Chapitre 2 : Propriétés électroniques et optiques des semiconducteurs

1.Structure de bandes des semiconducteurs :

Les semiconducteurs ont une structure des bandes d’énergie qui est caractérisée par deux
bandes permises (conduction et de valence) séparées par une bande interdite (le gap).

1-1) Transitions des porteurs entre les bandes permises :

1-2) Types de gap :

La présentation des bandes d’énergie en fonction du vecteur d’onde k (k = nπ/L , n : entier
positif, L : longueur d’onde du matériau) permet de distinguer le type de gap du semiconducteur.

a- gap direct : Lorsque le haut de la bande de valence et le bas de la bande de conduction

se situe au même point du vecteur des k.

gap direct

b- gap indirect : si le haut de la bande de valence et le bas de la bande de conduction

correspondent à des valeurs différentes de k.

Gap indirect
 1-3) Différents processus de transition inter-bandes

2- La génération des porteurs :

Lorsque le semiconducteur acquit une énergie supérieure ou égale à celle du gap, elle permet
la génération des paires électrons trous. (le trou reste sur la bande de valence et l’électron passe
sur la bande de conduction)

3- La recombinaison des porteurs :

La recombinaison des porteurs est le passage d’un électron de la bande de conduction vers la
bande de valence. La recombinaison peut être radiative ou non radiative.

La recombinaison radiative : Dans un semiconducteur à gap direct, lorsque l’électron se

recombine avec un trou , l’émission de l’énergie se fait sous forme de photon.

La recombinaison non radiative : dans un semiconducteur à gap indirect, l’énergie de la

recombinaison des porteurs se manifeste sous forme de chaleur (phonon).

Figure 1 : Différents types de recombinaison : a) recombinaison radiative, b) recombinaison

non radiative

1) Interaction électrons – photons dans les semiconducteurs :

Les processus qui apparaissent sont :

- L’absorption des photons : qui est traduit par la génération des porteurs (création des
paires électrons trous) si l’énergie du photon est supérieure à celle du gap

L’émission des photons : qui est la conséquence de la recombinaison des porteurs dansun
semiconducteur à gap direct. Il existe deux types d’émission : -l’émission spontanée et l’émission
stimulée E

Ceci est illustré par les figures ci-dessous :

• Conservation de l’énergie :

– Absorption Eg
k
𝐸𝐸𝑓 − 𝐸𝑖 = 𝐸𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛

2
 - Émission E Bande de conduction
𝐸𝐸𝑖 − 𝐸𝑓 = 𝐸𝑝ℎ𝑜𝑡𝑜𝑛

Ei : énergie initiale de l’électron E

Ef : Energie finale de l’électron
k
Bande de valence

2) Semiconducteur hors équilibre

La génération et la recombinaison des porteurs sont deux phénomènes qui se produisent dans
un semiconducteur et le rendent dans un état hors équilibre

Dans un semiconducteur hors équilibre la relation ni²= n.p n’est plus valable.
Dans le cas de la génération : n.p ˃ni²
Dans le cas de la recombinaison : n.p < ni²

3) Absorption/photo-génération

Energie lumineuse E=N h

ph
Nph : nombre de photons

a) Absorption de la lumière :
-αx
L’absorption de la lumière est caractérisé par la loi de Beer Lambert: (x) = (0).e flux de
photons à la profondeur x

 est le coefficient d’absorption

𝑘 𝑘𝑢
𝛼 = 4𝜋 = 4𝜋 (𝑐𝑚)−1
𝜆 𝑐

 :coefficient d’extinction
C : vitesse de la lumière dans le vide

4-1) Taux de génération

Soit Φ la densité de flux de photons incidents sur le semiconducteur (photons/unité de

surface/unité de temps)

Pi : puissance lumineuse incidente (W/m²)

3
Le flux de photons qui pénètrent dans le SC est

R est le coefficient de réflexion de la surface

𝑛1 − 𝑛2 2
𝑅= ( )
𝑛1 + 𝑛2

Sachant que R+T =1 (T : coefficient de transmission)

Si chaque photon génère une paire électron-trou alors le taux de génération G des paires est:
𝑃
𝐺(𝑥) = 𝛼 (1 − 𝑅) 𝑒−𝛼𝑥
ℎ𝑢

Rendement quantique et sensibilité spectrale

Le rendement quantique (efficacité) d’un photodétecteur représente le rapport entre le

nombre de paires électron-trou collectées et le nombre de photons incidents. Il est donné par :

𝐼𝑝
= 𝑒
𝑃𝑖
ℎ
Ip : photocourant

La sensibilité (réponse) spectrale du photodétecteur correspond au rapport entre le photocourant et

la puissance optique incidente pour chaque longueur d’onde :
𝐼𝑝 𝐴
𝑆= = 𝑒  =  0,8  ( )
𝑃𝑖 ℎ𝐶 𝑤𝑎𝑡𝑡

4-2) Recombinaison des porteurs excédentaires

Le taux de recombinaison des porteurs est défini par la durée de vie des porteurs minoritaires.

τrad : temps des recombinaison radiatives

τnrad : temps de recombinaison non radiatives

4
 4-3) Équations de continuité – longueur de diffusion

Les taux de génération et de recombinaison des porteurs affectent la distribution des porteurs
et du courant

Les équations de continuité pour les électrons et les trous:

r et g sont respectivement les taux de génération et de recombinaison des porteurs

Les dérivés par rapport au temps des concentrations des porteurs s’annulent

d 2 (n  n ) nn nn
0
 0
 0

dx 2
Dnn L2
n

d2(p  p ) p p p p
0
 0
 0
dx 2
Dp  p L2
p

Ln  Dnn Longueur de diffusion des électrons


L p  D pp
Longueur de diffusion des trous

La longueur de diffusion: c’est la distance moyenne que parcoure l’électron avant qu’ils se
recombinent avec un trou. Elle est de l’ordre de µm ou mm

4-4) Application des propriétés des semiconducteurs en OPTO-ELECTRONIQUE

Emission dans un semi-conducteur :

• Transmissions
• Eclairage

Exemples:

les diodes électroluminescentes et les diodes lasers, la transmission d’un signal optique à
travers une fibre optique

Détection (Absorption) dans un semi-conducteur

Exemples:

- Réception optique par une photodiode ou un phototransistor

- Photorésistance, cellule solaire photovoltaïque