Iec 61340-2-3-2016

I E C 61 340-2-3
®
Edition 2.0 201 6-06
I N TE R N ATI ON AL
STAN DAR D
N OR M E
I N TE R N ATI ON ALE
El ectrostati cs –
Part 2-3: M eth o d s o f test for d eterm i n i n g th e resi stan ce an d resi sti vi ty o f so l i d
m ateri al s u sed to avo i d el ectrostati c ch arg e accu m u l ati on
Él ectrostati q u e –
Parti e 2-3: M éth od es d ' essai s pou r l a d éterm i n ati on d e l a rési stan ce et d e l a
rési sti vi té d es m atéri au x sol i d es d esti n és à évi ter l es ch arg es él ectrostati q u es

IEC 61 340-2-3:201 6-06(en-fr)
TH I S P U B L I C ATI O N I S C O P YR I G H T P R O TE C TE D
C o p yri g h t © 2 0 1 6 I E C , G e n e va , Sw i t z e rl a n d
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INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL
COMMISSION
COMMISSION
ELECTROTECHNIQUE
INTERNATIONALE
ICS 1 7.220.99; 29.020 ISBN 978-2-8322-3475-4
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Marque déposée de la Commission Electrotechnique Internationale
–2– I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
CONTENTS
FOREWORD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
I N TRODU CTI ON . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6
1 Scope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
2 N ormative referen ces . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
3 Term s an d defi n ition s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7
4 Con dition i n g and test en vi ron men t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
5 Sel ecti on of test m eth od . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
6 Resi stan ce m easu remen ts for soli d con du ctive m ateri als . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 0
7 Resi stan ce m easu remen ts for soli d i nsu l ati ng material s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 0
8 Resi stan ce m easu remen ts for plan ar el ectrostatic dissi pative m aterial s (u sed to
avoid el ectrostati c ch arg e accu mu l ati on ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 0
8. 1 I nstru m entati on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 0
8. 1 . 1 General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 0
8. 1 . 2 I n stru m en tation for l aboratory evalu ati on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 0
8. 1 . 3 I n stru m en tation for acceptan ce testi n g . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 0
8. 1 . 4 I n stru m en tation for com pli ance verificati on (peri odic testi n g ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1
8. 2 Electrode assem bl ies . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1
8. 2. 1 General . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1
8. 2. 2 Assem bly for th e m easu rem en t of su rface resistance. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 1
8. 2. 3 Assem bly for th e m easu rem en t of volu m e resi stan ce . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2
8. 2. 4 Assem bly for th e m easu rem en t of resi stan ce to g rou n d/g rou n dabl e
poin t and poi n t-to-poin t resi stan ce . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2
8. 2. 5 Test su pport . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 3
8. 3 Sam pl e preparati on and han dli n g . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 3
8. 4 Test procedu res . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 4
8. 4. 1 Su rface resi stan ce m easu rem en ts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 4
8. 4. 2 Vol u m e resistan ce m easu rem en ts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 4
8. 4. 3 Resistance to g rou n dabl e poin t m easu rem en ts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 5
8. 4. 4 Poi nt-to-poi n t resistan ce measu rem ents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 6
9 Con versi on to resistivi ty valu es . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 7
9. 1 Su rface resi sti vity ρ s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 7
9. 2 Vol u m e resi sti vi ty ρ v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 7
1 0 Resi stan ce m easu remen ts for n on -pl an ar m ateri als and produ cts wi th smal l stru ctu res
................................................................................................................................... 1 8
1 0. 1 Gen eral consi derati on s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 8
1 0. 2 Equ i pmen t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 8
1 0. 2. 1 Probe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 8
1 0. 2. 2 Sam ple su pport su rface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1 0. 2. 3 Resistance measu rem ent apparatu s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
1 0. 2. 4 Test leads . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
1 0. 3 Test procedu re . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1 1 Repeatabil i ty an d reprodu cibi li ty . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
1 2 Test report . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
An n ex A (normative) System verificati on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
A. 1 System verification for su rface resistance measu rem ents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 –3–
–
A. 1 . 1 Fi xtu re an d procedu re for l ower resistance ran g e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
A. 1 . 2 Fi xtu re an d procedu re for u pper resistance ran g e an d determi n ati on of
electri fi cation peri od . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
A. 2 System verification for vol u m e resistan ce m easu rem en ts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
A. 2. 1 Fi xtu re an d procedu re for l ower resistan ce ran g e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
A. 2. 2 Fi xtu re an d procedu re for u pper resistan ce rang e an d determ i n ation of
electri fi cation peri od . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
A. 3 System verification for resistan ce m easu rem en ts for n on-pl an ar m ateri als
an d produ cts with sm all stru ctu res . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
A. 3. 1 Veri fi cati on fi xtu res . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
A. 3. 2 Veri fi cati on procedu re . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Fi g u re 1 – Exampl e of an assem bly for th e m easu rem en t of su rface an d volu m e

resistance. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 2
Fi g u re 2 – Exampl e of an assem bly for th e m easu rem en t of resi stan ce to
g rou n d/g rou n dabl e poin t an d poi n t-to-poin t resi stan ce . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 3
Fi g u re 3 – Basic conn ecti on s of th e electrodes for su rface resi stan ce m easu rem en ts . . . . . . . . . 1 4
Fi g u re 4 – Basic conn ecti on s of th e electrodes for volu m e resi stan ce m easu remen ts . . . . . . . . . 1 5
Fi g u re 5 – Pri n cipl e of resistance to g rou n dabl e poin t m easu rem en ts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 6
Fi g u re 6 – Pri n cipl e of poi n t-to-poi nt m easu remen ts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 7
Fi g u re 7 – Config u ration for the con versi on to su rface or vol u me resistivi ty . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 8
Fi g u re 8 – Two-poi n t probe con fi g u rati on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Fi g u re 9 – Probe to in stru m en tation con n ecti on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Fi g u re 1 0 – Spri ng com pressi on for m easu rem en t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Fi g u re A. 1 – Lower resistance ran g e verificati on fi xtu re for su rface resi stan ce
measu rem en ts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Fi g u re A. 2 – U pper resistance ran g e verificati on fixtu re for su rface resi stan ce
measu rem ents . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
Fi g u re A. 3 – Resi stan ce veri fi cation fixtu re . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Tabl e 1 – M ateri al for two-poin t probe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 9

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I NTERNATI ONAL ELECTROTECHNI CAL COMMI SSI ON
____________
ELECTROSTATICS –
Part 2-3: Methods of test for determining the resistance
and resistivity of solid materials used
to avoid electrostatic charge accumulation
FOREWORD
1 ) Th e I n tern ati on al El ectrotech n i cal Com m i ssi on (I EC) i s a worl d wi d e org an i zati on for stan d ard i zati on com pri si n g
al l n ati on al el ectrotech n i cal com m i ttees (I EC N ati on al Com m i ttees) . Th e obj ect of I EC i s to prom ote
i n tern ati on al co-operati on on al l q u esti on s con cern i n g stan d ard i zati on i n th e el ectri cal an d el ectron i c fi el d s. To
th i s en d an d i n ad d i ti on to oth er acti vi ti es, I EC pu bl i sh es I n tern ati on al Stan d ard s, Tech n i cal Speci fi cati on s,
Tech n i cal Reports, Pu bl i cl y Avai l abl e Speci fi cati on s (PAS) an d G u i d es (h ereafter referred to as “I E C
Pu bl i cati on (s) ”) . Th ei r preparati on i s en tru sted to tech n i cal com m i ttees; an y I EC N ati on al Com m i ttee i n terested
i n th e su bj ect d eal t wi th m ay parti ci pate i n th i s preparatory work. I n tern ati on al , g overn m en tal an d n on -
g overn m en tal org an i zati on s l i ai si n g wi th th e I EC al so parti ci pate i n th i s preparati on . I EC col l aborates cl osel y
wi th th e I n tern ati on al Org an i zati on for Stan d ard i zati on (I SO) i n accord an ce wi th con d i ti on s d eterm i n ed by
ag reem en t between th e two org an i zati on s.
2) Th e form al d eci si on s or ag reem en ts of I EC on tech n i cal m atters express, as n earl y as possi bl e, an
i n tern ati on al con sen su s of opi n i on on th e rel evan t su bj ects si n ce each tech n i cal com m i ttee h as represen tati on
from al l i n terested I EC N ati on al Com m i ttees.
3) I EC Pu bl i cati on s h ave th e form of recom m en d ati on s for i n tern ati on al u se an d are accepted by I EC N ati on al
Com m i ttees i n th at sen se. Wh i l e al l reason abl e efforts are m ad e to en su re th at th e tech n i cal con ten t of I EC
Pu bl i cati on s i s accu rate, I EC can n ot be h el d respon si bl e for th e way i n wh i ch th ey are u sed or for an y
m i si n terpretati on by an y en d u ser.
4) I n ord er to prom ote i n tern ati on al u n i form i ty, I EC N ati on al Com m i ttees u n d ertake to appl y I EC Pu bl i cati on s
tran sparen tl y to th e m axi m u m exten t possi bl e i n th ei r n ati on al an d reg i on al pu bl i cati on s. An y d i verg en ce
between an y I EC Pu bl i cati on an d th e correspon d i n g n ati on al or reg i on al pu bl i cati on sh al l be cl earl y i n d i cated i n
th e l atter.
5) I EC i tsel f d oes n ot provi d e an y attestati on of con form i ty. I n d epen d en t certi fi cati on bod i es provi d e con form i ty
assessm en t servi ces an d , i n som e areas, access to I EC m arks of con form i ty. I EC i s n ot respon si bl e for an y
servi ces carri ed ou t by i n d epen d en t certi fi cati on bod i es.
6) Al l u sers sh ou l d en su re th at th ey h ave th e l atest ed i ti on of th i s pu bl i cati on .
7) N o l i abi l i ty sh al l attach to I EC or i ts d i rectors, em pl oyees, servan ts or ag en ts i n cl u d i n g i n d i vi d u al experts an d
m em bers of i ts tech n i cal com m i ttees an d I EC N ati on al Com m i ttees for an y person al i n j u ry, property d am ag e or
oth er d am ag e of an y n atu re wh atsoever, wh eth er d i rect or i n d i rect, or for costs (i n cl u d i n g l eg al fees) an d
expen ses ari si n g ou t of th e pu bl i cati on , u se of, or rel i an ce u pon , th i s I EC Pu bl i cati on or an y oth er I EC
Pu bl i cati on s.
8) Atten ti on i s d rawn to th e N orm ati ve referen ces ci ted i n th i s pu bl i cati on . U se of th e referen ced pu bl i cati on s i s
i n d i spen sabl e for th e correct appl i cati on of th i s pu bl i cati on .
9) Atten ti on i s d rawn to th e possi bi l i ty th at som e of th e el em en ts of th i s I EC Pu bl i cati on m ay be th e su bj ect of
paten t ri g h ts. I EC sh al l n ot be h el d respon si bl e for i d en ti fyi n g an y or al l su ch paten t ri g h ts.
I n ternation al Stan dard I EC 61 340-2-3 h as been prepared by I EC techn i cal com mi ttee 1 01 :
El ectrostatics.
Th i s secon d edition can cels an d repl aces th e first edition pu bli sh ed i n 2000. Th is edi ti on
con stitu tes a tech n i cal revi si on .
Th i s edi ti on in cl u des th e foll owi ng si g n ifican t tech n i cal ch ang es wi th respect to th e previ ou s
edi ti on:
a) a di sti n cti on has been in trodu ced between i nstru m entati on u sed for laboratory
eval u ation s, i n stru m en tati on u sed for acceptan ce testi n g an d i n stru m en tati on u sed for
compl ian ce veri fi cati on (peri odi c testin g ) ;
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 –5–
–
b) an al tern ati ve el ectrode assem bl y i s described, wh ich can be u sed on n on-pl an ar
produ cts or wh en th e di m ensi on s of th e produ ct u nder test are too sm all to all ow th e
larg er electrode assem bl y to be u sed;
c) th e form u l ae for cal cu l ati n g su rface an d volu m e resi sti vity h ave been m odified to
correspon d with comm on i ndu stry practi ce in th e mai n areas of appl icati on for the
I EC 61 340 series.
Th e text of th i s stan dard i s based on th e fol l owin g docu men ts:
CDV Report on voti n g

1 01 /470/CDV 1 01 /494/RVC
Fu l l i nform ati on on th e votin g for th e approval of th is stan dard can be fou nd in th e report on
votin g i n dicated i n the above tabl e.
Th i s pu bli cati on has been drafted i n accordan ce with th e I SO/I EC Di recti ves, Part 2.
A li st of all th e parts i n th e I EC 61 340 seri es, pu bli sh ed u nder th e g en eral ti tl e Electrostatics,

can be fou nd on th e I EC websi te.
Th e com m ittee h as decided th at th e con ten ts of th is pu bl icati on wi ll remai n u n chan g ed u n til

th e stabil i ty date i n dicated on th e I EC websi te u nder "h ttp://webstore. iec. ch " i n th e data
related to th e speci fi c pu bli cati on. At th is date, the pu bl icati on wi ll be
• recon fi rm ed,
• wi th drawn ,
• repl aced by a revi sed edi ti on, or
• am en ded.
–6– I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
I NTRODUCTI ON
Measu rem en ts of resi stan ces and rel ated cal cu lation s of resistivi ti es bel on g to th e
fu n dam en tal objectives of electrical measu ri n g tech n i qu es alon g with m easu rem en ts of
vol tag e an d cu rren t.
Resistivi ty i s th e el ectri cal ch aracteristic h avin g th e wi dest ran g e, exten di ng over som e thi rty
orders of m ag n i tu de from th e m ost con du cti ve m etal to al most perfect i nsu l ators.
Th e basi s i s Oh m 's law and is val id for DC cu rren t an d i nstantaneou s valu es of AC cu rrent i n
el ectron con du ctors (m etal s, carbon, etc. ) . Valu es of resi stan ce m easu rem en ts u si ng AC
cu rren t can be i n fl u en ced by capaci ti ve/in du cti ve reactan ce, depen di n g on th e frequ en cy.
Th u s, existin g n ati on al an d i ntern ati on al stan dards deali n g with resi stan ce measu rem ents of
sol i d m ateri al s n orm al ly requ i re th e appl ication of DC cu rren t.
Most n on -m etal m ateri als su ch as pl asti cs are classi fi ed as pol ym ers an d i on con du ctors. Th e
tran sport of ch arg es can be depen den t u pon th e appli ed el ectri cal fi eld stren g th du rin g th e
measu rem ent. Beside th e m easu rin g cu rrent, th ere exi sts a ch arg i n g cu rren t th at pol arizes
an d/or el ectrostatical ly charg es th e m aterial , in dicated by an asymptotic decay of th e
measu ri n g cu rren t wi th ti m e an d cau sin g an apparen t ch an g e i n resistan ce. I f th is effect i s
observed, i t wi l l be advi sabl e to repeat th e measu rem ent im m edi atel y after a defi n ite
el ectrificati on tim e h as el apsed u si n g th e reverse polari ty for th e m easu rin g cu rren t an d
averag i ng both obtain ed valu es.
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–
ELECTROSTATICS –
Part 2-3: Methods of test for determining the resistance
and resistivity of solid materials used
to avoid electrostatic charge accumulation
1 Scope
Th i s part of I EC 61 340 describes test m eth ods for th e determi n ati on of th e el ectri cal
resistan ce an d resi sti vity of soli d m ateri als u sed to avoid el ectrostati c ch arg e accu mu l ati on ,
in wh ich th e m easu red resistan ce i s in th e ran g e 1 0 4 Ω to 1 0 1 2 Ω .
I t takes accou n t of exi sti ng I EC/I SO stan dards an d oth er pu bl i shed in formation , an d g i ves
recom m endati on s an d g u i deli n es on th e appropri ate m eth od.
2 Normative references
Th e foll owi ng docu m en ts, i n wh ole or in part, are normatively referen ced i n th is docu m en t
an d are i n dispen sabl e for i ts appl i cation . For dated referen ces, onl y the edi ti on cited appl ies.
For u n dated referen ces, the l atest edition of th e referen ced docu m ent (i n clu di ng an y
am en dm en ts) appli es.
I EC 62631 -3-1 , Dielectric and resistive properties of solid insulating materials – Part 3-1 :
Determination of resistive properties (DC Methods) – Volume resistance and volume
resistivity – General method
I EC 62631 -3-2, Dielectric and resistive properties of solid insulating materials – Part 3-2:
Determination of resistive properties (DC Methods) – Surface resistance and surface
resistivity
I EC 62631 -3-3, Dielectric and resistive properties of solid insulating materials – Part 3-3:
Determination of resistive properties (DC Methods) – Insulation resistance
I SO 1 853, Conducting and dissipative rubbers, vulcanized or thermoplastic – Measurement of

resistivity
I SO 2951 , Rubber, vulcanized or thermoplastic – Determination of insulation resistance
I SO 391 5, Plastics – Measurement of resistivity of conductive plastics
I SO 761 9-1 , Rubber, vulcanized or thermoplastic – Determination of indentation hardness –

Part 1 : Durometer method (Shore hardness)
3 Terms and definitions

For th e pu rposes of th is docu m en t, th e foll owin g term s an d defi ni ti on s appl y:
3.1
electrode
condu ctor of defi ned sh ape, size an d con fi g u rati on bein g in contact wi th th e speci men to be
m easu red
–8– I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
3. 2
resi stan ce
R
rati o of a DC vol tag e (V) appl i ed between two poin ts an d the steady-state cu rren t (A)
between th e two poin ts
N ote 1 to en try: Resi stan ce i s expressed i n oh m s.
3. 3
resi stan ce to g rou n d
Rg
resi stan ce m easu red between an el ectrode pl aced on th e su rface of a test speci m en an d a
l ocal g rou n d
N ote 1 to en try: Resi stan ce to g rou n d i s expressed i n oh m s.
3. 4
resi stan ce to g rou n d abl e poi nt
Rg p
resistan ce m easu red between an el ectrode placed on the su rface of a test specim en an d a
g rou n dabl e poin t fi tted to th e test speci m en
N ote 1 to en try: Resi stan ce to g rou n d abl e poi n t i s expressed i n oh m s.
3. 5
poi n t-to-poi nt resi stan ce
R pp
resistan ce measu red between two el ectrodes pl aced a speci fi ed di stan ce apart on the sam e
su rface of a test speci m en
N ote 1 to en try: Poi n t-to-poi n t resi stan ce i s expressed i n oh m s.
3. 6
su rface resi stance
Rs
resi stan ce m easu red between a cen tral di sc electrode an d a su rrou n din g con centri c ri n g
electrode placed on the su rface of a test specim en
N ote 1 to en try: Su rface resi stan ce i s expressed i n oh m s.
3. 7
su rface resi sti vi ty
ρs
resi sti vity equ i val ent to th e su rface resi stan ce of a squ are area, h avin g th e el ectrodes at two
opposi te si des
N ote 1 to en try: Th e SI u n i t of su rface resi sti vi ty ( Ω ) i s som eti m es referred to as Ω /sq (oh m s per sq u are) , to
d i sti n g u i sh resi sti vi ty val u es from resi stan ce val u es. H owever, th e u se of Ω /sq i s d eprecated becau se i t m ay i m pl y
a resi stan ce per u n i t area, wh i ch i s n ot correct.
3. 8
vol u me resi stance
Rv
resi stan ce m easu red between two el ectrodes pl aced on opposite su rfaces of a test speci men
N ote 1 to en try: Vol u m e resi stan ce i s expressed i n oh m s.

I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 –9–
–
3.9
volume resistivity
ρv
ratio of a DC fiel d stren g th (V/m ) an d the steady-state cu rren t den sity (A/m 2 ) withi n the
m aterial
N ote 1 to en try: I n practi ce, i t i s eq u i val en t to th e vol u m e resi stan ce of a cu be wi th u n i t l en g th , h avi n g th e

el ectrod es at two opposi te su rfaces.
N ote 2 to en try: Vol u m e resi sti vi ty i s n ot an appropri ate ch aracteri sti c for m ateri al s th at are el ectri cal l y
i n h om og en eou s.
N ote 3 to en try: Vol u m e resi sti vi ty i s expressed i n oh m m eters.
4 Conditioning and test environment

Th e electrostati c behavi ou r of m ateri al s i s in fl u enced by en viron m en tal con dition s, su ch as
relative h u m idi ty an d tem peratu re.
For th i s reason , measu rem ents sh all be perform ed u n der con troll ed con di ti on s. Th e sel ection
of th e appropri ate con dition s for testi ng shal l be deci ded accordin g to th e type of m ateri al
(produ ct specification ) an d the i ntended appl icati on , based on the m ost severe con dition s
expected to occu r du ri n g u sag e (e. g . lowest h u mi dity an d h ig h est h u m idi ty) .
U n less otherwise ag reed, the atm osph ere for con dition in g an d testi ng sh all be (23 ± 2) °C
an d (1 2 ± 3) % relati ve hu m i di ty, an d th e con di ti on in g ti m e pri or to testin g shal l be at least
24 h.
I f i t i s requ ired to test th at th e m easu red resistance i s n ot bel ow a m in i mu m l im i t, addition al

testi n g at h ig h h u m idi ty is requ i red. U n less oth erwi se ag reed, th e atmosph ere for con dition in g
an d testi ng at h i g h hu m i di ty shal l be (23 ± 2) °C an d (60 ± 1 0) % relative h u mi dity, an d th e
con dition i ng ti me prior to testi n g sh al l be at least 24 h.
Speci m ens sh all n orm al l y be con dition ed an d m easu red in th e sam e cl i mate, i f n ot speci fi ed
di fferently. H owever, precon dition in g may be n ecessary in order to eli m in ate th e effects of
stress appearin g after th e m ou l din g process of som e plastic material s or as a dryin g
treatm en t before th e test procedu re starts. Precon di ti on in g is n orm all y don e i n a di fferent
en vironm en t.
Adequ ate devi ces are a desiccator i n an oven or a cl im ate ch am ber preferabl y equ ipped wi th
forced ci rcu lation an d i nterch ang e of air.
5 Selection of test method

For plan ar material s, th e foll owi ng procedu re shal l be u sed to sel ect the test method:
a) if th e ran g e of electrical resi stan ce of a m aterial to be tested is kn own , then u se th e
rel evan t clau se (Cl au se 6, 7, 8 or 1 0) wh ere appropriate standards are li sted or m eth ods
descri bed;
b) for a m ateri al of i ni ti all y u n kn own resistivi ty, start th e m easu rem en ts by u si n g m eth ods for
con du ctive m ateri als accordin g to Cl au se 6.
I f th e m easu remen t i s not possibl e or th e obtai n ed resu l t exceeds th e g iven rang e for th e
appl ication of th e test m eth od, i t sh al l be reg arded as bei n g in adequ ate an d th e resu l t sh all
not be taken in to accou n t. Th e measu rem ent sh al l be repeated accordin g to Cl au se 8 or
Cl au se 1 0 for electrostati c di ssi pative m aterial s. I f th e situ ation described above occu rs
ag ai n , th e m easu rem en t sh al l be repeated accordi n g to Cl au se 7 for i nsu l ati ng material s.
– 10 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
For n on -pl an ar m ateri als an d for produ cts with stru ctu res that are too sm all to al l ow the u se
of th e electrode assem bli es speci fi ed i n 8. 2, the m eth od descri bed i n Cl au se 1 0 shal l be
u sed.
I f th e m easu rem en t resu l t u si ng th e m eth od descri bed in Cl au se 1 0 is less th an 1 0 4 Ω or

g reater th an 1 0 1 2 Ω , an d th e sh ape or dim en sion s of the m ateri al u n der test do n ot all ow
m easu rem en ts accordi n g to Cl au se 6 or Cl au se 7, the test resu l t sh all be reported as either
“ < 1 0 4 Ω ” or “ > 1 0 1 2 Ω ”.
6 Resistance measurements for solid conductive materials

Th e resistan ce of soli d condu cti ve m ateri al s (non -m etal s) shal l be m easu red in accordan ce
with I SO 391 5 for plastics or I SO 1 853 for ru bbers. I f th e m easu red resi stan ce i s g reater th an
or equ al to 1 0 4 Ω , u se th e m eth ods described i n Cl au se 7, 8 or 1 0.
7 Resistance measurements for solid insulating materials

Th e resistance of sol id i n su lati n g m ateri als shal l be m easu red i n accordan ce wi th
I EC 62631 -3-1 , I EC 62631 -3-2 or I EC 62631 -3-3 for plasti cs, or I SO 2951 for ru bbers.
8 Resistance measurements for planar electrostatic dissipative materials

(used to avoid electrostatic charge accumulation)
8.1 Instrumentation
8.1 .1 General
Th e i n stru m en tati on may con sist of ei th er a DC power su pply an d an am m eter, or an
in teg rated in stru m en t (oh m m eter) . N ation al safety reg u l ation s sh al l be foll owed.
8.1 .2 Instrumentation for laboratory evaluation

Th e ou tpu t voltag e u n der l oad sh all be (1 00 ± 5) V for m easu rem en ts of 1 × 1 06 Ω an d
h i g h er, an d (1 0, 0 ± 0, 5) V for l ess than 1 × 1 0 6 Ω.
I f an ohm m eter i s u sed, readi n g s sh al l be possi ble at least from 1 × 1 0 3 Ω to 1 × 1 0 1 3 Ω , wi th
an accu racy of ± 1 0 %.
I f a DC power su ppl y an d am m eter are u sed, readi n g s sh al l be possibl e at l east from 1 0 pA

to 1 0 mA. Th e com bin ed accu racy of th e DC power su ppl y and am m eter sh al l be ± 1 0 %.
8.1 .3 Instrumentation for acceptance testing

I n stru m en tation for l aboratory eval u ati on or in stru m en tation m eeti n g th e fol lowi n g
requ iremen ts sh al l be u sed for acceptan ce testi ng .
The open circu it voltag e sh all be (1 00 ± 5) V for measu rem ents of 1 × 1 06 Ω an d h i g h er, an d
(1 0, 0 ± 0, 5) V for l ess th an 1 × 1 0 6 Ω .
I f an oh m m eter i s u sed, readin g s sh all be possi ble at l east from 1 × 1 0 3 Ω to 1 × 1 0 1 3 Ω , wi th

an accu racy of ± 20 %.
I f a DC power su ppl y an d am m eter are u sed, readi n g s sh al l be possibl e at l east from 1 0 pA

to 1 0 mA wi th an accu racy of ± 20 %.
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 11 –
–
I n case of di spu te, in stru men tation for l aboratory evalu ati ons sh al l be u sed.
8.1 .4 Instrumentation for compliance verification (periodic testing)

I n stru m en tati on meeti n g th e requ i rem ents for l aboratory evalu ati on s or acceptan ce testi ng , or
i nstru m entati on meeti n g th e foll owin g requ i rem ents sh all be u sed.
Com pli ance veri fi cati on in stru men tation shal l be capabl e of m akin g m easu rem en ts one order
of mag n itu de above an d bel ow the in ten ded m easu rem en t ran g e. The ou tpu t voltag e of
compl ian ce veri fi cati on in stru men tation may vary from l aboratory eval u ation or acceptan ce
testi n g in stru m en tation , an d m ay be rated u n der load or open circu i t. Com pl ian ce verifi cati on
in stru m en tation shal l be ch ecked ag ain st laboratory evalu ati on or acceptan ce testi n g
i n stru m en tati on to ensu re th ere i s correlation between m easu remen t resu lts.
I n case of dispu te, i n stru m en tation for acceptan ce testi n g or laboratory evalu ati on sh al l be
u sed.
8.2 Electrode assemblies

8.2.1 General
Th e electrodes sh all con si st of a material th at all ows in ti m ate con tact wi th th e speci men
su rface and i ntrodu ces n o appreci abl e error becau se of electrode resi stance or
contami n ati on of th e specim en . Th e el ectrode material sh all be corrosion resi stan t u nder test
condi ti ons and shal l n ot cau se a ch em ical reacti on wi th th e m ateri al bei ng tested.
Th e assem bl ies described in th e su bcl au ses below are recom men ded to be su i table, bu t
oth er con fi g u ration s com pl yin g wi th n ati on al or in tern ation al standards m ay al so be u sed, if
appropriate. Especi all y for volu m e resi stan ce m easu rem en ts of electrostati c di ssipati ve
m ateri al s, it is im portan t th at appli ed probes of th e g u arded rin g type h ave su ffi cient space
between the cen tre (m easu ri ng ) an d ri ng (g u ard) con tact el ectrode in order to m in i m ize stray
cu rren ts falsi fyi n g th e readin g s. I t i s recom m ended, th at th e g ap g sh all be at l east 1 0 m m. I n
cases of di spu te, th e assem bl ies descri bed in th is stan dard sh all be appli ed.
8.2.2 Assembly for the measurement of surface resistance

Th e electrode assem bl y (probe 1 ) con tain s a central di sc su rrou n ded by a concen tric rin g
made of con du cti ve m aterial s wh ich m ake contact wi th th e m ateri al u n der test (see Fi g u re 1 ) .
Th e total mass of the el ectrode assem bly sh al l be (2, 5 ± 0, 25) kg .
Th e con tact su rface m aterial sh all have a volu m e resi stan ce of l ess th an 1 0 3 Ω when tested
on a stai n less, n on -corrosi ve metal pl ate (not alu m i ni u m ) as th e cou n ter electrode by
appl yin g (1 0, 0 ± 0, 5) V, an d sh all h ave a Sh ore A hardn ess of 50 to 70 when tested
accordin g to I SO 761 9-1 .
I n su latin g m ateri al s u sed i n th e electrode assembl y sh al l h ave vol u me an d/or su rface

resistance g reater th an 1 0 1 3 Ω wh en tested accordi n g to I EC 62631 -3-1 and/or
I EC 62631 -3-2 respectivel y.
Th e m ateri al u nder test sh all be pl aced on an in su l atin g su pport as descri bed i n 8. 2. 5.

– 12 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
Dimensions in millimetres
I n stru m en tati on cabl e
Total m ass
(2, 5 ± 0, 25 kg )
I n su l ated wi re
(> 1 01 3 Ω)
I n su l ator
(> 1 01 3 Ω)
M etal el ectrod e
m ou n ti n g base
Con d u cti ve el ectrod es

(sh ore A: 50 to 70
3 m m typi cal th i ckn ess)
30, 5 ± 1
57 ± 1 3 ± 0, 5
Probe 1
IEC
Figure 1 – Example of an assembly for the measurement

of surface and volume resistance
8.2.3 Assembly for the measurement of volume resistance

The assem bly con sists of two electrodes pl aced on ei th er si de of th e material u nder test (see
Fig u re 4) . Th e top el ectrode assem bl y (probe 1 ) sh all be as descri bed in 8. 2. 2 an d shown i n
Fig u re 1 .
The bottom el ectrode (probe 2) shal l be a stai n less, n on-corrosi ve metal pl ate (not
alu m i ni u m ) su ffi ci en tly larg e to su pport th e specim en u n der test. Probe 2 sh al l be equ i pped
wi th a perm anen t con nectin g term in al (e. g . pl u g h ole, ri veted con n ector) . Crocodi le cli ps
sh ou l d n ot be u sed.
I t sh ou l d be pl aced ei th er on an i nsu l ati ng su pport as described i n 8. 2. 5 pri or to test or be

equ i pped with equ i val en t i n su lati n g feet.
8.2.4 Assembly for the measurement of resistance to ground/groundable point

and point-to-point resistance
Th e assem bly con sists of on e (resi stan ce to g rou nd/g rou n dable poi n t) or two (poi nt-to-poin t
resistance) el ectrodes (probe 3) con tai ni n g a disk m ade of con du cti ve m ateri al wh ich m akes
con tact with th e m ateri al u n der test (see Fi g u re 2) . Th e total m ass of the electrode assem bl y
shal l be (2, 5 ± 0, 25) kg .
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 13 –
–
Th e con tact su rface material sh all be con du cti ve en ou g h th at two probes pl aced on a m etal
su rface (e. g . probe 2) h ave a poin t-to-poi nt resi stan ce of l ess th an 1 0 3 Ω when tested with
(1 0, 0 ± 0, 5) V, an d sh all h ave a Sh ore A h ardn ess of 50 to 70 wh en tested accordi ng to
I SO 761 9-1 .
I n su lati n g material s u sed i n th e el ectrode assem bl y sh all h ave vol um e and/or su rface
resistance g reater th an 1 0 1 3 Ω wh en tested accordi n g to I EC 62631 -3-1 and/or
I EC 62631 -3-2 respecti vel y.
Th e m ateri al u n der test shal l be pl aced on an in su l atin g su pport as descri bed i n 8. 2. 5.
I n stru m en tati on cabl e

Total m ass
(2, 5 ± 0, 25 kg )
I n su l ated wi re
(> 1 01 3 Ω)
I n su l ator
(> 1 0 1 3 Ω)
M etal el ectrod e
m ou n ti n g base
Con d u cti ve el ectrod es

(sh ore A: 50 to 70
3 m m typi cal th i ckn ess)
63, 5 ± 1
Probe 3
IEC
Figure 2 – Example of an assembly for the measurement of resistance to

ground/groundable point and point-to-point resistance
8.2.5 Test support

The m ateri al sh al l be tested on a sm ooth fl at su pport h avin g a su rface resi stan ce g reater
th an 1 × 1 0 1 3 Ω , m easu red accordi ng to I EC 62631 -3-2. Th e size sh all be at least 1 0 m m
m ore i n len g th an d wi dth compared to th e size of th e specim en u n der test. Th e m in i mu m
th i ckn ess sh al l be 1 mm .
8.3 Sample preparation and handling

Refer to applicable m ateri al specificati on s for sampl in g in stru cti ons. Th e speci m en s sh all not
be h an dl ed or m arked i n areas wh ere m easu rem en ts wi l l be performed. I f th e areas wh ere
– 14 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
th e el ectrodes m ake con tact h ave been reworked, th i s sh all be stated i n th e test report. Wh en
th e su rface resistan ce i s to be m easu red, th e su rface shal l not be clean ed u n l ess ag reed on
or speci fi ed. Care sh all be taken i n applyi ng th e el ectrodes an d al so i n h an dl in g an d
mou n ti n g th e speci men s for th e m easu rem en ts i n order to mi n im i ze th e possibi li ty of creati ng
el ectrical path s du e to contami n ati on th at m ay adversely affect th e test resu l ts.
Specim en s sh al l preferably have a si m ple g eom etri c sh ape in th e form of sh eets with a
mi n i mu m si ze of at l east 80 m m × 1 20 m m or 1 1 0 mm di am eter.
I f n o oth er reg u l ati on i s g i ven , a mi n im u m of th ree represen tati ve speci m en s of th e sam pl e

materi al sh all be prepared. Th e su rface to be tested sh al l be clearl y m arked or oth erwi se
iden ti fi ed.
8.4 Test procedures

8.4.1 Surface resistance measurements
Th e el ectrode assem bl y descri bed in 8. 2. 2 i s con n ected to th e in stru m en tation (see Fi g u re 3) .
Th e specim en sh all be pl aced on to th e test su pport with th e su rface to be tested faci n g u p.
Th e el ectrode assem bly is th en posi ti on ed on to th e approxim ate cen tre of th e specim en or at
least 1 0 mm away from th e edg es.
Cen tre el ectrod e (probe 1 )
Ri n g el ectrod e (probe 1 )
Su pport
Speci m en
IEC
Figure 3 – Basic connections of the electrodes

for surface resistance measurements
En erg ize th e i n stru m en tati on at (1 0, 0 ± 0, 5) V an d record the readin g after (1 5 ± 1 ) s, u n less

otherwise speci fi ed. I f the i n dicated resistance i s l ess th an 1 , 0 × 1 0 6 Ω , report th e val u e an d
proceed to th e n ext specim en . I f th e in di cated resistance is equ al to or h ig h er th an
1 , 0 × 1 0 6 Ω , de-en erg ize th e in stru men tation an d repeat the procedu re u sin g (1 00 ± 5) V.
Record the i ndi cated resi stan ce after th e electrification peri od determ in ed i n A. 1 . 2.
8.4.2 Volume resistance measurements

Th e electrode assem bl i es descri bed i n 8. 2. 2 are con nected to th e i n stru m en tati on (see
Fi g u re 4) . Th e bottom el ectrode (probe 2) is th en pl aced on to th e test su pport fi rst and th e
speci m en l aid onto i t. Afterwards, th e top electrode (probe 1 ) i s posi ti on ed on to th e
approxi m ate cen tre of th e speci m en or at l east 1 0 m m away from th e edg es.
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 15 –
–
Cen tre el ectrod e (probe 1 )
Ri n g el ectrod e (probe 1 )
Su pport Speci m en
El ectrod e (probe 2)
IEC
Figure 4 – Basic connections of the electrodes
for volume resistance measurements
En erg ize th e i n stru m en tati on at (1 0, 0 ± 0, 5) V an d record the readin g after (1 5 ± 1 ) s, u n less

otherwise specified. I f th e i ndi cated resistance i s less th an 1 , 0 × 1 0 6 Ω , record th e valu e an d
proceed to th e n ext specim en . I f th e in di cated resistance is equ al to or h ig h er th an
1 , 0 × 1 0 6 Ω , de-en erg ize th e in stru men tation an d repeat the procedu re u sin g (1 00 ± 5) V.
Record the i ndi cated resi stan ce after th e electrification peri od determ in ed i n A. 2. 2.
I f an eval u ation of the vol u me resistivi ty i s requ i red, th e averag e th ickn ess h of each
speci men sh al l be determ i n ed prior to any m easu remen t foll owin g th e i nstru cti on s g i ven i n
th e rel evan t produ ct specification .
8.4.3 Resistance to groundable point measurements

8.4.3.1 Measurements on laboratory specimens
Th e test specim en s sh all be fi tted wi th a represen tative g rou n dable poin t. Pl ace th e
speci men s on to the test su pport with th e su rface to be tested faci ng u p. Pu t th e electrode
assem bly (probe 3) on to th e su rface of th e specim en i n a posi ti on su ch th at th e cen tre of the
el ectrode assem bly i s at least 50 m m away from th e specim en edg es or g rou n dabl e poin t
(see Fig u re 5) . Con nect the electrode assembl y to on e l ead of th e in stru m en tation an d the
g rou n dable poin t to th e oth er lead.
En erg ize th e i n stru m en tati on at (1 0, 0 ± 0, 5) V and record th e readin g after (1 5 ± 1 ) s if th e

i n dicated resi stan ce i s less th an 1 , 0 × 1 0 6 Ω. Th en proceed to th e n ext posi ti on or speci m en.
I f th e i n di cated resistance i s equ al or h i g h er than 1 , 0 × 1 0 6 Ω, de-en erg i ze th e
in stru m en tation an d repeat th e procedu re u sin g (1 00 ± 5) V.
– 16 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
G rou n d abl e poi n t

50 m i n .
Speci m en 50 m i n .
El ectrod e (probe 3)
Su pport
IEC
Fig ure 5 – Princi pl e of resi stance to g rou ndabl e point measurements
8.4.3.2 Measurements on i nstal led materials

Pu t th e el ectrode assem bly (probe 3) on to the su rface of the specim en i n a posi ti on at l east
50 m m away from th e speci m en edg es or g rou n dabl e poi n t (see Fig u re 5) . Con n ect th e
el ectrode assem bly to on e lead of th e i nstru m entati on an d th e g rou n dabl e poi n t to th e oth er
l ead.
Energ i ze th e i nstru m entati on at (1 0, 0 ± 0, 5) V an d record th e readi n g after (1 5 ± 1 ) s if th e

i n di cated resistance i s l ess th an 1 , 0 × 1 0 6 Ω. Th en proceed to th e n ext posi ti on or speci m en.
Li n e-powered in stru men ts can requ i re an al tern ate test lead set u p to properl y measu re
g rou n ded i tem s. Th e equ i pmen t g rou n di ng con du ctor shou l d be i n su lated from sig n al g rou n d.
Addition all y, th e h ig h -potential test l ead can requ i re con n ecti on to th e g rou n d side of th e item
u nder test. Con su lt the in stru men t m an u factu rer’s i nstru ction s for test l ead arran g em en t.
8.4.4 Point-to-poi nt resistance measurements

Conn ect two el ectrode assem bli es (probes 3) descri bed in 8. 2. 4 to th e i nstru m en tati on . Th e
speci m en shal l be placed on to the test su pport wi th th e su rface to be tested faci ng u p. The
probes sh al l be then pl aced on to th e su rface of th e speci m en i n a speci fi ed or, if appropriate,
oth erwi se chosen position at l east 250 m m in di stan ce from thei r l ong i tu din al axes, an d at
least 50 m m away from th e edg es of the speci m en (see Fi g u re 6) .
En erg i ze th e in stru men tation at (1 0, 0 ± 0, 5) V an d record th e readin g after (1 5 ± 1 ) s i f th e

in di cated resi stan ce is l ess than 1 , 0 × 1 0 6 Ω. Th en proceed to th e n ext posi ti on or speci m en.
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 17 –
–
Speci m en
El ectrod e
(probe 3)
El ectrod e
(probe 3)
250 m i n .
Su pport
IEC
Figure 6 – Principle of point-to-point measurements
9 Conversion to resistivity values

9.1 Surface resistivity ρ s
Take th e fol l owin g form u l a accordi ng to Fi g u re 7:
ρ s = 2 π R s / log e ( d2 / d1 )
·
d2 = d1 + 2 g
wh ere
ρ s i s th e su rface resi sti vity ( Ω);
Rs is th e measu red su rface resi stan ce ( Ω);
d1 is th e di am eter of th e cen tre con tact el ectrode (m ) ;
d2 is th e in n er di am eter of th e ou ter ri n g con tact el ectrode (m) ;
g is th e di stan ce (g ap) between th e con tact electrodes (m ) .
9.2 Volume resistivity ρ v
Take th e fol l owin g form u l a accordin g to Fi g u re 7:
ρ v = R v ( d1 ) 2 · π / 4 h
wh ere
ρ v i s th e vol u m e resistivi ty ( Ω m ) ;
R v i s th e measu red volu m e resi stan ce ( Ω);
d1 i s th e di am eter of th e cen tre con tact el ectrode (m ) ;
h i s th e speci m en th ickn ess (m ) .
– 18 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
Cen tral el ectrod e

d1
g Ri n g el ectrod e
Speci m en
Su pport
d1
IEC
Figure 7 – Configuration for the conversion to surface or volume resistivity
1 0 Resistance measurements for non-planar materials and products with small

structures
1 0.1 General considerations
Th i s m eth od i s recom m en ded for testin g i tem s with irreg u l arl y shaped su rfaces. Con vention al
con cen tric rin g an d parall el bar electrode con fi g u ration s are u sed for testin g plan ar items
on l y. H owever, m ost packag i ng item s are n ot pl anar. Exam ples i n clu de sh ippi ng tu bes, trays,
tote boxes an d carri er tapes. Th is probe em pl oys sprin g s to appl y con sistent con tact
pressu re between th e electrode and th e i tem . Force created by spri ng s is su bject to vari an ce
from wear, con tam i nation an d m an u factu rin g tol erance. Th is varian ce i s acceptabl e for thi s
appl ication . El astom eri c el ectrodes com pen sate for u neven i tem su rfaces. Th ese featu res
yi el d consi sten t resu lts between l aboratori es and test operators .
1 0.2 Equipment
1 0.2.1 Probe
Refer to Tabl e 1 an d Fi g u re 8.
Th i s two-poi n t probe consi sts of an in su lated m etal body wi th a pol ytetraflu oroeth yl en e
(PTFE) in su l ator i nserted i n to each en d. One i nsu l ator h olds test l eads; th e oth er h olds
receptacl es th at accept spri ng -l oaded pi n s. On e receptacl e is su rrou n ded by a cyli n dri cal
in su l ator, wh i ch is su rrou n ded by a m etal sh iel d. Th e pi n s are g old pl ated and h ave a spri ng
force of (4, 6 ± 0, 5) N at a travel of (4, 3 ± 0, 1 ) m m. The pi n ti ps are mach i ned to accept
friction fitted (3, 2 ± 0, 1 ) m m di am eter electri cal l y con du cti ve ru bber el ectrodes. Th e ru bber
has a Sh ore A du rom eter hardn ess of 50 to 70 (see I SO 761 9-1 ) . The el ectrodes are (3, 2 ±
0, 1 ) m m lon g . Th e el ectrode m aterial sh all be con du cti ve en ou g h th at wh en tested on a
stain l ess, n on -corrosive m etal pl ate (n ot alu m i ni u m ) th e poi n t-to-poin t resistance i s l ess th an
1 0 3 Ω at (1 0, 0 ± 0, 5) V.
Tabl e 1 provi des a l ist of th e key com pon en ts in Fi g u re 8.

I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 19 –
–
Table 1 – Material for two-point probe
Item Detail Exampl e a
PTFE i n su l ators Approxi m atel y 25, 4 m m l en g th an d 1 2, 7 m m d i am eter

El ectrod e sh i el d M etal tu bi n g approxi m atel y 31 , 8 m m l en g th an d
4, 75 m m d i am eter
El ectrod e H eat sh ri n kabl e PTFE or oth er i n su l ator
i n su l ator
Receptacl es Receptacl e – wi th sol d er cu p I n tercon n ect Devi ces I n c. , R-5-SC
Pi n s Spri n g pi n force i s (4, 6 ± 0, 5) N at (4, 3 ± 0, 1 ) m m of I n tercon n ect Devi ces I n c. , S-5-F-1 6. 4-
travel ; ti p m ach i n ed to accept el ectrod e G
El ectrod es (3, 2 ± 0, 1 ) m m l on g , (3, 2 ± 0, 1 ) m m d i am eter Van g u ard Prod u cts, VC-781 5
con d u cti ve m ateri al , Sh ore A d u rom eter h ard n ess
between 50 an d 70 (I SO 761 9-1 )
N OTE Th i s i s n ot i n ten d ed to be a com pl ete m ateri al s l i st for probe con stru cti on , bu t d oes provi d e key el em en ts
th at en abl e perform an ce repl i cati on . Refer to Fi g u re 8 for part pl acem en t.
a Th e parts l i sted are exam pl es of su i tabl e prod u cts avai l abl e com m erci al l y. Th i s i n form ati on i s g i ven for th e
con ven i en ce of u sers of th i s d ocu m en t an d d oes n ot con sti tu te an en d orsem en t by I EC of th ese prod u cts.
Eq u i val en t prod u cts m ay be u sed i f th ey can be sh own to l ead to th e sam e resu l ts.
– 20 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
Probe
Prob Lead s
El ectrod e d i m en si on s PTFE
I n su l ato
El ectrod e
sh i el d
3, 2 3, 2
±0 1
3, 2 ±0, 1
El ectrod e
Dimensions in millimetres i n su l ator
El ectrod es an d pi n s
Receptacl es
3, 2 ±0, 1
PTFE
Dimensions in millimetres i n su l ator
Bod y
i n su l ator Bod y
Sh i el d ed el ectrod e
Pi n s
PTFE Ph oto
i n su l ator
El ectrod e
N OTE Th e probe bod y si ze an d

sh ape are n ot cri ti cal to th e
El ectrod e m easu rem en t an d m ay be of an y
sh i el d El ectrod e Receptacl es con ven i en t sh ape an d si ze
i n su l ator
IEC
Fig ure 8 – Two-point probe config uration
1 0.2.2 Sample support surface

An i nsu l ati ng su rface, wh en u sed for specim en su pport, sh all h ave a su rface resi stan ce
g reater th an 1 × 1 0 1 3 Ω , measu red accordi ng to I EC 62631 -3-2.
1 0.2.3 Resistance measurement apparatus

Resi stan ce m easu remen t apparatu s as specified i n 8. 1 sh al l be u sed.
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 21 –
–
N OTE A con stan t ou tpu t m eter as speci fi ed i n 8. 1 . 2 was u sed to col l ect al l d ata u sed to val i d ate th i s stan d ard
test m eth od . Data was n ot col l ected to val i d ate th i s eq u i pm en t con fi g u rati on .
1 0.2.4 Test leads

Test l eads appropri ate for the meter are requ i red. A sh iel ded l ead from th e probe body to th e
in stru m en t wi ll g reatly redu ce el ectri cal in terferen ce (see Fi g u re 9) .
N OTE M easu rem en ts for th e val i d ati on of th i s test m eth od were m ad e u si n g a sh i el d ed l ead .
Instru mentati on wi th sh i el d connecti on
Sh i el s
Vol tag e sou rce +
Am m eter
+
Am m eter -
Vol tag e sou rce
-
Instrumentati on wi th out shi el d connecti on
Sou rc
Sen s
G rou n
(referen ce
poi n t)
Instru mentati on wi th two l eads
Sen s
Sou rc
IEC
Fig ure 9 – Probe to instrumentation connection

– 22 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
Probe resti n g on test i tem . Probe spri n g s com pressed abou t

N o spri n g com pressi on h al f of th e travel d i stan ce
for m easu rem en t
Prob
I tem u n d er
test
Sam pl e su pport
su rface
IEC
Fig ure 1 0 – Spring compression for measurement
1 0.3 Test procedure

Th e test procedu re i s as foll ows.
a) Con nect th e probe to the meter as sh own i n Fig u re 9.
b) Pl ace th e specim en on th e sample su pport su rface.
c) Com press th e sprin g -l oaded pi n s down ward approxi m ately hal f of the len g th of travel (see
Fig u re 1 0) .
d) Appl y (1 0, 0 ± 0, 5) V for (1 5 ± 1 ) s an d observe th e resi stan ce. I f th e resi stan ce readi n g i s
l ess th an 1 , 0 × 1 0 6 Ω , record the resistance val u e an d proceed to l ist i tem f) . I f the
resistan ce i s g reater than or equ al to 1 , 0 × 1 0 6 Ω , proceed to l i st i tem e) .
e) I f th e observed resi stan ce i n l i st item d) i s g reater th an or equ al to 1 , 0 × 1 0 6 Ω , chan g e
th e voltag e to (1 00 ± 5) V an d repeat the measu rem ent. Record the resistance val u e.
f) Repeat th e test for each rem ai ni n g specim en .
N OTE 1 A ch an g e i n th e si ze of th e speci m en can affect th e m easu rem en ts.
N OTE 2 Resi stan ce m easu rem en ts can be affected by th e si ze an d spaci n g between el ectrod es. Th e 3, 2 m m
d i am eter an d 3, 2 m m spaci n g of th e el ectrod es was sel ected to test a wi d e ran g e of packag i n g types an d si zes.
N OTE 3 Resi stan ce m easu rem en ts of a parti cu l ar sam pl e m ateri al can vary d u e to:
a) vari ati on s i n sam pl e su rface com posi ti on or th i ckn ess;
b) com pressi on of th e sam pl e by th e force of th e el ectrod es;
c) vari ati on s of th e resi stan ce i n th e el ectrod e m ateri al ;
d) ch an g e i n m ateri al properti es d u e to th e m easu rem en t cu rren t;
e) cl ean l i n ess of el ectrod es or sam pl e.
N OTE 4 Testi n g of vari ou s el ectrod e m ateri al s i n d i cates th at th e u se of h ard er ru bber m ateri al s th an speci fi ed
creates g reater vari ati on i n read i n g s.
1 1 Repeatability and reproducibility
Th e resi stan ce of a g i ven specim en varies wi th th e test con di ti on s an d it is n orm al for th e

materi al s to be n on -u n i form . Becau se of th is, determ in ati on s are u su al ly n ot m ore
reprodu cibl e th an ± 1 0 % an d are often even more wi dely diverg en t (a ran g e of valu es of one
order of m ag n itu de may be obtain ed u n der apparen tl y i den ti cal con di ti on s) . Th e com parabi l ity
of m easu rem en ts on sim i lar speci m en s requ ires a test perform ance wi th sim i lar vol tag e
g radien ts.
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 23 –
–
Th e repeatabi l ity of th ese test m eth ods can be assu m ed to be i n th e ran g e of approxi m ately
on e h al f order of m ag n i tu de. I f th e averag e valu e for a seri es of l aboratory tests i s 5 × 1 0 1 0 Ω ,
the spread of valu es can be expected from 2, 5 × 1 0 1 0 Ω to 7, 5 × 1 0 1 0 Ω .
1 2 Test report
Th e test report sh al l in cl u de th e fol lowi n g in form ati on :

a) descri pti on and iden ti fi cati on of the material (nam e, g rade, colou r, m anu factu rer, m anu -
factu ri ng date, etc. ) ;
b) sh ape, dim en sion s an d n u m ber of th e specim en s;
c) type, m ateri al an d dim en sion s of th e probes (el ectrodes) , if di fferent from th ose speci fi ed
in th i s stan dard;
d) condi ti oni n g of th e specim en s (tem peratu re, relative h u m idi ty, du ration ) ;
e) cl eani n g procedu res;
f) test con di ti on s (tem peratu re and relative h u m idi ty at th e tim e of m easu rem en t) ;
g ) i n stru m en tati on (type, cali brati on i nform ati on , etc. ) ;
h) test vol tag e an d el ectri fi cati on ti m e wi th addi ti on al i n form ati on, i f th ese param eters are
fixed or speci fi ed differen tl y;
i) nu m ber of m easu rem en ts, i ndi vidu al resu lts an d averag e val u e;
j) su rface resistivi ty as i n divi du al resu l ts with averag e val u e, i f relevant;
k) vol u m e resi sti vi ty as in di vi du al resu l ts wi th averag e val u e, i f rel evan t;
l) resi stan ce-to-g rou n d/g rou n dabl e poin t wi th i den tificati on of test posi ti ons, i f relevan t;
m) poi n t-to-poin t resi stan ce wi th iden ti fi cati on of test posi ti on s an d wh eth er th e m eth od
speci fi ed in Cl au se 8 or Cl au se 1 0 i s u sed, i f rel evan t, and appli ed di stan ce between the
lon g itu di n al axes of th e probes, if differen t from th is stan dard;
n) dates of specim en preparati on an d test perform an ce;
o) an y specific observation s du ri n g test (e. g . polari zati on effects) .
I n th e absen ce of i n stru ction s from produ ct stan dards or oth er requ i rem ents, con sideration
sh al l be g i ven to th e way i n wh i ch averag e val u es are calcu l ated. I t i s com m on for ari th m etic
mean to be u sed to cal cu late th e averag e val u e, i . e. th e su m of n valu es di vided by n :
∑=
n
xi
x =
i 1
n
wh ere
x is th e averag e valu e;
xi is an i ndi vidu al val u e;
n is th e n u m ber of val u es to be averag ed.
Geometri c mean may be of m ore practi cal si g n i fi cance th an arith metic m ean wh en averag in g
valu es th at vary by orders of m ag n itu de, as i s often th e case when m akin g resi stan ce
measu rem en ts. For exampl e, fi ve resi stan ce measu rem ents m ay i n clu de fou r m easu rem en ts
of th e order of 1 × 1 0 9 Ω and one measurement of 1 × 1 0 1 2 Ω. The arithmetic mean is
wei g hted by the 1 × 1 0 1 2 Ω measurement, whereas the geometric m ean is not an d m ay more
cl osely represent th e overall way i n wh i ch a m aterial i s l i kel y to perform i n practice.
Geom etri c m ean i s cal cu lated by taki n g th e n th root of the produ ct of n val u es:
– 24 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
1/ n
 n 
x=
 ∏ xi 

 i =1 
wh ere
x is th e averag e valu e;
xi is an i ndi vidu al val u e;
n is th e n u m ber of val u es to be averag ed.
The test report sh all state i f arith metic or g eometri c m ean has been u sed to cal cu late
averag e valu es.
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 25 –
–
Annex A
(normative)
System verification
A.1 System verification for surface resistance measurements
A.1 .1 Fixture and procedure for lower resistance rang e

Th e fi xtu re sh al l con form to the electrode di men si on s of th e assem bl y descri bed in 8. 2. 2 an d
have 20 in di vi du al metal su rfaces or pads wh i ch m ake con tact with th e cen tre (i n n er)
el ectrode su rface, an d 20 i den tical pads wh i ch m ake contact wi th th e ri n g (ou ter) el ectrode
su rface. Pads sh all be fl at wi th ou t an y protru si on s and be m ou n ted on a flat su rface. Th e
fi xtu re shal l con sist of 20 each , (1 , 00 ± 0, 01 ) × 1 0 6 Ω resi stors. All resi stors to be m ou n ted on
bottom si de. Each resi stor sh all be in divi du al ly con n ected between an in n er an d ou ter pad
(see Fi g u re A. 1 ) . Th e m aterial for th e fixtu re sh all have a volu m e resi stan ce of at l east 1 0 8 Ω
between the two rows of pads wh en not con nected by resistors, an d tested wi th (1 00 ± 5) V.
1 0 M Ω ( ± 1 %)
Resi stors (20 each )
ø 3 ± 0, 5
Pad (typi cal )
30, 5 ± 1
57 ± 1
IEC
Fig ure A.1 – Lower resistance rang e verification

fixture for surface resistance measurements
Pri or to a test, th e system sh all be ch ecked for proper operation as foll ows:
Th e assem bl y described i n 8. 2. 2 is con n ected to th e in stru men tation accordi n g to Fi g u re 3

an d th en placed on to th e fixtu re. A vol tag e of (1 0, 0 ± 0, 5) V sh al l be appl ied an d a readi n g
taken after (1 5 ± 1 ) s. Th e resu l t sh all be (5, 00 ± 0, 25) × 1 0 5 Ω . Th e ch eck is th en repeated
after h avi n g th e assem bl y rotated th rou g h 90 ° .
N OTE Rotati on of th e el ectrod e assem bl y ch ecks th e fl atn ess of th e fi xtu re an d el ectrod e con tai n i n g su rfaces.
– 26 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
A.1 .2 Fixture and procedure for upper resistance range and determination of
electrification period
Th e fi xtu re sh al l con form to the electrode di men si on s of th e assem bl y descri bed in 8. 2. 2 an d
have m etal su rfaces or pads wh i ch m ake con tact wi th th e el ectrode su rfaces. Pads sh al l be
fl at wi th ou t an y protru sion s an d be m ou nted on a fl at su rface. Pads m ay be tied tog eth er wi th
wire or com plete ci rcu l ar rin g s m ay be u sed. Th ey are conn ected vi a a sin g le resi stor of
(1 , 00 ± 0, 05) × 1 0 1 2 Ω between th e cen tre (in n er) an d ri ng (ou ter) contact su rfaces (see
Fi g u re A. 2) . Th e resistor and wirin g sh all be m ou nted on th e bottom si de. When tested with
(500 ± 25) V in compl ian ce with I EC 601 67, th e m ateri al for th e fixtu re sh al l h ave an
in su l ation resi stan ce of at l east 1 0 1 4 Ω between th e two rows of pads wh en n ot con n ected by
a resistor.
1 0 × 1 0 1 2 Ω ( ± 5 %)
Resi stor (1 )
ø 3 ± 0, 5
Pad (typi cal )
30, 5 ± 1
57 ± 1
IEC
Figure A.2 – Upper resistance range verification fixture

for surface resistance measurements
Th e fol l owin g procedu re con firms th e capabil i ty of th e system to m easu re 1 , 0 × 1 01 2 Ω an d
offers a method to determ i ne th e electri fi cation peri od as fol l ows:
Th e assem bl y described i n 8. 2. 2 is con nected to th e in stru men tation accordi n g to Fig u re 3

an d th en pl aced onto th e fixtu re. A vol tag e of (1 00 ± 5) V sh al l be appli ed an d a readi n g
taken wh en th e di splayed val u e h as reach ed th e steady-state. I f the readi n g i s wi thi n th e
tol eran ce ran g e of th e resi stor, repeat the procedu re five ti m es wh i le recordi n g th e requ ired
tim e for th e in stru m en t to i n dicate a steady-state valu e. Th e averag e of the fi ve recordi n g s i s
th e el ectrificati on tim e. An addi ti on of 5 s to th is ti me resu lts i n th e el ectri fi cati on period th at
wi ll be u sed to m easu re speci m en s hi g h er than 1 0 6 Ω .
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 27 –
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A.2 System verification for volume resistance measurements
A.2.1 Fixture and procedure for lower resistance range
Pri or to th e test, the system sh al l be ch ecked for proper operati on as fol lows:
Conn ect th e electrodes (probes 1 and 2) to the i n stru m en tati on accordin g to Fi g u re 4 bu t

with ou t a speci m en between th em . Th en in sert a (5, 00 ± 0, 05) × 1 0 5 Ω resi stor between th e
voltag e sou rce ou tpu t an d probe 2. A vol tag e of (1 0, 0 ± 0, 5) V sh all be appl i ed an d a readin g
taken after (1 5 ± 1 ) s. Th e resu lt sh all be (5, 00 ± 0, 25) × 1 0 5 Ω .
A.2.2 Fixture and procedure for upper resistance range and determination of
electrification period
Th e fol lowi n g procedu re con fi rm s th e capabil i ty of the system to m easu re 1 , 0 × 1 01 2 Ω an d
offers a method to determ i ne th e electri fi cation peri od as fol l ows:
Con n ect th e el ectrodes (probes 1 an d 2) to th e i n stru m entati on accordin g to Fi g u re 4 bu t

withou t a speci m en between th em. Th en i n sert a (1 , 00 ± 0, 05) × 1 0 1 2 Ω resistor between th e
voltag e sou rce ou tpu t an d probe 2. A vol tag e of (1 00 ± 5) V sh all be appli ed an d a readin g
taken when th e displ ayed val u e has reached th e steady-state. I f the readi ng is with in th e
tol erance ran g e of the resistor, repeat th e procedu re fi ve ti m es wh il e recordi ng th e requ i red
ti m e for th e i n stru m en t to i ndi cate a steady-state val u e. Th e averag e of th e fi ve recordi ng s is
th e el ectri fication tim e. An addi ti on of 5 s to th is ti m e resu lts i n th e electri fi cati on period th at
wi ll be u sed to measu re speci men s h i g her th an 1 0 6 Ω .
A.3 System verification for resistance measurements for non-planar materials

and products with small structures
A.3.1 Verification fixtures
Th e l ow resi stan ce veri fi cati on fi xtu re sh all con si st of a (1 , 00 ± 0, 01 ) × 1 0 5 Ω resistor bonded
to two m etal con tact pl ates. Th e pl ates sh al l be of si ze an d sh ape so th at each probe
electrode con tacts on ly on e pl ate, an d so th at th e plates are not in con tact wi th each oth er.
Th e pl ates may be affi xed to a m aterial wi th th e same properti es as the sam pl e su pport
su rface. Fi g u re A. 3 i l lu strates on e possibl e config u ration of a resi stan ce veri fi cation fixtu re.
Th e h i g h resi stan ce verificati on fi xtu re sh al l con si st of a (1 , 00 ± 0, 05) × 1 0 9 Ω resi stor

bon ded to two m etal con tact pl ates. Th e pl ates sh all be of a si ze and sh ape so th at each
probe el ectrode con tacts on ly on e pl ate, an d so th at the pl ates are n ot in con tact with each
oth er. Th e l en g th an d wi dth of each plate shal l be at least 3, 3 m m (for rectan g u l ar pl ates) or
sh al l be at least 3, 3 m m di am eter (for circu lar plates) , an d th e m in i m u m g ap between pl ates
shal l not exceed 3, 1 mm . The pl ates may be affi xed to a m ateri al with th e sam e properti es as
th e sampl e su pport su rface. Fi g u re A. 3 i l lu strates one possibl e con fig u rati on of a resistance
verificati on fi xtu re.
Th e actu al valu e of the resi stors shal l be m easu red peri odical ly. Th is m easu red valu e shal l
be u sed to veri fy probe operati on.
– 28 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
Fixture Fixture with probe

Resi stor
Probe
M etal con tact

pl ate
Sam pl e su pport
su rface m ateri al
IEC
Figure A.3 – Resistance verification fixture
A.3.2 Verification procedure
Th e veri fi cati on procedu re is as fol lows:
a) Correct probe operati on sh all be veri fi ed by m easu ri n g kn own resi stan ce valu es.
b) Con nect th e probe to the meter as sh own i n Fig u re 9.
c) Pl ace th e probe electrodes on to th e l ow resi stan ce veri fi cati on fi xtu re as sh own i n
Fi g u re A. 3.
d) Compress th e sprin g -l oaded pin s down ward approxi m ately h alf of th e l eng th of travel
(Fig u re 1 0) .
e) Appl y (1 0, 0 ± 0, 5) V for (1 5 ± 1 ) s and observe th e resi stan ce.
f) Record th e resi stan ce val u e. Th e valu e sh ou ld be withi n 1 0 % of th e actu al resistor val u e.
g ) Repeat th e procedu re u si n g th e h i g h resistance verificati on fi xtu re at (1 00 ± 5) V.
___________
– 30 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
SOMMAI RE
AVAN T-PROPOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32
I N TRODU CTI ON . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34
1 Domain e d'appl ication . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
2 Références n orm atives . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
3 Termes et défin itions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
4 Environnemen t d'essai et de con di tion nemen t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
5 Sélection de la m éth ode d'essai . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 37
6 M esu res de la résistance des matériau x condu cteu rs soli des . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
7 M esu res de la résistance des matériau x isolan ts solides . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
8 M esu res de résistance de matéri au x dissipati fs électrostatiques planaires
(destinés à éviter l a charg e électrostatiqu e) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
8. 1 I nstrum en tation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
8. 1 . 1 Générali tés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
8. 1 . 2 I nstru m en tati on u til isée pou r les évalu ati ons en laboratoire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
8. 1 . 3 I nstru m en tati on u til isée pou r les essais d'approbation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 38
8. 1 . 4 I nstru m en tati on u til isée pou r la véri fication de la con formi té (essais
périodiques) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
8. 2 Ensembles d'électrodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
8. 2. 1 Générali tés . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
8. 2. 2 Ensemble pour la mesure de la résistance de su rface . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 39
8. 2. 3 Ensemble pour la mesure de la résistance transversale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
8. 2. 4 Ensemble pour la mesure de résistance à la terre/résistance du poin t
de m ise à la terre et poin t à poin t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
8. 2. 5 Su pport d'essai . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
8. 3 Préparati on et trai tem en t des échan till ons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
8. 4 Procédu res d'essai . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
8. 4. 1 M esu res de résistance su perficielle . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
8. 4. 2 M esu res de résistance transversal e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
8. 4. 3 M esu res de résistance de poin t de mise à la terre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
8. 4. 4 M esu res de résistance poin t à poin t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
9 Con version en valeu rs de résisti vité . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
9. 1 Résisti vité su perficiell e ρ s . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
9. 2 Résisti vité transversal e ρ v . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
1 0 M esu res de résistance de matéri au x et produ its non plan ai res à peti tes stru ctu res . . . . . . . 46
1 0. 1 Consi dérations gén érales . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
1 0. 2 Equ ipem en t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
1 0. 2. 1 Sonde . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
1 0. 2. 2 Su rface de su pport des éch antil lons . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
1 0. 2. 3 Apparei l de m esu re de résistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
1 0. 2. 4 Cordons d'essai . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
1 0. 3 Procédu re d'essai . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
1 1 Répétabi li té et reproductibi li té . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
1 2 Rapport d'essai . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
An nexe A (normati ve) Véri fication de système . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
A. 1 Véri fication de systèm e pou r les mesu res de rési stance su perficiell e. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 31 –
A. 1 . 1 Apparei l et procédure pou r l a plag e de résistance plu s fai bl e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53

A. 1 . 2 Apparei l et procédure pou r l a plag e de résistance su périeu re et
détermi nation de la durée d'application de la tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
A. 2 Véri fication de systèm e pou r les mesu res de rési stance transversale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
A. 2. 1 Apparei l et procédure pou r l a plag e de résistance plu s fai bl e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
A. 2. 2 Apparei l et procédure pou r l a plag e de résistance su périeu re et
détermi nation de la durée d'application de la tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
A. 3 Véri fication de systèm e pou r les mesu res de rési stance de m atériau x et
produ i ts non planaires ayan t de petites stru ctures . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
A. 3. 1 Apparei ls de vérification . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55
A. 3. 2 Procédu re de vérificati on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
Fi gu re 1 – Exemple d'ensemble pour l a mesure de l a résistance su perficiel le et

transversale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40
Fi gu re 2 – Exemple d'ensemble pour la m esure de la résistance à l a terre/poin t de
mise à la terre et résistance poi nt à poin t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 41
Fi gu re 3 – Connexions de base des électrodes pour l es mesu res de résistance
su perficiell e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 42
Fi gu re 4 – Connexions de base des électrodes pour l es mesu res de résistance
transversale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Fi gu re 5 – Principe de la mesure de résistance du poi n t de m ise à l a terre . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 44
Fi gu re 6 – Principe des m esu res point à poin t . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45
Fi gu re 7 – Con fi gu rati on relati ve à la con version en résisti vi té su perficiell e ou
transversale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 46
Fi gu re 8 – Con fi gu rati on d'u ne sonde à deu x points . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 48
Fi gu re 9 – Connexion de la sonde à l'instru men tati on . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 49
Fi gu re 1 0 – Compression du ressort pou r la mesu re . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50
Fi gu re A. 1 – Appareil de vérification de l a plag e de résistance inférieure pou r les
mesures de l a résistance su perficiell e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 53
Fi gu re A. 2 – Appareil de vérification de l a plag e de résistance inférieure pou r les
mesures de l a résistance su perficiell e . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 54
Fi gu re A. 3 – Appareil de vérification de l a résistance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56
Tableau 1 – M atériau pou r u n e son de à deu x poin ts . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

– 32 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
COMMI SSI ON ÉLECTROTECHNI QUE I NTERNATI ONALE

____________
ÉLECTROSTATIQUE –
Partie 2-3: Méthodes d'essais pour la détermination de
la résistance et de la résistivité des matériaux solides
destinés à éviter les charges électrostatiques
AVANT-PROPOS
1 ) La Com m i ssi on E l ectrotech n i q u e I n tern ati on al e (I EC) est u n e org an i sati on m on di al e d e n orm al i sati on
com posée d e l 'en sem bl e d es com i tés él ectrotech n i qu es n ati on au x (Com i tés n ati on au x d e l ’ I EC) . L’ I EC a pou r
obj et d e favori ser l a coopérati on i n tern ati on al e pou r tou tes l es q u esti on s d e n orm al i sati on d an s l es d om ai n es
d e l 'él ectri ci té et d e l 'él ectron i q u e. A cet effet, l ’ I EC – en tre au tres acti vi tés – pu bl i e d es N orm es
i n tern ati on al es, d es Spéci fi cati on s tech n i q u es, d es Rapports tech n i q u es, d es Spéci fi cati on s accessi bl es au
pu bl i c (PAS) et d es G u i des (ci -après d én om m és "Pu bl i cati on (s) d e l ’ I EC") . Leu r él aborati on est con fi ée à d es
com i tés d 'étu des, au x travau x d esq u el s tou t Com i té n ati on al i n téressé par l e su j et trai té peu t parti ci per. Les
org an i sati on s i n tern ati on al es, g ou vern em en tal es et n on g ou vern em en tal es, en l i ai son avec l ’ I EC, parti ci pen t
ég al em en t au x travau x. L’ I EC col l abore étroi tem en t avec l 'Org an i sati on I n tern ati on al e de N orm al i sati on (I SO) ,
sel on des con di ti on s fi xées par accord en tre l es deu x org an i sati on s.
2) Les déci si on s ou accords offi ci el s de l ’ I EC con cern an t l es q u esti on s tech n i q u es représen ten t, d an s l a m esu re
d u possi bl e, u n accord i n tern ati on al su r l es su j ets étu di és, étan t don n é q u e l es Com i tés n ati on au x d e l ’ I EC
i n téressés son t représen tés dan s ch aq u e com i té d’ étu des.
3) Les Pu bl i cati on s d e l ’ I EC se présen ten t sou s l a form e d e recom m an d ati on s i n tern ati on al es et son t ag réées
com m e tel l es par l es Com i tés n ati on au x d e l ’ I EC. Tou s l es efforts rai son n abl es son t en trepri s afi n q u e l ’ I EC
s'assu re d e l 'exacti tu d e d u con ten u tech n i qu e d e ses pu bl i cati on s; l ’ I EC n e peu t pas être ten u e respon sabl e d e
l 'éven tu el l e m au vai se u ti l i sati on ou i n terprétati on q u i en est fai te par u n q u el con q u e u ti l i sateu r fi n al .
4) Dan s l e bu t d 'en cou rag er l 'u n i form i té i n tern ati on al e, l es Com i tés n ati on au x d e l ’ I EC s'en g ag en t, d an s tou te l a
m esu re possi bl e, à appl i q u er d e façon tran sparen te l es Pu bl i cati on s d e l ’ I EC d an s l eu rs pu bl i cati on s n ati on al es
et rég i on al es. Tou tes di verg en ces en tre tou tes Pu bl i cati on s d e l ’ I EC et tou tes pu bl i cati on s n ati on al es ou
rég i on al es correspon d an tes doi ven t être i n di q u ées en term es cl ai rs dan s ces dern i ères.
5) L’ I EC el l e-m êm e n e fou rn i t au cu n e attestati on d e con form i té. Des org an i sm es d e certi fi cati on i n d épen d an ts
fou rn i ssen t d es servi ces d 'éval u ati on d e con form i té et, dan s certai n s secteu rs, accèden t au x m arq u es d e
con form i té d e l ’ I E C. L’ I EC n 'est respon sabl e d 'au cu n d es servi ces effectu és par l es org an i sm es d e certi fi cati on
i n d épen d an ts.
6) Tou s l es u ti l i sateu rs d oi ven t s'assu rer q u 'i l s son t en possessi on d e l a dern i ère éd i ti on de cette pu bl i cati on .
7) Au cu n e respon sabi l i té n e d oi t être i m pu tée à l ’ I EC, à ses ad m i n i strateu rs, em pl oyés, au xi l i ai res ou
m an d atai res, y com pri s ses experts parti cu l i ers et l es m em bres de ses com i tés d 'étu d es et des Com i tés
n ati on au x d e l ’ I E C, pou r tou t préj u di ce cau sé en cas d e dom m ag es corporel s et m atéri el s, ou d e tou t au tre
d om m ag e de qu el q u e n atu re q u e ce soi t, d i recte ou i n di recte, ou pou r su pporter l es coû ts (y com pri s l es frai s
d e j u sti ce) et l es d épen ses décou l an t d e l a pu bl i cati on ou d e l 'u ti l i sati on d e cette Pu bl i cati on d e l ’ I EC ou d e
tou te au tre Pu bl i cati on d e l ’ I EC, ou au crédi t q u i l u i est accord é.
8) L'atten ti on est atti rée su r l es référen ces n orm ati ves ci tées d an s cette pu bl i cati on . L'u ti l i sati on d e pu bl i cati on s
référen cées est obl i g atoi re pou r u n e appl i cati on correcte d e l a présen te pu bl i cati on .
9) L’ atten ti on est atti rée su r l e fai t q u e certai n s d es él ém en ts d e l a présen te Pu bl i cati on d e l ’ I EC peu ven t fai re
l ’ obj et d e d roi ts d e brevet. L’ I EC n e sau rai t être ten u e pou r respon sabl e d e n e pas avoi r i den ti fi é d e tel s d roi ts
d e brevets et d e n e pas avoi r si g n al é l eu r exi sten ce.
La N orme internati onale I EC 61 340-2-3 a été établie par l e comi té d'étu des 1 01 de l'I EC:
Electrostati qu e.
Cette deu xième édi ti on annu le et remplace la prem ière édi tion paru e en 2000. Cette édi ti on
constitue u ne révisi on tech ni que.
Cette édition i ncl u t les modifications techn iqu es majeures su i van tes par rapport à l'édi tion
précéden te:
a) u ne distinction a été introdu ite en tre l'instru men tation u ti lisée pour les éval uations en
l aboratoire, l'instru m en tation u ti lisée pou r les essais d'approbation et l 'instru mentation
u tilisée pou r l a vérification de la conform ité (essais périodiqu es) ;
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 33 –
b) u n au tre ensemble d'électrodes est décrit, qu i peu t être u tilisé su r les produi ts n on
planaires ou lorsque les dim ensions du produ it à l'essai son t trop petites pou r perm ettre
l'u ti lisation de l'ensemble d'électrodes plu s g rand;
c) les form ul es de calcul de l a résisti vité transversale et de la résisti vité su perfici el le ont été
modifiées afin de correspondre à la prati que couran te du secteu r dans les principaux
dom ai nes d'application de la série I EC 61 340.
Le texte de la présen te norme est issu des docum en ts su ivants:
CDV Rapport de vote

1 01 /470/CDV 1 01 /494/RVC
Le rapport de vote indi qu é dans le tableau ci-dessu s donne tou te in formation sur l e vote ayan t
abou ti à l 'approbation de cette norme.
Cette pu bl ication a été rédi g ée selon les Directives I SO/I EC, Partie 2.
U ne liste de tou tes les parties de l a séri e I EC 61 340, publi ées sou s le ti tre g énéral
Electrostatique, peu t être consu ltée su r l e site web de l'I EC.
Le com i té a déci dé qu e le con ten u de cette pu bl ication ne sera pas modi fié avan t la date de
stabi l ité indiquée su r l e si te web de l’I EC sous "http://webstore. iec. ch " dans les données
relati ves à la pu bl ication recherchée. A cette date, l a publication sera
• recon du ite,
• su pprimée,
• remplacée par u ne édition révisée, ou
• amendée.
– 34 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
I NTRODUCTI ON
Les mesu res des résistances et les calcu ls afféren ts des résistivi tés font partie des objecti fs
fondamen tau x des techniques de mesure électriqu e de m ême que les mesu res de tension et
de cou rant.
La résisti vité est l a caractéristi qu e électrique qu i a la plag e la plu s l arge; elle s'étend su r
qu elqu e tren te ordres d'amplitude, du m étal le plu s condu cteu r au x i solateurs presque
parfaits.
La base est la loi d'Oh m , et el le est valable pour le couran t conti nu et les valeurs
instan tanées du cou ran t alternati f dans les condu cteu rs par électrons (métau x, carbone, etc. ) .
Les val eurs des mesu res de résistance à l'ai de du cou rant al ternati f peu ven t être i nflu encées
par la réactance indu ctive/capaci ti ve, en fonction de la fréqu ence. De ce fait, les N ormes
nationales et i nternationales traitan t de mesures de résistance des matériau x sol ides exig en t
norm alem ent l'appl ication de cou ran t con ti nu .
La plu part des matériau x non métal li qu es tels qu e le plastiqu e son t classés parmi les
pol ymères et les con ducteu rs d'ions. Le transport de charges peu t être dépen dan t de
l'in tensité du champ él ectriqu e appliqu ée pendan t l a m esure. H ormis le couran t de mesu re, il
existe u n cou ran t de charg e qu i polari se et/ou charg e él ectrostatiqu ement l e m atériel, i ndiqu é
par u ne décroissance asym ptotiqu e du cou ran t de mesu re avec l e temps, et qu i est l a cau se
d'u n ch ang em ent apparen t de la résistance. Si cet effet est observé, i l est recomm an dé de
renou veler la mesu re i mm édiatement après écoul emen t d'u n l aps de temps d'application de la
tensi on défini , en u til isan t l a polari té in verse pour le cou ran t de mesure et en établ issan t la
m oyenne des deu x valeurs obtenues.
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 35 –
ÉLECTROSTATIQUE –
Partie 2-3: Méthodes d'essais pour la détermination de
la résistance et de la résistivité des matériaux solides
destinés à éviter les charges électrostatiques
1 Domaine d'application
Cette partie de l'I EC 61 340 décrit l es méthodes d'essai permettan t de déterminer la
résistance électrique et la résisti vi té des matériau x solides u ti lisés pou r éviter les ch arges
électrostatiqu es, pou r l esquels la résistance mesu rée se trou ve dans la plage compri se en tre
1 0 4 Ω et 1 0 1 2 Ω .
El l e prend en compte l es normes I EC/I SO existantes et au tres pu bl ications applicables. Elle

fou rn it aussi des recomman dations et des li gnes directrices su r la méthode appropriée.
2 Références normatives
Les docu men ts su i van ts son t ci tés en référence de m anière normati ve, en in tégral ité ou en
partie, dans le présen t docum en t et son t indispensabl es pou r son appl ication . Pou r les
références datées, seu le l’édi tion ci tée s’appl ique. Pour les références non datées, la
dern ière édi tion du docu men t de référence s’appliqu e (y compris les éventu els
amendements) .
I EC 62631 -3-1 , Propriétés diélectriques et résistives des matériaux isolants solides –

Partie 3-1 : Détermination des propriétés résistives (méthodes en courant continu) –
Résistance transversale et résistivité transversale – Méthode générale
I EC 62631 -3-2, Propriétés diélectriques et résistives des matériaux isolants solides –

Partie 3-2: Détermination des propriétés résistives (méthodes en courant continu) –
Résistance superficielle et résistivité superficielle
I EC 62631 -3-3, Propriétés diélectriques et résistives des matériaux isolants solides –

Partie 3-3: Détermination des propriétés résistives (méthodes en courant continu) –
Résistance d'isolement
I SO 1 853, Conducting and dissipative rubbers, vulcanized or thermoplastic – Measurement of

resistivity (dispon ible en ang lais seu lemen t)
I SO 2951 , Rubber, vulcanized or thermoplastic – Determination of insulation resistance

(disponible en ang l ais seu l em ent)
I SO 391 5, Plastiques – Mesurage de la résistivité des plastiques conducteurs
I SO 761 9-1 , Caoutchouc vulcanisé ou thermoplastique – Détermination de la dureté par

pénétration – Partie 1 : Méthode au duromètre (dureté Shore)
3 Termes et définitions
Pou r l es besoins du présent docu m en t, les term es et défin i tions sui van ts s'appl iquen t:
– 36 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
3. 1
él ectrod e
conducteu r de forme, de tail le et de con fig uration défini es en con tact avec les éprou vettes
sou m ises à la mesure
3. 2
rési stance
R
rapport d'u ne tension en couran t continu (V) appliquée en tre deu x poin ts et du cou ran t en
rég ime établi (A) en tre les deu x poin ts
N ote 1 à l 'arti cl e: La rési stan ce est expri m ée en oh m s.
3. 3
rési stance d e m ise à la terre
Rg
résistance m esu rée entre u ne électrode placée su r la surface d'u ne éprou vette d'essai et u ne
terre locale
N ote 1 à l 'arti cl e: La rési stan ce de m i se à l a terre est expri m ée en oh m s.
3. 4
rési stance d e point de m i se à la terre
Rg p
résistance mesurée en tre un e électrode placée su r la su rface d'u ne éprou vette d'essai et u n
point de mise à la terre fi xé su r l 'éprou vette d'essai
N ote 1 à l 'arti cl e: La rési stan ce de poi n t d e m i se à l a terre est expri m ée en oh m s.
3. 5
rési stance point à poin t
R pp
résistance m esu rée en tre deu x électrodes placées à u ne distance spéci fi ée l 'u n e de l'au tre
su r la même su rface d'u n e éprou vette d'essai
N ote 1 à l 'arti cl e: La rési stan ce poi n t à poi n t est expri m ée en oh m s.
3. 6
rési stance su perfi ci el le
Rs
résistance mesurée en tre u ne électrode en forme de disque cen tral et une électrode en form e
d'anneau concentriqu e au tou r de la précéden te, placées su r la su rface d'u n e éprou vette
d'essai
N ote 1 à l 'arti cl e: La rési stan ce su perfi ci el l e est expri m ée en oh m s.
3. 7
rési sti vi té su perfici el le
ρs
résistivi té équ i val en te à la résistance su perficiel le d'u n e su rface carrée dotée d'électrodes
au x deu x côtés opposés
N ote 1 à l 'arti cl e: L'u n i té SI d e l a rési sti vi té su perfi ci el l e ( Ω ) est parfoi s d ési g n ée Ω /sq (oh m s par carré) , afi n d e
d i sti n g u er l es val eu rs d e rési sti vi té d es val eu rs d e rési stan ce. Tou tefoi s, l 'u ti l i sati on d e Ω /sq est d écon sei l l ée car
el l e peu t su g g érer u n e rési stan ce par su rface u n i tai re, ce q u i est i n correct.
3. 8
rési stance tran sversale
Rv
résistance m esu rée entre deu x électrodes placées sur l es surfaces opposées d'u ne
éprou vette d'essai
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 37 –
N ote 1 à l 'arti cl e: La rési stan ce tran sversal e est expri m ée en oh m s.
3.9
résistivité transversale
ρv
rapport d'u ne in tensi té de ch amp en cou ran t con tinu (V/m) et de la densi té du cou rant en
rég ime permanen t (A/m 2 ) dans le matéri au
N ote 1 à l 'arti cl e: En prati q u e, i l est équ i val en t à l a rési stan ce tran sversal e d 'u n cu be d e l on g u eu r u n i tai re, ayan t
d es él ectrod es au x d eu x su rfaces opposées.
N ote 2 à l 'arti cl e: La rési sti vi té tran sversal e n 'est pas u n e caractéri sti q u e appropri ée pou r l es m atéri au x
él ectri q u em en t n on h om og èn es.
N ote 3 à l 'arti cl e: La rési sti vi té tran sversal e est expri m ée en oh m m ètres.
4 Environnement d'essai et de conditionnement

Le com portement électrostati qu e des matéri au x est i n flu encé par les con di tions
en vi ron nemen tales tel les que la températu re et l'h um idi té relative.
C'est pourqu oi les mesu res doivent être exécu tées dans des con ditions con trôlées. La
sélection des con ditions appropri ées pou r les essais doi t être décidée en fonction du type de
matériau (spéci fication de produ i t) et de l'application prévue, sur la base des conditions les
plu s sévères su sceptibles d'in terven ir à l'u sag e (par exem ple, hu m idi té l a plus faibl e et
hu m idi té la plus él evée) .
Sau f accord con traire, l'atmosphère pou r le condi ti onn em en t et les essais doit être de
(23 ± 2) °C de températu re et de (1 2 ± 3) % d'h u mi dité relative, et le temps de
condi ti onn em en t avan t les essais doi t être de 24 h au moins.
S'i l est nécessaire de véri fier qu e l a résistance mesu rée n 'est pas in férieure à u ne limite
mini mu m , un essai su pplémen taire dans des condi tions de forte hu m idité doi t être effectu é.
Sau f accord con traire, l 'atm osphère pou r le condi tion nemen t et l es essais dans des con di tions
de forte hu mi dité doi t être de (23 ± 2) °C de tem pérature et de (60 ± 1 0) % d'hu m idi té relati ve,
tandis qu e le temps de condi ti onn em en t avan t les essais doi t être de 24 h au m oins.
Sau f spéci fication contraire, l es éprou vettes doi ven t n ormalemen t être con ditionnées et
mesu rées sous le même cli mat. Le précondi tion nement peu t toutefois être nécessaire afin
d'élim iner les effets de con trainte apparaissan t après le procédé de m ou lage de certains
matériau x en pl asti que ou en tan t qu e trai tement de séchag e avant le débu t de la procédu re
d'essai . Le précon ditionnemen t s'effectu e normalemen t dans u n en vironnemen t di fféren t.
Les dispositi fs adéqu ats son t les su i van ts: u n dessiccateu r dans un fou r ou un e ch am bre
cli matiqu e, de préférence équ ipés de circu lation et d'échan ge forcés d'air.
5 Sélection de la méthode d'essai

Pou r les matériau x planai res, la procédu re su ivante doi t être u tilisée en vu e de la sélection de
la méth ode d'essai :
a) si l a plag e de la résistance él ectri qu e d'u n matéri au est connu e, u tiliser l'article applicable
(Article 6, 7, 8 ou 1 0) , où fig ure la liste des n orm es appropri ées ou bi en l a description des
m éthodes;
b) pou r u n matéri au de rési sti vité in iti alemen t n on connu e, comm encer les m esu res à l'aide
des m éthodes pou r matéri au x condu cteurs con formémen t à l'Article 6.
Si la mesure n 'est pas possible ou si le résu l tat obten u excède la plag e donn ée pou r
l'application de la m éthode d'essai, el le doi t être considérée comme in adéqu ate et le résu l tat
– 38 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
ne doit pas être pris en compte. La m esure doit être renou vel ée conformémen t à l 'Arti cle 8 ou
à l'Article 1 0 pou r les matériau x dissipati fs électrostati qu es. Si la si tu ation décri te ci -dessu s
se produ i t de nou veau , la mesu re doi t être renou velée conformément à l 'Article 7 pour les
matériau x isolan ts.
Pou r les m atéri au x non planaires et l es produ its dont l es stru ctu res son t trop peti tes pou r
perm ettre d'u tiliser les ensem bl es d'électrodes décrits en 8. 2, l a méth ode décri te à l 'Article 1 0
doi t être u til isée.
Si l e résu l tat de l a m esu re réal isée à l'aide de la méthode décrite à l'Article 1 0 est i n férieu r
à 1 0 4 Ω ou su périeur à 1 0 1 2 Ω , et si la forme ou l es dim ensions du m atériau à l'essai
n 'au torisen t pas les mesu res selon l 'Articl e 6 ou l'Article 7, le résu ltat de l 'essai doit être
i ndiqué sous la forme " < 1 0 4 Ω " ou " > 1 0 1 2 Ω ".
6 M e s u re s d e l a rés i s ta n c e d e s m a t é ri a u x c o n d u c te u rs s o l i d e s
La résistance des m atéri au x condu cteu rs soli des (non m étalliques) doi t être m esu rée
con formémen t à l 'I SO 391 5 pou r les plastiqu es, ou à l 'I SO 1 853 pou r les élastomères. Si la
résistance m esu rée est su péri eu re ou égale à 1 0 4 Ω , u til iser les méth odes décri tes au x
Articl es 7, 8 ou 1 0.
7 M e s u re s d e l a rés i s ta n c e d e s m a t é ri a u x i s o l a n t s s o l i d e s
La résistance des matériau x isolan ts solides doi t être mesu rée con formémen t à
l'I EC 62631 -3-1 , l 'I EC 62631 -3-2 ou l'I EC 62631 -3-3 pou r les plastiqu es, et à l 'I SO 2951 pou r
les élastom ères.
8 M es u res d e rés i stan c e d e m a téri a u x d i s si p ati fs é l ectro s tat i q u es pl an ai res
( d esti n és à évi ter l a c h a rg e él ec tro stati q u e)
8. 1 I n stru m en tati o n
8. 1 . 1 G én é ral i t és
L'instru men tation peu t comprendre soi t u ne alimen tation continu e et u n ampèremètre, soi t u n
instru men t in tégré (ohmmètre) . Les rég lemen tati ons de sécu ri té nationales doi ven t être
respectées.
8. 1 . 2 I n stru m en tati on u t i l i s é e p o u r l e s é va l u a t i o n s e n l a b o ra t o i re
La tension de sortie en ch arg e doit s'élever à (1 00 ± 5) V pou r les m esu res de 1 × 1 06 Ω et

su périeu res, et à (1 0, 0 ± 0, 5) V pou r cel les in féri eu res à 1 × 1 0 6 Ω .
Si un ohmm ètre est u ti l isé, les relevés doivent être possibles au moins de 1 × 1 03 Ω à
1 × 1 0 1 3 Ω , avec u n e précision de ± 1 0 %.
Si u n e alimen tation con tin ue et un am pèremètre son t u ti lisés, l es lectures doiven t être
possi bl es au m oins de 1 0 pA à 1 0 mA. La précision combinée de l'alimen tati on con tin u e et de
l'ampèremètre doi t être de ± 1 0 %.
8. 1 .3 I n stru m en tati on u ti l i s ée po u r l es es sai s d ' appro bati o n
U n e instru men tation pou r l es évaluati ons en laboratoire ou u n e instru men tati on respectan t les
exig ences su i van tes doit être u tilisée pour les essais d'approbati on .
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 39 –
La tension de circu it ou vert doit s'élever à (1 00 ± 5) V pour les mesu res de 1 × 1 06 Ω et

su périeu res, et à (1 0, 0 ± 0, 5) V pou r cel les in féri eu res à 1 × 1 0 6 Ω .
Si un ohmm ètre est u ti l isé, les relevés doivent être possibles au moins de 1 × 1 03 Ω à
1 × 1 0 1 3 Ω , avec u n e précision de ± 20 %.
Si u ne alimen tation contin u e et u n ampèremètre sont u ti lisés, les relevés doiven t être
possi bl es au m oins de 1 0 pA à 1 0 mA avec un e précision de ± 20 %.
En cas de l iti g e, l 'i nstru men tati on pour les évalu ations en laboratoire doi t être u til isée.
8.1 .4 Instrumentation utilisée pour la vérification de la conformité (essais

périodiques)
U n e instru men tation respectan t l es exig ences relati ves au x évaluations en laboratoire ou au x
essais d'approbati on , ou u ne instru men tation respectan t les exig ences su ivan tes doi t être
u ti lisée.
L'instru men tation u tilisée pou r l a véri fication de l a con form i té doit être capabl e d'effectu er des
m esu res d'un ordre d'am pli tu de au -dessus et au -dessous de la plag e de mesu re prévu e. La
tensi on de sorti e de l'instru men tation u ti l isée pour la vérification de la con form ité peut varier
de cel le de l 'instru men tation u ti lisée pour les évalu ations en laboratoire ou pou r les essais
d'approbation , et peu t être défin ie en charg e ou en circu it ou vert. L'instru men tation u ti lisée
pou r la véri fi cation de l a conformi té doit être vérifiée par rapport à l'instru men tation u ti l isée
pou r l es évalu ati ons en l aboratoire ou pou r l es essais d'approbation afin de s'assu rer de la
corrélation en tre l es résul tats de mesu re.
En cas de l itig e, l 'i nstrum en tati on pou r les essais d'approbation ou pou r l es évalu ations en
laboratoire doit être u til isée.
8.2 Ensembles d'électrodes

8.2.1 Généralités
Les électrodes doi ven t comprendre u n matériau permettan t u n con tact in time avec la su rface
de l'éprou vette et n'introdu isan t au cune erreur sig n ificative du fait de la résistance de
l'él ectrode ou de la con tamination de l'éprou vette. Le matériau de l'électrode doit être
résistan t à la corrosion dans des condi tions d'essai et n e doit cau ser au cu n e réaction
ch i mi que avec le matériau à l'essai.
Les ensembles décri ts dans l es parag raphes ci-après sont recommandés, mais d'au tres
con fi gu rations répondan t au x N orm es nationales et in ternationales peu ven t au ssi être
u tilisées, si applicables. En particu l ier, pour les m esu res de la résistance transversale des
matériaux di ssipati fs électrostatiques, il est im portant que les son des appliquées de type
anneau gardé con tien nen t u n espace su ffisan t en tre l 'électrode de con tact (g arde) à an neau
et l 'électrode cen tral e (de m esu re) , et ce afi n de rédui re le plu s possible les courants de fu ite
qu i faussent les lectu res. I l est recommandé qu e l'in tervall e g soit au m in i mu m de 1 0 mm. En
cas de litig e, l es ensembles décri ts dans cette norme doi ven t être appliqués.
8.2.2 Ensemble pour la mesure de la résistance de surface

L'ensembl e d'électrodes (sonde 1 ) con ti en t un disque central et u n an neau concen triqu e
au tou r de ce dern ier en matériau x condu cteurs qui établissen t le contact avec le matériau à
l 'essai (voir Fi gu re 1 ) . La masse totale de l'ensem ble d'électrodes doit être de (2, 5 ± 0, 25) kg.
Le m atériau de l a su rface de con tact doit avoir u n e résistance transversal e inférieure à 1 0 3 Ω

au m oment de l 'essai su r u ne plaqu e de métal inoxydable non corrosive (sans alu m in iu m)
u ti lisée comm e con tre-électrode en appliqu ant (1 0, 0 ± 0, 5) V, et doi t avoir u ne dureté Shore A
de 50 à 70 au momen t de l'essai réali sé con formémen t à l'I SO 761 9-1 .
– 40 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
Les m atériau x isolan ts u ti lisés dans l'ensemble d'électrodes doivent posséder une résistance
su perficiell e et/ou transversale su périeu re à 1 0 1 3 Ω au momen t de l'essai réalisé
con formémen t à l 'I EC 62631 -3-1 et/ou l'I EC 62631 -3-2 respecti vemen t.
Le m atériau à l 'essai doi t être placé su r u n su pport isolant conforme à l a description fou rnie
en 8. 2. 5.
Dimensions en millimètres
Câbl e d 'i n stru m en tati on
M asse total e
(2, 5 ± 0, 25 kg )
Fi l i sol é
(> 1 01 3 Ω)
I sol ateu r
(> 1 01 3 Ω)
Base d e m on tag e
d 'él ectrodes m étal l i q u es
El ectrod es
con d u ctri ces
(sh ore A: 50 à 70
épai sseu r type 3 m m )
30, 5 ± 1
57 ± 1 3 ± 0, 5
Son d e 1
IEC
Figure 1 – Exemple d'ensemble pour la mesure

de la résistance superficielle et transversale
8.2.3 Ensemble pour la mesure de la résistance transversale

L'ensem bl e est constitué de deu x électrodes placées su r ch aqu e côté du m atériau à l 'essai
(voir Fi gu re 4) . L'ensemble d'électrodes du hau t (sonde 1 ) doi t être con forme à l a descri ption
fou rn ie en 8. 2. 2 et à la Fig u re 1 .
L'électrode du bas (sonde 2) doi t être u ne pl aqu e de métal i noxydable, n on corrosive (sans
alu m in iu m ) et su ffisamm ent larg e pour supporter l 'éprou vette à l'essai. La sonde 2 doit être
équ ipée d'un e borne de connexion perm anente (par exemple, un trou de fiche ou u n
connecteu r riveté) . I l convi en t de n e pas u til iser de pinces crocodil e.
I l con vien t qu 'elle soi t placée sur un su pport isolant con forme à l a description fou rn ie en 8. 2. 5
avan t l'essai, ou qu 'el le soit équ ipée de pieds fou rnissan t une isolation équ i val en te.
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 41 –
8.2.4 Ensemble pour la mesure de résistance à la terre/résistance du point de mise à

la terre et point à point
L'ensem bl e est consti tu é d'un e électrode (résistance à la terre /poin t de m ise à l a terre) ou de
deu x électrodes (résistance point à poi n t) (sonde 3) contenan t u n disqu e fai t d'u n m atériau
condu cteu r qu i établ it le con tact avec le matériau à l'essai (voir Fig u re 2) . La masse total e de
l'ensemble d'électrodes doit être de (2, 5 ± 0, 25) kg .
Le matériau su perficiel de con tact doi t être su ffisamm en t condu cteu r pou r qu e les deu x
sondes pl acées su r un e su rface m étal li qu e (par exem pl e, son de 2) ai ent u n e résistance point
à poin t de m oins de 1 0 3 Ω au momen t de l 'essai avec (1 0, 0 ± 0, 5) V, et doit avoir u ne du reté
Sh ore A de 50 à 70 au mom en t de l'essai selon I SO 761 9-1 .
Les m atériau x isol an ts utilisés dans l 'ensemble d'électrodes doi ven t posséder u ne résistance
su perficiell e et/ou transversale su périeure à 1 0 1 3 Ω au momen t de l'essai réalisé
con formémen t à l 'I EC 62631 -3-1 et/ou l'I EC 62631 -3-2 respecti vemen t.
Le m atériau à l 'essai doi t être placé su r u n su pport isolant conforme à l a description fou rnie
en 8. 2. 5.
Câbl e d 'i n stru m en tati on

M asse total e
(2, 5 ± 0, 25 kg )
Fi l i sol é
(> 1 01 3 Ω)
I sol ateu r
(> 1 0 1 3 Ω)
Base d e m on tag e
d 'él ectrodes m étal l i q u es
El ectrod e con du ctri ce

(sh ore A: 50 à 70
épai sseu r type 3 m m )
63, 5 ± 1
Son d e 3
IEC
Figure 2 – Exemple d'ensemble pour la mesure de la résistance

à la terre/point de mise à la terre et résistance point à point
– 42 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
8.2.5 Support d'essai

Le matéri au doit être soum is à l'essai su r un su pport plat et l isse don t la résistance
su perficiell e est supéri eu re à 1 × 1 0 1 3 Ω , mesu rée selon l 'I EC 62631 -3-2. La tail le doit être
su périeu re de 1 0 mm au moins en l ong ueu r et en larg eu r comparée à celle de l'éprou vette
d'essai. L'épaisseur m in im ale doit être de 1 mm.
8.3 Préparation et traitement des échantillons

Se référer au x spéci fications de matéri au x applicables pou r les instru cti ons d'échan tillon nag e.
Les éprou vettes ne doi ven t pas être traitées ou m arquées su r des surfaces su r lesqu elles l es
mesures son t effectuées. Si les su rfaces su r lesquelles les él ectrodes établissen t u n con tact
on t été trai tées de nou veau , cette opération doit fi gu rer dans le rapport d'essai. Lorsqu e la
résistance su perficiell e doi t être mesu rée, l a su rface ne doi t pas être nettoyée, sau f accord ou
spécification con traire. S'ag issan t de l 'application des él ectrodes, ainsi qu e du traitement et
du montag e des éprou vettes pou r les mesu res, il est nécessaire de faire en sorte de lim i ter la
possibil i té de création de ch em ins de fu ite qu i peu ven t affecter défavorablemen t les résu ltats
d'essais.
Les éprou vettes doi vent, de préférence, posséder u ne form e g éométri qu e simple sous la
forme de feui lles avec u ne tail le d'au moins 80 mm × 1 20 m m ou un di amètre de 1 1 0 m m.
Si au cu n au tre règ lemen t n 'est imposé, un m in im u m de trois éprou vettes représen tati ves du
matériau d'éprou vette doi t être préparé. La su rface à l'essai doi t être clairement marquée ou
identifiée d'u ne au tre manière.
8.4 Procédures d'essai

8.4.1 Mesures de résistance superficielle
L'ensembl e d'él ectrodes décrit en 8. 2. 2 est connecté à l'instru men tati on (voir Fi gu re 3) .
L'éprou vette doit être placée su r le su pport d'essai avec la su rface à sou mettre à l'essai vers
l e h au t. L'ensem ble d'él ectrodes est alors m is en posi tion sur l e centre approximatif de
l 'éprou vette ou à u ne distance d'au m oins 1 0 mm des bords.
El ectrod e cen tral e (son d e 1 )
El ectrod e en an n eau (son de 1 )
Su pport
Eprou vette
IEC
Figure 3 – Connexions de base des électrodes pour

les mesures de résistance superficielle
M ettre sous tensi on l'instrumen tation à (1 0, 0 ± 0, 5) V et consi gn er le relevé après (1 5 ± 1 ) s,
sau f spéci fication contraire. Si la résistance indiqu ée est in férieu re à 1 , 0 × 1 0 6 Ω , reporter l a
valeur et passer à l'éprou vette su i van te. Si la résistance indiqu ée est ég ale ou supérieu re à
1 , 0 × 1 0 6 Ω , m ettre l'instru mentation hors tension et renou vel er la procédu re en u ti lisant
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 43 –
(1 00 ± 5) V. Consig ner l a résistance indiqu ée après la période d'application de l a tension

détermi née en A. 1 . 2.
8.4.2 Mesures de résistance transversale

Les ensembles d'électrodes décrits en 8. 2. 2 son t connectés à l 'instru men tation (voir
Fi gu re 4) . L'électrode du bas (sonde 2) est alors placée d'abord sur le su pport d'essai et
l'éprou vette est posée dessu s. Ensu ite, l'él ectrode du h au t (sonde 1 ) est m ise en posi ti on su r
le cen tre approximati f de l'éprou vette ou à u ne di stance d'au m oins 1 0 mm des bords.
El ectrod e cen tral e (son d e 1 )
El ectrod e en an n eau (son d e 1 )
Su pport Eprou vette

El ectrod e (son d e 2)
IEC
Figure 4 – Connexions de base des électrodes pour

les mesures de résistance transversale
Mettre sous tension l'instru men tation à (1 0, 0 ± 0, 5) V et consi g ner le relevé après (1 5 ± 1 ) s,
sau f spécification con traire. Si la résistance indiqu ée est in férieu re à 1 , 0 × 1 0 6 Ω , reporter la
valeur et passer à l'éprou vette su i van te. Si la résistance indiqu ée est égale ou supérieu re à
1 , 0 × 1 0 6 Ω , m ettre l 'i nstru men tation hors tension et renou veler la procédu re en u ti lisan t
(1 00 ± 5) V. Consig ner l a résistance indiqu ée après la période d'appl ication de la tension
détermi née en A. 2. 2.
S'i l est exig é u ne évalu ation de la résistivi té transversale, l'épaisseu r moyenn e h de ch aqu e
éprou vette doit être détermi née avant tou te mesu re, d'après les instructi ons données dans l a
spéci fication de produ it applicabl e.
8.4.3 Mesures de résistance de point de mise à la terre

8.4.3.1 Mesures sur des éprouvettes de laboratoire
Les éprou vettes d'essai doiven t être équ ipées d'u n poin t de connexion à la terre représentatif.
Pl acer l'éprou vette d'essai sur le support d'essai avec la surface à sou mettre à l 'essai vers le
h au t. Connecter un ensemble d'électrodes (sonde 3) su r la su rface de l 'éprou vette de sorte
que l e cen tre de l'ensem ble d'él ectrodes se trou ve à u ne di stance minim ale de 50 m m des
bords ou du poi nt de m ise à la terre u tilisé (voir Fig ure 5) . Connecter l'ensem bl e d'électrodes
à u ne connexion de l'instrumentation et le poin t de m ise à la terre à l'au tre conn exion.
M ettre sous tensi on l'instrumentation à (1 0, 0 ± 0, 5) V et consign er le relevé après (1 5 ± 1 ) s si

l a résistance in diqu ée est in férieu re à 1 , 0 × 1 0 6 Ω. Passer alors à la position su ivan te ou à
l 'éprou vette su i van te. Si la résistance in diquée est su périeure ou ég ale à 1 , 0 × 1 0 6 Ω, mettre
l'instru m en tation hors tension et répéter l a procédure en u tilisant (1 00 ± 5) V.
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Poi n t d e m i se à
l a terre
50 m i n .
Eprou vette 50 m i n .
El ectrod e (son d e 3)
Su pport
IEC
Fig u re 5 – Princi pe de la mesu re de résistance du poi nt de mise à la terre
8.4.3.2 Mesures sur des matériaux instal lés

Connecter u n ensemble d'électrodes (sonde 3) su r la su rface de l 'éprou vette à une distance
m ini male de 50 m m des bords ou du poi n t de mise à la terre u ti lisé (voir Fi gu re 5) . Connecter
l'ensemble d'électrodes à u ne connexion de l 'i nstru men tation et le poi nt de m ise à la terre à
l'au tre connexion .
M ettre sous tensi on l'instru men tation à (1 0, 0 ± 0, 5) V et consig n er le relevé après (1 5 ± 1 ) s si

l a résistance in diqu ée est in férieure à 1 , 0 × 1 0 6 Ω. Passer alors à la position su i van te ou à
Certains instru men ts de mesu re peu ven t exig er u n système de connexion d'essai particul ier
pou r réaliser correctement les mesu res de m ise à la terre. I l convien t qu e le conducteu r de
l'équ ipemen t m is à la terre soit isol é du conducteu r de mesu re. De plu s, la connexion d'essai
à fort poten ti el peu t exig er d'être raccordée au poin t de conn exi on à l a terre du système à
l'essai. Consu l ter les i nstructions du fabrican t de l 'instru men t pou r l'instal l ation des
connexions d'essai .
8.4.4 Mesures de rési stance point à point

Connecter deu x ensem bles d'électrodes (sondes 3) décri ts en 8. 2. 4, à l'instrumentation .
L'éprou vette doit être placée su r le su pport d'essai avec la su rface à sou mettre à l'essai vers
l e hau t. Les son des doi ven t al ors être placées sur la su rface de l'éprou vette selon u ne
posi tion spécifiée ou , si applicable, selon u n au tre ch oix de position , à u ne distance m ini male
de 250 m m de l eurs axes lon gi tu dinau x et d'au m oins 50 mm des bords de l 'éprou vette (voir
Fig u re 6) .
M ettre sou s tensi on l'instrumentation à (1 0, 0 ± 0, 5) V et consign er le relevé après (1 5 ± 1 ) s si

la résistance indiqu ée est inférieure à 1 , 0 × 1 0 6 Ω. Passer alors à la position su i van te ou à
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 45 –
Eprou vette
El ectrod e
(son d e 3)
El ectrod e
(son d e 3)
250 m i n .
Su pport
IEC
Figure 6 – Principe des mesures point à point
9 Conversion en valeurs de résistivité

9.1 Résistivité superficielle ρ s
U til iser la formu le su i van te selon la Fig u re 7:
ρ s = 2 π R s / log e ( d2 /d1 )
·
d2 = d1 + 2 g
où
ρ s est la résistivité su perficiel le ( Ω);
Rs est la résistance su perficiell e m esu rée ( Ω);
d1 est le diam ètre de l'électrode de con tact cen trale (m) ;
d2 est le diam ètre in térieu r de l 'électrode de con tact extéri eure en anneau (m) ;
g est la distance (l 'i n terval le) en tre les électrodes de con tact (m) .
9.2 Résistivité transversale ρ v
U til iser la formu le su i van te selon la Fig u re 7:
ρ v = R v ( d1 ) 2 · π / 4 h
où
ρ v est la résistivité transversale ( Ω m) ;
R v est la résistance transversale m esu rée ( Ω);
d1 est le diam ètre de l'électrode de con tact cen trale (m) ;
h est l'épaisseu r de l'éprou vette (m) .
– 46 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
El ectrod e cen tral e

d1
g El ectrod e en
an n eau
Eprou vette
Su pport
d1
IEC
Figure 7 – Configuration relative à la conversion
en résistivité superficielle ou transversale
1 0 Mesures de résistance de matériaux et produits non planaires à petites

structures
1 0.1 Considérations générales
Cette méth ode est recom mandée pou r les essais d'élémen ts dont l es su rfaces son t de forme
i rrégu lière. Les confi g u rations con ven tion nell es d'él ectrodes en forme d'an neau x
concentri qu es et de barres paral lèles sont u ti lisées pour les essais d'éléments planaires
seu l em en t. Tou tefois, la pl upart des élémen ts d'em bal lag e ne son t pas planaires. C'est le cas,
par exemple, des tu bes d'expédi tion , des plateaux d'expédition , des bacs de manu ten tion et
des ban des de support. Cette son de emploie des ressorts pou r appliqu er une pression de
con tact con tinu e en tre l'électrode et l'él émen t. La force créée par les ressorts peu t varier du
fai t de l'usu re, de la con tami nation et de la tolérance de fabrication . Cette variation est
acceptabl e pour cette applicati on . Les él ectrodes en él astomère compensen t les su rfaces
irrég u li ères des élémen ts. Ces caractéristiques produ isent des résu ltats homogèn es en tre les
laboratoires et les opérateu rs d'essai .
1 0.2 Equipement
1 0.2.1 Sonde
Voir Tableau 1 et Fig u re 8.
Cette sonde à deu x poin ts est consti tu ée d'u n corps métal liqu e isolé et d'u n isolateu r en
pol ytétraflu oroéth ylène (PTFE) inséré à chaque extrém ité. U n isol ateu r contien t des cordons
d'essai ; l 'au tre conti ent des embases qu i accu eil len t des broch es à ressort. U ne embase est
en tou rée d'u n isolateu r cyl indrique, l u i-même entou ré d'u ne protecti on m étall iqu e. Les
broch es sont plaquées or et ont u ne force de ressort de (4, 6 ± 0, 5) N su r u n e cou rse de
(4, 3 ± 0, 1 ) m m . Les em bou ts des broch es son t u sin és pour accepter des électrodes à
aju stem en t serré en caou tchouc condu cteur d'u n diam ètre de (3, 2 ± 0, 1 ) mm . Le caou tch ouc
a une du reté Sh ore A au du romètre de 50 à 70 (voir l'I SO 761 9-1 ) . Les électrodes on t u ne
lon gu eur de (3, 2 ± 0, 1 ) m m . Le matéri au de l'électrode doi t être su ffi samment conducteu r
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 47 –
pou r qu e même en cas d'essai sur u ne plaqu e de métal i noxydable n on corrosive (sans
alu m in iu m ) , la résistance poi n t à point soi t in férieu re à 1 0 3 Ω à (1 0,0 ± 0, 5) V.
Le Tableau 1 don ne la liste des principau x composan ts de l a Fig ure 8.
Tableau 1 – Matériau pour une sonde à deux points

Articl e Détai l Exemple a
I sol an ts en En vi ron 25, 4 m m d e l on g u eu r et 1 2, 7 m m d e d i am ètre

PTFE
Bl i n d ag e pou r Tu be m étal l i q u e d 'en vi ron 31 , 8 m m de l on g u eu r et
él ectrode 4, 75 m m d e di am ètre
I sol ateu r PTFE th erm orétractabl e ou au tre i sol ateu r
d 'él ectrode
Em bases Em base – avec fû t à sou d er I n tercon n ect Devi ces I n c. , R-5-SC
Broch es La force des broch es à ressort est d e (4, 6 ± 0, 5) N su r I n tercon n ect Devi ces I n c. , S-5-F-1 6. 4-G
u n e cou rse d e (4, 3 ± 0, 1 ) m m ; em bou t u si n é pou r
accepter l 'él ectrod e
El ectrod es M atéri au m étal l i q u e con d u cteu r (3, 2 ± 0, 1 ) m m d e Van g u ard Produ cts, VC-781 5
l on g u eu r, (3, 2 ± 0, 1 ) m m de d i am ètre, d u reté Sh ore A
au d u rom ètre en tre 50 et 70 (I SO 761 9-1 )
N OTE Cette l i ste de m atéri au x pou r l a fabri cati on d es son des n 'a pas vocati on à être com pl ète, m ai s el l e fou rn i t
l es pri n ci pau x él ém en ts n écessai res à l a reprod u cti on d es perform an ces. Voi r Fi g u re 8 pou r l e pl acem en t d es
pi èces.
a Les pi èces d e cette l i ste son t d es exem pl es d e prod u i ts ad aptés d i spon i bl es d an s l e com m erce. Cette
i n form ati on est d on n ée à l 'i n ten ti on d es u ti l i sateu rs d u présen t d ocu m en t et n e sau rai t con sti tu er u n
en g ag em en t de l 'I EC à l 'ég ard d e ces prod u i ts. Des prod u i ts éq u i val en ts peu ven t être u ti l i sés s'i l est
d ém on tré q u 'i l s con d u i sen t au x m êm es résu l tats.
– 48 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
Pièces composant
la sonde
Son d e Con n exi on s
Di m en si on s d 'él ectrod e I sol an t en

PTFE
Bl i n d ag e
pou r
él ectrode
3, 2 3, 2
±0, 1
3, 2 ±0, 1
I sol ateu r
Dimensions en millimètres d 'él ectrode
El ectrod es et broch es
Em bases
3, 2 ±0, 1
I sol an t en
Dimensions en millimètres PTFE
I sol an t
El ectrod e bl i n dée d u corps Corps
Broch es
I sol an t en Ph oto
PTFE
El ectrod es
N OTE La tai l l e et l a form e du corps

d e l a son d e n e son t pas d es d on n ées
Bl i n d ag e pou r essen ti el l es d e l a m esu re et peu ven t
él ectrode I sol ateu r Em bases vari er
d 'él ectrode
IEC
Figure 8 – Configuration d'une sonde à deux points
1 0.2.2 Surface de support des échantillons
U n e su rface isolante, lorsqu 'elle est u tilisée comme support d'éprou vette, doi t avoir une
résistance su perficiell e su périeu re à 1 × 1 0 1 3 Ω , mesurée selon l 'I EC 62631 -3-2.
1 0.2.3 Appareil de mesure de résistance

U n appareil de m esu re de résistance tel qu e spécifié en 8. 1 doi t être u ti lisé.
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 49 –
N OTE U n apparei l de m esu re d e sorti e con stan te tel q u e spéci fi é en 8. 1 . 2 a été u ti l i sé pou r col l ecter tou tes l es
d on n ées perm ettan t d e val i der cette m éth od e d 'essai n orm al i sée. Les don n ées n 'on t pas été col l ectées pou r
val i d er l a con fi g u rati on de cet éq u i pem en t.
1 0.2.4 Cordons d'essai

Des cordons d'essai appropriés à l'apparei l de mesure son t requ is. U n cordon blindé rel iant le
corps de la son de à l'instru men t rédu ira sensiblement les in terférences électriqu es (voir
Fi gu re 9) .
N OTE Les m esu res servan t à l a val i d ati on de cette m éth ode d 'essai on t été réal i sées à l 'ai d e d 'u n cord on bl i n dé.
Instrumentation à connexion blindée
Bl i n d ag s
Sou rce d e ten si on +
Am pèrem ètr
+
Am pèrem ètr -
Source de tension
-
Instrumentation sans connexion blindée
Sou rce
Capteu r
Terre
(poi n t d e
référen ce)
Instrumentation à deux connexions
Capteu r
Sou rce
IEC
Figure 9 – Connexion de la sonde à l'instrumentation

– 50 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
Son d e posée su r l 'él ém en t à l 'essai . Ressorts d 'essai s com pri m és à

Au cu n e com pressi on d u ressort en vi ron l a m oi ti é d e l a cou rse
pou r l a m esu re
Sonde
El em en t à
l 'essai
Su rface de su pport
d e l 'éch an ti l l on
IEC
Figure 1 0 – Compression du ressort pour la mesure
1 0.3 Procédure d'essai
La procédu re d'essai est l a su i vante.
a) Connecter la sonde à l'appareil de m esure comm e représenté à la Fig u re 9.
b) Placer l 'éprou vette su r la surface de su pport des éprou vettes.
c) Comprimer les broch es à ressort vers l e bas à en viron la moi ti é de la cou rse (voir
Fi gu re 1 0) .
d) Appl iqu er (1 0, 0 ± 0, 5) V pendant (1 5 ± 1 ) s et observer la résistance. Si la résistance
m esu rée est i n férieu re à 1 , 0 × 1 0 6 Ω , consig ner l a val eu r de la résistance et passer à
l 'étape f) de l a liste. Si l a résistance est su périeu re ou ég al e à 1 , 0 × 1 0 6 Ω , passer à
l 'étape e) de l a liste.
e) Si l a résistance observée à l 'étape d) de la l iste est su périeure ou ég ale à 1 , 0 × 1 0 6 Ω ,
rég ler l a tension sur (1 00 ± 5) V et répéter la mesu re. Enreg istrer l a valeu r de la
résistance.
f) Répéter l 'essai pou r chaque éprou vette restan te.
N OTE 1 U n ch an g em en t de tai l l e d e l 'éprou vette peu t affecter l es m esu res.
N OTE 2 Les m esu res de rési stan ce peu ven t être affectées par l a tai l l e et l 'espacem en t en tre l es él ectrod es. Le
d i am ètre d e 3, 2 m m et l 'espacem en t de 3, 2 m m d es él ectrod es on t été sél ecti on n és pou r réal i ser d es essai s su r u n
g ran d n om bre d e types et d e tai l l es d 'em bal l ag e.
N OTE 3 Les m esu res d e rési stan ce d 'u n m atéri au d 'éch an ti l l on parti cu l i er peu ven t vari er pou r l es rai son s
su i van tes:
a) vari ati on s d e com posi ti on ou d 'épai sseu r de l a su rface d e l 'éch an ti l l on ;
b) com pressi on de l 'éch an ti l l on par l a force d es él ectrod es;
c) vari ati on s d e l a rési stan ce dan s l e m atéri au de l 'él ectrode;
d) ch an g em en t d es propri étés d u m atéri au d u fai t du cou ran t de m esu re;
e) propreté d es él ectrodes ou d e l 'éch an ti l l on .
N OTE 4 L'essai d e di fféren ts m atéri au x d 'él ectrode i n d i qu e q u e l 'u ti l i sati on d e m atéri au x en caou tch ou c pl u s d u rs
qu e ceu x spéci fi és crée d es vari ati on s pl u s i m portan tes d an s l es rel evés.
1 1 Répétabilité et reproductibilité
La résistance d'u ne éprou vette donnée varie en fonction des condi ti ons d'essai , et s'agissan t
des m atériau x, il est normal qu 'i ls soien t non u n iformes. De ce fait, la reprodu ctibi li té des
détermi nations ne dépasse pas habi tu ellemen t ± 1 0 %, et celles-ci son t parfois encore plu s
larg emen t diverg entes (u ne plag e de valeu rs d'u n ordre d'am pli tu de peu t être obten ue dans
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 51 –
des condi tions apparemm ent i den tiqu es) . La capaci té de com paraison des m esu res su r des
éprou vettes sim i laires exig e d'effectu er des essais avec des gradien ts de tension sim i laires.
La répétabil ité de ces méthodes d'essai se si tu e par h ypothèse approxim ati vement dans une
plage d'u n demi-ordre d'ampli tu de. Si la valeu r moyenn e pou r u ne série d'essais en
laboratoire est de 5 × 1 0 1 0 Ω , l 'étendu e prévisible des valeurs est com prise en tre 2, 5 × 1 0 1 0 Ω
et 7, 5 × 1 0 1 0 Ω .
1 2 Rapport d'essai
Le rapport d'essai doi t i nclure les i n formations su i van tes:
a) description et i den ti fication du m atéri au (nom, g rade, cou leu r, fabrican t, date de
fabrication, etc. ) ;
b) forme, di mensions et n u méro des éprou vettes;
c) type, matériau et dimensions des sondes (électrodes) si di fféren ts de ceu x qu i son t
spéci fiés dans cette n orme;
d) condi ti onn em en t des éprou vettes (tem pérature, h um idi té relative, du rée) ;
e) procédu res de nettoyage;
f) condi ti ons d'essai (températu re et hu m idité relati ve au m omen t de la mesu re) ;
g ) i nstru men tati on (type, informations rel ati ves à l 'étalonnag e, etc. ) ;
h ) tensi on d'essai et du rée d'applicati on de la tension avec i nform ations complémen taires, si
ces paramètres son t fixés ou spécifiés de façon différen te;
i ) nom bre de m esures, résu l tats in di viduels et valeu r moyenne;
j) résisti vité su perficielle en tan t qu e résu ltats i ndi vi duels avec valeu r moyenne, si
applicable;
k) résisti vité transversal e en tan t qu e résu ltats i n di viduels avec valeu r moyenne, si
applicable;
l) résistance à la terre/poin t de mise à la terre avec identification de posi ti ons d'essai , si
applicable;
m ) résistance point à poin t avec i den ti fication de positi ons d'essai, u ti lisation de la méth ode
spéci fiée à l'Article 8 ou à l 'Article 1 0 si applicable, et distance appl iqu ée en tre les axes
lon g itudin aux des sondes si di fféren te de la présen te n orm e;
n) dates de préparation d'éprou vettes et aptitude des essais;
o) tou tes observations spécifiqu es au cou rs de l'essai (par exempl e: effets de polarisation) .
En l'absence d'instructions dans l es n orm es de produ it ou d'au tres exig ences, une atten tion
particu li ère doi t être accordée à la m an ière dont l es valeu rs moyen nes son t calcul ées. I l est
cou ran t d'u ti l iser la moyenne arithm étiqu e pou r calcu ler la valeu r moyenne, c'est-à-dire l a
somm e de n valeu rs di visée par n :
∑=
n
xi
x =
i 1
n
où
x est la val eur m oyenne;
xi est u ne val eu r indivi du elle;
n est le nom bre de valeu rs don t la m oyenne doit être calcu lée.
La moyenne g éométriqu e peu t présen ter davan tag e d'intérêt prati que qu e la m oyenne
ari thmétique lorsqu'elle concerne des valeurs qu i varien t selon des ordres d'am pli tu de,
comm e c'est sou ven t l e cas pou r des mesu res de résistance. Par exempl e, cinq mesu res de
– 52 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
résistance peu ven t inclure qu atre mesu res de l'ordre de 1 × 1 0 9 Ω et une mesure de l'ordre
de 1 × 1 0 1 2 Ω. La moyenne arithmétique est pondérée par la mesure 1 × 1 0 1 2 Ω, tandis que la
m oyenne g éométriqu e ne l'est pas et peu t représen ter pl u s précisém ent l a mani ère g lobale
don t le matéri au est su scepti bl e de se com porter en pratiqu e. La moyenne géométriqu e est
calcu lée en pren an t la n ième racine du produ it de n valeurs:
1/n
 n 
x=
 ∏ xi 

 i =1 
où
x est la val eur m oyenne;
xi est u ne val eu r indivi du elle;
n est le nom bre de valeu rs don t la m oyenne doi t être calcu l ée.
Le rapport d'essai doit indiqu er si l a moyenne arith métiqu e ou g éométriqu e a été u til isée pou r
calcu ler l es valeurs m oyennes.
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Annexe A
(normative)
Vérification de système
A.1 Vérification de système pour les mesures de résistance superficielle
A.1 .1 Appareil et procédure pour la plage de résistance plus faible
L'appareil doit se con former au x dim ensions de l'él ectrode de l'ensemble décrit en 8. 2. 2 et
posséder 20 su rfaces m étal li ques i ndi vidu ell es ou plag es de connexion qu i établissen t l e
con tact avec la su rface d'électrode (in térieure) cen trale et 20 pl ag es de connexion iden ti ques
qui établ issen t le con tact avec l a su rface d'électrode (extérieure) en an neau . Les plag es de
connexion doi ven t être planes, sans proém inences et être m on tées sur u ne su rface plan e.
L'appareil doi t comprendre 20 résistances à (1 , 00 ± 0, 01 ) × 1 0 6 Ω . Tou tes les rési stances
doivent être mon tées sur la face in féri eure. Ch aqu e résistance doi t être con nectée
i ndi vidu ellem en t en tre u ne pl ag e de conn exion i n térieu re et extérieure (voir Figu re A. 1 ) . Le
m atériau pou r l'appareil doi t posséder u n e résistance transversale d'au m oins 1 0 8 Ω en tre les
deu x rang ées de plages de conn exi on lorsqu'el les ne son t pas connectées par des
résistances, et être sou mis à l'essai à (1 00 ± 5) V.
1 0 M Ω ( ± 1 %)
Rési stan ces (20 ch acu n )
ø 3 ± 0, 5
Pl ag e d e con n exi on (type)
30, 5 ± 1
57 ± 1 IEC
Figure A.1 – Appareil de vérification de la plage de résistance

inférieure pour les mesures de la résistance superficielle
Avant un essai , le systèm e doit être véri fié comme su i t en vu e d'u n fonction nemen t correct.
L'ensem ble décri t en 8. 2. 2 est connecté à l 'instru men tation con formément à la Fig u re 3 et
ensu i te placé su r l 'apparei l. U ne tension de (1 0, 0 ± 0, 5) V doi t être appliqu ée et un rel evé
effectu é après (1 5 ± 1 ) s. Le résu ltat doi t être de (5, 00 ± 0, 25) × 1 0 5 Ω . La véri fication est
ensu i te répétée après u ne rotation de l'ensemble de 90 ° .
– 54 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
N OTE La rotati on d e l 'en sem bl e d 'él ectrod es véri fi e l a pl an éi té d u di sposi ti f et l a su rface com pri se en tre l es
él ectrodes.
A.1 .2 Appareil et procédure pour la plage de résistance supérieure et détermination

de la durée d'application de la tension
L'appareil doit se con former au x dim ensions de l'él ectrode de l'ensemble décri t en 8. 2. 2 et
posséder des surfaces m étal li qu es ou des plag es de conn exi on qu i établissen t le con tact
avec l a su rface d'électrode. Les plag es de connexion doi vent être plan es, sans proém i nences
et être montées su r un e su rface pl ane. Les plag es de conn exion peu vent être li ées entre ell es
par u n fil ou des ann eaux (circu laires) complets peu vent être u til isés. Elles son t conn ectées
vi a u ne résistance u ni qu e de (1 , 00 ± 0, 05) × 1 0 1 2 Ω en tre les su rfaces de con tact cen trale
(in téri eu re) et en anneau (extérieu re) (voir Fig u re A. 2) . Toutes les résistances et le câblage
doivent être m on tés su r la face in férieu re. Au mom ent de l'essai à (500 ± 25) V con form ém en t
à l'I EC 601 67, le matériau pou r l'apparei l doi t avoir u ne rési stance d'isolemen t d'au moins
1 0 1 4 Ω entre les deu x rangées de pl ag es de connexion, lorsqu 'elles ne sont pas connectées
par u ne résistance.
1 0 × 1 0 1 2 Ω ( ± 5 %)
Rési stan ce (1 )
ø 3 ± 0, 5
Pl ag e d e con n exi on (type)
30, 5 ± 1
57 ± 1
IEC
Figure A.2 – Appareil de vérification de la plage de résistance

inférieure pour les mesures de la résistance superficielle
La procédu re su ivan te con fi rme la capaci té du système à m esurer 1 , 0 × 1 0 1 2 Ω et propose
u ne méth ode de déterminati on de l a période d'application de la tension décrite ci-dessou s.
L'ensem bl e décri t en 8. 2. 2 est conn ecté à l'instru mentation conformémen t à la Figu re 3 et

ensu ite placé sur l'appareil . U n e tension de (1 00 ± 5) V doi t être appl iqu ée et u n relevé
effectué lorsque la val eur affichée a attei n t l e rég im e permanent. Si le relevé se si tu e dans les
l i mi tes de l a plag e de tolérance de la résistance, renou veler l a procédu re cin q fois, tou t en
enregistran t l e temps nécessaire pou r qu e l'instru men t in dique la val eur en régime établi . La
m oyenne des cin q enregistrem en ts correspond au temps d'applicati on de la tension . U n
complémen t de 5 s à ce temps donne la péri ode d'applicati on de l a tension à u til iser pou r
m esurer les éprou vettes su périeures à 1 0 6 Ω .
I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6 – 55 –
A.2 Vérification de système pour les mesures de résistance transversale

A.2.1 Appareil et procédure pour la plage de résistance plus faible
Avant l 'essai, le système doit être vérifi é comm e su i t en vu e d'u n fonctionnemen t correct.
Connecter les électrodes (sondes 1 et 2) à l 'instru m en tation sel on la Fig u re 4 mais sans
éprou vette en tre el les. I nsérer ensu i te u n e résistance de (5, 00 ± 0, 05) × 1 0 5 Ω en tre l a sortie
de tension source et la sonde 2. U ne tension de (1 0, 0 ± 0, 5) V doi t être appliquée et u n rel evé
effectué après (1 5 ± 1 ) s. Le résu ltat doi t être de (5, 00 ± 0, 25) × 1 0 5 Ω .
A.2.2 Appareil et procédure pour la plage de résistance supérieure et détermination

de la durée d'application de la tension
La procédu re su ivan te con fi rme la capaci té du système à m esurer 1 , 0 × 1 0 1 2 Ω et propose
u ne méth ode de déterminati on de l a période d'application de la tension décrite ci-dessou s.
Connecter les électrodes (sondes 1 et 2) à l 'instru m en tation sel on la Fig u re 4 mais sans
éprou vette en tre el les. I nsérer ensu i te u ne résistance de (1 , 00 ± 0, 05) × 1 0 1 2 Ω en tre la sortie
de tensi on sou rce et la sonde 2. U ne tension de (1 00 ± 5) V doit être appl iqu ée et un relevé
effectu é lorsqu e la val eu r affichée a attei nt l e régi m e permanen t. Si le relevé se situ e dans les
l im i tes de l a plag e de tolérance de la résistance, renou veler l a procédu re cin q fois, tou t en
enreg istrant le temps nécessaire pour qu e l'instru men t indiqu e la val eu r en rég ime établi. La
m oyenne des cin q enreg istrem en ts correspond au temps d'application de la tension . U n
complémen t de 5 s à ce temps don ne la période d'appl icati on de la tensi on à u til iser pou r
m esu rer les éprou vettes su périeu res à 1 0 6 Ω .
A.3 Vérification de système pour les mesures de résistance de matériaux et

produits non planaires ayant de petites structures
A.3.1 Appareils de vérification
L'appareil de vérification de la plag e de résistance i n férieu re doit com prendre u n e résistance
de (1 , 00 ± 0, 01 ) × 1 0 5 Ω com posée de deu x plaques de contact m étalliques. La tail le et la
forme des plaques doiven t être telles qu e l'él ectrode de ch aqu e sonde n'entre en contact
qu'avec un e seu le pl aqu e, et qu e l es plaques ne soi en t pas en contact en tre elles. Les
plaques peuven t être apposées à u n matériau ayan t les mêmes propriétés qu e la su rface de
su pport des éch an til lons. La Fi gu re A. 3 présen te u ne con fi g u ration possible d'u n appareil de
vérification de l a résistance.
L'appareil de vérificati on de l a plag e de résistance su périeu re doi t compren dre u ne résistance

de (1 , 00 ± 0, 05) × 1 0 9 Ω com posée de deu x plaques de contact m étalliques. La tail le et la
forme des plaques doiven t être telles qu e l'él ectrode de ch aqu e sonde n'entre en contact
qu'avec un e seu le plaqu e, et qu e les plaqu es ne soi ent pas en contact en tre ell es. La
l on g ueu r et la l arg eu r de ch aqu e plaqu e doi vent être au moi ns de 3, 3 mm (pou r les plaques
rectang u laires) ou le diam ètre doi t être au moins de 3, 3 m m (pou r l es plaques circu l aires) , et
l'espace m ini m um en tre les pl aqu es n e doi t pas dépasser 3, 1 mm . Les pl aqu es peu ven t être
apposées à u n matériau ayan t les mêmes propriétés qu e la surface de su pport des
échantillons. La Figu re A. 3 présen te une con fig u ration possible d'u n apparei l de vérification
de la résistance.
La valeu r réel le des résistances doit être mesurée de façon périodiqu e. Cette valeu r mesurée
doi t être u ti lisée pour vérifier le fonctionnement de la sonde.
– 56 – I EC 61 340-2-3:201 6 © I EC 201 6
Appareil Appareil équipé d'une sonde

Rési stan ce
Son d e
Pl aqu e de con tact

m étal l i q u e
M atéri au de su rface
d e su pport d es
éch an ti l l on s
IEC
Figure A.3 – Appareil de vérification de la résistance
A.3.2 Procédure de vérification
La procédure de véri ficati on est l a su i van te:
a) Le fonctionn em ent correct de l a sonde doit être vérifié en mesu ran t des valeu rs de
résistance connu es.
b) Connecter la sonde à l'appareil de m esu re comme représenté à l a Figu re 9.
c) Placer l es él ectrodes de l a sonde su r l'appareil de véri fication de la plag e de résistance
i n férieu re com me représen té à la Fi gu re A. 3.
d) Comprimer les broches à ressort vers le bas à en viron la m oi ti é de la cou rse (Fi g ure 1 0) .
e) Appliquer (1 0, 0 ± 0, 5) V pendan t (1 5 ± 1 ) s et observer la résistance.
f) Enreg istrer la valeur de la résistance. I l con vien t qu e la valeur se situ e à 1 0 % de la
valeu r réel le de l a résistance.
g ) Répéter la procédure en u ti lisan t l'appareil de véri fication de la plage de résistance
su périeu re à (1 00 ± 5) V.
______________
I N TE RN ATI O N AL
E LE C TR OTE C H N I C AL
CO M M I S SI O N
3 , ru e d e Vare m bé
PO Box 1 31
CH -1 21 1 G e n e va 2 0
S wi tze rl an d
Te l : + 41 22 9 1 9 0 2 1 1
Fax: + 4 1 22 9 1 9 0 3 0 0
i n fo @ i e c. ch
www. i e c. ch

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I E C 61 340-2-3

m ateri al s u sed to avo i d el ectrostati c ch arg e accu m u l ati on

rési sti vi té d es m atéri au x sol i d es d esti n és à évi ter l es ch arg es él ectrostati q u es

I N TER N ATI ON ALE

m ateri al s u sed to avo i d el ectrostati c ch arg e accu m u l ati on

Parti e 2 -3: M éth od es d ' essai s po u r l a d éterm i n ati on d e l a rési stan ce et d e l a

ICS 1 7.220.99; 29.020 ISBN 978-2-8322-3475-4

® Registered trademark of the International Electrotechnical Commission

Fi g u re 1 – Exampl e of an assem bly for th e m easu rem en t of su rface an d volu m e

Tabl e 1 – M ateri al for two-poin t probe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 9

I NTERNATI ONAL ELECTROTECHNI CAL COMMI SSI ON

CDV Report on voti n g

A li st of all th e parts i n th e I EC 61 340 seri es, pu bli sh ed u nder th e g en eral ti tl e Electrostatics,

Th e com m ittee h as decided th at th e con ten ts of th is pu bl icati on wi ll remai n u n chan g ed u n til

I SO 1 853, Conducting and dissipative rubbers, vulcanized or thermoplastic – Measurement of

I SO 2951 , Rubber, vulcanized or thermoplastic – Determination of insulation resistance

I SO 391 5, Plastics – Measurement of resistivity of conductive plastics

I SO 761 9-1 , Rubber, vulcanized or thermoplastic – Determination of indentation hardness –

3 Terms and definitions

N ote 1 to en try: Resi stan ce i s expressed i n oh m s.

N ote 1 to en try: Resi stan ce to g rou n d i s expressed i n oh m s.

N ote 1 to en try: Resi stan ce to g rou n d abl e poi n t i s expressed i n oh m s.

N ote 1 to en try: Poi n t-to-poi n t resi stan ce i s expressed i n oh m s.

N ote 1 to en try: Su rface resi stan ce i s expressed i n oh m s.

N ote 1 to en try: Vol u m e resi stan ce i s expressed i n oh m s.

N ote 1 to en try: I n practi ce, i t i s eq u i val en t to th e vol u m e resi stan ce of a cu be wi th u n i t l en g th , h avi n g th e

N ote 3 to en try: Vol u m e resi sti vi ty i s expressed i n oh m m eters.

4 Conditioning and test environment

I f i t i s requ ired to test th at th e m easu red resistance i s n ot bel ow a m in i mu m l im i t, addition al

5 Selection of test method

I f th e m easu rem en t resu l t u si ng th e m eth od descri bed in Cl au se 1 0 is less th an 1 0 4 Ω or

6 Resistance measurements for solid conductive materials

7 Resistance measurements for solid insulating materials

8 Resistance measurements for planar electrostatic dissipative materials

8.1 .2 Instrumentation for laboratory evaluation

I f a DC power su ppl y an d am m eter are u sed, readi n g s sh al l be possibl e at l east from 1 0 pA

8.1 .3 Instrumentation for acceptance testing

I f an oh m m eter i s u sed, readin g s sh all be possi ble at l east from 1 × 1 0 3 Ω to 1 × 1 0 1 3 Ω , wi th

I f a DC power su ppl y an d am m eter are u sed, readi n g s sh al l be possibl e at l east from 1 0 pA

8.1 .4 Instrumentation for compliance verification (periodic testing)

8.2 Electrode assemblies

8.2.2 Assembly for the measurement of surface resistance

I n su latin g m ateri al s u sed i n th e electrode assembl y sh al l h ave vol u me an d/or su rface

Th e m ateri al u nder test sh all be pl aced on an in su l atin g su pport as descri bed i n 8. 2. 5.

Con d u cti ve el ectrod es

Figure 1 – Example of an assembly for the measurement

8.2.3 Assembly for the measurement of volume resistance

I t sh ou l d be pl aced ei th er on an i nsu l ati ng su pport as described i n 8. 2. 5 pri or to test or be

8.2.4 Assembly for the measurement of resistance to ground/groundable point

Th e m ateri al u n der test shal l be pl aced on an in su l atin g su pport as descri bed i n 8. 2. 5.

I n stru m en tati on cabl e

Con d u cti ve el ectrod es

Figure 2 – Example of an assembly for the measurement of resistance to

8.2.5 Test support

8.3 Sample preparation and handling

I f n o oth er reg u l ati on i s g i ven , a mi n im u m of th ree represen tati ve speci m en s of th e sam pl e

8.4 Test procedures

Cen tre el ectrod e (probe 1 )

Figure 3 – Basic connections of the electrodes

En erg ize th e i n stru m en tati on at (1 0, 0 ± 0, 5) V an d record the readin g after (1 5 ± 1 ) s, u n less

8.4.2 Volume resistance measurements

Cen tre el ectrod e (probe 1 )

En erg ize th e i n stru m en tati on at (1 0, 0 ± 0, 5) V an d record the readin g after (1 5 ± 1 ) s, u n less