Travaux Dirigés en électronique Des Composants

Série III: Transistors bipolaires

EXERCIE N°1:
Q.1. Soit le circuit représenté par la figure 1 où le transistor est caractérisé par β=350 et
VBE=0,7V, Déterminer le point de fonctionnement du transistor.

RB=2.7MΩ RB RB=880KΩ R2 RC
RB RC
RC=2.7KΩ RE=3KΩ
E=9V E=12V
E
E E

Fig.1 RE R1 RE

Fig.2 Fig.3
Q.2. Le transistor de la figure 2 est caractérisé par β=250 et VBE=0,7V, Déterminer le point de
polarisation du circuit.
Q.3. Le transistor de la figure 3 est polarisé au milieu de la droite de charge statique et il est
caractérisé par β=300 et VBE=0,7V. On donne E=15V, RC=2.7KΩ et RE=300Ω.
a. Calculer : IC, IB ainsi que les potentiel VE, VC et VB.
b. On impose I0=10mA, calculer R1 et R2.
Q.4. Dans le montage représenter par la figure 3, calculer les valeurs des quatre résistances
de sortie pour que l’on obtienne un point de polarisation caractérisé les tensions VE=2V, VC=6V
et un courant de base IB=100μA. On donne E=10V, VBE=0.7V, R1//R2=10KΩ et β=150.
EXERCIE N°2 :
Soit le montage de la figure 4 où le transistor est caractérisé par β=100 et VBE=0,7V
 A et B ouverts
Q.1. Calculer le courants IB.   E
Q.2. Quel est l’état de transistor. Conclure.
Q.3. Calculer la tension VP au point commun des
diodes D1, D2 et D3. R2 R
 1
 A ferme et B ouvert
Q.4. Calculer la tension VP et le courant IB. Quel est A D1 D3
l’état du transistor T ? R3
Q.5. Calculer le courant I qui circule dans R1. Quel B D2
est l’état de la LED D4? D4
Q.6. Calculer la tension VCE.
Q.7. Compléter le tableau suivant :  
On donne : 
A B T D4
 R1 = 470, R2 = 1 ket R3 =220 .
Ouvert Ouvert  VD4 = 1,4V et VCESAT = 0V.
Ouvert Fermé  VD1 = VD2 = VD3 = 0,6V
Fermé Ouvert  E=12V
Fermé Fermé
Fig.4
Q.8. Quelle est la fonction réalisée ?

    1
 
EXERCIE N°3 :
On considère le montage schématisé par la figure 5 ou les
deux transistors T1 et T2 sont identiques.
On donne : 
 E=12V.
 VBE=0.7V. Fig.5
 β1= β2= β.
Q.1. Exprimer IC2 en fonction de courant IC1.
Q.2. Que devient IC2 si β >>1.
Q.3. Déterminer la valeur de R pour que le courant IC2 dans la
charge soit de 1.5mA.
EXERCIE N°4 :
A) Etude en régime statique:
Soit le montage de la figure3 (exercice1). Le transistor de type NPN dont le réseau des
différentes caractéristiques est donné sur la figure ci-dessous.
On néglige le courant de base devant le courant de pont Ip (Ip>>IB).
On donne E=10V, β=100, RE = RC=1KΩ, R2 =250kΩ et R1 =60KΩ.
Q.1. Déterminer l’équation de la droite de charge et d’attaque et les tracer.
Q.2. Déterminer les coordonnées du point de fonctionnement.
Q.3. On remplace RE par un court-circuit. Le point de fonctionnement changera t-il de position ?
  IC(mA)

  IB=60μA
50μA
 
40μA
  3.5 30μA
20μA
 
2.5 10μA
 
1.5
 
0.5  
IB(μA) VCE(V)
 
40 20 1 3 5 7 9 11
0.4  

 
0.8
 
1.2
 

  1.6

  2

  Fig.6

  VBE(V)
    2
 
B) Etude en régime dynamique:
Sur la figure 3 (exercice 1), on envoie sur la base un signal sinusoïdal de faible amplitude de
f.e.m Eg et de résistance Rg et de charge RL comme l’indique la figure 7.
On suppose que toutes les capacités de liaison ont une impédance négligeable en régime des
petits signaux. Le transistor est caractérisé par ses paramètres hybrides tel que h11=107KΩ,
h21=β=100 et h12=h22=0
L’interrupteur K étant fermé
Q.1. Donner le schéma équivalent en alternatif  
du montage R1 Rc
Q.2. Calculer le gain en tension Av=Vs/Ve à
charge.
Cl
Q.3. Calculer les impédances d’entrée Ze et de Rg E
K
sortie Zs. 
L’interrupteur K étant ouvert Eg Rl
Q.4. Donner le nouveau schéma équivalent du R2 R e C e

montage
Q.5. Déterminer le nouveau gain en tension Av1 Fig.7
à charge.
Q.6. Déduire l’intérêt du découplage en émetteur commun.
Q.7. Déterminer la nouvelle impédance de sortie Zs1.
On désigne par Z l’impédance complexe équivalente à RE et CE en parallèle  
Q.8. Quelle est l’expression de l’amplification complexe A(jω) en fonction de Av, beta, h11 et Z.
Q.9. Montrer que A(jω)=A0·((1+jτ2ω)/ (1+jτ1ω)) où τ1 et τ2 désignent deux constantes de temps
dont on demande les expressions.
Q.10. Tracer le diagramme asymptotique du module A(jω) en fonction de la fréquence .
EXERCIE N°5 :
Sur la figure 3 (exercice 1), on place une capacité Cc en parallèle avec Rc. L’entrée du
montage est attaquée par un générateur de tension e(t)=Vm.sin(ωt) et on charge l’émetteur
avec RL et CL comme l’indique la figure 8.
Q.1. En régime statique y’a-t-il un changement à signaler
Q.2. Dessiner le schéma équivalent aux petites variations et aux fréquences moyennes du
montage complet sachant que toutes les capacités ont alors une impédance faible.
Q.3. Déterminer le gain en tension Av .
Q.4. Déterminer les impédances d’entrée Ze et de sortie Zs. 

  R2 RC CC
 

  Rg E

  CL
Eg
R1 RE RL

Fig.8

    3