TRANSISTOR BIPOLAIRE DARLINGTON COURS PAGE 1 / 1

On remarque galement que :

LE MONTAGE DARLINGTON
IE = IB2 + IC2
I. Schma structurel
Un montage Darlington est constitu de deux transistors bipolaires. Ces derniers Or IB2 = (1 + 1).IB et IC2 = IC - IC1 et IC1 = 1.IB
peuvent tre intgrs dans un mme botier (ex : le TIP110 en botier TO-220).
Donc
C

IC C IE = (1 + 1).IB + IC - 1.IB
IC1 Convention :
IC IE = IB + IC

B IB B IB On retrouve bien la loi des nuds : la somme des courants entrants est gale la
IC2
T1 T somme des courants sortants.

IE1=IB2
T2 IE
III. Considrations pratiques
E
Pour ltude en commutation, on utilise la mme mthode quavec les
IE
transistors bipolaires : on vrifie la condition de saturation IB > ICsat / min.
E
Les notices techniques des transistors Darlington tiennent dj compte de ce
II. Analyse structurelle (2 + 2.). On y trouve donc des hFE trs grand ex : hFE 30 000 pour le
BC517 avec un courant de 20mA. Pour un fonctionnement en commutation,
Pour un fonctionnement en linaire dun transistor bipolaire, on a IC = .IB. Si on
applique cette relation ainsi que les lois de Kirchhoff au montage ci-dessus, on obtient : on satisfait donc linquation IB IC / 30 000 pour obtenir la saturation du
Darlington.
IC = IC1 + IC2
Pour le dimensionnement de la rsistance de base, il faut tenir compte des
IC = 1.IB + 2.IB2
deux jonctions base-metteur : on a donc un VBE > 1,2V (voir notice technique
Or IB2 = IE1 = IC1 + IB = 1.IB + IB = (1 + 1).IB do : du composant utilis) qui correspond la somme des deux VBE des transistors.

IC = 1.IB + 2.(1 + 1).IB De mme pour le calcul du courant IC SAT il faut galement tenir compte que :
IC = 1.IB + 2.1.IB + 2.IB VCE SAT = VCE SAT T1 +VBE T2 > 0,2V (voir notice technique du composant
IC = (1 + 2.1 + 2).IB utilis).

Si 1 = 2 alors : Le transistor qui conduit la puissance ne se sature rellement jamais

(fonctionnement linaire). Il y a donc plus de puissance dissipe car le VCE
IC = (2 + 2.).IB or 2 >> 2. est plus important (Pd transistor = VCE . IC).

Donc :

IC 2.IB