CHAPITRE 4

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SYSTEMES DE
CONDUCTEURS EN
EQUILIBRE
OBJECTIFS:
 Etablir les propriétés électrostatiques des conducteurs:
champ, potentiel, énergie.
 Etudier les propriétés d'un système de 2 conducteurs
en influence.
 Appliquer ces résultats aux condensateurs: propriétés,
capacité, forces sur les armatures. 1
I- CONDUCTEUR EN EQUILIBRE ELECTROSTATIQUE
1- Définitions
 Un conducteur est un matériau qui contient des charges
mobiles. Ces charges se mettent en mouvement dès
qu'elles sont dans un champ électrostatique.

 exemples: ▪ métal: porteurs de charge  e

libres
▪ gaz ionisé: porteurs de charge  ions
▪ électrolytes: porteurs de charge  ions

Un conducteur est en équilibre lorsque les charges libres

qu'il contient sont toutes au repos.
 charge libre: barycentre d'un ensemble
de porteurs de charge.
2
2- Propriétés d'un conducteur en équilibre

Le champ électrostatique est nul à l'intérieur de tout

conducteur en équilibre:
   
 charges libres au repos  F0  E0

Le potentiel est constant à l'intérieur et sur la surface d'un

conducteur en équilibre.
 
 E0  V  Cte à l'intérieur
par continuité, V  Cte à la surface

 la surface d'un conducteur en équilibre est une

équipotentielle.
 les lignes de champ sont normales à la surface pour
un conducteur chargé 3
Si le conducteur en équilibre est chargé, cette charge ne
peut être que surfacique.
   
 div E     0 car E  0
0
 Cas d'un conducteur creux chargé:
  + + +
E  0  V  Cte partout + +
+
 la surface intérieure est une  
+ E0 +
équipotentielle
+ V  Cte +
 il ne peut pas y avoir de charges  
+ E  0 V  Cte +
sur la surface intérieure de la +
+ + + +
cavité

 Applications:
 charge d'un conducteur, initialement neutre, par contact.
 cage de Faraday. 4
3- Champ au voisinage d'un conducteur
a- Théorème de Coulomb  
E n S + +
 Le champ électrostatique présente +
M +
une discontinuité à la traversée de + 
la surface d'un conducteur en +  
E0
équilibre. +
 
+ E0
 S surface fermée   + tube + S
 M infiniment voisin de la surface du conducteur.

 n normale à la surface en M.
   S
E S   E  dS  E dS  E tube  E  
   
S 0

champ au voisinage d'un

d'où
conducteur en équilibre
5
 b- "Pouvoir des pointes" 
0 V E
 Sphère de rayon R au potentiel V: 
R
0 V
 Sphère S' de rayon R':  '  S"
R'
0 V  V  Cte
 Sphère S" de rayon R":  "  S'
R " E

 Au voisinage de la surface, E 
0
R ' R "  ' "  E' E"

 A la surface d'un conducteur en équilibre au potentiel V, le

champ électrostatique sera très intense au voisinage d'une
pointe.
 ionisation de l'air  décharge (paratonnerre, avion,…)
 impossiblité de conserver la charge pour un conducteur
chargé muni de pointes. 6
 c- Pression électrostatique
   
Au voisinage de la surface: E(M)  n  E1(M)  E2 (M) 
 0 
 E1(M) champ créé par dS dF
 
 E2 (M) champ créé par le reste de la surface n
         dS
E2  E  E1    M
n  n
 0 20  20

 l'élément de surface dS va subir une force:
  2 
dF  dq  E2   dS  n
20
dF 2
 Par définition, p   est la pression électrostatique
dS 20

 
 dF toujours dirigée suivant n
Si  très grand, les charges quittent le conducteur
 émission par effet de champ 7
4- Capacité d'un conducteur en équilibre
En un point M d'un conducteur en équilibre, de surface S et de
densité , le potentiel s'écrit: + + + +
+ +
1   ds M
V(M) 
40 S r +
+ +
r +
Sa charge totale est: Q  S   dS + +
+ +
+dS ++
 V '(M)  k  V(M) Q Q'
Si   k alors:     Cte
 Q'  k  Q V V'

On pose: capacité d'un conducteur isolé en équilibre

 C toujours >0
 Unité: Farad (coulomb.volt1)
 Exemple: Cterre  40R  710 F 8
5- Energie d'un système de conducteurs chargés en équilibre

 La distribution est surfacique et V constante sur la surface.

 Cas d'un seul conducteur:

1 1 1
Ee     V  ds   V     ds  Q  V
2 S 2 S 2

 Cas d'un système de n conducteurs:

1
Conducteur Ai: charge Qi et potentiel Vi  Ee (i)  Qi Vi
2
Pour n conducteurs A1, A2, …, Ai, …, An:

9
 II- INFLUENCE ELECTROSTATIQUE
1- Expérience fondamentale. Définition de l'influence
 conducteur A isolé, neutre, en équilibre.
 conducteur B isolé, chargé, en équilibre.

+  –
– + + +
+ E + +
+  B –
EA – + B +
+
++ A –– + + +
conducteur influençé conducteur influençant

 déplacement des charges libres de A sous l'influence de EB
 
 à l'équilibre, E A  EB

 La répartition des charges superficielles du conducteur A est

modifiée  A a été influencé par le champ de B 10
2- Etats possibles d’un conducteur
a- Conducteur isolé

+ –– + + +
+ + +
+ V'A – VB
– + B +
+ A –
++ – + + +

 Initialement, A est neutre et isolé  QA  VA  A  0

 Après influence par B chargé, V'A  0 alors que Q'A  0

 Pour un conducteur isolé, l'influence conserve la charge

totale mais modifie la répartition des charges sur la surface
et donc son potentiel.
 à charge constante,  et V peuvent varier.
11
 b- Conducteur à potentiel constant

+ –– + + +
+ + +
V  Cte –
– + B +
++ A –– + + +

 Les charges  de A "s'écoulent" vers la terre.

 L'influence modifie la charge totale d'un conducteur

maintenu à un potentiel constant.
 à potentiel constant,  et Q peuvent varier.

12
3- Théorème des éléments correspondants
+ –
+ –
A – B
+
dSA dSB
A + – B
+ –
+ –
tube de champ

 dSA et dSB sont des éléments correspondants.

 Th. de Gauss appliqué à la surface fermée [ A  B  tube ] :
 Qint
S E  dS  E A  E B   tube  0  0  dqA  dqB
 

 Théorème: Les charges de deux

éléments correspondants sont égales et
opposées. 13
4- Influence totale
 Il y a influence totale lorsque le A
conducteur A (influencé) entoure – –
– + + +–
complètement le conducteur B –
(influençant). – + + –
B +
 Th. des éléments correspondants  –+ –
+
QB sur la surface intérieure de A – + QB –
– – QB
 Face extérieure de A: différents cas:
 A relié au sol: VA  0  Qext  0
 A isolé et initialement neutre: Qext   Qint   QB
 A isolé et initialement chargé Q0: Qext  Q0  QB

14
5- Ecrans électriques
a- Conducteur creux isolé (QC  Cte)
 A chargé QA , QB  0 Sext
 Sext : charge QA
QA Sint ++ + +
B QA + A +
 C n'est pas un écran
++ + +
C
 B chargé , QA  0
 pas d'influence sur Sint et A (conducteur creux)
 C est un écran électrique pour l'intérieur du conducteur
(cage de Faraday)

15
 b- Conducteur creux maintenu à potentiel constant
 A chargé QA , QB  0 Sext
 Sint charge QA Sint ++ + +
Sext invariante B QA ++ A ++
++ + + V  Cte
 pas d’influence de A sur B C

 B chargé
V reste constant
 Sint invariante  pas d’influence de B sur A

 C joue le rôle d'un écran électrique (blindage)

(en pratique, V  0, le blindage est "à la masse")

 Pour réaliser un écran électrique parfait il suffit de maintenir

à potentiel constant un conducteur creux. 16
III- ETATS D'EQUILIBRE D'UN SYSTEME DE
CONDUCTEURS: étude théorique.
1- Etat d'équilibre d'un système
Un état d'équilibre d'un système de conducteurs est défini
par la connaissance du potentiel ou/et de la charge de
chaque conducteur.

2- Unicité de l'état d'équilibre

 Conducteur isolé : pour un conducteur isolé dans le
vide, l'état d'équilibre est défini de façon unique si l'on
connaît son potentiel V0 :
 V(M) est défini de façon unique.

 E(M) est défini de façon unique.
 la densité de charge  est définie en tout point de la
surface du conducteur. 17
 Système de n conducteurs isolés et chargés : la
connaissance des potentiels V1, V2, …, Vn définit de
manière unique le potentiel V(M) en tout point de
l'espace.
 Q1, Q2, …,Qn sont définies de façon unique.
 1, 2, …,n sont définies.

3- Principe de superposition des états d'équilibre

Soit un système de conducteurs et 2 états d'équilibre:
 Etat 1:   1i et V  V1i sur le conducteur i
 Etat 2:   2i et V  V2i sur le conducteur i

 Le principe de superposition des états d'équilibre affirme

que l'état défini par :
  1i  2i et V  V1i  V2i sur le conducteur i
est aussi un état d'équilibre. 18
 3- Capacités et coefficients d'influence d'un système
de conducteurs
Soit un système de 2 conducteurs en équilibre:

Q1 Q2
A1 A2  superposition de 2 états d'équilibre:
V1 V2

+ +
– Q21 Q12 – + + + Q22
Q11 +
A
+ – A1 – –
+ A +
+ 1 – A2 +
2
++ + + – – + +
V1  0 V2 > 0
V1 > 0 V2  0
Etat 1 Etat 2

 Q1  Q11  Q12  C11V1  C12 V2

Donc: 
Q2  Q21  Q22  C21V1  C22 V2
19
 Définitions
 C11  capacité du conducteur A1 en présence de A2.
 C22  capacité du conducteur A2 en présence de A1.
 C12  coefficient d'influence de A2 sur A1.
 C21  coefficient d'influence de A1 sur A2.
 Q11  C11V1  charge propre du conducteur A1.
 Q12  C12V2  charge qui apparaît sur A1 influencé par A2

 Q12 de signe opposé à V2

 C12 et C21 sont toujours < 0

20
 4- Généralisation
Pour un système de n conducteurs en influence, on a:

 Q1  C11V1  C12 V2  ...  C1n Vn

Q  C V  C V  ...  C V
 2 21 1 22 2 2n n

 
 Qn  Cn1V1  Cn2 V2  ...  Cnn Vn

Cij  C ji  0
c'est à dire: avec: 
Cii  0

 l'indice i correspond au conducteur influencé, et l'indice j au

conducteur influençant.
Les charges sont des fonctions linéaires et homogènes des
potentiels. 21
IV- CONDENSATEURS
1- Définitions

 Un condensateur est un ensemble de 2 conducteurs en

influence totale.

 A1  armature interne de charge Q1

 A2  armature externe de charge Q1
Q2  Q1  Q2ext A1

A2
 Q1  Q est la charge du condensateur Q2

 Relations générales:
Q1  C11V1  C12 V2

Q2  C21V1  C22 V2 22
  V1  0
 On peut réaliser un état d'équilibre où on a: 
 V2  0
Q1  C11V1
  or Q1  Q2 (Q2ext  0 car V2  0)
Q2  C21V1

d'où C11  C21  C12  C Capacité du condensateur

Q1  C11V1  C12 V2 

 La charge d'un condensateur est proportionnelle à la

différence de potentiel qui existe entre ses armatures.

 La capacité C dépend de la géométrie (forme) des

armatures.
 Schéma d'un condensateur: A B
V1 V2 23
 2- Calcul de capacités
a- Méthode générale

  Calcul de E entre les armatures (Th. de Gauss).

  Calcul de la circulation de E entre les armatures.
A2 

V1  V2   E  dl
A1

  Calcul de C.
Q
Q     dS et C
S V1  V2

24
 b- Condensateur plan
→ Armatures A1 et A2 : plans de surface S séparés d'une
distance e (S >> e) et portés aux potentiels V1 et V2.
→ Densités de charges uniformes:  sur A1 et  sur A2.
 
E1 E2

   V2         A2
E1   n 
20      
e
   E n n E E
   0
E2   n V1         A1
20
A2 
 e
 V1  V2  A E  dl  E  e 
1 0
0S
 Q  S  C
e 25
 c- Condensateur sphérique
 Armature A1: sphère de rayon R1.
 Armature A2: sphère de rayon R2.
 Q1
  surface de Gauss de rayon r  E A1
 1 Q1 
E ur 
40 r 2 A2

 Circulation de E entre A1 et A2:
A2 
 Q1 R2 dr
A1 E  dr  V1  V2  40 R1 r 2
Q1  R1R2 
 C  40  
V1  V2 R
 2  R1

26
 3- Propriétés des condensateurs
a- Accumulation d'électricité

Un condensateur est un "réservoir" d'électricité.

 Conducteur A1 sphérique isolé au potentiel V: Q  40RV
 Si on entoure A1 par un autre conducteur sphérique de
rayon Re (avec R>>e) au potentiel 0, Q devient:
R2 Q' R
Q'  40 V   1
e Q e
 Pour une ddp donnée, on peut placer une charge beaucoup
plus grande sur un condensateur que sur un conducteur isolé.
Un condensateur sera caractérisé par:
 sa capacité.
 la ddp (V1V2) maximum qu'il peut supporter. 27
 b- Groupement de condensateurs
 On groupe le condensateurs pour obtenir un condensateur
équivalent:
 capacité plus grande (groupement parallèle).
 ddp plus grande (groupement série).
C1 Q1
 Groupement parallèle
 armatures internes: potentiel V . A C2 Q2 B
1
 armatures externes: potentiel V2. V1 V2
C3 Q3
 charge du groupement:
Q  Q1  Q2  Q3  C1  C2  C3  V1  V2   C  V1  V2 

 Pour n condensateurs groupés en parallèle, le

condensateur équivalent a une capacité:

28
 Groupement série
 l'armature interne d'un condensateur est reliée à l'armature
externe du suivant, etc.….
C1 C2 C3
A Q1 Q1 Q1 Q1 Q1 Q1 B
V1 V' V" V2
 tous les condensateurs portent la même charge Q1.
V1  V2  (V1  V ')  (V ' V ")  ( V " V2 )
 1 1 1  Q1
d'où V1  V2  Q1    
 C1 C2 C3  C
 Pour n condensateurs groupés en série, le
condensateur équivalent a une capacité:

29
 4- Condensateur avec diélectrique
 On place un isolant solide (mica, papier paraffiné, verre,….)
ou liquide (huile minérale) ou de l'air entre les armatures.
 La capacité du condensateur est multipliée par un facteur r.

 r est la permittivité de l'isolant.

 air sec: r  1,00058  1 (vide)
 mica: r  8
 verres: r  4 à 7
 paraffine: r  2,1

 Potentiel disruptif: si la ddp entre les armatures devient

trop grande, le diélectrique devient conducteur et une
étincelle se produit entre les armatures: le condensateur
"claque". 30
 5- Energie d'un condensateur
 Condensateur  système de 2 conducteurs en influence.
1 1
 Ee  Q1V1  Q2 V2
2 2
 En général, on a Q2  Q1  Q charge du
condensateur 1 1 1 Q 2
 Ee  QV  CV 2 
2 2 2 C
avec Q  Q1 et V  V1  V2

 Localisation de l'énergie électrostatique:

   
Ee  W(forces électrostatiques)  Félec  0  E0
 l'énergie électrostatique est localisée (ou stockée)
dans les régions où le champ n'est pas nul.
31
 Dans un condensateur, l'énergie est localisée entre les
armatures.
 Densité d'énergie électrostatique d'un condensateur:

 Exemple: condensateur plan

 S
C  0 1 1
 e  Ee  CV  0E2v
2

 V1  V2  V  E  e 2 2

avec v  S.e  volume du condensateur où est localisée Ee.

 Plus généralement, on définit la densité d'énergie

électrostatique par:

32
 Forces agissant sur les armatures d'un condensateur:
 A l'aide de la pression électrostatique:
 2 x
 Q
F Sn (attractive) 
20 F e
0S Q
Q  CV  V 0
e
Q  S 2 Q 2
 d'où F  02V 
S 2e 20S

 A l'aide du bilan énergétique dans un condensateur:

Lorsqu’on écarte les armatures, le bilan énergétique s’écrit:

Ec  énergie cinétique Ee  énergie électrostatique

Eg  énergie potentielle de gravité 33
 dWs  VdQ  travail de la source de potentiel si la charge
varie de dQ
 dWop  F  dx  travail de l’opérateur lors du déplacement des
armatures
Si Ec et Eg constantes, on aura:

a) variation d'énergie à charge constante:

 
Déplacement dx de l'armature  dWop  F  dx
Système isolé donc dEe  dWop
  dEe 
alors: F    te
 dx  Q C
34
b) à l'aide de la variation d'énergie à potentiel constant:
 Au cours du déplacement, la charge Q varie donc la
source fournit une énergie dWs  VdQ
 la variation d'énergie électrostatique est alors:

dEe  dWop  dWs   F  dx  V  dQ
1  1
or, pour un condensateur: dEe  d  QV   V  dQ
2  V Cte 2
 1
d'où F  dx  V  dQ  dEe
2
  dE 
et F  e
 dx  V Cte

35