l'r J.

ZERB O Année unive rsitai re 2023- ]024

Mas( tr I Phyd q uc
l/JKl ./ UFR-SEA

Co mp osa nts Ele ctro niq ues

TD Phy siq ue des Sem i-co ndu cte urs et
, 3
Exe rcic e 1 : de silic ium de dens ité intri nsèq ue n;=f ,5x/ 0w cm- à la
On considère un semi-conducteur à base
température T = 300 K. 2 3 phore ?
_Com men t chan ge E; si on dope du silic ium pur avec 1, 5 x 10' cm- atomes de phos
J 3 e. En supp osan t que tous les
5 x 10 cm- atomes de phos phor
16
2. On dope maintenant le silicium avec
dopants « participent à la conduction » :
(P ou N) ? Calculer no et po.
2.1 quel type de semi- conducteur est-ce nsèq ue?
Fermi par rapport au niveau de Fermi intri
2.2 de combien aurait changé le niveau de
T, Nn et 111
On expr imer a (EF- EJ en fonc tion de kn, ium avec 10 cm· atom es de bore. En
18 3 supp osan t que
main tena nt un autr e mor ceau de silic
3. On dope
n »:
tous les dopants « participent à la conductio
ur est- ce? (Pou N). Calculer no et po.
3.1 quel type de semi- cond ucte nsèq ue?
.Fermi par rapport an niveau de Fen ni intri
3.2 de combien aurait chan gé le niveau de ,, . .
T, NA et n;
On expr imer a (E;- EF) en fonc tion de kn, avec un diag ram me d ener gie qm
de silicium et on se retrouve
. 4. On connecte maintenant les deux blocs
r~ssemhle à celui <le J;,,jigure 1. 'est prob able men t pas à
cette figure. Or, 11otera que le a'essin 11
Trou vez !es valeurs _de X 1, X2 et X3 de
l'échelle. sion .
ne entre les deux régions ou tens ion de diffu
5. Calcul!;:z la différence de potentiel inter n sont tous deux prés ents . En
ants de diffusion et de mig ratio
6. A l'équ ilibr e thermodynamique, .les cour ces cour ants est-c e qu'o n
côté P et V- du côté N), lequ el de
appliquant une tension externe (V+ o.u
favo rise ?

Exe rcic e 2 5 par U!'f rayo nnem ent

type N (ND = 10 cnz" ) est écla irée
17
.Une lame min ce sem icon duct dce de
-trou avec un taux de géné ratio n GL = Ja2°
cm•Js•' que l'on
oma tiqu e qui cr6e des pair es élec tron
mon ochr
me.
peut con::;idérer conn ue hom ogèn e en volu
dans l 'éch anti llon est égal e à Tp = 10-
9
s,
duré e de vie de. s port eurs min orita iœs
1. Sachant que la
libres en régime stationnaire.
èékr .rii:i er les concentrations de po1ieum
6de U.'1 t.. ux de reco mbi nais on <le
surf ace très élP.vé, de sort e que l'on peut
2. La surfa ~e en x--:-+ +oo poss
t null e alon: q1J'elle est
por~eurs excédentaires y est cons tam men
. .. cons idér er que la conccnt:&tion de
max imal e en x = O. sont soum is
s et.di re à quel phén omè ne phy siqu e ilr.
2.1 Nom mer les porteurs minoritaires en excè
ranl né de ce phén omè ne phy siqu e
2.2 Don ner l'exp ress ion de la densité de co:.i me stati onnaire et -la
port eurs minoritaires en excè s en régi
2.3 Etab lir l'équ atio n de continuité des
r~soudre près )? On
dista nce de la surf ace la COilceutratiœ1 retrouve-t-elle sa vale ur e'l volw ne (à 5%
2.4 A quelle 1 1
sion des trous D, = 5 cm s- •
;,rc:idra pou r vale ur d11 coefficient de diffu
de coat inui té, cilcu !er l'exp ress ion d~
ta densit~ dt: courant des
3.l A part ir.de l1 solution de !'équ atio :i
trous
coun mt <les trous en x = O ainsi qt11:: sa vale ur num foqu e.
3.2 En déduire l'exp ress ion de la densité de

fCxcrc-ir(~ J : Etud e d'un e diod e à jonc

Hon pn
on suiv ant x
RAJ 'J'E LS: pour une i:;truct..i1e à une dim cmi
dE
. Equ.ilion <le Pois :,on ù::i11s l!:1 scrnicoc!dt,ctcur:
dx
 Annte unhrnitai n 2r123. 2· _
l 1JKZJ UFR-SEA M?ster i Phys ique Pr 1. Z[f{BO 1
Courant total (courant dt rn igrati~n et de diffusion) des rortcws: ( )
dp X
. () =e.n(x)11nE+d),, -
},. X
d11(x) . (X )--ep (x)µp E+eDp - d.x
l - et J,,
cr

Constantes universelles et d8nnées à ]' - 300 K pour le silicium

ksT = 26 meV, Nv = JO' <; cm·\ Ne = 2,Bx J0'9 cm·3, n; = 10 10 cnz" 3, Eg=l,12 eV, µn = 1345 cm 2 IV-,
10
µp=458 cm 2!Vs, e = J,6xJ0·'9 C, ks = J,J8x J0•23JK' =8,62 xJ0- 5 eV.K 1 , êsi = 10- F.cm·'

1. Diode à l'équilibre thermodynamique

7

On considère une diode à jonction PN à base de Si avec comme dopage en accepteurs NA = 101' cm·3 et en
donneurs Nn = 10 15 cm·3. On fera l'hypothèse de complète déplétion
Définitions : on définit -x11 l'extension de la zone de charge d'espace côté N, et +x:IJ la même chose côté P,
La jonction métallurgique se trcuve à x = O.
1.1 Expliquer qualitative:nent l'établissement de la barrière de potentiel dans un~ jonction PN à l'équilibre
thermodynamique. (Quatre phrases) .
1.2 Tracer le dia.gramme d'énergie (tracer et étiqueter les bandes de conduction et d~ valence, le niveau de
Fermi). Définir clairement le côté Pet le côté N.
1.3 lftahlir l'expression de b tension cfo <liffu.sion Vi). Application numérique.
·l .4 Etc1blir les e:~pressions du champ électrostatique dans les diftërentes régions côté Pet côté N.
dE _ eND dE eNA dE
-
dx- +&- pour -xn -<x-<0 ·-=--pour
, dx &
0-<x-<xp et -=0
dx pour x>-x et x-<-x
p n

1.5 Tracer l'allure du champérectrostafr1ue dans la diode. Où la valeur absolue du champ est-il maximum
et quelle est son exp~ession Wmaxl ?
1.6 Établi;: l'expresûan donnc1nt !'ôp:üsseur de la zone de charge d'espace W et celles donnant ses
extensions Xp et X11 d3!1S i.~1- r~Jic,ns ? et N. Application numérique pour les trcis grandeurs et
commenter.
2 - Diode polarisée ea t.lirec!
On pobrise la diode co direc: rn1- s une tension VA = 0,36 Vpm:itive .
1

. . · 2.1 ::c;1émati ser con11n,~1~t Ir dio~: est rc!uisée par-U!le source de tensic:1 en cifrect:: (cùd c!ar.s qael sens
so,nt co;1nectées les bornes ùe ia !1~1te:ie: p:1r rnp9ort à la jonction PN). .
2.2 Tracer le dberar_.1mc c!'6r1er~;c ;tn~œr et étiqueter k:s•ba:id~~:; d(': conduction. c-.t,d~ valen~l\ le nive~n; de
Fermi).
2.3 Lister les trois diff~:-en;cs C.::ms c~ ..:.:ag~ar.ime d'énergie par rapport à cdui de IR diode non polarisée.
2.4 Le courant passe-t-il ?
,, .' Si oui, quelle est sa n2ture.pr;r.:ip<'.!e 1:., mïr:mt d~ dérive ou migration, diffusion, éle-::trons, de trous ... )?
Expliquer.
·. 2.; A partir des réGuit~ts C:u 1.6 c:-c!e.ssns, déduire les expresûons d~ Wairect, x/"ect d x/1'i?ct.
:?.6 ApplicatiotJ. numéric;:ue po..: .. les ~rcif gn:.ndeurG et commer.tcr.
2.7 Que vaut Wdirect !)O'Jf VA=l V?

- - . ~ .. ,:ercke I, : Intcrp.rét:iti0!l L!c.,. <!i~3~r..r.m.:es de bandes (t'ncrgie d'un élcctro!l en fonction de la

!)osition)
. Un dü,pc~itif à b~.sc de si!:ciur.i à 300 X es! r..:irnctérisé par le diagr.!rnr..,: 'de bande d~ k.. f':gure 2'. Ec est
l'én cr[:Ï',! du bas de la banC:.; J~ wndl!ct:on, Ev est l'énergie du haut de 1..: ba:ide Je valence, EF est
l'énug1c de fermi et E, e.:;t J'f.. 1-'4t'i~ l'e ft:rrni intrinsèque.Lest la longueur é:1 dispo:;itiîd:ms la di:-cction
x On ;.!~!;l'.;LTU il: (:Ï:.igramrnc j_: ;,:inJe ,Je bji~ure 21,.1uU1 1~~·liuJ11; uux 4.uc:;lions.
1. Le (:i.,pr,-,itif e,,t-ii ~ l'ü!ui:1!:J:,; t!.(:rmod~,w•miquc? Pourquoi?

2. A p::r~,r d1·s don11 é( s de laf(.;ur~· ~, ,-:,!c:.i!::r Ja v.:ileur de l'énergie de la bande interdite c;u silii::ium.

2
 Pr J. ZF.RBO A nn l-1' nnh:ersitalre 2023- 21l24
UJKZJ UFR-SEA Master l Physique
3. 1 Quel est le type de dopant (dominant) :
a) à x = O? b) à x = L/2? c) à x = .L ? Justifier les différentes réponses
3.2 Quelle est la région la plus fortement dopée? ...
3.3 Quelle caractéristique doivent :avoir les impuretés utilises pour dop~r le sili cium situé dans la région x
= Oà x =U4'?
4. Calculer les concentrations d' électrons dans la bande de conduction et de trous dans la bande de
valence à x = U2 ?
5. Quelles sont les concentrations d'électrons dans la bande de conduction et de trous dans la bande de
valence à x = 5UI6?
5. Quelle est la valeur du courant total dans le dispositif? Justifier votre réponse.
6. Comment appelle-t-on ce dispositif à base de silicium? De quel type est-il?

0.44 eV
1 1 0.7eV
---.--f •1
0.42 eV
1
,, , -
1 - - ' , .,____ E
1 -t- ·
---"l"'-..,___..,..____...,.__Ec i 0.12 eV
\' F

0.7 eV
---~
1 1
1
1
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' 1\.- - - __. E .
1 eV '

:X=5U16
1 I
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--:---·-t-1-•-+-1-+-I-+l--+l-----4--- .......... X
0 u 4 3L/8 IJ2 5Lf8JIJ4
Figure 1 Figure 2

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