OptoPart3 Photoémetteurs

Composants optoélectroniques
P. Lévêque
CNRS-InESS, Strasbourg
Plan du cours
1 Introduction
2 Interaction rayonnement-semiconducteur
3 Photodétecteurs
4 Emetteurs de rayonnement à semiconducteur
Plan du cours
1 Introduction
2 Interaction rayonnement-semiconducteur
3 Photodétecteurs
4 Emetteurs de rayonnement à semiconducteur
Photoémetteurs
-Diode électroluminescente LED

-Laser à semiconducteur
-Emetteurs à SC et télecommunications
Photoémetteurs

Photoémetteurs
Diode électroluminescente LED
Principe : jonction p-n polarisée en direct


E
p n
VF 
FE W
EC diffusion
EFp EFn
eVF
EV
diffusion 
FE
Jonction p-n polarisée en direct
Photoémetteurs

Ln
EC
p
h
EFn
EFp eVF
EV
n
W Lp
Jonction p-n polarisée en direct
Photoémetteurs
Rappel : jonction p-n polarisée en direct

Ln Lp
p n
VF
W
dp xp xn dn x
x’c xc
Ln(p) << dn(p)
 eVF  (x n  x)/L p
p n  p no  p n  e kT  1e
 
 
Photoémetteurs
Rappel : jonction p-n polarisée en direct

Ln Lp
p n
VF
W
dp xp xn dn x
p x’c xc
jp (x)  eD p
x
en i2 D p  eVF  (x  x)/L
jp (x)  e kT  1e n p
N d L p  

Photoémetteurs
Si VF est suffisante W étroite rôle mineur dans émission

Injection de trous dans zone de type n
en i2 D p  eVF 
jp (x n )  e kT  1
N d L p  

Injection d’électrons dans zone de type p
en i2 D n  eVF 
jn (x p )  e kT  1
Na Ln  
 
Photoémetteurs

Courant total J conservatif (indépendant de x)
J  jp (x n )  jn (x p )
 eVF  en i2 D p en 2 D 

J  e kT  1  i n
  N d L p N a L n 
  
JS
Photoémetteurs

Taux d’injection des porteurs minoritaires
jn (x p ) jp (x n )
γn  ; γp 
J J
γ n Dn Lp Nd μ n τp Nd
   1 (n >> p)
γ p DpLn Na μ p τn Na
Recombinaisons essentiellement dans zone p

Photoémetteurs
Structure LED
Al
SiO2
p
n
substrat
Au
Photoémetteurs
Spectre d’émission
Lié à Eg de SC de type p et au dopant utilisé
III-V miscibles : GaAsxP1-x ; GaxIn1-xP

Eg = Eg (x)
Emission dans le bleu difficile
GaN
Photoémetteurs
Photoémetteurs
Matériau Pic (nm) Couleur Rendement (%)
GaAs (Si) 1000 IR 10
GaAs (Zn) 900 IR 0.1
GaP (Zn, O) 699 Rouge 4
GaAs0.6P0.4 (Te) 644 Rouge 0.2
GaAs0.35P0.35 (S, N) 632 Orange 0.2
GaP (N) 690 Jaune 0.1
GaAs0.15P0.85 (S, N) 589 Jaune 0.05
Gap GaP (N) 570 Vert 0.1
indirect
Photoémetteurs
Rendement Rendement quantique interne i

Taux de recombinaison radiatif
rr rr
ηi  
r rr  rnr
Δn Δn
or rr   ; rnr  
τr τ nr
τ nr
ηi  1 (nr >> r SC à gap direct)
τ r  τ nr
Rendement radiatif
Photoémetteurs
Rendement Rendement optique o
Photons réabsorbés avant sortie de la diode

Réflexion totale
Loi de Snell-Descartes
2
Air (n2 = 1)
n1sin1 = n2sin 2
1 Semiconducteur (n1 ~3.5)
rt sin π/2 

sinθ rt   θ rt  16
3.5
Photoémetteurs

Photon sortant
de la diode
Photon réfléchi
à interface air/SC Angle solide couvrant espace :
rt
2π π
Ω o   dφ  sinθdθ  4π
0 0
Angle solide sous-tendu par rt :
 2π θ rt
Ω rt   dφ  sinθdθ  2π1 - cosθ rt 
0 0
Photoémetteurs

Ω rt 2π1 - cosθ rt  θ 2rt
ηo  T T (1 - R)
Ωo 4π 2
n = 3.5 o = 1 %
+ interface transparent en plastique d’indice np = 1.5
o = 4 %
+ interface hémisphérique (incidence normale)

T = 96 %
Photoémetteurs
Rendement
Rendement quantique externe e

N ph Nb photons émis
e = i o =
N él. Nb porteurs traversant p-n
Rendement global 
Wopt.
η
Wél.
Photoémetteurs
Rendement Rendement global 

Wopt.
η
Wél.
N ph h E g /e
η  ηe
eVN él. rs I  Vd
LED AlGaInP (rouge / jaune)  > lampe à incandescence

Photoémetteurs
Temps de réponse, fréquence de coupure
Modulation par courant injecté dans la diode
Fréquence de modulation limitée par diffusion dans jonction

Ln
- dp >> Ln p n
- Vo >> V1
Vo+V1sin(t) W
- faible injection
 ~ constant dp
Photoémetteurs
Distribution des électrons dans zone p :
Δn(x, t)  2 n(x, t) Δn(x, t)

 Dn 
t x 2 τn
avec Δn(x, t)  Δn o (x)  Δn1 (x)e jt
Vo V1sin(t)
Photoémetteurs
 2 n o (x) Δn o (x)
 0 Ln  Dn τn
x 2 L2n
avec
Dn τn
 2 n1 (x) Δn1 (x) L*n 
 0 1  jωτ n
2
x L*n2
Photoémetteurs

(x - x p )
-
Ln
Δn o (x)  Δn o (x p )e
(x - x p ) (dp >> Ln)
-
L*n
Δn1 (x)  Δn1 (x p )e
Photoémetteurs
Courant traversant la jonction :
J = jn(xp) + jp(xn) ~ jn(xp)
 Δn(x, t)   Δn o   Δn1  jωt

J  eD n    eD n   eD n  e
 x  x p  x  x p  x  x p
eD n
soit J  J o  J ωe jωt
avec Jω  Δn1 (x p )
L*n
Photoémetteurs

Nombre de photons émis (/cm2 s) : N
N ph Nb photons émis
e = i o =
N él. Nb porteurs traversant p-n
Δn  Δn  Δn
o dx  η e j ωt 1 dx
N  ηe  dx  ηe  e 
x τ n x τ n x τn
p p p
L*n
soit N  N o  Nω e jωt avec Nω  ηe Δn1 (x p )
τn
Photoémetteurs
eD n L*n
Jω  Δn1 (x p ) et Nω  ηe Δn1 (x p )
L*n τn
Nω Modulation du rayonnement

Efficacité de modulation R ω 
Jω Modulation du courant
d’excitation
2
ηe  L n 
*
ηe 1
R ω  
 
e  Ln  e 1  jωτ n
Photoémetteurs

ηe 1
Efficacité de modulation R ω  
e 1  jωτ n
ηe
avec R o  (efficacité de modulation basse fréquence)
e
1 Ro
et ωc  R  R ω  (passe-bas)
τn 2
 ω 
1   
 ωc 
Photoémetteurs

ω
Fréquence de coupure f c  c
2π
1
or τ n  (B : probabilité de transition radiative)
Bpo
fc augmente si po (dopage) augmente
Utilisation de forts dopages dans limites de solubilité

Photoémetteurs

ωc Bpo
Fréquence de coupure f c  
2π 2π
Ex : GaAs
Limite de solubilité ~ 1018 /cm3 et B = 7.2x10-10 cm3/s
fc = 114 MHz
Photoémetteurs

Photoémetteurs
Brillance : Br (W/sr m2)

Emission dans demi-plan et non isotrope
Bro brillance dans direction axiale ; S surface émettrice

Flux d’énergie t = SBro
Photoémetteurs
Structure des LEDs usuelles
3 applications usuelles :
- affichage
- photocoupleurs
- transmission par fibre
Application conditionne la structure

Photoémetteurs
Structure des LEDs usuelles : affichage
- Emission dans le visible (Eg)
- Surface émettrice suffisante (géométrie)

Photoémetteurs
Structure des LEDs usuelles : photocoupleurs
Circuit 1 Circuit 2
LED Photo diode (Si)
Transmission de signaux logiques entre 2 circuits isolés
Emission LED compatible avec Si : GaAsP

Photoémetteurs
Structure des LEDs usuelles : transmission par fibres
- Emission LED compatible avec  = 1.3 ou 1.5 µm
- Possibilité de modulation
Photoémetteurs
Structure des LEDs usuelles : caractéristique commune
Fort rendement quantique interne i (nr >> r)
Matériaux purs (chimique et cristallographique)
Réalisations de couches épitaxiées

Photoémetteurs
Structure des LEDs usuelles : Molecular Beam Epitaxy (MBE)

Photoémetteurs
Structure des LEDs usuelles : Molecular Beam Epitaxy (MBE)
Ga
Ultravide (10-10 Torr)

As
Dopage durant croissance
Nettoyage substrat in-situ
P
Tsubstrat ~ 400-900 °C
Vitessedépôt ~ 10-3-0.3 µm/min
dopants
Photoémetteurs
Structure des LEDs usuelles : GaAs0.35P0.65 (orange)

contact
isolant
Couche active
injection des électrons (n)
GaAs0.35P0.65 p Recombinaison (p)
GaAs0.35P0.65 n
gap direct pour x = 0.35
GaAs0.35P0.65 Couche tampon
GaAsxP1-x (0<x<0.35) accord du paramètre de maille
GaP n+ Germe (cristal) + conductivité
contact
Photoémetteurs
Structure des LEDs usuelles : GaAs0.35P0.65 (orange)
Encapsulation
- Protection de LED et contacts

- Augmente rendement (discontinuité d’indices,
diminution de réflexion : incidence normale)
Photoémetteurs
Exemple de LEDs usuelles

Photoémetteurs

Photoémetteurs

Photoémetteurs
Laser à semiconducteur
Principe
LASER : Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation
- 1917 : découverte de l’émission stimulée (Einstein)

- 1960 : premier LASER à rubis (Maiman)
- 1958 : théorie de LASER à semiconducteur (Aigrain)
- 1962 : premier LASER à semiconducteur (AsGa)
Photoémetteurs
Principe : Laser E
3
2
Pompage
(excitation externe)
1
0
Durée de vie dans état 2 >> durées de vie transitions (3 → 2) et (1 → 0)
N2 > N1 : inversion de population

Photoémetteurs
Principe : Spécificité des lasers à semiconducteur
Niveaux discrets remplacés par bandes d’énergie
N2 > N1  EFn-EFp > Eg (condition d’inversion)
Rayonnement amplifié réabsorbé par transitions intrabandes

Photoémetteurs

EFn-EFp > Eg (condition d’inversion)
E E
E
EFn EFn
EC EC
EC
Eg Eg
Eg
EV EV
EV EFp
EF EFp
N(E) N(E)
N(E)
Équilibre thermodynamique Inversion (0 K) Inversion (RT)
Photoémetteurs

Rayonnement réabsorbé par transitions intrabandes
E = h
h
E = h
Photoémetteurs
Principe : Jonction p-n dégénérée polarisée en direct
Régions n et p très fortement dopées ; régime de forte injection
Extréma BV et BC perturbés
Gap effectif E’g < Eg
Laser à injection ou diodes lasers

Photoémetteurs
p n p n
Ec Ec
Eg EFc
Ev Ev
EF EFv VF
Eg
Equilibre thermique Polarisation directe

Photoémetteurs
p n p n
Ec Ec EFc
Ev Ev Eg VF
EF EFv
Eg d
Zone d’inversion
Equilibre thermique Forte injection
Photoémetteurs
Principe : caractéristiques communes
- faibles dimensions (~ µm)

- puissance et cohérence spatiale << lasers conventionnels
- rendement >> lasers conventionnels (conversion efficace)
- grande facilité de modulation (transmission par fibres)
- spectre couvert visible  proche IR (III-V ; II-VI)
Photoémetteurs
Gain : g(E)
(E) : flux de photons dans le matériau
1 d E 
Gain g(E) 
 (E) dx
(gain ↔ coefficient d’absorption (E) si g(E) < 0)
Φ(E)  Φ o (E)eg E x
Photoémetteurs
Gain : g(E)
rst(E) : taux d’émission stimulée
rst(E) = (Nb photons créés par stimulation) / V t
rst (E)
g(E) 
Φ(E)
Injection donnée, g = g(E)

Photoémetteurs
Gain : g(E)
Condition d’émission stimulée :
g(E) > 0 (inversion de population)

et
g(E) supérieur aux pertes (transitions intrabandes)
Photoémetteurs
Gain : g(E) Transitions intrabandes
Absorption par porteurs libres (Auger)

E = h
h Coefficient d’absorption
par porteurs libres p(E)
E = h Coefficient net d’absorption

A(E) = g(E) - p(E)
Photoémetteurs
Gain net : A(E) = g(E) - p(E)
Condition d’émission stimulée : A(E) > 0
- augmentation de l’intensité du signal lumineux émis

- directivité de l’émission (direction la + grande de diode)
Diode superradiante
Photoémetteurs
Gain
Electrodes métalliques Zone active
p d
n
L : longueur de la diode ~ 300 µm

d : épaisseur de zone active ~ 0.2 µm
Photoémetteurs
Gain
Semiconducteur, n ~ 3.5
Réflexion (~ 30 %) interface air / SC
Cavité résonante (Fabry-Pérot)

Photon stimulé Photons transmis
émis p
d
n
L
Photoémetteurs
Gain Photon stimulé

émis M1 p
M2/3
d
M4/5
n
L
Flux en M1 : (E)  flux (E)eA(E)L en M2 (avant réflexion)
 flux R(E)eA(E)L en M3 (après réflexion)
 flux R(E)e2A(E)L en M4 (avant réflexion)
 flux R2(E)e2A(E)L en M5 (après réflexion)
Résonance si R2(E)e2A(E)L > (E)
Photoémetteurs
Gain Condition de résonance : R2(E)e2A(E)L > (E)
1 1
g(E)  α p (E)  Ln 
L R
Avec p(E) ~ 70 cm-1 ; n = 3.6 ; R ~ 30 % ; L = 300 µm
g(E) > 100 cm-1

Photoémetteurs
Gain résonance
g(E) (cm-1) émission
stimulée
150
p+ (1/L)Ln(1/R)
100
p
50
E0
E
E < E’g E’g E1 E2 E’2 E’1 E > E0
Pas de photon A(E) < 0 A(E) < 0 Pas d’inversion
émis émission émission émission
spontanée spontanée spontanée
Photoémetteurs
Distribution spectrale du rayonnement  sans résonance

 (E -ΔF) 
rst (E)  rsp (E)1 - e kT  où F = EFn - EFp
 
 
drst (E)
Position de raie stimulée : 0
dE
 drsp (E)  1 1
   rsp (E)
eΔF E /kT   1
 dE 
  rst max kT
> 0 (inversion)
Photoémetteurs

drst (E)  drsp (E)  1 1
0    rsp (E)
eΔF E /kT   1
 dE 
dE   rst max kT
 drsp (E)  Raie d’émission stimulée sur flanc

  0
 dE  montant de rsp(E) = f(E)
  rst max
 drsp (E)  Forte injection (F grand)

lim  
 0 raie d’émission stimulée
ΔF   dE  r max au maximum du spectre d’émission
st
spontanée
Photoémetteurs
(E) Très forte injection

Pic d’émission émission stimulée
stimulée au maximum
de rsp(E) à très forte Forte injection
injection émission stimulée
Pic d’émission
stimulée sur le flanc
montant de rsp(E)
E
Faible injection
pas d’émission stimulée
Photoémetteurs
Distribution spectrale du rayonnement  avec résonance
k=1 k=2 k=3 d
milieu d’indice n L
Résonance possible pour k modes avec 2nL = k

Photoémetteurs
k 2nL  λ n 
2nL = k    1
2
λ λ  n λ 
entre 2 modes, k = -1
1
λ2  n  λ2
distance intermode λ  n  λ  
2L  λ  2nL
Photoémetteurs
E (eV)
E (eV)
Photoémetteurs
Distribution spatiale du rayonnement L ~300 µm
d d < 1 µm
1%
n
l ~ 10 µm
Variation d’indice (~ 1 %) dans zone de forte injection
Guide d’onde (confinement)
Photoémetteurs
Distribution spatiale du rayonnement L ~300 µm
Amplification maximale d < 1 µm

dans la direction la plus
grande (L)
l ~ 10 µm
Photoémetteurs
Distribution spatiale du rayonnement

L ~300 µm
 = 1 µm ~ d ~ l
Ouverture faisceau
conditionnée par
d < 1 µm
diffraction
λ
1
θ1   6
l
2 λ
l ~ 10 µm θ 2   60
d
Photoémetteurs
Courant de seuil : Jo Emission stimulée

~J

Jo
J
Flux (E)
Courant excitateur J Emission spontanée
~J
Photoémetteurs
Courant de seuil : Jo
J = jn(xp) + jp(xn) ~ jn(xp) (n >> p)
jn Δjn
Hypothèses : - zone active homogène 
x d
- e- injectés recombinés dans zone active
 
jn x p  d  0
Photoémetteurs
 
  
jn Δjn jn x p  jn x p  d

jn x p

J   
x d d d d
dn J
 r (équation de continuité)
dt ed
Taux de recombinaison des e- stimulés dans mode i
n
r  R sp  R st    R st i
τn i
Durée de vie des e- en régime d’émission spontanée
Photoémetteurs
Taux d’émission de photons stimulés dans mode i
i=1 i=2 i=3 d
~
milieu d’indice n L
Photoémetteurs
Taux d’émission de photons stimulés dans mode i
R st i  A i (n)Ni
Densité de photons sur le mode i

Photoémetteurs
R st i  A i (n)Ni où Ai(n) ~ gain du laser
On stipule Ai(n) = Ain avec Ai (cm3/s)
dn J J n
 r     A i nN i
dt ed ed τ n i
Photoémetteurs
Courant de seuil : Jo Ni
Recombinaison de photon dans mode i ri 
dN i τN
 g i  ri
dt
Durée de vie d’un photon dans mode i
dans la cavité
Génération de photon dans mode i
n
g i  A i nN i  γ i
τn
Probabilité de génération spontanée d’un photon dans mode i

Photoémetteurs
N : Durée de vie d’un photon du mode i dans la cavité
1 c 1  1 
 ~  α p  Ln  
τN n  L  R 
~
Vitesse du photon dans cavité d’indice n
Pertes dans la cavité
Photoémetteurs
dn J n
    A i nN i
dt ed τ n i
dN i n Ni
 A i nN i  γ i 
dt τn τ N
Hypothèses : - diode monomode
- i ~ 0
Photoémetteurs
dn J n
   AnN
dt ed τ n
dN N
 AnN 
dt τN
En régime stationnaire, J constant  n et N constants
N n J
 
τ N τ n ed
Photoémetteurs
N n J
 
τ N τ n ed

Si J < Jo, N négligeable
(rayonnement spontané seulement)
Jτ n n J
n et R sp  
ed τ n ed
Jo
J
Photoémetteurs
N n J
 
τ N τ n ed

Joτn
Si J = Jo no 
ed
dN N 1
et  AnN  0 no 
dt τN Aτ N
ed ed c  1  1 
Jo   ~  α p  Ln   Jo
J
Aτ N τ n Aτ n n  L  R 
Photoémetteurs
N n J
 
τ N τ n ed

Joτn
Si J > Jo n  no 
ed
(n diminue car émission stimulée → n sature)
J no
  An o N  0
ed τ n
1  J  τN J
N   1  J  J o  Jo
Aτ n  J o  ed
Photoémetteurs
Mode plus intense peut changer
au cours du temps
(influence dans communication par fibres)
Comportement réel
diodes multimodes
zone active non homogène
(comportement filamentaire)
E (eV)
Photoémetteurs
Fréquence de coupure 
Variation linéaire  = f(J)

Modulation d’amplitude
pour communication par fibre
Jo
J
Fréquence de coupure fc conditionnée par n
LED émission spontanée, n ~ 1 ns
Diode laser, n plus faible (émission stimulée)  fc plus grande
Photoémetteurs
Fréquence de coupure
J’ = J + Jejt avec J > Jo ; J << J – Jo
n’ = n + nejt
N’ = N + Nejt
dn J n dn' dn
   AnN   jtΔne jt
dt ed τ n dt dt
dn' J  ΔJe jt n  Δne jt

dt

ed

τn
 
 A n  Δne jt N  ΔNe jt 
Photoémetteurs
dn' J  ΔJe jt n  Δne jt
dt

ed

τn
 
 A n  Δne jt N  ΔNe jt 
dn J n
En régime stationnaire, 0   AnN  0
dt ed τ n
 1  ΔJ
Δn   AN  jω   AnΔN 
 τn  ed
Photoémetteurs
dN N
De même,  AnN 
dt τN
 1 
ANΔn -   An  jω  ΔN  0
 τN 
Photoémetteurs
 1  ΔJ
Δn   AN  jω   AnΔN 
 τn  ed
 1 
ANΔn -   An  jω  ΔN  0
 τN 
1  J  τN
N   1  J  J o  (J > Jo)
Aτ n  J o  ed
et
1
n  no  (n sature car émission stimulée)
Aτ N
Photoémetteurs
 1 J  ΔN ΔJ
Δn   jω   
 τn Jo  τ N ed
1  J  Δn
  1 Δn - jω 0
τ N τn  Jo  τN
1  J  1 J
On pose ω02    1 et 
τ N τn τn Jo
 Jo 
Photoémetteurs
ΔN ΔJ
Δn β  jω  
τ N ed
Δn
ωo Δn - jω 0
τN
ΔJ 1 1
Δn 
ed ωo β/ωo   jω/ωo   ωo /ω 
ΔJ 1
ΔN  τN
ed ωo2  ω 2  jβ
Photoémetteurs
ΔN 1 ΔJ/J o
modulation 
N τ N τ n ωo2  ω 2  jβ
β 1 ΔJ/J o
On pose γ  et A o 
ωo τ N τ n ωo2
Amplitude de modulation A  Δ N A o

N 1/ 2
 2 
  ω 2  2 ω 2

 1  2   γ 2 
  ωo  ωo 
 
Photoémetteurs
A ~ Ao si  << o
ΔN Ao
A  A ~ Aoo2/2
N 1/ 2
 2
2
2 si  >> o
 ω  2ω 
 1  2   γ 2 
  ωo  ωo 
  A = Amax = Ao/
si  >> o
1/ 2
ωo 1  1  J 
Fréquence de résonance fo     1 
2 π 2 π  τ N τ n  Jo  

Photoémetteurs
100
Amax
10
J=1.01J o J=1.5J o
fo augmente
A/Ao
1
J=1.1J o
avec J
0.1
fo
0.01
0.01 0.1 1 10
1/2
 nN
Photoémetteurs
Ordres de grandeur
n ~ 10-9 s (LED émission spontanée)
1 c 1  1  avec p ~ 60cm-1, L ~ 300 µm
 ~  α p  Ln   ~
R ~ 30 % et n ~ 3.5
τN n  L  R 
N ~ 10-12 s 1/ 2
1  1  J 
Pour J = 1.1Jo fo    1   1.6 GHz
2 π  τ N τ n
 Jo  

10 x supérieure à fc pour LED

Photoémetteurs
Structure réelle des diodes lasers : double hétérojonction (DH)

L ~300 µm
p GaAs
1 µm
d ~ 0.1 µm
l ~ 10 µm
Confinement des électrons et des photons dans zone active
Photoémetteurs
Structure réelle des diodes lasers
Confinement des photons dans zone active par variation

importante d’indice entre AlGaAs et GaAs (~ 5 %)
n~
Meilleur confinement que dans homojonction ( ~  1% )
n
Photoémetteurs
Confinement des électrons

dans zone active par variation
du gap entre Al0.7Ga0.3As (1.9 eV)
et GaAs (1.4 eV)
Photoémetteurs

Irradiation aux protons
Confinement supplémentaire des électrons
dans zone active par irradiation
sélective aux protons
zones fortement résistives
Zones résistives
Photoémetteurs
Structure réelle des diodes lasers : double hétérojonction (DH)
Confinement des électrons et des photons dans zone active

limite le courant de seuil Jo
Utilisation de puits quantiques (hétérostructures qqs 10 nm)

augmente encore confinement des électrons
Photoémetteurs
Structures verticales (VCSEL)
Vertical Cavity Surface Emitting Laser
Emission de lumière ┴ zone active
- Nombreux lasers sur même substrat

- Connexion plus simple avec fibres optiques
Photoémetteurs
Mais un seul passage

des photons dans zone active
résonance
Puissance faible
Photoémetteurs
Distributed Bragg Reflectors

+ confinement
Photoémetteurs
Distributed Bragg Reflectors :
multicouches de semiconducteur
d’indice différent
Réflectivité ~ 99.9 % (/ 30 % pour miroirs classiques)

Photoémetteurs

Photoémetteurs

Photoémetteurs

Photoémetteurs
Emetteurs à SC et télécommunications
Choix de l’émetteur
- Spectre d’émission compatible avec fibres optiques

- Modulation
- Couplage émetteur / fibre
Photoémetteurs
Fibres optiques :
- transparence et faible dispersion  = 1.3 - 1.5 µm
- diamètres qqs µm → qqs 100 µm
Emetteurs :
- rayonnement modulable  = 1.3 - 1.5 µm
- surface active de faibles dimensions
LED’s et diodes lasers

Photoémetteurs
LED’s : Diodes laser :
 moins chères  surface active plus faible

 meilleure durée de vie  rayonnement + monochromatique
 facilement modulables  rayonnement + puissant et directif
Diminue dispersion intermode

Favorise couplage
Photoémetteurs
Ouverture numérique de la fibre gaine

~
n2
~
n0 cœur
r 
Fibre
 ~
n1
~
n2
Fibre à variation brutale d’indice

Photoémetteurs
Ouverture numérique de la fibre ~

n2
~ ~
n sinα  n sinα
~
n0
r
o 1 r 
~
Réflexion totale  n1
~
~
n2
n2
sinθ c  ~
n1
Angle d’incidence maximal m ↔ c
 ~ 2 ~2  Ouverture Numérique ON
 1  n2 
n
α m  Arcsin ~ 
 n0
 
Photoémetteurs
Ouverture numérique de la fibre ~

n2
~
n0
r

 ~ 2 ~2 
 1  n2 
n  ~
n1
α m  Arcsin ~ 
 n0 ~
n2
 
Ex :
Cœur en silice dopée (SiO2-GeO2) : ~ n1  1.53
~
Gaine en silice pure (SiO2) : n 2  1.5
~
Fibre dans l’air : n 0  1
ON = 0.3 et m = 18° (fibres à gradient d’indice moins tolérantes)
Photoémetteurs
Couplage émetteur-fibre
LED de surface émettrice S ↔ fibre de section de cœur > S
Flux d’énergie transmis par la fibre :  f  S  Br dΩ

Ωm
LED ~
n2
~
n0
m
Ω m  2π1 - cosα m 
m ~
n1
~
n2
S
Photoémetteurs
αm
 f  S  Br dΩ Φ f  2πS  Br sinαd où Br : brillance
Ωm 0
or Br = Bro cos (Bro : brillance dans direction axiale)
2
ON
Φ f  πSBrosin 2α m  πSBro
~
n2 0
Photoémetteurs
ON 2
Φ f  πSBro : flux transmis par fibre
~
n2
0
Φ t  πSBro : flux total émis par la diode
Rendement de couplage c
Φ f ON 2 ~ n12  ~n 22
ηc   
Φt ~
n02 ~
n 02
c ~ 10 % pour ON = 0.3
Photoémetteurs
Φ f ON 2 ~ n12  ~n 22
Rendement de couplage : ηc  
~ 2

~
Φt n0 n 02
Si surface de la fibre Sf < S  c réduit de Sf / S
Couplage optimal si ON maximal et Sf > S

Photoémetteurs
Couplages LED-fibre
Photoémetteurs
Couplages LED-fibre
Photoémetteurs
Couplages LED-fibre
Photoémetteurs
Couplages diode laser-fibre

Photoémetteurs

Photoémetteurs

Composants Optoélectroniques
Références
H. Mathieu : Physique des semiconducteurs et des composants électroniques
Masson
S.M. Sze : Semiconductor devices
Wiley
http://britneyspears.ac/lasers.htm
http://www.arcelect.com/fibercable.htm
http://www.lanshack.com/fiber-optic-tutorial-fiber.asp
http://www.nepcorp.com/
http://www.rohm.com/products/shortform/18led/led_index.html
http://micro.magnet.fsu.edu/primer/lightandcolor/ledsintro.html
http://en.wikipedia.org/wiki/Light-emitting_diode
http://www.ecse.rpi.edu/~schubert/Light-Emitting-Diodes-dot-org/

OptoPart3 Photoémetteurs

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Composants optoélectroniques

-Diode électroluminescente LED

-Diode électroluminescente LED

Principe : jonction p-n polarisée en direct

Principe : jonction p-n polarisée en direct

Rappel : jonction p-n polarisée en direct

Rappel : jonction p-n polarisée en direct

Principe : jonction p-n polarisée en direct

Si VF est suffisante W étroite rôle mineur dans émission

Principe : jonction p-n polarisée en direct

Principe : jonction p-n polarisée en direct

Recombinaisons essentiellement dans zone p

III-V miscibles : GaAsxP1-x ; GaxIn1-xP

Emission dans le bleu difficile

Rendement Rendement quantique interne i

Rendement Rendement optique o

Photons réabsorbés avant sortie de la diode

1 Semiconducteur (n1 ~3.5)

rt sin π/2 

Rendement Rendement optique o

Rendement Rendement optique o

+ interface hémisphérique (incidence normale)

Rendement quantique externe e

Rendement Rendement global 

LED AlGaInP (rouge / jaune)  > lampe à incandescence

Temps de réponse, fréquence de coupure

Modulation par courant injecté dans la diode

Fréquence de modulation limitée par diffusion dans jonction

Temps de réponse, fréquence de coupure

Distribution des électrons dans zone p :

Δn(x, t)  2 n(x, t) Δn(x, t)

avec Δn(x, t)  Δn o (x)  Δn1 (x)e jt

Temps de réponse, fréquence de coupure

Distribution des électrons dans zone p :

Temps de réponse, fréquence de coupure

Distribution des électrons dans zone p :

Temps de réponse, fréquence de coupure

Courant traversant la jonction :

J = jn(xp) + jp(xn) ~ jn(xp)

 Δn(x, t)   Δn o   Δn1  jωt

Temps de réponse, fréquence de coupure

Temps de réponse, fréquence de coupure

Nω Modulation du rayonnement

Temps de réponse, fréquence de coupure

Temps de réponse, fréquence de coupure

fc augmente si po (dopage) augmente

Utilisation de forts dopages dans limites de solubilité

Temps de réponse, fréquence de coupure

Temps de réponse, fréquence de coupure

Brillance : Br (W/sr m2)

Bro brillance dans direction axiale ; S surface émettrice

Structure des LEDs usuelles

Application conditionne la structure

Structure des LEDs usuelles : affichage

- Emission dans le visible (Eg)

- Surface émettrice suffisante (géométrie)

Structure des LEDs usuelles : photocoupleurs

LED Photo diode (Si)

Transmission de signaux logiques entre 2 circuits isolés

Emission LED compatible avec Si : GaAsP

Structure des LEDs usuelles : transmission par fibres

- Emission LED compatible avec  = 1.3 ou 1.5 µm

Structure des LEDs usuelles : caractéristique commune