Cours Matériaux et introduction à la HT

Université de Relizane
L3 _Electrotechnique
Chapitre 1. Matériaux conducteurs
Chapitre 3. Matériaux diélectriques
Chapitre 2. Matériaux magnétiques
Chapitre 4. Semi-conducteurs
Chapitre 5. Supraconducteurs

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 Matériaux conducteurs
1. Introduction:
La conception et le fonctionnement de l’équipement électrique dépend des matériaux
disponibles . Ainsi, les propriétés des conducteurs jouent un rôle crucial dans la construction des
appareils électriques. Dans ce chapitre, nous étudierons les propriétés des conducteurs de même
que leurs applications. La plupart des conducteurs sont des solides, mais on a vu que dans des
conditions spéciales, même un gaz comme l’air peut devenir conducteur. Certains liquides,
comme l'eau salée, peuvent également conduire un courant électrique, de sorte qu’on peut les
classer parmi les conducteurs.

2. Applications générales des matériaux conducteurs:

2.1 Conducteurs:
Dans les applications générales, le matériau le plus employé est le cuivre (Cu). On utilise des
conducteurs d’aluminium Al (seuls ou avec des fils d’acier) pour les lignes de transport d'énergie,
car, pour une même longueur et un même poids, la résistance électrique de l’aluminium est
sensiblement la moitié de celle du cuivre. Cependant, pour une résistance donnée, son volume est
(1.7) fois plus grand que celui du cuivre, ce qui le rend moins intéressant comme conducteur dans
les machines électriques.
De tous les solides, l’argent (Ag) est le meilleur conducteur d’électricité mais, en raison de son
coût prohibitif, son usage est restreint aux contacts destinés à l'ouverture et à la fermeture des
circuits électriques. Paradoxalement, il sert aussi comme élément résistif dans certains fusibles.
Le bronze phosphoreux (alliage de bronze qui contient un mélange de cuivre, d'étain et
2
de phosphore) se coule très facilement et il est très employé pour les pièces moulées.
2.1Conducteurs résistifs:
Parmi les matériaux résistifs, les plus importants sont les alliages de Nickel (Ni)et de chrome
(Cr) comme le Nichrome et le Chromel . On les rencontre dans les éléments chauffants de toutes
sortes et dans les rhéostats et résistances. Le tungstène (W) est surtout utilisé pour la fabrication
des filaments à incandescence à cause de sa haute température de fusion, ce qui permet une
chaleur suffisamment intense pour émettre une lumière blanche. Il existe au moins une trentaine
d’autres alliages à base de nickel, de fer, de cobalt et de cuivre portant des noms comme Nilvar,
Advance, Karma, Chromax, Copel, Ohmaloy, etc., dont les propriétés particulières telles que la
résistance à la corrosion ou la rigidité mécanique les rendent utiles pour les applications
spéciales.
3. Géométries des conducteurs:
Suivant leurs applications, les conducteurs prennent une grande variété de formes : on les
rencontre sous forme de fils de section ronde, carrée ou plate, sous forme de câbles toronnés et
sous forme de barres (barres omnibus). Les conducteurs se présentent généralement sous forme
de fils de section ronde (figure (a)), obtenus directement par tréfilage. Les fils bons conducteurs
de sections carrée et rectangulaire (figures (b), (c)) sont employés pour les enroulements à grande
section des transformateurs et des machines rotatives . L'emploi de tels conducteurs dans les
moteurs et génératrices permet une meilleure utilisation du volume des encoches .

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Les conducteurs constitués par un grand nombre de petits fils (appelés torons) torsadés
ensemble sont très souples (figure (d)). La pose des câbles de grande section est ainsi facilitée.
Dans le cas de certains conducteurs d’aluminium, un ou plusieurs fils centraux sont en acier afin
d’assurer une plus grande résistance mécanique du câble et ces câbles portent le nom ACSR
(Aluminum Cable Steel Reinforced).
Pour les fortes intensités de courant rencontrées dans les centrales et les postes de
transformation, on utilise des conducteurs nus de formes particulières qui assurent une
meilleure dissipation de la chaleur ou qui possèdent une plus grande rigidité mécanique (figures
(e) et (f)) .
Enfin, on utilise des conducteurs résistifs de sections ronde, carrée et plate dans la fabrication
des chaufferettes, des démarreurs de moteurs et des rhéostats .
4. Résistance d’un conducteur:
Le passage du courant électrique dans un conducteur se fait d’autant plus facilement que le
nombre d’électrons libres est grand. Or, ce nombre d’électrons libres varie considérablement
d’une substance à l’autre . Donc, la résistance au passage du courant dépend de la nature de la
substance dont est constitué le conducteur; plus le nombre d'électrons libres est grand, plus la
résistance est basse. A une température donnée, la résistance d'un conducteur dépend : de sa
longueur, de sa section et de la nature de la substance qui le constitue:

R = résistance du conducteur [Ω]; ρ = résistivité de la substance

[Ω∙m]; l = longueur du conducteur [m]; S = section du conducteur
[m2].
4
5. Variation de la résistance d’un conducteur avec la température:
Lorsque la température d’un conducteur augmente l’agitation de ses atomes s'accentue.
L’opposition au déplacement des électrons (courant) augmente parce que les collisions entre les
électrons et les atomes se multiplient. C’est ce qui explique l'augmentation de la résistivité des
métaux conducteurs avec la température. Cette variation obéit à la formule suivante :
ρT = résistivité à une température T [Ω∙m];
ρ0 = résistivité à 0 °C [Ω∙m];
α = coefficient de température en 1/°C;
T = température en °C.
Puisque la résistivité varie avec la température, il s'ensuit que la résistance de tout dispositif
électrique (bobine, fil, câble, élément chauffant, etc.) varie en proportion. On peut donc exprimer
la variation de la résistance par la formule :
RT = résistance à une température T [Ω∙m];
R0 = résistance à 0 °C [Ω∙m];
α = coefficient de température en 1/°C;
T = température en °C.

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On trouvera au tableau suivant les valeurs de coefficient α et de résistivité ρ0 pour quelques-uns
des métaux usuels:

Conducteurs ρ0 (nΩ∙m) α à 0 °C
Argent 15 0.00411
Cuivre 15.9 0.00427
Aluminium 26.0 0.00439
Tungstène 49.6 0.0055
Manganine 482 0.000 015
Nichrome 1080 0.00011

6. Propriétés mécaniques des conducteurs:

6.1 Résistance à la traction
Jusqu’ici, nous nous sommes intéressés aux propriétés électriques et thermiques des conducteurs,
mais dans certains cas on doit considérer également leurs propriétés mécaniques . Par exemple, la
résistance des conducteurs à la traction joue un rôle important lors de la pose des lignes aériennes
et du bobinage des enroulements. D’abord, il ne faut pas que la tension subie par le conducteur
dépasse la tension de rupture. On ne doit pas non plus provoquer un allongement tel que le
conducteur ne puisse plus reprendre sa longueur et sa forme originales . Ces deux considérations
demandent une connaissance des forces qui peuvent changer sa longueur de façon permanente .

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6.2 Traction et allongement
Si l’on augmente la force de traction F exercée sur un fil métallique, tout en observant son
allongement d (figure 01), on obtient une série de valeurs que l’on peut porter sur un graphique
(figure 01).
Sur la courbe (figure 02), nous avons indiqué trois points importants a, b et c, correspondant
respectivement aux forces de traction F1 , F2 et F3. A mesure que la force de traction croît de 0 à
F1, le fil s’allonge d’une distance d1 . Dans la partie droite (Oa) de la courbe, l’allongement d est
proportionnel à la traction exercée et le fil se comporte comme un ressort. Il reprend sa forme
originale dès que la traction cesse.
Figure 02
Figure 01 d

S
F

Pour des tractions F supérieures à F1, mais inférieures à F2, le fil perd un peu de son élasticité et
il ne revient pas à sa longueur originale lorsque la traction cesse. Cependant, l'étirement
permanent n'est pas sérieux ni dommageable. La force F2 au point (b) correspond à la limite
élastique ; on évite, en général, de dépasser cette force plus ou moins bien définie. 7
Si l’on continue à augmenter la traction, le fil s'étire rapidement jusqu'au point (c) situé au
sommet de la courbe; la tension F3 correspondante est la tension de rupture et elle est
sensiblement supérieure à la force F2. Au-delà du point (c), une force même inférieure à F3
réussit à étirer le conducteur jusqu'à sa rupture complète.
Tous les conducteurs possèdent de telles courbes de traction mais les forces F1, F2 et F3 varient
beaucoup suivant le métal . La forme de la courbe dépend aussi de la température, les forces
devenant plus petites et l’allongement plus grand quand la chaleur augmente .
Enfin, la valeur des forces varie beaucoup suivant que le conducteur a été formé à froid, à chaud
ou qu'il a été recuit.
Le tableau ci-dessous illustre aussi la grande différence entre le cuivre recuit et le cuivre durci .
Le premier est utilisé pour les bobines, tandis que le second trouve son application dans les lignes
aériennes.
métal limite élastique Contrainte de Allongement à la
(Mpa) rupture (Mpa) rupture (%)
Aluminium pur 21 62 50
Aluminium durci 140 160 2
Cuivre recuit 35 220 60
Cuivre durci 410 470 14
Acier 1170 1300 15

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 II. Matériaux diélectriques

II. 1 Introduction:
Les diélectriques sont des matériaux ayant une résistivité très élevée : 108 à 1016Ω.m, car ils
contiennent très peu d’électrons libres. Un isolant est caractérise par ses propriétés électriques,
mécaniques, chimiques et thermiques. Un bon isolant ne devrait pas laisser passer de courant
lorsqu’il est soumis a une tension continue. Autrement dit, sa résistance en CC doit être
infiniment grande. Cependant, en pratique, un courant de fuite très faible circule dans tous les
matériaux isolants utilises en HT continue. Le courant passant a travers un isolant en HT continue
est également constant et est appelé courant résiduel. En HT alternative, n’importe que matériau
isolant laisserait passer un courant capacitif.
Les isolants sont utilises pour :
assurer une séparation électrique entre des conducteurs portes à des potentiels différents afin de
diriger l’écoulement du courant dans les conducteurs désires → protection des personnes et des
équipements ;
supporter les éléments d’un réseau électrique et les isoler les uns par rapport aux autres et par
rapport à la terre ;
remplir les fonctions de diélectrique d’un condensateur.
II.2 Caractéristiques diélectriques des isolants:
Un condensateur est constitué d'un matériau diélectrique placé entre deux électrodes métalliques
appelées armatures. Rappelons, comme il a été dit dans l'introduction, que le premier critère
d'optimisation d'un condensateur est sa capacité C qui s'écrit :

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où ε0 est la permittivité diélectrique du vide, εr la constante diélectrique relative du matériau
utilisé, S la surface des électrodes du condensateur et e l’épaisseur séparant ces deux électrodes.
Pour l’air, les gaz et le vide, εr = 1. Donc, ε =ε0 =8,85.10 -12 F/m. S
Pour tous les autres isolants, εr > 1. ε

II.3 Rigidité diélectrique : e

Si on augmente la tension a laquelle est soumis un isolant au de la d’une certaine valeur appelée
tension de claquage, il apparait un arc électrique dans l’isolant : courant intense traversant
l’isolant en suivant un chemin forme par l’arc lui même. Dans ce cas, l’isolant est perce : il y a
rupture diélectrique ou claquage, destruction de l’isolant, irréversible pour les isolants solides
(carbonisation), réversible pour les isolants gazeux et liquides (recombinaison des ions avec des
électrons). Par rapport aux positions relatives de la direction du champ électrique et des surfaces
principales de l’isolant, la rigidité diélectrique peut être transversale ou longitudinale. La rigidité
diélectrique dépend de :
la fréquence, la forme et la durée d’application de la tension ;
la température, la pression et l’humidité de l’atmosphère ;
la présence d’impuretés dans l’isolant (bulles d’air, humidité, ...).

V= tension de claquage, E=Rigidité diélectrique

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Circuit équivalent d’une isolation en courant alternatif:
Un isolant place entre deux conducteurs peut être modélisé de manière simplifiée par le circuit
équivalent suivant : R
C représente la capacité entre les deux conducteurs et la IR

résistance R est la résistance d’isolement de l’isolant, elle I

est toujours ≥ 10 .
12 C
IC
Calcul de l’angle de pertes diélectriques tan δ :
L’angle de pertes δ est défini comme étant l’angle V
complémentaire du déphasage entre la tension V entre les I=IR+IC
conducteurs et le courant de fuite I traversant l’isolant : IC =JwCV
IR=V/R; IC =JwCV δ
I=IR+IC
tan δ= (V/R)/(wCV)=1/RCw ;
La valeur tanδ est appelée facteur de dissipation diélectrique.
L’angle de pertes caractérise la qualité d’un isolant : IR=V/R V
- bon isolant → résistance d’isolement R élevée tanδ faible ;
- mauvais isolant → R faible tanδ élevé.
En pratique, le facteur de dissipation tanδ varie entre 10−2 et 10−4.
Influence de la température sur les isolants :
Une élévation de température contribue a diminuer la durée de vie d’un isolant :
- diminution de la résistance d’isolement;
- diminution de la rigidité diélectrique ;
- oxydation ;
- ramollissement pouvant atteindre la fusion. 11
Loi expérimentale de vieillissement des isolants
Une augmentation de 10 °C de la température d’un isolant conduit a doubler sa vitesse de
vieillissement.
L’élévation de température est provoquée par les pertes diélectriques et l’échauffement des
conducteurs. La chaleur est difficilement évacuée par les isolants car ceux-ci ont une conductivité
thermique très faible.
Classification thermique des isolants:
Les isolants sont classes suivant la température maximale en dessous de laquelle ils ont une durée
de vie d’une dizaine d’années.
Les isolants sont classes en trois types :
- solides ;
- liquides ;
- gazeux.

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Mesures des pertes diélectriques au pont de Schering :
C'est le montage classique utilisé pour la mesure des condensateurs en haute tension et pour
déterminer les pertes diélectriques dans les isolants en général (mesure sur éprouvettes d'isolants
solides, liquides ou gazeux) et des appareils complets. Une mesure des pertes diélectriques
permet de contrôler la qualité de l'isolant des enroulements de machines, des câbles, des
condensateurs à haute tension. Par exemple, la présence d'humidité dans un isolant au papier
imprégné se traduit immédiatement par une augmentation des pertes diélectriques.
Le diagramme vectoriel du condensateur réel est le suivant :

Représentation série

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Le condensateur à mesurer est figuré par la capacité Cx et la résistance représentative des pertes
par Rx. Cn est un condensateur étalon, (en général à gaz SF6 sous pression) pratiquement sans
pertes diélectriques (tanδ < 10-5). R3 est une résistance de précision (décades) alors que C4 est
constituée par des décades de condensateurs à faibles pertes (condensateurs au polystyrène).
Cette capacité C4 est shuntée par une résistance de précision R4, qui est parfois ajustable.
A l'équilibre, on a :

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 Chapitre III : Matériaux magnétique
III. Introduction:
Les propriétés magnétiques des matériaux ont un rôle majeur dans des domaines comme les
machines électriques (moteurs électriques, génératrices, transformateurs) et le stockage de
l'information (bandes et pistes magnétiques, disques durs).

Les deux principaux phénomènes pris en considération au niveau du matériau lors de la

conception des machines électriques sont l’aimantation et les pertes magnétiques. Pour concevoir
une machine électrique performante, il faut disposer d’un matériau dont l’aimantation est
importante pour une faible excitation et dont les pertes magnétiques sont faibles. Les sections
suivantes présentent les notions théoriques sur l’aimantation et les pertes magnétiques des
matériaux ferromagnétiques.

Dans le vide, les grandeurs vectorielles champ d’induction magnétique et champ d’excitation
magnétique sont liées par la perméabilité magnétique du vide μ0, dans une relation linéaire. Dans
un matériau isotrope une nouvelle grandeur vectorielle, l’aimantation, se superpose au champ
d’excitation pour traduire l’influence du milieu. L’aimantation est liée à l’induction par la
susceptibilité magnétique du matériau dans une relation linéaire, elle aussi. A terme, on observe
une relation vectorielle linéaire entre l’induction et l’excitation : le coefficient de perméabilité
absolue remplace la perméabilité du vide.

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III.1 Classification des matériaux d’un point de vue magnétique
Les matériaux sont classés selon quatre types sur la base de leur comportement en présence d’un
champ magnétique d’excitation. Cette réaction est mesurée par l’induction qui est la quantité de
flux magnétique par unité de surface. L’équation permettant de relier l’induction au champ
magnétique.
Dans le vide les vecteurs champ d’induction magnétique et champ d’excitation magnétique sont
colinéaires puisque liés par la relation :

où μ0 est la perméabilité magnétique du vide (T.m/A). Remarque: dans l’air, le comportement est
similaire. Dans un milieu magnétique quelconque mais isotrope, ces vecteurs restent colinéaires.
Cependant, le coefficient de proportionnalité dépend du matériau.
On définit le vecteur aimantation qui indique l’influence du milieu. Champ d’excitation et
aimantation se superposent pour exprimer le champ d’induction :

Or l’aimantation est proportionnelle au champ d’excitation, si bien que :

Où χ est la susceptibilité magnétique du matériau.

Il en résulte une nouvelle expression liant et :

Où μ est la perméabilité absolue et μr la perméabilité relative du matériau.

Les matériaux peuvent être classés suivant leur comportement magnétique, c’est à dire suivant la
susceptibilité magnétique χ.

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Sur la base du comportement en présence d’un champ magnétique d’excitation, il existe quatre
principaux types de matériaux :
•les matériaux diamagnétiques ;
•les matériaux paramagnétiques ;
•les matériaux ferrimagnétiques ;
•les matériaux ferromagnétiques.
Les valeurs typiques de susceptibilité rencontrées pour ces types de matériaux ainsi que quelques
exemples de matériaux représentatifs sont présentés au tableau suivant:

III.1.1Matériaux diamagnétiques
La susceptibilité χ est faible (donc μr » 1), négative et pratiquement constante (variation en 1/T).
Les vecteurs et sont de sens contraires et l’aimantation disparaît avec le champ d’excitation.
Dans ce cas, le champ magnétique provoque un mouvement orbital des électrons. Le
comportement est alors similaire à une spire créant un courant qui s’oppose au champ : d’où le
signe négatif de χ.
III.1.2Matériaux ferromagnétiques
Dans cette catégorie essentielle pour l’électrotechnique, la susceptibilité χ est élevée (μr>>
1),positive et variable avec l’excitation magnétique.
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L'effet ferromagnétique est détruit par l'agitation thermique et tous les matériaux
ferromagnétiques possèdent une température limite dite température de Curie, au-delà de laquelle
ils deviennent paramagnétiques. Enfin, notons aussi que l’induction magnétique dépend du sens
de variation de H , ce qui introduit la notion de rémanence et de cycle d’hystérésis.
La plupart des matériaux ferromagnétiques sont rares. Citons le fer, le cobalt et le nickel, les plus
importants, mais aussi les « terres rares », comme le terbium ou le samarium qui sont utilisés
pour la fabrication d'aimants de très hautes performances.
III.1.3 Matériaux ferrimagnétiques
Le ferrimagnétisme est un cas particulier de ferromagnétisme appliqué aux composés.
Le matériau étant constitué d'atomes différents, ceux-ci génèrent des moments magnétiques
différents. Ces moments s'annulent en partie mais la résultante conduit à un comportement de
type ferromagnétique. Les ferrimagnétiques (ferrites) ne sont pas conducteurs du courant
électrique. Ils sont intéressants car ils ne favorisent pas la création des courants de Foucault
(courants apparaissant dans les masses magnétiques soumises à des champs variables et
générateurs de pertes électromagnétiques). Les pertes se trouvent donc diminuées ce qui les
destine à des applications en haute fréquence (selfs radiofréquences, alimentations à découpage,
etc.).
III.1.4 Matériaux paramagnétiques
La susceptibilité χ est faible (donc μr » 1), positive et pratiquement constante (variation en 1/T).
Les vecteurs et sont de même sens et l’aimantation disparaît avec le champ d’excitation.
Dans ces matériaux, les moments magnétiques permanents s’alignent sous l’effet d’un champ
magnétique. Mais cette orientation ne compense pas l’agitation thermique qui reste
prépondérante. En conséquence l’aimantation globale reste faible.
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La plupart des gaz, certains métaux et quelques sels font partie de la catégorie des
paramagnétiques.
Les différents comportements magnétiques des trois catégories de matériaux peuvent être illustrés
par la figure ci-dessus.

III.2 Méthode de polarisation

Le matériau est initialement démagnétisé (pas d’aimantation). On fait progressivement croître le
champ d’excitation dans lequel est plongé le matériau. La courbe de la ci-dessous représente
l’induction B. On distingue trois zones : le premier linéaire, puis le coude de saturation et la zone
de saturation.

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III.3 Cycle d’hystérésis
A partir d’un point (H, B) de la courbe de première aimantation, on diminue le champ H,
l’induction B ne repasse pas sur la même courbe. En conséquence, B nulle ne correspond plus à
une valeur nulle de H. Il subsiste une induction rémanente Br (l’induction qui demeure après la
disparition du champ). Le champ d’excitation doit s’inverser pour annuler B, c’est le champ
coercitif Hc(le champ à appliquer pour annuler l’induction). L’induction maximale est l’induction
de saturation Bsat.

III.4 Circuit magnétique

Soit un circuit magnétique de type ferromagnétique de section S en m2 considéré comme parfait.
Sur ce circuit on place un bobinage de fil de cuivre de N spires. Ce dernier est parcouru par un
courant continu noté I. Ce courant est à l’origine de ligne de champ magnétique.
Leur orientation est donnée par la règle de la main droite (figure ci-dessous).

20
III.5.1 Champ magnétique et l’induction magnétique
Lorsqu’un objet non magnétique est placé dans les lignes de force magnétique, il n'y a aucune
modification. Les lignes traversent l’objet sans changer de trajectoires. Si l'objet placé dans les
lignes de force à des propriétés magnétiques, les lignes de force seront déviées. Un pôle Nord et
un pôle sud vont apparaître sur les côtés de l'objet. Cette particularité est utilisée pour protéger
certains appareils sensibles au champ magnétique.
Appliquons le théorème d’Ampère sur le contour moyen :

Supposons qu’en tout point les vecteurs et sont colinéaires donc :

21
Il existe une relation entre l’induction magnétique notée B en Tesla et le champ magnétique H en
en A/m.

μ0 = perméabilité du vide, μ0 = 4 × π × 10−7 .

μr = perméabilité relative du circuit ferromagnétique, μr = 1 pour l’air et μr> 500 pour le fer.
Les matériaux magnétiques concentrent les lignes de force. Si nous prenons la bobine et que nous
plaçons un noyau, l'induction augmentera (figure ci-dessous). La perméabilité relative μrdu noyau
va définir l'augmentation de l'induction.
Le théorème d’Ampère peut alors s’exprimer :

22
III.5.2 Flux magnétique
Les lignes de champ à travers la surface donnée S, sont à l’origine d’un flux magnétique noté ϕ
en Weber (Wb) :

Pour développement calcul, nous admettrons la perpendicularité, il n'est donc pas nécessaire de
tenir compte de l’angle . Le théorème d’Ampère peut alors s’exprimer :

Le flux d'induction ϕ a certaines limites physiques. La matière ne peut pas indéfiniment laisser
passer facilement les charges Q. Les limites de la saturation sont données par les caractéristiques
du circuit magnétique.
III.5.3 Réluctance
La réluctance ℜ exprime l'opposition faite au passage des charges électriques dans un circuit
magnétique constitué par la matière. Nous parlons parfois de résistance magnétique.

Son unité est A/Wb ou H−1.

III.5.4 Force magnétomotrice (f.m.m)
Un bobinage de N spires parcouru par un courant I crée la force magnétomotrice :

23
Si plusieurs bobinages coexistent les forces magnétomotrices se superposent :

Le coefficient traduit le sens de la f.m.m (figure ci dessous). Il est obtenu en appliquant la règle
des points homologues, c’est-à-dire des courants entrant par les points homologues de différents
bobinages placés sur un circuit magnétique créent des f.m.m qui s’ajoutent.

On obtient la loi d’Hopkinson :

Son unité est l’Ampère tour (A × t).

III.5.5 Perméance
La perméance  exprime avec quelle facilité les charges peuvent passer à travers la matière, en
fonction du flux magnétique ϕ par rapport à la différence de potentiel magnétique et elle est
l'inverse de la réluctance. Son unité est H (Henry).

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III.6 Modèle magnétique équivalent
Le circuit magnétique peut être modélisé par le schéma équivalent. On montre que les reluctances
en s’écries s’ajoutent. Le schéma peut se simplifier de la façon suivante :

III. 7 Potentiel magnétique

Soit une portion de circuit magnétique, comportant un bobinage de N spires, parcouru par un
courant continu I. On peut définir aux points A et B une différence de potentiel magnétique notée
(figure 14). Le schéma magnétique équivalent d’une telle structure est :

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III. 8 Inductances magnétiques
Le circuit magnétique n’est plus considéré comme parfait. Sur le schéma il apparaît :
•Des lignes de champ de fuites. Ces dernières sont à l’origine d’un flux de fuite noté ϕf.
•Des lignes de champ présentes totalement dans le circuit magnétique. Elles sont à l’origine d’un
flux principal noté ϕp.
Posons : ℜf la réluctance de fuite et ℜp la réluctance principale.
Le modèle d’Hopkinson d’un tel circuit est :

26
 Chapitres IV-V : Matériaux semi-conducteurs et Supraconducteurs
IV. Matériaux semi-conducteurs
La recherche sur les matériaux semi-conducteurs a commencé au début du 19èmesiècle. Au fil des
années de nombreux semi-conducteurs ont été étudiés. Parmi les plus célèbres, nous trouvons le
silicium Si et le germanium Ge de la colonne IV du tableau périodique. Ces deux semi-
conducteurs sont composés d'atomes identiques, mais d'autres, comme l'arséniure de
gallium GaAs (III-V) sont composés d'atome d'éléments différents : Ga (III) et As (V). La
composition de semi-conducteurs permet d'accéder à des propriétés électriques et optiques que
n'ont pas les semi-conducteurs pures. Avant l'invention du transistor bipolaire en 1947, les semi-
conducteurs sont présents dans seulement deux dispositifs électroniques que sont les photodiodes
et les redresseurs. Dans les années 1950, le germanium est le plus utilisé. Cependant, il ne peut
pas être employé dans les applications nécessitant une faible consommation de courant et/ou
soumises à de hautes températures. Le silicium, d'un coût moins élevé et permettant des
applications à faibles consommations, sera très utilisé dès 1960.
IV.1 Bandes d'énergie
Considérons un atome de silicium Si isolé, les niveaux énergétiques de ses électrons sont discrets
(voir le modèle de Bohr pour l'hydrogène). Lorsque l'on rapproche de ce dernier un atome
identique, les niveaux énergétiques discrets de ses électrons se scindent en deux sous
l'interaction réciproque des deux atomes. Plus généralement, lorsque l'on approche N atomes, les
niveaux énergétiques se scindent en N niveaux. Ces N niveaux sont très proches les uns des
autres et si la valeur de N est grande, ce qui le cas pour un cristal, ils forment une bande
d'énergie continue. La notion de rapprochement des atomes est donnée par la distance intr-
atomique d.
27
A présent considérons des atomes de silicium Si arrangés aux nœuds d'un réseau périodique, mais
avec une maille très grande de telle manière que les atomes puissent être considérés comme
isolés. Les deux niveaux les plus énergétiques sont repérés par E1 et E2. Rapprochons
homothétiquement les atomes les uns des autres, les états énergétique électronique se scindent et
forment deux bandes continues appelées bande de conduction BC et bande de valence BV. La
figure 1 montre la formation de ces bandes en fonction de la distance interatomique.

Pour les électrons d'un cristal de silicium , on constate qu'il existe deux bandes continues
d'énergie (BC et BV) et que ces bandes sont séparées par une bande interdite car d'énergie
inaccessible aux électrons. Cette région interdite est appelée « gap » et sa largeur Eg est
caractéristique du matériau. Notons que l'énergie du bas de la bande de conduction est notée Ec et
que celle du haut de la bande valence est notée Ev ainsi nous avons l'égalité Eg=Ec-Ev. Précisons
que les bandes continues d'énergie BC et BV ne sont qu'une représentation des énergies
accessibles par les électrons, ceci ne présage en rien de l'occupation effective de ces bandes par
ces derniers. 28
IV.2 Isolant, semi-conducteur, conducteur
Les matériaux solides peuvent être classés en trois groupes que sont les isolants, les semi-
conducteurs et les conducteurs. On considère comme isolants les matériaux de
conductivité ζ<10-8 S/cm (diamant 10-14S/cm), comme semi-conducteurs les matériaux tels que
10-8 S/cm <ζ< 103 S/cm (silicium 10-5S/cm à 103S/cm) et comme conducteurs les matériaux tels
que ζ> 103S/cm(argent 106S/cm).

Les propriétés électriques d'un matériau sont fonction des populations électroniques des
différentes bandes permises. La conduction électrique résulte du déplacement des électrons à
l'intérieur de chaque bande. Sous l'action du champ électrique appliqué au matériau l'électron
acquiert une énergie cinétique dans le sens opposé au champ électrique. Considérons à présent
une bande d'énergie vide, il est évident de par le fait qu'elle ne contient pas d'électrons, elle ne
participe pas à la formation d'un courant électrique. Il en est de même pour une bande pleine. En
effet, un électron ne peut se déplacer que s’il existe une place libre (un trou) dans sa bande
d'énergie. Ainsi, un matériau dont les bandes d'énergie sont vides ou pleines est un isolant. Une
telle configuration est obtenue pour des énergies de gap supérieures à ~9eV, car pour de telles
énergies, l'agitation thermique à 300K, ne peut pas faire passer les électrons de la bande de
valence à celle de conduction par cassure de liaisons électronique. Les bandes d'énergie sont ainsi
toutes vides ou toutes pleines.

29
Un semi-conducteur est un isolant pour une température de 0K. Cependant ce type de matériau
ayant une énergie de gap plus faible que l'isolant (~1eV), aura de par l'agitation thermique
(T=300K), une bande de conduction légèrement peuplée d'électrons et une bande de valence
légèrement dépeuplée. Sachant que la conduction est proportionnelle au nombre d'électrons pour
une bande d'énergie presque vide et qu'elle est proportionnelle au nombre de trous pour une
bande presque pleine, on déduit que la conduction d'un semi-conducteur peut être qualifiée de
mauvaise.
Pour un conducteur, l'interpénétration des bandes de valence et de conduction implique qu'il
n'existe pas d'énergie de gap. La bande de conduction est alors partiellement pleine (même aux
basses températures) et ainsi la conduction du matériau est « élevée ».

30
IV.3 Semi-conducteurs intrinsèques
Un semi-conducteur intrinsèque est un semi-conducteur non dopé, c'est à dire qu'il contient peu
d'impuretés (atomes étrangers) en comparaison avec la quantité de trous et d'électrons générés
thermiquement.
Pour mieux appréhender le comportement des semi-conducteurs, nous devons étudier plus en
détail les populations d'électrons et de trous dans chacune des bandes de conduction et de
valence. Aussi, nous allons réaliser un bilan électronique des semi-conducteurs intrinsèques. Pour
ce faire, nous devons introduire la notion de densité d'états énergétique N(E). Cette grandeur,
dépendante de l'énergie électronique E, correspond à la place disponible pour les électrons dans la
bande de conduction Nc(E) et à la place disponible pour les trous dans la bande de valence
Nv(E). Pour des énergies proches des extrémas de ces deux bandes, son tracé est parabolique :

Ou h=h/2π est la constante de Planck normalisée (h=6.626.10-34Js) et mc (resp. mv) la masse

effective de densité d'états dans la bande de conduction (resp. dans la bande de valence). Pour un
semi-conducteur à gap direct, mc (resp. mv) vaut la masse effective d'un l'électron me (resp. d'un
trou mh) dans le cristal. 31
Le concept de masse effective introduit dans les expressions précédentes permet de traiter les
électrons (et les trous) qui sont dans le cristal des particules quasi-libres, comme des quasi-
particules libres. Le semi-conducteur devient alors un gaz d'électrons et de trous spécifiques de
par leur masse effective parfois très différente de celle de la particule libre. A titre d'exemple pour
le GaAs mc/m0=0,066 avec m0=0,911.10-30kg la masse de l'électron libre.
Afin d'obtenir le nombre effectif d'électrons et de trous dans chacune des bandes, la densité d'état
ne suffit pas, il faut aussi connaître la probabilité de présence d'un électron sur un niveau
d'énergie E. Cette probabilité est donnée par la fonction de Fermi-Dirac :

Où k=1,38 10-23 JK-1 est la constante de Boltzmann, T la température et EF l'énergie de Fermi

considérée comme le potentiel chimique en semi-conducteurs.
Il va de soi que la probabilité d'occupation d'un niveau d'énergie E par un trou est 1-f(E) car
l'absence d'un électron implique la présence d'un trou et vice versa.
La densité d'électrons n [cm-3] dans la bande de conduction est alors obtenue en sommant sur
toute la plage d'énergie couverte par cette bande, la « place » disponible pour les électrons à
l'énergie E pondérée par la probabilité de « trouver » un électron à ce même niveau d'énergie :

32
De même pour la densité des trous p [cm-3] dans la bande de valence :

Pour un semi-conducteur dont le niveau de Fermi EF est distant des extrémas de plus de 3kT, la
fonction de Fermi se simplifie sous une forme exponentielle et on obtient pour écriture des
densités de porteurs :

Où Nc et Nv sont les densités équivalentes (ou effectives) d'états. Elles représentent en quelque
sorte le nombre d'états utiles, à la température T, dans leur bande d'énergie respective.

33
Remarquons que la relation donnée par le produit des densités de porteurs est indépendante du
niveau de Fermi. Elle est donc valable pour les semi-conducteurs intrinsèques mais aussi
extrinsèques (cf paragraphe suivant). Notons qu'elle s'apparente à une loi d'action de masse
comme celle de l'équilibre d'auto-ionisation de l'eau ([H+][OH-]=Ke.
Ou ni sera la densité de porteurs intrinsèques (pour Si à 300K ? ni=1010cm-3).

La figure ci-dessus montre que pour un semi-conducteur intrinsèque (sans impuretés), à chaque
électron de la bande de conduction correspond un trou dans la bande de valence. De cette
constatation, nous déduisons que les densités d'électrons et de trous sont identiques pour ce type
de semi-conducteur.
34
En remplaçant les densités de porteurs par leurs expressions respectives, l'égalité précédente nous
permet de définir le niveau de Fermi pour un semi-conducteur intrinsèque EFi. Sachant qu'à
température ambiante kT est très inférieur au gap, ce niveau se trouve très proche du milieu de la
bande interdite :

La figure ci-dessous donne graphiquement le bilan électronique pour un semi-conducteur

intrinsèque.

a) Diagramme des bandes d'énergie b) Densités d'états énergétique c) Distributions de Fermi-

Dirac d) Densités énergétiques de porteurs (les densités de porteurs n et p correspondent aux
surfaces hachurées).

35
IV.4 Semi-conducteurs extrinsèques
Un semi-conducteur extrinsèque est un semi-conducteur intrinsèque dopé par des impuretés
spécifiques lui conférant des propriétés électriques adaptées aux applications électroniques
(diodes, transistors, etc...) et optoélectroniques (émetteurs et récepteurs de lumière, etc...).
IV.4.1 Semi-conducteurs de type P
Un semi-conducteur type P est un semi-conducteur intrinsèque (ex : silicium Si) dans lequel on a
introduit des impuretés de type accepteurs (ex : Bohr B). Ces impuretés sont ainsi appelées parce
qu'elles acceptent un électron de la bande de conduction pour réaliser une liaison avec le cristal
semi-conducteur.
Représentation schématique des liaisons électroniques pour le semi-conducteur silicium (Si) dopé
P par du Bohr (B). a) Cas du semi-conducteur intrinsèque b) Sur la base de la représentation a),
l'impureté (B) accepte un électron de conduction en baissant la densité d'électrons n b) Sur la base
de la représentation a), l'impureté (B) accepte un électron de valence en augmentant la densité de
trous p.

36
La figure ci-dessous met en évidence qu'un semi-conducteur dopé P à une densité d'électrons n
plus faible et une densité de trous p plus élevée que le même semi-conducteur pris dans sa
configuration intrinsèque. On dit alors que les électrons sont les porteurs minoritaires et les trous,
les porteurs majoritaires.
Pour les semi-conducteurs extrinsèques, la densité de dopant est toujours très supérieure à densité
de porteurs intrinsèques NA>>ni. Dans le cas d'un type P, la densité de trous est donc proche de
celle du dopant accepteur NA. La relation étant toujours vérifiée, nous obtenons pour les densités
de porteurs :

Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type P ou potentiel chimique est alors :

Ainsi plus la densité d'accepteurs est élevée plus le niveau de Fermi se rapproche de la bande de
valence. A la limite si NA=Nv le niveau de Fermi entre dans la bande de valence, on dit alors que
le semi-conducteur est dégénéré.

37
La figure ci-dessous donne graphiquement le bilan électronique pour un semi-conducteur dopé P.

a) Diagramme des bandes d'énergie, b) Densités d'états énergétique, c) Distributions de Fermi-

Dirac, d) Densités énergétiques de porteurs (les densités de porteurs n et p correspondent aux
surfaces hachurées).
IV.4.2 Semi-conducteurs de type N
Un semi-conducteur type N est un semi-conducteur intrinsèque (ex : silicium Si) dans lequel on a
introduit des impuretés de type donneurs (ex : arsenic As). Ces impuretés sont ainsi appelées
parce qu'elles donnent un électron à la bande de conduction pour réaliser une liaison avec le
cristal semi-conducteur.
Représentation schématique des liaisons électroniques pour le semi-conducteur silicium (Si) dopé
P par de l'arsenic (As). a) Cas du semi-conducteur intrinsèque b) Sur la base de la représentation
a), l'impureté (As) donne un électron de conduction en augmentant la densité d'électrons n b) Sur
la base de la représentation a), l'impureté (As) donne un électron de conduction en baissant la
densité de trous p, figure ci-dessus.
38
La figure ci-dessous met en évidence qu'un semi-conducteur dopé N à une densité d'électrons n
plus élevée et une densité de trous p plus faible que le même semi-conducteur pris dans sa
configuration intrinsèque. On dit alors que les électrons sont les porteurs majoritaires et les trous,
les porteurs minoritaires.
Par analogie avec les semi-conducteurs de type P et en notant ND la densité de donneurs, les
densités de porteurs pour un semi-conducteur de type N sont :

Le niveau de Fermi pour un semi-conducteur type N est alors :

39
Ainsi plus la densité d'accepteurs est élevée plus le niveau de Fermi se rapproche de la bande de
conduction. A la limite si ND=Nc le niveau de Fermi entre dans la bande de conduction, on dit
alors que le semi-conducteur est dégénéré.
Semi-conducteur dopé N. a) Diagramme des bandes d'énergie b) Densités d'état énergétique c)
Distributions de Fermi-Dirac d) Densités énergétiques de porteurs (les densités de porteurs n et p
correspondent aux surfaces hachurées).

40
V. Supraconducteurs
Découvert en 1911, la supraconductivité est un nouvel état de la matière. Cet état se distingue par une
remarquable combinaison de propriétés électriques et magnétiques. Une absence complète de la résistivité au
passage d’un courant électrique en trainant une circulation du courant sans pertes par effet Joule, est la
principale caractéristique de la supraconductivité. Une autre propriété fondamentale est le diamagnétisme
parfait ou l’effet Meissner ; un supraconducteur expulse les lignes de flux magnétiques appliquées hors de
son volume.
V.1 Paramètres critiques
L’apparition de l’état supraconducteur est limitée par trois paramètres critiques, à savoir : la température,
l’induction magnétique et la densité de courant.
•La température critique Tc est la température à laquelle la résistivité électrique du matériau n’est plus
mesurable. Lorsque cette température limite est dépassée, le matériau revient à son état normal résistif.
Les supraconducteurs conventionnels ont des températures critiques très basses (pour le Nb3Snpar exemple
Tc = 18.3K). Il a fallu attendre l’année 1986 pour voir apparaitre le premier compose supraconducteur à haute
température critique à base d’oxydes de cuivre, le La (2-x) Sr (x) Cu O4dont la température critique est de 35 K.
Ces matériaux sont appelés « cuprates ».
•L’application d’un champ magnétique fait apparaitre des super-courants qui circulent à la surface du
supraconducteur et sur une épaisseur appelée profondeur de pénétration de London. Ces super-courants
créent une aimantation qui compense le champ magnétique extérieur. L’état supraconducteur peut être détruit
par l’application d’un champ extérieur. Le champ pour lequel le matériau revient à l’état normal est appelé
champ critique. Le champ critique suit une loi expérimentale approximativement parabolique.
•La densité de courant critique correspond à la densité maximale au-delà de laquelle une résistivité apparait.
V.2 Applications
Les matériaux supraconducteurs présentent de nombreux aspects pour diverses applications technologiques.
Cependant, la nécessite de refroidir ces matériaux à la température de l’hélium liquide, a freine le
développement des applications industrielles
41
utilisant les supraconducteurs conventionnels. Les supraconducteurs à haute température critique qui ont
l’avantage de garder leur état supraconducteur a la température de l’azote liquide sont plus prometteurs quant
aux applications.
Dans le domaine des énergies renouvelables, des systèmes modernes de stockage d’énergie électrique basés
sur des éléments supraconducteurs ont été développes. En effet, des paliers supraconducteurs sont intègres
dans des systèmes inertiels de stockage d’énergie associes à des générateurs éoliens pour stocker l’énergie
cinétique dans des volants d’inertie en lévitation. Des inductances supraconductrices sont envisagées pour le
stockage de l’énergie électrique sous forme magnétique sans conversion d’énergie. L’inductance
supraconductrice (SMES : Superconductor Magnetic Energy Storage) stocke l’énergie électrique dans le
champ magnétique produit par la circulation d’un courant électrique dans une bobine de matériau
supraconducteur.
Les supraconducteurs sont aussi utilisés comme des régulateurs naturels de courant permettant la protection
des installations et appareillages électriques des courants de court-circuit.
Pour les applications en courant alternatif, des câbles supraconducteurs sont réalisés à partir de composes et
avec la technique dite « Powder in Tube » (PIT). Ces câbles sont utilisés dans la fabrication de dispositifs tels
que les transformateurs, les moteurs ou les électroaimants.
En environnement, des procèdes de “filtration magnétique” peuvent purifier l’eau ou l’air avec une bonne
efficacité. Des aimants supraconducteurs sont utilisés pour le tri magnétique des métaux dans le recyclage
des déchets.
Câble supraconducteur

Limiteur de courant

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Fin
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