Rapport de Travaux Pratiques Conception Des Circuits Analogiques PDF Free

Travaux pratiques : conception des circuits analogiques 2émé Année cycle ingénieur : Génie Electrique
ECOLE NATIONALE DES SCIENCES APPLIQUEED DE KHOURIBGA
2émé Année cycle ingénieur : Génie Electrique
RAPPORT DE TRAVAUX PRATIQUES

CONCEPTION DES CIRCUITS
ANALOGIQUES
Année 2012-2013
Réalisé par
Yacine a. AMKASSOU
Encadré par
Pr. N.El BARBRI
MANIPULATIONS :
PARTIE A :
CONCEPTION ET SIMULATION SOUS MICROWIND
1. Transistor MOS, procédés, caractérisation

PARTIE B :
CONCEPTION ET SIMULATION SOUS ORCAD-PSPICE
1. Initiation au logiciel Orcad-Pcpice : simulation de circuit

électronique
2. Conception de circuit analogiques avec Pcpice
PARTIE A :
CONCEPTION ET SIMULATION SOUS MICROWIND
TP 1 : Transistor MOS, procédés, caractérisation :

Objectifs :
 Familiarisation avec Microwind.
 Simulation et caractérisation du comportement statique et dynamique des
transistors.
 Familiarisation avec les divers procédés et les effets d’échelle.
 Premiers contacts avec le dessin de masque, conception de la distance
minimale λ , règles de conception .
 Compréhension des différents étapes de fabrication d’un IC, coupe et
structure 3D résultantes.
Procédure :
A. Dessin d'un transistor
1.et 2. rectangle allonge de polysilicium
3. diffusion n+
B. Couches et procédé :
4. Coupe du transistor
l'épaisseur tox =1.2nm
Ajout des contacts et d’une couche de métal :

5. la structure tridimensionnelle du transistor :

C. Caractéristiques statiques des transistors MOS

6. File ->Colors -> White background
7. MOS Characteristics : level 1

8. Ne10x10.MES : correspond à de véritables mesures de

caractéristiques V-I effectuées sur une puce test de 0.12 um
9. Level 3 :
BSIM4 :
D. Caractéristiques dynamiques des transistors MOS

10. Pour observer le comportement dynamique, on applique une horloge à la grille
du nFET
Time low = 0.225ns, Rise time = 0.5 ps, Time high = 0.225 ns, Fall time = 0.5 ps.
le nom du signal à vgrille.
11. Horloge du drain :

Time low = 0.45ns, Rise time = 0.5 ps, Time high = 0.45 ns, Fall time = 0.5 ps.
12. On désire maintenant rendre la source visible en simulation; pour ce faire on

clique sur l'icône Visible node
13. Sélectionnez Simulate ->Run simulation -> Voltage vs. Time.

PARTIE B :
CONCEPTION ET SIMULATION SOUS ORCAD-PSPICE
TP 1 : initiation au logiciel Orcad/PSPICE : simulation de

circuits électroniques
Objectifs :
 Comprendre le principe et l’intérêt de la simulation électrique

 Connaître les principales fonctionnalités de l’outil de simulation SPICE
 Savoir créer un schéma électrique sous Orcad/ PSPICE
 Savoir configurer les différentes simulations de Orcad/PSPICE
Introduction :
SPICE (Simulator Program with Integrated Circuit Emphasis) est un simulateur

électrique standard qui permet l'analyse statique et transitoire des circuits linéaires
et non linéaires. Cet outil est souvent indispensable lors de la conception
électronique afin de dimensionner correctement les différents éléments d’un circuit.
Le logiciel ORCAD contient plusieurs outils dédiée à la simulation de circuits
électroniques .
PRISE EN MAIN DE L’OUTIL DE SIMULATION ORCAD/PSPICE
Creation d’un projet :

Saisie d’une schematique :

Avant de saisir la schématique, il convient de copier dans son projet l’ensemble
des composants qui formeront le circuit. Ceux-ci sont inclus à l’intérieur de librairies
préexistantes fournies par le logiciel. La configuration de base de la version Lite
donne accès à un nombre limité de librairies, mais suffisant pour réaliser des
circuits basiques. Les librairies sont repérables par leur extension .olb. Les
librairies que nous utiliserons sont les suivantes :
 source.olb : contient l’ensemble des sources de tension et de courant
 sourcstm.olb : source digitales et stimuli
 analog.olb : contient les composants passifs
 eval.olb : contient des composants standards du commerce
 special.olb : éléments supplémentaires influant sur la simulation
- On place d’abord les composants passifs : résistance R et capacité C, inclus

dans la librairie Analog.olb. On donne les valeurs suivantes aux composants :
100 Ω et 1 μF.
- On ajoute ensuite une source de tension, incluse dans la librairie source.olb :
Amplitude de 1V, un offset de 0 V et une fréquence de 1 KHz , la propriété AC à
1V.
Simulation du circuit:
Une fois la saisie de la schématique terminée, les simulations électriques peuvent

être configurées puis lancées. PSPICE offre différents types de simulation :
- simulation DC : le simulateur balaye les valeurs prises par une variable qui
est en général la tension ou le courant continu .
- simulation AC : l’ensemble des générateurs sont supposés harmoniques (ou
sinusoïdaux) et le simulateur balaye un ensemble de fréquence. L’amplitude
et la phase des tensions
- simulation TRAN : il s’agit d’une simulation transitoire, seul le paramètre
temps est balayé. Les tensions de chaque noeud et les courants traversant
chaque dispositif sont calculés à chaque instant.
- Analyse paramétrique : il est possible de lancer les simulations précédentes
en modifiant un paramètre d’un élément du modèle .
Lancement d’une simulation : filtre passe bas
Pour illustrer le lancement d’une simulation, on prend l’exemple d’une simulation

transitoire effectuée sur le filtre passe bas. Dès qu’on souhaite lancer une nouvelle
simulation, on commence par définir un nouveau profil de simulation puis on le
configure
Time Domain (Transient) = Régime transitoire.

- Run to time ou TSTOP. Comme la fréquence du signal est de 1 KHz, on peut
fixer temps de simulation à 10 ms.
- temps de début de simulation : Start saving data after. Par défaut, 0 s.
Netlist du circuit RC
Trace des resultats de simulation

Une fois la simulation effectuée, la fenêtre principale de l’outil PSPICE A/D s’ouvre,
avec une fenêtre de visualisation graphique (plot) temporelle vide.
Ajout de courbes à l’aide de la commande Add Trace
Pour faire apparaître directement des résultats graphiques dès l’ouverture de

PSPICE A/D à la fin de la simulation, il est nécessaire de placer des probes sur la
schématique. Il s’agit de probes de tension, de courant ou de puissance.
En relançant une simulation les profils de tension d’entrée et de sortie

s’afficheront automatiquement.
Il est possible d’ajouter une nouvelle fenêtre d’affichage graphique, pour afficher un
autre type de données par exemple.
Simulation AC : fonction de transfer

ANALYSE PARAMETRIQUE :
Tracé d’une caractéristique de transistor
Schéma réalisé sous OrCad Capture :
Le paramètre est ici la valeur de la résistance de base.

Nouvelle propriété :
Analyse continue :
Définir alors les paramètres d’une analyse continue
Définir ensuite les paramètres de l’analyse paramétrique :
Résultats de simulation :
Le simulateur effectue les calculs (analyse continue ici) pour chacune des valeurs
du paramètre.
Une fenêtre permet de choisir l’ensemble des résultats de simulation ou de n’en
sélectionner que quelques uns.
L’ensemble des courbes apparaît dans la fenêtre de visualisation avec une couleur
et un symbole différents.
- l’option « Information »
Une fenêtre affiche les conditions particulières de simulation pour cette courbe (ici
RbVar = 40 k)
TP N°2 :
CONCEPTION DE CIRCUITS ANALOGIQUES AVEC
PSPICE
Caractéristiques d'un transistor NMOS

On se propose de tracer des caractéristiques Ids= f (Vds) d'un transistor NMOS.
Pour cela, créez un nouveau projet baptisé caract.
Le composant transistor NMOS se trouve dans la library BREAKOUT.

Choisissez MbreakN3.
Vous devez tout d’abord spécifier les valeurs des caractéristiques du

modèle que le logiciel va utiliser pour ce transistor. Pour le modèle de
Schichman et Hodges, il faut donc définir la tension VTO, le Kp et les
dimensions W et L.
.model Mbreakn NMOS VTO=0.7V KP=2e-5 TOX=1.264e-8 LAMBDA=0.03 GAMMA=0.8 PHI=0.5 IS=0
spécifier les dimensions
Pour visualiser la caractéristique, il est nécessaire de faire varier le potentiel

VDS =V2 alors on utilise DC sweep
Réponse transitoire d un inverseur NMOS avec résistance

NMOS
PMOS
Application 3 :
Reponse transitoire d’un amplificateur inverseur NMOS avec résistance

Pour R=10
Pour R=100
Réponse transitoire d’un amplificateur inverseur CMOS avec charge active


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RAPPORT DE TRAVAUX PRATIQUES

1. Transistor MOS, procédés, caractérisation

1. Initiation au logiciel Orcad-Pcpice : simulation de circuit

TP 1 : Transistor MOS, procédés, caractérisation :

l'épaisseur tox =1.2nm

Ajout des contacts et d’une couche de métal :

5. la structure tridimensionnelle du transistor :

C. Caractéristiques statiques des transistors MOS

7. MOS Characteristics : level 1

8. Ne10x10.MES : correspond à de véritables mesures de

D. Caractéristiques dynamiques des transistors MOS

11. Horloge du drain :

12. On désire maintenant rendre la source visible en simulation; pour ce faire on

13. Sélectionnez Simulate ->Run simulation -> Voltage vs. Time.

TP 1 : initiation au logiciel Orcad/PSPICE : simulation de

 Comprendre le principe et l’intérêt de la simulation électrique

SPICE (Simulator Program with Integrated Circuit Emphasis) est un simulateur

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Creation d’un projet :

Saisie d’une schematique :

- On place d’abord les composants passifs : résistance R et capacité C, inclus

Une fois la saisie de la schématique terminée, les simulations électriques peuvent

Lancement d’une simulation : filtre passe bas

Pour illustrer le lancement d’une simulation, on prend l’exemple d’une simulation

Time Domain (Transient) = Régime transitoire.

Trace des resultats de simulation

Ajout de courbes à l’aide de la commande Add Trace

Pour faire apparaître directement des résultats graphiques dès l’ouverture de

En relançant une simulation les profils de tension d’entrée et de sortie

Simulation AC : fonction de transfer

Le paramètre est ici la valeur de la résistance de base.

Définir ensuite les paramètres de l’analyse paramétrique :

Caractéristiques d'un transistor NMOS

Le composant transistor NMOS se trouve dans la library BREAKOUT.

Vous devez tout d’abord spécifier les valeurs des caractéristiques du

spécifier les dimensions

Pour visualiser la caractéristique, il est nécessaire de faire varier le potentiel

Réponse transitoire d un inverseur NMOS avec résistance

Reponse transitoire d’un amplificateur inverseur NMOS avec résistance

Réponse transitoire d’un amplificateur inverseur CMOS avec charge active

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