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Les semi-conducteurs
1 Conduction lectrique
Dans le modle classique, un corps est isolant sil ne contient pas dlectrons mobiles. Dans un
conducteur, des lectrons sont peu lis aux noyaux et peuvent se dplacer dans le rseau cristallin.
Si n est la densit des lectrons libres, v leur vitesse moyenne, dans une barre de longueur L, de
section S avec une tension V entre les extrmits, la densit de courant J = I/S est gale J = n.e.v.
La vitesse des lectrons est proportionnelle la force laquelle ils sont soumis donc au champ
lectrique E = V/L. Si dsigne la mobilit, on a : v = .E
J = n.e..E = .E = E/
Le modle classique a t remplac par le modle quantique des bandes dnergie. Dans latome
isol les lectrons occupent des niveaux dnergie discrets. Dans un cristal, par suite des interactions
entre les atomes, ces niveaux discrets slargissent et les lectrons occupent des bandes dnergie
permises spares par des bandes interdites. La rpartition des lectrons dans les niveaux obit
aux lois de la thermodynamique statistique. Au zro absolu, seuls sont peupls les niveaux de plus
basse nergie.
Dans les isolants, les bandes dnergie les plus faibles sont entirement pleines. La hauteur de la
bande interdite est grande ( 5 eV). Il ny a pas de niveaux dnergie accessibles et pas de
conduction. Par exemple, la rsistivit du diamant est = 1.1012 .m et celle du mica varie entre
1010 .m et 1015 .m.
Dans les conducteurs, la dernire bande occupe est partiellement remplie : il existe beaucoup
de niveaux disponibles et la conduction est grande. Pour des mtaux bons conducteurs, on obtient :
Ag = 1,6.108 .m ; Cu = 1,7.108 .m ; Al = 2,8.108 .m

Energie

Pour les semi-conducteurs, le taux de remplissage de la dernire bande occupe est soit trs
faible soit trs important. La hauteur de la bande interdite est faible ( 1 eV). La conduction est
faible et varie beaucoup avec la temprature. Pour le silicium et le germanium, on mesure 300 K :
Si = 2400 .m ; Ge = 0,5 .m

Bande interdite

Isolant

Conducteur
Fig. 1

Semi-conducteurs

2 Semi-conducteurs
2.1 Structure des semi-conducteurs

Fig. 2

Diamant

La structure du silicium et du germanium est la mme que celle du

diamant (cubique Fd3m). Chaque atome est li 4 voisins placs
aux sommets dun ttradre par une liaison covalente : Ces
lments sont ttravalent .
La figure 3 correspond une reprsentation sur un plan de la
structure. Les traits figurent les lectrons de valence.
La thorie des bandes applique aux semi-conducteurs amne
considrer une bande de valence entirement pleine qui est
spare dune bande de conduction par une bande interdite
distante de lnergie E.
Si on apporte une nergie thermique ou lumineuse suffisante un
lectron, il peut passer de la bande de valence la bande de
conduction avec une probabilit P proportionnelle :
exp(E / kT)

Fig 3

E est lcart en nergie sparant les deux bandes.

T la temprature absolue.
k = 1,38.1023 JK -1 est la constante de Boltzmann.
Pour T = 300 K , kT = 0,0025 eV

Diamant E = 7 eV ; Silicium E = 1,12 eV ; Germanium E = 0,7 eV.

Dans un semi-conducteur, E est assez faible pour autoriser, temprature ambiante, le passage
dun petit nombre dlectrons de la bande de valence vers la bande de conduction.

2.2 Conduction par lectron et par trou

Fig. 4

Si une liaison de valence est brise (agitation thermique,

photon ...) llectron devient mobile : il laisse un excs de charge
positive le trou (symbolis par un + dans un carr). Cette lacune
va tre comble par un lectron voisin libr par agitation thermique
et qui va son tour laisser un trou : ceux-ci semblent se dplacer
dans le rseau. Aux lectrons (masse positive, charge ngative)
correspondent des trous (masse ngative, charge positive). Le
dplacement des trous tant un processus deux tapes, leur
mobilit dans le rseau est plus faible que celle des lectrons.

Trous et lectrons constituent les porteurs libres intrinsques dont le nombre est fonction de la
temprature. La neutralit lectrique du matriau impose que les trous et les lectrons soient en
nombres identiques (ni et pi).
Pour le silicium pur 300 K, on mesure : ni = pi = 1,5.10 10.cm3. Ce nombre est trs faible si on le
compare au nombre des atomes.
Toujours pour le silicium pur 300 K, les mobilits sont :
n = 12.10 6.mV1s1 et p = 5.10 6.mV1s1 .
La conductivit intrinsque du matriau = e(ni.n + pi.p ) est trs faible.

2.3 Semi-conducteurs dops ou extrinsques

Dans un matriau pur, on introduit des impurets par dopage. Pour que celui-ci soit contrlable, il
faut que le degr de puret initial global soit suprieur au taux du dopage. Les taux de dopage utiliss
sont de lordre de 108 1011. Une mole de silicium (28 g) correspond 6,023.10 23 atomes et la
densit du silicium est voisine de 7 : 1 cm3 de silicium contient donc environ 1,5.10 23 atomes. Avec
un taux de dopage de lordre 1010, il y a environ 1,5.10 13 atomes dimpuret par cm3.
r Dopage de type N
On introduit dans la matrice de silicium des atomes dimpurets
pentavalents tels que le phosphore P, larsenic As et lantimoine
Si
Sb.
Chaque atome dimpuret amne un lectron de valence
supplmentaire. Cet lectron est peu li au noyau (E 0,01 eV) et
As
passe aisment dans la bande de conduction. La conductivit du
matriau (conductivit extrinsque) devient cause du taux de
dopage, trs suprieure celle du matriau pur. Les atomes
pentavalents ou donneurs deviennent des ions positifs aprs le
passage des lectrons excdentaires dans la bande de conduction.
Fig. 5
Les donnes numriques prcdentes montrent que le nombre des lectrons dans le matriau,
fonction du taux de dopage, est suprieur au nombre des trous, fonction de la temprature, dun
facteur suprieur 103. La conduction dite de type N (ngative) est assure par des lectrons. Les
lectrons sont les porteurs majoritaires.
r Type P
On introduit dans le rseau une impuret trivalente : bore B, aluminium Al, gallium Ga, indium
In. Il manque limpuret un lectron de valence pour assurer les 4 liaisons avec les atomes de
silicium voisins. Un faible apport dnergie ( 0,05 eV) suffit pour quun lectron dun silicium voisin
soit capt par limpuret : il y a formation dun trou peu li et donc mobile. Les atomes trivalents
(accepteurs) deviennent des ions ngatifs par capture dun lectron. Compte tenu des taux de
dopage, ces trous sont beaucoup plus nombreux que les porteurs intrinsques du cristal pur. La
conduction de type P (positive) est assure par des trous.
Les trous sont les porteurs majoritaires.

2.4 Bandes dnergie des semi-conducteurs dops

Type N

Type P
Bande de
conduction

Bande de
conduction

Donneurs
Accepteurs

Bande de
valence

T=0K

Bande de
valence

T = 300 K

Les atomes de pentavalents (donneurs) introduisent

des charges positives dans le rseau, charges qui
attirent les lectrons en crant ainsi de nouveaux
niveaux dont lnergie est lgrement infrieure
ceux de la bande de conduction du matriau pur. Si
on lve la temprature, ces lectrons peuvent
passer dans la bande de conduction.

T=0K

T = 300 K

Les atomes de trivalents (accepteurs), introduisent des

trous dans la bande de valence. Si on lve la
temprature, ces trous se comportent comme des
charges positives libres.

3 La jonction P-N
3.1 Jonction non polarise
Une jonction est constitue par la runion de deux morceaux de semi-conducteurs dops P et N
(jonction P-N). Les connexions avec le milieu extrieur sont ralises par des contacts mtalliques.
Par construction, les jonctions entre mtal et semi-conducteur sont purement ohmiques (non
redresseuses).
En pratique, on part dune plaque de silicium dope N sur laquelle on cre en gnral par
diffusion une zone dope P. On sait donner la zone de sparation entre les deux matriaux nomme
la zone de transition, une paisseur trs faible (typiquement 0,5 m). Dans cette zone, les taux de
dopages et donc le nombre de porteurs libres varient avec la distance.

Concentration
Trous
Electrons

Densit de charge

Champ lectrique

Fig. 6

u Dans la zone P les porteurs majoritaires sont les trous.

Les atomes accepteurs constituent un rseau dions ngatifs.
De mme dans la zone N les porteurs majoritaires sont les
lectrons. Les atomes donneurs constituent un rseau dions
positifs.
Les trous ont tendance gagner la zone N o ils se
recombinent avec des lectrons. De mme des lectrons de
la zone N vont combler des trous de la zone P.
Dans la zone de transition existe une charge despace due
aux charges non compenses des noyaux des impurets. En
labsence dune polarisation externe, existe un champ
lectrique interne qui soppose au mouvement des
porteurs majoritaires mais qui acclre les minoritaires. Il
existe au niveau de la jonction une barrire de potentiel dont
la hauteur est la diffrence entre les niveaux dnergie des
accepteurs et des donneurs.
Les porteurs minoritaires induisent le courant de
diffusion ; les porteurs majoritaires crent le courant
de saturation. En labsence de polarisation, ces deux
courants sont gaux.
u La diode se comporte comme un condensateur dont le
ple est la zone P et le ple + est la zone N. La zone de
transition ne contenant pas de porteurs mobiles constitue le

dilectrique de ce condensateur.

3.2 Jonction P-N polarise en inverse

Eext
Eint

Dans cette situation, le champ lectrique externe cr par le

gnrateur de f.e.m. Vinv sajoute au champ interne de la jonction : la
hauteur de la barrire de potentiel augmente. On montre que
lpaisseur d de la zone de transition est proportionnelle Vinv .
Seul un courant de minoritaires est possible travers la jonction.
Cest le courant inverse ou courant de fuite.

Fig. 7

A temprature ambiante, ce courant est trs faible (100 nA). Comme il dpend du nombre des
minoritaires, il est fonction de la temprature : pour le silicium, il est ngligeable en dessous de 110C

mais il devient si important au-dessus de 175C quil interdit le fonctionnement de la jonction en

diode. Pour le germanium le fonctionnement est impossible au-dessus de 85C.

3.3 Jonction P-N polarise en direct

Eext
Eint

Fig. 8

Dans cette situation le champ externe cr par le gnrateur

soppose au champ interne. Ds que le champ externe dpasse le
champ interne, un courant des majoritaires stablit travers la
jonction. Il existe pour une jonction P-N une tension de seuil qui
est caractristique du matriau :
Si : Vs 0,55 V
Ge : Vs 0,15 V

Pour des raisons historiques lies aux analogies entre les diodes et les redresseurs vide et
gaz, on nomme la zone P anode et la zone N cathode ..

3.4 Caractristiques courant-tension

Caractristique directe
En dessous du seuil VS le courant est trs faible. Au-del,
on montre que le courant diode est li au courant de
saturation par :
eV

I D = I Sat e kT 1

Le courant ISat est appel courant inverse car si la diode

est polarise en inverse (V < 0) ID = ISat . Ce courant
rsulte du dbit des charges (trous thermognrs et
lectrons) qui traversent la jonction sous laction du
champ lectrique. Pour une jonction de surface S, le
courant de saturation est donn par :

Fig. 9

ISat = A.S. e

W
kT

(A est une constante fonction du dopage).

Pour une diode de signal au silicium, 300 K, ISat est de lordre de 10 nA.
Toujours 300 K, = k.T / e 26 mV.
Au-del de la tension de seuil, on a : ID ISat .exp(V / ).
La rsistance dynamique de la diode est alors donne par :
V

1 dI
1
I
=
= I Sat .e =
r dV

r( ) =

26
I ( mA )

Caractristique inverse
Si la temprature est faible, la caractristique est pratiquement confondue avec laxe I = 0. Le
courant inverse IInv tant un courant de minoritaires crot avec la temprature.
Au-del dune certaine valeur de VInv, il y a claquage de la jonction par effet davalanche .
Lpaisseur de la jonction tant trs faible, mme avec des potentiels peu levs, le champ lectrique
au niveau de la jonction peut tre trs grand. Sous leffet de ces champs intenses (E > 105 V.cm1),
il y a ionisation des atomes et production dlectrons, qui sont eux-mmes acclrs et qui
provoquent de nouvelles ionisations (avalanche) qui rendent la jonction conductrice : si rien ne limite

le courant, il y a destruction de la jonction par emballement thermique. La tension inverse admissible

varie selon les diodes entre 50 V et 2000 V.

3.5 Claquage inverse Zener

Pour des diodes trs fortement dopes et dont la zone de transition est trs mince, le champ
lectrique peut provoquer la rupture directe de liaisons covalentes et le passage dlectrons de la
bande de valence dans la bande de conduction. Pour des champs de lordre de 2.107 V.cm1, la
tension de claquage est de lordre de 6 V pour des diodes trs dopes. Le courant inverse crot
alors brutalement. Leffet est rversible et non destructif. La jonction prsente aprs le claquage
une rsistance dynamique trs faible.
Les diodes Zener ont un dopage important et en agissant sur lpaisseur de la zone de transition,
on peut ajuster la valeur de la tension (dite tension de Zener) au-del de laquelle se produit le
claquage entre 3 V et 200 V.

3.6 Limites dutilisation des diodes

La puissance dissipe dans une diode est gale au produit I.VAK. Lchauffement
correspondant produit par leffet Joule ne doit pas amener la temprature de la jonction au-dessus
dune valeur limite, fonction de la nature du matriau, afin que le courant inverse ne dpasse pas des
valeurs inacceptables. Pour le silicium cette temprature est de lordre de 185C.
La tension inverse doit rester infrieure la tension de claquage. Les diodes de redressement
sont peu dopes pour avoir une bonne tenue en inverse.
Le courant direct maximum admissible est conditionn par la puissance maximum que peut
dissiper la diode. Selon la surface de la jonction, le courant direct admissible peut varier entre
quelques milliampres pour une diode de signal et quelques dizaines dampres pour une diode de
puissance.

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