Chapitre 1

Introduction

Ce cours traite des interactions entre les ondes électromagnétiques (EM) et

les matériaux terrestres. En effet, l’étude de ces interactions nous permet de
caractériser les structures du sous-sol par leurs propriétés électriques. Nous
nous intéresserons essentiellement ici à la caractérisation du sous-sol par la
distribution de sa conductivité électrique (dénotée ici σ - en fait, on préfère
souvent utiliser son inverse, la résistivité électrique ρ = 1/σ). Mais pourquoi
s’intéresser à ce paramètre?
La réponse est dans la Figure 1.1: on remarque que ρ varie sur plusieurs
(7) ordres de grandeur. Pour comparaison, prenez la vitesse des ondes P
en sismique qui varie de 300 (air) à 8000 m/s (manteau) ou la densité qui
varie de 1000 (eau) à 3000 kg/m3 (manteau). En fait, dans la terre, seule la
viscosité a une dynamique plus grande que la conductivité électrique.
La Figure 1.1 nous permet également de faire en quelque sorte l’histoire
des applications des méthodes EM. Chacun sait (ou devrait savoir) que les
grandes réserves de minéraux métalliques lourds (Au, NI, Cu) sont souvent
dans les amas sulfurés qu’on retrouve dans les cratons précambriens (e.g.
Canada, Australie, Russie, Afrique du Sud, USA). Imaginez alors le problème
pour le géophysicien: il doit détecter une cible de 0.1 Ω.m dans un encaissant
de 10000 Ω.m. Un tel contraste (comme le nez au milieu du visage) peut être
mis en évidence même avec des méthodes primitives. Le domaine minier a
donc été longtemps le principal champ d’application de l’EM.
La technologie progressant, tant pour les capteurs que pour les appareils
d’enregistrement, on a pu progressivement détecter des cibles relativement
proches de leurs encaissants, i.e. on a pu appliquer l’EM à des problèmes pour
des matériaux au centre de la Figure 1.1. Par exemple, la détection d’eau
ou la délimitation des bassins sédimentaires ou des zones d’altération. L’EM
s’applique également très bien à la détection de cibles métalliques (tuyaux,
câbles, mines, etc.) ou d’intérêt archéologique.

1
 Résistivité de quelques matériaux géologiques

Graphite
Amas sulfurés
Cristallines Saines
Cristallines Altérées
Sel
Calcaire
Sable
Tills
Grès
Schistes
Argile
Eau

−2 0 2 4 6
10 10 10 10 10
Résistivité (Ω .m)

Figure 1.1: Résistivité électrique de quelques matériaux du sous-sol. Selon

Palacky, in Le P’tit Vert.

Mais comment les courants électriques circulent-ils dans les matériaux

géologiques?
La plupart des matériaux géologiques sont de mauvais conducteurs, sauf
les oxydes et sulfures métalliques et le graphite.
Il en résulte que la conduction dans les roches est la plupart du temps
de nature électrolytique, i.e. due à la présence de fluide dans les pores et/ou
les fractures de la roche. Evidemment, la nature du fluide joue un rôle
essentiel: l’eau est plus conductrice que les hydrocarbures et sera d’autant
plus conductrice que sa concentration en sels sera élevée.
Il existe plusieurs modèles reliant la porosité et la conductivité électrique.
Nous nous limiterons ici à présenter la relation d’Archie. Développée pour
les roches sédimentaires, mais appliquée à tous les types de roches, la Loi
d’Archie est couramment utilisée. Il s’agit d’une relation empirique, donc
n’étant pas à l’origine basée sur un modèle physique. Aujourd’hui, on peut

2
expliquer la relation en puissance par la dimension fractale 1 du réseau
poreux, mais M. Archie était bien loin de tout ça dans les années 1950 (et
de toutes façons, vous verrez tout ça en détail l’an prochain en Physique des
Roches). Cette Loi est une loi de puissance

ρ = ρf aφ−m
où ρ et ρf sont les résistivités de la roche et du fluide, a est le coefficient
de saturation, φ est la porosité et m est l’exposant, aussi connu sous le
nom de facteur de cimentation. Notez que cette relation n’est plus valable
si la roche contient de l’argile. En effet, la présence d’argile dans une roche
poreuse contribue largement à augmenter sa conductivité électrique, puisqu’il
contribue à accroı̂tre la concentration des ions dans la phase aqueuse.
La figure suivante montre l’influence de la porosité sur la résistivité, pour
une roche saturée en eau douce (ρf = 100 Ω.m), et pour différentes valeurs
de m. On remarque que plus m est élevé, moins la décroissance de ρ est
grande, i.e. moins la porosité joue un rôle important.
5
10
m = 1.5
m = 2.0

4
10
ρ (Ω.m)

3
10

2
10
0 10 20 30 40 50
Porosité (%)

Figure 1.2: Loi d’Archie pour des porosités de 0 à 50%. La résistivité de

l’eau est de 100 Ω.m.

Gardez à l’esprit que les méthodes permettant de déterminer la résistivité

électrique (i.e. méthodes électriques et EM) sont particulièrement appro-
1
Voir par exemple Nigmatullin et al., J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 25, pp. 32-37,
1992.

3
priées pour l’investigation des zones poreuses (e.g. nappes phréatique, zones
de fractures, gouges de failles, zones de fusion partielle). Voici deux exemples
à des échelles très différentes:
(a) Le premier est une prospection EM à l’aplomb du Gazoduc Trans-
Européen (Fig. 1.3) qui passe juste au sud de Strasbourg (Geispolsheim).
Ici, on a utilisé un système à deux bobines émettrice et réceptrice à une
fréquence de 1075 Hz.

Figure 1.3: Où est donc ce pipeline?

(b) Le deuxième est une prospection magnétotellurique qui utilise les

champs EM naturels de la terre pour étudier sa conductivité électrique. Nous
avons réalisé une prospection MT le long d’un profil traversant le Népal (de
l’Inde au Tibet; Fig. 1.4). La structure la plus remarquable est cette zone
très peu résistante sous les stations 33 à 31. Elle semble être juste en-dessous
des hypocentres des séismes enregistrés dans cette région (points), suggérant
une relation entre conducteurs et séismes profonds.

Figure 1.4: Coupe de la résistivité électrique sous le Népal.

4
Chapitre 2

Les équations de Maxwell

homogènes

J.C. Maxwell 1 a unifié les travaux d’Ampère et de Faraday. Les équations

qui portent son nom gouvernent tous les phénomènes électromagnétiques et
peuvent être couplées grâce aux relations constitutives (cf. chapitre suivant).
Par homogène, on entend ici qu’il n’y a pas de source dans le volume d’intérêt.
Dans plusieurs applications géophysiques, cette restriction est justifiée: par
exemple en prospection VLF pour laquelle la source est à plusieurs centaines
de km du domaine d’étude.
∂~b
∇ × ~e = − (2.1)
∂t
∂ d~ ~
∇ × ~h = +j (2.2)
∂t
∇ · ~b = 0 (2.3)
∇ · d~ = ρ (2.4)
où ~e est le champ électrique (V/m), ~b l’induction magnétique∗ (Tesla), d~
le déplacement diélectrique (C/m2 ), ~h le champ magnétique∗ (A/m), ~j la
densité de courant (A/m2 ) et ρ la densité de charge électrique (c/m3 ).
Un petit mot sur la notation. Dans le but d’alléger le texte, on utilisera
les conventions suivantes dans ce cours: les champs en domaine temporel
1
Les bonnes biographies de James Clerk Maxwell sont nombreuses. Notons seulement
ici qu’il a présenté sa première conférence à la Royal Society of Edinburgh à l’âge de 14
ans (sujet: les ovales) et que malgré ses dons exceptionnels, il n’a pas été Major de son
collège, ayant été devancé par un type (nommé Campbell) devenu plus tard prof de Grec
ancien. Campbell a par la suite écrit une biographie de Maxwell.

5
sont en minuscules, les champs en domaine de Fourier (fréquentiel) sont en
MAJUSCULES. On spécifiera lorsque la transformation de Fourier concerne
également les variables spatiales. Par défaut, les T.F. ne se font qu’en temps
vs fréquence.
Prenons la divergence de (2.2): on obtient

∂ d~
∇ · ∇ × ~h = ∇ · + ∇ · ~j (2.5)
∂t
Les champs et courants sont continus et dérivables en tous points car il n’y
a pas de singularité reliée à une source. On peut donc permuter l’ordre de
dérivation.
∂
∇ · ∇ × ~h = ∇ · d~ + ∇ · ~j (2.6)
∂t
Le terme de gauche est identiquement nul. Insérons (2.4) dans l’équation
ci-dessus:
∂ρ
− = ∇ · ~j (2.7)
∂t
Pour un milieu homogène peu conducteur, tels que par exemple les maté-
riaux géologiques, les charges libres ρl se dissipent très rapidement (i.e. rede-
viennent liées). Par exemple, pour un matériau de résistivité 10000 Ω.m,
cette dissipation dure moins d’une microseconde. Comme les fréquences
utilisées en EM sont la plupart du temps inférieures à 10 kHz, on peut sup-
poser que ∂ρl /∂t = 0. Il ne reste donc que

∇ · ~j = 0 (2.8)
Notez que ceci ne sera valable que pour un milieu homogène. Nous verrons
plus loin que des hétérogénéités provoquent des accumulations de charges
aux interfaces et que par conséquent ∂ρ/∂t 6= 0.
∗
Digression. Dans les cours de physique que vous avez suivis jusqu’à
maintenant, vos profs vous ont sans doute dit que ~b était le champ magnétique.
Ici, on vous dit que c’est ~h! On vous aurait menti?
Non, pas vraiment. Ca dépend de quoi on parle: si on traite de la quantité
physique fondamentale, alors ~h est le vrai champ magnétique. Là où le bât
blesse, c’est que tout fondamental qu’il soit, ~h n’est pas mesurable. Ce qui
est mesuré est ~b. Par exemple, si on place une bobine pour mesurer le champ
magnétique, ce qui est mesuré est la force électromotrice induite dans la
bobine, i.e. N πr2 ∂~b/∂t pour une bobine circulaire de rayon r constituée de
N tours.

6
Chapitre 3

Les relations constitutives

Elles relient entre elles les champs, charges et courants introduits ci-dessus
et sont habituellement dépendantes de la fréquence

~ = ²(ω, ~e, ~r, T, P, ...)E

D ~ (3.1)
~ = µ(ω, ~e, ~r, T, P, ...)H
B ~ (3.2)
J~ = σ(ω, ~e, ~r, T, P, ...)E
~ (3.3)
où les tenseurs ², µ, σ sont la permittivité électrique, la perméabilité magné-
tique et la conductivité électrique respectivement et qui dépendent, entre
autres, de la fréquence (ils peuvent aussi dépendre de la position, de la
température, de la pression, etc.). Ces paramètres ne sont que les pro-
priétés physiques des roches du sous-sol: la composition, la porosité, le degré
d’altération, par exemple, peuvent aussi bien sûr influencer ces propriétés.
Les éléments de ces tenseurs sont complexes, ce qui entraı̂ne bien sûr
un déphasage entre D ~ et E,~ B ~ et H,~ J~ et E.~ Ils peuvent aussi avoir un
comportement non linéaire, i.e. ² dépendant de E. ~
Cependant pour l’immense majorité des cas en exploration EM, les pro-
priétés physiques tensorielles exprimées ci-haut peuvent être simplifiées moyen-
nant ces deux hypothèses:
- tous les milieux sont linéaires, isotropes et homogènes et leurs propriétés
physiques ne varient qu’avec la fréquence, ce qui a pour effet de ramener les
tenseurs à des scalaires,
- la perméabilité magnétique est égale à celle du vide, i.e. µ = µ0 =
4π10−7 H/m.
Nous ne tiendrons plus compte de ces hypothèses lorsque nous traiterons
certains cas particuliers plus loin, mais elles nous permettront d’alléger un

7
peu le traitement des équations de base sans avoir de conséquences drama-
tiques sur leur signification physique. Moyennant ces restrictions, les rela-
tions constitutives deviennent:

~ = [²0 (ω) − i²”(ω)]E

D ~ = ²E
~ (3.4)
J~ = [σ 0 (ω) + iσ”(ω)]E
~ = σE
~ (3.5)
~ = µH
B ~ (3.6)
où la permittivité et la conductivité sont des fonctions complexes de la
fréquence alors que la perméabilité magnétique est réelle et ne dépend pas
de la fréquence.
En domaine temporel, ces produits dans le domaine fréquentiel deviennent
des convolutions et les relations constitutives sont alors

d~ = ² ∗ ~e (3.7)
~j = σ ∗ ~e (3.8)
~b = µ ∗ ~h (3.9)
Pour simplifier, on supposera ici que ², σ et µ sont indépendants de la
fréquence et donc
d~ = ²~e (3.10)
~j = σ~e (3.11)
~b = µ~h (3.12)

8
Chapitre 4

Les Ondes électromagnétiques

Prenons le rotationnel des deux premières équations de Maxwell

∂~b
∇ × ∇ × ~e + ∇ × =0 (4.1)
∂t
∂ d~
∇ × ∇ × ~h − ∇ × = ∇ × ~j (4.2)
∂t
et, faisant appel aux relations constitutives temporelles,

∂~h
∇ × ∇ × ~e + µ∇ × =0 (4.3)
∂t
∂~e
∇ × ∇ × ~h − ²∇ × = σ∇ × ~e (4.4)
∂t
Comme les fonctions vectorielles ~e et ~h et leurs dérivées premières et sec-
ondes sont continues dans tout le domaine, on peut interchanger l’ordre des
opérateurs de dérivation. Les équations deviennent alors
∂
∇ × ∇ × ~e + µ ∇ × ~h = 0 (4.5)
∂t
∂
∇ × ∇ × ~h − ² ∇ × ~e = σ∇ × ~e (4.6)
∂t
Substituant à ∇ × ~h et ∇ × ~e leurs équivalences obtenues des équations de
Maxwell,

∂ 2~e ∂~e
∇ × ∇ × ~e + µ² 2
+ µσ =0 (4.7)
∂t ∂t
∂ 2~h ∂~h
∇ × ∇ × ~h + µ² 2 + µσ =0 (4.8)
∂t ∂t

9
 Rappel: ∇×∇×~a = ∇(∇·~a)−∆~a. On peut alors développer les relations
précédentes. Mais que valent ∇ · ~e et ∇ · ~h ?
Pour celle-ci, on sait que ∇ · ~b = 0, comme ~h = ~b/µ et que µ est scalaire
et égal à µ0 pour la plupart des roches, alors ∇ · ~h = 0. Ce n’est pas si simple
pour ∇ · ~e: on a montré dans la section 1 que ∇ · ~j = 0. Développons:

∇ · ~j = ∇ · σ~e = 0 (4.9)
= ∇σ · ~e + σ∇ · ~e = 0 (4.10)
Comme le milieu est homogène, ∇σ = 0 et donc ∇ · ~e = 0. Mais on doit
insister sur le fait que ceci n’est vrai que pour un milieu homogène. Dans la
plupart des situations, ∇ · ~e 6= 0. (En fait, les contrastes de σ jouent le rôle
de sources secondaires. Mais on reparlera de tout ca plus tard.)

∂ 2~e ∂~e
∆~e − µ² 2 − µσ =0 (4.11)
∂t ∂t
∂ 2~h ∂~h
∆~h − µ² 2 − µσ =0 (4.12)
∂t ∂t
Arrêtons-nous un moment aux dérivées temporelles: on voit qu’il y a un
terme en dérivée seconde et un en dérivée première. Quelle est la signification
physique de ces deux termes? Pour en savoir plus, passons un moment dans
le domaine de Fourier (rappel: ∂A ∂t
= iωA)

∆~e + (ω 2 µ² − iωµσ)~e = 0 (4.13)

∆~e + k 2~e = 0 (4.14)
Cette dernière équation est aussi connue sous le nom d’équation de Helmholtz,
que nous reverrons plus tard, où

k 2 = ω 2 µ² − iωµσ (4.15)
k étant le nombre d’onde EM. Tout est là-dedans, donc apprenez cette re-
lation par coeur SVP. Regardons k 2 de plus près: on voit qu’il s’agit d’un
nombre complexe. On va donc s’intéresser à deux cas de figure.
1er cas. ω 2 µ² >> ωµσ ou ω² σ
>> 1. Dans ce cas, k 2 ≈ ω 2 µ² est
réel et donc k l’est aussi. Ici, les ondes EM sont sensibles à la permittivité
diélectrique ². Si l’on retourne dans le domaine temporel, on a

∂ 2~e
∆~e − µ² =0 (4.16)
∂t2

10
On reconnaı̂t ici l’équation d’onde utilisée en sismique. Elle décrit une onde
√
se propageant à la vitesse 1/ µ². Ce terme en dérivée seconde est donc un
terme de propagation. Il est relié au courant de déplacement.
La propagation se retrouve dans deux cas de figure: soit une conductivité
électrique σ très faible, soit une fréquence très élevée. C’est le cas pour le
géoradar aux fréquences supérieures à la dizaine de MHz.
2e cas. ωµσ >> ω 2 µ² ou ω² σ
<< 1. En Physique, on parle de l’approxi-
mation en régime quasi-stationnaire (ARQS, quasi-static approximation en
v.o.) ou approximation basse fréquence.
Dans ce cas, k 2 ≈ −iωµσ est un imaginaire pur et donc k est complexe. La
propriété physique prépondérante ici est la conductivité électrique σ. Dans
le domaine temporel, on a

∂~e
∆~e − µσ =0 (4.17)
∂t
On reconnaı̂t ici l’équation de diffusion (comparer sa forme avec celle de
l’équation de la chaleur). Il s’agit ici d’un champ diffusant, donc dont
√
l’amplitude diminue avec la distance caractéristique 1/ µσ. Ce terme est
donc un terme de diffusion. On remarque aussi que nous avons affaire à un
courant de conduction.
Pour avoir diffusion, il faut avoir soir de basses fréquences, soit une con-
ductivité élevée. C’est le cas pour l’immense majorité des méthodes EM.
Nous allons donc nous consacrer essentiellement à ce cas de figure.
Solution de l’équation de diffusion
Reprenons l’équation de diffusion, en se limitant au cas 1D dans la direc-
tion verticale

∂ 2~e ∂~e
2
− µσ =0 (4.18)
∂z ∂t
∂ 2~h ∂~h
− µσ =0 (4.19)
∂z 2 ∂t
dont les solutions sont classiquement connues

~e = ~e+
0e
−i(kz−ωt)
+ ~e−
0e
−i(−kz−ωt)
(4.20)
~h = ~h+ e−i(kz−ωt) + ~h− e−i(−kz−ωt) (4.21)
0 0

où ~e+ e−
0 et ~ 0 sont les champs électrique descendant et montant à la surface
respectivement.
Le nombre d’onde étant complexe, exprimons-le par k = α − iβ où α et β
sont bien sûr des nombres réels. Dans l’approximation quasi-stationnaire, α

11
 q √
et β sont identiques et égaux à ωµσ/2, car k = −iωµσ. En nous limitant
aux solutions descendantes pour lesquelles on s’attend à ce que les champs
diminuent avec la profondeur (z croissant), on retrouve

~e = ~e+
0e
−iαz −βz iωt
e e (4.22)
~h = ~h+ e−iαz e−βz eiωt (4.23)
0

Qu’est-ce qu’il y a là-dedans?

a) e−iαz : on a une oscillation selon z
b) eiωt : on a une oscillation selon t
c) e−βz : on a une diminution de l’amplitude du champ avec la profondeur
(atténuation). Une onde EM verra son amplitude diminuer d’un facteur 1/e
(≈ 36,8%) à une profondeur δ = 1/β mètres. Ici, l’atténuation ne doit pas
être comprise comme une perte d’énergie, comme c’est le cas en sismique. La
correspondance avec le paramètre sismique Q est discuté plus bas.

Champ diffusif
profondeur

Figure 4.1: ~e+

0e
−iαz −βz
e .

s s
1 2 1
δ= = ≈ 503 m (4.24)
β ωµσ σf
On remarque que cette profondeur (appelée souvent profondeur de pénétration
ou profondeur de peau) sera d’autant plus faible que la conductivité ou la
fréquence sont élevées. Par exemple, chacun sait que les rayons ultraviolets

12
(haute fréquence) se contentent de dorer votre épiderme, alors que les rayons
infrarouges (basse fréqeunce) réchauffent tout votre être. En Physique, on
parle d’effet de peau (skin effect). Ceci est bien entendu un point fondamental
à retenir pour tout type d’exploration au moyen d’ondes électromagnétiques.
Cette formule pour la profondeur de peau est un peu la ”formule magique”
de l’explo EM. Tâchez de vous en souvenir!
Les équations de Maxwell nous indiquent également que ~e et ~h sont per-
pendiculaires car ~h est parallèle au rotationnel de ~e. Par exemple, pour le cas
d’une onde se propageant selon z, on aura ~ex et ~hy qui définiront une onde
plane.
Qu’en est-il de la phase? On peut définir un plan à phase constante:

~e = ~e+
0e
−i(αz−ωt) −βz
e = ~e+
0e
−ic −βz
e (4.25)
où c représente la phase qui détermine l’amplitude de l’onde en fonction de
z et t, c = αz − ωt. On peut obtenir la vitesse de phase Vph
dz ω
= = Vph (4.26)
dt α
qui sera positive si l’onde se propage vers le bas et négative si elle se propage
vers le haut.
On remarque que la vitesse de phase est fonction de la fréquence, ce qui
nous amène à conclure que les milieux géologiques sont dispersifs en mode
diffusif. Il est intéressant de constater que cette dispersion est présente même
si les propriétés physiques du milieu ne dépendent pas de la fréquence. En
d’autres mots, même pour un milieu isotrope, homogène, linéaire, etc. ce
phénomène de dispersion des ondes EM sera présent. En effet
s
ω ω 2ω
Vph = = q ωµσ = (4.27)
α µσ
2

donc même avec µ et σ constant, le milieu est dispersif.

A fortiori, ce phénomène sera également imortant lorsque les propriétes
physiques seront complexes. Revenons à la seconde équation de Maxwell en
domaine de Fourier:

~ = (σ + i²ω)E
∇×H ~ (4.28)
On constate que le courant de conduction est en phase avec le champ électrique
si σ est réel mais que le courant de déplacement est en quadrature avec celui-
ci pour ² réel. Mais que se passe-t-il si la conductivité et la permittivité sont
complexes?

13
 Dispersion pour µ = µ et σ = 0.01 S/m
0
0
10

−1
10

−2
10
Vph/c

−3
10

−4
10

−5
10

−6
10 −3 −1 1 3 5
10 10 10 10 10
f (Hz)

Figure 4.2: Dispersion d’une onde EM pour un mileiu homogène. La vitesse

est normalisée à 3 108 m/s.

~ = [(σ 0 + iσ”) + i(²0 − i²”)ω]E

∇×H ~ = [(σ 0 + ω²”) + i(ω²0 + σ”)]E
~ (4.29)

On voit donc que les effets combinés de la partie réelle de σ et de la partie

imaginaire de ² sont en phase. On définit l’angle de perte δ

σ 0 + ω²”
tan δ = (4.30)
ω²0 + σ”
Plus haut, on a parlé d’atténuation pour le terme en e−βz (avec les bémols
qui s’imposaient). Ici, il s’agit de l’atténuation au sens propre. En effet, le
facteur de qualité Q utilisé pour les ondes sismiques est obtenu via Q = 1/δ.
A très basses fréquences, tan δ = σ 0 /σ” et à très hautes fréquences,
tan δ = ²”/²0 . Aux fréquences d’intérêt en prospection EM, on peut con-
sidérer ² comme étant réel. Donc

σ0
tan δ = (4.31)
ω² + σ”
On peut démontrer que la solution de l’équation d’onde est la même que
précédemment avec

14
 s
µ² q
α=ω 1 + tan2 δ + 1 (4.32)
2
s
µ² q
β=ω 1 + tan2 δ − 1 (4.33)
2
Une grande valeur de tan δ implique un grand β et donc une faible profondeur
de pénétration.

15
Chapitre 5

Les Conditions aux limites

Lorsque nous désirons appliquer les équations de base de l’EM à des problèmes
d’exploration géophysique, il est essentiel, pour pouvoir résoudre les équations
différentielles, d’appliquer les conditions aux limites aux interfaces entre les
différents corps. Nous allons donc nous attarder ici sur ces conditions aux
limites.

5.1 Induction magnétique - b

Soient deux milieux de propriétés électriques différentes séparés par une in-
terface. Construisons un petit cylindre de section ∆a et d’épaisseur ∆` à
travers cette surface

Figure 5.1: Géométrie pour les conditions-limites sur ~b, d~ et ~j.

On rappelle que ∇ · ~b = 0 et le théorème de Gauss

16
 Z Z
∇ · ~b dV = ~b · ~n dS = 0 (5.1)
V S

où ~n est un vecteur unitaire normal à l’interface. Si le rayon du cylin-

dre est suffisamment petit, on peut supposer que l’induction magnétique est
constante sur cette surface et donc ~b = ~b1 dans le milieu 1 et ~b = ~b2 dans le
milieu 2. L’intégrand devient alors

(~b1 · ~n1 + ~b2 · ~n2 )∆a + (contribution des bords)∆` = 0 (5.2)

si ∆` tend vers zéro, i.e. on se limite à l’interface, il ne reste que le premier
terme, soit (~b1 · ~n1 + ~b2 · ~n2 )∆a = 0, mais les deux normales sont inversées
donc

~b1 − ~b2 = 0 (5.3)

Ce qui implique que la composante normale de l’induction magnétique est
continue de part et d’autre de l’interface.

5.2 Déplacement diélectrique - d

Reprenons le même cylindre que dans le cas précédent. L’équation de Maxwell
correspondante est cette fois ∇ · d~ = ρ. En intégrant de part et d’autre du
cylindre, on obtient
Z Z Z
∇ · d~ dV = d~ · ~n dS = ρ dV = ρ∆`∆a (5.4)
V S V
si ρ est constant.
Remplacons ρ∆` par une densité surfacique de charge ρs .

(d~1 · ~n1 + d~2 · ~n2 )∆a = ρs ∆a (5.5)

(d~1 − d~2 ) · ~n = ρs (5.6)

Ce qui implique que la composante normale du déplacement diélectrique
est discontinue à une interface à cause de l’accumulation d’une densité de
charge surfacique ρs .

17
5.3 Densité de courant - j
Toujours avec ce cher cylindre. Si l’épaisseur du cylindre tend vers zéro, le
courant traversant l’interface est donné par

I = ~j1 · ~n∆a = ~j2 · ~n∆a (5.7)

(~j1 − ~j2 ) · ~n = 0 (5.8)

donc la composante normale de la densité de courant est continue.
Si on s’intéresse au cas plus général du courant total, i.e. conduction +
déplacement soit (σ + i²ω)E, alors on a

~ 1 = (σ2 + i²2 ω)E

(σ1 + i²1 ω)E ~2 (5.9)

∇n · J~ = (J~1 − J~2 ) · ~n 6= 0 (5.10)

car, selon (2.7), ∇n · ~j + ∂ρ/∂t = 0. Notez que si on est à basse fréquence,
i.e. ∂ρ/∂t ≈ 0, on retrouve simplement la relation (5.8).

5.4 Champ électrique - e

Nous allons ici prendre un contour, en sens horaire, autour d’un rectangle de
longueur ∆h et de hauteur ∆`.

Figure 5.2: Géométrie pour les conditions-limites sur ~e et ~h.

Rappelons l’équation de Maxwell

18
 ∂~b
∇ × ~e = − (5.11)
∂t
Intégrons le champ électrique autour du contour. Nous obtiendrons, via
le théorème de Stokes
Z Z
(∇ × ~e) · ~n dS = ~
~e · d` (5.12)
S C

Z
∂~b ~ − ~e2 · ∆`
~ + (contributions des bouts)
− · ~n dS = ~e1 · ∆` (5.13)
S ∂t

∂~b ~
− · ~n ∆`∆h = (~e1 − ~e2 ) · ∆` (5.14)
∂t
Comme nous nous intéressons à l’interface au sens strict, on peut prendre
∆h = 0 et donc annuler le terme du côté gauche. Il ne reste plus que

~ =0
(~e1 − ~e2 ) · ∆` (5.15)
∆` étant parallèle à l’interface, on en conclut que la composante tangen-
tielle du champ électrique est continue. Ceci peut aussi être exprimé sur la
forme

~n × (~e1 − ~e2 ) = 0 (5.16)

plus pratique à appliquer.

5.5 Champ magnétique - h

Nous reprenons le même contour et le même raisonnement que dans le cas
précédent. L’équation de Maxwell correspondante est

∂ d~ ~
∇ × ~h = +j (5.17)
∂t
Intégrons le champ magnétique autour du contour. Nous obtiendrons, via
le théorème de Stokes
Z Z
(∇ × ~h) · ~n dS = ~h · d`
~ (5.18)
S C

19
  
Z
∂ d~ ~ 
 + j · ~n dS = ~h1 · ∆`
~ − ~h2 · ∆`
~ + (contributions des bouts) (5.19)
S ∂t
 
∂ d~ ~ 
 + j · ~n ∆`∆h = (~h1 − ~h2 ) · ∆` (5.20)
∂t
Ce qui revient à dire
 
∂ d~ ~ 
~n × (~h1 − ~h2 ) = lim  + j · ~n ∆h (5.21)
∆h→0 ∂t
On a donc deux termes à analyser. Il semble évident que la dérivée
temporelle du déplacement ne peut être infinie, car cela nécéssiterait une
~ La limite tendra bien vers 0 pour ce premier
variation instantanée de d.
terme.
Qu’en est-il du courant de conduction? On peut imaginer la présence
d’une densité surfacique de courant telle que

lim (~j∆h) = ~js (5.22)

∆h→0~j→∞

la condition sur h tangentiel devient

~n × (~h1 − ~h2 ) = ~js (5.23)

Mais si σ est limité (i.e. n’est pas infini) de part et d’autre (ce qui est
toujours le cas en géophysique) et que le champ électrique ~e = ~j/σ est aussi
limité, ~j ne peut tendre vers l’infini et donc le second terme est également
nul, donc

~n × (~h1 − ~h2 ) = 0 (5.24)

Ceci implique que la composante tangentielle du champ magnétique est
continue dans ce cas.
Pour certains problèmes, on pourra supposer que σ est infini. Alors, on
peut envisager que ~j soit infini sans que ~e ne le soit. Dans ce cas, on doit
utiliser (5.23).

20
 σ σ σ

Figure 5.3: Problème du filon pour l’application des conditions aux limites.

5.6 Exemple: Filon Vertical

Enfin, on commence à faire de la géophysique! Nous allons aborder un cas
très simple mais il vous donnera une bonne idée des raisons pour lesquelles
la prospection EM fonctionne.
Soit un filon vertical de conductivité électrique σ2 dans un encaissant de
conductivité σ1 . Un champ électrique orienté parallèlement à la surface est
incident à l’interface I. De plus ²1 = ²2 = ² et µ1 = µ2 = µ.
A l’interface I, on a la discontinuité dans le déplacement normal

d2 − d1 = ρs (5.25)
donc
ρs
e2 − e1 = (5.26)
²
on a aussi la continuité de la composante normale de j

j2 − j1 = σ2 e2 − σ1 e1 = 0 (5.27)
σ1 e1
e2 = (5.28)
σ2
Combinant ces deux premiers résultats, on obtient
σ1 e1 ρs
− e1 = (5.29)
σ2 ²
σ1 − σ2 ρs
e1 = (5.30)
σ2 ²
Deux cas sont possibles:
- σ1 < σ2 (interface I) : alors ρs < 0. Accumulation de charges négatives

21
 - σ1 > σ2 (interface II) : alors ρs > 0. Accumulation de charges positives
La quantité de charges accumulées dépendra du contraste de conductivité
entre le filon et son encaissant.
Si l’on trace le champ électrique résultant, on remarque que les disconti-
nuités facilitent largement la mise en évidence du filon.

σ1 < σ2

- +
- +
- +
- +
σ1 σ2 σ1

Figure 5.4: Bas: accumulation de charges aux bords d’un filon conducteur.
Haut: champ électrique perpendiculaire au filon que l’on mesurerait en sur-
face. Notez comme les discontinutés permettent de bien locaiser le filon.

5.7 L’effet galvanique - Un corps dans un Champ

électrique
Nous pouvons étendre le problème du filon à un cas plus général, par ex-
emple à un parallélépipède dans un champ électrique. Pour une cible plus
conductrice que son encaissant, nous venons de voir que des charges de signe
opposé s’accumulaient aux deux extrémités de la cible. On peut en déduire
qu’il y a un courant (= un champ) secondaire de direction opposée au champ
primaire à l’intérieur de la cible: c’est donc un champ de dépolarisation. Il

22
s’ajoute cependant au champ primaire à l’extérieur de la cible, ce qui a pour
effet de faciliter la découverte de celle-ci.
Le champ secondaire produit par ce courant secondaire est équivalent
à celui produit par un dipôle électrostatique orienté des charges négatives
vers les charges positives. Si l’on s’intéresse à la somme entre le champ
électrique primaire ep et le champ de dépolarisation es , on remarque qu’à
l’extérieur de la cible les lignes de champ convergent vers celle-ci, et qu’à
l’intérieur, l’opposition des champs provoque un resserrement des lignes de
champ vers le centre. Le champ électrique total semble donc canalisé par
le corps conducteur. Cet effet de canalisation du courant est connu sous le
nom d’effet galvanique. Ce champ total peut être assimilé à celui d’un dipôle
électrique ce qui permet de modéliser simplement ce phénomène.

23
Chapitre 6

Le Contact

Nous avons maintenant acquis les bases pour aborder des problèmes plus
élaborés. Un exercice classique, mais oh combien pédagogique!, est le pro-
blème d’une onde EM plane de pulsation ω incidente dans l’air sur un contact
vertical (en y = 0) entre deux milieux de conductivités électriques différentes.
En termes géologiques, un tel modèle pourrait être interprété comme une
faille normale ayant déplacé deux unités adjacentes de lithologies différentes.
Avant de se lancer à l’assaut du problème, posons l’hypothèse que le
champ magnétique incident est parallèle à l’axe des X. Ceci implique que le
champ électrique est dans le plan YZ, i.e. H ~ = (Hx , 0, 0) et E
~ = (0, Ey , Ez ).
On doit d’abord résoudre l’équation différentielle pour H, ~ c’est-à-dire
l’équation d’Helmholtz homogène

~ + k2H
∇2 H ~ =0 (6.1)
avec k 2 = −iωµσ. Comme H ~ n’est que selon X et que le modèle est infini
dans cette direction, les dérivées en X sont nulles, d’où

∂ 2 Hx ∂ 2 Hx
+ + k 2 Hx = 0 (6.2)
∂y 2 ∂z 2
Maintenant qu’on a posé l’équation différentielle, on doit s’intéresser aux
conditions- limites. On ne va considérer que celles pertinentes à Hx .
i. la composante normale de J~ est continue en z = 0

~ = J~ = σ E
∇×H ~ (6.3)
~ Ez , on a donc
pour la composante Z de E,
∂Hx
σEz = − =0 (6.4)
∂y

24
 car en z = 0 le courant est nul: il n’y a pas de courant dans l’air (heureuse-
ment pour nous!). On en conclut donc par intégration que

Hx (z = 0) = Cte = H0 . (6.5)

ii. les champs doivent diminuer avec la profondeur

Hx (y, z) → 0, z → ∞. (6.6)
~ est continue en y = 0
iii. la composante tangentielle de H

Hx1 (0, z) = Hx2 (0, z) (6.7)

~ est continue en y = 0
iv. la composante tangentielle de E
1 ∂Hx
Ez = −
σ ∂y
donc
1 ∂Hx1 1 ∂Hx2
= (6.8)
σ1 ∂y σ2 ∂y
Une fois ces conditions posées, on peut s’attaquer à la résolution du
problème. Notre approche consistera à approcher la solution avec une so-
lution homogène à laquelle on ajoutera une fonction de perturbation.
S’il n’y a pas de discontinuité, la solution de chaque côté est simplement

Hx1 = H0 e−ik1 z Hx2 = H0 e−ik2 z (6.9)

Notre solution pour Hx de part et d’autre du contact sera donc une com-
binaison des solutions homogènes ci-dessus et d’une perturbation que l’on
nommera fj (y, z):

Hxj = H0 e−ikj z + fj (y, z) (6.10)

On sait que Hxj est solution de l’équation d’Helmholtz et que H0 e−ikj z
l’est aussi. On en déduit donc qu’il en est de même pour fj (y, z), car les
équations de l’EM sont linéaires:

∂ 2 fj ∂ 2 fj
+ + k 2 fj = 0 (6.11)
∂y 2 ∂z 2
Les conditions aux limites de fj sont
en z = 0, fj = 0 car Hxj = H0 à la surface
quand z → ∞, fj → 0 car Hxj → 0
quand y → ±∞, fj → 0 car loin du contact on a la solution homogène

25
 Prenons la transformée de Fourier sinus de fj selon Z, que nous notons
F̂j
2Z∞
F̂j = fj (y, z) sin αz dz (6.12)
π 0
alors

∂ 2 F̂j
− α2 F̂j + k 2 F̂j = 0 (6.13)
∂y 2

∂ 2 F̂j
2
= γ 2 F̂j (6.14)
∂y
où γ 2 = α2 − kj2 .
La solution est de type e±γj y , mais comme F̂j = 0 quand y → ±∞, elle a
la forme

F̂j = Pj (α)e−sgn(y)γj (α)y (6.15)

où sgn(y) est simplement le signe de y. Prenons la TF sinus inverse
Z ∞
fj (y, z) = Pj (α) e−sgn(y)γj (α)y sin αz dα (6.16)
0
Plaquons cette soltuion dans l’équation d’Helmholtz

∂ 2 fj Z ∞
∗ = Pj (α) γj2 (α) e−sgn(y)γj (α)y sin αz dα (6.17)
∂y 2 0

∂ 2 fj Z ∞
∗ = Pj (α) (−α2 ) e−sgn(y)γj (α)y sin αz dα (6.18)
∂z 2 0

Z ∞
Pj (α) [γj (α)2 − α2 + kj2 ] e−sgn(y)γj (α)y sin αz dα = 0 (6.19)
0

Cette condition est satisfaite si le terme entre crochets est nul, i.e. si
γj (α)2 = α2 − kj2 , relation obtenue précédemment. Revenons maintenant à
nos conditions aux limites

- H tangentiel est continu en y = 0 (iii ci-dessus)

Z ∞ Z ∞
H0 e−ik1 z + P1 (α) sin αz dα = H0 e−ik2 z + P2 (α) sin αz dα (6.20)
0 0

26
 Z ∞
H0 (e−ik1 z − e−ik2 z ) = (P2 (α) − P1 (α)) sin αz dα (6.21)
0
En passant par les propriétés de la TF sinus, on retrouve
2Z∞
P2 (α) − P1 (α) = H0 (e−ik1 z − e−ik2 z ) sin αz dz (6.22)
π 0
mais Z ∞
α
e−ikz sin αz dz =
0 α2 − k2
donc
" #
2H0 α α
P2 (α) − P1 (α) = − (6.23)
π α2 − k1 α2 − k22
2

2H0 k2 − k2
P2 (α) − P1 (α) = α 1 2 22 (6.24)
π γ1 γ2

- E tangentiel est aussi continu en y = 0 (iv ci-dessus)

1 ∂Hx
Ez = (6.25)
σ ∂y

∂Hxj Z ∞
= Pj (α) (−sgn(y)) γj (α) e−sgn(y)γj (α)y sin αz dα (6.26)
∂y 0

si j = 1 alors y < 0 et −sgn(y) = 1 et si j = 2, alors −sgn(y) = −1.

Donc en y = 0

1 Z∞ −1 Z ∞
P1 (α) γ1 (α) sin αz dα = P2 (α) γ2 (α) sin αz dα (6.27)
σ1 0 σ2 0
Z ∞à !
P1 (α) γ1 (α) P2 (α) γ2 (α)
+ sin αz dα = 0 (6.28)
0 σ1 σ2
P1 (α) γ1 (α) P2 (α) γ2 (α)
+ =0 (6.29)
σ1 σ2
On peut alors combiner les relations obtenunes pour P1 et P2 . Posons

σ1 γ2 2H0 k12 − k22

β= ξ= α 2 2 (6.30)
σ2 γ1 π γ1 γ2

27
 γj2 = α2 − kj2 = α2 + iωµσj (6.31)
alors, par substitution
−βξ ξ
P1 (α) = P2 (α) = . (6.32)
1+β 1+β
Et le problème est résolu! On peut alors calculer Hx ,Ey et Ez partout.
- Hx :
Z ∞
Hxj = H0 e−ikj z + Pj (α) sin αz dα (6.33)
0
- Ey :
1 ∂Hx
Ey =
σ ∂z

· Z ∞ ¸
1
Eyj = −ikj H0 e−ikj z + αPj (α) e−sgn(y)γj (α)y cos αz dα (6.34)
σj 0

- Ez :
−1 ∂Hx
Ez =
σ ∂y

−1 Z ∞
Ezj = Pj (α) (−sgn(y)γj (α)) e−sgn(y)γj (α)y sin αz dα (6.35)
σj 0

La figure 6.1 montre le profil de Ey en surface pour un contact séparant

deux milieux de résistivités 10 et 1000 Ω.m à une fréquence de 10 Hz. On
remarque une discontinuité au niveau du contact (cf. chapitre précédent).
Sans surprise, Ey est plus faible (en valeur absolue) du côté conducteur.
Notez aussi que Ey revient à sa valeur homogène plus vite du côté conducteur.
Pourquoi?
La figure 6.2 montre le profil de Ez à une profondeur de 20 m pour le
même contact. Pourquoi doit-on prendre une valeur en profondeur et non
pas en surface?

28
 Ey pour f = 10 Hz & 10/1000 Ω .m
0
Réel
Imag

−0.05

−0.1
Ey

−0.15

−0.2

−0.25
−5000 −4000 −3000 −2000 −1000 0 1000 2000 3000 4000 5000
Distance (m)

Figure 6.1: Ey en surface pour un contact. Trait plein: partie réelle, pointillé:
partie imaginaire.

−3
x 10 Ez à z = 20 m pour f = 10 Hz & 10/1000 Ω .m
0.5

−0.5

−1

−1.5
Ez

−2
Réel
−2.5 Imag

−3

−3.5

−4
−1000 −800 −600 −400 −200 0 200 400 600 800 1000
Distance (m)

Figure 6.2: Ez à une profondeur de 20 m pour un contact. Trait plein: partie

réelle, pointillé: partie imaginaire.

29
Chapitre 7

Réflexion et réfraction d’une

onde EM plane

Jusqu’à maintenant, nous avons limité la plupart de nos démonstrations à des

milieux homogènes occupant tout l’espace. Il n’en est bien sûr pas ainsi dans
la réalité de la prospection géophysique où les anomalies et les hétérogénéités
constituent justement l’objet de toute campagne de prospection. Il nous fau-
dra donc aborder des situations plus complexes afin de pouvoir les appliquer
à des cas concrets. Nous allons débuter notre itinŕaire dans la complexité
progressive par une simple interface. Les concepts présentés ici seront par la
suite étendus aux milieux tabulaires.
Nous avons vu précédemment que pour une onde plane se propageant
dans un milieu uniforme et homogène, E ~ et H ~ sont perpendiculaires à la
direction de propagation qui est celle du vecteur d’onde ~k. Soit une onde
plane incidente sur un plan S séparant deux milieux aux propriétés électriques
différentes (cf. Figure 7.1). Il est évident que ~k et n̂ (la normale au plan S)
sont tous les deux dans le plan d’incidence. Nous avons besoin cependant de
quelques relations supplémentaires entre E, ~ H ~ et ~k.

J
J
J
~kJJ n̂
J
J
^
σ1 , µ1 , ²1 JJ6
σ 2 , µ2 , ² 2 S

Figure 7.1: Géométrie pour les problèmes de réflexion et réfraction.

~ = −iωµH.
Prenons l’équation de Maxwell ∇ × E ~ Nous alons tenter

30
d’exprimer l’opérateur rotationnel en fonction du vecteur d’onde. Soit un
champ électrique exprimé par

~ = E~0 e−i(kx x+ky y+kz z)

E (7.1)
alors

à ! à ! à !
~ = x̂ ∂Ez − ∂Ey
∇×E + ŷ
∂Ex ∂Ez
− + ẑ
∂Ey ∂Ex
− (7.2)
∂y ∂z ∂z ∂x ∂x ∂y

~ = x̂(−iky Ez + ikz Ey ) + ŷ(−ikz Ex + ikx Ez ) + ẑ(−ikx Ey + iky Ex ) (7.3)

∇×E

~ = −i~k × E
∇×E ~ (7.4)
Substituons dans l’équation de Maxwell, on obtient −i~k × E
~ = −iωµH,
~
soit

~ = 1 ~k × E
H ~ (7.5)
ωµ
~ = (σ + i²ω)E,
Utilisant la même approche pour ∇ × H ~ on obtient

~
~ = − ωµ k × H
E ~ = − ωµ n̂k × H (7.6)
k k k
où n̂k est un vecteur unitaire orienté selon ~k.

7.1 Loi de Snell-Descartes

Les champs de l’onde incidente sont

E ~ i0 e−i(~ki ·~r−ωt)
~i = E (7.7)
~ ~
~ i = ki × Ei
H (7.8)
ωµ1
où ~r ∈ S → n̂ · ~r = 0
de même pour les ondes réfléchie et transmise

E ~ r0 e−i(~kr ·~r−ωt) ; E
~r = E ~ t0 e−i(~kt ·~r−ωt)
~t = E (7.9)

31
 ~ ~ ~ ~
~ r = kr × Er ; H
H ~ t = kt × Et (7.10)
ωµ1 ωµ2
Nous avons vu (cf. Section 5.4) que la continuité des composantes tan-
~ s’exprime via
gentielles de E

~i + E
n̂ × (E ~ r ) = n̂E
~t (7.11)
~ i0 e−i(~ki ·~r) + E
E ~ r0 e−i(~kr ·~r) = E
~ t0 e−i(~kt ·~r (7.12)
cette dernière relation n’est satisfaite que si ~ki · ~r = ~kr · ~r = ~kt · ~r. Le but
du jeu est de trouver une relation entre les différents vecteurs d’onde.
Prenons n̂ × (n̂ × r̂) = (n̂ · r̂)n̂ − (n̂ · n̂)~r = −~r. On peut donc exprimer
les égalités ci-dessus en

~ki · n̂ × (n̂ × ~r) = kr · n̂ × (n̂ × ~r) (7.13)

~ki · n̂ × (n̂ × ~r) = kt · n̂ × (n̂ × ~r) (7.14)
mais ~a · ~b × ~c = ~a × b · ~c, donc

(~ki × n̂ − ~kr × n̂) · n̂ × ~r = 0 (7.15)

(~ki × n̂ − ~kt × n̂) · n̂ × ~r = 0 (7.16)
comme ~r est dans le plan S et que n̂ est dans le plan d’incidence per-
pendiculaire à S, il est évident que n̂ × ~r se trouve dnas S et est non nul.
L’expression entre parenthèses doit alors être soit nulle, soit toujours perpen-
diculaire à n̂ × ~r, mais comme ~r est quelconque seule la première hypothèse
est valable. Nous retrouvons donc

~ki × n̂ = ~kr × n̂ (7.17)

ki sin (π − θi ) = kr sin θr (7.18)
ki sin θi = kr sin θr (7.19)
mais comme les ondes incidente et réfléchie sont dans le même milieu (1),
ki = kr = k1 , on retrouve sin θi = sin θr , i.e. l’angle de réflexion est égal à
l’angle d’incidence. Pour la deuxième égalité,

~ki × n̂ = ~kt × n̂ (7.20)

ki sin θi = kt sin θt (7.21)

32
 Cette dernière relation est la loi de Snell 1 -Descartes que vous avez vue
auparavant en sismique et en optique (et dans ce cas, il s’agissait d’ondes
EM!). Nous sommes maintenant prêts à aborder les relations entre les am-
plitudes des ondes incidente, réfléchie et transmise.

7.2 Les équations de Fresnel

~ et H
La continuité des composantes tangentielles de E ~ amène

~i + E
n̂ × (E ~ r ) = n̂ × E
~t (7.22)

n̂ × (H~i + H ~ r ) = n̂ × H
~t (7.23)

→ n̂ × (~ki × E ~ r ) 1 = n̂ × (~kt × E
~ i + ~kr × E ~ t) 1 (7.24)
µ1 µ2
Développons les triples produits vectoriels

n̂ × ~ki,r,t × E ~ i,r,t )~ki,r,t − (n̂ · ~ki,r,t )E

~ i,r,t = (n̂ · E ~ i,r,t (7.25)
Retenons ces relations de Fresnel 2 . Elles nous permettront de nous
intéresser à deux cas particuliers: E~ i perpendiculaire au plan d’incidence
(TE) et E ~ i dans le plan d’incidence (TM).

7.3 ~ i ⊥ au plan d’incidence

TE : E
Comme les ~k et n̂ sont dans le plan d’incidence et que les deux milieux sont
isotropes, alors

~ i,r,t = k̂ir,t · E
n̂ · E ~ i,r,t = 0 (7.26)
Et les produits n̂ · ~k donnent

n̂ · ~ki = ki cos π − θi = −ki cos θi (7.27)

n̂ · ~kr = kr cos θr (7.28)
n̂ · ~kt = ki cos π − θt = −ki cos θt (7.29)
1
Willebrod Snell a découvert la loi de la réfraction en 1621. Il n’a pas publié ses travaux
de son vivant et il a fallu attendre la parution en 1703 du traité Dioptrica de Huygens
pour les connaı̂tre. Bien sûr, on ne présente plus Descartes...
2
Augustin Fresnel étudia les interférences lumineuses et les phénomènes de diffraction
qu’il traduisit mathématiquement en mouvements ondulatoires. Ajoutons pour l’anecdote
que toutes les salles de spectacles seraient orphelines sans leurs Fresnel spots !

33
 • Ei
Hi +́J Hr ­­ Á~
kr
JJ
~
^ ki n̂ Q k×
J ­
θr ­ Er
J θi 6
σ1 , µ1 , ²1 JJ­­
σ 2 , µ2 , ² 2 B S
B
B
θtB Et
)•B
Ht ³ ~
BN kt

Figure 7.2: Géométrie pour le mode TE.

Substituons le tout dans les équations de Fresnel

~ r ) 1 = kt cos θt E
~ i − kr cos θr E
(ki cos θi E ~t 1 (7.30)
µ1 µ2
mais kki k = kkr k = k1 et kt = k2 donc

cos θi E ~ r = µ1 k2 cos θt E
~ i − cos θr E ~t (7.31)
µ2 k1
voilà une première relation entre les trois champs. La seconde vient de
la première équation de Fresnel. Prenons le produit vectoriel de n̂ avec la
continuté de E tangentiel

~ i ) + n̂ × (n̂ × E
n̂ × (n̂ × E ~ r ) = n̂ × (n̂ × E
~ t) (7.32)
~ i + (n̂ · Êr n̂ − (n̂ · n̂)E
(n̂ · Êi )n̂ − (n̂ · n̂)E ~ r = (n̂ · Êt )n̂ − (n̂ · n̂)E
~t (7.33)
~i + E
→E ~r = E
~t (7.34)
~ i,r,t . En combinant les deux relations, on retrouve
car n̂ ⊥ E

~ r = µ2 k1 cos θi − µ1 k2 cos θt E
E ~i (7.35)
µ2 k1 cos θr + µ1 k2 cos θt

~t = µ2 k1 (cos θi + cos θi ) ~
E Ei (7.36)
µ2 k1 cos θr + µ1 k2 cos θt
r ³ ´2
mais cos θr = cos θi et cos θt = 1 − k1
k2
sin2 θi . Si nous définissons le
coefficient de réflexion R⊥ = Er /Ei

µ2 k1 cos θi − µ1 (k22 − k12 sin2 θi )1/2

RT E = R⊥ = (7.37)
µ2 k1 cos θi + µ1 (k22 − k12 sin2 θi )1/2

34
7.4 ~ i dans le plan d’incidence
TM : E
3́ Ei
Hi •J ­
Á~
~ kr
J^ ki n̂ Hr×­
J
J ­Q
s
θr ­ Er
J θi 6
σ1 , µ1 , ²1 JJ­­
σ 2 , µ2 , ² 2 B S
B
B
θtB³
•1 Et
Ht B ~kt
BN

Figure 7.3: Géométrie pour le mode TM.

Comme E ~ i se trouve dans le plan d’incidence, forcément H~ i sera perpen-

~ ~ ~
diculaire à celui-ci. On a alors n̂ · Hi = n̂ · Hr = n̂ · Ht = 0. On peut aussi
~ et H
relier E ~ via (éq. 7.6).
De plus, le champ magnétique tangentiel est continu (cf. 5.5) à l’interface

~i + H
n̂ × (H ~ r ) = n̂ × H
~t

~i + H
→H ~r = H
~t (7.38)
de même pour le champ électrique tangentiel (cf. 5.4)

~i + E
n̂ × (E ~ r ) = n̂ × E
~t

ωµ ~ i ) + n̂ × ωµ (n̂r × H
~ r ) = n̂ × ωµ (n̂t × H
~ t)
n̂ × (n̂i × H (7.39)
k1 k1 k2
mais
~ i ) = (n̂ · H
n̂ × (n̂i × H ~ i )n̂i − (n̂ · n̂i )H
~ i = cos θi H
~i

~ r ) = (n̂ · H
n̂ × (n̂r × H ~ r )n̂r − (n̂ · n̂r )H ~r
~ r = − cos θr H
~ t ) = (n̂ · H
n̂ × (n̂t × H ~ t )n̂t − (n̂ · n̂t )H
~ t = cos θt H
~t

substituant dans (7.39), on obtient

cos θi H ~ r = µ2 k1 cos θt H
~ i − cos θr H ~t (7.40)
µ1 k 2

35
 en combinant avec (7.38), on trouve les expressions pour les champs
magnétiques réfléchi et transmis, soit
q
µ1 k22 cos θi − µ2 k1 k22 − (k1 sin θi )2
~r =
H q ~i
H (7.41)
µ1 k22 cos θi + µ2 k1 k22 − (k1 sin θi )2

~t = 2µ1 k22 cos θi ~i

H q H (7.42)
µ1 k22 cos θi + µ2 k1 k22 − (k1 sin θi )2

Comme nous voulons exprimer le coefficient de réflexion par E~ r /E

~ i et que
nous savons d’avance qu’il sera négatif pour k2 > k1 , on inverse les termes
du numérateur.
q
µ2 k1 k22 − (k1 sin θi )2 − µ1 k22 cos θi
RT M = Rk = q (7.43)
µ1 k22 cos θi + µ2 k1 k22 − (k1 sin θi )2
L’expression du coefficient de réflextion d’une onde EM plane en mode
TM.

7.5 Réflexion à incidence normale

Le cas d’une onde à incidence normale (θi = 0) est particulièrement intéressant
à analyser. Qu’arrive-t-il aux coefficients de réflexion?

q
µ2 k1 cos 0 − µ1 k22 − (k1 sin 0)2 µ2 k 1 − µ1 k 2
RT E = q = (7.44)
µ2 k1 cos 0 + µ1 k22 − (k1 sin 0)2 µ2 k 1 + µ1 k 2

q
µ2 k1 k22 − (k1 sin 0)2 − µ1 k22 cos 0 µ2 k1 − µ1 k2
RT M = q = (7.45)
µ1 k22 cos 0 + µ2 k1 k22 − (k1 sin 0)2 µ2 k1 + µ1 k2

donc, à incidence normale, le coefficient de réflexion est le même que l’on

soit en mode TE ou en mode TM.
Les figures 7.4 et 7.5 montrent l’évolution du coefficient de réflexion pour
les modes TE et TM avec l’angle d’incidence. On remarque sur la figure 7.4,
qui traite du cas pour lequel σ1 < σ2 , que ces coefficients sont pratiquement
réels. En fait leur partie imaginaire n’augmente que lorsque la fréquence
devient très élevée - bien au-delà du seuil de l’ARQS.

36
 RTE σ1 = .01, σ2 = .1 S/m RTM σ1 = .01, σ2 = .1 S/m
1 1
Re Re
0.8 Im 0.8 Im

0.6 0.6

0.4 0.4

0.2 0.2

RTM
RTE

0 0

−0.2 −0.2

−0.4 −0.4

−0.6 −0.6

−0.8 −0.8

−1 −1
0 30 60 90 0 30 60 90
Angle d’incidence (deg) Angle d’incidence (deg)

Figure 7.4: Coefficient de réflexion (modes TE et TM) pour un passage d’un

milieu résistant vers un milieu conducteur (f = 100 Hz). Trait plein: partie
réelle, pointillé: partie imaginaire.

A l’inverse, lorsque σ1 > σ2 (Figure 7.5), la partie imaginaire devient tout

de suite très importante, à patir d’environ θi = 20o pour le cas montré ici, et
va même jusqu’à dominer complètement RT E pour θi ≈ 50o . Qu’est-ce que
cela signifie physiquement, i.e. quelle est la nature de l’onde dans le milieu
2?

7.6 Impédance d’une onde EM plane

De la même façon qu’en sismique, nous allons exprimer les coefficients de
réflexion en fonction de l’impédance d’une onde plane. Reprenons l’expression
du coefficient de réflexion à incidence normale en mode TE
µ2 k1 − µ1 k2
RT Eθ=0 =
µ2 k1 − µ1 k2

multipliant de part et d’autre par ω/k1 k2 , on retrouve

ωµ2 ωµ1
k2
− k1 Z2 − Z1
RT Eθ=0 = ωµ2 ωµ1 =
k2
+ k1
Z2 + Z1

37
 RTE σ1 = .1, σ2 = .01 S/m RTM σ1 = .1, σ2 = .01 S/m
1 1
Re Re
0.8 Im 0.8 Im

0.6 0.6

0.4 0.4

0.2 0.2

RTM
RTE

0 0

−0.2 −0.2

−0.4 −0.4

−0.6 −0.6

−0.8 −0.8

−1 −1
0 30 60 90 0 30 60 90
Angle d’incidence (deg) Angle d’incidence (deg)

Figure 7.5: Coefficient de réflexion (modes TE et TM) pour un passage

d’un milieu conducteur vers un milieu résistant (f = 100 Hz). Trait plein:
partie réelle, pointillé: partie imaginaire. Notez les variations importantes
au voisinage de θi = 20o : à quoi sont-elles dues?

Z est défini comme l’impédance d’une onde plane. Utilisant la relation

(7.5) ci-dessus, on voit que ωµ/k correspond au rapport des composantes
orthogonales de E et H, soit
ωµ Ex Ey
Z= = =− (7.46)
k Hy Hx
Nous verrons dans le chapitre suivant que l’on peut considérer un milieu
tabulaire comme un demi-espace dont l’impédance (apelée souvent impédance
effective) sera une fonction des impédances des couches le constituant. Ceci
simplifie énormément la modélisation des champs EM dans les milieux tab-
ulaires.

38
Chapitre 8

Onde plane incidente sur un

milieu tabulaire

Nous allons maintenant étendre les concepts vus dans le chapitre précédent
aux milieux tabulaires en suivant une démarche comparable à celle utilisée
pour certains problèmes de sismologie, à savoir celle du milieu effectif.

8.1 Incidence normale

Soit un milieu constitué de N couches ayant chacune une conductivité élec-
trique σi et une épaisseur hi . Une onde EM plane de fréquence ω pour
~ = (Hx , 0, 0) et E
laquelle H ~ = (0, Ey , 0), donc se propageant selon l’axe des
Z, est incidente sur ce milieu tabulaire.

~ • -E
H ~
AIR ?~k

σ1 , h1

σ2 , h2

···

σN +1

Figure 8.1: Onde EM plane incidente normalement sur un milieu tabulaire à

N couches.

39
 ~ et H
A l’intérieur de chaque couche, on peut décomposer les champs E ~
en ondes montante et descendante. Dans la couche j, on a alors

Eyj = Ej+ e−ikj (z−zj ) + Ej− eikj (z−zj ) (8.1)

~ = ~k×E
~
et comme H ωµ0

Hxj = Hj+ e−ikj (z−zj ) + Hj− eikj (z−zj ) (8.2)

−k h + −ikj (z−zj ) i
Hxj = Ej e − Ej− eikj (z−zj ) (8.3)
ωµ0
En z = zj , soit au bas de la couche j

Eyj = Ej+ + Ej− (8.4)

1
Hxj = (E − − Ej+ ) (8.5)
Zj j
ωµ0
où Zj = kj
, i.e. l’impédance de la couche j.
1
Ej+ = (Eyj − Zj Hxj ) (8.6)
2
1
Ej− = (Eyj + Zj Hxj ) (8.7)
2
En z = zj−1 , soit au toit de la couche j, la continuité des composantes
~ et H
tangentielles de E ~ nécessite que Hxj = Hx(j−1) et Eyj = Ey(j−1) , d’où

Ey(j−1) = Ej+ e−ikj (zj−1 −zj ) + Ej− eikj (zj−1 −zj ) (8.8)
−1 h + −ikj (zj−1 −zj ) i
Hx(j−1) = Ej e − Ej− eikj (zj−1 −zj ) (8.9)
Zj
mais zj − zj−1 = hj , donc

1 1
Ey(j−1) = (Eyj − Zj Hxj )eikj hj + (Eyj + Zj Hxj )e−ikj hj (8.10)
2 2
eikj hj + e−ikj hj eikj hj − e−ikj hj
Ey(j−1) = Eyj − Zj Hxj (8.11)
2 2

Ey(j−1) = Eyj cosh ikj hj − Zj Hxj sinh ikj hj (8.12)

et

40
 · ¸
−1 1 1
Hx(j−1) = (Eyj − Zj Hxj )eikj hj − (Eyj + Zj Hxj )e−ikj hj (8.13)
Zj 2 2

eikj hj + e−ikj hj 1 eikj hj − e−ikj hj

Hx(j−1) = Hxj − Eyj (8.14)
2 Zj 2
1
Hx(j−1) = Hxj cosh ikj hj − Eyj sinh ikj hj (8.15)
Zj
Il est plus pratique de présenter ces deux dernières équations sous forme
matricielle, soit

" # " #" #

Ey(j−1) cosh ikj hj −Zj sinh ikj hj Eyj
= (8.16)
Hx(j−1) − Z1j sinh ikj hj cosh ikj hj Hxj

On peut donc calculer les champs E ~ et H

~ dans une couche si on connaı̂t
les champs, l’épaisseur et les propriétés physiques de la couche sous-jacente.
On peut étendre le raisonnement à N couches. Soit Mj la matrice
" #
cosh ikj hj −Zj sinh ikj hj
Mj = (8.17)
− Z1j sinh ikj hj cosh ikj hj
Alors, pour passer de la couche j − 1 à la couche j − 2, on aura

" # " #" #

Ey(j−2) cosh ikj−1 hj−1 −Zj−1 sinh ikj−1 hj−1
Ey(j−1)
= 1
Hx(j−2) − Zj−1 sinh ikj−1 hj−1 cosh ikj−1 hj−1
Hx(j−1)
(8.18)
Nous connaissons les champs dans la couche j − 1, donc substituons
" # " #
Ey(j−2) Eyj
= Mj−1 Mj (8.19)
Hx(j−2) Hxj
Si on débute dans le demi-espace sous le milieu tabulaire (j = N + 1), on
voit que l’on peut remonter jusqu’à la surface, ce qui nous donne la relation
" # N
" # " #
Ey1 Y Ey(N +1) Ey(N +1)
= Mj = M̃ (8.20)
Hx1 j=1
Hx(N +1) Hx(N +1)

Le produit des Mj = M̃ nous donne en fait les propriétés effectives du

milieu. Il s’agit du demi-espace électriquement équivalent au milieu tabulaire.

41
Notons que la dépendance en k implique une dépendance en fréquence et que
donc le milieu équivalent varie selon celle-ci.
Pour des raisons de simplicité, on définira M̃
" #
α11 α12
M̃ = (8.21)
α21 α22
Bon, tout ça c’est bien gentil: si on connaı̂t les champs dans le demi-
espace, on peut résoudre complètement le problème. Or, on ne connaı̂t jamais
ces champs. Comment s’en sortir?
Rappelons que l’impédance Z est le rapport entre les composantes orthog-
~ et H.
onales de E ~ Donc même si on ne connaı̂t pas celles-ci, leur rapport est
toujours connu. En effet, on a vu auparavant que
ωµ Ex Ey
Z= = =−
k Hy Hx

on peut donc réecrire les équations en termes de Z. Par exemple, l’impédance

effective au sommet de la couche j, dénotée Ẑj est donnée par
Ey(j−1) α11 Ey(N +1) + α12 Hx(N +1)
Ẑj−1 = − =− (8.22)
Hx(j−1) α21 Ey(N +1) + α22 Hx(N +1)
Si on utilise ZN +1 = −Ey(N +1) /Hx(N +1) et que l’on substitue dans l’équation
précédente, on retrouve
α11 ZN +1 − α12
Ẑj−1 = (8.23)
α22 − α21 ZN +1
→ Milieu à une couche (e.g. VLF)
Si on a une couche d’épaisseur h1 et de conductivité σ1 au-dessus d’un
demi-espace de conductivité σ2 , il est clair que les α sont

α11 = cosh ik1 h1

α12 = −Z1 sinh ik1 h1
(8.24)
α21 = − Z11 sinh ik1 h1
α22 = cosh ik1 h1
L’impédance effective à la surface Ẑ1 = −Ey1 /Hx1 est alors calculée par
cosh ik1 h1 Z2 + Z1 sinh ik1 h1
Ẑ1 = (8.25)
cosh ik1 h1 + ZZ21 sinh ik1 h1
Z2 + Z1 tanh ik1 h1
Ẑ1 = Z1 (8.26)
Z1 + Z2 tanh ik1 h1

42
 Avec Zi = ωµ/ki , impédance intrinsèque de la couche i.
Commnent généraliser cette approche pour un modèle à N couches?
i. On commence par calculer l’impédance effective au toit de la première
couche au-dessus du demi-espace (i.e. la couche N ), via
ZN +1 + ZN tanh ikN hN
ẐN = ZN (8.27)
ZN + ZN +1 tanh ikN hN
ii. On utilise ensuite la même relation pour les couches N − 1, N − 2, etc.
en substituant à chaque fois l’impédance effective du milieu sous la couche
concernée. On remonte ainsi jusqu’à la surface.
Cette formule de récurrence est très facile à programmer. Nous le ferons
en T.D.
La figure 8.2 montre un exemple de modélisation 1D pour un milieu à
3 couches de 1000, 100 et 10 Ω.m. On présente les résultats en termes de
résistivité apparente (i.e. effective, dénotée ρa ) en fonction de la fréquence.
Remarquez qu’aux hautes fréquences ρa = 1000 Ω.m et aux plus basses
féquences, ρa → 10 Ω.m. Ca vous surprend?

Modèle 1D Réponse du modèle

4
0 10

200

400
Résistivité apparente (Ω .m)

600 3
10
Profondeur (m)

800

1000

1200
2
10
1400

1600

1800
1
2000 1 2 3
10 0 2 4
10 10 10 10 10 10
Résistivité vraie (Ω .m) Fréquence (Hz)

Figure 8.2: Gauche: modèle 1D de résistivité. Droite: réponse MT de ce

modèle calculée avec la formule de récurrence 8.27.

43
8.2 Incidence oblique
Nous avons résolu le problème d’une onde plane incidente normalement sur
un milieu tabulaire. Que se passe-t-il si l’onde a une incidence oblique? C’est
sûrement le cas pour les manipes VLF pour lesquelles on ne contrôle rien, a
fortiori l’angle d’incidence des ondes émises par une station à des centaines
de km de notre site de mesure. Mais est-ce que ça vaut la peine de s’y
intéresser?
Dans une mesure VLF, l’onde EM est incidente dans l’air (milieu 1) vers
le sol (milieu 2). Rappelons la loi de Snell-Descartes

k1 sin θ1 = k2 sin θ2

q q
ω 2 µ1 ²1 − iωµ1 σ1 sin θ1 =
ω 2 µ2 ²2 − iωµ2 σ2 sin θ2 (8.28)
√ 2
Dans l’air, σ = 0 et donc il reste k1 = ω µ1 ²1 . Le sol a une√conductivité
non nulle et dans le cas du VLF, l’ARQS s’applique, i.e. k2 ≈ −iωµ2 σ2 .
s
ωµ1 ²1
sin θ2 = ≈0 (8.29)
−iµ2 σ2
et donc θ2 ≈ 0. Cela revient à dire que peu importe l’angle d’incidence
dans l’air, l’onde EM plane se propage verticalement dans le sous-sol. On
peut donc utiliser l’impédance effective calculée pour un milieu tabulaire
pour toutes les méthodes basées sur des ondes planes incidentes dans l’air
(e.g. MT, AMT, VLF).

44
Chapitre 9

Imagerie MT

Dans le chapitre préécédent, nous avons vu comment calculer la réponse MT

d’un modèle tabulaire. C’est ce qu’on appelle communément le problème
direct. On peut alors interpréter des données acquises sur le terrain en mod-
ifiant le modèle jusqu’à ce qu’un bon ajustement soit atteint.
Cette approche s’avère cependant fastidieuse si on a un grand nombre
de données à traiter ou si le sous-sol est particulièrement complexe. On a
alors avantage à développer une méthode qui permette de recouvrer σ(z) ou
ρ(z) à partir de ρa (f ) ou ρa (T ). Deux équipes ont développé simultanément
une transformation simple permettant cette opération: nous présentons ici
le travail de Niblett et Sayn-Wittgenstein et de Bostick.
Rappelons que la résistivité apparente ρa est la moyenne pondérée de la
résistivité ρ(z). Il en est bien sûr de même pour la conductivité apparente
σa . D’où
Z ∞
1
σa = = p(u)σ(u)du (9.1)
ρa 0

avec la fonction de pondération p(u) normalisée, i.e.

Z ∞
p(u)du = 1 (9.2)
0
Comme le milieu est tabulaire, ils ont proposé

U (z − u)
p(u) = (9.3)
z
où U est la fonction de Heaviside et z est la profondeur effective de
pénétration des champs pour une période T donnée. (9.3) satisfait forcément
(9.2) et a pour effet d’atténuer les effets des couches trop profondes pour être
atteintes par les champs de période T . Mettons (9.3) dans (9.1)

45
 Z ∞
1 U (z − u)
= σ(u)du (9.4)
ρa 0 z
Z ∞
z
= U (z − u)σ(u)du (9.5)
ρa 0

dérivons (9.5) par rapport à z

à ! Z ∞ Z ∞
∂ z ∂
= U (z − u)σ(u)du = δ(z − u)σ(u)du = σ(z) (9.6)
∂z ρa 0 ∂z 0

mais ρa dépend de T qui lui-même est relié à z, d’où

à !
∂ z 1 z ∂ρa ∂T
σ(z) = = − 2 (9.7)
∂z ρa ρa ρa ∂T ∂z
On a fait la moitié du chemin. Il nous faut mauintenant trouver une
relation entre z et T . On pourrait évidemment prendre la profondeur de
peau, mais celle-ci surestuime la oprofondeur rélle d’investigation
√ lorsque le
milieu n’est pas un demi-espace. Une correction de 1/ 2 de la profondeur
de peau est une meilleure estimation de la profondeur effective.
s s
2 2ρa
δ= = (9.8)
ωµσ ωµ
s
δ ρa
√ = =z (9.9)
2 ωµ
s
ρa T
z= (9.10)
2πµ
Comme on cherche ∂T /∂z, on obtient
s s
∂z 1 2πµ ρa 1 2πµ T ∂ρa
= + (9.11)
∂T 2 ρa T 2πµ 2 ρa T 2πµ ∂T

Multiplions le premier terme par T /T et le scond par ρa /ρa

s s
∂z 1 2πµ ρa T 1 2πµ T ρa ∂ρa
= + (9.12)
∂T 2 ρa T 2πµ T 2 ρa T 2πµ ρa ∂T
à !
∂z z z ∂ρa z 1 1 ∂ρa
= + = + (9.13)
∂T 2T 2ρa ∂T 2 T ρa ∂T

46
 Les données MT sont la plupart du temps présentées sur un graphe log ρa
- log f . Nous allons utiliser ceci pour obtenir une relation entre ρa et T = 1/f .
La pente s(T ) du graphe log-log est donnée par
d log ρa T dρa
s(T ) = = (9.14)
d log T ρa dT
dρa ρa s(T )
= (9.15)
dT T
donc
à ! à !
∂z z 1 1 ρa s(T ) z 1 + s(T )
= + = (9.16)
∂T 2 T ρa T 2 T
d’où
∂T 2T
= (9.17)
∂z z(1 + s(T ))
Collons (9.11) et (9.12) dans (9.7)
" #
1 z ρa s(T ) 1 + s(T ) 1 + s(T ) − 2s(T ) 1 1 − s(T )
σ(z) = − 2 = =
ρa ρa T T ρa (1 + s(T )) ρa 1 + s(T )
(9.18)
Et donc " #
1 + s(T )
ρ(z) = ρa (T ) (9.19)
1 − s(T )
s
ρa T
z= (9.20)
2πµ
Voilà notre problème résolu! Nous avons maintenant des relations per-
mettant de recouvrer ρ(z) à partir de données d’un sondage ρa (T ). C’est ce
qu’on appelle un problème inverse.
L’équation (9.19) nous permet également de comprendre un peu mieux
la physique du problème. Quelles sont les valeurs limites de s(T ) sachant
qu’on ne peut avoir de terme entre crochets négatif ou nul, car ρa est obli-
gatoirement positif? On remarque que la pente doit être telle que ksk ≤ 1.
Qu’est ce ça veut dire? Cela signifie que ρa ne peut varier brusquement en
fonction de la fréquence. Est-ce surprenant? Non, car comme en augmentant
la période on ne fait qu’augmenter z et donc dans les faits on ajoute un petit
bout de ρ(z) à l’intégrale (9.1). Cette intégrale, comme on s’y attend, va
lisser la fonction ρ(z).
On peut donc utiliser cette propriété pour contrôler la qualité d’un sondage
MT. Si ρa varie brusquement avec la fréquence, ça va pas. Vous avez sans

47
doute enregistré du bruit... Vous pouvez également utiliser les fonctions
(9.19) et (9.20), faciles à programmer, pour contrôler la qualité et avoir une
permière idée de la résistivité en profondeur.
Les figures ci-dessous montrent deux exemples d’inversion de données
synthétiques : l’un pour lequel ρ diminue avec la profondeur (9.1) et l’autre
pour lequel ρ augmente (9.2). La courbe en pointillé sur les graphes de
droite représente le modèle ayant servi à calculer le synthétique. Pourquoi
l’inversion est-elle moins bonne pour ce dernier cas?

Réponse du modèle Modèle (− −) et image

4
10 0

200

400
Résistivité apparente (Ω .m)

3 600
10
Profondeur (m)

800

1000

1200
2
10
1400

1600

1800
1
10 −5 0 5
2000 1 2 3
10 10 10 10 10 10
Fréquence (Hz) Résistivité (Ω .m)

Figure 9.1: Cas pour lequel ρ diminue avec la profondeur. Gauche: données
syhtnétiques. Droite: modèle (trait pointillé) et profil de résistivité (trait
plein) obtenu en appliquant les équations 9.19 et 9.20. L’accord entre les
deux courbes est plutôt satisfaisant.

La boucle est bouclée! Nous avons obtenu notre première image de la

résistivité du sous-sol lorsque celui-ci est excité par une onde plane, i.e.
lorsque la source est très loin de la zone de mesure. Même si les méthodes
”ondes planes” MT et VLF donnent de bons résultats, elles ne sont pas les
plus utilisées en prospection EM. Par exemple, la MT est à toutes fins pra-
tiques inutile lorsqu’on s’intéresse à la proche surface (z < 100 m). Pour ce

48
 Réponse du modèle Modèle (− −) et image
3
10 0

200

400
Résistivité apparente (Ω .m)

2 600
10

Profondeur (m)
800

1000

1200
1
10
1400

1600

1800
0
10 −5 0 5
2000 1 2 3
10 10 10 10 10 10
Fréquence (Hz) Résistivité (Ω .m)

Figure 9.2: Même que ci-dessus mais pour ρ augmentant avec la profondeur.
Ici, l’inversion est bien moins bonne que dans le cas précédent. Pourquoi?

type d’étude, on privilégiera les méthodes plus légères basées sur une source
proche. C’est ce que nous allons aborder dans les chapitres suivants.

49