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MINISTERE DE L’ENSEIGNEMENT SUPERIEUR ET DE

LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

Université de Bordj Bou Arréridj


Faculté des Sciences et de la Technologie
Département d’Electronique

UEF 1.3.2
Dispositifs Passifs et Actifs RF et Micro-ondes
Exercices avec Solutions

Pr. Farid BOUTTOUT

Année : 2020-2021
UEF 1.3.2

Dispositifs Passifs et Actifs RF et Micro-ondes


Exercices avec Solutions

Pr. Farid BOUTTOUT

Université de Bordj Bou Arréridj


Faculté des Sciences et de la Technologie
Département d’Electronique
Email: f.bouttout@univ-bba.dz
Tél/Fax (Département): 035 86 22 43
Mobile: 0775631083
UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes Contenu du programme

Semestre : 3
Unité d’enseignement : UEF 1.3.2
Matière 4 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes
Crédits : 04
Coefficient : 02
Objectifs : Cette matière a pour objectif de fournir les notions de base et une initiation aux outils
nécessaires à la conception de divers circuits RF ou micro-ondes. Ces circuits sont divisés en deux
types, des dispositifs passifs tels que les lignes de transmission, guides d’ondes métalliques,
coupleurs, diviseurs et d’autres dispositifs actifs tels que transistor FET, diode Schottky,
mélangeurs et les oscillateurs.
CONTENU DE LA MATIERE
Chapitre 1. Circuits et dispositifs passifs pour micro-ondes
- Rappels sur les matrices Z, Y, h, ABCD d'un multipôle
- Lignes couplées (Coupleurs directifs)
- Circulateurs, T magique, Hybride, diviseurs de puissance, coupleurs directionnels
- Adaptateurs, atténuateurs, déphaseur
- Méthodes d’analyses (paramètres S, graphe de fluence)
Chapitre 2. Filtres micro-ondes
- Circuits résonnants, Cavités
- Circuits résonnantes, Cavités
- Eléments et dispositifs ferrites pour circuits passifs non réciproques
Chapitre 3. Circuits et dispositifs actifs pour micro-ondes
- Les diodes en RF (Schottky,Gunn, Varicap, PIN),
- Les transistors en RF (MOSFET et MESFET)
- Les oscillateurs et mélangeurs
Chapitre 4. Gain d’un quadripôle
- Description des différents gains (gain en puissance, gain transducique et Gain spécifique)
- Unilatéralité
- Cercles de stabilité
- Tests de la stabilité inconditionnelle (K-Delta, Mu)
Chapitre 5. Conception d'amplificateur
- Conception pour gain maximum (Conjugate matching design)
- Conception pour un gain spécifié (Deign for specified gain)
- Conception à faible bruit
Chapitre 6. Circuits intégrés micro-ondes

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EXERCICES DE COMPREHENSION DE LA
PARTIE I
Chapitres 1 & 2
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I.1 Théorie générale des multiples

Exercice n°1
On considère un circuit RLC série avec un courant I. Calculer la puissance perdue (power lost) et
les énergies électrique et magnétique stockées et montrer que l’impédance d’entrée peut être
exprimée comme l’équation (52) du cours.

Exercice n°2
Montrer que l’impédance d’entrée Z d’un circuit RLC parallèle satisfait la condition
(− ) = ∗( ).

Exercice n°3
Montrer que la matrice d’admittance d’un multiple sans pertes ayant N ports a des éléments
imaginaires purs.

Exercice n°4
Un multiple non-réciproque et sans pertes possède-t-il toujours une matrice impédance
imaginaire pure?

Exercice n°5
Calculer les matrices [ ] et [ ] des multiples à deux ports suivants

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Exercice n°6
On considère un multiple à deux ports et soient
( )
: l’impédance d’entrée vue du port 1 lorsque le port 2 est en court-circuit
( )
: l’impédance d’entrée vue du port 2 lorsque le port 1 est en court-circuit
( )
: l’impédance d’entrée vue du port 1 lorsque le port 2 est en circuit ouvert
( )
: l’impédance d’entrée vue du port 2 lorsque le port 1 est en circuit ouvert
Montrer que les éléments de la matrice impédance sont donnés par
( ) ( ) ( ) ( ) ( )
= = = = − .

Exercice n°7
Un multiple à deux ports est alimenté sur ses deux ports tel que les tensions et les courants sur
les ports possèdent les valeurs suivantes ( = 50 Ω):
= 20∠0° = 0.4∠90°
= 4∠ − 90° = 0.08∠0°
Déterminer l’impédance d’entrée vue sur chaque port et trouver les tensions incidentes et
réfléchies sur chaque port.

Exercice n°8
A partir des équations définissant les matrices admittance et impédance, montrer que
[ ]=[ ] .

Exercice n°9
En utilisant la définition de la représentation ABCD d’un réseau, trouver la description en
paramètres Y.

Exercice n°10
Calculer le Return Loss d’une résistance de 25 Ω connectée à une ligne de transmission 75 Ω.

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I.2. Matrice de répartition

Exercice n°1
Trouver la matrice de répartition pour chacune des lignes de transmission sans pertes montrées
en dessous relativement à un système d’impédance de . Vérifier que chaque matrice est
unitaire.

Exercice n°2
On considère deux multiples ayant deux ports chacun et de matrices de répartition individuelles
[ ] et [ ]. Montrer que le paramètre global résultant de la mise en cascade de ces deux
multiples est donné par

=
1−

Exercice n°3
On considère un multiple à deux ports sans pertes. (a) Si le multiple est réciproque, montrer que
| | =1−| | . (b) Si le multiple est non-réciproque, montrer qu’il est impossible d’avoir
une transmission unidirectionnelle où = 0 et ≠ 0.

Exercice n°4
Montrer qu’il est impossible de construire un multiple à trois ports sans pertes, réciproque et
adapté sur tous les ports. Est-il possible de construire un multiple à trois ports non-réciproque,
sans pertes et adapté sur tous les ports?

Exercice n°5
Prouver le théorème de découplage suivant: Pour tout multiple à trois ports sans pertes et
réciproque, un port (soit le port 3) puisse être terminé sur une réactance tel que les deux autres
ports (soient 1 et 2) sont découplés (pas de passage de puissance du port 1 vers le port 2, ou du
port 2 vers le port 1).

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Exercice n°6
Un multiple à trois ports sans pertes et réciproque possède = et = . Montrer que
si le port 2 est terminé par une charge adaptée alors le port 1 peut être adapté en mettant une
réactance appropriée sur le port 3.

Exercice n°7
Un multiple à quatre ports possède la matrice de répartition montrée en dessous.
(a) Ce multiple est-il sans pertes?
(b) Ce multiple est-il réciproque?
(c) Quel est le Return Loss sur le port 1 lorsque tous les autres ports sont terminés par des
charges adaptées?
(d) Quel est l’Insertion Loss et le retard de phase entre les ports 2 et 4 lorsque tous les autres
ports sont terminés par des charges adaptées?
(e) Quel est le coefficient de réflexion vu au port 1 si un court circuit est placé sur le plan
terminal du port 3 et tous les autres ports sont terminés par des charges adaptées?
0.1∠90° 0.8∠ − 45° 0.3∠ − 45° 0
[ ] = 0.8∠ − 45° 0 0 0.4∠45°
0.3∠ − 45° 0 0 0.6∠ − 45°
0 0.4∠45° 0.6∠ − 45° 0

Exercice n°8
Un multiple à quatre ports possède la matrice de répartition montrée en dessous. Si les ports 3 et
4 sont connectés par une ligne de transmission sans pertes et adaptée et ayant une longueur
électrique de 60°, trouver l’Insertion Loss résultant et le retard de phase entre les ports 1 et 2.
0.3∠ − 30° 0 0 0.8∠0°
[ ]= 0 0.7∠ − 30° 0.7∠ − 45° 0
0 0.7∠ − 45° 0.7∠ − 30° 0
0.8∠0 0 0 0.3∠ − 30°

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Exercice n°9
On considère un multiple à deux ports consiste en une jonction de deux lignes de transmission
avec des impédances caractéristiques et comme le montre la figure en dessous. Trouver
les paramètres de répartition généralisés de ce multiple.

Exercice n°10
Les paramètres de répartition d’un multiple à deux ports sont mesurés
= 0.3 + 0.7 = = 0.6 = 0.3 − 0.7
Trouver les paramètres d’impédance équivelents de ce multiple si l’impédance caractéristique est
50 Ω.

Exercice n°11
Un certain multiple à deux ports possède les paramètres de répartition normalisés à une seule
impédance caractéristique . Trouver les paramètres de répartition généralisés lorsque les
impédances caractéristiques sur les ports 1 et 2 sont changées en et , respectivement.

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I.3. Propriétés des multiples

Exercice n°1
Trouver les paramètres impédance d’une section de ligne de transmission ayant une longueur l,
d’impédance caractéristique et de constante de propagation .

Exercice n°2
Les paramètres ABCD du premier circuit de la Table 2 (page 32 du cours) sont calculés aussi
dans l’exemple de la page 31 du cours. Vérifier les paramètres ABCD pour les circuits no 2,3 et 4
de la Table 2.

Exercice n°3
Développer les expressions qui donnent les paramètres impédance en terme des paramètres
ABCD.

Exercice n°4
Utiliser les matrices ABCD pour trouver la tension aux bornes de la résistance de charge du
circuit montré en dessous.

Exercice n°5
Trouver la matrice ABCD du circuit suivant par calcul direct en utilisant la définition de la
matrice ABCD et comparer avec la matrice ABCD d’une mise en cascade de circuits canoniques
de la Table 2 du cours.

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Exercice n°6
Calculer les expressions des paramètres S en terme des paramètres ABCD comme donnés dans la
Table des transformations de l'Annexe F page 267-268.

Exercice n°7
Trouver les paramètres S pour les charges série et parallèle (shunt) montrées en dessous. Montrer
que =1− pour le cas série et que =1+ pour le cas shunt. Supposer une
impédance caractéristique .

Exercice n°8
Comme le montre la figure en dessous, un atténuateur peut être implémenté utilisant un coupleur
hybride 90° (quadrature hybride) à quatre ports en fermant les ports 2 et 3 par des charges égales
mais ajustables.
(a) En utilisant la matrice de répartition du coupleur, montrer que le coefficient de
transmission entre l’entrée (port 1) et la sortie (port 4) est donné par = Γ où Γ est le
coefficient de réflexion dû au désadaptation des ports 2 et 3. Aussi montrer que le port
d’entrée est adapté pour toutes les valeurs de Γ.
(b) Tracer l’atténuation en dB de l’entrée vers la sortie en fonction de ⁄ pour
0≤ ⁄ ≤ 10 (supposer réelle).

0 1 0
−1
0 0 1
[ ]=
√2 1 0 0
0 1 0

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Exercice n°9
Trouver les matrices impédance et admittance du réseau T suivant

Exercice n°10
Calculer la matrice ABCD d’un réseau à deux ports constitué d’une impédance Z connectée en
parallèle.

Exercice n°11
Trouver les paramètres ABCD d’un réseau π d’impédances , et .

Exercice n°12
Calculer les paramètres ABCD d’un transformateur RF ayant un rapport des nombres de tours
= ⁄ où est le nombre de tours dans le bobinage primaire et le nombre de tours
dans le bobinage secondaire.

Exercice n°13
Calculer le Return Loss d’une résistance de 25 Ω connectée à une ligne de transmission 75 Ω.

Exercice n°14
Le transformateur idéal de l’exercice n°6 peut aussi être représenté dans la forme de paramètres
S. Montrer que la matrice [ ] est donnée par
1 −1 2
[ ]=
1+ 2 1−
où = ⁄ .

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Exercice n°15
Pour les deux circuits suivants, prouver que les paramètres S sont donnés par
Γ 1−Γ Γ 1+Γ
[ ]= et [ ] =
1−Γ Γ 1+Γ Γ
respectivement, où Γ = (1 + 2 ⁄ ) et Γ = −(1 + 2 ⁄ )

Exercice n°16
Un BJT fonctionne dans un circuit de 50 Ω à la fréquence de 1.5 GHz. Pour les conditions de
polarisation 4 mA du courant collecteur et une tension collecteur-emetteur de 10 V, le fabriquant
donne les paramètres S en amplitude et en phase comme suit:
= 0.6∠ − 127° ; = 3.88∠87° ; = 0.039∠28° ; = 0.76∠ − 35°
Trouver les paramètres Z

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I.4. Etude de multiples

Exercice n°1
On considère la jonction T de trois lignes de transmission ayant les impédances caractéristiques
, et comme montrée en dessous. Démontrer qu’il est impossible pour toutes les trois
lignes d’être adaptées lorsqu’on regarde en direction de la jonction.

Exercice n°2
Un coupleur directionnel possède la matrice de répartition donnée ci-dessous. Trouver la
directivité, le couplage, l’isolation et le Return Loss dans le port d’entrée lorsque les autres ports
sont terminés par des charges adaptées.
0.05∠30° 0.96∠0 0.1∠90° 0.05∠90°
[ ] = 0.96∠0 0.05∠30° 0.05∠90° 0.1∠90°
0.1∠90° 0.05∠90° 0.04∠30° 0.96∠0
0.05∠90° 0.1∠90° 0.96∠0 0.05∠30°

Exercice n°3
Deux coupleurs 90° identiques ayant C = 8.34 dB sont connectés comme le montre la figure.
Trouver les phase et amplitudes aux ports 2’ et 3’ par rapport au port 1.

Exercice n°4
Une source de puissance de 2 W est connectée à l’entrée d’un coupleur directionnel ayant C = 20
dB, D = 25 dB et un Insertion Loss de 0.7 dB. Trouver les puissances de sortie (en dBm) sur les
ports Through, Coupled et Isolated. On suppose que tous les ports sont adaptés.

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Exercice n°5
Faire la conception d’un diviseur jonction T sans pertes avec une impédance de source 30 Ω pour
donner une séparation de puissance 3 : 1. Faire la conception des transformateurs quart d’onde
pour convertir les impédances de la sortie des lignes à 30 Ω. Déterminer le module des
paramètres S pour ce circuit en utilisant une impédance caractéristique de 30 Ω.

Exercice n°6
On considère les circuits atténuateurs résistifs en T et π montrés en dessous. Si l’entrée et la
sortie sont adaptées à et le rapport entre la tension de sortie et la tension d’entrée est α,
développer les équations de conception de et pour chaque circuit. Si = 50 Ω, calculer
et pour chaque type d’atténuateur avec des atténuations 3 dB, 10 dB et 20 dB.

Exercice n°7
Montrer que les paramètres S d’un multiple peuvent se calculer à partir des paramètres Y comme
suit
[ ] = ([ ] + [ ]) ( [ ] − [ ])
et la relation inverse correspondante
[ ]= ([ ] − [ ])([ ] + [ ])
où = 1⁄ est l’admittance caractéristique de la ligne.

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Exercice n°8
Pour le réseau T suivant introduit dans une ligne de transmission ayant une impédance
caractéristique = 50 Ω, les trois résistances sont = = 8.56 Ω et = 141.8 Ω. Trouver
les paramètres S de cette configuration et tracer l’Insertion Loss en fonction de l’inductance L
pour la fréquence = 2 GHz et L variant de 0 à 100 nH.

Solution n°9
La solution de cet exercice est exactement la même que celle de l’exercice précédent à
l’exception que la résistance est remplacée par ( + ) et remplacée par ( +
) où = 0.5 nH est l’inductance parasite. Appliquant ces modifications on trouve
= + +( + + )∥( + ) = (53.6322 + 17.7759) Ω

= = = 0.0626286 + 0.16078 = 0.17255∠68.7183°
+
−( + )
= =2 = (0.7508 − 0.0203) Ω = 0.751∠ − 1.55°
+ + +
Le script Matlab de l’exercice est donné ci-dessous

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I.5. Cavités

Exercice n°1
Une cavité rectangulaire à plaqué de cuivre remplie d’air et possédant les dimensions suivantes
a = 4 cm, b = 2 cm, d = 5 cm. Trouver la fréquence de résonance et Q des modes TE101 et TE102.

Exercice n°2
Trouver Q pour le mode TM111 d’une cavité rectangulaire en supposant des murs conducteurs
avec pertes et un diélectrique sans pertes.

Exercice n°3
On considère la cavité résonnante rectangulaire suivante partiellement remplie par un
diélectrique. Trouver une équation transcendante pour la fréquence de résonance du mode
dominant en écrivant les champs dans les régions d’air et du diélectrique en termes des modes
TE10 du guide d’onde et en imposant les conditions aux frontières en z = 0, d-t, d.

Exercice n°4
Déterminer les fréquences de résonance d’une cavité rectangulaire en effectuant une séparation
complète de variables de la solution de l’équation d’onde pour Ez (pour les modes TM) et Hz
(pour les modes TE) en tenant compte des conditions aux frontières appropriées dans la cavité.
(Supposer une solution de la forme X(x)Y(y)Z(z).)

Exercice n°5
Une cavité résonante rectangulaire remplie d’air possède ses trois premiers modes résonants dans
les fréquences 5.2 GHz, 6.5 GHz et 7.2 GHz. Trouver les dimensions de la cavité.

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Exercice n°6
Une cavité rectangulaire remplie d’air est fabriquée d’une pièce de cuivre d’un guide d’onde
WR-90. Si elle résonne à 9.379 GHz dans le mode TE101, trouver la longueur nécessaire d et la
valeur de Q de cette cavité.

Exercice n°7
Une cavité rectangulaire fabriquée en cuivre a les dimensions internes = 1.6 cm, = 0.71 cm
et = 1.56 cm. Elle est remplie du Téflon ( = 2.05 et tan = 2.9268 × 10 ). Trouver la
fréquence de résonance du mode TE101 et la valeur de Q de cette cavité.

Exercice n°8
Le facteur de qualité d’une inductance de 100 nH est 150 à 100 MHz. Elle est utilisée dans un
circuit résonant série ayant une impédance de charge 50 Ω. Trouver la capacité nécessaire pour
faire résonner ce circuit à 100 MHz. Trouver la valeur de Q à charge du circuit.

Exercice n°9
Une cavité rectangulaire remplie d’air est fabriquée d’une pièce de cuivre d’un guide d’onde
WR-430. Si elle résonne à 2 GHz dans le mode TE101, trouver la longueur nécessaire d et la
valeur de Q de ce résonateur.

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I.6. Lignes microruban

Exercice n°1
Faire la synthèse (conception ou design) d’une ligne de transmission type stripline pour une
impédance caractéristique de 70 Ω. La séparation du plan de masse étant de 0.316 cm et la
constante diélectrique du matériau de remplissage (filling) est 2.20. Quel est la longueur d’onde
guidée sur cette ligne de transmission si la fréquence est 3.0 GHz?

Exercice n°2
Faire la synthèse d’une ligne de transmission de type microstrip (microruban) pour une
impédance caractéristique de 100 Ω. L’épaisseur du substrat est 0.158 cm avec = 2.20. Quel
est la longueur d’onde guidée sur cette ligne de transmission si la fréquence est 4.0 GHz?

Exercice n°3
Une ligne microruban (microstrip) 100 Ω est imprimée sur un substrat d’épaisseur 0.0762 cm
d’une constante diélectrique de 2.2. Sachant que la fréquence de travail est de 2.5 GHz et en
négligeant les pertes dûes aux champs de dispersion sur les bords du strip, trouver la plus courte
longueur (longueur minimale) de cette ligne pour laquelle on aura une impédance d’entrée:
1. Capacitive de 5 pF.
2. Inductive de 5 nH.
En utilisant un outil micro-onde de Conception Assistée par Ordinateur; CAO (Computer Aided
Design; CAD) avec un modèle physique de la ligne de transmission, calculer l’impédance
d’entrée réelle vue lorsque les pertes sont incluses (on prendra des conducteurs en cuivre et
tan = 0.001 ).

Exercice n°4
Un système d’alimentation d’une antenne hyperfréquence travaillant à 5 GHz nécessite une ligne
de transmission planaire d’impédance caractéristique 50  et de longueur 16. Deux choix sont
possibles:
(a) Une ligne microstrip en cuivre ayant: d = 0.16 cm, = 2.20 et tan  = 0.001 ou
(b) Une stripline en cuivre ayant: b = 0.32 cm, = 2.20, t = 0.01 mm et tan  = 0.001.
Quel ligne doit-on utiliser si on veut minimiser l’atténuation?

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EXERCICES DE COMPREHENSION DE LA
PARTIE II
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II.2. Diodes à pointe


Exercice n°1
Une entrée à deux fréquences a une différence entre les niveaux des deux signaux égale à 6 dB.
Cette entrée est appliquée à un élément nonlinéaire. Quel est le rapport de puissance entre les
deux produits d’intermodulation d’ordre trois 2 − et 2 − si et sont proches
l’une de l’autre?

Exercice n°2
( )
Une diode a une caractéristique I-V donnée par ( )= − 1 . Mettre ( )=
0.1 cos + 0.1 cos et développer ( ) en une série de puissances de , en ne retenant que
les termes en , et . Pour = 1 A, trouver les amplitudes du courant en chaque fréquence.

Exercice n°3
Une diode a les paramètres suivants: Cj = 0.1 pF, Rs = 15 Ω, Is = 0.1 µA et Lp = Cp = 0. Calculer
la sensibilité de tension en circuit ouvert à 10 GHz pour I0 = 0, 20 et 50 µA. Supposer α = 1/(25
mV) et négliger l’effet du courant de polarisation sur la capacité de jonction.

Exercice n°4
Un switch single-pole, single-through utilise une diode PIN dans une configuration shunt. La
fréquence est 4 GHz, Z0 = 50 Ω et les paramètres de la diode sont: Cj = 0.5 pF, Rr = 0.5 Ω, Rf =
0.3 Ω, Li = 0.3 nH. Trouver la longueur électrique d’un stub circuit ouvert parallèle placé aux
bornes de la diode, pour minimiser l’insertion loss de l’état ON du switch. Calculer les insertions
losses résultants pour les états ON et OFF.

Exercice n°5
Un switch single-pole single-through est construit en utilisant deux diodes PIN identiques dans
l’arrangement montré en dessous. Dans l’état ON, la diode série est polarisée en direct et la
diode shunt est polarisée en inverse et vice versa pour l’état OFF. Si f = 6 GHz, Z0 = 50 Ω, Cj =
0.1 pF, Rr = 0.5 Ω, Rf = 0.3 Ω, Li = 0.4 nH, déterminer les insertion losses des deux états ON et
OFF.

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II.4. Amplificateurs

Exercice n°1
On considère un circuit micro-onde montrée en dessous, qui consiste en une source 50 Ω, un
atténuateur 3 dB adapté et une charge de 50 Ω.
(a) Calculer le gain intrinsèque de puissance (Available power gain), le gain transduscique
de puissance, et le gain réel de puissance (actual power gain).
(b) Comment ces gains varient si la charge est changée en 25 Ω?
(c) Comment varient ces gains si l’impédance de source est changée à 25 Ω?

Exercice n°2
Un amplificateur utilise un transistor ayant les paramètres S suivants ( = 50 Ω):
= 0.61∠ − 170°, = 0.06∠70°, = 2.3∠80°, = 0.72∠ − 25°. L’entrée du
transistor est connectée à une source avec = 2 (crête) et = 25 , et la sortie du transistor
est connectée à une charge = 100 .
(a) Calculer le gain de puissance (Power gain); G
(b) Calculer le gain disponible (Available gain); GA
(c) Calculer le gain transduscique (Transducer power gain); GT
(d) Calculer le gain transduscique unilatéral (Unilateral Transducer power gain); GTU
(e) Calculer la puissance disponible depuis la source et la puissance délivrée à la charge.

Exercice n°3
Démontrer les tests de stabilité − Δ et données respectivement par les équations (216)-(217)
et (218) du cours.

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Exercice n°4
Un transistor hyperfréquence possède les paramètres S suivants:
= 0.34∠ − 170° , = 4.3∠80° , = 0.06∠70° , = 0.45∠ − 25°
Déterminer la stabilité et tracer les cercles de stabilité si le circuit est potentiellement instable.

Exercice n°5
Refaire l’exercice 4 pour les paramètres S suivants du transistor:
= 0.8∠ − 90° , = 5.1∠80° , = 0.3∠70° , = 0.62∠ − 40°.

Exercice n°6
Utiliser le test du paramètre µ pour déterminer lequel des circuits suivants sont
inconditionnellement stable et celui qui a la meilleure stabilité:
Circuit
A 0.34∠ − 170° 0.06∠70° 4.3∠80° 0.45∠ − 25°
B 0.75∠ − 60° 0.2∠70° 5.0∠90° 0.51∠60°
C 0.65∠ − 140° 0.04∠60° 2.4∠50° 0.70∠ − 65°

Exercice n°7
Montrer que pour un circuit unilatéral où = 0, le test en paramètre µ de (équation 218 du
cours) implique que | | < 1 et | | < 1 pour la stabilité inconditionnelle.

Exercice n°8
Montrer que la condition pour un discriminant positif de l’équation (223.a) du cours, soit >
4| | est équivalente à la condition > 1.

Exercice n°9
Faire la conception d’un amplificateur pour un gain maximum à 5.0 GHz à base d’un FET à
GaAs ayant les paramètres S suivants ( = 50 Ω):
= 0.65∠ − 140° , = 2.4∠50° , = 0.04∠60° , = 0.70∠ − 65°.
Faire la conception des sections d’adaptation en utilisant des stubs parallèles en circuit-ouvert.

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Exercice n°10
Faire la conception d’un amplificateur pour avoir un gain de 10 dB à 6.0 GHz, en utilisant un
transistor ayant les paramètres S suivants ( = 50 Ω):
= 0.61∠ − 170° , = 2.24∠32° , =0 , = 0.72∠ − 83°.
Représenter et utiliser des cercles à gain constant pour = 1 dB et = 2 dB. Utiliser des
sections d’adaptation avec des stubs parallèles en circuit-ouvert.

Exercice n°11
Calculer le facteur de mérite unilatéral pour le transistor de l’exercice 4. Quel est l’erreur
maximale dans le gain transduscique si un amplificateur est conçu en supposant que le circuit est
unilatéral?

Exercice n°12
Montrer que le cercle de gain 0 dB pour ( = 1), définit par l’équation (234) passe par le
centre de l’abaque de Smith.

Exercice n°13
Soit l’entrée d’un amplificateur ayant un VSWR de 2 et la sortie est donnée par VSWR = 3,
trouver les modules des coefficients de réflexion à l’entrée et à la sortie. Que signifie votre
résultat en termes de et ?

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SOLUTIONS DETAILLEES DES EXERCICES DE
LA PARTIE I
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I.1. Théorie générale des multiples

Exercice n°1

1
= | | ⟹ =
2 1
| |
2
1 2
= | | ⟹ = ⟹ =2
4 1 1
| | | |
2 2
1 1 1 1
= | | = | | ⟹ =2
4 4 1
| |
2
L’impédance d’entrée est
1 +2 ( − )
= + − =
1
| |
2
Qui est en accord avec l’équation (52) ducours (voir aussi le cours, pages 54 et 55).

Exercice n°2

1 1 1
( )= + + =
1 1
+ −
1 1 ∗
(− ) = = = ( )
1 1 1 1
− − − −
(− )

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Exercice n°3
La puissance totale délivrée au multiple à N ports exprimée en terme des tensions [ ], des
courants [ ] et de la matrice d’admittance [ ] comme suit:

1 1 1
= [ ] [ ]∗ = [ ] [ ] ∗ [ ]∗ = ∗ ∗
2 2 2

S’il n’y a pas de pertes, { } = 0. Puisque les sont indépendants, on mettra dans un
premier temps tous les = 0 à l’exception de . Alors,
1 ∗
1 ∗
= | | ∗ =
2 2
∗ } = Re{ } = 0. Donc les éléments diagonaux de la matrice [ ] sont réels purs.
∴ Re{
Maintenant, on suppose que toutes les tensions des ports sont nulles à l’exception de deux et
soient et ces deux tensions, avec ≠ . Alors
1 ∗ ∗
1 ∗ ∗
1 ∗ ∗
1 ∗ ∗
= + + +
2 2 2 2
1 ∗ ∗ ∗ ∗ ∗ ∗}
= {| | +| | + +
2
En imposant la condition que la prtie réelle de est nulle, on trouve
| | Re{ ∗ }+| | Re{ ∗ } + Re{ ∗ ∗ ∗ ∗}
+ =0
Les deux premiers termes sont nuls car on a montré ci-dessus les éléments diagonaux de [ ] sont
imaginaires purs. Le troisième terme consiste en la somme de deux termes
∗ ∗ ∗ ∗}
Re{ + =0
Si en outre le multiple est réciproque, alors = . Et la condition précédente s’écrit alors:
∗ ∗ ∗ ∗} ∗ [ ∗ ∗ ]} ∗ [ ∗ ∗ )∗ ]}
Re{ + = Re{ + = Re{ +(
∗ ∗ )∗ ]Re{ ∗ ∗ }Re{
=[ +( } = 2Re{ }=0
Puisque les et sont indépendants, alors nous devons avoir
Re{ } = 0 pour tout ≠ .

Exercice n°4

Soit la matrice impédance d’un multiple à deux ports [ ] = et montrer que des

existent tel que Re{ } = 0 mais que pas tous les sont imaginaires purs.
1 1 ∗ ∗ ∗ ∗)
= [ ] [ ] [ ]∗ = ( + + +
2 2
1 1 ∗ ∗ ∗ ∗)
= [ ] [ ] [ ]∗ = ( + + +
2 2

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1 ∗ ∗)
= ( | | + | | + +
2
Pourqu’il soit sans pertes, nous devons avoir Re{ } = Re{ } = 0.
∗ ∗} ∗ ∗}
Aussi, Re{ + = 0. Ceci n’est vérifié que si = (car Re{ − = 0).
Par exemple, si = + alors =− + . Donc [ ] n’est pas symétrique et la réponse
est NON.

Exercice n°5

Selon l’équation (58)

( + )
= = = = (Par symétrie)
2 + 2 +
( + )

+
= = = = (Par réciprocité)
2 +

Selon l’équation (59)

+
= = = = (Par symétrie)
+
− ⁄ −1
= = = = (Par réciprocité)

Vérification
[ ][ ] = [ ][ ] = [ ]?
( + ) + −1
⎡ ⎤⎡ ⎤
2 + 2 +
[ ][ ] = ⎢⎢ ⎥⎢ ⎥
( + )⎥ ⎢ −1 + ⎥
⎢ ⎥
⎣ 2 + 2 + ⎦⎣ ⎦

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( + ) + 1 −1 (+ ) +
⎡ − + ⎤
⎢ 2 + 2 + 2 + 2 + ⎥
=⎢ ⎥
+ 1 ( + ) 1 ( + ) +
⎢ − − + ⎥
⎣2 + 2 + 2 + 2 + ⎦
1 ( + ) 1 + +
⎡ − − + ⎤
⎢ 2 + 2 + 2 + 2 + ⎥
=⎢
⎢ + + 1 1 ( + ) ⎥⎥
− − +
⎣ 2 + 2 + 2 + 2 + ⎦
1 + +2 −
⎡ 0 ⎤
⎢ 2 + ⎥
=⎢ ⎥
⎢ 1 + +2 − ⎥
0
⎣ 2 + ⎦
1 +2 1 ( +2 )
⎡ 0 ⎤ ⎡ 0 ⎤
⎢ 2 + ⎥ ⎢ 2 + ⎥= 1 0
=⎢ ⎥=⎢
1 +2 1 ( +2 )⎥ 0 1
⎢ 0 ⎥ ⎢ 0 ⎥
⎣ 2 + ⎦ ⎣ 2 + ⎦
=[ ]
Donc [ ][ ] = [ ]

Calculons [ ][ ]
+ −1 ( + )
⎡ ⎤⎡ ⎤
[ ][ ] = ⎢ ⎥⎢ 2 + 2 + ⎥
−1 + ⎢ ( + )⎥
⎢ ⎥⎢ ⎥
⎣ ⎦⎣ 2 + 2 + ⎦

+ ( + ) 1 + 1 ( + )
⎡ − − ⎤
⎢ 2 + 2 + 2 + 2 + ⎥
[ ][ ] = ⎢
( + ) ( + )⎥
⎢− 1 +
+

1
+
+ ⎥
⎣ 2 + 2 + 2 + 2 + ⎦
1 ( + ) 1 + +
⎡ − − ⎤
⎢ 2 + 2 + 2 + 2 + ⎥
=⎢
⎢− + + 1 1 ( + ) ⎥⎥
+ − +
⎣ 2 + 2 + 2 + 2 + ⎦
1 + +2 −
⎡ 0 ⎤
⎢ 2 + ⎥
=⎢ ⎥
⎢ 1 − + + +2 ⎥
0
⎣ 2 + ⎦

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1 +2 1 ( +2 )
⎡ 0 ⎤ ⎡ 0 ⎤
⎢ 2 + ⎥ ⎢ 2 + ⎥= 1 0
=⎢ ⎥=⎢
1 +2 1 ( +2 )⎥ 0 1
⎢ 0 ⎥ ⎢ 0 ⎥
⎣ 2 + ⎦ ⎣ 2 + ⎦
=[ ]

Donc [ ][ ] = [ ] et par conséquent nous avons [ ][ ] = [ ][ ] = [ ] ou [ ] = [ ] ou


encore [ ] = [ ] .
De la même manière pour le réseau T. Les résultats sont:
+ −1
= = = =

( + )
= = = =
2 + 2 +

Exercice n°6
On modélise le réseau à deux ports par le schéma électrique équivalent suivant:

Alors,
( ) ( − )
= − + = − ⁄

( ) ( ) ( )
= − ⁄ = =

A partir de la première équation on trouve


( ) ( ) ( ) ( )
=− − = −

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Exercice n°7
= 20∠0° = 0.4∠90°
= 4∠ − 90° = 0.08∠0°
D’après (93), nous avons
= +
=( − )⁄
Sachant que = = 50 Ω et = 1,2. En solvant pour et
=( + )⁄2
=( − )⁄2
=( + )⁄2 = (20 + 50 × 0.4 )⁄2 = 10 + 10 = 14.1421∠45°
=( − )⁄2 = (20 − 50 × 0.4 )⁄2 = 10 − 10 = 14.1421∠ − 45°
=( + )⁄2 = (−4 + 50 × 0.08)⁄2 = 2 − 2 = 2.8284∠ − 45°
=( − )⁄2 = (−4 − 50 × 0.08)⁄2 = −2 − 2 = 2.8284∠ − 135°
( ) 20∠0°
= = = 50∠ − 90°
0.4∠90°
( ) 4∠ − 90°
= = = 50∠ − 90°
0.08∠0°

Exercice n°8
Nous avons : [ ] = [ ][ ] et [ ] = [ ][ ]
Par conséquent, [ ] = [ ][ ] = [ ][ ][ ]
Alors [ ][ ] = [ ], où [ ] est la matrice unité (ou identité). Par multiplication des deux
membres de l’équation par [ ] on trouve
[ ] = [ ][ ][ ] = [ ][ ] =[ ]

Exercice n°9
Selon la définition de la matrice des paramètres Y on peut écrire

= = =

− 1
= = =−

Le courant s’écoulant dans le port 2 est exprimé par = + . Par conséquent, le


paramètre est exprimé par

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= =− =− =

Où est exprimé selon la définition de la matrice ABCD


= −
Substituant cette équation dans l’expression précédente on obtient
− − − ∆
= = − = − =− =−

Exercice n°10
25 − 75
= −20 log|Γ | = −20 log = 20 log 2 = 6.0206 dB
25 + 75

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I.2. Matrice de répartition

Exercice n°1

= = 0, = = , = = , = =0

[ ]= 0
0
0 0 0 1 0
[ ] [ ]∗ = = = =[ ]
0 0 0 0 1
On a donc [ ] [ ]∗ = [ ] cequi veut dire que la matrice [ ] est unitaire.

−2 1
= =Γ = , Γ(0) = =−
+2 3

1
1 + Γ(0) 1−3 3−
=2 =2 =2
1 − Γ(0) 1 3+
1+3

3− 3−
− 2 − 2 −1 2 3− − 3+
Γ = = 3+ = 3+ =
+ 3− 3− 2(3 − ) + (3 + )
2 + 2 +1
3+ 3+
6−2 −3− 3−3 1−
= = =
6−2 +3+ 9− 1
3−3

1−
Γ =
1
3−3

Vérification: Si = ⁄2, Γ = 0.
Pour = , on considère le circuit suivant:

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Sur la ligne 2 , nous avons:


1
= + = (1 + Γ ) = −
3
2
1 2 (1 + Γ )
= + = = 1− = =3
3 3 1
−3
2
(1 + Γ ) 8
= = 3 =
1 33 − 1
−3 3

Vérification
Si = , = , Γ = 0, = 0, = 1.
Si = ⁄2, Γ = 0, = 0, = −1.
64
1− 64 1 1− + 9
| | +| | = + =
1 9 1 1
3−3 3−3 3−3
64
1− − +1+ 9 82 − 9 −9
= = = 1 (Unitarité)
1 82 − 9 −9
9− − +9

Exercice n°2
On définit les amplitudes des ondes comme suit:

Alors,

=[ ] =[ ] =[ ]

= . Lorsque = 0, nous avons = , = .

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Donc,
= + = +
1−
= + ⟹ =

Par conséquent, on obtient

=
1−

Exercice n°3
(a)

[ ]= = car le multiple est réciproque

Le multiple est sans pertes alors [ ] est unitaire, donc le produit scalaire de la première ligne
(resp. colonne) avec elle-même donne: | | +| | = 1 ce qui donne | | =1−| | .

(b)
0
[ ]= ≠ car le multiple est non − réciproque

le produit scalaire de la première ligne avec elle-même donne: | | =1


le produit scalaire de la première colonne avec elle-même donne: | | +| | =1
Donc: | |=0

Exercice n°4
Un multiple à 3 ports adapté et réciproque possède la matrice [ ] de la forme suivante:
0
[ ]= 0
0
Si le multiple est sans pertes alors [ ] doit être unitaire:
| | +| | =1 (1) ∗ (4)
=0
| | +| | =1 (2) ∗ (5)
=0
| | +| | =1 (3) ∗ (6)
=0
Pour montrer qu’une contradiction existe, on suppose que = 0 afin de satisfaire (5) et (6).
Alors selon (1), | | = 1, et selon (3) = 0. Mais dans ce cas, l’équation (2) donnera une
contradiction. De la même façon, une contradiction apparaitera si on impose = 0 ou = 0.
Un circulateur est un exemple d’un multiple à 3 ports réciproque, sans pertes et adapté.

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Exercice n°5
Pour ce problème, il est plus facile d’utiliser la matrice [ ] pour un multiple à 3 ports, réciproque
et sans pertes:

Si on termine le port 3 sur une réactance , alors =− .


Donc nous devons trouver pourque = 0 pour ≠ 0.
Si = 0, alors = 0:
= + =−

=
+

= + = + = −
+ +
( + )− + −
= = =0
+ +
Donc, + − =0

=

Vérification: L’impédance d’entrée sur le port 1 est


( ) + −
= = = + = −
+ +
qui est imaginaire pure.

Exercice n°6
La matrice [ ] d’un multiple à 3 ports réciproque et possède = et = s’écrit

On suppose que le multiple est alimenté au port 1, alors ≠ 0. Le port 2 est terminé par une
charge adaptée alors = 0. Le port 3 est terminé sur une charge réactive alors = .
Nous devons trouver tel que ⁄ = 0.
= + =

=

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= + = +

− +
= + = =0⟹ = −
− −
Nous devons aussi vérifier que cette quantité a un module égal à l’unité:
| | | | | | −| | − ∗ ∗ ( ∗ )
− −
| − ⁄ | = =
| | | |
La propriété d’unitarité de [ ] donne 4 équations:
| | +| | +| | =1 ∗ ∗
+ +| | =0
| +| | =1 ∗ ∗ ∗
2| + + =0
Eliminant des deux équations de droite donne
∗ ∗ ∗
−2| | − − ∗ +| | =0

ou
( ∗ ) ∗ ( ) ∗ | | | −| |
− − = 2|
Alors
| | | | +| | + 2| | | | −| |
| − ⁄ | = =| | + 2| | =1
| |

Exercice n°7
0.1∠90° 0.8∠ − 45° 0.3∠ − 45° 0
[ ]= 0.8∠ − 45° 0 0 0.4∠45°
0.3∠ − 45° 0 0 0.6∠ − 45°
0 0.4∠45° 0.6∠ − 45° 0

(a) Pour être sans pertes, [ ] doit être unitaire:


| | +| | +| | +| | = (0.1) + (0.8) + (0.3) + (0) = 0.74 ≠ 1
Alors le multiple n’est pas sans pertes.

(b) Le multiple est réciproque puisque [ ] est symétrique.

(c) Lorsque les ports 2,3 et 4 sont adaptés, Γ =


Alors = −20 log|Γ| = −20 log(0.1) = 20 dB.

(d) Lorsque les ports 1 et 3 sont terminés par ,

Pr. Farid BOUTTOUT Page 34


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= −20 log| | = −20 log(0.4) = 8.0 dB


Le retard de phase = 60°.

(e) Pour un court-circuit au port 3 et des charges adaptées sur les autres ports, nous avons
= =0
=−
= + = −
=
Alors

Γ( )
= = − = 0.1 − (0.3∠ − 45°)(0.3∠ − 45°) = 0.1 + 0.09 = 0.19

Exercice n°8
0.3∠ − 30° 0 0 0.8∠0°
[ ]= 0 0.7∠ − 30° 0.7∠ − 45° 0
0 0.7∠ − 45° 0.7∠ − 30° 0
0.8∠0 0 0 0.3∠ − 30°

On suppose l’excitation sur le port 1, le port 2 étant adapté. Alors = 0.


Aussi = = = = = = = =0
= =
=
= + = + = + = +
On résoud pour :

=
1−
Alors,
(0.7∠ − 45°)(0.8∠0°)(1∠ − 60°)
= = = = 0.463∠ − 105°
1− 1 − (0.7∠ − 30°)(0.3∠ − 30°)(1∠ − 120°)
= −20 log| | = −20 log(0.463) = 6.7 dB
Le retard de phase est 105°.

Pr. Farid BOUTTOUT Page 35


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Exercice n°9

Selon l’équation (97) du cours,

= , , = 1,2


= =
+

2 2
= = =
+ +

2 2
= = = =
+ +


= =
+

Exercice n°10
= 0.3 + 0.7 = = 0.6 = 0.3 − 0.7 = 50 Ω
En utilisant les tables des transformations S vers Z données en Annexe F pages 267-268:
(1 + )(1 − )+
=
(1 − )(1 − )−
2
=
(1 − )(1 − )−
2
=
(1 − )(1 − )−
(1 − )(1 + )+
=
(1 − )(1 − )−

Pr. Farid BOUTTOUT Page 36


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A.N:
1+ = 1.4765∠28.301° 1− = 0.9899∠ − 45°
= −0.36 1+ = 1.4765∠ − 28.301°
1− = 0.9899∠45° (1 − )(1 − )− = 1.34
= 2.2388 + 52.239 = 52.287∠87.546°
= = 44.776 = 44.776∠90°
= 2.2388 − 52.239 = 52.287∠ − 87.546°.
Le code Matlab correspondant est le suivant:

clear;
clc;
format short e;
S=[0.3+j*0.7 j*0.6;
j*0.6 0.3-j*0.7];
Z0=50;
T1=1+S(1,1);
T2=1-S(1,1);
T3=1-S(2,2);
T4=S(1,2)*S(2,1);
T5=1+S(2,2);
denom=T2*T3-T4;
% Formules de transformation S vers Z
% (Tabulées pour les multiples à 2 ports)
Z=Z0/denom*[T1*T3+T4 2*S(1,2);
2*S(2,1) T2*T5+T4];

% Formule (80) du cours


U=eye(2,2);
Z1=Z0*(U+S)*inv(U-S);
% Le terme Z0 est présent pour enlever la normalisation

% Instruction Matlab s2z


Z2=s2z(S,Z0);

Exercice n°11
Selon l’équation (97) du cours,

= = = , , = 1,2

= = = =

Pr. Farid BOUTTOUT Page 37


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I.3. Propriétés des multiples

Exercice n°1
Selon la table 2 du cours, les paramètres ABCD d’une ligne de transmission sont,
= = cos , = sin , = sin
On utilise maintenant la table de transformation des paramètres ABCD vers les paramètres Z
donnée en Annexe F pages 267-268

cos
= = =− cot
sin
− (cos )(cos )−( sin )( sin )
= = =− csc
sin
1 1
= = =− csc
sin
cos
= = =− cot
sin

Exercice n°2

= =1 = =

= =0 = =1

Pour =0

= + =2 cos
=2 = ⁄cos
Alors

= = cos

cos
= = = = sin
− cot

Pr. Farid BOUTTOUT Page 38


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Pour =0
= − =2 sin
=2 ⁄
Alors

= = sin

sin
= = = = = cos
tan

= = = = =0

1
= =0 = =

Exercice n°3
Note: Remarquer la différence des signes pour Z et ABCD.

= = =

Pour =0
= −
0= − ⟹ = ⁄

= −


= =

1
= =

= =

Pr. Farid BOUTTOUT Page 39


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Exercice n°4

En utilisant la Table 2 du cours, la matrice ABCD de la mise en cascade des quatre composantes
(y compris la charge) est:
1 50 1⁄2 0 0 50 1 0 3 25
= =
0 1 0 2 ⁄50 0 1⁄25 1 ⁄25 0

= + = =
3
= = = 1∠ − 90°
3

Exercice n°5

Calcul direct des paramètres ABCD

= = =1+
1⁄
+ 1⁄

= = =

= = =

= =1

Vérification: − =1+ − =1

Pr. Farid BOUTTOUT Page 40


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Calcul en utilisant la cascade (selon la Table 2 du cours)


1 1 0 1+
= =
0 1 1 1

Exercice n°6
= − = +
= − =( − )⁄
Alors,
+ = ( + )− ( − )⁄
− = ( + ) − ( − )
Pour = 0,
+ =( + ⁄ )
− =( + )
Eliminant
+ ⁄
+ = ( − )
+
+ ⁄ + ⁄
1+ = −1
+ +
⟹( + + + ⁄ ) =( + ⁄ − − )
+ ⁄ − −
= =
+ ⁄ + +

Eliminant
2 =( + ⁄ + + )
2
= =
+ ⁄ + +

Pour = 0 le système en haut se réduit à


= ( + )− ( − )⁄ =( − ⁄ ) +( + ⁄ )
− = ( + ) − ( − )=( − ) +( + )
Eliminant
( − ⁄ + − ) +( + ⁄ + + ) =0
− + ⁄ − +
= =
+ ⁄ + +

Eliminant

Pr. Farid BOUTTOUT Page 41


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

− ⁄ − −
− = −
+ ⁄ + ⁄ + +
1 1 − ⁄ −
+ = −
+ ⁄ + + ⁄ +
++ + ⁄ ( − ⁄ )( + )−( − )( + ⁄ )
=
( + ⁄ )( + ) ( + ⁄ )( + )
( + + + ⁄ )
=( + − − ⁄ − − + + ⁄ )
( + ⁄ + + ) = 2( − )
2( − )
= =
+ ⁄ + +

Exercice n°7

Selon la Table 2 du cours


1
=
0 1
On convertit aux paramètres S en utilisant les résultats de l’exercice 17:
+ ⁄ + + = 1+ ⁄ +0+1 =2+ ⁄
+ ⁄ − − 1+ ⁄ −0−1 ⁄
= = = =
+ ⁄ + + 2+ ⁄ 2+ ⁄ 2 +
2( − ) 2(1 × 1 − 0 × ) 2 2
= = = =
+ ⁄ + + 2+ ⁄ 2+ ⁄ 2 +
2 + − 2
1− =1− = = =
2 + 2 + 2 +

Selon la Table 2 du cours


1 0
=
1⁄ 1
On convertit aux paramètres S en utilisant les résultats de l’exercice 17:

Pr. Farid BOUTTOUT Page 42


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+ ⁄ + + = 1 + 0⁄ + ⁄ +1=2+ ⁄
+ ⁄ − − 1 + 0⁄ − ⁄ − 1 − ⁄
= = = =−
+ ⁄ + + 2+ ⁄ 2+ ⁄ 2 +
2( − ) 2(1 × 1 − 0 × 1⁄ ) 2 2
= = = =
+ ⁄ + + 2+ ⁄ 2+ ⁄ 2 +
2 + − 2
1+ =1− = = =
2 + 2 + 2 +

Exercice n°8

0 1 0
−1 0 0 1
[ ]=
√2 1 0 0
0 1 0

En utilisant les paramètres S, le coefficient de transmission du port 1 vers le port 4 est


1 −1 1 −1 1 −1 −1
= = ( + )= (Γ + Γ )= Γ( + ) = Γ
√2 √2 √2 √2

(a) L’atténuation | |
− ⁄ −1
| | = |Γ| = =
+ ⁄ +1
Au port 1 l’onde réfléchie est
−1 −1 1
= ( + )= Γ( + ) = Γ(−1 + 1) =0
√2 √2 2

(b) Représentation graphique de l’atténuation (en dB) en fonction de ⁄


Nous avons le tableau de valeurs suivant:

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⁄ Atténuation en dB
0 0
0.172 -3.01794
1 -
5.83 -3.00947
 0

Voici le code Matlab et la représentation graphique de l’atténuation

clear;
clc;
format long g;
X=[0 0.172 1 5.83 1.e6]’
Y=20*log10(abs((X-1)./(X+1)))
X=[0.01:0.01:10]’;
Y1=(X-1)./(X+1);
Y=20*log10(abs(Y1));
semilogx(X,Y);
grid;
xlabel(’ZL/Z0’);
ylabel(’Attenuation (dB)’);
figure(gcf);

-5

-10

-15

-20
Attenuation (dB)

-25

-30

-35

-40

-45

-50
-2 -1 0 1
10 10 10 10
ZL/Z0

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Exercice n°9
On détermine d’abord la matrice impédance du circuit. Selon la définition matricielle nous avons

Alors pour trouver

= et =

nous devons déconnecter le port 2 puisqu’il n’y a aucun courant s’écoulant dans ce port. Dans ce
cas, est la somme des impédances et . En outre, puisqu’il n’y a aucun courant
parcourant l’impédance la chute de tension aux bornes de cette impédance est égalé à zéro et
la tension au port 2 est égale à la chute de tension aux bornes de . Alors = .
En suivant des arguments identiques appliqués au port 1, nous arrivons à l’expression suivante
pour la matrice impédance:
+
[ ]=
+
Pour trouver la matrice admittance nous inversons simplement la matrice impédance:
+ 1 + −
[ ]=[ ] = =
+ ∆ − +
où ∆ = ( + )( + )− étant le déterminant de la matrice [ ].

Exercice n°10
Si on ouvre le port 2, i.e. on impose = 0, alors les tensions sur les ports 1 et 2 seront égales à
la chute de tension aux brnes de l’impédance Z. Par conséquent, on peut écrire
1
= =1 et = =

Si maintenant on court-circuite le port 2, i.e. on impose = 0, alors la chute de tension aux


bornes de l’impédance Z sera égale à zéro et par conséquent il n’y aura pas de courant s’écoulant
le long de cette impédance. Donc les deux paramètres restants peuvent s’exprimer comme suit

= =0 et = =1
− −

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Exercice n°11
Une des méthodes pour résoudre ce problème consiste à calculer directement chaque paramètre
en utilisant la définition de la matrice ABCD. Alternativement, nous pouvons utiliser notre
connaissance des représentations ABCD des composantes individuelles du circuit comme donné
dans la table 2. On écrit alors:

⎡ 1+ ⎤
1 0 1 0 1 1 0
= =⎢ ⎥
1 1 0 1 1 ⎢ + + ⎥
1+
⎣ ⎦

Exercice n°12
Puisque les tensions dans le transformateur sont reliées par ⁄ = ⁄ , on peut utiliser la
définition de la matrice ABCD et on écrit

= = =

Du fait que ⁄ = ⁄ pour un transformateur idéal, la condition = 0 donne


immédiatement = 0. Par conséquent,

= =0

En outre, puisqu’il n’a pas de pertes dans un transformateur idéal, la puissance d’entrée est égale
à la puissance de sortie, i.e.
= ⟹ =−
Ici on prend en compte le fait que la direction de l’écoulement du courant dans le secondaire du
transformateur est en opposition à la direction du courant dans le port 2.
Tenant compte la relation entre les tensions dans les ports 1 et 2, on peut écrire

=− =− =−

En utilisant les relations entre les courants à l’entrée et à la sortie nous calculons les deux
paramètres restants comme suit

= =0

1
= =

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Exercice n°13
25 − 75
= −20 log|Γ | = −20 log = 20 log 2 = 6.0206 dB
25 + 75

Exercice n°14
Une des méthodes pour résoudre cet exercice consiste à appliquer les formules de conversion
aux paramètres ABCD du transformateur idéal calculés dans l’exercice n°6 (ils sont donnés
également dans la Table 2)
0
=
0
En utilisant les tables de conversion données en Annexe F pages 267-268, on obtient
1 + ⁄ − − 2( − )
[ ]=
+ ⁄ + + 2 − + ⁄ − +
−1
⎡ 2 ⎤
1 − 2 1 −1 2
= = ⎢ ⎥=
+ 2 − 1+ ⎢ 1− ⎥ 1+ 2 1−
⎣ 2 ⎦

1 −1 2
[ ]=
1+ 2 1−

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Exercice n°15
En utilisant la Table 2 du cours, on établit les expressions des paramètres ABCD des deux
réseaux
1 1 0
= et =
0 1 1
Les paramètres S correspondantes sont obtenues via la table de conversion de l’Annexe F
1 + ⁄ − − 2( − )
[ ]=
+ ⁄ + + 2 − + ⁄ − +
En appliquant cette conversion au premier réseau on trouve
1 1+ ⁄ −0−1 2(1 × 1 − × 0)
[ ] =
1+ ⁄ +0+1 2 −1 + ⁄ − 0 + 1
1 ⁄ 2 1 2
= = =
2+ ⁄ 2 ⁄ 2 + 2
2 1 2 ⁄
⎡ ⎤ ⎡ ⎤
2 + 2 + ⎢ 2 ⁄ + 1 2 ⁄ + 1 ⎥= Γ 1−Γ
=⎢ ⎥=
⎢ 2 ⁄ ⎥
⎢ 2 ⎥ ⎢ 1

1 − Γ Γ
⎣2 + 2 + ⎦ ⎣2 ⁄ + 1 2 ⁄ + 1⎦

1
Γ =
1+2 ⁄
En appliquant la conversion au deuxième réseau on trouve
1 1 + 0⁄ − −1 2(1 × 1 − 0 × )
[ ] =
1 + 0⁄ + +1 2 −1 + 0⁄ − +1
2
⎡− ⎤
1 − 2 2+ 2+
= =⎢ ⎥=
2+ 2 − ⎢ 2 ⎥

⎣ 2+ 2+ ⎦
⁄ 2 1 2 ⁄
⎡− ⎤ ⎡− ⎤
2+ ⁄ 2+ ⁄ ⎥ ⎢ 1+2 ⁄ 1+2 ⁄
= ⎢⎢ ⎥=⎢ 2 ⁄


2 ⁄ 1
⎢ − ⎥ ⎢ − ⎥
⎣ 2+ ⁄ 2+ ⁄ ⎦ ⎣ 1+2 ⁄ 1+2 ⁄ ⎦
1 1
⎡ − 1− ⎤
1+2 ⁄ 1+2 ⁄ Γ 1+Γ
=⎢ ⎥=
⎢1 − 1 1 ⎥ 1+Γ Γ

⎣ 1+2 ⁄ 1+2 ⁄ ⎦

1
Γ =−
1+2 ⁄

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Exercice n°16
A partir de la table de conversion paramètres S vers paramètres Z (donnée en Annexe F) on écrit
(1 + )(1 − )+ 2
⎡ ⎤
[ ]= ⎢(1 − )(1 − )− (1 − )(1 − )− ⎥
⎢ 2 (1 − )(1 + )+ ⎥
⎢ ⎥
⎣(1 − )(1 − )− (1 − )(1 − )− ⎦
26.941645 − 14.705692 4.4964426 − 2.8023088
[ ]=
469.36924 + 239.85442 98.979478 − 127.40844
Le script Matlab 7.6 de l’exercice est le suivant

clear;
clc;
format long g;
Z0=50;
d2r=pi/180;
S(1,1)=0.6*exp(j*(-127)*d2r);
S(2,1)=3.88*exp(j*(87)*d2r);
S(1,2)=0.039*exp(j*(28)*d2r);
S(2,2)=0.76*exp(j*(-35)*d2r);
ZED=s2z(S,Z0)

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I.4. Etude de multiples

Exercice n°1

C’est un cas spécial d’un multiple à 3 ports réciproque et sans pertes; il a été montré au cours
qu’un tel multiple ne peut pas être adapté sur tous les ports (en utilisant la matrice [ ]).
Alternativement, on peut dire que: si l’entrée de chaque port devrait être adaptée à son
impédance caractéristique propre, nous devons avoir
1 1 1
= + (port 1)

1 1 1
= + (port 2)

1 1 1
= + (port 3)

Il n’est pas possible de satisfaire ces trois équations simultanément:


1 −1 −1
det 1 −1 1 = −4 ≠ 0
1 1 −1

Exercice n°2
0.05∠30° 0.96∠0 0.1∠90° 0.05∠90°
[ ] = 0.96∠0 0.05∠30° 0.05∠90° 0.1∠90°
0.1∠90° 0.05∠90° 0.04∠30° 0.96∠0
0.05∠90° 0.1∠90° 0.96∠0 0.05∠30°
0.1
Directivité = = 10 log = 20 log = 20log = 6.0206 dB
0.05

Couplage = = 10 log = −20 log| | = −20 log(0.1) = 20 dB

Isolation = = 10 log = −20 log| | = −20 log(0.05) = 26.0206 dB

Return Loss = = −20 log|Γ| = −20 log(0.05) = 26.0206 dB

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Exercice n°3

= 8.34 dB ⟹ =| | = 10 = 0.3828 et = 1− = 0.9238


Si = 1∠0°, alors selon l’équation (114),
= = 0.3828∠90°
= = 0.924∠0°
Donc les sorties du deuxième coupleur sont
= + ′ = +
= (0.3828)(0.924∠90°) + (0.924)(0.3828∠90°) = 0.707∠90°
= + = +
= (0.924)(0.924∠0°) + (0.3828)(0.3828∠0°) = 0.707∠0°
Par conséquent, les sorties sont identiques à celles d’un hybride 3 dB simple.

Exercice n°4
2
=2 = 10 log = 33.0 dBm
0.001

= 0.7 dB = −10 log ⟹ = − = 32.3 dBm = 1.70

= 20 dB = −10 log ⟹ = − = 13.0 dBm = 0.02

= 35 dB = 10 log ⟹ = − = −12.0 dBm = 0.063 m

Exercice n°5

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1
=
2
1 3 1 3
= = =
2 4 2 4
1 1 1 1
= = =
2 4 2 4
Alors,
4
= = 40 Ω
3
=4 = 120 Ω
Les transformateurs quart d’onde d’adaptation ont des impédances,
= 30(40) = 34.6 Ω

= 30(120) = 60.0 Ω
Les paramètres S sont (les références de phase sont aux ports 30 Ω)
30 − 30
= =0
30 + 30
30 ∥ 120 − 40 24 − 40
= = = −0.25
30 ∥ 120 + 40 24 + 40
30 ∥ 40 − 120 17.1 − 120
= = = −0.75
30 ∥ 40 + 120 17.1 + 120
= = ⁄ = 3⁄4 ∠ − 90° = 0.866∠ − 90°

= = ⁄ = 1⁄4 ∠ − 90° = 0.50∠ − 90°


Puisque le multiple est sans pertes nous devons avoir
| | +| | +| | =1
Alors,
= = 1 − (0.25) − (0.866) = 0.433∠ − 180°

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Exercice n°6
Multiple T
Selon la Table 2 les paramètres ABCD sont
= 1+ ⁄ =2 + ⁄
= 1⁄ =1+ ⁄
On convertit aux paramètres S en utilisant les résultats de l’exercice 17 de la série de TD
précédente:
+ ⁄ − −
= =0⟹1+ ⁄ + (2 + ⁄ )⁄ − ⁄ −1− ⁄
+ ⁄ + +
=0
2 + − =0

=
2
2( − ) 2[(1 + ⁄ )(1 + ⁄ ) − (2 + ⁄ )(1⁄ )]
= = ⟹
+ ⁄ + + 2+2 ⁄ +2 ⁄ + ⁄ + ⁄
=
2
=
2+2 ⁄ +2 ⁄ + ⁄ + ⁄
2 2 2
2+ + + + =

2
2 +2 +2 + + =

2
2 +2 +2 = car 2 + =

+ + =

1 2
−1 = + =

1
−1 ( − )=2

1 1
−1 = +1

(1 − ) = (1 + )
1−
=
1+
2
=
1−

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Pour = 50 Ω

( ) ( ) ( )
3 0.707945784384138 8.54986786718095 141.926155886544
10 0.316227766016838 25.9746926647958 35.1364184463153
20 0.100 40.9090909090909 10.1010101010101

Multiple
Selon la Table 2 du cours les paramètres ABCD sont
= 1+ ⁄ =
= 2⁄ + ⁄ =1+ ⁄
On convertit aux paramètres S en utilisant les résultats de l’exercice 17 de la série de TD
précédente:
+ ⁄ − −
= =0⟹1+ ⁄ + ⁄ −2 ⁄ − ⁄ −1− ⁄
+ ⁄ + +
=0
−2 − = 0 (multiplication par )
( − )−2 =0
2
=

2( − ) 2[(1 + ⁄ )(1 + ⁄ ) − (2⁄ + ⁄ )]
= = ⟹
+ ⁄ + + 1+ ⁄ + ⁄ +2 ⁄ + ⁄ +1+ ⁄
=
2[1 + 2 ⁄ + ⁄ − 2 ⁄ − ⁄ ]
=
2+2 ⁄ + ⁄ +2 ⁄ + ⁄
2
=
2+2 ⁄ + ⁄ +2 ⁄ + ⁄
2 2 2
2+ + + + =

2 2
2+ + + =

1
1+ + =

1
+ + =

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1
+ ( + )=

1
( + )= −1

1 ( + )( − )
( + )= −1
2
1−
1= ( − )
2
2 1+
= + =
1− 1−
1+
1− 1− 1−
= =
+ 1+
+1−

1− 1+ 1−
= =
1− +1+ 2
1−
=
2

Pour = 50 Ω
( ) ( ) ( )
3 0.7079 292.4021 17.6148
10 0.3162 96.2475 71.1512
20 0.100 61.1111 247.5

Le code Matlab correspondant à l’exercice est:

clear;
clc;
format long g;
alpha_dB=-[3 10 20]’; % Le signe moins pour indiquer l’atténuation
alpha=10.^(alpha_dB/20);
Z0=50;
% Pour le multiple T
R1=Z0*(1-alpha)./(1+alpha);
R2=Z0*2*alpha./(1-alpha.^2);
% Pour le multiple PI
R1=Z0*(1+alpha)./(1-alpha);
R2=0.5*Z0*(1-alpha.^2)./alpha;

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Exercice n°7
Nous avons
[ ]=[ ]+[ ]
[ ]=[ ]+[ ]= ([ ]−[ ])
[ ] = [ ][ ]
Alors
[ ] = [ ] + [ ][ ] = ([ ] + [ ])[ ]
[ ]= ([ ] − [ ][ ]) = ([ ] − [ ])[ ]
[ ] = ([ ] + [ ]) [ ]
[ ] = ([ ] − [ ]) [ ]
En égalisant les deux dernières équations, on trouve
([ ] + [ ]) [ ] = ([ ] − [ ]) [ ]
ou
[ ]= ([ ] − [ ])([ ] + [ ]) [ ]
Puisque [ ] = [ ][ ], alors il vient par identification que

[ ]= ([ ] − [ ])([ ] + [ ]) = ([ ] − [ ])([ ] + [ ])

Pour obtenir la conversion des paramètres Y vers les paramètres S on multiplie (à droite) les
deux membres de la dernière équation par ([ ] + [ ]):
[ ]([ ] + [ ]) = ([ ] − [ ])
[ ][ ] + [ ][ ] = [ ]− [ ]
[ ][ ] + [ ] = −[ ] + [ ]
([ ] + [ ])[ ] = [ ]−[ ]

[ ] = ([ ] + [ ]) ( [ ] − [ ])

Exercice n°8
Pour trouver nous devons déterminer l’impédance d’entrée du circuit en regardant au
port 1 lorsque le port 2 est terminé par = 50 Ω. Dans ce cas, est égale à en série avec
la combinaison parallèle de ( + ) et ( + )
( + )( + )
= +( + )∥( + )= +
+ + +
Le paramètre est déterminé alors par

Pr. Farid BOUTTOUT Page 56


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes


=Γ =
+
Le paramètre est obtenu d’une manière identique en considérant l’impédance de sortie en
regardant dans le port 2 lorsque le port 1 est terminé par l’impédance caractéristique

=Γ =
+

( + )( + )
= +( + )∥( + )= +
+ + +
Puisque = , il s’en suit que = .
Puisque le circuit est passif les gains direct et inverse sont égaux et = peuvent être
évalués par () ()
2 −
= = =2
+ +
Finalement, l’Insertion Loss est calculé par
= −10 log(1 − |Γ | )
Le graphe de l’Insertion Loss en fonction de l’inductance L est montré en dessous

0.1

0.09

0.08

0.07
Insertion Loss en (dB)

0.06

0.05

0.04

0.03

0.02

0.01

0
0 20 40 60 80 100 120
Inductance L en (nH)

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Le script Matlab correspondant est le suivant

clear;
clc;
format long g;
R1=8.56;
R2=R1;
R3=141.8;
Z0=50;
freq=2e9;
L=[0:0.1:100]*1.e-9;
omega=2*pi*freq;
Zin=R1+(R2+Z0)*(R3+j*omega*L)./(R2+Z0+R3+j*omega*L);
GAMMA_IN=z2gamma(Zin,Z0);
IL=-10*log10(1-abs(GAMMA_IN.^2));
plot(1.e9*L,IL);
xlabel(’Inductance L en (nH)’);
ylabel(’Insertion Loss en (dB)’);
grid;
figure(gcf);

Solution n°9
La solution de cet exercice est exactement la même que celle de l’exercice précédent à
l’exception que la résistance est remplacée par ( + ) et remplacée par ( +
) où = 0.5 nH est l’inductance parasite. Appliquant ces modifications on trouve
= + +( + + )∥( + ) = (53.6322 + 17.7759) Ω

= = = 0.0626286 + 0.16078 = 0.17255∠68.7183°
+
−( + )
= =2 = (0.7508 − 0.0203) Ω = 0.751∠ − 1.55°
+ + +
Le script Matlab de l’exercice est donné ci-dessous

clear;clc;format long g;
Z0=50;freq=2e9;L=10*1.e-9;LP=0.5e-9;
omega=2*pi*freq;
R1=8.56+j*omega*LP;
R2=R1;
R3=141.8;
Zin=R1+(R2+Z0)*(R3+j*omega*L)/(R2+Z0+R3+j*omega*L)
disp(’S11 (Parties réelle et imaginaire)’)
S(1,1)=z2gamma(Zin,Z0)
S(2,2)=S(1,1);
disp(’S11 (Module et phase)’)
[abs(S(1,1)) 180/pi*angle(S(1,1))]
disp(’S12 (Parties réelle et imaginaire)’)
S(2,1)=2*(Zin-R1)/(Zin+Z0)*Z0/(R2+Z0)
S(1,2)=S(2,1);
disp(’S12 (Module et phase)’)
[abs(S(2,1)) 180/pi*angle(S(2,1))]

Pr. Farid BOUTTOUT Page 58


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I.5. Cavités

Exercice n°1
a = 4 cm, b = 2 cm, d = 5 cm, = = 1, conductivité du plaqué de cuivre est = 2.56 × 10
Selon l’équation (148) du cours,

= + +
2 √
alors

2 √
= + = 4.8023 GHz, = = 100.5800
2 √

2 2 √
= + = 7.0755 GHz, = = 148.1886
2 √

= =
2

à 4.8023 GHz, = = 0.02721 Ω

à 7.0755 GHz, = = 0.03303 Ω

Selon l’équation (153) du cours,


( ) 1
=
2 [2 +2 + + ]
= 7249.6
= 9111.46

Le code Matlab est le suivant:

Pr. Farid BOUTTOUT Page 59


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clear;
clc;
format long g;
% La conductivité du plaqué de cuivre
sigma=2.56e7;
mu0=4*pi*1.e-7;
% Dimensions de la cavité
a=4.e-2;
b=2.e-2;
d=5.e-2;
% Diélectrique de remplissage
epsr=1;
mur=1;
eta=120*pi*sqrt(mur/epsr);
% Vitesse de la lumière
C=3.e8;
% Mode TE_101
m=1;
n=0;
l=1;
% Expression de la fréquence de résonance (en GHz)
fr_101=1.e-9*C/2/pi/sqrt(epsr*mur)*sqrt((m*pi/a)^2+(n*pi/b)^2+(l*pi/d)^2)
k_101=2*pi*sqrt(epsr*mur)*1.e9*fr_101/C
Rs_101=sqrt(pi*1.e9*fr_101*mu0/sigma)
denom=2*l^2*a^3*b+2*b*d^3+l^2*a^3*d+a*d^3;
Qc_101=(k_101*a*d)^3*b*eta/2/pi^2/Rs_101/denom
% Mode TE_102
m=1;
n=0;
l=2;
% Expression de la fréquence de résonance (en GHz)
fr_102=1.e-9*C/2/pi/sqrt(epsr*mur)*sqrt((m*pi/a)^2+(n*pi/b)^2+(l*pi/d)^2)
k_102=2*pi*sqrt(epsr*mur)*1.e9*fr_102/C
denom=2*l^2*a^3*b+2*b*d^3+l^2*a^3*d+a*d^3;
Rs_102=sqrt(pi*1.e9*fr_102*mu0/sigma)
Qc_102=(k_102*a*d)^3*b*eta/2/pi^2/Rs_102/denom

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Exercice n°2
Nous avons la table suivante qui donne les paramètres du guide d’onde de section rectangulaire.

Nous allons utiliser les résultats de ce tableau pour caractériser le mode TM111 d’une cavité
rectangulaire. Les amplitudes du champs du mode TM11 du guide d’onde
±
± ∓
= sin cos
±
± ∓
= cos sin

Pour avoir les maxima du courant en = 0, les champs de la cavité doivent être égales à:

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= sin cos cos

= cos sin cos

L’énergie magnétique stockée est,

1 1 1 1
= | | = + = +
4 4 222 32

L’énergie dissipée dans les murs est,

= | |
2

= | ( = 0)| + ( = 0)

+ | ( = 0)| + ( = 0)

+ + +
=
4
Alors Q du mode considéré est donné par
( + ) 2 ( + )
= = =
4 + + +

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Exercice n°3

On peut montrer que les champs transverses du mode TE10 dans les deux régions peuvent
s’écrire comme suit:

sin sin pour 0 < < −


=
sin sin ( − ) pour − < <

⎧− sin cos pour 0 < < −


=
⎨− sin cos ( − ) pour − < <

où:

= −( ⁄ ) , = −( ⁄ )

= ⁄ , = ⁄ = ⁄
La continuité de et en = − :
: sin ( − )= sin

: cos ( − )= cos

On divise pour obtenir


tan ( − )= tan
tan ( − )= tan
Cette équation peut être résolue pour . et étant fonctions de comme données ci-haut.

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Exercice n°4
Pour les modes TM: (∇ + ) =0
Soit ( , , )= ( ) ( ) ( )
On substitue dans l’équation d’onde et on divise par :
1 1 1
+ + + =0

Par le principe de la séparation des variables,


1
=− ⟹ ( )= cos + sin

1
=− ⟹ ( )= cos + sin

1
=− ⟹ ( )= cos + sin

avec = + + .
A présent, = 0 pour = 0, et = 0, . Alors,
= = 0 et = ⁄ , = ⁄ . Pour imposer les conditions de frontières restantes, on
utilise ou :
Selon les équations de Maxwell,
1 1
= = ( cos ) sin (− sin + cos )
− −
Pour = 0 pour = 0, , nous devons avoir = 0 et = ⁄ . Alors

= + +

Qui détermine les fréquences de résonance. La solution pour les modes TM est similaire.

Exercice n°5
On choisit le système de coordonnées tel que < < . Alors le mode résonant dominant est le
mode TE101:

= + +
2 √

1 1
= + = 5.2 GHz
2
ou

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1 1 2
+ = = (34.7)

Les modes d’ordre supérieur suivants doivent être soit TM110, TE102 ou TE011
2 1 1 1 1
= + = (34.7) + −

2 1 4 3
= + = (34.7) +

2 1 1 1 1
= + = (34.7) + −

Puisque > , <


On essaye = 6.5 GHz; = 7.2 GHz
Alors nous avons:
1 1
− = 1100

1 1
+ = 1878

En solvant ces équations, on trouve:


= 2.60 cm = 5.00 cm = 3.53 cm

Vérification
< < et = 7.35 GHz > = 7.2 GHz

Exercice n°6
Les spécifications du guide WR-90 sont: = 0.9 in = 2.286 cm et = 0.4 in = 1.016 cm
Selon l’équation (148) du cours,

= + +
2 √
Pour le mode TE101, ( = 1, = 0, = 1) et = 9.379 GHz et pour l'air = = 1, alors

= = 2.2383 cm
2 √ − −

Sachant que la conductivité du cuivre est = 5.8 × 10 S/m, on calcule la résistance de surface
alors par

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= = = 0.0253 Ω
2

Selon l'équation (153) du cours, nous avons pour le mode TE10l


( ) 1
= = 7842.2712
2 [2 +2 + + ]
Le code Matlab correspondant est

C=3.e8;
m=1;
n=0;
l=1;
a=2.286e-2;
b=1.016e-2;
f=9.379e9;
epsr=1;
mur=1;
eta=120*pi;
d=l*pi/sqrt((2*pi*f*sqrt(epsr*mur)/C)^2-(m*pi/a)^2-(n*pi/b)^2);
d_cm=1.e2*d
sigma=5.8e7;
mu0=4*pi*1.e-7;
Rs=sqrt(2*pi*f*mu0/2/sigma)
k=2*pi*sqrt(epsr*mur)*f/C;
denom=2*l^2*a^3*b+2*b*d^3+l^2*a^3*d+a*d^3;
Qc_101=(k*a*d)^3*b*eta/2/pi^2/Rs/denom

Exercice n°7
Une cavité ayant = 1.6 cm, = 0.71 cm et = 1.56 cm.
Diélectrique de remplissage: Téflon ( = 2.05 et tan = 2.9268 × 10 ).
Mode considéré TE101

= + + = 9.3794 GHz
2 √
Selon les résultats de l'exercice précédent, on a = 0.0253 Ω.
Les facteurs de qualité dûs au conducteur, au diélectrique et total, , et respectivement
sont données par les équations (153), (155) et (156) du cours, respectivement
( ) 1
= = 5503
2 [2 +2 + + ]
1
= = 3416.7
tan
1 1
= + = 2108

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Le script Matlab de l'exercice est

clear;
clc;
format long g;
C=3.e8;
m=1;
n=0;
l=1;
a=1.6e-2;
b=0.716e-2;
d=1.56e-2;
epsr=2.05;
tand=2.9268e-4;
mur=1;
fr_101=C/2/pi/sqrt(epsr*mur)*sqrt((m*pi/a)^2+(n*pi/b)^2+(l*pi/d)^2);
fr_GHz=1.e-9*fr_101
eta0=120*pi;
eta=eta0*sqrt(mur/epsr);
%eta=eta0;
sigma=5.8e7;
mu0=4*pi*1.e-7;
Rs=sqrt(2*pi*fr_101*mu0/2/sigma)
k=2*pi*sqrt(epsr*mur)*fr_101/C;
denom=2*l^2*a^3*b+2*b*d^3+l^2*a^3*d+a*d^3;
Qc_101=(k*a*d)^3*b*eta/2/pi^2/Rs/denom
Qd=1/tand
Q=1/(1/Qc_101+1/Qd)

Exercice n°8
Une inductance = 100 nH de facteur de qualité = 150 à = 100 MHz. Par conséquent
cette inductance a une partie résistive qui se calcule par l'équation (129) du cours
2
= ⟹ = = 0.418879 Ω

Puisque l'inductance L (avec pertes ) est montée en série avec une impédance de charge =
50 Ω, alors l'équation (127) du cours donnant la fréquence de résonance d'un circuit RLC série
s'applique (pour = )
1 1
= ⟹ (2 ) =1⇒ = = 25.33 pF
√ (2 )
Le code Matlab correspondant à l'exercice est

clear;clc;
format long g;
L=100e-9;
f=100e6;
QL=150;
RL=2*pi*f*L/QL;
C=1/((2*pi*f)^2*L);
C_pF=1.e12*C

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Exercice n°9
Les spécifications du guide WR-430 sont: = 4.3 in = 10.922 cm et = 2.15 in = 5.461 cm.
La fréquence de résonance du mode TE101 est 2 GHz. La cavité est remplie d'air; = = 1.
Selon l’équation (148) du cours, on peut trouver

= = 10.317 cm
2 √ − −

Les pertes existantes sont uniquement celles par conducteur car le diélectrique de remplissage
étant l'air (sans pertes). D'autre part, sachant que la conductivité du cuivre est = 5.8 × 10 S/
m, on calcule la résistance de surface alors par

= = 0.01166 Ω

Selon l'équation (153) du cours, nous avons pour le mode TE10l


( ) 1
= = 18196
2 [2 +2 + + ]
Le code Matlab correspondant est

clear;
clc;
format long g;
C=3.e8;
m=1;
n=0;
l=1;
a=10.922e-2;
b=5.461e-2;
f=2e9;
epsr=1;
mur=1;
eta=120*pi;
d=l*pi/sqrt((2*pi*f*sqrt(epsr*mur)/C)^2-(m*pi/a)^2-(n*pi/b)^2);
d_cm=1.e2*d
sigma=5.8e7;
mu0=4*pi*1.e-7;
Rs=sqrt(2*pi*f*mu0/2/sigma)
k=2*pi*sqrt(epsr*mur)*f/C;
denom=2*l^2*a^3*b+2*b*d^3+l^2*a^3*d+a*d^3;
Qc_101=(k*a*d)^3*b*eta/2/pi^2/Rs/denom

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I.6. Lignes microruban

Exercice n°1
La structure d’une stripline est montrée ci-dessous

Pour appliquer l’équation (161) du cours on calcule √ = √2.2(70) = 103.8267 < 120.
Alors la largeur W du strip est calculée comme suit
30
= = − 0.441 = 0.4662 ⟹ = = 0.316 × 0.4662 = 0.1473 cm

la longueur d’onde guidée est donnée par
3 × 10
= = = 6.742 cm
√ √2.2 × 3 × 10

Exercice n°2
Les données de l’exercice sont = 100 Ω, = 0.158 cm, = 2.20, f = 4.0 GHz. La structure
d’une ligne microstrip est montrée ci-dessous.

On suppose que ⁄ < 2:


Selon l’équation (168) du cours

+1 −1 0.11 100 2.2 + 1 2.2 − 1 0.11


= + 0.23 + = + 0.23 + = 2.2132
60 2 +1 60 2 2.2 + 1 2.2

Alors

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8
= = 0.8962 < 2 OK
−2
= 0.8962 = 0.8962 × 0.158 = 0.1416 cm
Selon (166) la permittivité effective est
+1 −1 1
= + = 1.7582
2 2 1 + 12 ⁄
3 × 10
= = = 5.6563 cm
√1.7582 × 3 × 10
Le code Matlab correspondant est

clear;
clc;
format long g;
Z0=100;
epsr=2.2;
d=0.158e-2;
C=3.e8;
freq=4.e9;
A=Z0/60*sqrt((epsr+1)/2)+(epsr-1)/(epsr+1)*(0.23+0.11/epsr)
WSD=8*exp(A)/(exp(2*A)-2)
W=WSD*d
epseff=(epsr+1)/2+(epsr-1)/2/sqrt(1+12/WSD)
Lam_g=C/sqrt(epseff)/freq

Exercice n°3
Les données de l’exercice sont = 100 Ω, = 0.0762 cm, = 2.20, f = 2.5 GHz. La ligne
étant considérée comme étant en circuit ouvert sur les deux extrémités. On peut utiliser les
résultats de l’exercice n°9 de la série I.1 page 80 dont la solution est donnée dans la page 141.
Nous utilisons également les résultats de l’exercice précédent:
= 2.2132 ⁄ = 0.8962 = 1.7582
= ⁄ = 3 × 10 ⁄(2.5 × 10 ) = 0.12 m.
=2 = 69.4277 m

1. Capacitive:
1
=− ⁄ =− cot ⟹ tan = ⟹ = tan ( )= tan ( )

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UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

= tan (2 )
2
3 × 10
= tan (2 × 2.5 × 10 × 5 × 10 × 100)
2 × 2.5 × 10 × √1.7582
= 2.08 cm

2. Inductive:
1
= =− cot ⟹ tan =− ⁄ ⟹ = [ + tan (− ⁄ )]

= [ + tan (− ⁄ )] puisque l argument est négatif.

= + tan −
2 2

3 × 10 100
= + tan −
2 × 2.5 × 10 × √1.7582 2 × 2.5 × 10 × 5 × 10
= 3.2214 cm

Le code Matlab correspondant est

clear;
clc;
format long g;
c=3.e8;
C=5.e-12;
freq=2.5e9;
epsr=1.7582;% Resultat de l’exercice precedent
Z0=100;
L=5.e-9;
coef=c/2/pi/freq/sqrt(epsr);
l_C=coef*atan(2*pi*freq*C*Z0)
l_L=coef*(pi+atan(-Z0/(2*pi*freq*L)))

Pr. Farid BOUTTOUT Page 71


SOLUTIONS DETAILLEES DES EXERCICES DE
LA PARTIE II
UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

II.2. Diodes à pointe

Exercice n°1
En retenant uniquement les termes donnant les produits d’intermodulation du troisième ordre, on
obtient
~ ( cos + cos )
~ ( cos cos + cos cos )
~ ( cos 2 cos + cos cos 2 )

~ ( cos(2 − ) + cos(2 − ) )
2
le rapport des puissances dans les deux sorties est

= = 6 dB

Noter que les puissances individuelles de sortie varient comme .

Exercice n°2
( )
( )= −1
( ) = 0.1 cos + 0.1 cos = 0.1[cos + cos ]

( )= | + + + +⋯
2 6
| ×
= ( − 1) = 0

=3 | =3 =3

=9 | =9 =9

= 27 | = 27 = 27

Alors,

( ) 9 27 3
= ( )=3 + + =3 + ( + )
2 6 2

3
( )=3 + ( + ) (1)
2

Pr. Farid BOUTTOUT Page 73


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= {0.1[cos + cos ]} = 0.01[cos + 2 cos cos + cos ]


1 + cos 2 1 + cos 2
= 0.01 + cos( + ) + cos( − ) +
2 2
1 1
= 0.01 1 + cos 2 + cos 2 + cos( + ) + cos( − )
2 2

= 10 + 5 × 10 cos 2 + 5 × 10 cos 2 + 10 cos( + )


+ 10 cos( − ) (2)

= {0.1[cos + cos ]}
= 0.001[cos + 3 cos cos + 3 cos cos + cos ]
cos 3 + 3 cos 1 + cos 2 1 + cos 2
= 0.001 +3 cos + 3 cos
4 2 2
cos 3 + 3 cos
+
4
1 3 3 3 3
= 0.001 cos 3 + cos + cos + cos 2 cos + cos
4 4 2 2 2
3 1 3
+ cos cos 2 + cos 3 + cos
2 4 4
1 9 3 3
= 0.001 cos 3 + cos + [2 cos 2 cos ] + [2 cos 2 cos ]
4 4 4 4
9 1
+ cos + cos 3
4 4
1 9 3 3
= 0.001 cos 3 + cos + cos(2 − ) + cos(2 + )
4 4 4 4
3 3 9 1
+ cos(2 − ) + cos(2 + ) + cos + cos 3
4 4 4 4

= 2.5 × 10 cos 3 + 2.25 × 10 cos + 7.5 × 10 cos(2 − )


+ 7.5 × 10 cos(2 + ) + 7.5 × 10 cos(2 − )
+ 7.5 × 10 cos(2 + ) + 2.25 × 10 cos
+ 2.5 × 10 cos 3 (3)

Compte tenu de (2) et (3) on trouve:

Pr. Farid BOUTTOUT Page 74


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

3
( + ) = 1.5{[10 + 5 × 10 cos 2 + 5 × 10 cos 2 + 10 cos( + )
2
+ 10 cos( − ) ]
+ [2.5 × 10 cos 3 + 2.25 × 10 cos + 7.5 × 10 cos(2 − )
+ 7.5 × 10 cos(2 + ) + 7.5 × 10 cos(2 − )
+ 7.5 × 10 cos(2 + ) + 2.25 × 10 cos + 2.5 × 10 cos 3 ]}
= 1.5{10 + 5 × 10 cos 2 + 5 × 10 cos 2 + 10 cos( + )
+ 10 cos( − ) + 2.5 × 10 cos 3 + 2.25 × 10 cos
+ 7.5 × 10 cos(2 − ) + 7.5 × 10 cos(2 + )
+ 7.5 × 10 cos(2 − ) + 7.5 × 10 cos(2 + )
+ 2.25 × 10 cos + 2.5 × 10 cos 3 }
= 1.5{10 + 10 cos( − ) + 2.25 × 10 cos + 2.25 × 10 cos
+ 7.5 × 10 cos(2 − ) + 7.5 × 10 cos(2 − )
+ 5 × 10 cos 2 + 5 × 10 cos 2 + 10 cos( + )
+ 2.5 × 10 cos 3 + 7.5 × 10 cos(2 + )
+ 7.5 × 10 cos(2 + ) + 2.5 × 10 cos 3 }

3
( + ) = 1.5 × 10 + 1.5 × 10 cos( − ) + 3.375 × 10 cos
2
+ 3.375 × 10 cos + 1.125 × 10 cos(2 − )
+ 1.125 × 10 cos(2 − ) + 7.5 × 10 cos 2 + 7.5 × 10 cos 2
+ 1.5 × 10 cos( + ) + 3.75 × 10 cos 3
+ 1.125 × 10 cos(2 + ) + 1.125 × 10 cos(2 + )
+ 3.75 × 10 cos 3

Par conséquent l’expression (1) du courant instantanée de la diode s’écrit

Pr. Farid BOUTTOUT Page 75


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

3
( )=3 + ( + )
2
= 3{[0.1 cos + 0.1 cos ]
+ [1.5 × 10 + 1.5 × 10 cos( − ) + 3.375 × 10 cos
+ 3.375 × 10 cos + 1.125 × 10 cos(2 − )
+ 1.125 × 10 cos(2 − ) + 7.5 × 10 cos 2 + 7.5 × 10 cos 2
+ 1.5 × 10 cos( + ) + 3.75 × 10 cos 3
+ 1.125 × 10 cos(2 + ) + 1.125 × 10 cos(2 + )
+ 3.75 × 10 cos 3 ]}
3
( )=3 + ( + )
2
= {4.5 × 10 + 4.5 × 10 cos( − ) + 3.10125 × 10 cos
+ 3.10125 × 10 cos + 3.375 × 10 cos(2 − )
+ 3.375 × 10 cos(2 − ) + 2.25 × 10 cos 2
+ 2.25 × 10 cos 2 + 4.5 × 10 cos( + ) + 1.125 × 10 cos 3
+ 3.375 × 10 cos(2 + ) + 3.375 × 10 cos(2 + )
+ 1.125 × 10 cos 3 }
Le tableau suivant récapitule les composantes fréquentielles du courant de la diode ainsi que
leurs amplitudes correspondantes

Fréquence ω Amplitude I
0 4.5 × 10
, 3.10125 × 10
2 ,2 2.25 × 10
3 ,3 1.125 × 10
+ 4.5 × 10
− 4.5 × 10
2 − 3.375 × 10
2 + 3.375 × 10
−2 3.375 × 10
+2 3.375 × 10

Pr. Farid BOUTTOUT Page 76


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Exercice n°3
Le modèle AC d’une diode est montrée en dessous

La sensibilité en tension est donnée par les équations (179) et (180) du cours

= =

où est la puissance RF d’entrée et la variation du courant DC de la diode. Si la tension RF


aux bornes de la diode est V, alors la puissance RF d’entrée est

⎧ ⎫ ⎧ ⎫
| | | | ⎪ 1 ⎪ | | 1
= Re{ } = Re = Re
2 2 ⎨ 1⁄ ⎬ 2 ⎨ ⎬
⎪ + ⎪ +
+ 1⁄ ⎩ + 1⎭
⎩ ⎭
| | +1 | | 1⁄ +
= Re = Re
2 +1 + 2 1+ ⁄ +

| | 1+ ⁄ +
=
2 1+ ⁄ +
Selon l’équation (178) la variation dans le courant DC est
| | | |
∆ = =
4 4
où est la tension crête RF de la jonction. Lorsque la diode est court-circuitée, l’effet de doit
être inclu
| | | |
∆ = =
4 + 4 +
La relation entre et | | est
1⁄
+ 1⁄ 1
= =
1⁄ 1+ ⁄ +
+
+ 1⁄
Donc,
| |
| | =
1+ ⁄ +
Finalement,
Pr. Farid BOUTTOUT Page 77
UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

| |
∆ 4 +
= =
| | 1+ ⁄ +
2 1+ ⁄ +

1+ ⁄ + | |
=
2 + 1+ ⁄ + | |

1+ ⁄ + 1
=
2 + 1+ ⁄ + 1+ ⁄ +

=
2 1+ ⁄ 1+ ⁄ +
à = 10 GHz, = 2 × 10 × 0.1 × 10 = 0.0062832 ; = 1⁄(25 mV)
1
=
( + )

( ) (Ω) ( ⁄mW) ( ⁄mW)


0 250000 33545.1 33.5451
20 1243.8 14056.52 14.05652
50 499 7309.224 7.309224

Voici le code Matlab correspondant.

clear;
clc;
format long g;
Cj=0.1e-12;
Rs=15;
Is=0.1e-6;
freq=10e9;
alpha=(1/25e-3);
I0=1.e-6*[0 20 50]';
Rj=1/alpha./(I0+Is);
term=1+Rs./Rj;
omega=2*pi*freq;
num=alpha*Rj;
denom=2*term.*(term+(omega*Cj)^2*Rs*Rj);
beta_v=num./denom;
[I0 Rj beta_v]

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Exercice n°4

= 4 GHz, = 50 Ω, = 0.5 pF, = 0.5 Ω, = 0.3 Ω, = 0.3 nH.


= 7.54 Ω
1⁄ = 79.5774 Ω

Switch ON: (Diode OFF) Switch OFF: (Diode ON)

= + − 1⁄ = 0.5 − 72.037 = + = 0.3 + 7.54

= 1⁄ = 0.09634 + 13.88 mS = 1⁄ = 5.269 − 132.42 mS

Pour minimiser l’Insertion Loss de l’état ON, on ajoute un stub en circuit ouvert parallèlement
avec la diode, soit = − 13.88 mS = − 0.01388 S sa susceptance qui pour un stub ouvert
s’exprime également comme

= tan 2

Par conséquent, on trouve la longueur l comme suit

= + tan = 0.4034 car l argument est négatif


2

Dans l’état ON, l’impédance shunt est alors,


= 1⁄ = 1⁄(0.09634 × 10 ) = 10379.34 Ω
L’insertion Loss est déterminé à partir de l’équation (184.b)
2
= −20 log = 0.021 dB
2 +
Dans l’état OFF, l’impédance shunt est

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1
= = 0.2458 + 6.8264
1
+

2
= −20 log = 11.66 dB
2 +
Le script Matlab de l’exercice est donné en dessous.

clear;
clc;
format long g;
freq=4e9;
Z0=50;
Cj=0.5e-12;
Rr=0.5;
Rf=0.3;
Li=0.3e-9;
omega=2*pi*freq;
omli=omega*Li
usomcj=1/(omega*Cj)
Zd_ON=Rr+j*(omli-usomcj)
Yd_ON=1/Zd_ON
% en milli Siemens(mS) Yd_ON=1.e3*Yd_ON
Zd_OFF=Rf+j*omli
Yd_OFF=1/Zd_OFF
% en milli Siemens(mS) Yd_OFF=1.e3*Yd_OFF
Ys=-j*imag(Yd_ON);
lslam=(pi+atan(Ys*Z0/j))/2/pi
Zed_ON=1/(Ys+Yd_ON)
IL_ON=-20*log10(abs(2*Zed_ON/(2*Zed_ON+Z0)))
Zed_OFF=1/(1/Zd_OFF+Ys)
IL_OFF=-20*log10(abs(2*Zed_OFF/(2*Zed_OFF+Z0)))

Exercice n°5

= 6 GHz, = 50 Ω, = 0.1 pF, = 0.5 Ω, = 0.3 Ω, = 0.4 nH.


= 15 Ω
1⁄ = 265 Ω
Le fonctionnement du circuit est résumé ainsi
Switch ON: Diode série ON & Diode shunt OFF
Switch OFF: Diode série OFF & Diode shunt ON
D’où on a les schemas électriques suivants:

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La matrice ABCD du circuit est


1 1 0 1+ ⁄
= =
0 1 1⁄ 1 1⁄ 1
étant l’impédance série, l’impédance shunt.
On convertit aux paramètres S la matrice ABCD ainsi obtenue. Le seul paramètre S impliqué
dans le calcul de l’Insertion Loss étant
2 2 2
= = =
+ ⁄ + + 1+ ⁄ + ⁄ + ⁄ +1 2+ + +

Etat ON:
= 0.3 + 15 Ω , = 0.5 − 250 Ω
= 0.9633 − 0.2488 = 0.995∠ − 14.5°
= −20 log| | = 0.0434 dB
Etat OFF:
= 0.5 − 250 Ω , = 0.3 + 15 Ω
= −0.1015 + 0.0607 = 0.1183∠149.10°
= −20 log| | = 18.54 dB

Le script Matlab correspondant est

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UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

clear;
clc;
format long g;
freq=6e9;
Z0=50;
Cj=0.1e-12;
Rr=0.5;
Rf=0.3;
Li=0.4e-9;
omega=2*pi*freq;
omli=omega*Li
usomcj=1/(omega*Cj)
Zd1=Rf+j*omli
Zd2=Rr+j*(omli-usomcj)
% Etat ON
Z1=Zd1;
Z2=Zd2;
ABCD=[1+Z1/Z2 Z1;
1/Z2 1];
S=abcd2s(ABCD,Z0);
disp('S21')
[abs(S(2,1)) 180/pi*angle(S(2,1))]
IL_ON=-20*log10(abs(S(2,1)))
% Etat OFF
Z1=Zd2;
Z2=Zd1;
ABCD=[1+Z1/Z2 Z1;
1/Z2 1];
S=abcd2s(ABCD,Z0);
disp('S21')
[abs(S(2,1)) 180/pi*angle(S(2,1))]
IL_OFF= -20*log10(abs(S(2,1)))

Pr. Farid BOUTTOUT Page 82


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II.4. Amplificateurs

Exercice n°1

La matrice [ ] d’un atténuateur 3 dB adapté est (voir l’exemple de la page 36 du cours)


0 0.707
[ ]=
0.707 0
(a) Pour = 50 Ω:
Γ = Γ = 0, Γ = 0, Γ =0
Selon les équations (194), (198) et (199) donnant les différents gains de puissance d’un
amplificateur, on écrit
| | (1 − |Γ | )
= =| | = 0.5
|1 − Γ | (1 − |Γ | )
| | (1 − |Γ | )(1 − |Γ | )
= =| | = 0.5
|1 − Γ Γ | |1 − Γ|
| | (1 − |Γ | )
= =| | = 0.5
(1 − |Γ | )|1 − Γ|
(b) Pour = 25 Ω:
1 Γ 1
Γ =− , Γ =Γ = 0, Γ = + =−
3 1− Γ 6
=| | = 0.5
=| | (1 − |Γ | ) = 0.444
| | (1 − |Γ | )
= = 0.457
1 − |Γ |
(c) Pour = 25 Ω, = 50 Ω:
1 Γ 1
Γ = Γ = 0, Γ = − , Γ = + =−
3 1− Γ 6
| | (1 − |Γ | )
= = 0.457
1 − |Γ |
=| | (1 − |Γ | ) = 0.444
=| | = 0.5

Pr. Farid BOUTTOUT Page 83


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Exercice n°2
= 0.61∠ − 170°, = 0.06∠70°, = 2.3∠80°, = 0.72∠ − 25°, = 50 Ω, =
2 (crête), = 25 Ω, = 100 Ω.
− 1
Γ = =−
+ 3
− 1
Γ = =
+ 3
Γ
Γ = + = 0.65∠ − 173.78°
1− Γ
Γ
Γ = + = 0.7774∠ − 25.18°
1− Γ
(a) Gain de puissance (power gain selon Pozar et operating power gain selon Matlab 7.6)
| | (1 − |Γ | )
= = 11.17 dB
(1 − |Γ | )|1 − Γ|
(b) Gain disponible (available gain)
| | (1 − |Γ | )
= = 12.68 dB
|1 − Γ | (1 − |Γ | )
(c) Gain transduscique (transduscer power gain)
| | (1 − |Γ | )(1 − |Γ | )
= = 10.904 = 10.37 dB
|1 − Γ Γ | |1 − Γ|
(d) Gain transduscique uilatéral (unilateral transduscer power gain); lorsque = 0.
| | (1 − |Γ | )(1 − |Γ | )
= = 10.20 dB
|1 − Γ | |1 − Γ|
(e)

La puissance disponible de la source est


1 1
= = 0.02 W
2 2
La puissance délivrée à la charge est
= = 10.904 × 0.02 = 0.218 W

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Le listing du script Matlab 7.6 correspondant à l’exercice est donné en dessous


clear;
clc;
format long g;
d2r=pi/180;
r2d=180/pi;
S(1,1)=0.61*exp(j*(-170)*d2r);
S(1,2)=0.06*exp(j*70*d2r);
S(2,1)=2.3*exp(j*80*d2r);
S(2,2)=0.72*exp(j*(-25)*d2r);
Z0=50;
Vs=2;
ZS=25;
ZL=100;
disp('GAMMA_S')
gam_s=z2gamma(ZS,Z0)
disp('GAMMA_L')
gam_L=z2gamma(ZL,Z0)
gam_in=gammain(S,Z0,ZL);
disp('GAMMA_In')
[abs(gam_in) r2d*angle(gam_in)]
disp('GAMMA_Out')
gam_out=gammaout(S,Z0,ZS);
[abs(gam_out) r2d*angle(gam_out)]

disp('(Operating) Power Gain')


G=powergain(S,Z0,ZL,'Gp');
10*log10(G)

disp('Available Power Gain')


GA=powergain(S,Z0,ZS,'Ga');
10*log10(GA)

disp('Tranduscer Power Gain')


GT=powergain(S,Z0,ZS,ZL,'Gt');
10*log10(GT)

disp('Unilateral Tranduscer Power Gain')


S(1,2)=0;
GTU=powergain(S,Z0,ZS,ZL,'Gt');
10*log10(GTU)

disp('Puissance disponible de la source')


Pavs=1/2*(Vs/2)^2/ZS

disp('Puissance délivrée à la charge')


PL=GT*Pavs

Exercice n°3
Démonstration du Test −
Si l’amplificateur est inconditionnellement stable, la première condition qui doit être vérifiée est
Γ
|Γ | = + < 1 pour tous les |Γ | < 1.
1− Γ
Cette inégalité peut se réecrire comme

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1 Γ
+ <1
1− Γ
ou
1 Γ 1
Δ+ + = Δ+ <1 (1)
1− Γ 1− Γ
Maintenant on pose Γ = |Γ | ; les valeurs tolérées de Γ pour une charge et un réseau
d’adaptation passifs doivent se situer à l’intérieur du cercle unité définit par |Γ | = 1. Le facteur
1⁄(1 − Γ ) transforme ce cercle en un nouveau cercle de centre en 1⁄(1 − | | ) et de
rayon | |⁄(1 − | | ). Cela peut être vérifié en mettant |Γ | = 1 et en écrivant le
dénominateur de (1) 1⁄ 1 − comme suit
1 1
=
1− 1−| |
et en remarquant que le maximum et le minimum de ce facteur se produisent pour = 0 et π
respectivement et sont donnés par
1 1
et respectivement.
1−| | 1+| |
Le centre de ce cercle est alors la moyenne de ces valeurs
1 1 1 1
+ =
2 1−| | 1+| | 1−| |
tandis que le rayon est donné par la moitié de la différence:
1 1 1 | |
− =
2 1−| | 1+| | 1−| |
Donc nous devons avoir que
1 1 | |
= +
1− 1−| | 1−| |

En utilisant ce résultat on peut réecrire (1) comme suit


1 | |
Δ+ + <1 (2)
| | 1−| | 1−| |
qui doit être vérifiée pour toutes les valeurs de l’angle . Le membre gauche est maximum pour
la valeur de qui rend les angles de phase des deux termes identiques, alors (2) peut se
simplifier à
1 | |
Δ+ + <1
| | 1−| | 1−| |
ou

Pr. Farid BOUTTOUT Page 86


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1 | |
0≤ Δ+ < 1− (3)
| | 1−| | 1−| |
En élevant au carré les deux membres de cette inégalité et en simplifiant on trouve
∗ ∗
| | + |Δ| (1 − | | )+ Δ+ Δ∗ < | | (1 − 2| |−| | ).
∗ ∗
En utilisant le résultat: Δ+ Δ∗ = | | | | −| | − |Δ| on obtient alors
2| |<1−| | −| | + |Δ|
qui donne la condition (216) du cours
1−| | −| | + |∆|
= >1 (4)
2| || |
Puisque K reste inchangé si on interchange et , on peut conclure que (4) s’applique pour
|Γ | < 1 ainsi qu’à |Γ | < 1.
Ensuite, le membre droit de (3) indique que
0< 1−| | −| |
Ainsi que le résultat correspondant obtenu à partir de (207.b)
0< 1−| | −| |
Additionnant membre à membre ces deux équations, on trouve
2| |<2−| | −| | .
A partir de l’inégalité triangulaire on sait que
|Δ| = | − |≤| |+| |
Alors le résultat ci-haut peut se réduire à
2(|Δ| − | |) < 2 − | | −| |
1
|Δ| < 1 − (| | − 2| |+| | )
2
1
|Δ| < 1 − (| | −| | )<1
2
Qui est identique à la condition (217) du cours. Par conséquent, nous avons montré qu’un réseau
à deux ports est inconditionnellement stable si et seulement si > 1 et |Δ| < 1.

Démonstration du Test
Nous commençons par l’expression du coefficient de réflexion à la sortie Γ donnée par
l’équation (190.b) du cours
Γ (1 − Γ )+ Γ − Γ + Γ
Γ = + = =
1− Γ 1− Γ 1− Γ
− ΔΓ
= (5)
1− Γ

Pr. Farid BOUTTOUT Page 87


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Dans l’équation (5) Δ est le déterminant de la matrice S définit par ∆= − . La


stabilité inconditionnelle implique que |Γ | < 1 pour toute impédance passive de source avec
Γ . Le coefficient de réflexion d’une impédance de passive de source doit se situer à l’intérieur
du cercle unité sur l’abaque de Smith et la frontière externe de ce cercle peut s’écrire comme
Γ = dans l’équation (5) et solvant pour :
−Γ
=
Δ− Γ
Prenant le module des deux membres de cette équations, on trouve
−Γ
=1
Δ− Γ
En élevant au carré et en développant on trouve
∗ ∗
−Γ −Γ −Γ − Γ∗
= =1
Δ− Γ Δ− Γ Δ− Γ ∆∗ − ∗ Γ ∗
∗ ∗
− Γ∗ − Γ + Γ Γ∗
∗ ∗ =1
Δ∆∗ − Δ ∗ Γ ∗ − Γ ∆∗ + Γ Γ

| | − Γ∗ − Γ + |Γ |
∗ ∗ ∗
=1
|∆| − Δ Γ − Γ ∆ + | | |Γ |
∗ ∗
| | − Γ∗ − Γ + |Γ | = |∆| − Δ Γ∗ − Γ ∆∗ + | | |Γ |
∗ ∗
|Γ | −| | |Γ | + Γ ∆∗ − Γ − Γ∗ + Δ Γ ∗ = |∆| − | |
|Γ | (1 − | | )+Γ (∆∗ ∗ ) + Γ ∗ (∆ ∗ ) = |∆| − | |
− −
Divisant par (1 − | | ) on obtient
(∆∗ ∗ )Γ + (∆ ∗ )Γ ∗ |∆| − | |
− −
|Γ | + =
1−| | 1−| |
|∆∗ − ∗ |
Compléter le carré en ajoutant aux deux membres
(1 − | | )
∗ ∗
(∆∗ − )Γ + (∆ − )Γ ∗ |∆∗ − ∗ |
|Γ | + +
1−| | (1 − | | )
|∆| − | | |∆∗ − ∗ |
= +
1−| | (1 − | | )
Le membre gauche donne
∆ ∗ −
Γ +
1−| |
Le membre droit donne
(|∆| − | | )(1 − | | ) (∆∗ − ∗ )(∆∗ − ∗ )∗
+
(1 − | | ) (1 − | | )

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UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

|∆| − |∆| | | −| | +| | | | + |∆| | | − ∆∗ ∗ ∗


− ∆ +| |
=
(1 − | | )

|∆| + | | | | − ∆∗ − ∆ ∗
=
(1 − | | )
|∆| + | | | | −( )∗ ∗ ∗
− −( − )
=
(1 − | | )
| | | | − ∗ ∗ ∗ ∗
− +| | | | +| | | | −| | | |
=
(1 − | | )
∗ ∗ ∗ ∗
−| | | | +
+
(1 − | | )
| | | |
=
(1 − | | )
Par conséquent, nous écrivons
∆ ∗ − | |
Γ + = (6)
1−| | (1 − | | )
Cette équation est de la forme |Γ − |= qui représente un cercle de centre C et de rayon R
dans le plan Γ . Par conséquent le centre et le rayon du cercle transformé |Γ | = 1 sont donnés
par
−∆ ∗
= (7. a)
1−| |
| |
= (7. b)
1−| |
Si les points à l’intérieur de cette région circulaire vérifient |Γ | < 1 alors nous devons avoir
| |+ <1 (8)
Substituant (7) dans (8) donne
−∆ ∗ | |
+ <1
1−| | 1−| |
ou
| ∗ |+| |<1−| |
−∆
qui donne, après réarrangement des termes, le test de l’équation (218) du cours
1−| |
= >1 (9)
| −∆ ∗ |+| |

Soulignons enfin que le test − peut être développé également à partir du test . En
réarrangeant la dernière inégalité et en élevant au carré on obtient
| ∗ | < (1 − | | −| |)
−∆ (10)

Pr. Farid BOUTTOUT Page 89


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On peut vérifier par un développement direct que


| ∗ | =| | + (1 − | | )(| | − |∆| )
−∆
donc (10) se réecrit
| | + (1 − | | )(| | − |∆| ) < (1 − | | −| |)
| | + (1 − | | )(| | − |∆| ) < (1 − | | ) − 2(1 − | | )| |+| |
(1 − | | )(| | − |∆| ) < (1 − | | ) − 2(1 − | | )| |
(1 − | | )(| | − |∆| ) < (1 − | | )(1 − | | − 2| |)
| | − |∆| < 1 − | | − 2| |
Cequi donne la condition du test K dite aussi la condition de Rollet (4)

1−| | −| | + |∆|
= >1
2| || |

A COMPLETER ICI

Exercice n°4
= 0.34∠ − 170°, = 4.3∠80°, = 0.06∠70° et = 0.45∠ − 25°.
Selon les équations (213)-(214) du cours, les centres et les rayons des cercles de stabilité sont:
∆= − = 0.117∠ − 49.76°
( − ∆ ∗ )∗
= = 2.56∠27.7° = = 1.3666
| | − |∆| | | − |∆|
( − ∆ ∗ )∗
= = 3.7735∠174.48° = = 2.5322
| | − |∆| | | − |∆|
Selon (216), (217)
1−| | −| | + |∆|
= = 1.348
2| || |
Puisque > 1 et |∆| < 1, le transistor est inconditionnellement stable.
Le listing du script Matlab 7.6 correspondant à l’exercice est donné en dessous

clear;
clc;
format long g;
d2r=pi/180;
r2d=180/pi;

Pr. Farid BOUTTOUT Page 90


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes
S(1,1)=0.34*exp(j*(-170)*d2r);
S(1,2)=0.06*exp(j*70*d2r);
S(2,1)=4.3*exp(j*80*d2r);
S(2,2)=0.45*exp(j*(-25)*d2r);
delta=det(S);
disp('Delta')
[abs(delta) r2d*angle(delta)]
denom1=abs(S(2,2))^2-abs(delta)^2;
CL=conj(S(2,2)-delta*conj(S(1,1)))/denom1;
disp('CL')
[abs(CL) r2d*angle(CL)]
RL=abs(S(1,2)*S(2,1)/denom1);
disp('RL')
RL
denom2=abs(S(1,1))^2-abs(delta)^2;
CS=conj(S(1,1)-delta*conj(S(2,2)))/denom2;
disp('CS')
[abs(CS) r2d*angle(CS)]
RS=abs(S(1,2)*S(2,1)/denom2);
disp('RS')
RS
[K,B1,B2,DELTA]=stabilityk(S);
disp('Test K-DELTA:')
K
abs(DELTA)

Exercice n°5
Les paramètres S du transistor sont: = 0.8∠ − 90°, = 5.1∠80°, = 0.3∠70° et =
0.62∠ − 40°.
∆= 1.5242∠ − −48.69°
= 0.661∠ − 69.87° = 0.789
= 0.6785∠ − 35.12° = 0.9089
= 0.7513
Puisque < 1, le transistor est potentiellement instable.
= 0.34∠ − 170°, = 4.3∠80°, = 0.06∠70° et = 0.45∠ − 25°.
Selon les équations (213)-(214) du cours, les centres et les rayons des cercles de stabilité sont:
∆= − = 0.117∠ − 49.76°
( − ∆ ∗ )∗
= = 2.56∠27.7° = = 1.3666
| | − |∆| | | − |∆|
( − ∆ ∗ )∗
= = 3.7735∠174.48° = = 2.5322
| | − |∆| | | − |∆|
Selon (216), (217)
1−| | −| | + |∆|
= = 1.348
2| || |

Pr. Farid BOUTTOUT Page 91


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Le script Matlab 7.6 correspondant à l’exercice est le même que celui de l'exercice 3 précédent
avec changement des paramètres S.

Exercice n°6
On utilise le test par le paramètre µ donné par l’équation (218) du cours que nous rappellons ici
1−| |
=
| −∆ ∗ |+| |
La condition nécessaire et suffisante de la stabilité inconditionnelle est µ > 1. Aussi une valeur
grande de µ signifie une meilleure stabilité de l'amplificateur. Pour les circuits de l'exercice:
Circuit µ Conclusion
A 0.34∠ − 170° 0.06∠70° 4.3∠80° 0.45∠ − 25° 1.193 INC. STABLE
B 0.75∠ − 60° 0.2∠70° 5.0∠90° 0.51∠60° 0.283 POT. INSTABLE
C 0.65∠ − 140° 0.04∠60° 2.4∠50° 0.70∠ − 65° 1.0566 INC. STABLE

Le listing du script Matlab 7.6 correspondant à l’exercice est donné dans la page suivante

clear;
clc;
format long g;
d2r=pi/180;
r2d=180/pi;
% Paramètres S du Circuit A
SA(1,1)=0.34*exp(j*(-170)*d2r);
SA(1,2)=0.06*exp(j*70*d2r);
SA(2,1)=4.3*exp(j*80*d2r);
SA(2,2)=0.45*exp(j*(-25)*d2r);
% Paramètres S du Circuit B
SB(1,1)=0.75*exp(j*(-60)*d2r);
SB(1,2)=0.2*exp(j*70*d2r);
SB(2,1)=5.0*exp(j*90*d2r);
SB(2,2)=0.51*exp(j*60*d2r);
% Paramètres S du Circuit C
SC(1,1)=0.65*exp(j*(-140)*d2r);
SC(1,2)=0.04*exp(j*60*d2r);
SC(2,1)=2.4*exp(j*50*d2r);
SC(2,2)=0.7*exp(j*(-65)*d2r);
% Calcul du paramètre mu pour les trois circuits
[MUA,MUPRIMEA]=stabilitymu(SA);
[MUB,MUPRIMEB]=stabilitymu(SB);
[MUC,MUPRIMEC]=stabilitymu(SC);
disp('Paramètres MU des trois circuits A, B et C')
MUA
MUB
MUC

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UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Exercice n°7
Le test avec le paramètre donné par l’équation (218) du cours que nous rappellons ici
1−| |
= >1
| −∆ ∗ |+| |
Si le circuit est unilatéral soit = 0 alors nous avons
∆= − =
Alors
1−| | 1−| |
= = >1
| −| | | | ||1 − | | |
Puisque le dénominateur est positif et est positif, le numérateur doit être aussi positif, donc
| |<1
Alors l’expression de se réduit à
1
= >1
| |
Donc
| |<1

Exercice n°8
Selon les définitions données dans l’équation (224),

=1+| | −| | − |∆| , = −∆ .
De la même manière que pour le développement du test − ∆ à partir du test donné dans
l’exercice n°3, on peut vérifier par un développement direct que

=| −∆ | =| | + (1 − | | )(| | − |∆| )
Alors la condition que − 4| | > 0 implique que
(1 + | | −| | − |∆| ) > 4| | + 4(1 − | | )(| | − |∆| )
1 + 2| | − 2| | − 2|∆| + | | − 2| | | | − 2| | |∆| + | | + 2|∆| | |
+ |∆| > 4| | + 4(| | − |∆| − | | | | + |∆| | | )
1 − 2| | − 2| | + 2|∆| + | | + 2| | | | − 2| | |∆| + | | − 2|∆| | |
+ |∆| > 4| |
(1 − | | −| | + |∆| ) > 4| |
ou
(1 − | | −| | + |∆| )
= >1
4| |

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Exercice n°9
Les données de l’exercice sont:
= 0.65∠ − 140° , = 2.4∠50° , = 0.04∠60° , = 0.70∠ − 65°.
D’abord on vérifie la stabilité par le test − ∆ de Rollet
∆= − = 0.3930∠164.9459°
1−| | −| | + |∆|
= = 1.2603
2| || |
Puisque |∆| < 1 et > 1 le transistor est inconditionnellement stable à 5 GHz. Pour un gain
maximum, le transistor doit être conjuguément adapté; en utilisant l’équation (223) du cours

± − 4| |
Γ = Γ∗ = = 0.8257∠147.1459°
2
± − 4| |
Γ = Γ∗ = = 0.8498∠70.6203°
2

Alors les facteurs effectifs de gain de l’équation (205) sont calculés ainsi
1
= = 3.1418 = 4.9717 dB
1 − |Γ |
= |S | = 5.7600 = 7.6042 dB
1 − |Γ |
= = 1.6355 = 2.1366 dB
|1 − Γ|
Donc le gain transduscique global sera égal à
= 4.9717 + 7.6042 + 2.1366 = 14.7125 dB

L’adaptation a été faite sur l’abaque de Smith. Le circuit AC final de l’amplificateur est montré
en dessous

Une analyse compacte donne | | = 0.05, | | = 0.04, G = 14.7 dB

Pr. Farid BOUTTOUT Page 94


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Le code Matlab correspondant à l’exercice est

clear;
clc;
d2r=pi/180;
S(1,1)=0.65*exp(j*(-140)*d2r);
S(2,1)=2.4*exp(j*(50)*d2r);
S(1,2)=0.04*exp(j*(60)*d2r);
S(2,2)=0.7*exp(j*(-65)*d2r);
[K,B1,B2,DELTA]=stabilityk(S);
disp('DELTA (Module et Phase en degrés)')
[abs(DELTA) 180/pi*angle(DELTA)]
disp('K')
K
GAMMA_MS=gammams(S);
disp('GAMMA_MS')
[abs(GAMMA_MS) 180/pi*angle(GAMMA_MS)]
GAMMA_ML=gammaml(S);
disp('GAMMA_ML')
[abs(GAMMA_ML) 180/pi*angle(GAMMA_ML)]
GS=1/(1-abs(GAMMA_MS)^2);
G0=abs(S(2,1))^2;
GL=(1-abs(GAMMA_ML)^2)/abs(1-S(2,2)*GAMMA_ML)^2;
disp('Gains GS G0 GL numériques')
[GS G0 GL]
disp('Gains GS G0 GL en dB')
10*log10([GS G0 GL])
disp('Gain GTmax')
GTmax=10*log10(GS)+10*log10(G0)+10*log10(GL)

Exercice n°10
Les données de l’exercice sont
= 0.61∠ − 170° , = 2.24∠32° , =0 , = 0.72∠ − 83°.
= 10 dB , = 1 dB , = 2 dB.
Puisque = ∞ et |∆| < 1, le transistor est inconditionnellement stable. Selon l'équation (230),
on a
1 1
= = 1.5926 = 2.0211 , = = 2.0764 = 3.1731
1−| | 1−| |
Donc pour = 1 dB = 1.2589 et = 2 dB = 1.5849

= = 0.7905

= = 0.7633

Les centres et les rayons des cercles à gains constants sont donnés par les équations (234) et
(235) du cours et on a

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UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes


1 − (1 − | | )
= = 0.523∠170° , = = 0.3117
1 − (1 − )| | 1 − (1 − )| |

1 − (1 − | | )
= = 0.6264∠83° , = = 0.2671
1 − (1 − )| | 1 − (1 − )| |
Puisque = 10 log| | = 7 dB, en utilisant les cercles de gains = 1 dB et = 2 dB
donnera un gain total de 10 dB. On représente ces cercles sur l'abaque de Smith et on choisit
Γ = 0.215∠170° et Γ = 0.361∠83° pour minimiser les amplitudes de ces valeurs. Après
adaptation, nous obtenos le circuit amplificateur suivant

Une analyse compacte donne | | = 0.45, | | = 0.48, G = 10.05 dB (les réflexions à l'entrée
et à la sortie servent pour réduire le gain à 10 dB). L'abaque de Smith est montrée en dessous

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UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Le script Matlab de l'exercice est donné en dessous

clear;
clc;
d2r=pi/180;
S(1,1)=0.61*exp(j*(-170)*d2r);
S(2,1)=2.24*exp(j*(32)*d2r);
S(1,2)=0;
S(2,2)=0.72*exp(j*(-83)*d2r);
[K,B1,B2,DELTA]=stabilityk(S);
disp('DELTA (Module et Phase en degrés)')
[abs(DELTA) 180/pi*angle(DELTA)]
disp('K')
GSmax=1/(1-abs(S(1,1))^2)
GSmax_dB=10*log10(GSmax)
GLmax=1/(1-abs(S(2,2))^2)
GLmax_dB=10*log10(GLmax)
G0=abs(S(2,1))^2
G0_dB=10*log10(G0)
GS_dB=[1]';
GS=10.^(GS_dB/10);
gs=GS/GSmax;
denom1=1-(1-gs)*abs(S(1,1))^2;
CS=gs*conj(S(1,1))./denom1;
RS=sqrt(1-gs)*(1-abs(S(1,1))^2)./denom1;
GL_dB=[2]';
GL=10.^(GL_dB/10);
gl=GL/GLmax;
denom2=1-(1-gl)*abs(S(2,2))^2;
CL=gl*conj(S(2,2))./denom2;
RL=sqrt(1-gl)*(1-abs(S(2,2))^2)./denom2;
disp(' GS(dB) gs CS RS')
[GS_dB gs abs(CS) 180/pi*angle(CS) RS]
disp(' GL(dB) gl CL RL')
[GL_dB gl abs(CL) 180/pi*angle(CL) RL]

Exercice n°11
Les données de l’exercice sont
= 0.34∠ − 170° , = 4.3∠80° , = 0.06∠70° , = 0.45∠ − 25°
Le facteur de mérite unilatéral U est donné par l’équation (229) du cours
| || || || | (0.06)(4.3)(0.34)(0.45)
= = = 0.056
(1 − | | )(1 − | | ) [1 − (0.34) ][1 − (0.45) ]
Alors selon l’équation (228) les limites de l’erreur dans ⁄ sont

1 1
0.8968 = < < = 1.122
(1 + ) (1 − )
ou en dB
−0.473 dB < (dB) − (dB) < 0.5 dB

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Exercice n°12
Selon les équations (231) et (230) nous avons pour =1
1
= = =1−| | , 1− =| |

Donc (234) se réduit à


∗ (1 − | | ) ∗ ∗
= = =
1 − (1 − )| | 1−| | 1+| |
1 − (1 − | | ) | |(1 − | | ) | |
= = =
1 − (1 − )| | 1−| | 1+| |
Donc l’équation du cercle de gain constant s’écrit

∗ | |
Γ − =
1+| | 1+| |

Une solution à cette équation apparait en Γ = 0, alors le cercle doit passer par le centre de
l’abaque de Smith.

Exercice n°13
Puisque le VSWR à l’entrée est égal à 2, on conclut
1 + |Γ | VSWR − 1 1
VSWR = = 2 ⟹ |Γ | = =
1 − |Γ | VSWR + 1 3
De la même facon, sur la sortie de l’amplificateur on peut écrire
1 + |Γ | VSWR −1 1
VSWR = = 3 ⟹ |Γ |= =
1 − |Γ | VSWR +1 2
Les coefficients de réflexion à l’entrée et à la sortie sont donnés par:
Γ Γ
Γ = + , Γ = +
1− Γ 1− Γ
Dans le cas général, où tous les paramètres S ainsi que les coefficients de réflexion de la sorce et
de la charge sont non nuls, nous ne pouvons pas estimer les valeurs de et de
l’amplificateur seulement en se basant sur les valeurs des coefficients de réflexion à l’entrée et à
la sortie. Cependant, si les coefficients de réflexion de la source et de la charge sont nuls, i.e. les
impédances de source et de charge sont adaptées à l’impédance caractéristique du système, alors
|Γ | = | | et | | = |Γ |.

Pr. Farid BOUTTOUT Page 98


BIBLIOGRAPHIE
IEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes Bibliographie

Références pour la preparation du manuscrit

[1] D. M. Pozar, Microwave Engineering, John Wiley & Sons, 3rd edition, 2005.
[2] D. M. Pozar, Microwave and RF Design of Wireless Systems, John Wiley & Sons, 2001.
[3] R. Ludwig et P. Bretchko, RF Circuit Design. Theory and Applications, Prentice Hall,
2000.
[4] D. K. Misra, Radio Frequency and Microwave Communication Circuits, Analysis and
Design, John Wiley & Sons, 2nd edition, 2004.
[5] RF Toolbox 2 User’s Guide, Feb. 2008. The Mathworks; www.mathworks.com

Références pour lecture supplémentaire


[1] R. E. Collin, Foundations for Microwave Engineering, The IEEE Press Series on
Electromagnetic Wave Theory, 2nd edition, 2001.

Pr. Farid BOUTTOUT Page 100


ANNEXES
Annexe A: Préfixes
Annexe B: Constantes physiques
Annexe C: Conductivités de certains matériaux
Annexe D: Constantes diélectriques et tangentes des pertes de certains matériaux
Annexe E: Spécifications standards des guides d'onde rectangulaires
Annexe F: Table des conversions entre les paramètres de réseau à deux ports
UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Annexe A: Préfixes

Facteur multipliant Préfixe Symbole


1012 téra T
109 giga G
106 méga M
103 kilo k
102 hecto h
101 déca da
10-1 déci d
10-2 centi c
10-3 milli M
10-6 micro µ
10-9 nano n
10-12 pico p
10-15 femto f

Annexe B: Constantes physiques

 Permittivité de l’espace libre = = 8.854 × 10 F⁄m


 Perméabilité de l’espace libre = = 4 × 10 H⁄m
 Impédance de l’espace libre = = 376.7 Ω
 Vitesse de la lumière dans l’espace libre = = 2.998 × 10 m⁄s

Dr. Farid BOUTTOUT Page 102


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Annexe C: Conductivités de certains matériaux

Matériau Conductivité S/m (20°C) Matériau Conductivité S/m (20°C)


Aluminium 3.816 × 10 Nichrome 1.0 × 10
Plaqué 2.564 × 10 Nickel 1.449 × 10
Bronze 1.00 × 10 Platinum 9.52 × 10
Chromium 3.846 × 10 Eau de mer 3-5
Cuivre 5.813 × 10 Silicium 4.4 × 10
Eau distillée 2 × 10 Argent 6.173 × 10
Germanium 2.2 × 10 Acier (silicium) 2 × 10
Or 4.098 × 10 Acier (inox) 1.1 × 10
Graphite 7.0 × 10 Solder 7.0 × 10
Fer 1.03 × 10 Tungsten 1.825 × 10
Mercure 1.04 × 10 Zinc 1.67 × 10
Lead 4.56 × 10

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UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Annexe D: Constantes diélectriques et tangentes des pertes de certains matériaux

Matériau Fréquence (GHz) (25°C)


Alumine (99.5°) 10 9.5-10 0.0003
Tétratitananate 6 37 ± 5% 0.0005
Beeswax 10 2.35 0.005
Beryllia 10 6.4 0.0003
Céramique (A-35) 3 5.60 0.0041
Quartz fusionné 10 3.78 0.0001
Arseniure de Gallium 10 13. 0.006
Verre (pyrex) 3 4.82 0.0054
Glazed ceramic 10 7.2 0.008
Lucite 10 2.56 0.005
Nylon (610) 3 GHz 2.84 0.012
Parafin 10 2.24 0.0002
Plexiglass 3 2.60 0.0057
Polyethylène 10 2.25 0.0004
Polystyrène 10 2.54 0.00033
Porcelaine (dry process) 0.1 5.04 0.0078
Rexolite (1422) 3 2.54 0.00048
Silicium 10 11.9 0.004
Styrofoam (103.7) 3 1.03 0.0001
Téflon 10 2.08 0.0004
Titania (D-100) 6 96 ± 5% 0.001
Vaséline 10 2.16 0.001
Eau (distillée) 3 76.7 0.157

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UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Annexe E: Spécifications standards des guides d’onde rectangulaires

Bande* Gamme de Fréquence Désignation Dimensions Dimensions


fréquence de coupure EIA; WR- internes (cm) externes (cm)
recomman du mode XX
dée (GHz) TE10 (GHz)
L 1.12-1.70 0.908 WR-650 16.51 × 8.255 16.916 × 8.661
R 1.70-2.60 1.372 WR-430 10.922 × 5.461 11.328 × 5.867
S 2.60-3.95 2.078 WR-284 7.214 × 3.404 7.620 × 3.810
H (G) 3.95-5.85 3.152 WR-187 4.755 × 2.215 5.080 × 2.540
C (J) 5.85-8.20 4.301 WR-137 3.485 × 1.580 3.810 × 1.905
W (H) 7.05-10.0 5.259 WR-112 2.850 × 1.262 3.175 × 1.587
X 8.20-12.4 6.557 WR-90 2.286 × 1.016 2.540 × 1.270
Ku (P) 12.4-18.0 9.486 WR-62 1.580 × 0.790 1.783 × 0.993
K 18.0-26.5 14.047 WR-42 1.07 × 0.43 1.27 × 0.635
Ka (R) 26.5-40.0 21.081 WR-28 0.711 × 0.356 0.914 × 0.559
Q 33.0-50.5 26.342 WR-22 0.57 × 0.28 0.772 × 0.448
U 40.0-60.0 31.357 WR-19 0.48 × 0.24 0.681 × 0.442
V 50.0-75.0 39.863 WR-15 0.38 × 0.19 0.579 × 0.391
E 60.0-90.0 48.350 WR-12 0.31 × 0.015 0.513 × 0.356
W 75.0-110.0 59.010 WR-10 0.254 × 0.127 0.458 × 0.330
F 90.0-140.0 73.840 WR-8 0.203 × 0.102 0.406 × 0.305
D 110.0-170.0 90.854 WR-6 0.170 × 0.083 0.368 × 0.2858
G 140.0-220.0 115.750 WR-5 0.130 × 0.0648 0.333 × 0.2680

* Lettres entre parenthèses signifient des désignations alternatives.

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UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Annexe F: Table des conversions entre les paramètres de réseau à deux ports

S Z
(1 + )(1 − )+
=
(1 − )(1 − )−
2
=
(1 − )(1 − )−
2
=
(1 − )(1 − )−
(1 − )(1 + )+
=
(1 − )(1 − )−
( − )( + )−
=

2
=

2
=

( + )( − )−
=

( − )( + )+
= =
∆ | |
2
=− =−
∆ | |
2
=− =−
∆ | |
( + )( − )+
= =−
∆ | |
+ ⁄ − −
= =
+ ⁄ + +
2( − ) −
= =
+ ⁄ + +
2 1
= =
+ ⁄ + +
− + ⁄ − +
= =
+ ⁄ + +

Dr. Farid BOUTTOUT Page 106


UEF 1.3.2 : Dispositifs (Passifs/Actifs) RF et Micro-ondes

Y ABCD
(1 − )(1 + )+ (1 + )(1 − )+
= =
(1 + )(1 + )− 2
−2 (1 + )(1 + )−
= =
(1 + )(1 + )− 2
−2 1 (1 − )(1 − )−
= =
(1 + )(1 + )− 2
(1 + )(1 − )+ (1 − )(1 + )+
= =
(1 + )(1 + )− 2

= =
| |
| |
=− =
| |
1
=− =
| |

= =
| |

=−

1
=−

| |
=−

=−


=

1
=−

| |= − | |= −
∆ =( + )( + )− ∆ =( + )( + )−
= 1⁄

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