Module M12B : AMPLIFICATION RADIOFREQUENCE

S/module : M12A Antennes et circuits hyperfréquences ( 40%)

S/module : Amplification Radiofréquence (35 %)
S/module: Composants programmables complexes FPGA (25 %)

Pr H.TERCHOUNE

2019 - 2020 1
Plan

1. Introduction générale
2. Rappels sur les quadripôles
3 . Matrice de répartition
4. Gain et stabilité
5. Amplification Radiofréquence
6. Le bruit en électronique

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IV. Amplificateurs petit signal
• 1. Introduction:
o Le principe du calcul des amplificateurs en hautes fréquences est fondé
sur les paramètres S du composant actif comme les transistors
bipolaires ou les transistors à effet de champ.
o Les considérations les plus importantes dans la conception d'un
amplificateur sont la stabilité, le gain en puissance, le bruit et le choix
du point de polarisation.
• 2. Expression des coefficients de réflexion:
o Soit un quadripôle Q, défini par sa matrice S. Le quadripôle est
connecté à une source de tension E avec une impédance interne ZS, et il
est chargé par une impédance ZL.

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IV-2. Expression des coefficients de réflexion:

• Exemple: Un transistor bipolaire ou à effet de champ comporte 3

accès. En général, il est monté en émetteur commun ou en source s-
commune. On le considère comme un quadripôle actif caractérisé
par sa matrice S mesurée par rapport à l’impédance de référence Z0.
• Le transistor est alimenté à son entrée par un générateur de signal
d’impédance interne ZS et chargé par une impédance ZL.

Transistor caractérisé par ses paramètres S

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IV-2. Expression des coefficients de réflexion:

• La caractérisation des transistors en paramètres S est importante.

Elle dépend des conditions de polarisation du composant et de la
fréquence du signal. Les paramètres S varient en fonction de la
fréquence et le point de polarisation.
• Côté générateur et charge, dans les plans de référence P1 et P2
respectivement, on a les relations suivantes:

Z S − Z0 b1' Z L − Z0 b2'
ΓS = = ' ΓL = = '
Z S + Z0 a1 E=0
Z L + Z0 a2

• Cette définition de ΓS, n’est valable que si le générateur a une

amplitude nulle, c’est à dire lorsque l’entrée est court-circuitée.

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IV-2. Expression des coefficients de réflexion:

Le quadripôle est défini par ses paramètres

S, tel que:

Le coefficient de réflexion par rapport à la source est :

Le coefficient de réflexion par rapport à la charge est :

Le coefficient de réflexion à l’entrée du quadripôle est :

Z1 est l’impédance d’entrée du quadripôle chargé par ZL

Le coefficient de réflexion à la sortie du quadripôle est :

Z2 est l’impédance de sortie du quadripôle alimenté par la source ZS

Remarque: Le coefficient Γ1 est définie indépendamment de la source et donc de ΓS,

2019 - 2020 6
IV-2. Expression des coefficients de réflexion:

Pour calculer Γ1 on divise l’équation

(1) par a1 et l’équation (2) par a2:

Remplaçant (4) dans (3), on retrouve

l’expression de Γ1 :

Idem pour le coefficient de réflexion

Γ2 :

L’expression de Γ2 :

Les expressions de Γ1 et Γ2 peuvent être mises sous la forme

S11 − ΔΓL S22 − ΔΓS

Γ1 = Γ2 =
2019 - 2020 1− S22 ΓL 1− S11ΓS 7
IV-2. Expression des gains
Gain en puissance
o 3.1. Transfert de puissance:

La puissance fournie par le générateur

traverse le quadripôle pour atteindre la
charge.

• On définit:
• Ps: la puissance disponible à la source
• P1: la puissance délivrée au quadripôle (puissance entrante)
• P2: la puissance disponible à la charge (puissance sortante)
• PL: la puissance délivrée à la charge (puissance utile dissipée par la charge).
o Pour que le maximum de puissance soit transmis de la source vers le quadripôle,
il faut que l’entrée soit adaptée (Γ1=Γ*s), alors PS=P1.
o Pour que le maximum de puissance soit transmis du quadripôle vers la charge, il
faut que la sortie soit adaptée (ΓL=Γ*2), alors P2=PL.
o Donc le gain en puissance dépend de l’adaptation entre la source et e quadripôle,
et de l’adaptation entre le quadripôle et la charge.

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IV-2. Expression des gains
Gain transducique (gain de transfert en puissance): c’est le
rapport entre la puissance délivrée à la charge et la puissance
disponible à la source :

ou

Gain en puissance disponible: c’est le rapport entre la

puissance disponible à la charge et la puissance disponible à
la source. Il ne dépend que de l’adaptation à l’entrée:

Gain en puissance: c’est le rapport entre la puissance délivrée

à la charge et la puissance délivrée au quadripôle. Il ne
dépend que de l’adaptation à la sortie.

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 IV-2. Expression des gains
• Gain d’un quadripôle
• Pour un quadripôle adapté (S11=0 et S22=0): GT=GP=GA=IS21I2 . C’est le gain maximal
• IS21I2 représente le gain propre du quadripôle.
• Dans le cas général, les paramètres S de l’ensemble devient tel que:

o Cas particulier
• Dans le cas d’un quadripôle unilatéral (S12=0 ou suffisamment faible): Γ1=S11 et
Γ2=S22, et le gain GT devient le gain de transfert GTU:

• Avec

• GS dépend de l’adaptation entre la source et le quadripôle, G0 est le gain propre du

quadripôle, et GL dépend de l’adaptation entre le quadripôle et la charge.
• On obtient le maximum du gain si: ΓS=S*11 et ΓL=S*22

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 IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif

• 4. Stabilité d’un quadripôle actif

4.1. La stabilité:
Si IΓ1I>1 ou IΓ2I>1 alors le quadripôle renvoie plus de puissance par rapport à celle fournie,
en conséquence il se met en oscillationà quadripôle instable.
Définition: un quadripôle est stable, si les parties réelles de l’impédance d’entrée et de
l’impédance de sortie restent positives pour des valeurs données des impédances du
générateur et de la charge.
Remarque : la stabilité dépend de la fréquence, donc un quadripôle peut être stable pour
certains fréquences, mais instable pour d’autres.
4.2. Etude de la stabilité:
- Stabilité à l’entrée è IΓ1I<1, et Γ1 dépend de la charge et des Sij
- Stabilité à la sortie è IΓ2I<1, Γ2 dépend de l’impédance de la source et des Sij

On définit le facteur de stabilité de Rollett, noté k par

l’expression:
Δ: le déterminant de la matrice S
- K>1 et IΔI<1: le quadripôle est inconditionnellement stable. Il est possible d’adapter
simultanément l’entrée et la sortie. Si cette condition n’est pas vérifiée, le quadripôle peut
être stable pour certaines valeurs, dans ce cas, il est conditionnellement stable.
- Si K<-1: le quadripôle est instable 11
2019 - 2020
IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif
• Abaque de Smith
L'abaque de Smith est un diagramme qui permet, entre autres, de :
- représenter la variation d'impédance d'un dipôle (antenne, filtre...) en
fonction de la fréquence
- calculer l'impédance d'un réseau formé d'éléments réactifs
- dimensionner un circuit d'adaptation d'impédance
- calculer l'impédance d'une charge vue au travers d'une ligne
Toute impédance de la forme Z = R ± jX peut être représentée par un
point sur le diagramme. La résistance R peut prendre n'importe quelle
valeur entre 0 et l'infini et la réactance X peut être comprise entre -
l'infini et + l'infini.

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IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif
L'abaque de Smith se présente sous la forme d'un
graphe circulaire et d'un ensemble d'échelles
(repère H). Il n'est pas nécessaire d'en connaître
tous les détails pour pouvoir en comprendre le
fonctionnement de base.
• A : aire des réactances inductives (moitié
supérieure du cercle)
• B : aire des réactances capacitives (moitié
inférieure du cercle)
• C : axe des réactances nulles (ou résistances
pures)
• D : origine de l'axe C, résistance nulle
• E : centre du cercle correspondant à
l'impédance Z=1+j0
• F : extrémité de l'axe C, résistance (et
réactances) infinies
• G : échelle des angles de déphasage et
longueurs de lignes
• H : ensemble d'échelles facilitant les calculs de
pertes, ROS...
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IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif
Le positionnement d'une impédance Z se fait au travers de ses deux
composantes R et X.
Les valeurs des réactances X et des résistances R sont repérables à l'aide
de deux familles de cercles :
- cercles des résistances
- cercles des réactances
D'autres cercles sont utilisés :
- cercles des ROS constants
- cercles de stabilité
- cercles des facteurs de bruits
- cercles des facteurs Q constants

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IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif
Cercles des résistances constantes
• L’ensemble de cercles tangents au point F sont les
cercles de résistance constante. Tous les points rouge
sur la figure correspondent à des impédances
complexes dont la composante résistive est égale à
0,3.
• Le cercle des résistances nulles est également l'axe
des réactances. Il constitue la limite de l'abaque, son
centre est le point de l'impédance de référence ; par
exemple : Z=50+j0
• Le segment DF est l'axe des résistances.
• Le point D correspond à une impédance nulle :
Z=0+j0 (par exemple un court-circuit)
• Le point F représente une impédance dont la
composante résistive a une valeur infinie (par
exemple une ligne ouverte).

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IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif
Cercles des réactances constantes
• Le deuxième ensemble de cercles est celui des
réactances. Les centres de chacun de ces cercles
sont situés sur une droite tangente en F au cercle
des résistances nulles (en gris sur la figure) qui
est aussi l'axe des réactances.
• Tous les points situés sur un même cercle
correspondent à des impédances dont la partie
réactive a la même valeur. Par exemple, tous les
points bleus ont la même réactance -j0,4.
• Les cercles des réactances inductives (en rouge
sur la figure) sont situés au dessus de l'axe des
résistances, les cercles des réactances capacitives
(en bleu sur la figure) sont situés au dessous de
l'axe des résistances.
• Le cercle des réactances nulles (en noir sur la
figure) a un rayon infini, c'est aussi l'axe des
résistances.

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 IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif
• A : ROS (ex: 2)
• B : ROS en décibels (ex: 6 dB)
• C : Pertes de puissance en décibels (ex: 9,6 dB)
• D : Coeff. de réflexion de puissance (ex: 0,11 = 11%)
• E : Coeff. de réflexion U ou I (ex: 0,33 = 33%)
• F : Coeff. de pertes de transmission
• G : Pertes en ligne -> variation du ROS
• H : Att. de transmission de P en dB (ex: 0,51 dB)
• I : Coeff. d'augmentation de U et I dû au ROS (ex: 1,414)
• J : Coeff. de transmission de puissance (ex: 0,89 = 89%)

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IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif
4.3. Cercles de stabilité:

- Pour un quadripôle conditionnellement stable, il est possible d’utiliser les cercles de

stabilité pour déterminer les valeurs des impédances qui assurent la stabilité.
- Le cercle de stabilité de la charge permet de déterminer les impédances ZL de la charge
qui assurent la stabilité à l’entrée IΓ1I<1, on le définit par le centre CL et le rayon RL tel
que:

- Le cercle de stabilité de la source permet de déterminer les impédances ZS de la

source qui assurent la stabilité à l’entrée IΓ2I<1, on le définit par le centre CS et le
rayon RS tel que:

- Avec: C le centre du cercle est un nombre complexe ayant un module et une phase, et
R le rayon est un nombre réel.

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IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif
4.4. Abaque de Smith

- Pour tracer les deux cercles de stabilités sur le plan Γ:

- On place le point C sur le plan.
- On trace le cercle de rayon R en prenant le point C comme centre.
- Pour déterminer la région stable pour la charge:
- Le rayon RL du cercle de stabilité correspond à IΓ1I=1. Donc si la surface
de cercle de stabilité correspond à IΓ1I<1, la surface externe correspond à
IΓ1I>1 et vice et versa.
- Sur le centre de l’abaque où: ΓL=0 donc S11=Γ1
- Si IS11I<1èIΓ1I<1: le centre de l’abaque est dans la région stable.
- Si IS11I>1è IΓ1I>1: le centre de l’abaque est dans la région instable.
- Pour déterminer la région stable pour la source: si IS22I<1, le centre de l’abaque
est dans la région stable, sinon il est dans la région instable.
- On peut prendre n’importe quelle impédance dans la région stable.

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IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif

Sur la figure, nous avons un exemple de tracé du cercle de stabilité de la charge,

et comme IS11I<1, la région stable inclut le centre de l’abaque donc à l’extérieur du
cercle de stabilité (en gris).
Ainsi IΓ1I<1 pour n’importe quelle impédance ZL prise dans la région stable.

IS11I>1
IS11I<1

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IV-4. Stabilité d’un quadripôle actif

Exemple: on donne les paramètres S d’un transistor à 1,9 GHz (Z0=50 Ohms)

On trouve:

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V. L’amplificateur hyperfréquences à transistor
1. Généralités
• L’amplificateur est un dispositif électronique qui sert à grandir (amplifier) le niveau
de signal (tension, puissance) appliquée à son entrée.
• Si on prend PE la puissance de signal à l’entrée d’un amplificateur, alors la puissance
de sortie s’écrit:
PS= G PE G est le gain en puissance

En Décibels:
PS (dB)= G(dB) + PE(dB)
1.1. Linéarité d’un amplificateur

• La linéarité est la capacité d’un amplificateur de délivrer une puissance de sortie

proportionnelle à la puissance d’entrée. Elle dépend principalement du transistor qui
constitue l’amplificateur

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V-1. Généralités
- Pour PE < IP1dB: la réponse de
l’amplificateur est linéaire
(PS= G PE)
- Pour PE > IP1dB: le gain subit
une compression qui devient
de plus en plus importante
donc la puissance subit des
distorsions et l’amplificateur
se sature.

1.2. Point de compression à 1dB (IP 1dB)

On définit le point de compression à 1dB (IP1dB) par le niveau de puissance pour lequel
la sortie est de 1dB en dessous de la caractéristique idéale.

OP 1dB=IP1dB+G(-1dB)

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V-1. Généralités
1.3. Facteur de bruit d’un amplificateur
• Le facteur de bruit définit le niveau de bruit généré par l’amplificateur. Ce bruit généré
diminue la sensibilité de l’amplificateur donc la possibilité d’amplifier des faibles
signaux

1.4. l’amplificateur à bande étroite/large

BP
• On définit la bande passante relative d’un amplificateur par: BPr =
• Avec BP la bande passante à -3dB (Gmax/√2) f0
• F0 est la fréquence centrale de fonctionnement
• L’amplificateur est à bande étroite si BPr ≤ 10%
• L’amplificateur est à bande large si BPr ≥ 10%

1.5. L’amplificateur à petits/ grands signaux

• Si le signal d’entrée de l’amplificateur est faible, il est possible de considérer que sa

variation ne couvre qu’une petite portion linéaire de la caractéristique de
l’amplificateur. Il s’agit d’un amplificateur à petit signal.
• Si le signal à l’entrée de l’amplificateur est élevé, alors sa variation couvre une large
portion de la caractéristique non linéaire de l’amplificateur. Il s’agit d’un amplificateur à
grand signal.

2019 - 2020 24
 V-1. Généralités
1.6. Gamme dynamique
• Les systèmes réels ne sont pas toujours linéaires: ils sont linéaires pour une gamme
d’entrées.
• Exemple: un amplificateur a un gain de 10dB,
• pour une entrée de -15dBm, la sortie sera de -5dbm.
• Mais une entrée de +15dBm ne donnera pas nécessairement +25dBm à la sortie
• Gamme dynamique: plage d’entrées où la sortie est proportionnelle à l’entrée.
• Elle est limitée par le minimum de puissance détectable par l’amplificateur d’une part, et
par le point de compression à 1dB de l’autre part.

• Le point où un amplificateur cesse de

fonctionner de façon linéaire est définit
comme suit:
• P1dB est le point où il y a 1dB de
différence entre la sortie réelle et la
sortie idéale.
• Le signal minimum détectable (MDS)
est: MDS = Pf + F + SNRmin
Où Pf est le plancher de bruit
Gamme dynamique = P1dB - MDS
2019 - 2020 25
 V-1. Généralités

1.7. Distorsion d’intermodulation

• Distorsion d’intermodulation: Autre mesure de linéarité d’un système. C’est une
indication de l’effet des harmoniques dans un système.
• On utilise le point d’interception d’ordre 3 (IP3) pour mesurer la distorsion.
• C’est la puissance à laquelle la fondamentale et les produits d’ordre 3 sont égaux.
2 Signaux de fréquences F1 et F2 proches en entrée, en sortie:
• Amplificateur parfaitement linéaire: 2 signaux de fréquences F1 et F2.
• Amplificateur non parfait: présence d’autres fréquences
• F1-F2, F1+F2, 2F1-F2,…
• De façon générale : nF1+mF2

• Les composants à 2F1-F2 et 2F2-F1 sont très

près de la fondamentale et ne peuvent être
filtrés.
• On utilise ces composants pour déterminer
IP3.

2019 - 2020 26
 V-2. Schéma bloc d’un amplificateur hyperfréquence
2. Schéma bloc d’un amplificateur hyperfréquence

- Le transistor assure l’amplification, et détermine plusieurs caractéristiques de

l’amplificateur comme le gain, le facteur de bruit, etc. De bonnes performances nécessitent
un bon choix de transistor, ce choix est porté sur plusieurs critères: la gamme de fréquence
d’utilisation, le gain, le facteur de bruit,…
- Les réseaux d’adaptation sont des circuits qui optimisent le transfert d’énergie de la source
vers le transistor et du transistor vers la charge.
- Le circuit d’alimentation fournit l’énergie nécessaire pour le fonctionnement du transistor.

3. Les transistors
- On distingue deux grandes familles de transistors: les transistors bipolaires (BJT) et les
transistors à effet de champ (FET).
- Les BJT sont utilisés principalement dans les applications de puissance, tandis que les FET
sont souvent utilisés dans les applications à faible bruit.
2019 - 2020 27
 V-3. Les transistors
3.1. Les transistors en hyperfréquences

- Le tableau compare les transistors les plus populaires

Transistor Transistor Mosfet Mesfet HEMT HEMT

bipolaire bipolaire à (CMOS) GaAs GaN
hétérojonction
Fréquence 10 30 20 60 100 10
max (GHz)
Gain 10 – 15 10 – 15 10 – 20 5 – 20 10 – 20 10 – 20
Type(dB)
Facteur de 2.0 0.6 1.0 1.0 0.5 1.6
Bruit (dB)
Niveau de Elevé Moyen Faible Moyen Moyen Elevé
puissance
Coût Faible Moyen Faible Moyen Elevé Moyen

2019 - 2020 28
V-3. Les transistors
3.2. Le circuit équivalent d’un transistor
Les circuits équivalents hyperfréquences simplifiés à petit signal d’un BJT et d’un FET

• La capacité entre l’entrée et la sortie (CBC et CGD) est de faible valeur, donc elle peut être
négligée pour des fréquences relativement basses.

• Par conséquence, il est possible de considérer que la puissance ne circule que de l’entrée
vers la sortie et S12 = 0, ce qui permet de simplifier l’analyse de circuit

• Pour des fréquences élevées, l’impédance de la capacité (CBC et CGD) devient de plus en
plus faible. Elle favorise le courant de la parcourir directement ce qui diminue la valeur de
S21 et le gain du transistor.

2019 - 2020 29
V-3. Les transistors
3.3. Les paramètres de répartition d’un transistor

• Les paramètres S d’un transistor dépendent du montage, de point de fonctionnement, et

de la fréquence.
• En général, S12 est de faible valeur, cependant S21 qui constitue le gain du transistor est
supérieur à 1 dans les conditions optimales de fonctionnement

2019 - 2020 30
 V-4. L’amplificateur à gain élevé
Le schéma de principe d’un amplificateur à transistor est illustré dans la figure
suivante

• Lors de la réalisation de l’amplificateur, on cherche à avoir le maximum du gain. Pour

cela, il faut réaliser l’adaptation entre l’entrée du transistor et la source, simultanément
avec l’adaptation entre la sortie du transistor et la charge.

• Mais Γ1 dépend de ΓL en même temps que Γ2 dépend de ΓS.

1. L’adaptation simultanée (K>1)

• On montre qu’il est possible de réaliser l’adaptation simultanée si et seulement si: K>1. A
partir de (1) et (2), il est possible de calculer les coefficients de réflexion qui assurent
l’adaptation simultanée à l’entrée et à la sortie
2019 - 2020 31
 V-4. L’amplificateur à gain élevé
• Si IΔI<1, la stabilité est inconditionnelle, et les solutions qui assurent l’adaptation
simultanée sont:

• Le maximum du gain transducique s’écrit:

• Si IΔI>1, la stabilité est conditionnelle et les solutions qui assurent l’adaptation sont:

• Le maximum du gain transducique est:

Avec :

On peut montrer que Avec :

• On définit le maximum du gain stable

2019 - 2020 32
V-4. L’amplificateur à gain élevé
2. Cercles de gain constant

• Si k<1, l’adaptation simultanée est impossible, donc il n’est pas possible d’obtenir le
GTmax.(racine d’un terme négatif!) S21 2
Gmax = k − k −1
S12

• L’amplificateur reste cependant Conditionnellement Stable et dans ce cas il faut tracer

les cercles de stabilité pour trouver des compromis graphiques.
• Le gain d’amplification en puissance Gp est indépendant de l’entrée (de ZG). Il est
possible de faire un choix de la valeur de GP en sélectionnant la valeur de ZL, puis il
suffit d’appliquer une adaptation conjuguée en entrée.
• On montre que le lieu des points de ΓL pour lesquels le gain GP soit constant, défini
des cercles dont le centre et le rayon sont donnés par les expressions suivantes:

gp est le gain en puissance normalisé:

2019 - 2020 33
V-4. L’amplificateur à gain élevé

• De la même façon, le gain disponible GA qui ne dépend pas de la charge (ZL), ainsi il
est possible de faire un choix de GA et donc de ZS et d’appliquer une adaptation
conjuguée à la sortie.
• Le lieu des points de ΓS pour lesquels le gain GA soit constant, défini des cercles dont le
centre et le rayon sont donnés par les expressions suivantes:

gA est le gain disponible normalisé :

Remarques:
• Le maximum de gain (GP ou GA) correspond à un rayon nul, si k>1

G P max
= GAmax = GT max

2019 - 2020 34
V-4. L’amplificateur à gain élevé

La conception de l’amplificateur en utilisant le gain GP

• Cette technique est valide dans :

• Le cas d’une adaptation conditionnelle,
• Le cas où on veut concevoir un amplificateur avec un gain personnalisé et non
pas forcément le maximum.

• On trace les cercles à gain de puissance constant GP sur l’abaque de Smith, en

prenant MSG comme gain maximal dans le cas d’une adaptation conditionnelle.
• Dans la région de stabilité de la charge, on choisit le coefficient de réflexion ΓL sur les
cercles du gain GP, d’où on détermine ZL.
• On adapte la source à l’entrée du transistor (ΓS = Γ*1), il est possible de calculer ΓS à
partir de ΓL:

• Il faut vérifier que ΓS se trouve dans la région stable pour la source, sinon il faut
changer la valeur de ΓL et refaire les étapes.
• Enfin, il faut calculer les cellules d’adaptation.

2019 - 2020 35
 V-4. L’amplificateur à gain élevé
• Résumé

IKI=1 K = ±1 Pas d’adaptation possible IΓSI=1Inadaptable

du transistor IΓLI=1
IKI>1 K>1 IΔI<1 Transistor inconditionnellement stable Γ’S (*)
Γ’L
IΔI>1 Transistor conditionnellement stable Γ’S (*)
Γ’L
K < -1 Instabilité du transistor Inadaptable
Transistor non adaptable simultanément

IKI<1 Transistor conditionnellement stable à Tracé des cercles

étude approfondie de la stabilité de stabilité

(*): le choix de la solution dépend des signes de B1 et B2

2019 - 2020 36
 V-5. Les réseaux d’adaptation
Les réseaux d’adaptation
• Les réseaux d’adaptation dans un amplificateur permettent de fixer les valeurs des
impédances (Zs et ZL) vues par le transistor. Ils permettent de réaliser l’adaptation
conjuguée.
• On utilise des quadripôles non dissipatifs réalisés à base des éléments réactifs.
• Par exemple: des capacités, des selfs qui forment des quadripôles en L ou en π.
• Ces quadripôles ne consomment pas de puissance, ils sont sans pertes et ils n’influent
pas sur le facteur de bruit de l’amplificateur.

Cellule d’adaptation en L Cellule d’adaptation en L

pour R2>R1 pour R1>R2

• Une fois les réactances Xp et Xs déterminés, il est possible de déterminer le circuit

électrique correspondant

2019 - 2020 37
V-5. Les réseaux d’adaptation
Cas R2>R1 Cas R1>R2
R1: Partie réelle de Z1 R2: Partie réelle de Z2
X1: Partie imaginaire de Z1 X2: Partie imaginaire de Z2
Première solution Première solution
⎧ X = −( X + R Q) ⎧ X = −( X + R Q)
⎪ S 1 1
⎪ S 2 2
⎪ ( X 2 + R2Q) ⎪ ( X 1 + R1Q)
⎨XP = ⎨XP =
⎪ R2 ⎪ R1
⎪ ( −1) ⎪ ( −1)
⎩ R 1 ⎩ R 2
Deuxième solution Deuxième solution
⎧ X = −( X − R Q) ⎧ X = −( X − R Q)
⎪ S 1 1
⎪ S 2 2
⎪ ( X 2 − R2Q) ⎪ ( X 1 − R1Q)
⎨XP = ⎨XP =
⎪ R2 ⎪ R1
⎪ ( −1) ⎪ ( −1)
⎩ R 1 ⎩ R 2
Avec Q, le facteur de qualité Avec Q, le facteur de qualité

R2 X 22 R1 X 12
Q= −1+ Q= −1+
2019 - 2020
R1 R1 R2 R2 R1 R2 38
 V-5. Les réseaux d’adaptation
• Une fois les réactances Xp et Xs déterminés, il est possible de déterminer le circuit
électrique correspondant

2019 - 2020 39
V-6. Circuit de polarisation
Le circuit de polarisation du transistor
• Le transistor nécessite une alimentation pour son fonctionnement (circuit
d’alimentation
• Le transistor doit être polarisé au bon point de fonctionnement pour qu’il donne les
performances optimales pour une application précise (faible bruit, gain élevé)

• I: Faible bruit, faible puissance

• II: Faible bruit, puissance moyenne
• III: Haute puissance
• IV: Haut rendement

Idem pour un transistor BJT

2019 - 2020 40
V-6. Circuit de polarisation
Le circuit de polarisation du transistor
• Le transistor nécessite une alimentation pour son fonctionnement (circuit
d’alimentation
• Le transistor doit être polarisé au bon point de fonctionnement pour qu’il donne les
performances optimales pour une application précise (faible bruit, gain élevé)

• I: Faible bruit, faible puissance

• II: Faible bruit, puissance moyenne
• III: Haute puissance
• IV: Haut rendement

Idem pour un transistor BJT

Pour les applications faible bruit, on choisit un faible courant du drain

(point I) avec une faible tension. Une courant Ids élévé (Point II) permet
d’avoir un bon gain en puissance.
2019 - 2020 41
V-3. Les transistors
• Le circuit de polarisation en courant continu doit être séparé du circuit hyperfréquences

• Les circuits de polarisation doivent présenter une faible impédance à DC et une haute
impédance aux fréquences d’opération:
• Deux méthodes principales: Inductance série avec la source, ligne de transmission
lambda/4 terminée par un condensateur

• On utilise une inductance dite de choc (arrêt) placée

au plus près de la grille (base) et le drain (collecteur),
qui laissent passer les courants continu et bloquent les
signaux.
• Les capacités de découplage à l’entrée et à la sortie de
l’amplificateur laissent passer le signal et bloquent le
courant continu.
Circuit de polarisation d’un transistor

• On peut placer également des capacités parallèles, afin de court-circuiter

l’impédance du générateur continu
2019 - 2020 42
V-3. Les transistors

Polarisation par ligne quart d’onde

• Les inductances sont remplacées par des lignes d’impédance élevée (faible largeur et
de longueur lambda/4), qui n’est d’autre qu’un inverseur d’impédance.

• Au point a, c’est presque un court-circuit à

la fréquence f.
• Au point b, la ligne transforme le court-
circuit à un circuit ouvert.
• A basses fréquences, la ligne peut être trop
longue, mais plus la fréquence augmente,
plus la ligne devient courte.

L’inconvénient de cette méthode est l’encombrement occupé par ces lignes qui
ne peuvent être utilisées qu’en bande millimétrique (au delà de 30GHz)
2019 - 2020 43
VI. L’amplificateur à faible bruit
1. Introduction:

• L’amplificateur sert à amplifier la puissance d’un signal de niveau moyen,

mais il peut détecter les petits signaux issus d’une antenne de réception.
• L’amplificateur à faible bruit est conçu pour être assez sensible à ce type de
signaux.

• Le bruit peut affecter alors les performances du circuit hyperfréquences.

• Il Réduit l’efficacité d’un système à détecter un signal.

• Il Provient de plusieurs sources: agitation thermique des électrons,

rayonnement,…

• Le signal minimum détectable doit être de puissance supérieure au

plancher de bruit par un facteur appelé le rapport signal à bruit (SNR)

2019 - 2020 44
VI-2. Bruit thermique
Bruit thermique
• Le bruit thermique est une quantité aléatoire (courant/tension) due à l’agitation des
électrons dans les parties résistives d’un circuit sous l’action de la température.

• La puissance du bruit thermique fournit par une résistance RN à la température T est:

N=kTB

Avec: k=1.38 10-23 JK-1 (constante de Boltzmann). T la température du conducteur en degrés Kelvin,
et B est la bande passante de bruit en Hz.

Exemple : calculer la puissance de bruit d’un système ayant une largeur de bande de 1Hz
à une température de 290K.

La puissance de bruit d’un système ayant une largeur de bande de 200kHz.

2019 - 2020 45
VI-3. Le bruit dans les quadripôles

Température équivalente de bruit d’un quadripôle:

• Considérons un amplificateur idéal, le signal à l’entrée est constitué d’une
composante à la fréquence f0, de puissance Se et d’un briit Ne=kTsB (Ts
température de bruit de la source en K_)
• En notant G le gain de l’amplificateur on récupère en sortie:

S s = S eG

N S = k.Ts B.G

• Le rapport signal sur bruit en sortie est identique au rapport signal sur bruit
en entrée: S s Se
=
Ns Ne

• Dans le cas d’un amplificateur réel, la puissance de sortie Ns est plus

importante que celle obtenue dans le cas idéal.
Ss G.Se 1 S
En sortie = = . e
N s G.k(Ts + Teq )B 1+ Teq Ts N e

En entrée Se G.Se
=
2019 - 2020 N e GTs B 46
 VI-3. Le bruit dans les quadripôles
3.1.Modélisation du bruit dans un quadripôle:

• Un quadripôle peut être modélisé par un quadripôle non bruyant qui conserve les mêmes
paramètres S, avec une source de bruit placée à l’entrée.

3.2.Le facteur de bruit:

• Le facteur de bruit F d’un quadripôle ayant un gain G, est défini par le rapport du
signal/bruit entre l’entrée et la sortie de quadripôle à la température normalisée
(T0=290K (16,85°)
S N T
F = e e = 1+ eq
Ss N s T0
• Un quadripôle non bruyant associe le même gain G au bruit et au signal, donc le
rapport signal/bruit reste le même entre la sorte et l’entrée et F=1. Cela est possible si le
quadripôle est réactif donc composé avec des éléments réactifs (L, C, lignes sans pertes)

• Quand le facteur de bruit est exprimé en dB, on l’appelle figure de bruit « Noise
Figure »: (F)dB = NF = 10 log(F)

2019 - 2020 47
VI-3. Le bruit dans les quadripôles
Facteur de bruit d’un quadripôle passif:
• Un quadripôle passif d’impédance interne Zg et de température T.
• Son gain en puissance G est inférieur à l’unité. On définit l’atténuation du quadripôle
comme : L=1/G
• La quadripôle reçoit à son entrée une puissance Ne=kTB, on a donc Ns=GkTB+GNeq

La puissance de bruit disponible en sorte est : Ns= kTB.

kTB
N eq = L(N s − ) = (L −1)kTB = kTeq B
L
D’où Teq = T (L −1)
Un quadripôle sans pertes ne comporte aucun élément dissipatif, donc aucun élément
bruyant. La température Teq est alors nulle et il n’y a aucune dégradation du rapport signal à
bruit. Teq=0 et L=1.
Le gain en puissance disponible d’un quadripôle sans pertes est égale à l’unité.
T T
2019 - 2020 F = 1+ eq = 1+ (L −1) 48
T0 T0
VI-3. Le bruit dans les quadripôles

Association de plusieurs quadripôles en cascade:

• Soit n quadripôles Qi en cascade. Pour le quadripôle Qi, on associe le facteur de bruit
Fi et le gain Gi. Le facteur de bruit de système s’écrit:

F2 −1 F3 −1 Fn −1
F = F1 + + + ...+
G1 G1G2 G1G2 ...Gn−1
• Le facteur de bruit du système tend vers le facteur de bruit du premier quadripôle.
• Donc, logiquement on a intérêt à placer un quadripôle à faible bruit et à gain élevé
comme premier étage d’une chaîne en cascade, ainsi son gain masque le bruit apporte
par les étages suivants.
Facteur de mérite : F −1
M=
1− G −1
• Le meilleur chaînage possible en terme de bruit, {1 ,2, 3 , . . .}, sera obtenu en classant
les amplificateurs par ordre de facteur de mérite croissant, i.e. M1 ≤M2 ≤M3 ≤ . . .

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VI-3. Le bruit dans les quadripôles
Exemple 1 : calculer la figure de bruit

2019 - 2020 50
VI-3. Le bruit dans les quadripôles

Exemple 2: le même système dans une configuration différente

• La figure de bruit de ce système, avec les mêmes composantes, est bien plus faible.
• La raison est qu’un amplificateur faible bruit a été placé en premier dans le système: il
possède un bon gain et une bonne figure de bruit

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VI-3. Le bruit dans les quadripôles
3.3.Le facteur de bruit d’un quadripôle dans un circuit

• Le facteur de bruit d’un quadripôle alimenté par une source d’impédance interne ZS est
donné par l’expression:

• Fmin: le facteur de bruit minimum du quadripôle

• rn:=Rn/Z0: est la résistance équivalente de bruit (réduite)
• Γopt: le coefficient de réflexion optimal de la source (l’entrée) qui permet d’obtenir le
facteur de bruit minimum
• ΓS: le coefficient de réflexion de la source.

Le facteur de bruit dépend de deux paramètres qui sont propres au quadripôle (Fmin rn) et
de l’impédance présente à l’entrée.
2019 - 2020 52
 VI-4. L’amplificateur à faible bruit

L’amplificateur à faible bruit

• Pour optimiser le bruit dans une chaîne en cascade, il faut placer un quadripôle avec le
facteur de bruit le plus petit et avec un gain G>1 à l’entrée de cette chaîne. Ce quadripôle
est un amplificateur à faible bruit (LNA: Low Noise Amplifier).

• Les amplificateurs à faible bruit sont utilisés dans des systèmes de réception pour amplifier
des signaux très faibles dont le niveau est proche du bruit généré par les circuits de
réception.

4.1.Cercles à facteur de bruit constant

• Le facteur de bruit ne dépend que du transistor et de la source. Il faut donc chercher le

lieu des ΓS à facteur de bruit F constant sur l’abaque de Smith.

On définit N tel que:

2019 - 2020 53
VI-4. L’amplificateur à faible bruit

Si le facteur de bruit F est pris comme constant, N devient constant et en utilisant la

première expression de N, on détermine l’expression:

Il s’agit de l’équation d’un cercle. Donc pour un facteur de bruit constant ΓS décrit
un cercle sur l’abaque de Smith dont le centre est CF et le rayon RF.

Pour N=0, le centre du cercle est le point CF=Γopt, et le rayon est nul, ce premier
cercle se réduit en un point qui correspond au facteur de bruit minimum F = Fmin.

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VI-4. L’amplificateur à faible bruit

• Conception d’un amplificateur à faible bruit:

o Pour réduire le facteur de bruit d’un transistor au minimum (F= Fmin)
dans l’expression suivante, il faut prendre , il suffit de calculer
Γ2 qui correspond à ce Γs et adapter la sortie.

o Cependant si Fmin ou bien Γ2 est dans la région instable, il est impossible

d’obtenir le minimum de facteur de bruit. Dans ce cas, il faut utiliser les
cercles de facteurs de bruit:
• On trace les cercles à facteur de bruit constant
• On choisit Γs pour une certaine valeur de F dans la région stable pour
l’entrée
• À partir de Γs il est possible de calculer le coefficient de réflexion
correspondant.
• Mais il faut que ΓL soit situé dans la région stable pour la sortie, sinon il faut
changer la valeur de Γs et refaire les étapes.
• Enfin, il faut déduire les deux circuits d’adaptation.

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