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COEFFICIENTS D'ATTENUATION MASSIQUE DES RAYONS X

Rendement d'une diode semi-conductrice

R. BARDET

ASSOCIATION EURATOM-CEA
Vipcuvtaixzfvt cte VhyjHUt du Puma eX de ta Foiion Coivt/iliz
SeAvi.ce. IGn - Cznie d'Etudes NucZicWieA
85 X - 3S04 GRENOBLE CEBEX

RESUME.

On se propose de passer en revue les diffrentes tables et


formules empiriques permettant de calculer l'attnuation des rayons X
dans le domaine de 100 eV 100 keV pour les absorbants habituellement
utiliss en physique des plasmas : Be, C, N, 0, Al, Si, Ni, Au.

Une application est donne au calcul de rendement d'une diode


au Silicium barrire de surface partiellement dserte.

ABSTRACT.

A c r i t i c a l review of usual values given in the l i t t r a t u r e by


tables or by analytical f i t to experimental data, for X-ray absorption
through different materials, is presented. The materials are those
used in plasma physics experiments : Be, C, N, 0, A l , S i , N i , Au.
Energy range is between 100 eV and 100 keV. An i l l u s t r a t i o n is given
by the estimation of a silicon surface barrier detector efficiency.
- 2 -

1 - INTRODUCTION.

La mesure des radiations lectromagntiques (Bremsstrahlung)


mises par un plasma, dans le domaine des rayons X, permet de dterminer
plusieurs paramtres caractristiques de ce plasma, en particulier la
temprature lectronique. Quelle que soit la mthode de mesure utilise
- mthode intgrale dite "des absorbants" (JAHODA et al. /l/) - mthode
diffrentielle dite "de spectromtrie" o les photoscintillateurs et
les compteurs proportionnels ont t remplacs maintenant par les diodes
P-I-N Si(Li) refroidies l'azote liquide (VON GOELER et al. /2/) - ou
mthode "intgro-diffrentielle" (?), filtre de Ross par exemple
(JOHNSON /3/) -, on doit connatre l'attnuation du rayonnement par les
diffrents absorbants situs devant le dtecteur.

Le coefficient d'attnuation u dfinit la rduction dl de


l'intensit du rayonnement I sur un parcours dx dans l'absorbant :

dl/dx = - ul
I = I exp (-ux)
Q

On a l'habi*.'ide d'utiliser pratiquement le coefficient d'att-


nuation massique u/p, ou p est la tensit en g/cm de l'absorbant :

I = I Q exp (-(U/P)PX) (1)

2
u/p s'exprime en cm /g et l'paisseur x de l'absorbant en cm.

L' interaction des photons avec la matire fait intervenir


quatre principaux phnomnes :

- L'effet photolectrique dans lequel un atome absorbe compltement


l'nergie du photon incident et met un lectron. L'atome, qui est
dans un tat excit, retourne l'tat fondamental en librant de
l'nergie, soit sous forme de rayons X soit en mettant un deuxime
lectron appel lectron Auger. L'nergie du photon incident doit
tre plus grande que l'nergie de liaison du premier lectron. Ce
qui explique les discontinuits f.s la section efficace chaque fois
que l'nergie du photon est gale l'nergie de liaison de l'un des
lectrons des diffrentes couches l',, L, H e t c . . de l'atome.
- 3 -

- L'effet Compton (diffusion incohrente) qui est le choc lastique du


photon incident avec un lectron des couches externes de l'atome cible.
Au cours du choc, le photon transfre une partie de son nergie
l'lectron heurt, appel lectron de recul, et par consquent, voit
son nergie diminuer.

- L'effet Rayleigh (diffusion cohrente) dans lequel le photon incident


est diffus par les lectrons trs lis de l'atome cible sans perte
d'nergie.
- La production de paires qui est la cration d'une paire lectron-positron
par le photon incident dans le fort champ lectrique du noyau de l'atome
cible. L'nergie du photon se matrialise sous forme d'nergie au repos
et d'nergie cintique des deux lectrons (ngatif et positif) crs.
L'lectron ngatif perd son nergie sous forme de rayonnement
Bremsstrahlung et sous forme d'ionisation et le positron, aprs diffrents
chocs qui le ralentissent, s'annihile avec un lectron en donnant
naissance deux photons ayant chacun une nergie gale son nergie
au repos.

A basse nergie, les deux phnomnes prpondrants sont l'effet


photolectrique et la diffusion Rayleigh. Aux nergies intermdiaires
(50 keV-5 HeV) la diffusion Compton devient prpondrante et haute
nergie (suprieure 1,02 HeV) intervient la production de paires.
Dans le domaine des rayons X mous on peut liminer ce dernier phnomne.

Le calcul du coefficient d'attnuation des rayons X u/p, doit


donc faire intervenir la somme des 3 effets restants (photolectrique,
Compton et Rayleigh), au moins dans la gamme des nergies intermdiaires.
La diffusion Rayleigh, dans laquelle il n'y a pas de perte d'nergie
du photon, pose un petit problme. En effet, dans tous les cas o l'on
s'intresse aux effets nergtiques du rayonnement (radioprotection,
rendement nergtique des diodes de dtection par exemple) il faut
calculer l'absorption en nergie du rayonnement, c'est--dire ne pas
tenir compte de la diffusion Rayleigh. Dans les autres cas, en particulier
ceux o le rayonnement est fortement collimat entre la source et le
dtecteur, il faut tenir compte de la diffusion Rayleigh et calculer ainsi
le coefficient d'absorption total.
- 4 -

Connaissant les diffrentes sections efficaces de ces


phnomneson peut calculer u par la formule :

M = n o

2
a = section efficace en cm /atome

n = nombre d'atomes par cm

or :

n = Np/A
23
N = nombre d'avogadro = 6,02252.10 atomes/mole
A = poids atomique en g/mole.

d'o :

p/p = a (N/A) (2)

2 - TABLES ET FORMULES,

Pour calculer l'attnuation du rayonnement on peut trouver


diffrentes tables donnant pour chaque lment les sections efficaces
o ou le coefficient u/p en fonction de l'nergie des rayons X.

Ces tables sont une compilation de nombreuses valeurs expri-


mentales et semi-empiriques : ALLEN /4/, GILMORE /5/, McMASTER et al. /6/,
STORM et ISRAEL /7/, HENKE et al. /8/, ,'9/.

Dans le cas o on utilise un code numrique pour calculer le


rayonnement reu par un dtecteur, il est souvent plus pratique d'utiliser
une formule empirique ou semi-empirique de a ou de u/p ; voir par exemple
VICTOREEN /10/, HENKE et al. /Il/, LEROUX /12/, HEINRICH /13/, THEISEN
et VOLLATH /14/, McMASTER et al. / 6 / HENKE et SCHATTENBURG /15/.
s

McMASTER et al. /6/, HENKE et SCHATTENBURG /15/, sans chercher


simuler les variations fonctionnelles des lois thoriques des diffrents
phnomnes d'absorption (?), ont donn des formules empiriques trs
prcises de a ou de p/p sous la forme d'un polynme du 3 degr en
utilisant la mthode des moindres carrs :
- 5 -

Log (a) = I a^Log E ) 1


(3)

HENKE et SCHATTENBURG /15/ donnent les coefficients a , aj, a et a Q 2 3

pour les lments H(l) a Ge(32) dans la bande 100 eV 1500 eV en


utilisant les logaritmes dcimaux :

3 2 3
log(10" p/p) = a + a Q x logE + a 2 (logE) + a (logE) 3 (4)

p
avec p/p en cm /g et E en eV.

De mme McMASTER et al. /6/ donnent aussi les coefficients


a , a,, a et a, pour 87 lments de 1 keV 3 1 MeV, pour chacune des
Q

3 sections efficaces (photolectrique, Compton et Rayleigh) en utilisant


les logarithmes npriens :

2 3
Log (a) = a + a LogE + a (LogE) + a (LogE)
0 x 2 3 (5)

-24 2
avec a en barn/atome (1 barn = 10 cm )
et E en keV.

Si les critres d'utilisation sont la simplicit et la facilit


d'emploi plutt que l'uxtrme precision, on peut choisir la formule
de THEISEN et V0LLATH /14/ :

a b
(p/p) = C X Z (6)
(cm2/g)

4
A = 1,2395 10 /E (7)

X = longueur d'onde du rayonnement X en A


E = nergie du rayonnement X en eV
Z = numro atomique de l'absorbant.

a, b, c sont des constantes dfinies suivant le groupe des valeurs de Z


et suivant le domaine de variation de X entre les diffrentes disconti-
nuits d'absorption E. , E.,, E., e t c . .

En fait la formule (6) de THEISEN et VOLLATH /14/ correspond


aux deux premiers termes de celle de McMASTER et al. /6/. En effet, la
formule (5) peut s'crire :
- 6 -

a. a, + ia, LogE + a,(LogE)


a = e . E1
*
avec a. = i, - 0 et en tenant compte de (2) :

l
u/p = (N/A) e .E

Si on exprime l'nergie en longueur d'onde avec (7) on retrouve (6).

La formule (6) a une dpendance fonctionnelle sensiblement


bien adapte la simulation de la variation de la section efficace
de l'effet photolectrique en fonction de l'nergie et du numro atomique.
Aussi s'applique-t-elle bien aux basses nergies o les autres effets
sont ngligeables. On dfinira plus tard une nergie seuil E au del
de laquelle elle n'est plus valable.

Le tableau I, qu. donne les valeurs des constantes a, b, et c,


est une reproduction de celui qu'on peut trouver dans THEISEN et
VOLLATH /14/.

., - PATCHWORK /16/.

L'examen du tableau I montre qu'il existe un certains nombre


de "trous" dans le "quilt" des valeurs des constantes a, b, et c de la
formule de THEISEN et VOLLATH /14/ qui sont ds d'aprs les auteurs, au
nombre insuffisant de donnes exprimentales sres dans ces domaines
l'poque de leurs travaux (1967).

On se propose, non pas de justifier pleinement le titre de


ce chapitre, mais de faire un petit travail de "rapiage" au moyen de
la formule (6) afin de couvrir le domaine des nergies de 100 eV 100 keV
pour les absorbants habituellement utiliss dans la physique des plasmas :
Be, C, N, 0, Al, Si, Ni, Au.

n m 0 :
S9Q 2Q5.I?l.ll i5.^.!!2!;.5ii E
a) Nous n'avons fait aucun travail de compilation des nombreux rsultats
exprimentaux existants sur ce sujet. D'autres l'ont fait notre place
et nous utiliserons en particulier les synthses de McMASTER et al. 76/,
STORM et ISRAEL fit, HENKE et al. 78/, f9f.
n
TABLEAU I : VALEURS DES CONSTANTES a, b et C entrant dans la formule
a b
u/p = C >. 2 . (d'aprs THEISEN et VOLLATH /14/).

NUMERO
f<E<E E <E<E E <E<E E < E
L1 < K E E>E
ATOMIOUE L 3 L3 L2 L2 L1 K

tv
a ' *" " s
2,92
i , i
4<Z<11 3,07
b ^ f

C 5,40 1 0 "

a *-. 2,74 2,79

10<Z<19 b 3,03 2,73

C 5,33 1 0 " 4
1,38 1 0 " 2

a 2,44 2,70 2,66

i
18<Z<37 b 3,47 SlIfllil 2,90 2,47

4
C 2,73 1 0 " 5
9,59 O " 3,12 1 0 " 2

; :
:i !;* ^::'; ^^;^!^i
a 2,44 2,62 ; ;
2,70

36<Z<55 b 3,47 2,82 lllllllll 2,88


^flligiP
C 2,73 1 0 " 5
8,03 I 0 " 4

Sfllilllltl 1,03 1 0 " 3

a 2,50 2,62 2,70

54<Z<72 b 2,98 2,82 2,83

4
C 1,58 1 0 " 4
8,03 1 0 " 1,24 1 0 " 3

a 2,55 2,62 2,50

71<Z<87 b 3,09 2,82 3,38

5 4
lIIIMIll 4
C 9,39 1 0 " 8,03 1 0 " 1,03 1 0 "

a 2,63 2,62 2,50

86<Z<95 b 4,26 2,82


IlSIlflS 3,38

C 5,76 1 0 " 7
8,03 1 0 " 4
1,03 1 0 " 4
- 8 -

b) Contrairement au travail de THEISEN et VOLLATH /14/, nous ne calcu-


lerons pas les valeurs des constantes a, b. et c pour un groupe de
valeurs de Z, mais pour chacun des absorbants cits dans la liste
ci-dessus. Autrement dit, le trio a, b et c, dans les bandes d'nergies
laisses en blanc par THEISEN et VOLLATH sera valable pour le seul
absorbant considr. Ceci revient imposer, priori, la valeur de
b, et la formule (6) pourrait s'crire sous la forme utilise par
a
LEROUX /12/ et HEINRICH /13/ : u/p = C'X . Hais nous prendrons b = 3
et garderons la formule (6) sous sa forme originale.

c) Au del de l'nergie seuil E o les formules tenant compte de l'effet


photolectrique seul ne sont plus valables, nous donnons les coefficients
des polynmes de HcMASTER et al. /6/ qui simulent les effets Compton
et Rayleigh. Dans cette zone le coefficient p/p sera donn par la
somme des valeurs donnes par les effets photolectriques, Compton et
Rayleigh.

Pour calculer les constantes a et c (b tant fix gal 3) nous


utiliserons la mthode des moindres carrs dcrite par THEISEN et VOLLATH
/14/.

En prenant le logarithme nprien de (fi) on obtient :

Log (u/p) = Log C + a Log A + 3 Log Z

Il s'agit de minimiser la fonction :

f(Log C, a) = Z (Log(v/p) - Log C - a Log A


i i - 3 Log Z ) 2

la sommation s'tendant aux n valeurs exprimentales.

Pour rendre f(Log C, a) minimum il faut annuler les drives


partielles 3f/3Log C et 3f/aa. On obtient :

Z Log (y/p)- - n Log C - a Z Log A. - 3 n Log Z = 0


i i
Z Log (p/p)j Log A. - Log C Z Log L - a ! (Log A.) - 3 Log Z.LogA.=0
i i i i
La solution de ce systme donne a et Log C.
- 9 -

Les n valeurs exprimentales sont prises dans les tables de


HENKE et EBISU /9/ de 109 eV 1487 eV et dans HcMASTER et al. /6/ et
STORM et ISRAEL 111 au dessus de 1 keV.

Dans les tableaux II XI, o l'effet photolectrique seul


est considr, on trouve pour Be, C, N, 0, Al, Si, Ni et Au :

- Les discontinuits d'absorption, les domaines de validit des diffrentes


formules et l'nergie seuil E au del de laquelle s'ajoute l'effet
photolectrique les diffusions Compton et Rayleigh.
- Les valeurs de C, a, b, calcules comme indiqu ci-dessus ou donnes
par THEISEN et VOLLATH /14/, qui entrent dans la formule (6) :

a b
u/p = C A Z (6)
2

U/P en cm /g

4
A en (A = 1,2395 10 /E, E en eV)

- Les valeurs de a, b, c, d donnes par HENKE et SCHATTENBURG /15/ entre


E =
HNK
2 3
log ( 1 0 " V P ) = a + b log E + c (log E) + d (log E) (4)

u/p en cm /g
E en eV.
log dcimaux.

- Les valeurs de a , a,, a?, a, donnes par HcMASTER et al. /6/ au dessus
de Eu = 1 keV, qui entrent dans la formule (5) :

Log (a) = a + aQ 1 Log E + a 2 (Log E ) + h^ (Log E )


2 3
(5)

a en barn/ atome
E en keV
Log nprien.

Dans le tableau XII on trouve pour les diffrents absorbants


les valeurs des coefficients a , a,, a, et a,, donnes par McMASTER et
al. /6/, pour l'effet Compton, qui entrent dans la formule (5), et dans
- 10 -

le tableau XIII, ces mmes coefficients pour la diffusion Rayleigh.

Pour passer de a u/p on utilise la formule (2) :

y/o = a (N/A)

o tant en barn/atonte dans la formule ( 5 ) , on peut crire :

u/p = o7K

23 24
avec : N = 6,02252.10 atome/mole on peut calculer K = (A/NJ.IO pour
les diffrents absorbants considrs /6/ :

3 2
Be Z = 4 p = 1,848 g/cm A = 9,012 g/mole K = 14,96 (barn/atome)/(cm /g)
C 6 1,580 12,010 19,94
3
N 7 1,251 io- 14,008 23,26
0 8 1,429 10" 3
16,000 26,57
Al 13 2,702 26,970 44,78
Si 14 2,330 28,086 46,63
Ni 28 8,900 58,690 97,45
Au 79 19,370 197,200 327,4

Pour les solides p est donn dans les conditions normales de tempratures
et de pressions, pour les gaz il est donn 0C et 1 atm.

Les figures de 1 a 20 reprsentent p/p en fonction de l'nergie,


en utilisant les donnes des tableaux et les valeurs des rfrences
/6/, m et /9/. Au dessus de l'nergie seuil E on reprsente la courbe
somme des coefficients d'attnuation donns par la formule (6) de
THEISEN et V0LLATH /14/ pour l'effet photolectrique, et la formule (5)
de McMASTER et al. /6/ pour les 2 effets Compton et Rayleigh. On peut
remarquer sur les figures que le raccordement n'est pas parfait. Pour
des raisons d'homognit des formules, ce raccordement serait bien
meilleur, en utilisant le polynme de HcMASTER pour l'effet photolectrique.
~1
TABLEAU II - BERYLLIUM (2 = 4) EFFET PHOTOELECTRIQUE

E . E
l1cH
E
HNK E
S
min
109eV 112,leV 1 kei/ 1487 eV 5 keV

v - /14/ C
C s
5,40 1 0 " -

a 2,92 /14/ a

b 3,07 /14/ b

a 3,5889 1,1031 a

b - 1,4088 3,9739 b

c 0 - 2,0895 c

d 0 0.258 d

a
' " -, ' 9,04511 a
o
o
a
- 2,83487
l a
l
1
a
- 2,10021 10" a
2
2
2
a
3 2,29526 10" a
3

J
".("?.*^d
.-.. m***\-

TABLbA'J III - CARBONE (Z = 6) EFFET PHOTOELECTRIQUE

min E
McM E
HNK E
S
100 eV 283,8 eV 1 keV 1487 eV 5 keV

C 1,74 10" 3
5,40 10" 3
// C

a 2,31 2,92 714/ a

b 3 3,07 /14/ b

a 12,8122 1,4204 a

b - 12,3355 3,3409 b
c 4,8952 - 1,6570 y ; c

d - 0,7900 0,1414 d
1
a
o 1,05879 10 a
o
a
l - 2,71400 a
l
a
- - 2,00530 H T 1
a
2 2

2
a
3 2,07248 10" a
3
TABLEAU IV - AZOTE (Z = 7) EFFET PHOTOELECTRIQUE

E
min E
K E
HcM
E
HNK s
100 eV 401,6 eV 1 keV 1487 eV 5 keV

3
C 1,25 10" 5,40 10" 3
/14/ C

a 2,395 2,92 /14/ a

b 3 3,07 /14/ b

a 5,7360 - 0,0772 a

b - 2,1165 4,7758 b

C 0,1510 - 2,0858 ! ' ' : c

d - 0,0601 0,1867 d

1
a 1,12766 10 \
o
a - 2,65400 a
l
l
1
a - 2,00445 10" a
2
2
2
a 2,00765 10" a
3
3
*

TABLEAU V - OXYGEIIE (Z = 8) EFFET PHOTOELECTRIQUE

E E
rain K E
HcH HNK E
S
100 eV 532 eV 1 keV 1487 eV 5 keV

C 1,12 10" 3
5,40 1 0 " 3
/14/ C

a 2,43 2,92 mi a
b 3 3,07 mi b

a 2,0547 - 0.6U0 a

b 2,8253 5,3799 b

c - 1,9383 - 2,2924 c

d 0,2326 0,2132 d
1
a
o 1,17130 10 a
o
- 2,57229
a
l * a
l
1
a - 2,05893 10" a
2
2
1,99244 10"*
a
3 / a
3

tr - _j
~1
TABLEAU VI - ALUMINIUM (I = 13) EFFET PHOTOELECTRIQUE

E E
min L1E E
McM
E
HNK K 5
109 eV 117,7 eV 1 keV 1487 eV 1560 eV 10 keV

C
' " t* 5,33 10"' '14/ 1,38 10"* /14/ C

a 2,74 '14/ 2,79 /14/ a

b 3,03 fW 2,73 /14/ b

a 3,8484 - 9,6919 a

b - 0,8928 15,1313 b

c 0 - 5,9171 c

d 0 0,6529 d
r
a 1,08711 10 1
1,31738 1 0 a
o
o

a - 2,77860 - 2,18203 a
l
l
a 1,75853 10"! - 2,58960 10-1 a
2
2

; ^" '; " * * <

0 2,22840 10" 2
a
3
a
3
L_

_l
r~

TABLEAU VII - SILICIUM (Z = 14) EFFET PHOTOELECTRIQUE

E E

L3 E E
L1
E
Mcn HNK E
K S
100 eV 148,7 eV 1 keV 1487 eV 1839 eV 10 keV

2
C 4,41 10" 1
5,33 10" 4
/14/ 1,38 1 0 ' /14/ C

a 0,96 2,74 /14/ 2,79 /14/ a

b 3 3,03 /14/ 2,73 /14/ b

a 61,3204 - 11,7191 a

b - 87,4143 17,0332 b

c 43,3307 - 6,4711 c

d - 7,2176 0,7061 d

t 1

a 1,12237 10 1
1,32682 10 a
C
0

a - 2,73694 - 1,98174 a
l
l
a 2
1,27557 10" 1
- 3,16950 10"' a
2
2

a 0 2,73928 10" a
3
3

_l
K- 1
TABLEAU VIII - NICKEL (2 = 28) EFFET PHOTOELECTRIQUE

E
min E
M1 L3 E
L2 L1 E

109 eV 111,8 eV 854,7 eV 871,9 1008,leV

4
C 8,99 1 C " 4
9,69 10" /14/ C

a 1,75 2,70 /14/ a


i
b 3 2,90 /14/ b
a 3,8225 - 4,1088 9,4278 a

b - 1,0203 8,0000 - 2,8185 b

c 0 - 3,1650 0 c

d 0 0,3221 0 d
a a
0 0
!
a
a
l l
, !
a
a
2 < * s ,. 2
v ***

a
3 > a
3

' ^ - 1 1 J
TABLEAU IX - NICKEL (Z = 28) EFFET PHOTOELECTRIQUE (Suite)

E E
L1 E E
HNK K S
1008,leV 1487 eV 8333 eV 50 keV
2
C 9,59 10" 4
/14/ 3,12 10" /14/ C

2,70 /14/ 2,66 /14/ a

b 2,90 /14/ 2,47 /14/ b

a 12,9530

b - 7,8200

c 2,0380
d - 0,2513
1
a 1,39848 10 1
1,42388 10 a
0
0
1
a - 2,48080 - 9,67736 10" a
l
l
X
a - 8,88115 10~ 2
- 4,78070 10" a
2
2
- 2
a 0 3,66138 l u a
3
3
w
~]

TABLEAU X - OR (Z = 79) EFFET PHOTOELECTRIQUE

_l
TABLEAU XI - OR (Z = 7S) EFFET PHOTOELECTRiqUE (Suite)

E
M5 E E
M4
E
M3 E
H2 E
H1 E
L3 E
L2 E
L1 E
K S
2206 eV 2291 eV 2743 eV 3150 eV 3425 eV 11919 eV 13734 eV 14353 eV 80725eV 200 keV

4 4
C ?,39 1 0 ' 5
/14/ 8,03 10" /14/ 1,03 10" /14/ 1,88 10" 3
C

a 2,ii5 /14/ 2,62 /14/ 2,50 /14/ 2,49 a

b 3,09 /14/ 2,82 /14/ 3,38 /14/ 3 b

1,64734 10 1
1,74240 10 1
4,96352 a
a
o o
a -2,57834 -2,23911 5,79212 a
l
l
2
a 0 -6,63720 10" -1,61842 a
2
2
1
a 0 0 1,02911 10" a
3
3

^ , Jl,-
~'
TABLEAU XII - EFFET COMPTON (McMASTER ET AL. 76/)

Z a
o d
l
a
2 a
3
1 3
Be 4 - 6,90079 10" l
9,46448 10" * - 1,71142 10" 6,51413 10"
1 1
C 6 - 9,82878 10" 1,46693 - 2,93743 10" 1,56005 10" 2

N 7 - 1.23693 1,74530 - 3,54660 10"* 1,98705 10" 2

1
0 8 - 1,73679 2,176!16 - 4,69050 10" 2,64733 10" 2

Al 13 - 4,39322 10" 1
1,30857 - 2,11648 10" 1
7,54210 10" 3

Si 14 - 4,14971 10" 1
1,34868 - 2,22315 10" 1
8,41959 10" 3

2
Ni 28 - 5,04360 10" 1
1,70040 - 2,76443 10" 1
1,12628 10~

Au 79 + 1,56916 10" 2
1,654(16 - 2,20982 10" 1
5,70751 10" ' ?

,L_ J
TABLEAU XIII - EFFET RAYLE1GH (McIWSTER et AL. /6/)

Z a
0 a
l h a
3
Z

Be 4 2,00860 - 4,61920 10" - 3,37018 10" 1


1,86939 10" 2

1
C 6 3,10861 - 2,60580 10" - 2,71974 10" 1
1,35181 10" 2

1
fl 7 3,47760 - 2,l!i762 10" - 2,88874 10" 1
1,51312 O"^

2
0 8 3,77239 - 1,48539 1 0 ' 1
- 3,07124 10" 1
1,67303 10"
;
AI 13 4,51995 1,40549 10" 1
- 3,52441 10" 1
1,93692 10"'

2
Si 14 4,64678 1,62780 10" 1
- 3,58563 10" 1
1,96926 10"
2
Ni 28 6,09204 2,52277 10" 1
- 3,66568 10" 1
1,96586 10"
2
Au 79 8,10524 4,00576 10" 1
- 3,49340 10" 1
1,63264 10"

J
- 23 -

4 - COEFFICIENT D'ATTENUATION MASSIQUE DES MELANGES ET DES CORPS COMPOSES.

Soient Pj, P , P ,
2 3 p les proportions volumiques des
i

diffrents lments i d'un mlange m. La formule d'attnuation du


rayonnement (1), faisant intervenir l'paisseur de l'absorbant, on peut
crire :

I = I exp (-x (y/p) . p p ^


0 n i

Ce qui permet de dfinir le coefficient d'attnuation massique du mlange :

(U/P) - ( (M/P), Pi P,-)/P m

p est la densit du mlange en g/cm .

Cette formule permet de calculer, par exemple, le coefficient


d'attnuation de l'air sec(78,084 % N , 20,9476 % 0 , 0,934 % A, 0,0314 % C 0 ,
? 2 ?

0,003 % gaz rares = Ne, He, Kr, H Xe, Rn) (GILMORE / 5 / ) .


2 >

De la mme faon, dans le cas d'un corps compos C, on fait


intervenir en quelque sorte les proportions massiques des diffrents
lments i :

(ii/p) = ( (u/p)f S,- .,}/''<.


c

N. est le nombre d'atomes i dans la molcule C.


AJ et M sont respectivement les messes atomiques des lments i, et
la masse molculaire du compos c, exprims dans le mme systme d'units.

Cette formule permet, par exemple, de calculer le rendement


d'un scintillateur : al (GILMORE /5/, ADLAM et TAYLOR /17/) ou scintil-
lateur plastique /17/.

5 - RENDEMENT D'UNE DIODE AU SILICIUM A BARRIERE DE SURFACE.

Dans l'introduction on a dj signal l'utilisation des diodes


P-I-N Si (Li) refroidies l'azote liquide pour le relev des spectres
d'nergies des X mis par un plasma (ROBOUCH et RAGER /18/, VON GOELER et
al. ni, SAND et ENRIQUES /19/, /20/, BLANC, TONON, UHRE /21/. Si au lieu
de faire du comptage pour obtenir la rsolution en nergie, on augmente
- 24 -

le flux des photons X frappant le dtecteur en largissant les fentes


de collimation, on obtient la sortie de la diode un signal analogique
proportionnel au flux total des rayons X en fonction du temps. Cette
technique a t utilise rcemment pour l'tude des fluctuations de
l'intensit du rayonnement X dans les Tokamaks (VON GOELER et al. /22/,
VERSHKOV et al. /23/, DUNLAP et al. /24/, LAUNOIS /25/, GREGOIRE 126/).

Une autre application possible de cette technique, est la


mesure de T par la mthode des absorbants (LAUNOIS, SHEULDERS /27/). On
fi

remplace les ensembles scintillateurs-photomultiplicateurs par des diodes


barrire de surface, dont les avantages sont les suivants : elles sont
peu sensibles aux rayonnements X durs et aux champs magntiques, leur
petite taille permet de rsoudre facilement les problmes mcaniques poss
par l'exploration radiale du plasma, leur mise en oeuvre est simple et
leur cot est faible. Ces deux derniers avantages sont galement valables
par rapport l'utilisation des diodes P-I-N, Par contre, les diodes
barrire de surface ayant t dveloppes pour la dtection des particules
a, 6 et les ions lourds, leur utilisation pour la dtection des rayons X
pose quelques problmes d'talonnage de leur rendement en fonction de
l'nergie. On trouve surtout dans la littrature des rsultats concernant
les diodes Si (Li) et Ge (Li) (BERTOLINI et COCHE /28/, HOHLFELDER /29/,
RO80UCH et RAGER /18/, RAGHUVIR SINGH /30/).

Les rayons X frappant une diode de dtection rencontrent, dans


l'ordre, 3 couches distinctes :

- Une fentre F constitue d'une metallisation (en or par exemple).


- Une zone morte ZM de silicium.
- Une zone dserte active ZD de silicium.

Les 2 premires couches absorbent le rayonnement et celui restant


transforme son nergie en paires lectrons-trous l ' i n t r i e u r de la
e m e
3 couche active, dans la mesure o i l est compltement absorb.

En u t i l i s a n t la formule ( I ) , le rendement de la diode R(E) en


fonction de l'nergie E des rayons X peut alors s'crire :

R(E) = exp ( - ( y / p ) F p x ).exp ( - ( u / p )


p F ZM P x ) . ( l - exp ( - ( U / P )
Z H Z M Z D P X )
Z D Z D
r - 25 -

Les coefficients ()i/p) et (P/PJJU sont les coefficients d'att-


F

nuation totale du rayonnement (effets photolectrique Compton et Rayleigh).


Par contre, (y/p) . est le coefficient d'attnuation en nergie et,
z[

par consquent, ne fait pas intervenir la diffusion Rayleigh'*

En utilisant les vdeurs des coefficients d'attnuation massique


donnes prcdemment or peut calculer le rendement d'une diode au silicium
barrire de surface partiellement dserte (ORTEC modle n CA-018-025-100)
dont les caractristiques sont les suivantes :

2
- Fentre en or de 40 pg/cm (200 A) d'paisseur.
- Zone morte silicium estime 0,2 u (/18/, /28/, /29/).
- Zone dserte silicium de 100 u d'paisseur.

La figure 21 reprsente le rendement R(E) de cette diode en


fonction a'e l'nergie.

Sachant qu'il faut 3,6 eV. pour produire une paire lectron-trou
on peut trouver le courant de sortie de la diode (en A) :

J = S E ) R ( E E / 3 6 1 , e 10 19 d E
(A) / N < > < ' > ~ -

S (E) est le spectre des photons X mis par le plasma et transmis la


N

diode en photons/s/eV.
E est l'nergie des photons X en eV.
-19
1,6 10 est la charge de l'lectron.

Si le spectre S (E) est exprim en W/eV le courant s'crit :


W

= S (E) R E 6d
V) f W < )/3. E

* Probablement une erreur d'indice ou d'impression fait dire le contraire


HOHLFELDER /29/, p. 538.
- 26 -

REFERENCES.

I l l - F.C. JAHODA, E.M. LITTLE, W.E. QUINN, G.A. SAWYER, T.F. STRATTON,
Pbys. Rev. 119, 843 (1960).
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MATT-1060 (1974).
IV - D.O. JOHNSON, Rev. Sci. Instruments, 45, 191 (1974).
1
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Rubber Pub. Co. Cleveland 1942-1968).
/5/ - F.R. GILHORE, P.M-2367 - AEC (1959).
/6/ - W.H. McMASTER, N. KERR DEL GRANDE, J.H. MALLET, UCRL-50174, Sect. II,
Rev. 1 (1969).
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/8/ - B.L. HENKE, R.L. ELGIN, dans Advances in X-ray Analysis, Vol. 13,
639 (Plenum New-York 1970).
/9/ - B.L. HENKE, E.S. EBISU, dans Advances in X-ray Analysis, Vol. 17,
187 (Plenum New-York 1974).
/10/ - O.A. VICTOREEN, J. Applied Phys. 20, 1141 (1949).
/Il/ - B.L. HENKE, R. WHITE, B. LUNDBERG, i. Applied Phys. 28, 98 (1957).
/12/ - J. LEROUX, dans Advances in X-ray Analysis, Vol. 5, 153 (W.M. MUELLER
Editor, New-York 1961).
/13/ - K.F.J. HEINRICH, The Electron Microprobe (Edited by McKINLEY,
HEINRICH, WITTRY, New-York 1966) p. 291.
/14/ - R. THEISEN, D. VOLLATH, Tables des coefficients d'attnuation
massique des rayons X. (Verlag StahleisenM.B.H. Dusseldorf 1967).
/15/ - B.L. HENKE, M.L. SCHATTENBURG, dans Advances in X-ray Analysis,
Vol. 19, 749 (Plenum New-York 1976).
/16/ - ALINE, Private love-letter (1976).
/17/ J.H. ADLAM, I.C. TAYLOR, C.L.M/R-81 (1968).
/18/ - B.V. ROBOUCH, J.P. RAGER, J. Applied Phys. 44, 4, 1527 (1973).
/19/ - F. SAND, L. ENRIQUES, EURATOM-CNEM Report (1976).
/20/ - T.F.R. Group, EUR-CEA-FC 838 (1976).
/21/ - P. BLANC, G.F. TONON, N. UHRE, Semiconductor soft X-ray spectrometer,
in Workshop Diagnostics and Data Acquisition for JET. FONTENAY-aux-
ROSES (Fvrier 1975).
/22/ - S. VON GOELER, W. STODIEK, N. SAUTH0FF, Phys. Rev. Letters, 33, 20,
1201 (1974).
- 27 -

723/ - V.A. VERSHKOV, E. LISENRO, I.B. SEHENOV, A.T. SCHERBAC, Kurchatov


Institut Report 1 AE-2291 (1973).
/24/ - O.L. DUNLAP, G.L. JAHNS, J.H. HARRIS, Bull. Am. Phys. S o c , 20,
1255 (1975).
725/ - T.F.R. Group, Proc. 7 European Conf. un Contr. Fusion and Plasma
Physics, Lausanne, Vol. 2, 1 (1975).
/26/ - M. GREGOIRE et al- Nuclear Fusion 16, 4, 579 (1976).
/27/ - D. LAUNOIS, P. SMEULDERS, EUR-CEA-FC. 763(1974).
/28/ - G. BERTOLINI, A. COCHE, Semiconductor Detectors.(North-Holland
Publishing Company, Amsterdam 1968).
/29/ - J.J. HOHLFELDER, dans Advances in X-ray Analysis, Vol. 17, 531,
(Plenum New-York 1973).
730/ - RAGHUVIR SINGH, Nucl. Instr. and Meth. 136, 543 (1976).
- 28 -

LISTE DES FIGURES.

p
Fig. 1 20 : Coefficient d'attnuation massique y/p {cm /g) en fonction
de l'nergie E(eV) du rayonnement X :

- Fig. 1 - Beryllium (Z = 4) de 100 eV 10 keV.


- Fig. 2 - Beryllium (Z = 4) de 10 keV 1 MeV.
- Fig. 3 - Carbone (Z = 6) de 100 eV 10 keV.
- Fig. 4 - Carbone (Z = 6) de 1 keV 100 keV.
- Fig. 5 - Azote {Z = 7) de 100 eV 10 keV.
- Fig. 6 - Azote (Z = 7) de 1 keV 100 keV.
- Fig. 7 - Oxygne (Z = 8) de 100 eV 10 keV.
- Fig. 8 - Oxygne (Z = 8) de 1 keV 100 keV.
- Fig. 9 - Aluminium (Z = 13) de 100 eV 10 keV.
- Fig. 10 - Aluminium (Z = 13) de 1 KeV 100 keV.
- Fig. 11 - Aluminium (Z = 13) de 10 keV 1 MeV.
- Fig. 12 - Silicium (Z = 14) de 100 eV 10 keV.
- Fig. 13 - Silicium (Z = 14) de 1 keV 100 keV.
- Fig. 14 - Silicium (Z = 1',) de 10 keV 1 MeV.
- Fig. 15 - Nickel (Z = 28) de 100 eV 10 keV.
- Fig. 16 - Nickel (Z = 28) de 1 keV 100 keV.
- Fig. 17 - Nickel (Z = 28) de 10 keV 1 MeV.
- Fig. 18 - Or (Z = 79) de 100 eV 10 keV.
- Fig. 19 - Or (Z = 79) de 10 keV 1 MeV.
- Fig. 20 - Or (Z - 79) de 100 keV 10 MeV.

rig. 21 - Efficacit d'un dtecteur de Si barrire de surface en


fonction de l'nergie du rayonnement X.
4 (J
' PHOTOELECTRIQUE / u / "
+ POLYNOME COMPTON / 6 /
POLYNOME RAYLEIGH/6/ __|

C= 5,4 10'
a= 2,92/14/
b = 3,07

FIG . 2
BERYLLIUM (Z=4)
Mc MASTER et a l . / 6 /
STORM , ISRAEL \l\
b
( > J /p)=CA<;. Z /l4/
)

E(eV)
I M L
10' 10 ;
10
'h
( 0 = 5 , 4 0 10"'
a-2,92/14/
b=3,07

FIG. 3
CARBONE (Z=6)
x HENKE , EBISU / 9 /
Mc MASTER et al. / 6 /
STORM , ISRAEL I if
b
^/P) = c ^ ; ^ / 1 4 /

10

E(eV)
10 J I I I I II
J
10 J
10 10 *
V
10'
-Hip
1
i ' v>
\ *
' 1 ' ' '' 1
1 ' 1 1 j 1 11 L
n
2
-
_(cm /g) \
\ f C= 5.40 10" 3

- V ^ _ j a = 2,92 /14/
[b = 3,07

10
\
FIG . 4 Z
\ CARBONE (Z = 6 )
*fll Mc MASTER et al. kl
o
STORM , ISRAEL hi
b
, (^/p)=CA Z /l4/ ) ~

\ \ ~~
PHOTOELECTRIQUE /14/ '
I + POLYNOME COMPTON / 6 /
+ POLYNOME RAYLEIGH / 6 / J \ \

\ \
-
\ ^*V

\ E(eV)
10" I , I I I i I i i i i , \ i ! i i i i
3
10 10' 10 s
10
_ ' I ' IV I M i l l i I ' I I | I I IL.
- J*'P 2
\
~(cm /g) V
3
' C = 5 , 4 0 10~
_

y
a =2,92/14/
b= 3,07

10
- \ FIG . 6
- \ AZOTE ( Z = 7)

, McMASTER et d./sf
\ STORM , ISRAEL hi
a b
\ ( /p)=cx z /iv :
i

P ai
,
i
,

~ PHOTOELECTRIQUE/14/ '
+ POLYNOME COMPTON/6/ >-
+ POLYNOME RAYLEIGH / 6 /

\ \
- \ ^v.
\ ^N>J
\ E(eV)
1
io- L I l l I i i , i \ i M I M
s
10 ;
10* 10
10 !

1
1 ' 1 1 | 1 M 1 1
1 ' 1 1 | 1 11 L
"I
- >"P
r(cm2/g)

C=1,12 10" 3

-
_
V. ^-^~' a = 2,43
- \ ^ ,b = 3 -
3
C=5,40 10"
x\ a = 2,92/14/
\ b = 3,07

10'
\
\ FIG. 7
OXYGENE(Z=8)
. x HENKE , EBISU Isl ~
\ Mc MASTER et al./6/ -

_ \ P
STORM , ISRAEL 111 -
W Cji/pJ-CXfoZb/M/ -
-

3
10
- \

EK \
532 eV

- \

\ E(eV)
10 2
i i i I I I I I I I 1 , l \l 1 l I l1
3
10 10" 10
n
10'

2
(cm /g) C = 5,40 10"
I | I I I L

a = 2,92 lui
b = 3,07

10
FIG . 8

OXYGNE ( Z = 8 )
Mc MASTER et al. / 6 /
STORM , ISRAEL hi
(jj/p) = C \ A ) ZVl4/

PHOTOELECTRIQUE /14/
+ POLYNOME COMPTON fc\
+ POLYNOME RAYLEIGH / 6 /

10-
3
10 10< 10 s
10' r
"n r

C=5,33 10-*
a = 2,74 / 1 4 /
b=3,03

10'

FIG. 9

ALUMINIUM (Z = 13)
HENKE,EBISU / 9 /
Q b
(M/p) = c A ( i ) Z /l4/

10'

E(eV)
J
10 I I I I
J 3
10 10 10*
1 I I I I I L

FIG .10
ALUMINIUM (Z=13)
x HENKE , EBISU hi
Mc MASTER et al./6/
STORM .ISRAEL hi
a b
(>l/p)=CX ( i ) Z /l4/

E (eV)
J L I I I l-L
3
10
10
1^iiji i i i_
2
_(cm /g)

FIG . 12
SILICIUM ( Z = 14)

x HENKE , E B I S U / 9 /
a b
( /p) = c X
jJ ( ) z M/

: 10*

4
C=5,33 10 "
0 = 2,74/14/
b = 3,03

E (eV)
a
10 J i_l L_J l_L _l I 1_ I I I I
3
10* 10 10*
Ml ai..
10- 1
1
1 ' 1 1 1 1 11 1 1 ' 1 1 | 1 11 L
- JJ/p
2
~(cm /g)

-2 ;
\ / C=1,38 1 0
- a = 2,79/14/
\
b=2,73
-

10-
3k
FIG .13

1 V SILICIUM (Z=14) ^_

_ \ x HENKE , EBISU / 9 / _

:h - I 1 C=5,33 10"
Q=2,74/14/
4
\
V
Mc MASTER et al./6/
STORM , ISRAEL
a
(>i/p) = C X , Z " /14/ ( i
hi
-
-
b=3 03 y \
10'

I I I I I

: \
I

EK \
1839 eV \
\
\ E (eV)
10 i I . I l I l l I I V i , i i I i i i i
10
\l
5
10* 10 $
F 10
-pip
2
-(cm /g)\
\
1 1 | 1 1 1 1

-2
' 1 ' 1 1 | 1 11 L n
t C= 1,38 1 0
- eu 2,79 /14/
lb=2,73

FIG .14 I

SILICIUM (Z= 14)


Me MASTER et al./6/ ~
\ \ STORM,ISRAEL hi
a b
~
0i/p)=cA Z /l4/ '
\ ( )

10"'

Z PHOTOELECTRIOUE /l4/ \
_ + POLYNOME COMPTON /6j-^
_ + POLYNOME RAYLEIGH /6/j

I \ E(eV)
10" I , l I I I I I I , \ I , i i I i i i i
5

V*
10* 10 10'
10'
M I L

J
10
FIG. 16
NICKEL ( Z = 28)

HENKE , EBISU hi
Mc MASTER et al./6/
STORM, ISRAEL 111 ~
a b
(iii?)=c\ lh z /w/

2
10

2
C = 3,12 10-
a = 2,66/14/
b = 2 47

\
.E(eV)
\ 10 l _ J I II i i
4
103 10 10'
[. 'tfl
II
10 1
"" T
I ' f\ 1 1 1 11 1 1 ' 1 1 | 1 11C
-
(cm*/g) \
-

\ -

o. 1 PHOTOELECTRIQUE /14/
+ POLYNOME COMPTON/6/
u / + POLYNOME RAYLEIGH / 6 / "
/

-
o\\
2
~_ C = 3.12 10" | -A
a = 2,66/14/ I ^ " ^
b=2,47 j
\ \ ~

\ \
- \ X.

10-' \ " \ .
_ \ ^^x. ~
I FIG . 17 \ ^^^^r
~_ NICKEL (Z=28)
Mc MASTER et al. / 6 / \
STORM , ISRAEL hi
a b
(|i/p)=CA (i) Z /W
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