Electronique1 2

Cours d’électronique pour les Départements : Instrumentation et Mesures
Physiques- Technologie des Equipements Biomédicaux
COURS D’ELECTRONIQUE ANALOGIQUE I

I. INTRODUCTION
1.1. DEFINITION
1.2. PRINCIPALES CLASSES
1.3. PRINCIPALES BRANCHES
1.4. IMPORTANCE
II.THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS
2.1. RAPPELS D’ELECTROSTATIQUE
2.1.1. CHAMP ELECTRIQUE
2.2.2. CREATION DU VECTEUR CHAMP ELECTRIQUE
2.1.3. ACTION DU VECTEUR CHAMP ELECTRIQUE
2.1.4. RELATION CHAMP-POTENTIEL
2.1.5. CONDENSATEUR
2.2. RAPPELS SUR LA STRUCTURE DE LA MATIERE
2.2.1. LE NOYAU
2.2.2. LES ELECTRONS
2.3. LES SEMI-CONDUCTEURS INTRINSEQUES
2.3.1. LIAISON COVALENTE
2.3.2. IONISATION THERMIQUE
2.3.3. RECOMBINAISON
2.3.4. NOTION DE TROU
2.4. LES SEMI-CONDUCTEURS EXTRINSEQUES
2.4.1. SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE N
2.4.2. SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE P
2.5. CONDUCTION DES SEMI-CONDUCTEURS
2.5.1. MOBILITE DES PORTEURS DE CHARGE
2.5.2. CONDUCTIVITE DES SEMI-CONDUCTEURS
2.6. EFFET HALL
2.7. DIFFUSION
Chargé du cours : M. Orabaou BEAVOGUI, IST de Mamou, beavoguiorabaou.ob77@gmail.com Page 1

2.8. JONCTION P-N

2.8.1. MOUVEMENT DES PORTEURS A TRAVERS LA JONCTION
2.8.2. EXPRESSION DE LA BARRIERE DE POTENTIEL V0
2.8.3. JONCTION P-N POLARISEE EN DIRECT
2.8.4. JONCTION P-N POLARISEE EN INVERSE
2.8.5. RESISTANCE DYNAMIQUE D’UNE JONCTION POLARISEE EN DIRECT
2.8.6. INFLUENCE DE LA TEMPERATURE
2.8.6. 1.. COURANT DE SATURATION IS
2.8.6.2. BARRIERE DE POTENTIEL V0
2.8.7. CAPACITE D’UNE JONCTION POLARISEE EN INVERSE
III. DIODE A JONCTION P-N
3.1. DESCRIPTION ET SYMBOLE
3.2. DIODE EN COURT-CIRCUIT
3.3. DIODE POLARISEE EN DIRECT
3.4. DIODE POLARISEE EN INVERSE
3.5. CARACTERISTIQUE D’UNE DIODE A JONCTION
3.6. SCHEMA EQUIVALENT D’UNE DIODE A JONCTION
3.7. DIODE IDEALE ET DEGRE D’APPROXIMATION
3.8. LIMITATION D’UNE DIODE A JONCTION
3.8.1. LIMITATION EN TEMPERATURE
3.8.2. LIMITATION EN PUISSANCE
3.9. QUELQUES APPLICATIONS DES DIODES A JONCTION
3.9.1. REDRESSEMENT
3.9.1.1. REDRESSEMENT SIMPLE ALTERNANCE
3.9.1.2. REDRESSEMENT DOUBLE ALTERNANCE
3.9.2. REDRESSEMENT AVEC FILTRAGE R-C
3.9.3. REDRESSEMENT AVEC FILTRAGE RC ET RESISTANCE EN SERIE
3.9.4. DOUBLEUR ET INVERSEUR DE TENSION CONTINUE
3.10. DIODE ZENER
3.10.1. SCHEMA EQUIVALENT

3.10.2. LIMITATIONS
3.10.3. INFLUENCE DE LA TEMPERATURE
3.10.4. MONTAGE STABILISATEUR ELEMENTAIRE
3.10.5. CALCUL DE LA RESISTANCE R
IV. LES TRANSISTORS BIPOLAIRES A JONCTION
4.1. DESCRIPTION ET SYMBOLE
4.2. EFFET TRANSISTOR
4.2.1. FONCTIONNEMENT A COURANT DE BASE NUL
4.2.2. FONCTIONNEMENT A COURANT DE BASE CONSTANT
4.2.2.1. FONCTIONNEMENT A COLLECTEUR OUVERT
4.2.2.2. FONCTIONNEMENT A COLLECTEUR FERME
4.3. MISE EN EQUATIONS
4.4. CARACTERISTIQUES DU TRANSISTOR
4.4.1. CARACTERISTIQUE IC=f(VCE) A IB CONSTANTE
4.4.2. CARACTERISTIQUE IC=f(IB) a VCE CONSTANTE
4.3. CARACTERISTIQUE VBE = f(IB) À VCE CONSTANTE
4.4. CAR ACTÉ R I STI QU E VBE = f (VCE) À IR CONSTANTE
4.5. RÉGIMES DE FONCTIONMEMENT DU TRANSISTOR
4.6. FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN COMMUTATION
4.6.1. TRANSISTOR SATURÉ
4.6.1.1. CONDITION DE SATURATION
4.7. FONCTIONNEMENT DU TRANSISTOR EN AMPLIFICATION
4.7.1. AMPLIFICATEUR LIN ÉAIR E
4.7.2. AMPLIFICATION EN CLASSE A
4.7.2.1. POLARISATION
4.7.2.2. ATTAQUE DE L'AMPLIFICATEUR PAR UN SIGNAL D'ENTREE
4.7.3. AMPLIFICATEUR EN CLASSE B
4.7.3.1. SUPPRESSION DE LA DISTORSION DE CROISEMENT
4.7.4. SCHÉMA ÉQUIVALENT DU TRANSISTOR POUR LES PETITES VARIATIONS
4.7.5. LES TROIS MONTAGES FONDAMENTAUX EN CLASSE A

4.7.5.1. MONTAGE EMETTEUR COMMUN

4.7.5.2. MONTAGE BASE COMMUNE
4.7.5.3. MONTAGE COLLECTEUR COMMUN
V. LES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP (TEC)
5.1. TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A JONCTION (JFET)
5.1.1. DESCRIPTION ET SYMBOLES
5.1.2. TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION CANAL N
5.1.3. TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A JONCTION CANAL P
5.2. TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A GRILLE ISOLEE OU MOSFET (METAL
OXYDE SEMI-CONDUCTEUR FIELD EFFET TRANSISTOR)
5.2.1. MOSFET ENRICHISSEMENT
5.2.1.1. MOSFET A ENRICHISSEMENT CANAL N
5.2.1.2. MOSFET A ENRICHISSEMENT CANAL P
5.2.2. MOSFET A APPAUVRISSEMENT
5.2. 2..1. MOSFET A APPAUVRISSEMENT CANAL N
5.2.2.2. MOSFET A APPAUVRISSEMENT CANAL P
VI. LES AMPLIFICATEURS OPERATIONNELS (AOP)
6.1. DEFINITION, SYMBOLES ET CARACTERISTIQUES
6.2. HYPOTHESES SIMPLIFICATRICES
6.3. REGIMES DE FONCTIONNEMENT DES AOP
6.3.1. REGIME LINEAIRE
6.3.2. REGIME DE COMMUTATION

CHAPITRE I : INTRODUCTION
1.1. DEFINITION : L’électronique est une branche de la science et la technique qui étudie les
mouvements des particules chargées dans le vide, dans les gaz et dans les corps cristallins. Elle
étudie les propriétés électriques des dispositifs employés ainsi que leur mode de
fonctionnement.
De nos jours, l’électronique peut être définie comme étant une branche de la science et de la
technique qui étudie les dispositifs construits autour de la technologie des semi-conducteurs.
1.2. PRINCIPALES CLASSES DE L’ELECTRONIQUE : Les principales classes sont les
dispositifs à vide (tubes à vide), les dispositifs à gaz (tubes à gaz) et les dispositifs à semi-
conducteurs.
1.3. PRINCIPALES BRANCHES DE L’ELECTRONIQUES
Les principales branches sont :
• L’électronique industrielle : Elle étudie les dispositifs électroniques de mesure, de
contrôle, de protection, de surveillance, de détection… ;
• La radio-électronique : Elle concerne toutes les formes de transmission par radio (la
radioastronomie, la radionavigation la télévision la radiodiffusion les satellites, les
radars…) :
• L’électronique biologique : Elle met tous les appareillages au service des études
biologiques :
• L’électronique nucléaire : Elle étudie les processus d’obtention des nucléons et des
rayonnements radioactifs.
1.4. IMPORTANCE
L'électronique joue un rôle crucial dans de nombreux aspects de notre vie quotidienne et occupe
une place prépondérante dans le développement technologique. Voici quelques-unes des
raisons pour lesquelles l'électronique est importante :
✓ Communication : L'électronique est au cœur des systèmes de communication
modernes tels que les téléphones mobiles, les ordinateurs, Internet, la télévision et la
radio. Elle permet le transfert rapide et efficace de l'information à travers le monde.
✓ Informatique : Les ordinateurs, serveurs et autres dispositifs informatiques sont tous
basés sur des composants électroniques. L'électronique est essentielle pour le stockage,
le traitement et la transmission de l'information.
✓ Médecine : Les équipements médicaux modernes, tels que les scanners, les appareils
d'imagerie médicale, les moniteurs cardiaques, etc., dépendent de l'électronique pour le
diagnostic, le suivi et le traitement médical.
✓ Énergie : Les systèmes électroniques sont utilisés dans la production, la distribution et
la gestion de l'énergie. Les panneaux solaires, les éoliennes et les systèmes de contrôle
dans les centrales électriques sont des exemples de l'application de l'électronique dans
le secteur de l'énergie.
✓ Divertissement : Les appareils électroniques sont omniprésents dans l'industrie du
divertissement. Des téléviseurs aux consoles de jeux, en passant par les lecteurs de

musique et les systèmes de cinéma maison, l'électronique offre des expériences de

divertissement riches.
✓ Transport : Les véhicules modernes utilisent une variété de systèmes électroniques
pour le contrôle moteur, la navigation, la sécurité et le divertissement. Les avions, les
voitures, les trains et les navires dépendent largement de l'électronique pour leur bon
fonctionnement.
✓ Recherche et développement : Les avancées technologiques et scientifiques dépendent
souvent de la capacité à concevoir des dispositifs électroniques sophistiqués. Des
domaines tels que la robotique, l'intelligence artificielle et la biotechnologie bénéficient
de l'apport de l'électronique.
✓ Systèmes de contrôle : L'automatisation industrielle, les systèmes de contrôle de
processus et les dispositifs domotiques dépendent tous de l'électronique pour réguler et
automatiser des tâches complexes.
✓ Éducation : L'électronique joue un rôle important dans l'éducation, fournissant des
outils tels que les ordinateurs portables, les tablettes et les dispositifs éducatifs
interactifs qui améliorent les méthodes d'enseignement et d'apprentissage.
✓ Sécurité : Les systèmes de sécurité modernes, y compris les systèmes de surveillance,
les systèmes d'alarme et les dispositifs de contrôle d'accès, reposent largement sur des
composants électroniques pour assurer la protection des biens et des personnes.
En résumé, l'électronique est omniprésente dans notre vie quotidienne et contribue de manière
significative au progrès technologique, à la communication, à la médecine, à l'énergie et à de
nombreux autres domaines. Son importance ne cesse de croître à mesure que de nouvelles
innovations voient le jour.
Que ce soit pour la commande des processus, le contrôle des phénomènes, l’électronique
apporte des solutions simples fiables à un grand nombre de problèmes techniques.

II.THEORIE GENERALE SIMPLIFIEE DES SEMI-CONDUCTEURS

2.1. RAPPELS DELECTROSTATIQUE
2.1.1. CHAMP ÉLECTRIQUE
• On appelle champ électrique toute portion de l’espace où la charge au repos est soumise
à une force. Ce champ est caractérisé en tout point par :
✓ Un vecteur : le vecteur champ électrique E.
✓ Un nombre : le potentiel V.
• On appelle ligne de champ, une courbe orientée qui en chacun de ses points est tangente
au vecteur champ électrique.
Fig.2.1 : Ligne de champ
• On appelle équipotentielle, une surface dont tous les points sont au même potentiel.
Dans le cas d’une répartition plane horizontal et infinie de charges, les lignes de champ sont
perpendiculaires à la surface portant les charges.
Fig.2.2 : Surface équipotentielle et lignes de champ

2.1.2. ACTION DU VECTEUR CHAMP ÉLECTRIQUE 𝐸⃗

⃗ est soumise à une
Toute charge électrique q mise en présence d’un vecteur champ électrique 𝑬
⃗ = 𝒒𝑬
force. 𝑭 ⃗
Fig.2.3 : Vecteur champ et force électriques

Si la charge q est positive, la force est orientée dans le sens du champ.
2.1.3. RELATION CHAMP POTENTIEL
Soient deux points A et B, d’un champ électrique, distants de dl, et portés respectivement aux
potentiels V et V + dV, et soit ⃗⃗⃗𝑬 le vecteur champ électrique entre A et B.
Fig.2.4. Relation champ potentiel

⃗⃗⃗ = 𝐀𝐁
En posant 𝐝𝐥 ⃗⃗⃗⃗⃗ , ⃗⃗⃗𝑬 et V sont liés par la relation :
⃗ ⃗⃗⃗
𝐝𝐕 = −𝐄 𝐝𝐥
On en déduit les propriétés suivantes :
- le vecteur champ électrique⃗⃗⃗𝐸 est orienté suivant les potentiels décroissants ;

-les surfaces équipotentielles sont perpendiculaires aux lignes de champ.
2.1.4. LE CONDENSATEUR
On obtient un condensateur en mettant en présence deux conducteurs A et B, appelés armatures,
séparés par un isolant.

Fig.2.5 : Condensateur
Si on porte respectivement ces conducteurs aux potentiels VA et VB, il apparaît sur les faces en
regard des conducteurs deux charges égales et
Opposées qA = + q, et qB = - q telles que :
C étant la capacité du condensateur. Elle se mesure en Farads.

2.2. RAPPELS SUR LA STRUCTURE DE LA MATIERE
L’atome est constitué d’un noyau entouré d’électrons.
22.1. LE NOYAU
Le noyau contient deux types de particules :
- les neutrons qui ne sont pas chargés,
- les protons qui portent une charge électrique + e = 1,6. 10-19 coulombs.
2.2.2. LES ELECTRONS
Le noyau est entouré d’électrons qui portent une charge électrique - e. L’atome étant
électriquement neutre, le nombre de protons est égal au nombre d’électrons. Les électrons sont
répartis en couches successives. On distingue :
- les électrons internes qui occupent les couches internes et qui sont très fortement liés au noyau,
- les électrons périphériques qui occupent la couche la plus externe et qui sont peu liés au noyau.
Tous les atomes tendent à avoir huit électrons sur leur couche externe.

2.2.3. SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE

Les semi-conducteurs (germanium et surtout silicium) possèdent 4 électrons sur leur couche
périphérique. Il est possible de les produire avec un haut degré de pureté (moins d’un atome
étranger pour 1011 atomes de semi-conducteur) : on parle alors de semi-conducteur intrinsèque.
Pour simplifier le raisonnement, nous représenterons un atome de silicium conformément à la

figure suivante.
Fig.2.6 : Electrons périphériques autour du noyau

2.2.3.1. LIAISON COVALENTE
Afin de voir huit électrons sur sa couche externe, chaque atome de silicium met ses 4 électrons
périphériques en commun avec les atomes voisins. On obtient ainsi, pour le cristal de silicium,
la représentation de la figure suivante.
Fig.2.7 : Semi-conducteur intrinsèque

C’est la mise en commun des électrons périphériques, appelée liaison covalente, qui assure la
cohésion du cristal de silicium. Les électrons qui participent à ces liaisons sont fortement liés
aux atomes de silicium. Il n’apparaît donc aucune charge mobile susceptible d’assurer la
circulation d’un courant électrique. Le semi-conducteur est alors un isolant. Cet état apparaît à
la température de O kelvin.

2.2.3.2. IONISATION THERMIQUE
A la température ordinaire, l’agitation thermique provoque la rupture de quelques liaisons

covalentes. Un des électrons participant à cette liaison acquiert ainsi l’énergie nécessaire pour
quitter l’atome auquel il était lié. Il devient un porteur de charge libre, capable de se déplacer
dans le cristal, et autorisant ainsi la circulation d’un courant électrique. Le cristal devient alors
un mauvais isolant d’où son appellation de semiconducteur. L’atome de silicium qui a perdu
un électron n’est plus électriquement neutre : il est devenu un ion positif.
Fig.2.8 : Ionisation thermique

Ce phénomène n’intéresse qu’un nombre très faible d’atomes de silicium, (3 sur 10 13 à 270 C).
2.3.3. R ECO M BI NAISON
L’ionisation thermique conduirait, à terme, à l’ionisation de tous les atomes de silicium si elle
n’était pas compensée par un autre phénomène : les recombinaisons. Un électron libre, arrivant
à proximité d’un ion positif de silicium peut être capté par ce dernier qui redevient un atome
neutre. La liaison covalente est alors rétablie. A température fixe un équilibre s’établit entre les
phénomènes d’ionisation thermique et de recombinaison. La concentration n i en électrons libres
(nombre par unité de volume) dépend :
- de l’énergie Wi nécessaire pour ioniser un atome (pour le silicium Wi = 1,12 électron volt =
1,12 x 1,6*10-19 joules),
- de la température absolue T du cristal, suivant la loi :
Dans laquelle A et K sont des constantes :

k = 1,38*10-23 J/K (constante de Boltzmann).
Cette concentration augmente donc très rapidement avec la température ; elle vaut
ni = 1,5 . 1010 cm-3 pour le silicium à 270C (T = 300K).

2.3.4. NOTION DETROU

Considérons les phénomènes successifs décrits à la figure suivante dans laquelle les électrons
participant aux liaisons covalentes sont décrits par des traits :
Fig.2.9 : Ionisation thermique

• État 1 : ionisation d’un atome de silicium qui provoque l’apparition d’un ion positif en
A et d’un électron libre en E1 ;
• État 2 : ionisation d’un deuxième atome de silicium en B ;
• État 3 : recombinaison en A.
Comparons l’état initial et l’état final :
- l’électron libre s’est déplacé de E1, en E3 ;
- tout se passe comme si la charge positive portée par un ion de silicium s’était déplacée de A
en B. En fait ce n’est pas l’ion qui a changé de place, mais la propriété (absence d’électron) qui
a transité de A en B. Cette (absence d’électron) est équivalente à une charge positive + e : nous
l’appellerons trou.

Les électrons libres et les ions de silicium apparaissant en quantités égales, la concentration en
électrons libres (ni), et en trous (pi) sont donc égales :
A chaque électron libre correspond une absence d’électron (trou) : on parle alors de paire
électron-trou.
2.4. SEM 1-CONDUCTEU R DE TYPE N
On obtient un semi-conducteur de type N en injectant dans le cristal de silicium des atomes qui
possèdent cinq électrons sur leur couche périphérique (phosphore, arsenic). Quatre de ces cinq
électrons sont mis en commun avec les atomes de silicium voisins pour réaliser des liaisons
covalentes. Le cinquième électron, inutilisé, est très faiblement lié à l’atome pentavalent. Une
énergie très faible suffit pour le libérer.
Fig.2.10 : Cristal de silicium dopé N

L’atome pentavalent, ici l’arsenic, As, qui a fourni un électron libre est appelé atome donneur.
Il a perdu sa neutralité pour devenir un ion positif fixe.
A température ordinaire, la quasi-totalité des atomes donneurs est ionisée. Le phénomène décrit
à la figure 13 se superpose a la création de paires électron-trou par les atomes de silicium.
2.4.1. Aspects quantitatifs
La concentration en atomes donneurs est d’une impureté pour 10 5 a 108 atomes de silicium.
Rappelons qu’a 27°C, l’ionisation thermique intéresse 3 atomes de silicium sur 10 13. Le nombre
de paires électron-trou est donc beaucoup plus faible que le nombre d’électrons libérés par les
atomes donneurs. Du point de vue des charges électriques, on peut donner, du semiconducteur
de type N, la représentation de la figure suivante.

Fig.2.11 : Ionisation des atomes d’Arsenic et la création d’une paire électron-trou

Si on considère les porteurs mobiles :
- les électrons libres apparaissent en grand nombre et sont appelés porteurs majoritaires d’où
l’appellation semi-conducteur de type N.
- les trous très peu nombreux sont appelés porteurs minoritaires.
Les concentrations en électrons libres (n) et en trous (p) sont liées par la relation :
La quasi-totalité des atomes donneurs étant ionisée, la concentration en électrons libres n est
très voisine de la concentration ND en atomes d’arsenic (n = ND). De plus ND est très grand par
rapport à ni = pi. Nous pouvons en conclure que la concentration en trous est beaucoup plus
faible pour le semiconducteur de type N que pour le semiconducteur intrinsèque, ce qui
s’explique par le fait que le grand nombre d’électrons libres favorise les recombinaisons.
REMARQUE
L’ionisation d’un atome d’arsenic, contrairement à celle d’un atome de silicium ne conduit pas
à la création d’un trou. En effet, chaque atome voyant huit électrons sur sa couche périphérique,
la propriété (absence d’électron) devient quasiment insensible au niveau des atomes donneurs
ionisés et la capture d’un électron par ces atomes ne peut être que fugitive.
2.5. SEMI-CONDUCTEUR DE TYPE P
On obtient un semi-conducteur de type P en injectant dans le cristal de silicium des atomes qui
possèdent trois électrons sur leur couche périphérique (bore, indium). Il manque ainsi un
électron à l’atome trivalent pour réaliser les liaisons covalentes avec les quatre atomes de
silicium qui l’entourent. En réalité, les électrons participant aux liaisons sont indiscernables les

uns des autres. Tout se passe alors comme si un des atomes de silicium voisin avait cédé un
électron à l’atome trivalent de bore créant ainsi un trou dans le cristal de silicium.
Fig.2.12 : Semi-conducteur de type P
L’atome de bore qui capte un électron est appelé atome accepteur. Il a perdu sa neutralité pour
devenir un ion négatif fixe. A température ordinaire, la quasi-totalité des atomes accepteurs est
ionisée. Le phénomène décrit à la figure ci-après se superpose à la création de paires électron-
trou par ionisation thermique entre atomes de silicium. Comme pour le semi-conducteur de type
N, le nombre de porteurs créés par ionisation thermique est beaucoup plus faible que celui
résultant de la présence des impuretés et ceci à cause de la concentration en atomes accepteurs
(1 atome accepteur pour 105 à 108 atomes silicium).
Du point de vue des charges électriques, on peut donner, pour le semi-conducteur de type P, la
représentation de la figure suivante.
Fig.1.13 : Ionisation des atomes et création d’une paire électron-trou
Si on considère les porteurs mobiles :
- les trous mobiles apparaissent en grand nombre et sont appelés porteurs majoritaires,
- les électrons libres peu nombreux sont appelés porteurs minoritaires. La quasi-totalité des
atomes accepteurs étant ionisée, la concentration p en trous est très voisine de la concentration
NA en atomes de bore. (P≈ NA).

Par suite de la relation :
La concentration en électrons libres est beaucoup plus faible pour le semi-conducteur de type
P que pour le semi-conducteur intrinsèque.

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4.7.5.1. MONTAGE EMETTEUR COMMUN

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2.1.2. ACTION DU VECTEUR CHAMP ÉLECTRIQUE 𝐸⃗

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Fig.2.4. Relation champ potentiel

- le vecteur champ électrique⃗⃗⃗𝐸 est orienté suivant les potentiels décroissants ;

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C étant la capacité du condensateur. Elle se mesure en Farads.

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2.2.3. SEMI-CONDUCTEUR INTRINSEQUE

Pour simplifier le raisonnement, nous représenterons un atome de silicium conformément à la

Fig.2.6 : Electrons périphériques autour du noyau

Fig.2.7 : Semi-conducteur intrinsèque

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2.2.3.2. IONISATION THERMIQUE

A la température ordinaire, l’agitation thermique provoque la rupture de quelques liaisons

Fig.2.8 : Ionisation thermique

Dans laquelle A et K sont des constantes :

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2.3.4. NOTION DETROU

Fig.2.9 : Ionisation thermique

Comparons l’état initial et l’état final :

- l’électron libre s’est déplacé de E1, en E3 ;

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Fig.2.10 : Cristal de silicium dopé N

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