB dans la base et un
courant IC = IB dans le collecteur. Ltat du transistor est caractris par ce
quon appelle le point de fonctionnement correspondant au couple (VCE , IC ) qui sont
la tension entre le collecteur et lmetteur ainsi que le courant du collecteur IC.
IV.3.1 Polarisation par une rsistance de base

On dtermine le courant IB en crivant la loi dOhm

dans la maille dentr :
Vcc = R B I B + 0 .7 + R E ( I B + I C )

Rc
Rb

En remplaant IC par IB , on obtient :

VCC 0 .7
IB =
RB + ( + 1 ) RE

Ic
C

Vcc

Ib B
E
RE

Le courant du collecteur est I C = I B

Fig. IV-6 : polarisation par une rsistance

La tension VCE est obtenue en crivant la loi dOhm dans la maille de sortie :

Vcc = R C I C +VCE + R E ( I B + I C )
soit

VCE = VCC ( R C + R E ) I C R E I B

Electronique Numrique par A. OUMNAD

25

Application numrique :
Vcc=12V, =100, RB =750K, RE =1K, RC =4K.
Calculer le point de fonctionnement.
12 0 .7
IB =
= 13 .3 A
750 K + 101 k

I C = 100 13 .3 A = 1.33 mA

VCE = 12 ( 4 K + 1 K ) 1 .33 m 1 k 13 .3 A = 5 .35V

Il arrive que le problme soit pos lenvers, cest dire quon se donne un
point de fonctionnement et quon cherche les valeur des rsistances qui permettent
dobtenir ce point de fonctionnement.
Exemple :
Soit un transistor de gain =100, polaris laide dune alimentation Vcc=12V,
Calculer RB, RE, et RC pour obtenir le point de fonctionnement {VCE =5V, IC=1mA}
Si on crit la loi dOhm dans les deux mailles dentre et de sortie, on saperoit
que nous navons pas suffisamment de donne pour calculer les trois rsistances. Il
faut fixer une donne supplmentaire, fixons la tension de lmetteur Ve = 2V.
IB= IC / = 1mA / 100 = 0.01 mA

VB =Ve+0.7=2.7V
RB =

VCC VB 12 2 .7
=
= 930 K
0 .01 mA
IB

RC =

RE =

VE
VE
2
=
=
= 1 .98 K
IE
I C + I B 1 .01 mA

VCC VCE VE 12 5 2
=
= 5 K
IC
1 mA

IV.3.2 Polarisation par pont

La base est polarise par un "pont" constitu de

deux rsistance RB1 et RB2 (Fig. IV-7). Pour faciliter
la calcul, on applique le thorme de Thvenin au
circuit d'entre et on obtient le schma de Fig. IV-8
ce qui permet de ramener le problme une
polarisation par une rsistance de base.

V eq =

RB2
V
R B 1 + R B 2 CC

Rc
Rb1
Ip

Rb2

Ic
C

Vcc

Ib B
E
RE

Fig. IV-7 : polarisation par pont

Electronique Numrique par A. OUMNAD

R eq = R B 1 / / R B 2 =

26

RB 1RB2
RB 1 + RB2

Le courant IB est dtermin partir de :

Veq = R eq I B + 0 .7 + R E ( I B + I C )
En remplaant IC par IB , on obtient :
Veq 0 .7
IB =
R eq + ( + 1 ) R E

Rc
Ic
C
Req
Eeq

Ib B
E

Le courant du collecteur est I C = I B

La tension VCE est obtenue en crivant la loi

dOhm dans la maille de sortie :
Vcc = R C I C +VCE + R E ( I B + I C )
soit

Vcc

RE
Fig. IV-8

VCE = VCC ( R C + R E ) I C R E I B

Application numrique :
Vcc=12V, =100, RB1 =56K, RB2 =10K,RE =2K, RC =10K.
Calculer le point de fonctionnement.
On touve : Veq = 1.82 V, Req = 8 K d'o
1 .82 0 .7
IB =
= 5 .3 A
8 K + 101 2 k
I C = 100 5 .3 A = 0 .53 mA
VCE = 12 ( 10 K + 2 K ) 0 .53 mA 2 k 5 .3 A = 5 .6V
*********************

Vcc=12V, =100, Calculer RB1, RB2, RE, et RC pour obtenir le point de fonctionnement :
{VCE = 5.5V, IC = 1mA, Ve = 1V}.

Ces donnes ne suffisent pas pour calculer les deux rsistances du pont, elle
permettent seulement de calculer Req . Pour lever cette indtermination, on se
donne une des deux rsistances et on calcule l'autre. Une deuxime solution
consiste se donner le rapport entre le courant du pont IP et le courant de base IB
. Si on note I1 le courant dans R1 et I2 le courant dans R2 , on a I1 = IB + I2 , si I2 est
grand devant IB , on peut ngliger IB et on obtient I1 = I2 = IP = courant du pont.
Prenons IP = 30 IB.
IB = IC / = 1mA / 100 = 0.01 mA
VB =Ve+0.7=1.7V
V VB
V
12 1.7
1.7
R B 1 = CC
=
RB2 = B =
5 .9 K
= 34 .3 K
I1
I 2 29 0 .01 mA
30 0 .01 mA
V VCE VE 12 5 .5 1
V
VE
1
RE = E =
=
1 K
R C = CC
=
= 5 .5 K
IE
I C + I B 1.01 mA
IC
1 mA

Electronique Numrique par A. OUMNAD

27

IV.4 L'opration d'amplification

Un amplificateur est un montage qui fournit sa sortie une tension gale la
tension dentre multiplie par une constante suprieure lunit. Cette constante
sappelle le gain en tension de lamplificateur, on la note souvent AV.
Ve

Av

Vs = Av . Ve
Fig. IV-9

IV.4.1 Grandeurs caractristiques d'un amplificateur

Un amplificateur peut tre reprsent par le schma de Fig. IV-10.

Impdance d'entre : Z e =
Gain en tension
Impdance

Zs =

v s ) co

de

ve
ie

vs
ve
sortie

ie

: Av =

Ve

is

Zs
Ze

A v ve

Vs

i s ) cc

Fig. IV-10 : reprsentation de Thvenin d'un amplificateur

Vu de l'entre, l'ampli se comporte comme une rsistance qu'on appelle rsistance

ou impdance d'entre. Vu de la sortie, il se comporte comme un gnrateur de
tension interne vi = AV ve et de rsistance de sortie Rs ou Zs.
IV.4.1.1 Mesure des grandeurs caractristiques d'an amplificateur

Pour mesurer Ze, on peut utiliser deux mthodes :

a) On branche un gnrateur l'entre, on mesure ve et
ie et on en dduit Ze = ve / ie
b) On branche un gnrateur travers une rsistance
connue R (Fig. IV-11), on mesure vg et ve et on en
dduit Ze l'aide de l'expression du diviseur de
potentiel :

ve =

Ze

Ze +R

vg

Ze =

ve

v g v e

R
Vg

Ve

Ze

Fig. IV-11 : mesure de Ze

Pour mesurer AV, on branche un gnrateur l'entre, et on mesure ve et la

tension de sortie a vide vs . Le gain en tension est AV = vs / ve .
Pour mesurer l'impdance de sortie Zs, on procde en deux temps :
a) on mesure la tension de sortie vide vs)co ce qui permet de dterminer la
tension interne vi car, vide, le courant de sortie is est nul, donc vi = vs)co
maintenant que vi est connue, on court-circuite la sortie et on mesure le
courant de sortie is)cc . La loi d'ohm vi = Zs is)cc donne Zs = vi / is)cc

Electronique Numrique par A. OUMNAD

28

IV.5 Transistor bipolaire en amplification

Nous avons vu comment on calcule la polarisation c.a.d le point de
fonctionnement continu (statique) du montage de Fig. IV-7. En utilisera un indice
'o' pour dsigner les tensions et les courants correspondant au point de
fonctionnement statique qu'on dsigne aussi par position de repos. Nous allons voir
maintenant ce qui se passe si ( partir d'un instant to) on fait varier lgrement le
courant IB autour de sa position de repos IB0 .
Si IB augmente IC = IB augmente aussi ( fois plus vite).
Si IB diminue IC = IB diminue aussi ( fois plus vite).
Si IB varie sinusodalement autour de IB0 (Fig. IV-12) avec une amplitude IB ,
alors IC varie sinusodalement autour de IC0 avec une amplitude IC = IB , en
effet :

IB = IB0 + IB sin(wt) = IB0 + ib

sin(wt) = Ic + ic

Ic = IB = IB0 + IB sin(wt) = IC0 + IC

Regardons maintenant comment varie la tension VCE.

VCE = VCC - (RC + RE) IC , donc, si IC augmente, VCE va diminuer, et si IC diminue, VCE
va augmenter, on dit que VCE varie en opposition de phase avec IC. (Fig. IV-12)
IB

IC
I C= IB

IB

IB0

to

IC0 = IB0

to

VCE
VCE = (Rc+RE ) I C

VCE0

to

Fig. IV-12 : Variation de IB, IC ,et VC

Fig. IV-13 illustre graphiquement la relation entre les variations de IB, IC et VCE.
En effet, les courants et les tensions dans un montage transistor sont gres par
la loi d'Ohm et la relation IC = IB. La loi d'Ohm dans la maille de sortie {VCC = RC IC
+ VCE + RE IC } s'appelle la droite de charge, on l'crit de sorte ce qu'elle exprime

IC en fonction de VCE : I c =

RC + RE

VCE +

VCC

RC + RE

Electronique Numrique par A. OUMNAD

29

Sur Fig. IV-13, la droite IC = IB dtermine les variations de IC partir des

variations de IB, et la droite de charge permet de dterminer graphiquement les
variations de VCE partir des variations de IC.
I c (mA)
2

IB

Vce

(A)
20

10

10

(V)

12

Fig. IV-13 : Amplification par transistor

Pour injecter la tension alternative ve sans

Vcc
que cela n'altre la polarisation du transistor
Rc
en modifiant le point de fonctionnement
Rb1
statique, on utilise des capacit de liaison (Fig.
C
IV-14) qui seront considres comme des
B
courts-circuits parfaits pour les signaux
vs
alternatifs et comme des circuits ouverts
E
Rb
2
pour les courants et les tensions continus. La ve
RE
tension sur la base du transistor est la somme
de la tension continue VB et de la tension
Fig. IV-14 : Amplificateur avec les capacits de
d'entre (variable) ve. La variation de VB
liaison
provoque la variation du courant IB, et par
consquent celle de IC , VCE et vs. .
Pour calculer la relation entre la varions de VB (=ve) et la variation de VC (=vs), on
utilise un modle du transistor plus adapt pour le calcul des signaux variable.
IV.5.1 Schma quivalent du transistor pour les petits signaux

Autour d'un point de polarisation, les relation entre les faibles variations sont
dcrites par :
V BE = h11i B + h12v CE

i C = h21 i B + h22v CE

Electronique Numrique par A. OUMNAD

30

Ces relations dcrivent les lois lectriques du schma ci dessous (Fig. IV-15)
qu'on appelle schma quivalent pour les variation ou schma quivalent en
dynamique du transistor.

iC C

iB

h11

v BE

iB

h12 v CE

v CE

h22

Fig. IV-15 : Schma quivalent en dynamique du transistor

h11 est l'impdance d'entre du transistor : h11 =

VBE
I B

VCE =C te

Sa valeur dpend du transistor ( ) et du point de fonctionnement statique ( IE )

h11 =

26
I E mA

h21 est le gain du transistor : h21 = =

I C
I B

V CE =C te

h12 est un terme de raction interne, il donne la variation de VBE en fonction de

celle de VCE : h12 =

VBE
VCE

, sa valeur est trs faible, il sera le plus souvent

I B =C te

nglig.
h22 est l'impdance de sortie du transistor, c'est la pente de la caractristique

IC = f(VCE)

IB = Cte.: h22 =

I C
VCE

. La caractristique tant quasiment

I B =C

te

horizontale, h22 est faible et sera le plus souvent nglig.

IV.5.2 Schma quivalent simplifi

Les termes h12 et h22 tant trs faibles, on les nglige pour obtenir le schma
quivalent simplifi ci-dessous (Fig. IV-16).

iB

vBE

h11
E

iC

iB

vCE
E

Fig. IV-16 : Schma quivalent simplifi

Electronique Numrique par A. OUMNAD

31

IV.6 Montage metteur commun (EC)

Vcc

RB = RB1 // RB2

Rc
Rb1

iC

iB

C
B

vs
ve

Rb2

ve

RB

Fig. IV-17 : Montage metteur commun

h11
E

iB

iC
Rc

vS

Fig. IV-18 : Schma quivalent de l'metteur commun

C'est le montage illustr sur Fig. IV-17. Son nom vient du fait que l'metteur est
reli la masse (commun). C'est le montage amplificateur le plus utilis. Le schma
quivalent global (Fig. IV-17) est obtenu comme suit :
Le transistor est remplac par son schma quivalent en dynamique simplifi.
Les condensateurs de liaisons sont remplacs par des courts-circuits?
L'alimentation VCC est remplace par la masse, car ce montage est celui des
variations et les variations de VCC sont nulles car c'est une tension constante.
IV.6.1.1 Gain en tension

D'aprs le schma de Fig. IV-17 on peut crire :

v e = h 11 i b
v s = R c i c = R c i b
d'o l'expression du gain en tension du montage metteur commun :

Av =

vs
R c
=
ve
h11

AN:
Avec VCC=12V et = 100
Calculer la rsistance RC pour avoir { VCE = 6V, IC = 1 mA } puis calculer le gain en
tension AV

RC = 6V / 1 mA = 6 K ,
230

h11 = 26 * 100 / 1 = 2600 ,

AV = - 100 * 6000 / 2600 =

Le montage tel qu'il est prsent sur Fig. IV-17 prsente l'inconvnient suivant:
Sous l'effet du courant IC qui traverse le transistor, la temprature de celui-ci
augmente lgrement cause la puissance dissipe par effet joule. Cette
augmentation de temprature augmente le nombre de porteurs par le mcanisme de
cration de paires lectrons trou. La consquence directe de l'augmentation du
nombre de porteur est l'augmentation du courant IB qui engendre une augmentation
du courant IC qui son tour va engendrer une augmentation supplmentaire de la
temprature du transistor et provoquer ce qu'on appelle un emballement thermique.

Electronique Numrique par A. OUMNAD

32

Pour remdier ce problme, on ajoute une rsistance sur l'metteur du transistor

(Fig. IV-19). Cette rsistance joue un rle de stabilisation de la temprature car,
si IC augmente, alors la tension VE = RE IE augmente donc la tension VBE diminue
provoquant la diminution de IB et donc de IC.
Vcc
Rc
Rb1
C
B

vs
ve

Rb2

RE
Fig. IV-19 : montage avec rsistance de stabilisation de temprature RE

ve

iC

iB
RB

iB

h11
E

iC

Rc

vS
RE

Fig. IV-20 : Schma quivalent du montage avec rsistance de stabilisation thermique

Le schma quivalent en dynamique devient celui de Fig. IV-20. le gain en tension

est donn par :

v e = h11 i b + R E ( + 1 ) i b = h11 + ( + 1 ) R E i b
v s = R c i c = R c i b
R
v
R c
Av = s =
C
ve
h11 + ( + 1 ) R E
RE

AN: Avec le point de fonctionnement { VCE =

5V, VE = 1V, IC = 1 mA }, on obtient RC = 6 K,
(mme valeur que prcdemment), et RE = 1
K, ce qui donne un gain en tension de
seulement :
AV = - 6 K / 1 K = -6
On constate que la rsistance d'metteur
RE joue un rle important pour la stabilisation
de la temprature, mais elle a une influence
nfaste sur le gain en tension AV. Pour

car ( + 1) >> h11

Vcc
Rc

Rb1
C
B

vs
ve

Rb2

E
RE

Fig. IV-21 : EC avec rsistance d'metteur dcouple

Electronique Numrique par A. OUMNAD

33

remdier ce problme, on place un condensateur (de dcouplage) en parallle sur

RE (Fig. IV-21). Ce condensateur n'intervient pas en continue, donc la rsistance RE
joue pleinement son rle de stabilisation thermique, alors qu'en alternatif, le
condensateur est remplac par un court-circuit ce qui nous ramne au schma
quivalent de Fig. IV-17 qui, comme nous l'avons vu, procure un gain en tension
important.
IV.6.2 Impdance d'entre

Il parat vident d'aprs le schma quivalent (Fig. IV-17) que :

Z e = R B / / h11 =

R B h11
R B + h11

Pour s'en assurer il suffit d'crire la loi d'Ohm dans la maille d'entre, ve = Ze ie
= (RB // h11 ) ie
IV.6.3 Impdance de sortie

Z S = RC

L aussi, on voit bien sur le schma quivalent que

Pour s'en assurer, vs)co = - RC ib , is )cc = - ib

ZS = vs)co / is )cc = RC

IV.7 Montage collecteur commun (CC)

Vcc

Rb1

C
B

ve

Rb2

RB

ve

Ce montage (Fig. IV-23) doit son nom au

fait que le collecteur est reli VCC (commun
pour les variation). Le signal de sortie est pris
sur l'metteur.Le schma quivalent est illustr
(sous deux version) sur Fig. IV-22.

ve

iB

h11
E

RE

vS

ib h11

ie

iB

RE

vs

Fig. IV-23 : montage collecteur commun

ii
RB

ip

v s = RE ( + 1 ) i b

Av =

vs

Fig. IV-22 : schma quivalent du collecteur commun

IV.7.1 Gain en tension

v e = h11 i b + R E ( + 1 ) i b

ie

E
RE

iC

iB

( + 1 ) RE
vs
=
h11 + ( + 1 ) R E
ve

Electronique Numrique par A. OUMNAD

34

On remarque que le montage collecteur commun a un gain en tension voisin de

l'unit, pour cette raison, on l'appelle aussi, montage metteur suiveur car la
tension sur l'metteur suit celle de la base.
Si le gain en tension est gal 1, on peut se demander qu'elle est l'utilit de ce
montage, c'est ce que nous verrons un peu plus loin dans ce cours.
IV.7.2 Impdance d'entre

Ze =

ve
ve
=
ie i p + ib

or

v e = R B i p

v e = h11i b + R E ( + 1 ) i b = h11 + R E ( + 1 ) i b = Z' e i b

Z'e est l'impdance d'entre sans la rsistance RB (vue droite de RB)

R Z'
v
Z e = v e v = B e = RB / / Z'e
R B + Z' e
e
+ e
R B Z' e

Z e = R B / / Z'e = RB / / h11 + ( + 1 ) R E
AN: RB1 = 47 K, RB2 = 64 K, RE = 6 K ==>
Veq 6.919 V, Req 27.1 K, IE 1.014 mA
RB 27 K, et h11 5.13 K

Ze 26.5 K

IV.7.3 Impdance de sortie

Le courant d'entre sera not ii et le courant dans RB sera not ip .

Zs =

v s ) co
i s ) cc

v s ) co = R E ( + 1 ) i b ,

( + 1 ) RE
v
h11 + ( + 1 ) R E e
= ( + 1 ) i' b
or

v e = h11 i b + R E ( + 1 ) i b ,

or

v s ) co =
i s ) cc

i s ) cc =

+1

h11

ve
Zs =

i'b h11

v e = h11 i' b

h11 R E
h11 + ( + 1 ) R E

h11

d'o

ve

d'o

RB

ip

i'B

i s)cc

Fig. IV-24

Cette expression de ZS ne correspond pas au cas le plus gnral car elle suppose
que ve est issue d'un gnrateur
Rg
ie
ib h11
B ii
parfait de rsistance interne Rg = 0.
E
Si le signal d'entre ve est issu d'un +
ip
gnrateur rel (Fig. IV-25), on va
RE v
iB
vg
ve RB
s
vrifier que l'impdance d'entre du
montage CC dpend aussi de la
rsistance interne Rg du gnrateur
Fig. IV-25

Electronique Numrique par A. OUMNAD

35

d'attaque.
On peut simplifier le montage de Fig.
IV-25 en utilisant le thorme de
Thvenin au point B, on obtient le schma
de Fig. IV-26.
Rgb = Rg // Rb ,

v =
'
g

Rb

vg

Rb + R g

Rgb

R E R gb + h11

R gb + h11 + ( + 1 ) R E

ib h11

v'g

( + 1 ) RE

'
v s ) co = R + h + ( + 1 ) R v g

E
11
gb

(
1
)
+
i
v 'g
s ) cc =
R
h
+

11
gb
ZS =

ie

iB

RE

vs

Fig. IV-26

= RE

//

R g + h11
R g + h11

+1

AN : Zs 28
On remarque d'aprs ce qui prcde que le montage collecteur commun n'est
pas un bon amplificateur car il a un gain voisin de l'unit mais il a une impdance
d'entre leve et une faible impdance de sortie. On s'en sert comme adaptateur
d'impdance.

Electronique Numrique par A. OUMNAD

V.

36

LAMPLIFICATEUR OPERATIONNEL

V.1 Dfinition

Lamplificateur oprationnel
caractristiques suivantes :

est

un

amplificateur

diffrentiel

qui

les

Son gain en boucle ouverte Abo est trs lev, au moins 105 et couramment 106.
Limpdance dentre sur chacune de ces entre est trs leve. Le plus
souvent on la considre comme infinie, ce qui implique que les courants
dentres sont nuls.
Limpdance de sortie est quasiment nulle.

ve1

A bo

ve2

vs

vS = Abo . = Abo .(ve1 ve 2 )

Fig. V-1 : Amplificateur oprationnel

V.2 Approximation

Lamplificateur oprationnel est en gnral aliment par une alimentation

symtrique {VCC,Vee} ne dpassant pas {+15V, -15V} . Dans la suite de ce cours, on
prendra le plus souvent VCC = +12V et Vee=-12V. Sachant que la tension de sortie
dun amplificateur ne peut jamais dpasser sa tension dalimentation, VS ne peut
pas dpasser +12V pour les valeur positives et 12V pour les valeur ngatives.
La valeur max. quon peut donner la
tension diffrentielle dentre sans quil y
est distorsion de la tension de sortie est max
telle que Abo max = 12V ce qui donne :

max =

12V
= 12 V
10 6

Vs
+12V

+12

Vs

max

Ve

-12
-12V

Fig. V-2 : tension de sortie et caractristique de

transfert dun ampli-op

On saperoit donc que les tensions sur

lentre inverseuse (-) et sur lentre non inverseuse (+) restent toujours trs
voisines puisque la diffrence entre les deux ne dpasse gure quelques microvolts.
Dans la pratique pour faciliter les calculs, on prendra :

=o

v+ = v

Electronique Numrique par A. OUMNAD

37

V.3 Montage INVERSUR

Cest le montage amplificateur

oprationnel le plus utilis.
Lentre + est relie la masse,
V+ = 0

R2

ve

Comme V+ = V- , on a aussi V- = 0
, on dit quon a une masse virtuelle
sur lentre -, ce qui permet
dcrire :
Ve = R1 I ,
VS = - R2 I Do

Av =

vs
R
= 2
ve
R1

vs =

R1

masse virtuelle
Fig. V-3 : Amplificateur inverseur

R2
v
R1 e

V.4 Montage NON-INVERSUR

Cette fois, lentre + est relie la

tension dentre, V+ = V

R2
R1

Comme V+ = V- , on a aussi V- =
Ve, ce qui permet dcrire :

vs

ve
Fig. V-4 : Amplificateur non-inverseur

Ve = R1 I
VS Ve = R2 I Do
v s v e = R2

vs

ve
R
R
v s = ve + 2 ve = 1 + 2 v e
R1
R1
R1

Av = 1 +

R2
R1

Cette fois, le gain est positif, il est toujours suprieur 1, on ne peut donc pas
utiliser ce montage comme attnuateur.

V.5 Montage SUIVEUR

VS = Ve .

ve

+
Fig. V-5 : Amplificateur suiveur

vs

Electronique Numrique par A. OUMNAD

38

V.6 Montage SOMMATEUR - INVERSUR

V1 = R1 I1 I1 = V1 / R1
V2 = R2 I2 I2 = V2 / R2
VS = -R I = -R(I1 + I2) = -R(V1/R1 +
V2/R2)

Si

V
V
V s = R B 1 + 2
R1 R 2
= R2 = RA

R1

Vs =

RB

ve1
ve2

R1

I1

I2

R2

vs

Fig. V-6 : Sommateur inverseur

RB
( V1 + V 2 )
RA

V.7 Montage SOMMATEUR NON-INVERSUR

RB
v+ =

R 2 v 1 + R 1v 2
R1 + R 2

, v =

RA
v
RA + RB s

R 2 v1 + R 1v 2
RA
=
v
R1 + R 2
RA + RB s

RA

ve1

vs

R1

ve2
vs =

RA + RB

R A (R 1 + R 2 )

(R v

2 1

R2

+ R 1v 2 )

Fig. V-7 : Sommateur inverseur

RA + RB
(v1 + v 2 )
2RA

Si R1 = R2 , L'expression devient :

vs =

Si en plus RA = RB on obtient :

v s = v1 + v 2

V.8 Amplificateur diffrentiel

v+ =

R2
v
R1 + R 2 2

, v =

R B v1 + R A v S
RA + RB

R2
R B v1
R A vS
+
v2 =
R1 + R 2
RA + RB RA + RB
R + RB
vs = A
RA

R2

RB

v2
v1
RA + RB
R1 + R 2

RB

ve1
ve2

RA

R1
R2

Fig. V-8 : amplificateur diffrentiel

ou encore :

vs

Electronique Numrique par A. OUMNAD

39

R A + R B v2
v1
vs =

R1
R

RA
1+ A
1 +
R2
RB

Si

RB
RA
R
(v v1 )
= 1 , L'expression devient : v s =
RA 2
RB R2

Si en plus RA = RB on obtient :

v s = v 2 v1

vC
V.9 Montage intgrateur

ve = R i i =
Q = CV C
Vc =

1
C

ve
R
d VC
dQ
=C
=i
dt
dt

i ( t )d t = v

ve

masse virtuelle

Fig. V-9 : montage intgrateur

v s = CR1 v e ( t )d t

V.10 Montage drivateur

dv
d VC
=C e
dt
dt
vs = R i

vC

i =C

dv
vs = R C e
dt

vs

ve

i
-

vs

masse virtuelle
Fig. V-10 : montage drivateur

V.11 Convertisseur courant tension

v S = R i

vx

i
+

Fig. V-11 : convertisseur courant tension

vs