II CIRCUITS ACTIFS LINEAIRES : AMPLIFICATEURS PETIT SIGNAL

Nous allons voir, dans ce chapitre, les diffrentes technologies existantes, les technologies mergentes et les diffrences de fonctionnement et de performances des diffrents composants. Le principe du calcul des amplificateurs en microondes est fond sur les paramtres S du composant actif comme les transistors bipolaires ou les transistors effet de champ. Les considrations les plus importantes dans la conception d'un amplificateur sont la stabilit, le gain en puissance, le bruit et le choix du point de polarisation.

Nous allons donner les diffrents coefficients de rflexion en entre et en sortie. En entre du transistor : coefficient 1 Le coefficient de rflexion l'entre 1, qui peut tre not S'11, est fonction des paramtres S du transistor et de limpdance du gnrateur ZL :

1 =

b1 S .S . = S11 + 12 21 L a1 1 S 22 . L

(3)

En sortie du transistor : coefficient 2 Le coefficient de rflexion en sortie, lorsque l'entre est ferme sur l'impdance du gnrateur ZS, s'crit par analogie avec (5) :

1. EXPRESSIONS DES COEFFICIENTS DE REFLEXION

Un transistor bipolaire ou effet de champ est un hexaple car il comporte 3 accs : BaseCollecteur-Emetteur ou Grille-Drain-Source. En gnral, le transistor est mont en metteur commun ou en source commune, ou toute autre configuration, on le considre comme un quadriple actif caractris par sa matrice de distribution S mesure par rapport l'impdance de rfrence Z0. Le transistor est aliment son entre par un gnrateur de signal d'impdance interne ZS et charg par une impdance ZL. Ceci est reprsent sur la figure 1.
i'1

2 =

S .S . b2 = S 22 + 12 21 S a2 1 S11 . S

(4)

Ce coefficient de rflexion est aussi parfois not S'22.

2. EXPRESSIONS DES GAINS

Il existe diffrentes dfinitions de gain, le gain transducique reste le plus utilis en microondes.

P1

ZS E

i1 a1 b1

i2

P2

i'2 a'2 b'2

On pose :

a'1 b'1

v1=v'1

[S]

a2 b2

v2=v'2

ZL

D = S11 .S 22 S12 .S 21

(5)

2.1 Gain transducique ou Gain de transfert en puissance (Transducer Power Gain) : Par dfinition, le gain transducique GT est le rapport de la puissance dlivre la charge (Pcharge) par la puissance disponible la source (PSdispo). La puissance disponible la source est la puissance maximale quelle peut dlivrer une charge. Cette puissance sobtient en fermant le gnrateur sur une charge gale au complexe conjugu de son impdance interne, cest dire ZS*. Dans ce cas, PSdispo devient gale
E PSdispo = 1 2 4 Re ( Z S )
2

Figure 1 : Transistor caractris par ses paramtres S. La caractrisation des transistors en paramtres S est trs importante et doit tre effectue prcisment. Elle est fonction des conditions de polarisation du composant et de la frquence du signal : les paramtres S varient avec la frquence et le point de polarisation. Dans les datasheets des composants, on trouve les paramtres S en fonction de la frquence et pour quelques points de polarisation Ct gnrateur et charge, dans les plans de rfrence P1 et P2 respectivement, on a les relations suivantes :

(6)

S =

ZS Z 0 Z Z0 b' b' et L = L = 1 = '2 ' ZS + Z 0 a1 E=0 ZL + Z0 a2

(1)

et l'expression de GT :

Cette dfinition de S n'est valable que si le gnrateur a une amplitude nulle, c'est dire lorsque l'entre est court-circuite. Les paramtres S du transistor sont dfinis comme :
b1 = S11 .a 1 + S12 .a 2 b 2 = S 21 .a 1 + S 22 .a 2
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GT =

(1

1 S . 1

).S
2

2 21

(1

)
2

ou

(7)

1 S 22 . L

(2)

GT =

(1

1 S .S11

).S
2

2 21

(1 .

)
2

1 2 . L

17

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18

Le dnominateur peut aussi s'arranger pour conduire l'expression suivante :

GT =

(1

). S

2 21

. 1 L

)
2

(8)

1 S11 . S S 22 . L + D. S . L

Par exemple, le terme G1 affecte le degr d'adaptation ou de dsadaptation de S avec S11. Bien que le quadriple reprsentant G1 soit passif, il peut donner lieu un gain suprieur ou infrieur l'unit. Ceci est possible en raison de la dsadaptation intrinsque entre Z0 et S11. Il en est de mme pour le quadriple G2.

Remarques : Si ZS = ZL = Z0 alors S = L = 0 et

P1 Z0
(9)

P2 G0 G2 2=S22 L Z0

G T = S 21

= G0

G1 S 1=S11

2.2 Gain transducique unilatralis : Si S12 = 0, on dit que le transistor est unilatralis. Dans ces conditions, le gain transducique unilatralis GTu s'crit :

Figure 2 : Transistor unilatralis et ses quadriples d'adaptation en entre-sortie. Exprim en dB, la relation (14) devient :

G Tu =

(1

1 S .S11

).S
2

2 21

(1

)
2

(10)

1 S 22 . L

= G 1 .G 0 .G 2

G Tu (dB) = G 1 (dB) + G 0 (dB) + G 2 (dB) avec G(dB) = 10. log10 (G)

3.1 Optimisation du gain :

(13)

2.3 Maximum Available Gain (MAG) et Gain de Mason : Ce gain, dfini uniquement lorsque le transistor est stable, est donn par la suite lors de ltude de la stabilit du transistor.

Il est possible d'optimiser S et L de faon obtenir des gains G1 et G2 maximums, dans ce cas, GTu sera maximum et :
* S = S11

L = S* 22
1 S11 S11 S 22 1 S 22
2 2

(14)

3. MODELE DU TRANSISTOR QUADRIPOLES DADAPTATION

UNILATERALISE :

CALCUL

DES

Par suite :

Comme nous l'avons dj indiqu, le quadriple actif est unilatralis lorsque le paramtres S12 est nul. En ralit, S12 n'est pas nul pour un transistor mais il est trs faible car le transistor est non passant de l'accs 2 vers l'accs 1. On a dans ces conditions :

G 1 max = G 2 max =

(1

)
2

= =

1 1 S11 1 1 S 22

(15)
2

(16)
2

(1

b1 b 2

S11 = S 21

0 a1 S 22 a2

(11)

D'o la valeur maximum du gain transducique unilatralis :

G Tu max =

On a de mme :

1 1 S11

. S 21

1 1 S 22

(17)
2

1 = S11

2 = S 22

On peut remarquer que cette expression est identique la valeur maximum du gain en puissance disponible GAmax qui correspond aux mmes conditions d'adaptation. 3.2 Stabilit : (12)
2 2

Le gain transducique unilatralis est donn par l'expression (12) :

G Tu = G 1 .G 0 .G 2 avec G 0 = S 21
2

G1 =

1 S

2 2

1 S11 . S

G2 =

1 L

Puisque |S11| et |S22| sont infrieurs 1, le transistor unilatralis est inconditionnellement stable. 3.3 Cercles de gain constant : On peut remarquer que si L = S = 1, alors G1 = G2 = 0. On a ainsi :

1 S 22 . L

L'amplificateur peut alors tre reprsent par le schma de la figure 2. Les termes G1 et G2, ou les quadriples correspondants, reprsentent les gains ou les pertes produits par l'adaptation ou la dsadaptation des circuits d'entre et de sortie.
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19

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20

0 G 1 G 1 max

0 G 2 G 2 max

(18)

Si G1 = G1max (soit S = S*11), alors : G1 = S*11 et RG1 = 0 : cest un point.

Ainsi pour toutes les valeurs de G1 telles que 0 G1 G1max , le centre du cercle est situ sur une droite passant par le centre de l'abaque et par le point S*11.

On peut alors se demander quel est le lieu sur l'abaque de Smith des coefficients de rflexion l'entre S donnant une valeur de gain G1 constante. Il est dfini par la condition :

Le cercle correspondant G1 = 1 (soit G1 = 0 dB), passe par le centre de l'abaque. (19) Un exemple du trac de ces cercles pour un transistor unilatralis est reprsent sur l'abaque de Smith figure 4. Pour ce transistor, on a S11 = 0.7140. On obtient alors G1max = 1.96. Pour G1 = 1, G1 = 0.47-140 et RG1 = 0.47. Pour G1 = 1.5, G1 = 0.605-140 et RG1 = 0.28. (20) On obtient un ensemble de relations identiques pour l'optimisation du quadriple de sortie de gain G2. Il suffit de remplacer dans les expressions (22) et (23) les indices 1 par 2 : (21)

G1 =

1 S

2 2

1 S11 . S

Ce lieu est un cercle dans le plan complexe (figure 3), de centre RG1 et de centre G1.

G1 =

* G 1 .S11

1 + G 1 S11

R G1 =

1 G 1 . 1 S11 1 + G 1 . S11
2

G 2 =

G 2 .S* 22 1 + G 2 S 22
2

(22)

RG2 =

1 G 2 . 1 S 22 1 + G 2 . S 22
2

(23)

M () R C ( )

Remarques :

C'est en entre que l'optimisation du gain revt certainement une importance plus grande, car on est trs souvent amen trouver le meilleur compromis entre le gain de l'amplificateur et le facteur de bruit, c'est dire trouver l'impdance de source qui conduit au meilleur compromis.

O
Figure 3 : Cercle de gain constant.

Cas particuliers : Si G1 = 0 (soit S = 1), alors G1 = 0 ==> le centre du cercle est au centre de l'abaque de Smith et RG1 = 1, correspondant au cercle externe de l'abaque. Si G1 = 1 (soit S = 0), ce qui n'implique aucun quadriple en entre, on a alors :
* S11

G1 =

1 S11

R G1 = G1

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21

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22

F =

Pse / Pne P = 1+ 1. n Pss / Pns G Pne

(24)

Fmin F1>Fmin

Pse Pne
F2>Fmin

Pn G

Pss Pns

opt

Figure 5 : Bruit dans un amplificateur.

Le facteur de bruit dpend donc uniquement de limpdance prsente en entre et du transistor utilis :

F = Fmin +

rn Re ( Ys

Ys Yopt

= Fmin + 4rn

s opt 1 + opt
2

(25)
2

(1

Fmin est le facteur de bruit minimum, correspondant une admittance en entre gale Yopt, rn est la rsistance quivalente de bruit normalise du composant et F est le facteur de bruit de lamplificateur pour une admittance gale Ys en entre. Cette admittance prsenter en entre se trouve sur un cercle de bruit constant dont les coordonnes sont :

S*11
G1=1.76dB (1.5)

N =
RN =

opt 1+ N
1 1+ N

avec

N =

F Fmin 1 + opt 4rn

(26)

N 2 + N. ( 1 opt

(27)

G1max=2.92dB (1.96)

Dans la plupart des cas, les cercles de bruit ne se situent pas aux mmes impdances que les cercles de gain en entre, il faut donc faire un compromis entre les deux (figure 4). Lorsque plusieurs circuits, ou tages sont cascads, la formule de Friis montre que le facteur de bruit du rcepteur complet dpend largement du premier tage :

G1=0dB (1)
Figure 4 : Exemple de cercles de gain et bruit constant pour un transistor unilatralis. 3.4 Optimisation du facteur de bruit Cercles de bruit :

F = F1 +

F3 1 F2 1 F3 1 + + + ... G1 G 1 .G 2 G 1 .G 2 .G 3

(28)

4. CAS GENERAL DU TRANSISTOR : S12 0

Comme pour le transistor unilatralis, nous allons tudier les conditions permettant dobtenir un gain transducique maximal, correspondant aux conditions optimales dadaptation, et celles assurant la stabilit de lamplificateur.
4.1 Optimisation du gain :

Le bruit dun amplificateur est la somme du bruit amen en entre (Pne) et multipli par son gain avec le bruit propre gnr par le composant actif (Pn). Ce dernier est inhrent la technologie et ne peut donc pas tre modifi. En revanche, amener un bruit minimum est li lentre et une adaptation en entre au bruit minimum. Ainsi concevoir un amplificateur facteur de bruit minimum revient adapter son entre facteur de bruit minimum et sa sortie rflexion minimum. Le facteur de bruit dun amplificateur est donn par la relation suivante :

On dsire non seulement que la source fournisse au quadriple actif une puissance maximale, mais aussi que la charge reoive une puissance maximale. Le gain de transfert en puissance sera alors maximum et vaudra GTmax. Les conditions raliser pour cela sont : S = *1 et L = *2, ou de faon quivalente ZS = Z*1 et ZL = Z*2.

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24

a) Calcul de S :

On vrifie par ailleurs que :

2 B1 4 C1 2

On a :
* = S* + S = 1 11 * .S* . * S12 S* D * . * 21 L = 11 * * L * 1 S* . 1 S 22 . L 22 L

= B2 2 4 C2

= 4 ( K 2 1 ) . S12 .S 21

(29)

4.2 Adaptation entre-sortie : tude du facteur de Rollet K :

* L = * 2 = S 22

S* .S* . * S* D * . * S + 12 21 = 22 * * S * . * 1 S11 1 S11 . S S

(30)

Etudions prsent la possibilit dune adaptation simultane entre-sortie. La discussion se fera partir du facteur K qui est une caractristique du quadriple.
De plus, les impdances ZS et ZL sont partie relle positive car les dispositifs associs sont passifs, on a donc : | L | < 1 et | S | < 1 Le tableau suivant indique comment adapter le transistor en fonction du facteur K.
|K|=1 K = 1

La dtermination de S est donne par la rsolution de lquation de second degr suivante :

2 * = 0 C 1 . S B1 . S + C1

(31)

avec C1 = S11 D.S* 22 B1 = 1 + S11

2

Pas dadaptation possible du transistor

S = 1 inadaptable L = 1
' S (*)

S 22

La solution de cette quation du second degr scrit alors sous la forme :

|D|<1

Transistor inconditionnellement stable

= 1 B1 2C1

2 4 C1 B1 2

(32)
|K|>1

K>1 |D|>1

'L
'' S

Transistor conditionnellement stable Instabilit du transistor Transistor non adaptable simultanment

(*)

On peut remarquer que B1 est rel ainsi que la quantit sous le radical. avec :
K < -1 |K|<1

''L
inadaptable

B 4 C1
2 1

= 4 ( K 1 ) . S12 .S 21
2 2

(33)

K =

1+ D

S11 S 22 2 S12 .S 21

Transistor conditionnellement stable > Trac des cercles de tude approfondie de la stabilit stabilit

K est appel le facteur de Rollet. Ce facteur est un nombre rel. On voit ici que la solution de lquation de second degr S existe si et seulement si le terme sous la racine est positif, cest dire si K2 > 1.
b) Calcul de L :

(*) : le choix de la solution dpend des signes de B1 et B2.

Avec :
' S =

B1

Lquation permettant dobtenir L est tout fait semblable lquation (31) en interchangeant les indices 1 et 2 , on obtient :
* C 2 . 2 L B 2 . L + C 2 = 0

2 B1 4 C1 2C1

2 '' S =

B1 +

2 B1 4 C1 2C1

(35)

'L =

B2

2 B2 4 C2 2C 2

''L =

B2 +

2 B2 4 C2 2C 2

(36)

avec :

K>1:
2

L =

1 B 2C 2 2

B2 2 4 C2

(34)

* avec C 2 = S 22 D.S11

Le calcul du gain GT peut alors tre fait dans chacun de ces cas. Dans le cas du couple {S , L}, on obtient un maximum de gain GTmax , alors que dans le cas du couple {S , L}, on a un minimum GTmin qui assure par contre la meilleure stabilit conditionnelle.
Ce gain maximum disponible scrit :

B 2 = 1 + S 22

S11

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26

G T (min) =
(max)

S 21 K signe(B1 ) K 2 1 S12

(37)

R2 =

S12 .S 21 S 22
2

(41)
2

si B1 0 G T max si B1 0 G T min

On obtient des relations semblables pour tudier la stabilit en fonction de S condition de permuter les indices 1 et 2 dans les expressions prcdentes.
Le lieu de S tel que | 2 | = 1 a les coordonnes suivantes :

Cette valeur de GT est aussi appele le gain en puissance maximum disponible, soit encore le MAG (Maximum Available Gain). Attention : le MAG est uniquement dfini pour | K | > 1. Avant que le composant devienne instable, on peut utiliser le Gain Maximum Stable ou GMSG pour Maximum Stable Gain dfini pour K = 1 : (cette formulation est souvent donne dans les datasheets des composants).

1 =

* D * .S S11 22

(42)

S11

R1 =

S12 .S 21 S11
2

(43)
2

G MSG =
|K|<1:

S 21 S12

A1) Etude de la stabilit en entre :

Etudions prsent la stabilit en entre en dterminant le lieu des impdances de charge L telles que | 1 | < 1. Deux situations peuvent alors se prsenter :
Cas 1 :

Alors, S et S sont tels que | S | . | S | = 1 et il en est de mme pour | L | et | L | .

Ladaptation est alors impossible : lamplificateur est alors conditionnellement stable.

Il est alors ncessaire dtudier de faon plus approfondie la stabilit, et pour cela il faut tracer les cercles de stabilit.

Si le cercle (C2) ne contient pas le centre de l'abaque de Smith, la zone d'intersection entre ce cercle et l'abaque correspond des valeurs de L engendrant l'instabilit (figure 8). soit encore : K > 1 o K est le facteur de Rollet.
Cas 2 :

a) Cercles de stabilit
Afin dtudier la stabilit de lamplificateur, il faut analyser le comportement du coefficient de rflexion 1 en fonction de L, ou en dautre terme linfluence de limpdance de sortie ZL sur limpdance dentre Ze de lamplificateur. 1 est fonction de L et des paramtres S :

Si le cercle d'instabilit (C2) entoure le centre de l'abaque, l'intersection entre ce cercle et l'abaque correspond alors la zone de stabilit. Le reste de l'abaque correspond alors la zone instable (figure 6). Puisque | D | > | S22 |, cette condition est vrifie si K > 1 : on retrouve ainsi la condition pour obtenir un transistor inconditionnellement stable en entre.

1 = S11 +

S12 .S 21 . L 1 S 22 . L

(38)

B1) Etude de la stabilit en sortie :

La stabilit en sortie est dtermine de faon similaire en tudiant le lieu des impdances de source, dfinies par S , telles que | 2 | < 1. On est ainsi amen reprsenter les cercles (C1) dfinis par les relations (41). Dans cette tude, on est ainsi amen comparer | D | | S11 | en se plaant dans le cas pratique o | S22 | < 1. On obtient alors : (40) Si | D | < | S11 |, alors | 1 | - R1 > 1 entrane K > 1 Si | D | > | S11 |, alors R1 - | 1 | > 1 entrane K > 1
27

On dfinit la condition de stabilit du transistor du transistor par | 1 | < 1, dans le cas contraire, il y a risque doscillation. Le cas limite correspond donc | 1 | = 1, dans ce cas, le lieu de L qui entrane | 1 | = 1 correspond un cercle dans le plan complexe :

2 2 Re { * 2 . L } = R 2 2

(39)

avec 2 qui reprsente les coordonnes du centre et R2 le rayon du cercle tels que :

2 =

* S* 22 D .S11

S 22

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28

R |1|>1 |1|<1 |1|<1 C |1|>1

|S11|<1

R R R

||-R>1

||-R<1 |S22|>|D| : intrieur de C instable

||+R<1

Figure 6 : Cercles critiques de stabilit en entre pour un transistor.

b) Instabilit potentielle
Dans le cas o | K | < 1, il faut tudier comment voluent les cercles de stabilit (C1) et (C2) dans la bande passante de l'amplificateur. La figure 7 rsume les diffrents cas de figures qui assurent la stabilit conditionnelle ou inconditionnelle.

||+1<R

||+1>R |S22|<|D| : intrieur de C stable

||+R<1

Figure 7 : Cercles critiques de stabilit en entre pour un transistor.

c) Paramtre
Pour mesurer la stabilit dun composant le paramtre peut tre utilis. Il effectue une mesure gomtrique de la distance entre le centre de labaque et le point le plus proche de ce dernier situ sur le cercle de stabilit. Ainsi, si cette distance est suprieure 1 alors le composant est inconditionnellement stable, on se trouve dans la configuration o le cercle de stabilit se trouve dport lextrieur de labaque (Figure 7). Ce paramtre est dfini en entre et en sortie.
in _ S = 1 S11 > 1 * D.S11 + S12 .S 21 1 S 22 > 1 D.S* 22 + S12 .S 21
2 2

5. CONFIGURATIONS DE BASE DES TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP

(44)

S 22

out _ L =

(45)

S11

d) Stabilisation du transistor
Lorsqu'il devient difficile voir trs dlicat d'adapter le composant dans les zones de stabilit, on stabilise le composant en lui ajoutant une contre-raction comme par exemple une inductance sur la source (ou l'metteur). On change ainsi les paramtres S du quadriple et par la mme occasion le gain maximum que l'on peut obtenir. Une autre manire de stabiliser le composant est de rajouter des rsistances sur les circuits de polarisation. Ceci dtriore le facteur de bruit de l'amplificateur en rajoutant du bruit thermique.

Figure 8 : modle petit signal dun transistor effet de champ. 5.1 Montage source commune :

Cest la topologie de base la plus utilise pour la conception damplificateurs, elle permet dobtenir un gain en tension lev. Ladmittance dentre est domine par la capacit Cgs. Cette dernire influence la frquence de coupure haute. Limpdance dentre varie avec la frquence, rendant difficile ladaptation trs large bande. La capacit Cgd est directement responsable de la dgradation de lisolation entre/sortie.
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29

30

5.2 Montage grille commune :

Le signal dentre est appliqu sur la source et le signal de sortie est rcupr sur le drain. Le gain en courant est gal lunit : cest un tage tampon "buffer" de courant. Son admittance dentre tant leve, les bandes passantes sont plus grandes que celles obtenues avec le montage source commune. Nanmoins, ce montage est le moins utilis car lisolation entre la sortie et lentre est bien plus faible, entranant un risque dinstabilit.
5.3 Montage cascode :

Q out
Z0
E

Q in

Z0

Cest une combinaison des 2 prcdents montages, associant les avantages et les inconvnients de chacun : la bande passante est plus large, lisolation entre la sortie et lentre est plus grande. En revanche, lencombrement est plus grand.

Figure 10 : Amplificateur un tage avec circuits dadaptation en entre et en sortie. 6.2 Bande passante moyenne, structure plusieurs tages :

VDd T2 VGdc T1 VE
Figure 9 : montage cascode. 5.4 Montage drain commun (ou source suiveur) :

Ces topologies sont de type passe-bande et permettent dobtenir un gain plat sur une bande de frquences de 1 2 octaves, typiquement fmax < 3.fmin. On distingue principalement deux structures diffrentes :

Structure non quilibre : tages cascads V

Q out Q tage2 Q tage1

Z0
E
Figure 11 : Amplificateur plusieurs tages avec circuits dadaptation inter-tages.

Z0

Q in

Le signal dentre est appliqu sur la grille et le signal de sortie est prlev sur la source. Le gain en tension est gal lunit, cest un tage tampon "buffer" en tension. Ladmittance dentre se rduit la capacit Cgd qui est plus faible que la capacit Cgs du transistor en source commune. Ce montage est souvent utilis comme adaptateur dimpdance et associ aux dcaleurs de tension (diodes dcalage en tension).

Le problme de cette configuration est quil faut faire attention la saturation des transistors qui risque dintervenir assez rapidement, dautant plus que les transistors sont des transistors faibles signaux. On est amen limiter le nombre dtages 4 voir 3.

Structure quilibre :
Q out
Z0
E

6. TOPOLOGIES GENERALES DAMPLIFICATEURS FAIBLE SIGNAL

Coupleur 3 dB
Diffrentes configurations sont possibles pour concevoir des amplificateurs petit signal dans le domaine des microondes. Nous ne donnerons ici que des structures trs gnrales en diffrenciant principalement la largeur de bande.
6.1 Faible bande passante, structure un tage :

Q in

Coupleur 3 dB Qout

In

Z0

Out
Z0

Qin
Z0
Figure 12 : Amplificateur structure quilibre.

Ces structures faible bande passante, de lordre de 5 10% sont souvent utilises pour la conception damplificateurs faible bruit (LNA : Low Noise Amplifier). La largeur de bande de lamplificateur dpend principalement des circuits dadaptation en entre et en sortie du composant. On utilise en gnral des filtres pour raliser ces adaptations.

On divise le signal dentre en deux, ou plus selon les configurations, afin de limiter le phnomne de saturation des transistors. En sortie, les signaux sont somms.

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31

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32

6.3 Trs large bande passante de type passe-bas :

Lg/2 Z0 E
G

Lg

Lg

Lg/2

En gnral la frquence minimale est infrieure au GHz et le rapport entre la frquence suprieure et la frquence infrieure de la bande passante est suprieur 5. On distingue trois configurations principales :

D S

Rg
T2 Tn

T1

Amplificateurs rsistifs :
Q out Q tage2 Q tage1
Z0
E

Rd

Ld/2

Ld

Ld

Ld/2

Z0

Z0
Z0 E
G

Zg,Ag

Zg,Ag
D S

Zg,Ag

Zg,Ag

Q in

Rg
T2 Zd,Ad Tn Zd,Ad

T1

Zd,Ad

Zd,Ad Z0

Figure 13 : Amplificateur adapt rsistif.

Rd

Amplificateurs contre-raction :
Figure 15 : Amplificateur distribu lments localiss et distribus.

Q out Q tage2 Q tage1

Z0
E

Z0

Les lignes de grille et de drain constituent les lments d'adaptation de l'amplificateur en compensant les capacits internes d'entre et de sortie du transistor par les inductances (figure 14).

Q in

D G S

G Cgs Vgs Ids

D Cds=38fF

Figure 14 : Amplificateur contre-raction.

S Cgs=0.162pF

S Ids=gm.Ids et gm=25.1mS

Amplificateurs distribus :
Dans un amplificateur conventionnel, le produit gain-bande ne peut tre augment qu'en faisant crotre le gain et en plaant plusieurs tages en cascade. Une mise en parallle de transistors, correspondant une addition des transconductances, ne rsout pas le problme car les capacits d'entre et de sortie augmentent. Des problmes d'adaptation apparaissent alors et le produit gainbande reste peu prs constant. Pour pallier ceci, et raliser des amplificateurs trs large bande, on ralise un amplificateur distribu ou progressif qui utilise une suite d'tages identiques "distribus" le long de deux lignes de transmission, les lignes de grille et de drain. Ces deux lignes de transmission peuvent tre ralises en constantes localises ou rparties (figure 13). Le principe de fonctionnement est le suivant : chaque tage peut tre considr comme un gnrateur de tension command haute impdance d'entre et de sortie. Le gnrateur situ l'entre de la ligne de grille cre une onde qui se propage le long de cette ligne, charge en bout par une rsistance Rg. Cette onde excite chaque gnrateur command, qui leur tour, cre une onde dans la ligne de drain.

Figure 16 : Schma quivalent hautes frquences simplifi du transistor effet de champ.

La frquence basse de coupure est limite par les lments de polarisation. Cette configuration est utilise pour les rcepteurs optiques de communications trs haut dbit (12, 40 et 80 Gbits/s.
6.4 Trs large bande passante et forte sensibilit : amplificateur transimpdance

Les systmes de tlcommunications par fibre optique ncessitent des rcepteurs trs sensibles afin de maximiser leur porte de transmission. Lamplificateur transimpdance est un des lments cls : il forme une interface entre le courant faible issu de la photodiode et lentre de lamplificateur qui attaque le circuit de dcision. Cet amplificateur (dit dextrmit) joue un rle primordial dans la dtermination des performances du rcepteur : les gain, sensibilit et bande passante de ce circuit dominent les performances de la chane de rception optique. En gnral, un compromis doit tre ralis entre bande passante et sensibilit. Lamplificateur transimpdance utilise une contre-raction, fournissant ainsi un bon compromis entre bruit et largeur de bande. Linconvnient de cette structure est de prsenter des instabilits. Cest un tage inverseur de gain, contre-ractionn. Limpdance dentre est faible pour un gain lev et sa gamme dynamique est importante. Le bruit thermique de la rsistance de contre-raction

AMPLIFICATEURS PETIT SIGNAL _ C.Algani

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apparat comme une source de bruit additionnelle en parallle avec le courant de bruit de lamplificateur. Le bruit est minimis en prenant une rsistance de contre-raction leve, mais en revanche, la bande passante est alors rduite.

R VE VS

G = -AV

Figure 17 : Amplificateur transimpdance.

6.5 Immunit au bruit : amplificateur diffrentiel

Lutilisation de signaux diffrentiels sont trs utiles dans les applications faible signal, en effet, si le niveau du signal est trs faible et/ou le rapport signal sur bruit est faible, la diffrence entre 2 signaux permet de doubler le niveau du signal. Les circuits utilisant des signaux diffrentiels sont ainsi plus performants que les circuits signal simple dans des environnements fort niveau de bruit. En revanche, le produit gain-bande est plus limit que la structure distribue, la consommation et lencombrement sont augments de part lutilisation dune paire de transistors qui doit tre en gnral associe des tages suiveurs supplmentaires. Lassociation amplificateur transimpdance+amplificateur diffrentiel permet daugmenter le gain en bnficiant des performances de la structure transimpdance en entre.

VDD1 R1 VS1 VE1 T1 T2

VDD2

R2 VS2 VE2

I0
Figure 18 : Amplificateur diffrentiel.

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