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P r i n t e d in t h e USA,
0025-5408/85 $3.00 + .00 C o p y r i g h t ( c ) 1985 P e r g a m o n P r e s s L t d .
ABSTRACT
M e t a s t a b l e phases are observed in the Ga2S3-MnS system. They have
tetrahedral structures : superstructures of the wurtzite (~I, ~2, ~3) and
superstructures of the zinc blende ( ~ and ~s). They are obtained by various
heat treatments of the metastable wurtzite type solid solution which is
prepared by quenching from I000-I~00°C. These m e t a s t a b l e #n phases come back
to e q u i l i b r i u m state with heat evolution and formation of the characteristic
stable phases of the e q u i l i b r i u m phase diagram.
A large hysteresis is observed when the melted products are progres-
sively cooled at constant speed (0.1 or 2 or 6°/min) and different phase
diagrams, out of equilibrium, are described.
I - Travaux ant~rieurs
Nous avons pr~c~demment d~crit le syst~me Ga2S~-MnS (Pardo et al I)
dans la r~gion comprise entre n = 0 et n = 0,50.
n = at Mnat+Mnat G a ] " Nous avons mis en ~vidence plusieurs phases de struc-
ture t~tra~drique et les compos~s MnGa2S 4 et Mn2Ga2S s. (fig. I) que nous
rappelons ci-apr~s.
I.I.- une solution solide de type wurzite ( d e n = 0,03 g n = 0,18) stable
entre 900°C et la ligne de solidus.
1.2.- une solution solide de type blende (de n = 0,03 ~ n = 0,15) stable
entre 720°C et 920°C.
1.3.- une s~rie de six phases surstructures de la wurtzite ou de la blende,
d~sign~es par ~n et observ~es seulement ~ basse temperature jusqu'g
environ 700°C. Ce sont :
-~i, ~2, ~3' surstructures de la wurtzite auxquelles Pardo et al (I)
attribuent les compositions n = 0,111, n = 0,143 et n = 0,20 respectivement.
Ces m~mes phases ont ~t~ ~tudi~es par diffraction d'~lectrons et microsco-
pie ~lectronique par de Graef et al (2). lls d~crivent leurs structures
comme ~tant des surstructures de la wurtzite, d~riv~es de celle de G a 2 S 3 ~ (3)
1015
1016 M.-P. PARDO, et al. Vo]. 20, No. 9
u
c m = 9,53 A) ainsi que l'angle
800 B = 141° de la maille monocli-
nique. Seul le param~tre am
...... i
d~pend de la composition :
70~
Ga2S~ : I],07
~ = 25,83 A ¢2 = 36,90
~ = 47,97 A.
Mais en r~alit6, dans cette
description ~tablie principa-
lement par microscopie 61ec-
Ga2S 3 0,10 0,20 0,30 0,40 0,50 MnS-
tronique, de Graef et al (2)
ne font pas intervenir les
FTG. 1
distorsions observ~es par
Pardo et al (I) ~ partir du r~-
Diagramme de phase du systgme Ga2S~-MnS
seau hexagonal de base, qui
(d'apr~s Pardo et al I) sont en croissant de ¢~ ~ ¢~
et qui se traduisent en parti-
culier sur les diffractogram-
mes de rayons X par un d~doublement de plus en plus important des r~flexions
I]0 et 020, ou 111 et 021, deux ~ deux confondues dans le type wurtzite.
- ¢~ et ~5, surstructures de la blende localis~es dans le diagramme de pha-
ses aux compositions n = 0,22 et n = 0,25.
- ¢6' surstructure de la blende formant un domaine d'homog~n~it~ entre
n = 0,26 et n = 0,29. Sa structure cristalline a 6t6 r~solue sur monocris-
tal, par Dogguy Smiri et al (4) ; elle appartient au type CdGa2S 4 qua-
dratique, avec ~cart ~ la stoechion~trie (cf § 11.3).
1.4.- Depuis la description du diagramme de phase par Pardo et al (1) une
nouvelle phase surstructure de la wurtzite a 6t~ d~crite par Nguyen
et al (9). Elle a pour composition Mn o 23Ga I ssS3 soit n = 0 . 1 ] .
Elle poss~de une structure hexagonale ~e meme
^ ' type que la forme @' de
haute temp6rature de Ga2S 3. Cette nouvelle surstructure de la wurtzite,
dont la composition semble se situer avant celle de la phase ¢i,
a ~t~ appel~e ~o.
1.5.- Le compos~ MmGa2S ~ pr6sente une transition de phase ~ 985°C, peu
avant sa d6composition p6ritectique ~ 995°C. La forme ~ stable
basse temperature est d~crite (Pardo et al 1) avec un r~seau mono-
clinique semblable ~ celui de MgGa2S ~ (Romers et al 5). Cette struc-
ture est confirm~e par l'6tude structurale de Rimet et al (6). La
forme B, stable ~ haute temp6rature, est, d'apr~s Pardo et al (I),
isotype de ZnAI2S ~ compos~ dont la structure a 6t~ d~crite par
Steigmann (7) comme une surstructure de la wurtzite, mais avec une
mauvaise approximation (R = 20 p. cent). P~cemment de Graef et al
(2) ont r6solu la structure de MnGa2S4B au cours de l'6tude signal6e
Vol. 20, No. 9 Ga2S3-MnS SYSTEM 1017
T'C
1100
/"
/
• . 1,3, ¢
.. jl ............[*!'
~ . M . G . 2 S 4 ,,
s
7~
600
FIG. 2
C/a
vA3,
1,950
-_ ~ 310
il ~ q ~ ~'" V
s
305
-0 ~
¢/a
"~~ 300
1,860
qui est isotrope puisque le rapport c/a ne varie pas. Entre 600 et 750°C,
le r~seau de la forme de basse temperature pr~sente une nette contraction
de volume et une augmentation du rapport c/a que l'on peut expliquer de deux
fa~ons diff~rentes : soit par l'approche de la transition qui conduit de
fa~on anticip~e ~ un r~arrangement partiel des atomes, soit au r~tr~cisse-
ment progressif du domaine d'homog~n~it~. Enfin vers 750°C, la transition
de ~6~ en ~6B se manifeste par une nette discontinuit~ dans les valeurs des
param~tres. La phase ~6B se d~compose vers 980°C avec apparition de la wurt-
zite. Elle n'est pas trempable. Elle donne par trempe la forme de basse
temperature ~6~. Un ph~nom~ne semblable est observ~ dans le syst~me
Ga2Se3-CdSe mais cette lois au niveau de la composition CdGa2Se 4 (Loireau-
Lozac'h et al 7). L'~tude structurale de la phase de haute temperature ne
pouvant ~tre entreprise, nous proposons l'explication structurale sch~ma-
tis~e dans la fig. 4. Dans la
vari~t~ ~ de basse temperature
dont la structure cristalline
a ~t~ r~solue par Dogguy-Smiri
GROUPE SPATIAL 14 a b c I d et al (4) l'ensemble des sites
m~talliques de la blende est
I repr~sent~ par les quatre s~-
i I I
Y b) les 6chantillons de
composition n = 0,28 -
TABLEAU I
T'¢' T'C'
"'-,
U
M
~nGitS6 J;
w :
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/r. ---~,--
/
700 ..............I 7N i w i
MnGs~S~ ~*
I MnGal$4 ~l
4W.i
J is /
G~LS~
FIG. 7a FIG. 7b
Diagrammes de phase hors d'6quilibre obtenus
a) par refroidissement ~ 2°/min.
b) par refroidissement ~ 6°/min.
Conclusions
Le present travail a ~t~ d~velopp~ afin d'illustrer l'intervention
des phases m~tastables darts un syst~me et de montrer les precautions ~ pren-
dre dans l'~tablissement d'un diagranm%e d'~quilibre de phases, o~ ces phases
r~tastables ne peuvent figurer. Le ph~nom~ne est particuli~rement net dans
les syst~mes Ga2S3-CdS (3) et Ga2S3-MnS. Nous l'avons ~galement observ~ dans
le syst~me Ga2S3-FeS.
Ii est probable qu'il se rencontre dans beaucoup d'autres syst~mes,
et en particulier dans ceux pour lesquels une s~rie de surstructures se for-
Vol. 20, No. 9 Ga2S3-MnS SYSTEM 1025
ment ~ basse temperature ~ partir d'une solution solide stable ~ haute tem-
perature. Ainsi peuvent s'expliquer les divergences reneontr~es par divers
auteurs qui abordent une m~me ~tude avee des moyens exploratoires diff~-
rent s.
Bibliosraphie
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(1982)
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Bull. 16) 1375 (1981)