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Electronique Analogique 2010 - 2011 EISTI PDF
Electronique Analogique 2010 - 2011 EISTI PDF
ELECTRONIQUE
ANALOGIQUE
0. Préambule
ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
Plan du cours
Annexe
7. Contre-Réaction. Stabilité. Oscillateurs sinusoïdaux
8. Modulation
Bibliographie
__________
0.
Electronique Analogique 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
- Domaine de fréquences électrique : (la fréquence d’un signal est sa vitesse de variation)
ondes hertziennes
ondes radio
20 kHz ( λ = 1 mm)
f
20 Hz 400 Hz 4 kHz 15 kHz 100 kHz 3-4 MHz 50 MHz 100 MHz 1 GHz 300 GHz 1000 GHz
0
DC
Téléphone filaire Acoustique Vidéo Modulation Télévision Radar Fibres optiques
Ultrasons analog. de fréquences Hertzienne Navigation aérienne
Ondes sonores
v v v0 sin(ω t ) v v
1 2
v1 = v0 sin(ωt − ϕ1 ) = v0 sin[ω (t − τ 1 )]
v2 = v0 sin(ωt − ϕ 2 ) = v0 sin[ω (t − τ 2 )]
Rappel :
v 0 s in (ω t ) v 0 s in (ω t )
T
t 2π ωt
0 0
te m p s ph a se o u a ng le
1. 1
Electronique Analogique 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
LUMIERE: DOMAINE DU VISIBLE : 0.4 µm < λ (longueur d'onde) < 0.8 µm [λ = c/f ] c = 3. 10 8 m / s
INFRAROUGE ROUGE ORANGE JAUNE VERT BLEU INDIGO VIOLET ULTRA VIOLET
- Fibres optiques :
Signal électrique Photodiode Fibre optique Diode photoréceptrice
Conversion Conversion
t électricité-lumière lumière-électricité
- Domaines d'amplitudes : (l’amplitude d’un signal témoigne de son intensité, de son volume, de sa puissance)
-16 8
10 W 1W 10 W
Il peut être vu comme 2 dipôles (un dipôle d’entrée et un dipôle de sortie) avec une
référence commune :
1. 2
Electronique Analogique 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
T (période)
X ( jω ) x (t)
Définitions
- Potentiel : Un potentiel électrique (mesuré en Volts) est un niveau de charge électrique. En ce point et un autre point
de potentiel inférieur existe alors une différence de potentiel ou tension électrique (exprimée en Volts) autorisant la circulation d’un courant
électrique (si le circuit est fermé) descendant le potentiel et mesuré en Ampères.
- Tension : Différence de potentiel électrique entre 2 points d’un circuit (mesurée en Volts).
- Courant : Flux d’électrons circulant dans un conducteur. Son intensité est mesurée en Ampères.
- Masse (Ground) : C’est la référence relative des potentiels (en général, la borne - de l’alimentation) (0 Volt relatif).
1. 3
Electronique Analogique 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
e i e i e r.i
r i
u -r .i
u u
u = e u = e - r .i
Si le générateur de tension impose une tension e de signe variable, le sens du courant i change alors comme le signe de e.
- Générateur de courant :
Il impose la valeur du courant i dans le circuit quelque soit la tension u à ses bornes.
Gén érateur idéa l de co ura nt G énérateur réel de co ura nt
No u veau sym b o le A n cien s ym bo le = G én érateur id éal + résistan ce int ern e r
(r >> 1 Ω )
i0 i0 i0 i
i i
i1 r
u u
u
i = i0 i = i 0 - u/r = i 0 – i 1
Si le générateur de courant impose un courant i0 de signe variable, le sens de la tension u change alors
comme le signe de i0.
Exemple de générateur de courant : le transistor.
E
Le sens du courant i est conventionnellement (et naturellement) du + vers le - à l’extérieur du générateur (du - vers
-
le + à l’intérieur du géné.). Les électrons e de ce courant (charges négatives) se déplacent dans le sens contraire.
1. 4
Electronique Analogique 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
- Résistance : Composant symétrique (≡ réversible, ≡ non polarisé). Une résistance s’oppose à la circulation du courant électrique
Nouveau symbole Ancien symbole
i(t) R i(t) R
u(t) u(t)
- Condensateur : Composant non polarisé, sauf si la capacité du condensateur est de forte valeur ( ≈ 1 µF ) auquel cas
le condensateur est polarisé (la connexion + du condensateur polarisé devant être connectée au potentiel le plus élevé)
Un condensateur emmagasine de l’énergie comme un générateur de tension.
Symbole Symbole Condensateur polarisé
i(t) C C C
ou
u(t) - + - +
du( t )
Equation différentielle : i (t ) = C C : Capacité (Constante) en Farads (F)
dt
i C du
Avec la convention contraire (tout aussi utilisable, i = −C
mais déconseillée parce que moins conventionnelle !) , on aurait : dt
u
Impédance : u(t ) → U l’équation différentielle devient : I = jCω U
i (t ) → I
du(t )
→ jω U
dt
( ω : pulsation du régime sinusoïdal) d’où : ZC =
U
=
1
I jCω
ZC =
1 ω >> 1 Z C ≈ 0 Condensateur ≈ fil
Cω
ω << 1 Z C ≈ ∞ Condensateur ≈ interrupteur ouvert
- Inductance (ou bobine) : Composant non polarisé. Une inductance emmagasine de l’énergie comme un générateur de courant.
Symbole
L
i(t)
u(t)
di (t )
Equation différentielle : u( t ) = L L : Self-Inductance (Constante) en Henrys (H)
dt
u(t ) → U
Impédance : i (t ) → I l’équation différentielle devient : U = jLω I
di (t )
→ jω I
dt
( ω : pulsation du régime sinusoïdal) d’où : ZL =
U
= jLω
I
1. 5
Electronique Analogique 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
3. Lois de Kirchoff
- Loi des noeuds
Soit le point de concours de plusieurs branches de circuit (noeud N) :
i1 N i2
i3
i4
i5
Le fait qu’il n’y a pas d'accumulation de charges (le courant électrique ne s’accumule pas) en un point fait que :
(somme algébrique) ∑i
n
n = 0 → i1 + i 3 − i 2 − i 4 − i5 = 0
La somme des courants entrant est égale à la somme des courants sortant.
- Loi des mailles
Soit le circuit suivant, refermé sur lui-même (maille M) :
u
4
B i Z4
u 4
5
Z i
5 5
u
A Z 3
3
M
i i
1 i
Z 3
1
u i Z e
1 2 2 2
u
2 u 5 = VB − V A (différence de potentiel)
La somme algébrique des tensions le long de la maille M (circuit fermé) est nulle : (la tension entre un point
et lui-même est nulle)
u5 + u4 + u3 + e2 − u2 + u1 = 0 (les tensions s’ajoutent « vectoriellement »)
(le sens du courant i n dans chaque branche est choisi arbitrairement (sauf pour la branche 2 où l’on obéit à la
convention générateur);
le sens de la tension associée un est ensuite déterminé par application de la convention récepteur).
Zk
V
N I1
e
k
k p
ei
∑ Z +∑I
i =1 j =1
j
1. 6
Electronique Analogique 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
5. Théorème de superposition
Le courant dans une branche (respectivement la tension entre deux points) d'un réseau linéaire, est la somme
algébrique des courants dûs à chaque source dans cette branche (respectivement des tensions), les autres
sources autonomes étant rendues passives, mais les sources commandées restant actives.
i i1 i2
R R R R R R
1 2 1 2 1 2
= +
e Z v e e Z v Z v e
1 2 1 1 2 2
Z2 Z1 ZR1 ZR2
i = i1 + i2 v = v1 + v2 avec v1 = e1 et v 2 = e2 où Z 1 =" Z // R1 " = et Z 2 =" Z // R2 " =
R1 + Z 2 R2 + Z 1 Z + R1 Z + R2
Une source de tension est rendue passive en court-circuitant le générateur (partie idéale seulement).
Une source de courant est rendue passive en débranchant le générateur (partie idéale seulement).
Dans les deux cas, la résistance du générateur est conservée.
Ex. de source autonome : Générateur de courant (ou de tension) de valeur i 0 (ou e0 ) indépendante
des autres éléments du circuit.
Ex. de source commandée : Transistor bipolaire (le courant qu’il génère est contrôlé par un courant de commande).
Note : Un circuit linéaire est composé d’éléments linéaires (R, L, C, générateur …) régis par des équations différentielles linéaires. Une
diode par exemple (cf. chapitre 3) n’est pas un composant linéaire.
▪ Z 0 = Z AB D déconnecté
Sources annulées
▪ e0 = VAB = VA − VB
D déconnecté D déconnecté
Eléments de démonstration
i
i
A A
Z0
D D
e
B 0 B
Circuit Circuit
1. 7
Electronique Analogique 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
- Détermination de e0 :
i
A A
Z0
e u
0
e
B 0 B
- Détermination de Z0 :
(sources autonomes
rendues passives) A A
(sources commandées
Z 0 = Z AB Z0 Z AB
non rendues passives
car dépendantes
d'autres éléments du B B
circuit)
avec :
Z
0
i Z
0 0 e = Z .i
0 0 0
e
0
B B
Eléments de démonstration (la tension aux bornes de 2 générateurs équivalents est identique.Il en est de même pour le courant généré)
Z
0
u i Z0 u
0
e
0
B B
On a : u = e0 - Z0.i et : u = Z0.(i0 - i)
Théorème de Norton
Etant donné un circuit (linéaire), lorsqu'on branche entre deux points A et B de ce circuit, un dipôle (linéaire) D,
ce circuit se comporte comme un générateur réel de courant vis à vis de ce dipôle. L'intensité du générateur idéal
de courant est égale à celle qui passerait à travers une liaison sans résistance (un fil) établie entre A et B à la
place du dipôle D. L'impédance interne ( Z 0 ) du générateur de courant est égale à l'impédance vue par le dipôle
entre A et B avant de brancher D, les sources autonomes (≡ non commandées) étant rendues passives.
Une source de tension est rendue passive en court-circuitant le générateur (partie idéale seulement).
Une source de courant est rendue passive en débranchant le générateur (partie idéale seulement).
Dans les deux cas, la résistance du générateur est conservée.
1. 8
Electronique Analogique 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
i
i
A A
D i Z
0 0 D
B B
Circuit Circuit
▪ Z 0 = Z AB D déconnecté
Sources annulées
▪ i0 = i AB
D court -circuité
Eléments de démonstration
- Détermination de i0 :
i i
A A A
i i Z i
0 0 0 0
B B B
7. Théorème de réciprocité
Ce thèorème n’est applicable qu’aux circuits (linéaires) passifs et ne comportant qu'une seule source. Si une
source, insérée dans une branche d'un réseau linéaire passif, produit un courant i dans une autre branche,
réciproquement, cette même source insérée dans cette deuxième branche produira le même courant i dans la
première branche.
Exemple :
i Z Z Z Z i
A 1 2 1 2 B
i i Z
e Z 3 e
3
Z3 Z3
Z 2 i = Z 3 (i A − i ) → i = i A ⋅ Z1i = Z3 (iB − i ) → i = iB ⋅
Z2 + Z3 Z1 + Z3
e − Z2i e − Z1i
e = Z1i A + Z2i → i A = e = Z2iB + Z1i → iB =
Z1 Z2
e − Z2 i Z3 eZ − Z2 Z3i e − Z1i Z3 eZ3 − Z1Z3i
i= ⋅ = 3 i= ⋅ =
Z1 Z2 + Z3 Z1Z2 + Z1Z3 Z2 Z1 + Z3 Z1Z2 + Z2 Z3
Z3 Z3
i = e⋅ i = e⋅
Z1Z2 + Z2 Z3 + Z1Z3 Z1Z2 + Z2 Z3 + Z1Z3
__________
1. 9
Electronique Analogique TD 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
Z Z Z
1 1 1
s2 e s e s
e Z Z Z Z Z
2 3 2 2 3
B B
(1) (2) (3)
s 2 = f (e, Z1, Z2) s = f (e, Z1, Z2, Z3) s = f (e, Z1, Z2, Z3)
s1 = f (e, Z1, Z2)
A.N : Z1 = 20 kΩ Z 2 = 10 kΩ Z 3 = 2 kΩ Z 4 = 8 kΩ e = 20 V continu
A
Z Z
1 3
e Z Z
2 v 4 v '
B
v = 4 Volts
Réponse :
v ′ = 3.2 Volts
Z i i
3 1 2
i
Z
1 Z
2
B
i2 = f (i, Z1, Z2 , Z3) et i1 = f (i, Z1, Z2 , Z3)
TD 1. 1
Electronique Analogique TD 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
N
R R
1 2
Z
V
e e
1 2
Rappel :
i i1 i2
R R R R R R
1 2 1 2 1 2
= +
e Z v e e Z v Z v e
1 2 1 1 2 2
7. Théorème de Thévenin
A l'aide du théorème de Thévenin, calculer le courant i traversant Z avec :
Z 1 = Z 2 = Z 3 = 10 Ω Z 4 = 30 Ω Z = 7 .5 Ω e = 10V continu
A
i
Z1 Z2
e
C D
Z
Z3 Z4
Rappel :
A A
Z0
i i
Z1 Z2
e T h. de Th ev e ni n
C D
e
Z Z
= 0
Z3 Z4
B B
Z3 Z2
e 0 = −e +e−e = 2 .5 V
Z3 + Z4 Z1 + Z 2
Z Z
Z 0 =" (Z 1 // Z 2 ) + (Z 3 // Z 4 )" =
Z1 Z 2
Réponse : + 3 4 = 12.5 Ω
Z1 + Z 2 Z 3 + Z 4
e0
i= = 125 mA
Z0 + Z
TD 1. 2
Electronique Analogique TD 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
8. Théorème de Thévenin
A l’aide de l’exercice 7 précédent (identifier les composants e, Z 1 , Z 2 , Z 3 , Z 4 et Z ), calculer le courant i dans la
branche AB et indiquer son sens réel :
C
10 Ω
40 Ω
5V A B
i
14 Ω
10 Ω 40 Ω
D
Rappel :
A
Z0
i
C
10 Ω
40 Ω Th . de T heven in
e
5V A B 14 Ω
i
14 Ω
= 0
10 Ω 40 Ω
D
B
Réponse : i = 100 mA
9. Théorème de Millman
Calculer la tension V aux bornes de Z en appliquant le théorème de Millman :
e e
R 1 2 Z
R R
1 2
+ +
E R E
1 3 2
- -
(on pourra prendre par exemple les sens arbitraires suivants pour les courants I 1 , I 2 ou I ' 2 , et I 3 ) :
E1 = 6 V
I
1
R
1
I'
2
R
2
I
2 E 2 = 12 V
+ +
AN : R1 = 10 Ω
E R E
1
-
3
-
2
R2 = 30 Ω
I
3 R3 = 20 Ω
TD 1. 3
Electronique Analogique TD 1. Théorèmes généraux des réseaux électriques
Z'
i
Z
Z
A e B A B
Z' Z ''
(1) (2)
ρ : Résistance
i ρ ki
1 1 k : Constante (homogène à une impédance)
R v
e k i : Source de tension commandée en courant
1
r
__________
TD 1. 4
Electronique Analogique Tutorial 1. Tutorial Circuit Maker Analogique
VA = 6.452 Volts
VB = 3.548 Volts
iAB = 2.903 mA
RAB = 500 Ω
Tutorial 1. 1
Electronique Analogique Tutorial 1. Tutorial Circuit Maker Analogique
Reference Ground
Reference au point C
Tutorial 1. 2
Electronique Analogique Tutorial 1. Tutorial Circuit Maker Analogique
Visualiser :
- Chronogrammes simultanés en A,B,C (temps 0-3ms ; tension -30/+30V)
__________
Tutorial 1. 3
Electronique Analogique TP 1. Présentation
TP 1. Présentation
0. Notation du TP
Faire examiner par le professeur en fin de séance, les différentes parties du TP.
A
Z Z
1 3
e Z Z
2 v 4 v '
B
Z 1 = 20 kΩ (Device → General → Resistors → Resistor) Z 2 = 10 kΩ Z 3 = 2 kΩ Z 4 = 8 kΩ
e = 20 V continu (Device → General → Sources → Battery)
Instrument : Simulation → Analyses Setup → Multimeter ; Masse (Device → General → Sources → Ground) en B
v = 4 Volts
Réponse :
v ′ = 3.2 Volts
A
i
Z1 Z2
e
C D
Z
Z3 Z4
Rappel :
A A
Z0
i i
Z1 Z2
e T h. de Th ev e ni n
C D
e
Z Z
= 0
Z3 Z4
B B
Z 1 = Z 2 = Z 3 = 10 Ω Z 4 = 30 Ω Z = 7 .5 Ω e = 10V continu
TP 1. 1
Electronique Analogique TP 1. Présentation
Z3 Z2
e0 = −e +e−e = 2 .5 V
Z3 + Z 4 Z1 + Z 2
C
10 Ω
40 Ω
5V A B
i
14 Ω
10 Ω 40 Ω
D
Rappel :
A
Z0
i
C
10 Ω
40 Ω Th . de T heven in
e
5V A B 14 Ω
i
14 Ω
= 0
10 Ω 40 Ω
D
B
Réponse : e0 = 3V Z 0 = 16 Ω i = 100 mA
Instrument : Simulation → Analyses Setup → Multimeter
N
R R
1 2
Z
V
e e
1 2
Rappel :
i i1 i2
R R R R R R
1 2 1 2 1 2
= +
e Z v e e Z v Z v e
1 2 1 1 2 2
R1 = 1 kΩ R2 = 10 kΩ Z = 100 Ω
TP 1. 2
Electronique Analogique TP 1. Présentation
- 2nd cas : e1 = e2 = Générateur sinusoïdal, fréquence 1 kHz, amplitude 1 Volt (Device → General → Instruments → Signal Gen)
Instrument : Simulation → Analyses Setup → Transient
Réponse : amplitude de V = 99.10 mV
TP 1. 3
Electronique Analogique TP 1. Présentation
TP 1 ANNEXE. Présentation
1. Matériel nécessaire
- Oscilloscope
- Générateur de signaux Basses Fréquences (GBF)
- Alimentation stabilisée ( 2x[ 0-30 V] _ + 1x[ 5 V] _ )
&&& &&&
- Multimètre
- Moniteur MS06 (plaquette de câblage)
- Composants : - 1 Résistance 1 kΩ
- 1 Condensateur 1 µF
- Logiciel de simulation analogique, numérique, mixte : simulateur avec un noyau (≡ moteur) XSPICE
(≈ PSPICE) autorisant une simulation analogique et numérique, alors que le noyau SPICE ne réalise que
des simulations analogiques.
2. Etude théorique
ETUDE TEMPORELLE (REGIME TRANSITOIRE)
- Etablir et résoudre les équations différentielles régissant les circuits suivants à partir de l’instant t = 0 où
l’interrupteur K est fermé.
- Donner à chaque fois l’expression de v s ( t ) et tracer l’allure du transitoire de v s ( t ) :
Charge de C Décharge de C
t=0 : C déchargé / K se ferme t=0 : C chargé à U / K se ferme
A
K R K R
E C v C v
s s
B
Figure 1 Figure 2 U = (V A − V B ) t = 0
Figure 3 Figure 4 U = (V A − V B ) t = 0
R C
v C v v R v
e s e s
Figure 5 Figure 6
TP 1. 4
Electronique Analogique TP 1. Présentation
3. Application
GBF
- Générer à partir du GBF (par la sortie analogique - la sortie numérique TTL ne délivrant qu’un
signal de forme fixe carrée et d'amplitude fixe 5 V) un signal carré de fréquence 100 Hz et
d’excursion (≡ différence entre la valeur maximale et la valeur minimale) de 1V et centré
(≡ de valeur moyenne nulle).
Visualiser ce signal à l’oscilloscope (câble BNC-BNC) en position DC puis AC. Conclusions.
- Régler maintenant la fréquence du signal précédent à 1 kHz et lui additionner, toujours à l’aide du
GBF, un offset (≡ signal continu) de 1 V. Faire les mêmes observations.
- Diviser par 10 la fréquence du signal précédent (la fréquence devient de nouveau 100 Hz) en
utilisant le bouton « ÷ 10 » du GBF. Modifier ensuite le rapport cyclique du signal.
CIRCUIT INTEGRATEUR
GBF (BNC-Banane)
T Oscilloscope (BNC-BNC)
Oscilloscope (sonde)
R
v C v
e s
Figure 7
R 10 k Ω
C 1µ F
v signal sinusoïdal : fréquence f = 10 Hz , centré, amplitude (= demi-excursion) de 5 V
e
TP 1. 5
Electronique Analogique TP 1. Présentation
4. Simulation (Montrer un rapport électronique avec étude théorique, résultats théoriques, résultats de simulation etcopies d’écran)
- Pour les circuits des figures 1 à 6 : Reprendre les études temporelle (visualiser/interpréter le chronogramme) -
Analyse TRANSIENT (oscilloscope) du logiciel de simulation - (figures 1 à 4 sans interrupteur) et fréquentielle
(visualiser/interpréter l’allure de vs en fonction de la fréquence) - Analyse AC - (figures 5 & 6) à l’aide du simulateur
après avoir saisi les montages,
avec : R = 1 kΩ, C = 1µF, E = 10 V et CI nulles (figures 1 & 3),
CI = Condensateur chargé à 5 V (figures 2 & 4).
Générateur sinusoïdal de fréquence 1 kHz, Amplitude 1 V (figure 5),
Générateur sinusoïdal de fréquence 100 Hz, Amplitude 1 V (figure 6)
__________
TP 1. 6
Electronique Analogique 2. Quadripôles
2. QUADRIPÔLES
1. Introduction
On va s’intéresser exclusivement aux quadripôles linéaires, classe de multipôles la plus souvent rencontrée.
Rappel :
Quadripôle actif : Il peut fournir de l'énergie de façon permanente.
≠ Quadripôle passif : Un quadripôle passif ne comporte pas de source d’énergie, il ne contient que des
composants passifs (Ex. : R, L, C ...).
Quadripôle linéaire : Les valeurs des éléments qui le composent sont constantes (éléments passifs, sources
autonomes, coefficients des sources commandées) c'est à dire indépendantes des
tensions ou courants qui leur sont appliqués. (Pas de saturation ...)
Une convention de signe est nécessaire pour normaliser les calculs indépendamment des sens réels des tensions et
courants. 3 conventions de signe sont rencontrées :
Convention Transmetteur:
i i
1 2
Convention Récepteur :
i i
1 2
Convention Générateur:
i i
1 2
2. Grandeurs caractéristiques
2.1. Impédances d’entrée et de sortie
- Impédance d'entrée Z e :
C'est l'impédance équivalente à l'entrée du quadripôle, lorsqu’il débite sur une charge ZL :
i1
v1 Ze Q ZL
V
Ze = 1
I1
i1 Q
Exemple : Circuit RC
R
v1 C
1
ZL ⋅
V1 1 jCω
Ze = =" R + // Z L " = R +
I1 jCω ZL +
1
jCω
V1 1
Cas particulier : Sortie du Quadripôle à vide ( Z L = ∞): Z e∞ = = R+
I 1 I jCω
2 =0
2. 1
Electronique Analogique 2. Quadripôles
- Impédance de sortie Zs :
C'est l'impédance interne du générateur e0 de Thévenin (ou Norton) équivalente à la sortie du quadripôle
V
lorsqu’il est excité par un générateur eg d’impédance interne Z g : Z s = 2
I 2 eg =0 ( e g en court − circuit )
i1 i2
Q
Zg Zs
eg e0 v2
Q
Exemple : Circuit RC
R
C
1
(R + Z )⋅
jCω
g
Z s =" (R + Z g ) //
1
"=
jCω 1
R+Zg +
jCω
On a aussi l’expression suivante, pour l’impédance de sortie Zs :
Vs∞ Q
Zs = Zg Zs
I s cc eg e0 vs ∞ V s ∞ = E0
Expérimentalement pour déterminer Zs , on peut aussi exciter par la sortie avec un générateur externe e d’impédance interne Z0 :
i
2
V Zg Zs Z0
Zs = 2 v
I 2 ( à entree en court − circuit ) Q 2 e
V
- Impédance d'entrée à sortie en court-circuit ( Z L = 0) : Z e cc = 1
I 1 V 2 =0
- Impédance de sortie à entrée ouverte (excitée par une source de courant (idéale) Z g infinie) : V V
Z s∞ = 2 = 2
I 2 eg = 0 ,Z g =∞ I 2 I 1 =0
V
- Impédance de sortie à entrée en court-circuit (excitée par une source de tension (idéale) Z g = 0) : Z s cc = 2
I 2 eg = 0 , Z g = 0
2. 2
Electronique Analogique 2. Quadripôles
Z
Q Z
Z Q Z im1 im2
im1 im2 eg e0
v Z Q Z
it1 it1
1
Z
Q Z
it2 it2
eg e0 v
2
Z it 1 = Z e cc . Z e ∞ (1) Z it 2 = Z s cc . Z s ∞ (2)
Démonstration de (1) :
i i
1 2
Ze Q ZL
v
1 v
V
Ze = 1
2
Par définition :
I 1 Charge Z
L
V T V + T 12 I 2
En utilisant les paramètres Transmittance (cf. 2.6.), on a : Z e = 1 = 11 2
I 1 T 21V 2 + T 22 I 2
T − T 11 Z L
et du fait que : V 2 = −Z L I 2 on a : Z e = 12 (3)
T 22 − T 21 Z L
T − T 11 Z it 1
Par définition : Z it 1 = ( Z e )Charge Z d’où (3) → Z it 1 = 12 (4)
L = Z it 1
T 22 − T 21 Z it 1
T 21 Z it 1 − (T 11 + T 22 ) Z it 1 + T 12 = 0
2
et (4) →
T 12 T 12 T 22 T 12 T 11
T 11 = − T 22 Z it1 = − = ⋅− = ⋅
2
Q symétrique (cf. 2.6.) → →
T 21 T 22 T 21 T 22 T 21
V T 12 V T 11
Du fait que : Z e cc = 1 = et que : Z e∞ = 1 =
I1 V T 22 I1 I T 21
2 =0 2 =0
Z it 1 = Z e cc ⋅ Z e ∞ Z it 1 = Z e cc . Z e ∞
2
on a finalement : →
2. 3
Electronique Analogique 2. Quadripôles
Z e cc = Z s cc et :
Z e∞ = Z s∞
( Q passif) (Q symetrique)
Les impédances images d’entrée et de sortie sont donc identiques et sont équivalentes aux impédances itératives d’entrée et de sortie. Toutes
ces impédances ont alors une valeur commune appelée impédance caractéristique du quadripôle et notée Zc :
Z c = Z im1 = Z im2 = Z it 1 = Z it 2
On montre que : Z c = Z e cc . Z e ∞
2.6. Paramètres
La structure quadripôle :
i i
1 2
v
1
Q v
2
V 1 = Z 11 I 1 + Z 12 I 2
peut être mise en équations, par exemple avec les paramètres Impédance :
V 2 = Z 21 I 1 + Z 22 I 2
I Z Z I
1 11 22 2
V1 V
Z 12 I 2 Z 21 I 1 2
Dipôle D Q D Z0
e0 e 0 = Z 12 I 2
Z 0 = Z 11
B B
Q
- dipôle de sortie :
I1 A
A
Z0 D e 0 = Z 21 I 1
Q D e0
B B Z 0 = Z 22
Q
(La démonstration est identique (utilisant en plus le th. de Norton) pour les autres modèles de paramètres).
Attention :
Un quadripôle est ainsi modélisé par 2 dipôles couplés. Ce couplage se traduit par l’intermédiaire des
générateurs :
Z 11 Z 22
Z I Z I
12 2 21 1
2. 4
Electronique Analogique 2. Quadripôles
Comme le modèle à base de générateur de Thévenin et des impédances d’entrée et de sortie, les paramètres caractérisent
complètement le Quadripôle. Les grandeurs v1 , v2 , i1 et i2 sont liées par des relations linéaires (Quadripôles linéaires).
Il existe 6 possiblités d'exprimer 2 de ces grandeurs en fonction des 2 autres :
Paramètres Equations Calcul Q passif Q symétrique
(notées aussi matriciellement)
V 1 = Z 11 I 1 + Z 12 I 2 V
Z 11 = 1 Z 12 = Z 21 Z 11 = Z 22
Impédance V 2 = Z 21 I 1 + Z 22 I 2 I1 I
2 =0
et Z 12 = Z 21
En notation matricielle : V
Z 22 = 2
V = ZI I2 I
1 =0
Hybride V 1 = H 11 I 1 + H 12 V 2 V H 11 H 22 − H 12 H 21 = 1
H 11 = 1 etc ... H 12 = − H 21
I 2 = H 21 I 1 + H 22 V 2 I1 V et H 12 = − H 21
2 =0
Hybride I = H ′ 11V + H ′ 12 I I ′ ′ ′ ′
inverse 1 1 2 H ′ 11 = 1 etc ... ′ ′
H 11 H 22 −H 12 H 21 =1
V 1 I H = −H
V 2 = H ′ 21V 1 + H ′ 22 I 2
12 21
2 =0 ′ ′
et H 12 = −H 21
Transmittance V = T V + T I V T 11 = −T 22 et
T 11 = 2
2 11 1 12 1
etc ... T 11 T 22 − T 12 T 21 = −1 T 11 T 22 − T 12 T 21 = −1
I 2 = T 21V 1 + T 22 I 1 V1 I 1 =0
′ V 1
T = 1 = ′ ′
= −T 22
11
I 2 =0 AV 0 T ′11 T ′ 22 − T ′12 T ′ 21 = −1 T et
V = T ′11V + T ′12 I V 2 11
Transmittance
1 ′ ′ ′ ′
Inverse
2 2
AV0 Gain en tension à vide T 11 T 22 − T 12 T 21 = −1
I 1 = T ′ 21V 2 + T ′ 22 I 2 ′ I 1
T 22 = 1 =
I2 V 2 =0 Ai
Ai Gain en courant à
sortie en court-circuit
etc...
Remarque : Le modèle paramétrique obtenu avec les impédances d’entrée et de sortie est une variante du modèle
fourni par les paramètres impédance (on a : Z 11 ≡ Z e∞ ) :
i i
1 2 i Z 22 i
1 Z 11 Q 2
Ze Zs
v e0 v
1 2 v Z I Z I v
1 12 2 21 1 2
Q
Impédances d'entrée et de sortie Paramètres Impédance
v v1
Ze = 1 Z11 =
i1 i1 i2 = 0
2. 5
Electronique Analogique 2. Quadripôles
I1 Z 11 Z 22 I2
V1 V
Z 12 I 2 Z 21 I 1 2
V 1 = Z 11 I 1 + Z 12 I 2
d’où :
V 2 = Z 21 I 1 + Z 22 I 2
- Paramètres Hybrides :
V V I I
H 11 = 1 Impédance H 12 = 1 (Gain en tension)-1 H 21 = 2 Gain en courant H 22 = 2 Admittance
I 1 V V 2 I I 1 V V 2 I
2 =0 1 =0 2 =0 1 =0
I1 H 11 I2
V V
1
H 12V 2 H 2
V 1 = H 11 I 1 + H 12 V 2
H 21 I 1 22
d’où :
I 2 = H 21 I 1 + H 22 V 2
- Paramètres Hybrides inverses :
I I V V
H ′ 11 = 1 Admittance H ′ 12 = 1 (Gain en courant)-1 H ′ 21 = 2 Gain en tension H ′ 22 = 2 Impédance
V 1 I I 2 V V1 I I 2 V
2 =0 1=0 2 =0 1 =0
I1 H'22 I2
V H'11
I = H ′ 11V + H ′ 12 I
1 H'12 I 2 V
H'21V 1 2
1 1 2
d’où :
V 2 = H ′ 21V 1 + H ′ 22 I 2
- Paramètres Admittances :
I I I I
Y 11 = 1 Admittance Y 12 = 1 Admittance Y 21 = 2 Admittance Y 22 = 2 Admittance
V 1 V V 2 V V 1 V V 2 V
2 =0 1 =0 2 =0 1=0
I1 I2
V Y11 Y V Y22 V2
1 12 2 Y21V 1
I 1 = Y 11V 1 + Y 12 V 2
d’où :
I 2 = Y 21V 1 + Y 22 V 2
- etc ...
2. 6
Electronique Analogique 2. Quadripôles
Démonstrations :
• Relation Z 12 = Z 21 pour un quadripôle passif : (démos. identiques pour les autres groupes de paramètres)
V1 V2
Z I Z I
V 2 = Z 21 I 1 + Z 22 I 2
on peut aussi écrire les équations amenant à un schéma découplé :
I 1 Z 11 - Z 12 Z 22 - Z 12 ( Z 21 - Z 12 ) I 1 I2
V1 Z V
12 2
V 1 = ( Z 11 − Z 12 ) I 1 + Z 12 ( I 1 + I 2 ) → I 1+ I 2
V 2 = ( Z 22 − Z 12 ) I 2 + Z 12 ( I 1 + I 2 ) + ( Z 21 − Z 12 ) I 1
Q étant passif, son schéma équivalent (découplé) ne doit pas posséder de générateur; la seule façon
d’annuler le générateur est de faire : Z 12 = Z 21
V 1 V
= 2
I 2 V I1 V
2 =0 1 =0
V 1 V 1 I Z − Z 11 Z 22 + Z 12 Z 21
Calcul de : = Z 11 1 + Z 12 = Z 11 − 22 + Z 12 =
I 2 V I 2 V 2 =0 I 2 V 2 =0 Z 21 Z 21
2 =0
V 2 V 2 I Z − Z 11 Z 22 + Z 12 Z 21
Calcul de : = Z 22 2 + Z 21 = Z 22 − 11 + Z 21 =
I 1 V I 1 V I 1 V Z 12 Z 12
1 =0 1 =0 1 =0
→ Z 12 = Z 21
• Relations Z 11 = Z 22 et Z 12 = Z 21 pour un quadripôle symétrique: (démo. identique avec les autres types de params.)
Le comportement d’un quadripôle Q symétrique est invariant si on permute V 1 ↔ V 2 et I 1 ↔ I 2 :
les équations initiales V 1 = Z 11 I 1 + Z 12 I 2 deviennent après permutation de V 1 en V 2 et de I 1 en I 2 :
V 2 = Z 21 I 1 + Z 22 I 2
V 2 = Z 11 I 2 + Z 12 I 1 soit : V 1 = Z 22 I 1 + Z 21 I 2
V 1 = Z 21 I 2 + Z 22 I 1 V 2 = Z 12 I 1 + Z 11 I 2
On a donc : Z 11 = Z 22 ainsi que : Z 12 = Z 21
2. 7
Electronique Analogique 2. Quadripôles
v1 C v2 V1 Q V2
V 1 = Z 11 I 1 + Z 12 I 2
V1
V 2 = Z 21 I 1 + Z 22 I 2
V
Z 12 I 2 Z 21 I 1 2
V 1
Z 11 = 1 = R+ : Impédance d'entrée à sortie ouverte du Quadripôle.
I1 I jCω
2 =0
V 1 1
Z 12 = 1 = car : V1 =V2 = I2
I2 I jCω jCω
1 =0
V 1
Z 22 = 2 = : Impédance de sortie à entrée ouverte du Quadripôle.
I2 I jCω
1 =0
V 1 = H 11 I 1 + H 12 V 2
I 2 = H 21 I 1 + H 22 V 2
V V
1
H 12V 2 H 2
H 21 I 1 22
I2
(Le générateur de courant est orienté vers le bas car H 21 = avec I 2 et I 1 de signe ≠).
I1
V
H 11 = 1 =R : Impédance.
I1 V
2 =0
V
H 12 = 1 =1 : (Gain en tension)-1 = 1 car V1 =V2 (si I 1 = 0 ).
V 2 I
1 =0
I1 R
I I2
H 21 = 2 = −1 : Gain en courant = -1 car I 2 = −I1 :
I1 V
2 =0
I
H 22 = 2 = jCω : Admittance.
V 2 I
1 =0
V Y11 Y V Y22 V2
1 12 2 Y21V 1
2. 8
Electronique Analogique 2. Quadripôles
3. Quadripôles passifs
3 paramètres suffisent à caractériser un quadripôle passif.
Par exemple, en utilisant les paramètres impédances, les 3 paramètres : Z 11 , Z 12 , Z 22 suffisent à caractériser
le quadripôle car Z 21 = Z 12 .
Z M = Z 21 = Z 12
V 1 = Z 11 I 1 + Z 12 I 2
Ainsi avec les paramètres impédances : et en posant : Z E = Z 11 − Z 12
V 2 = Z 12 I 1 + Z 22 I 2 Z S = Z 22 − Z 12
on a le schéma en T du quadripôle :
ZE ZS
E S
Z
M
M
Démonstration :
I1 Z 11 Z 22 I2
V
1
Z I Z I V2
12 2 21 1
- Représentation initiale du quadripôle :
- Transformons les générateurs de tension en générateurs de courant (par l’équivalence Norton - Thévenin)
après avoir effectué une mise en forme de l’impédance interne :
Z Z Z -Z Z -Z
2 1 2 1 2 1
I Z
Z I Z I 1
1 1
On a le schéma en Π (encore appelé triangle), équivalent au schéma en T (encore appelé étoile) précédent :
ZES
E S
Z EM Z SM
M
2. 9
Electronique Analogique 2. Quadripôles
Théorème de Kennely
Soit Z = Z ES + Z SM + Z EM
Calculons les impédances d’entrée (à sortie ouverte) Zi , de sortie (à entrée ouverte) Z 0 , ainsi que
l’impédance entre les bornes E et S notée Z u , pour chacun des 2 circuits.
Chacune d’elles doit être la même pour les 2 circuits, ce qui donne :
Z EM ⋅ ( Z ES + Z SM ) Z ES ⋅ Z EM
Z i = Z E + Z M = Z EM / / ( Z ES + Z SM ) = (1) Z E = (4)
Z Z
Z SM ⋅ ( Z ES + Z EM ) Z ES ⋅ Z SM
Z 0 = Z S + Z M = Z SM / / ( Z ES + Z EM ) = ( 2) → Z S = (5)
Z Z
Z ES ⋅ ( Z EM + Z SM ) Z EM ⋅ Z SM
Z u = Z E + Z S = Z ES / / ( Z EM + Z SM ) = (3) Z M = (6)
Z Z
ZE ⋅ ZS + ZS ⋅ Z M + ZE ⋅ Z M
Z ES = ZM
(8)
Z ES ⋅ Z SM ⋅ Z EM Z ⋅ Z + ZS ⋅Z M + ZE ⋅Z M
ZE ⋅ Z M + Z M ⋅ ZS + ZS ⋅ ZE = ( 7) → Z SM = E S ( 9)
Z Z E
ZE ⋅ZS + ZS ⋅ Z M + ZE ⋅ Z M
Z EM = (10)
ZS
( 7) / ( 6) → (8)
car
( 7) / ( 4) → ( 9)
( 7) / (5) → (10)
2. 10
Electronique Analogique 2. Quadripôles
4. Association de Quadripôles
- En parallèle :
Q' et Q'' sont soumis aux mêmes tensions d'entrée et de sortie → utilisation des paramètres admittances Y
I1 I' 1 I' 2 I2
I1 I2
V1 V' 1 Q' V' 2 V2
V 1 Q V2
I'' 1 I'' 2
I = Y ′ + Y ″ V + Y ′ + Y ″ V = Y V + Y V
1 11 11
1 12 12
2 11 1 12 2
d'où :
I 2 = Y ′ 21 + Y ″ 21 V 1 + Y ′ 22 + Y ″ 22 V 2 = Y 21V 1 + Y 22 V 2
n
Lorsque n quadripôles sont montés en parallèle, leurs paramètres admittances s'ajoutent : Y = ∑ Y ( k ) pour
k =1
représenter les paramètres admittance du quadripôle équivalent à la mise en parallèle des n quadripôles.
- En série :
Q' et Q'' sont traversés par les mêmes courants d'entrée et de sortie → utilisation des paramètres impédances Z
I I' I' I
1 1 2 2
I1 I2
V' Q' V'
1 I' 1 2
V 1 Q V2
V
1 V
I'' I'' 2
1 2
V ′ 1 Z ′ 11 ′ I ′1 V ″ 1 Z ″ 11 ″ I ″ 1
Z Z
Q′: = Q ′′ : =
12 12
En notations matricielles, on a :
V ′ Z ′ 21 ′ ′
Z 22 I 2 V ″ Z ″ 21 ″ ″
Z 22 I 2
2 2
′ ″ ′ ″
V1 =V 1 +V 1 V2 =V 2 +V 2
D’autre part :
′ ″ ′ ″
I1 = I 1 =I 1 I2 = I 2 = I 2
′ ″ Z ′ 12 + Z ″ 12
V 1 Z 11 + Z 11 I 1 Z 11 Z 12 I 1
→ = =
V 2 Z ′ 21 + Z ″ 21 Z ′ 22 + Z ″ 22 I 2 Z
21 Z 22 I 2
n
Pour n quadripôles montés en série, les paramètres impédances s'ajoutent : Z = ∑ Z ( k ) pour
k =1
représenter les paramètres impédances du quadripôle équivalent à la mise en série des n quadripôles.
2. 11
Electronique Analogique 2. Quadripôles
- En cascade :
Les grandeurs de sortie de Q' sont les grandeurs d’entrée de Q''
→ utilisation des paramètres transmittances T
I I' I' I'' I'' I I1 I2
1 1 2 1 2 2
I = I ′1 I ′ 2 = − I ″ 1 I ″ 2 = I
1 2
V 1 = V ′ 1 V ′ 2 = V ″ 1 V ″ 2 = V 2
V ′ 1 T ′ 11 ′ V ′ 2 V ′ 1 V ′ 2
T
Q′: =
12
noté plus simplement : Q′ : = T′
I ′ T ′ 21 ′ ′
T 22 I 2 I ′ I ′
1 1 2
V ′ 1 T ′ 11 ′ V ′ 2 V ′ 1 V ′ 2
−T
Q′: = Q ′ : = T0′
12
On a aussi : noté :
I ′ T ′ 21 ′ ′
− T 22 − I 2 I ′ − I ′
1 1 2
V 1 V ″ 1
d’où : I = T ′
I ″
0
1 1
V ″ 1 V ″ 2
= T ′′ 2
V
Q ′′ : = T ′′
I ″ I ″ I 2
1 2
V 1 V 2 ∆ V 2
d'où : I = T0′ T ′′ I = T I avec : T = T0′ T ′′
1 2 2
n −1
Pour n quadripôles en cascade, les paramètres transmittances se multiplient matriciellement: T = ∏ T0( k ) ⋅ T ( n )
k =1
pour représenter les paramètres transmittances du quadripôle équivalent à la mise en cascade des n quadripôles.
__________
2. 12
Electronique Analogique TD 2. Quadripôles
TD 2. QUADRIPÔLES
1. Paramètres d’un Quadripôle
1. Déterminer les paramètres Transmittances T du Quadripôle suivant : (Facultatif : donner le schéma électrique équivalent)
Z I2
R
I
1
V ZC V2
1
2. Déterminer les paramètres Impédances Z du Quadripôle (Facultatif : donner le schéma électrique équivalent)
3. Déterminer les paramètres Hybrides H du Quadripôle (Facultatif : donner le schéma électrique équivalent)
4. Déterminer son Impédance d’entrée (à sortie ouverte) Z e∞ et son Impédance de sortie (à entrée en court-circuit) Z s cc
(Facultatif : donner le schéma électrique équivalent)
Rappel :
Zg Q
eg ZL
Réponses :
1 − ZR
T11 T12
T = =
1. Paramètres Transmittances T :
T
21 T 22
1 − ( Z R + Z C )
ZC ZC
Z + ZC ZC
Z 11 Z 12 R
2. Paramètres Impédances Z : Z = =
Z 21 Z 22 Z Z
C C
ZR 1
H 11 H 12
3. Paramètres Hybrides H : H = =
H
21 H 22
1
−1 Z
C
V1 V2 Z R ZC
Z e∞ = = Z R + ZC Z scc = =" Z R // Z C " =
I1 I 2 =0
I2 e g = 0, Z g = 0
Z R + ZC
R0
e0
TD 2. 1
Electronique Analogique TD 2. Quadripôles
Le signal amplifié est destiné à exciter un Haut-Parleur (HP) d'impédance R = 10 Ω (uniquement résistive en
1ère approximation).
a) Si l'on relie directement cellule et HP, quelle est la puissance électrique fournie au HP ?
b) Pour amplifier ce signal avant l'attaque du HP, on dispose de 2 types d'amplificateurs :
Type 1 :
- Impédance d'entrée : Ze1 = 1 MΩ
- Gain en tension : AV 01 = 50 (à vide)
- Impédance de sortie (≡ impédance interne) : Z s1 = 5 kΩ
Zs
1
e1 Ze AV e e2
1 0 1
1
Type 2 :
- Impédance d'entrée : Ze2 = 1 MΩ
- Gain en tension :AV 02 = 1 (à vide)
- Impédance de sortie : Z s2 = 10 Ω
b1) - Déterminer les gains en tension en charge AVc1 et AVc2 des deux amplificateurs,
chargés par le Haut-Parleur.
b2) - Déterminer le gain en tension en charge AVc′ 1 de l'amplificateur 1 chargé par
l’amplificateur 1 ou 2 (adaptation d'impédance).
b3) - On dispose de plusieurs amplificateurs de type 1 et d'un amplificateur de type 2.
Déterminer combien d'amplificateurs 1 sont nécessaires pour obtenir, avec
l'amplificateur 2 en cascade après ces amplificateurs, une puissance de 10 W sur le HP.
TD 2. 2
Electronique Analogique TD 2. Quadripôles
TD 2 ANNEXE. QUADRIPÔLES
1. Adaptation de puissance
Soit le montage mettant en oeuvre un « Quadripôle » générateur et un « Quadripôle » récepteur :
( Z g : impédance de sortie du Quadripôle générateur. Z u : impédance d’entrée du Quadripôle récepteur.)
i
Z : impédance du générateur
g Z
g
Z : impédance de charge e
u g u Z
u
Générateur Charge
- Déterminer les conditions pour que le générateur fournisse le maximum de puissance à la charge Z u .
2. Adaptation d’impédance
On insère entre la charge Z u et le générateur, un Quadripôle Q :
Zg
eg Q
Zu
Générateur
3. Ligne à retard
Une ligne à retard est un quadripôle QR dont les valeurs instantanées des grandeurs d'entrée et de sortie vérifient:
i1 i2
v1 QR v2
v 2 (t ) = v1 ( t − τ )
(τ : temps de retard)
i 2 (t ) = i1 (t − τ )
__________
TD 2. 3
Electronique Analogique TP 2. Théorèmes généraux des réseaux électriques - Quadripôles
a) Méthode de substitution
Principe :
2 multipôles placés dans les mêmes conditions de fonctionnement peuvent être
considérés comme identiques du point de vue électrique si les différences de
potentiel (ddp) à leurs bornes sont identiques.
Expérimentalement :
Générateur
Dipôle Ze Q Dipôle P
Actif u Actif v
Quadripôl
e
Le symbole
P signifie :
P ou mieux :
P
(1) (2)
((2) est conseillé car il y a court-circuit du reliquat de résistance de P inutilisée pour
éliminer le bruit amené par phénomène d'antenne)
Expérimentalement :
Générateur
P
Dipôle Actif Ze Q
u v
Quadripôle
- Mesurer u et v
- Régler le potentiomètre P de façon à obtenir v = u/2
- Mesurer la valeur de P, égale à la résistance d’entrée du quadripôle Q.
TP 2. 1
Electronique Analogique TP 2. Théorèmes généraux des réseaux électriques - Quadripôles
Remarques :
- Cette méthode peut être adaptée à la mesure d’impédances d’entrée.
- Dans le cas d’un quadripôle non linéaire, la présence du potentiomètre dans la
boucle d’entrée modifie les conditions de fonctionnement du quadripôle et par là-
même le point de fonctionnement en entrée. La résistance mesurée peut alors être
différente de celle du point de fonctionnement réel.
- Dans le cas où la résistance d’entrée à mesurer est très grande, l’introduction de
l’appareil de mesure dans le circuit peut influer sur la mesure.
Expérimentalement :
I
Générateur
P
Dipôle Actif
Q
u v Ze v'
Quadripôle
linéaire
Remarques :
- Un quadripôle est souvent caractérisé par une résistance d’entrée élevée et une
résistance de sortie faible. L’introduction d’un appareil de mesure en sortie du
quadripôle ne modifie alors que de façon négligeable la valeur de la ddp réelle.
- Le quadripôle doit nécessairement être linéaire.
- Méthode adaptée à la mesure d’impédances d’entrée.
TP 2. 2
Electronique Analogique TP 2. Théorèmes généraux des réseaux électriques - Quadripôles
2. Etude théorique
Soit le quadripôle Q de la figure 3 :
10 k
i1 R1 i2
v1 R2 v2
10 k
figure 3
Z 11 Z 12
Z=
Z 22
0. Calculer ses paramètres Impédances :
Z 21
V1
1. Calculer son Impédance d’entrée à vide : Z e∞ =
I 1 I
2 =0
R1 R2
A B
u
R3 R4
figure 1
R1 = R4 = 10 kΩ , R2 = R3 = 20 kΩ
Etude théorique - Corrigé :
R0
R1 R2 A
A B
=
u e0
R3 R4
10 Volts
B
Générateur de Thévenin R3 R4 → e0 = 3.33Volts
e0 = V A − V B = u− u
R1 + R3 R 2 + R4
R1 R2
A B
R3 R4
R0 = R AB u annulee
= (R1 // R3 ) + (R2 // R4 ) → R0 = 13.33 kΩ
TP 2. 3
Electronique Analogique TP 2. Théorèmes généraux des réseaux électriques - Quadripôles
10 k
i1 R1 i2
v1 R2 v2
10 k
figure 3
Mesurer sa résistance d’entrée Re (Quadripôle à sortie à vide) par la méthode b) (méthode de la tension moitié
∞
Générateur
P
10 V u v = u/2 Qu ad ripôle
Régler la résistance P telle que : v = u/2 = 5 Volts → Re (résistance d’entrée du Quadripôle) = P → Re = 20kΩ
R1 R2
A B
u
R3 R4
figure 1
R1 = R4 = 10 kΩ , R2 = R3 = 20 kΩ u = 10 Volts Continu
Comparer à la théorie les paramètres mesurés e0 et R0 du modèle de Thévenin équivalent au dipôle de bornes AB.
Réponse :
R1R3 RR
▪ R0 = " R1 // R3 " + " R2 // R4 " = + 2 4 = 13.3 kΩ
R1 + R3 R2 + R4
R3 R4
▪ e0 = u −u = 3 .3 V
R3 + R4 R3 + R4
TP 2. 4
Electronique Analogique TP 2. Théorèmes généraux des réseaux électriques - Quadripôles
2. Notation du TP
Faire valider par le professeur en fin de séance, l’ensemble étude théorique et compte-rendu de manipulation.
3. Etude théorique
3.1. Théorème de Thévenin
Soit le schéma de la figure 1. Etablir le modèle de Thévenin équivalent au dipôle de bornes AB.
R1 R2
A B
u
R3 R4
figure 1
1) ( R1 = R2 ) ≠ ( R3 = R4 )
2) ( R1 = R4 ) ≠ ( R2 = R3 )
3.2. Théorème de superposition
Soit le schéma de la figure 2. Calculer la valeur de l’intensité du courant i.
R R
1 2
R
u 3 u
1 2
figure 2
1) R1 , R2 , R3 , u1 , u2 quelconques
2) R1 = R2 , R3 quelconque , u1 = u2
3.3. Quadripôles
Dans les 3 cas suivants, calculer la matrice impédance. En déduire à chaque fois l’expression de la
Fonction de Transfert H = S / E à vide.
Donner pour les montages des figures 3, 4 et 5, les expressions de Z e ( jω ) , Z s ( jω ) et H ( jω ) .
(1) (2) (3)
ie R is ie R is ie C is
1
e R s e C s e s
2 R
TP 2. 5
Electronique Analogique TP 2. Théorèmes généraux des réseaux électriques - Quadripôles
4. Etude expérimentale
4.1. Théorème de Thévenin
Câbler le montage de la figure 1 et déterminer expérimentalement les paramètres e0 et R0 du
modèle de Thévenin lorsque u = 10 v continu issu de l’alimentation stabilisée. Comparer à la
théorie. Vérifier la valeur de e0 à l’aide du simulateur avec :
R1 = R4 = 10 kΩ , R2 = R3 = 20 kΩ
Etude théorique - Corrigé :
R0
R1 R2 A
A B
=
u e0
R3 R4
10 Volts
B
Générateur de Thévenin
R1 R2
A B
R3 R4
R0 = R AB u annulee
= (R1 // R3 ) + (R2 // R4 ) R0 = 13.33 kΩ General → Instruments → Multimeter
R3 R4 → e0 = 3.33Volts
e0 = V A − V B = u− u
R1 + R3 R 2 + R4
R1 R2 R1 R2 R1 R2
R3 = R3 R3
u1 u2 u1 + u2
i i1 i2
i1 =
u1
⋅
(R2 // R3 ) i1 = 250 µA i2 =
u2
⋅
(R1 // R3 ) i2 = 250 µA i = i1 + i2 i = 500 µA
R3 (R2 // R3 ) + R1 R3 (R1 // R3 ) + R2
4.3. Quadripôles
Câbler le montage de la figure 3 (figures 4 et 5 facultatifs) avec R1 = R2 = 10 kΩ (R = 1 kΩ, C = 1 µF).
- Mesurer la résistance d’entrée Re1 (Quadripôle à vide) par la méthode b) (prendre un générateur continu 10
Volts pour générateur)
Etude théorique - Corrigé :
Générateur
P
u v=u/2 Quadripôle
- (facultatif) Mesurer la résistance de sortie Rs1 (Quadripôle attaqué par un générateur idéal de tension v1).
- (facultatif) :
Pour les circuits des figures 3, 4, 5, mesurer la Fonction de Transfert à vide H1.
Comparer les résultats à la théorie.
Le quadripôle sera alimenté par une source de tension continue de valeur 10 v par exemple.
A l’aide du simulateur, tracer les réponses en fréquence (rapport s/e en fonction de de la fréquence f du signal d’entrée
sinusoïdal, Amplitude 1 V) des circuits des figures 3, 4 et 5.
__________
TP 2. 6
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
3. SEMI-CONDUCTEURS. DIODE
SEMI-CONDUCTEURS - DIODE
Un semi-conducteur est un matériau dont on peut contrôler la conduction électrique (diode) ou l’amplification
(transistor). Ce contrôle peut être statique (une fois pour toutes) par dopage (diode) ou dynamique, par un courant
circulant dans une des broches du composant (transistor).
La diode est un interrupteur commandé en tension (équivalent d’un relais électromagnétique). C’est un composant
passif non linéaire.
1. Jonction P-N
E0
V0
IM
Is
-
e mobiles majoritaires
Trous mobiles majoritaires
_ _ _ _ + + + + Ions + fixes
Paire e - - trou
Ions - fixes _ _ _ _ + + + +
-
Paire e - trou
_ _ _ _ + + + +
Semi-conducteur P Semi-conducteur N
Zone de transition
- Dans la zone de contact, les e - mobiles du semi-conducteur N vont combler les trous (≡ absences d' e -) du semi-
r
conducteur de type P → il naît à la jonction un champ E 0 dû aux ions fixes de chaque côté de la zone de
contact et qui tend à maintenir les porteurs majoritaires dans leur région respective.
r
- A ce champ E 0 correspond une ddp V0 appelée barrière de potentiel.
r
- Si ce champ E 0 maintient les porteurs majoritaires dans leurs zones respectives, il n'interdit pas le passage des
porteurs minoritaires, donnant naissance à un courant très faible I S appelé courant de saturation.
A ce courant s'oppose celui ( I M ) des porteurs majoritaires ayant une énergie suffisante pour franchir la
barrière de potentiel → la conservation de l'énergie est respectée (Sans énergie extérieure, le courant global doit être nul).
qV0 qV0
Courant dû aux porteurs majoritaires I M = I 0 ⋅ e = kT
Courant dû aux porteurs minoritaires I S = I0 ⋅ e kT
3. 1
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
La barrière de potentiel V0 est diminuée : V0 → V0 − V par une source de tension continue V extérieure.
Plus la tension V appliquée croît, plus la barrière de potentiel est diminuée et plus le courant croît.
+ -
I
D
V
V0
ID P N
IM V
Is
IS : Le courant dû aux porteurs minoritaires, indépendant de la hauteur de la barrière de potentiel reste égal à IS:
qV0
I S = I 0 ⋅ e kT I S ≅ C te qui dépend du cristal semi-conducteur et de son dopage
[ I S de l’ordre de 1 pA (10-12 A) ].
q
(V0 −V ) −
qV
IM : Le courant dû aux porteurs majoritaires devient : I0 ⋅ e kT
= Is ⋅ e kT
− qV − qV
I D = I M − I s = I s ⋅ e kT
− 1 I D = I s ⋅ e kT − 1
−q
Soit λ =
kT
λ ≅ 40 à T = 300 K (27° C) → I D = I s ⋅ e 40V − 1 [ ]
−q
Dès que V > 0.1 Volt e 40V >> 1 → I D ≅ I s ⋅ e λV avec λ=
kT
1.2. Jonction P-N polarisée en Inverse
Polarisation en Inverse ≡ P au - de l'alimentation et N au + de l'alim. (correspond au cas Direct avec V < 0)
La barrière de potentiel est accrue : V0 → V0 + V (V > 0)
Il n’existe alors pratiquement aucun courant.
- +
I
I
V
V0
II P N
I
IM S
Is V
q
(V0 +V ) qV
IS : Courant des porteurs minoritaires; IM : Courant des porteurs majoritaires : I M = I0 ⋅ e kT
= I s ⋅ e kT
qV
qV
Courant total : I I = I s − I M = I s ⋅ 1 − e kT I I = I s ⋅ 1 − e kT
Dès que V > 0.1 Volt e −40V
<< 1 → II ≅ Is
3. 2
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
+ -
V
I P N -I
S
La jonction P-N est généralement modélisée par un schéma équivalent faisant intervenir un générateur (f.c.e.m)
E0 et une résistance r. Un schéma équivalent plus sophistiqué peut en plus faire intervenir un condensateur pour
caractériser la capacité de la jonction.
Température et lumière influent sur la caractéristique d’une jonction. Par exemple, la température intervient à
−q
travers le paramètre λ= : si T ↑ alors λ ↑ :
kT
ID
T > T2 T
1 2
V V
E0 Résistance dynamique r = pente de la droite d’approximation de
I D V >E 0
Symbole
Anode Cathode
P N
I
D
V
V
−q
ID ≅ Is ⋅e kT
avec I s ≅ 1 pA ( I s fonction du type de cristal semi-conducteur et du dopage).
3. 3
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
I
I
→ I I ≅ I F ≅ 1 nA
Claquage de la jonction
i
30 mA Hyperbole de puissance maximale
p = vi = pmax
20 mA
i=ID
10 mA
- 200 i = - II i
0 v (Volts)
-1 nA
0.5 1
v
Seuil (0.6 Volt)
Avalanche
Claquage de la jonction
L’effet d’avalanche détruit la jonction car la puissance traversant la diode est trop importante.
Avalanche :
Une tension inverse élevée implique une barrière de potentiel élevée :
Les porteurs minoritaires franchissant cette barrière acquièrent une énergie importante leur permettant
d’ioniser les atomes de Silicium au voisinage de la jonction, créant ainsi de nombreux porteurs minoritaires
franchissant à leur tour la jonction etc ...
La diode est un composant non linéaire (relation non lin. entre v et i) sauf par morceaux (après approximation).
3. 4
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
v
0
v
0 E0
i E0
v
0 E0
i r E0
Contrairement aux composants linéaires déjà vus (R, L, C) qui sont régis par des relations d’entrée-sortie linéaires
(équations différentielles linéaires à coefficients constants), la diode n’est pas un composant linéaire
l’équation de définition du composant : relation entre la tension à ses bornes et le courant le traversant peut être vue comme une relation d’entrée-
sortie en prenant par exemple le courant le traversant pour entrée, et la tension à ses bornes comme sortie.
Le modèle simplifié, distinguant plusieurs comportements selon la tension appliquée, en donne une relation d’entrée-
sortie descriptive (du type « si...,alors... »).
2.5. Applications
Protection à diodes contre l’inversion de polarité
+ Système
E VD
- à protéger
3. 5
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
Redressement
Pour simplifier, les diodes sont supposées idéales, c’est-à-dire sans seuil :
Mono-alternance : Chronogramme
D i(t)
V
D
e(t) = E cos(ω t) R u(t)
i (t)
1
D D
1 u(t) 4
e(t) = E cos(ω t)
i(t) R
D
D 3
2
Limiteur à diodes
Pour simplifier, les diodes sont supposées idéales, c’est-à-dire sans seuil : Chronogramme
i
i1 i2
R
1
R R
3. 6
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
3. Diode Zener
Elle exploite le phénomène d'avalanche (avalanche non destructrice, car elle se produit à une tension faible
entraînant une puissance réduite).
La diode Zener est utilisée ainsi en inverse. En direct, elle se comporte comme une diode normale.
La tension d'avalanche Vz , caractéristique de la diode Zener, varie selon les types de Zener de quelques Volts à
quelques dizaines de Volts.
Caractéristique d’une Zener BZX 5.6 (diode Zener ½ Watt : VZ = 5.6 Volts; IZ min = 5 mA; IZ max = 50 mA)
i diode Zener
Symbole
i I Z max
Avalanche
30 mA
v
ou 20 mA
i 10 mA
Seuil (-0.6 Volt)
(Ancien symbole) I Z min
v (Volts)
v 0 VZ : Tension Zener
Caractéristique i = f(v)
avec la convention de signe
d'utilisation en inverse (cf. symbole)
diode normale
Pour i > IZ min : Il y a régulation de la tension : v ≡ VZ
Il faut i < IZ max : Sans quoi il y a détérioration de la diode (Puissance trop importante).
Avec la même convention de signe que pour une diode normale, on aurait :
i
Symbole
i
v
ou
diode normale
i
(Ancien symbole) -VZ Seuil (0.6 Volt)
v
v 0
Caractéristique i = f(v)
avec la convention de signe
d'utilisation en direct (cf. symbole)
Avalanche
diode Zener
Application principale :
Stabilisation de tension
La résistance R est appelée Ballast; Ru est la charge; E est la source de tension à réguler : Emin < E < Emax
R I
u
Iz
E D U
z R
u
Iu = VZ / Ru
Lorsque E varie, U = Cte = VZ si IZ min < I < IZ max. Il faut donc polariser la diode Zener avec R telle que :
E max − VZ E − VZ E −U
< R < min . Pour le montrer, on écrit : R=
I Z max +
VZ
I Z min +
VZ I Z + Iu
Ru Ru
3. 7
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
4. Photodiodes
LED
Diodes émettant de la lumière (Diode ElectroLuminescente) lorsqu’elle est passante : rouge, vert, jaune.
Symbole
i
Ce sont de mauvaises diodes de redressement car elles ont un seuil V L élevé (et une grande résistance en direct) :
LED Rouge : V L ≈ 1.5 Volts LED Verte : V L ≈ 2.4 Volts
Une émission lumineuse suffisante s’obtient à partir de quelques mA. Pour les polariser, il suffit d’une
alimentation continue E et d’une Résistance R dont la valeur est, en prenant i = 10 mA :
E
i
R
E − VL
R= (en kΩ) (R est en général pris indifféremment à 1 kΩ)
10
Un afficheur 7 segments est constitué de 7 LEDs ayant un point commun (Anode ou Cathode).
Photodiode
Elle réalise l’opération inverse de la LED :
Symbole
i
Principe :
La résistance apparente de la photodiode diminue avec l'éclairement.
On la polarise comme une LED.
v
0 Zone à résistance < 0
Application :
Oscillateur à résistance négative.
3. 8
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
Diode varicap
Diode à capacité variable.
Diode Schottky
Symbole
Temps de stockage << 1 (cf TD) → à commutation très rapide
→ diode utilisée en HF (Hautes Fréquences).
Thyristor
Symbole
Gâchette Diode dont la conduction est commandée par une impulsion sur sa gâchette.
Application :
Variation (gradation) de puissance.
Diac
Symbole
Triac
Symbole
Gâchette
3. 9
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
Le noyau est constitué de neutrons (non chargés) et de protons (chargés à q = + e = 1.6 10-19 Coulombs).
Un atome isolé et neutre ayant une couche externe complète ( ≡ formée de 8 e - ) est stable (énergie minimale).
Associés dans un réseau, tous les atomes tendent à avoir 8 e - sur leur couche périphérique.
2. Semi-conducteur intrinsèque
Les semi-conducteurs ( Germanium, Silicium (Si), ... ) possèdent 4 e - sur leur couche périphérique.
On peut les produire avec un haut degré de pureté : moins d'1 atome étranger pour 1011 atomes de semi-
conducteur → semi-conducteur intrinsèque.
Symbole :
Atome de Silicium Si
-
e périphérique
Liaison covalente
Si Si
Si Si Si Si Si Si
Si Si
A 0 degré Kelvin,malgré le fait qu’ils sont périphériques, les e - participant à ces liaisons sont fortement liés
au noyau car il n’y a pas d’agitation thermique.
→ Pas d'apparition de charges mobiles autorisant la circulation d'un courant électrique.
Le semi-conducteur est alors un isolant. Cet état apparaît à la température de 0 Kelvin.
3. 10
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
L'atome de Si qui a perdu un e - n'est plus neutre → il est alors devenu ion +.
-
e libre
Si + ion +
2.3. Recombinaison
L'ionisation thermique conduirait à terme à l'ionisation de tous les atomes de Si, si elle n'était pas compensée
par un autre phénomène, les recombinaisons :
Un e - arrivant à proximité d'un ion + de Si peut être capté par celui-ci qui redevient un atome neutre
→ liaison covalente rétablie.
e e e
1 1 1
Si + Si Si A+ Si Si A Si
A
e
2
Si Si Si Si + Si Si +
B B B
Etat 1 : Ionisation en A.
→ e - libre e1
Etat 3 : Recombinaison de e2 en A.
Etat Final par rapport à l’Etat Initial : e - de B → A ≡ charge > 0 portée par l'ion + de A → B
≡ trou de A → B ( trou = absence d'e - )
3. 11
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
3. Semi-conducteur de type N
Il est obtenu en dopant le cristal de Silicium intrinsèque (par injection dans le cristal) des atomes ayant 5 e - sur
leur couche périphérique (Phosphore, Arsenic ( AS ) ).
Si Si
Si
-
e libre
Si As + Si
Quantitativement :
La concentration en atomes donneurs (le dopage) est de 1 impureté (1 atome de AS) pour 105 à 108 atomes de Si.
+ + + +
Remarque :
L'ionisation d'un atome d'AS, contrairement à celle d'un atome de Si ne conduit pas à la création d'un trou, car
les atomes donneurs ionisés voient 8 e - sur leur couche périphérique.
4. Semi-conducteur de type P
Il est obtenu en dopant le cristal de Si avec des atomes ayant 3 e - sur leur couche périphérique (Bore, Indium).
On a la représentation duale du semi-conducteur de type N :
_ _ _ _
3. 12
Electronique Analogique 3. Semi-conducteurs. Diode
V
-
Semi-conducteur
e
Trou
6. Diffusion
Soit un semi-conducteur de type N et supposons que par un procédé quelconque, on accroisse la concentration en
trous dans une région du semi-conducteur.
→ Ces trous se déplacent en tout sens mais de telle sorte que statistiquement, la concentration en trous soit la
même en tout point du semi-conducteur.
Ce phénomène d'homogénéisation de la concentration s'appelle la diffusion.
__________
3. 13
Electronique Analogique TD 3. Semi-conducteurs. Diode
TD 3. SEMI-CONDUCTEURS. DIODE
SEMI-CONDUCTEURS - DIODE
D1 R
D1
D2 D2
E1
E 1 , E 2 = 0 ou 5 Volts Continu E1
R
R = 1 kΩ E2 S E2 S
D1 à D2 Diodes 1N4148
Figure 12 Figure 13
E1 E2 D1 D2 S S E1 E2 D1 D2 S S
Bloquée(B) / Bloquée(B) / (Tension (Logique) Bloquée(B) / Bloquée(B) / (Tension (Logique)
Passante(P) Passante(P) réelle) Passante(P) Passante(P) réelle)
0 0 0 0
0 1 0 1
1 0 1 0
1 1 1 1
Fonction logique : Fonction logique :
2. Circuit à diodes
On considère le circuit ci-dessous (circuit à diodes) dans lequel les deux diodes D1 et D2 sont tout d’abord
supposées idéales (tension de seuil nulle) :
D1 s D2
e R2
R R
1 1
2.1. Donner la caractéristique de tension à vide du montage: s = f(e) pour e positive et négative
2.2. On insère en cascade avec le montage précédent, un amplificateur (inverseur) de gain en tension :
e Circuit s v
v R + R2 à A
A = = − 1 diodes
s R2
Donner la fonction mathématique g reliant v à e : v = g(e).
2.3. Donner la caractéristique v = g(e) à vide en tenant compte cette fois-ci du seuil des diodes (0.6 Volt)
2.4. Quelle valeur donner à e pour pouvoir négliger l'influence du seuil des diodes ?
TD 3. 1
Electronique Analogique TD 3. Semi-conducteurs. Diode
3. Modulateur à diodes
On considère le système de la figure 3 dans lequel les diodes sont considérées comme idéales (tension de seuil et
résistance directe nulles) :
2 K
1 u(t)
D D
e( t) 0 1 2 +U
e(t) D D v(t)
3 4 0 t
2
0 20 40
t
u(t) K -U Figure 4
Figure 3 2
L’interrupteur K1 étant ouvert, la tension d'entrée e(t) est sinusoïdale de pulsation Ω : e(t) = E sin(Ωt)
L’interrupteur K2 étant ouvert, la tension de commande (porteuse) u(t) est un signal carré de pulsation ω >> Ω
(figure 4).
1. En répertoriant les valeurs de u(t) caractéristiques pour les diodes, déduire les valeurs correspondantes de
v(t).
2. Représenter sur un même graphe, l'évolution de e(t) et de v(t).
Note : Les générateurs e(t) et u(t) ont une résistance interne telle qu’ils peuvent supporter un court-circuit de leur sortie.
TD 3. 2
Electronique Analogique TD 3. Semi-conducteurs. Diode
D1
i (Sans condensateur, on a un redresseur double-alternance)
e D1
u R C e
e D2
u R
e D2
Le condensateur aux bornes de la charge réalise le filtrage, permettant de disposer en u d’un signal quasi continu.
id id
D u D D u D
1 4 1 4
i i R
e e
R
D D D D
2 3 2 C 3
v
0
2. Modèle semi-réel
Même question pour le modèle semi-réel d’une diode :
i
v
0 E0
Tension de seuil : E0 ≈ 0.6 Volt pour une diode au silicium.
3. Modèle réel
Même question pour le modèle réel (linéarisé par morceaux) d’une diode :
i α
v
0 E0
TD 3. 3
Electronique Analogique TD 3. Semi-conducteurs. Diode
3. Redressement
Soit le signal à redresser : e(t ) = E ⋅ cos ωt
Les diodes sont d’abord supposées idéales (≡ sans seuil) puis réelles (≡ avec seuil).
I
z
E R
c U
Calculer la Résistance de Ballast R de telle sorte que le courant I z dans la diode Zener reste compris entre I zmin et
I zmax , quelquesoit le fonctionnement (c'est à dire dans les conditions les plus défavorables), la tension U restant
constante et égale à U z .
( I zmax : courant I z au delà duquel la puissance que peut supporter la diode Zener est trop importante).
e R u 0 t
t0 t1
-E
2
__________
TD 3. 4
Electronique Analogique TP 3. Diode
TP 3. DIODE
1. Matériel nécessaire
- Oscilloscope
- Générateur de signaux Basses Fréquences (GBF)
- Alimentation stabilisée ( 2x[ 0-30 V] _ + 1x[ 5 V] _ )
&&& &&&
- Multimètre
- Moniteur MS05 (plaquette de câblage)
- Câbles : - 1 T, 1 BNC-BNC, 1 BNC-Banane, 2 sondes oscilloscope, 6 fils Banane, petits fils.
2. Notation du TP
Faire valider par le professeur en fin de séance, l’ensemble étude théorique et compte-rendu de manipulation.
3. Etude théorique
3.1. Redressement mono-alternance
- Comparer les 2 circuits suivants de redressement mono-alternance en traçant leur réponse
u(t) à un signal sinusoïdal (diode supposée d’abord idéale puis réelle (seuil 0.6 Volt) ) :
E = 4 Volts R D
f = 100 Hz e(t) = E cos(2 πf t) D u(t) e(t) R u(t)
R = 1 kΩ
D Diode 1N4148 Figure 1 Figure 2
R D
e(t) = E cos(2 πf t) D u(t) e(t) R u(t)
Figure 3 Figure 4
E = 4 Volts
f = 100 Hz D
R = 1 kΩ e(t) = E cos(2 πf t) R C u(t)
C = 100 µ F
D Diode 1N4148 Figure 5
TP 3. 1
Electronique Analogique TP 3. Diode
D D
1 u(t) 4
D à D4 Diodes 1N4148 M
1 Figure 6
D u(t) D
1 4
E = 4 Volts R
A B
f = 100 Hz e(t) = E cos(2 πf t) C
R = 1 kΩ D
D 3
C = 100 µ F 2
D à D 4 Diodes 1N4148 M
1 Figure 7
D D
1 u(t) 2
R
V = 10 Volts
E = 4 Volts v(t) = V cos(2 πf t) D u(t)
1
f = 100 Hz
R = 1 kΩ E
D Diode 1N4148
1 Figure 9
TP 3. 2
Electronique Analogique TP 3. Diode
R
V = 10 Volts
E = 4 Volts v(t) = V cos(2 πf t) D D u(t)
f = 100 Hz 1 2
R = 1 kΩ E E
D à D2 Diodes 1N4148
1 Figure 10
R D
1
D1 R
D1
D2 D2
E1
E 1 , E 2 = 0 ou 5 Volts Continu E1
R
R = 1 kΩ E2 S E2 S
D1 à D2 Diodes 1N4148
Figure 12 Figure 13
E1 E2 D1 D2 S S E1 E2 D1 D2 S S
Bloquée(B) / Bloquée(B) / (Tension (Logique) Bloquée(B) / Bloquée(B) / (Tension (Logique)
Passante(P) Passante(P) réelle) Passante(P) Passante(P) réelle)
0 0 0 0
0 1 0 1
1 0 1 0
1 1 1 1
Fonction logique : Fonction logique :
TP 3. 3
Electronique Analogique TP 3. Diode
4. Etude expérimentale
4.1. Test de diode (en câblage uniquement)
Utiliser le multimètre en Ohmmètre et mesurer la résistance directe et la résistance inverse en courant continu des diodes
1N4148 et des diodes Zener BZX 4.7 Volts.
Si les diodes sont bonnes, le rapport résistance inverse sur résistance directe est supérieur à 1 00 pour les diodes
normales et de l’ordre de 2 pour les diodes Zener.
(la résistance directe est élevée et ne correspond pas à la résistance dynamique faible de la diode passante car en position Ohmmètre, la polarisation se
fait à une tension inférieure au seuil des diodes).
Renouveler le test en position « diode test » ( ) pour obtenir la tension de seuil des diodes.
(Attention : Pour les montages des Figures 6, 7 et 8, la tension à mesurer est flottante (la référence des potentiels n’est pas la référence commune
(masse) : elle ne peut pas être mesurée directement pour un montage câblé dont la référence est reliée à la terre (car il y a court-circuit par la terre, le
GBF et l’oscilloscope ayant leur masse reliée à la terre par mesure de sécurité) mais par différence (relation de Chasles ≡ loi des mailles) )
ANNEXE TP
DOCUMENTATION DES COMPOSANTS
DIODE (Sauf exception !)
A K
Anode Cathode
A K
Anode Cathode
__________
TP 3. 4
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
1. Description et symbole
Le transistor bipolaire, encore appelé transistor à jonctions, est formé par la succession de 3 semi-conducteurs,
respectivement de type NPN (transistor NPN) ou PNP (transistor PNP) à l’aide de 2 jonctions P-N :
Transistor NPN Symbole
E N P N C C N
(Emetteur) (Collecteur)
(Sortie) (Entrée) P
B
B
(Base) N
(Commande) E
P N
oxyde de
silicium 5 µ 0.3 mm
(isolant) P
Le transistor n'est pas symétrique : les jonctions Base-Emetteur et Base-Collecteur ne sont pas identiques
(dopage différent). (Les termes Emetteur et Collecteur s’entendent vis à vis des électrons (émission -collection d’e- )).
La flèche sur le symbole indique le sens passant (courant) de la jonction Emetteur-Base; elle repère en outre
l’émetteur.
Le transistor est bipolaire, c’est-à-dire que 2 types de porteurs de charge (les porteurs majoritaires et les porteurs
minoritaires) participent à la conduction.
2. Effet Transistor
Les 2 jonctions P-N du transistor ne constituent pas uniquement la juxtaposition de 2 diodes, car avec une tranche
centrale de faible épaisseur, lorsque la jonction Emetteur-Base est polarisée en Direct et la jonction Collecteur-Base
polarisée en Inverse, les charges libres de l’Emetteur sont accélérées vers la Base et, pour la plupart, la traversent
rapidement pour être captées par le potentiel de Collecteur : (une simple diode ferait que la Base capte ces charges)
Exemple : NPN
N P N
_ _ _ _
E _ _ _ _ C
_ _ _ _
_ _ _ _
_ _ _ _
B
IB
IE + + IC
- -
4. 1
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
Cet effet Transistor a pour conséquence le fait de pouvoir contrôler à l'aide du courant de base IB relativement
faible, un courant de collecteur IC beaucoup plus important.
peut s’obtenir à l’aide d’une seule alimentation et des résistances dont le rôle est de fixer le point de
fonctionnement du transistor (puissance, régime linéaire ou de commutation) :
IB C
B
IE E
R R
2 E
Polariser un transistor consiste à fixer les valeurs des courants et tensions de repos du transistor à des valeurs dites
de polarisation (ou de repos, ou encore de fonctionnement) telles qu’ensuite, en présence d’un signal extérieur les
valeurs de ces courants et tensions varient autour de ce point de repos.
Ce point de polarisation conditionne largement le régime de fonctionnement du transistor
(un peu comme par exemple un sportif qui doit s’échauffer (se placer au bon point de fonctionnement) avant le déroulement de l’épreuve, ou
bien encore un alcoolique qui doit avoir ses trois verres d’alcool pour être « d’attaque »).
4. Relations fondamentales
Lorsque la jonction B-E est polarisée en Direct et la jonction C-B est polarisée en Inverse, on a les relations
suivantes :
IC = β IB (effet transistor) (en régime linéaire ≡ amplificateur)
β = Constante β est le gain en courant du transistor; c’est une caractéristique du transistor.
β >> 1
IE = IC + IB = (β + 1) IB ≈ β IB = IC
La constante β varie sensiblement selon le type de transistor et très légèrement suivant l’échantillon de transistor
dans un type donné. (En fait, β diminue avec la fréquence, à partir de ≈ 1 MHz : β ≠ Cte : β = f(ω)).
Ordres de grandeur pour un transistor de type signal (et non de puissance) :
IB ≈ 10 µA
IC ≈ 1 mA
β ≈ 100
4. 2
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
IB IC IB I C = β IB IB IC IB I C = β IB
B ≡ B B ≡ B
(P) IE (N) IE
VBE VBE
E (N) E (P)
E I E = (β + 1) I B E I E = (β + 1) I B
(le générateur de courant n’existe que si le transistor est polarisé, et de telle sorte à avoir l’effet transistor).
VCE = f ( I B , V BE )
Le Quadripôle peut alors être déterminé par les relations :
I C = f ( I B , VCE )
Ce sont des fonctions de 2 variables, donc décrites par des surfaces dans un espace à 3D.
Pour avoir des courbes 2D, il faut paramétrer suivant une variable.
Caractéristiques 4-Quadrants pour un transistor de type signal monté en Emetteur Commun (Exemple 2N2222) :
I B = 70µA
VCE min
I B = 60µA
10 I B = 50µA
IC = β IB I C = Cte ( = β I B )
I B = 40µA
I B = 30µA
5
I B = 20µA
IB ( µA) I B = 10µA
VCE min à partir de I B = I B min ≈ 5 µA
100 50 10 0 1 5 10 IB = 0 VCE (Volts)
4. 3
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
IB C
B
VCE
VBE E
IE
Le point de fonctionnement (ou encore point de polarisation) se trouve à l’intersection du réseau de caractéristiques
vu précédemment et des équations de polarisation du montage :
- Equations de polarisation :
(1) E = RC I C + VCE Cette relation donne l’équation de la droite de charge statique ∆S :
VCE E
∆ S : IC = − +
RC RC
(2) E = R B I B + V BE
IC
On a : E = RB + 0.6 si RB est bien choisie (≡ telle que I B > I B min , autorisant
β
IC
IB = et V BE = 0.6 Volt)
β
IC
E
S
RC
à I B = Cte
∆S
A
IB
B
VCE
0
E
VBE
4. 4
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
- Remarque : Avec un transistor PNP, on a les mêmes relations, mais bien évidemment avec :
V BE < 0 ( V BE = −0.6 Volt en régime linéaire) et I B < 0 :
C
IB IC
B
IE
E
P est choisi dans la partie verticale des caractéristiques I C = f (VCE ) : tout accroissement de I B est sans effet sur I C .
C C
IB IC I C = IE
B ≡ B
IE
Le transistor saturé est un interrupteur fermé entre Collecteur et Emetteur: E E
Condition de saturation : ( )
I C = I C sat < β I B 0 VCE
On a aussi (pour un NPN) : V BE > 0.6 Volt ( V BE = 0.7 Volt suffit à saturer le transistor).
- Blocage : (point P en B )
I C ≈ 0
On a :
I B ≈ 0
Condition de blocage : IB ≈ 0 ou même I B < 0 pour un NPN ( I B > 0 pour un PNP).
On a aussi (pour un NPN) : V BE < 0.6 Volt ( V BE = 0.5 Volt suffit à bloquer le transistor).
Enfin on a : VCE ≈ E
4. 5
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
D ε
R
B
V
I B = I B 0 I B = I B 0 + ib I B ≡ I B ( t ); ib ≡ ib ( t ) V BE V BE
I ≡ I ( t );
I C = I C 0 (= β I B 0 ) I C = I C 0 + ic avec : C C i c ≡ i c (t ) V BE 0
V BE = V BE 0 ( = 0.6 Volt ) V BE = V BE 0 + vbe V BE ≡ V BE (t ); vbe ≡ vbe ( t ) vbe
VCE ≡ VCE (t ); 0
V = V V = V
CE 0 + v ce
v ce ≡ v ce (t ) t
CE CE 0 CE
4. 6
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
VBE
0 VC = Cte égale à l'offset (éventuel) de ve (t) (charge de C1)
1
Rappel : Sommation (M) de 2 signaux Gauche (G) et Droit (D) : (Conversion stéréo → mono par mixage)
R1
G DR1 + GR2 D+G
R2 M= (Th. de Millman) M= ( R1 = R2 )
D R1 + R2 2
G
M
( Le circuit : D réaliserait un court-circuit entre G et D : M = min (G,D) ).
L’avantage d’utiliser un condensateur comme impédance de sommation plutôt qu’une impédance quelconque
consiste dans le fait qu’une éventuelle composante continue dans le signal d’entrée ve (t) serait éliminée, et
n’affecterait donc nullement la polarisation. En contrepartie, par rapport à une impédance de sommation
purement résistive, un condensateur a un comportement dépendant de la fréquence, conditionnant ainsi la
Bande Passante de l’amplificateur.
Le condensateur C2 a pour rôle d’extraire du signal VCE la composante continue de polarisation VCE 0 pour
donner le signal amplifié vs (t).
v ce max (sinon distorsion)
IC (mA) t
v ce
IC 0
∆D
IB ( µ A)
IB0 V CE 0 E
0 VCE (Volts)
vbe
V BE 0 t
V BE (Volts)
∆D Droite de charge dynamique : elle est obtenue comme la doite de charge statique ∆ S
mais en faisant intervenir en plus les éléments à considérer en dynamique : ici R
L
(en statique, R n'intervient pas). Elle est repérée % à P pris comme origine.
L
(
P = I B 0 , I C 0 ,V BE 0 ,VCE 0 ) Point de polarisation
4. 7
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
Les condensateurs de liaison C1 et C2 éliminent donc le continu (≡ offset) (ils se comportent comme des circuits
1
ouverts pour un signal continu (≡ de pulsation ω = 0) (l’impédance d’un condensateur C est ). ZC =
jCω
Leur valeur est choisie de telle sorte qu’ils se comportent comme des courts-circuits en dynamique (≡ ω ≠ 0 ),
pour ne pas filtrer les basses fréquences du signal d’entrée ve (t) (C1) et de vce (t) (C2).
Par exemple, avec le choix C1 = 100 µF, C1 se comporte quasiment comme un court-circuit dès que f >≈ 100 Hz
1 1 à ω = 0 : Z C = ∞ (circuit ouvert)
ZC 1 = ZC 1 = 1
jC1ω C1ω
à ω ≈ 6280 rd / s ( f = 1 kHz ) : Z C 1 ≈ 15
. Ω
v ce
0
Amplification Classe B
Le Point de repos P est choisi à VCE 0 = E (blocage).
IC
∆S
P
0
V CE 0 = E VCE
t
T
v ce
0
Excursion maximale E
L’excursion maximale est maintenant E mais le transistor ne conduit que pendant T/2.
Il faut un second transistor (de type PNP) pour assurer l’amplification pendant l’alternance négative du signal
sinusoïdal d’entrée, ce second transistor étant lui aussi polarisé en classe B. C’est le montage push-pull :
4. 8
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
RL C
E + -
v s (t)
v e (t) RL v s (t)
v e (t)
L
Cl
Cl + -
+ -
+
l R L C v s (t)
L
v e (t) E -
B
Amplification classe D
Utilisé en régime impulsionnel. Excellent rendement.
h 12 i h 21 i
c b 1
v h 11 v
be ce
h 22
v ∆
h11 = be
ib
à vce = 0
≡ VCE = C te
= r : Résistance d’entrée du transistor (de l’ordre du kΩ)
v
h12 = be ≈0 : car V BE ≈ C te quand VCE varie (la dérivée d’une Cte est nulle)
vce ib = 0
4. 9
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
i
h21 = c =β : Gain en courant du transistor (de l’ordre de 100)
ib v ce = 0
i ∆
1
h22 = c
v ce ib = 0
= ρ
≈ 0 : car I C ≈ C te quand VCE varie : Conductance du transistor ( ρ : résistance)
v v
be r β ib ce
E
i = (β + 1) i
e b
(schéma valable aux BF jusqu’en continu auquel cas : ib → I B 0 , ic → I C 0 , vbe → VBE 0 , vce → VCE 0 )
Détermination de r
v dV
r = be = BE
ib à v ce = 0 dI B à VCE = C te
IE 1 q
On a : IB ≈ = I s e λ VBE avec λ = − et I s : courant de saturation de la jonction B-E
β β kT
β
→ r= (r au point de polarisation) λ = 40 à température ambiante (25 °C).
λ IC 0
Pente du transistor
β
Elle est définie par : s= = λ IC 0 → s = 40 I C 0 à 25 °C.
r
11. Schéma équivalent d’un amplificateur à transistor aux Basses Fréquences
Soit l’amplificateur à transistor (montage Emetteur Commun) :
+E
R R
B C
+ -
ie IB IC
C C
+ - B 2
C E VCE
1 R
L v s (t)
v e (t) IE
- Le calcul de la polarisation (calcul de RB et RC) avec le point de polarisation P souhaité, fournit la droite de
charge statique ∆s .
La résistance de charge RL n’intervient pas pour le calcul de polarisation (C2 (et C1) circuits ouverts en continu).
- Une fois calculée la polarisation, pour déterminer les signaux en dynamique, plutôt que de considérer les signaux
complets (polarisation + dynamique autour de la polarisation), on ne va considérer que la dynamique autour du
point de polarisation, les valeurs constantes de polarisation étant préalablement connues.
La méthode consiste ainsi à ne considérer, dans le montage amplificateur, que la variation des signaux (les
signaux constants sont donc annihilés).
4. 10
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
Le schéma équivalent du montage Emetteur Commun, permettant donc de déterminer la seule dynamique des
signaux autour du point de polarisation P, est donc le suivant : (les condensateurs C1 et C2 , de forte valeur, se
comportent quasiment comme des courts-circuits à partie d’une fréquence du signal d’entrée de l’ordre de 100 Hz) :
(Cet amplificateur n’est pas destiné à amplifier le continu)
B i i C
b c
v r v
be β ib ce
v e (t) R
B
R
C
R
L
v s (t)
E
(dynamique seule)
i = (β + 1) i
e b
vs
On obtient immédiatement le gain en tension de l’ampli. Emetteur Commun : AVC = = − s ( RC / / R L )
ve
vce
La droite de charge dynamique ∆ D a pour équation i c = f (vce ) : ∆D : ic = −
( RC / / R L )
(elle est basée dans un repère dont l’origine est P)
12. Schéma équivalent du transistor aux Hautes Fréquences (HF) (Schéma de Giacoletto)
Le schéma équivalent du transistor aux BF conduit à trouver, pour l’ampli. Emetteur Commun par ex. , un gain en
tension constant quelque soit la fréquence du signal d’entrée. Or, d'après la théorie de la relativité, un système
physique (ici l’ampli.) ne peut répondre instantanément (sa vitesse inférieure est inférieure à celle de la lumière: un
système physique n'est pas infiniment rapide) ce qui, traduit en fréquence, signifie que la Bande Passante de
l’amplificateur ne peut être infinie (≡ un signal de fréquence infiniment grande ne peut être « passé » par l’ampli.).
→ Il faut faire intervenir dans le schéma équivalent du transistor des éléments (L,C) dépendant de la fréquence et
témoignant de la chute du gain β du transistor lorsque la fréquence augmente.
C’est le schéma de Giacoletto, utilisé pour les HF : (le gain en courant β devient une transconductance gm )
r b'c
i r ic
B b bb' B' C
Cc
C r v r
v e b'e b'e g m v b'e ce v
ce
be
14. Résumé
Le transistor bipolaire est un amplificateur de courant ( ic = β ib ) commandé en courant ( ib ).
Sa résistance d'entrée r n’est pas infinie (elle est même faible).
Son utilisation est limitée dans le domaine de la HF (bruit).
On verra, en comparaison, que l’Amplificateur Opérationnel est un amplificateur de tension commandé par une différence de tensions :
vs = A(v+ − v− )
v -v
+ - Rs
Re v
A (v - v - ) s
+
4. 11
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
Le Transistor à Effet de Champ (TEC) ou encore transistor unipolaire existe en 2 types de technologie :
Contrairement au transistor bipolaire qui est commandé en courant, le TEC, bien qu’également générateur de
courant, est quant à lui commandé en tension, d’où son nom de Transistor à Effet de Champ.
1. JFET
1.1. Description
Il en existe 2 sortes (comme pour le transistor bipolaire) :
: Zone de Transition
P
( N+ : Semi-conducteur N fortement dopé)
( P+ : Semi-conducteur P fortement dopé)
B
Symbole :
TEC Canal N
D
G
S
TEC Canal P
D
G
La tension VDS doit être > 0 pour que par le canal transitent les électrons de la Source vers le Drain
(≡ collecteur d’électrons) : VDS > 0 (pour un TEC canal N).
4. 12
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
ID ID
IG D IG G D
G
E E
S S
E' E' V
V IS GS IS
GS
Si VGS = 0 : le canal est à sa largeur maximale (zone de transition mini.) : ID est maximal (Transistor Saturé)
(ID = I DSS pour une tension VDS suffisante).
Si VGS = Vp (< 0) : le canal est rétréci au maximum (zone de transition maxi.) : ID = 0 (Transistor Bloqué)
(Vp s’appelle la tension de pincement (du canal)).
I
5 D ss V = 0V
GS
V =-1V
GS
V =-2V
GS V GS (V)
Vp 0
0.6 Volt
1 V =-4V Zone
GS
V =-5V d'utilisation
GS
-V V (V < 0)
GS 0 V
GS
= Vp DS (V) GS
(V) -Vp 5 4 3 2 1 5 10 15 20 IG ≈ 0 (≅ nA )
Région ohmique
(TEC = Résistance)
La caractéristique I D = f (VGS ) est quasiment une parabole (modèle exact à plus de 95%) :
VGS 2
I D = I DSS (1 − )
Vp
La caractéristiqueI G = f (VGS ) indique que le TEC possède une résistance d’entrée très élevée :
I G = 0 ∀ VGS < 0 .
4. 13
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
Polarisation automatique :
(automatique car RG n'a pas d'influence sur la polarisation (du fait que I G ≈ 0 ). On prend néanmoins
RG >> 1 pour avoir de bonnes performances en dynamique: on polarise donc avec une résistance de Grille
RG >> 1: RG ≈ 1 MΩ).
I
D
R
D
G D
I
G S V
DS E
V
GS
R
G R
S
I
S
. On prend RG = 1 MΩ
. Comme IG ≈ 0, on a : ID ≈ IS → VGS + RS I D = − RG I G = 0 → VGS = − RS I D ( ∆)
. Droite de charge statique : E = ( R D + RS ) I D + V DS (∆ S )
I
D
-1/ R ∆
S
E/(R +R )
ID D S
SS V =0
GS
Amplification (Point de polarisation pour amplification)
ID
0 V =V
GS GS
0
V =V
GS p V
V DS
-V -V -V 0 DS E
GS p GS
(V )
0 -1 / ( R + R )
0 ∆S D S Point de Repos : ,V DSO , I DO , I GO
GSO
Le TEC est commandé en tension : e g s’ajoute à VGS0 pour donner une variation v gs par rapport à VGS0
entraînant à son tour une variation id de I D autour de I D0 , proportionnelle à celle de e g et amplifiée.
id
Le gain du TEC est : s= . C’est en fait une transconductance (car homogène à l’inverse d’une résistance).
v gs
4. 14
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
Condition de saturation :
E
Il faut donc < I D SS pour que le point de repos coupe la caractéristique
RD
E
I D = f (V DS ) à V = 0 dans sa partie verticale → RD > ~
GS I D SS
Applications
Commutateur analogique (≡ Interrupteur analogique, ≡ Echantillonneur)
Série : Parallèle (shunt) : Réponse (Montage Série)
Ve
RD D S t
Ve Vs
Ve Vs V cde
D G t
G R
D
VCde V Cde Vs
0 Ve max 0 t
S
Vp
RD > Vp
I Dss
VCde = 0 : TEC saturé : Vs = 0 (montage série) / Vs = Ve (montage parallèle)
VCde = Vp : TEC bloqué : Vs = Ve (montage série) / Vs = 0 (montage parallèle)
4. 15
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
Multiplexeur analogique
D T1 S
Ve 1 3 TECs identiques T1 T2 T 3
G D T2 S
Ve 2
G
D T3 S
Ve 3 Vs
G
R
D
VCde 1 VCde 2 VCde 3
1.7. Modèle Dynamique du TEC en dynamique aux Basses Fréquences (BF) (Dynamique du TEC)
(non valable en continu puisque seules les variations des grandeurs sont prises en compte)
v gs
Comme la résistance d’entrée r (= ) du TEC est >> 1 (i g ≈ 0) , on la prendra ∞ dans le schéma équivalent.
ig
Comme la résistance de sortie ρ du TEC (résistance en // du générateur de courant de sortie) est encore plus
élevée que celle du transistor bipolaire ( ρ >> 1) (caractéristique I D = f (VDS ) quasi-horizontale), on la
prendra ∞ dans le schéma équivalent :
Ceci conduit au schéma équivalent suivant en dynamique du TEC, vu comme un Quadripôle :
(changement de repère : on ne considère que la variation des signaux)
TEC à canal N TEC à canal P
ig ≈ 0 i
d ig ≈ 0 i
d
G D G D
v v v v
gs ds gs ds
s v gs s v gs
S S
i = s v gs i = s v gs
s s
id
où s représente la pente (ou gain, ou encore transconductance) du TEC : s=
v gs
s est aussi notée g ou aussi g m et il est l’équivalent du gain en courant β du transistor bipolaire;
il a cependant une dimension : il est homogène à une conductance (≡ inverse d’une résistance).
id dI D
Soit s P la pente s du TEC au point de polarisation P : sP = = = tg α :
v gs dVGS en P
en P
I
D
ID
SS
i
d
α ID
P 0 v I D = I D 0 + id
gs
VGS = VGS 0 + v gs
V
V GS
V GS 0
p 0
4. 16
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
VGS 2 dI D ID V
On a : I D = I DSS (1 − ) → = −2 SS (1 − GS )
Vp dVGS Vp Vp
I DSS VGS V I DSS
d’où : s = −2 (1 − ) = s0 (1 − GS ) avec s0 = −2
Vp Vp Vp Vp
VGS0 VGS 0
et finalement : s = s 0 (1 − ) Au point de polarisation : sP = s0 (1 − )
Vp Vp
1.8. Modèle Dynamique du TEC aux Hautes Fréquences (HF)
On se ramène au modèle général d’un Quadripôle :
(interviennent alors des impédances dans le modèle dynamique, témoignant de la chute du gain aux Hautes Fréquences)
TEC à canal N
ig i
d
G D
v y y vgs y v
gs 11 22 ds
21
y vds
12
S
1.9. Résumé
Le TEC est un amplificateur de courant ( s v gs ) commandé en tension ( v gs ), d’où son nom :
Effet de champ (électrique) → tension (de commande). (La commande ne se fait pas par le courant grille : i g ≈ 0 ).
(alors que le transistor bipolaire est un amplificateur de courant ( β ib ) commandé en courant ( ib )).
Sa résistance d'entrée r est très élevée (on la prendra ∞ ) (alors que celle du transistor bipolaire est faible).
Le TEC est désormais moins fragile que par le passé aux charges électrostatiques (celles-ci ne sont plus
destructrices du fait de protection interne du TEC par diode Zener).
Utilisation : En amplification, le TEC présente moins de bruit et de distorsion en RadioFréquences que le
transistor bipolaire. Il est très pratique du fait de sa commande en tension.
. . .
. . .
. . .
V GS = Vp (< 0) V GS = Vp = 0 Volt (ou < 0) V GS = Vp = -4 Volts
V V V
0 DS 0 DS 0 DS
4. 17
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
Le MOSFET est caractérisé par une résistance d'entrée r encore plus grande que celle du JFET.
→ I G << 1 : I G ≈ 1 pA à 25 °C → r ≈ 1012 Ω.
Symbole du MOSFET
MOSFET à Enrichissement MOSFET à Appauvrissement
Canal N (Substrat P) Canal N (Substrat P)
D D
I I
G G
G B G B
S S
B : Substrat (Bulk) souvent relié à la source (canal N) B : Substrat (Bulk) souvent relié à la source (canal N)
ou au drain (canal P) ou au drain (canal P)
3. Applications
Echantillonneur-bloqueur (pour Conversion Analogique Numérique CAN)
(le TEC réalise l’échantillonnage, le condensateur C le blocage)
i
d
v v
i o
D S
C RL
G
v
c
v : v v : v v : v
i input c commande o output
Le TEC est intéressant ici car la commande se fait directement en tension (≠ au transistor bipolaire).
vi vi
A
vA
t t
0 0
(Horloge) vc (Horloge) vc Te
t t
0 0
Vp Vp
vo Décharge de C vo
te
≈ C d'après les ordres de
vA grandeur de C, R et T
L e
t t
0 te 0
≈ C avec une prise d'échantillon instantanée
4. 18
Electronique Analogique 4. Transistor bipolaire. TEC
4. Technologie
Les transistors MOSFETs sont très facilement intégrables en CI (Circuits Intégrés) (plus que les transistors
bipolaires) grâce à leur simplicité, leur faible dimension et leur faible dissipation thermique autorisant une
implantation très dense.
La technologie la plus connue pour l'intégration de transistors MOSFETs est la technologie CMOS
(Complementary Metal Oxyde Semi-Conductor) exclusivement utilisée dans les circuits logiques (≡ numériques).
(C ≡ Complementary signifie que les transistors MOSFETs sont toujours utilisés par paire : 1 MOS canal N et
1 MOS canal P).
V
cc
T
1
E S
Entrée Sortie
T
2
__________
4. 19
Electronique Analogique TD 4. Transistor bipolaire. TEC
R R
B C
V
CE
sat
V
BE
sat
Figure 4
1) Déterminer la relation entre RB et RC pour obtenir la saturation du transistor.
Application
2) Donner les 2 états de fonctionnement du montage suivant : ( E = 5 Volts)
+E
RC
RB T : 2N2222 (β ~ 100 )
Ve
T Vs
RB = 1 kΩ
RC = 1 kΩ
Ve = 0 Volt ou 5 Volts
Figure 5
2. Logique à transistors
On considère les montages à états logiques :
+E +E
T : 2N2222 (β ~ 100 ) RC
RC
E : 5 Volts
L Ve : tension continue (0 ou 5 Volts) L
RB T RB
L : LED (Rouge)
Vs Vs
Ve RB : 1 kΩ Ve T
RC : 1 kΩ
Figure 2 Figure 3
TD 4. 1
Electronique Analogique TD 4. Transistor bipolaire. TEC
C E VCE
1 R
L v s (t)
v e (t) IE
Figure 0
Rappel
. Il faut IC de l’ordre du mA (entre 0.5 et 50 mA) (datasheet du transistor de type signal) pour être en linéaire :
( I C = β I B ).
. VBE = 0.6 Volt et VCE = E/2 (ampli. classe A)
. On prendra β = 100 et r = 1 kΩ (résistance d’entrée du Transistor).
Avec E = 10 Volts, on désire un point de repos en milieu de caractéristiques (ampli. classe A) :
I C0 = 1 mA, VCE 0 = E/2
Polarisation
Calculer les résistances de polarisation RB et RC.
Dynamique
Indiquer : - Le rôle des condensateurs C1 et C2 .
Les condensateurs C1 et C2 , de forte valeur, se comportent quasiment comme des court-circuits aux fréquences
de travail considérées ( f > 100 Hz).
is
- Gain en courant : Ai =
ie
p v i
- Gain en puissance : Ap = s = s s = AVC Ai
pe ve ie
TD 4. 2
Electronique Analogique TD 4. Transistor bipolaire. TEC
R
g E VCE
g IE R
R L v s (t)
v e (t) 2 +
e R C
IP E - E
g
Figure 1
Polarisation
- Rôle des condensateurs de liaison C’0 , C0 et de découplage CE.
- Calculer les résistances de polarisation R1 , R2 , RE et RC avec la polarisation souhaitée :
E = 20 Volts, I C0 = 10 mA, I P = 10 I B (*) , V RE = 1 Volt (*) , VCE 0 = E/2
(* ) : pour fixer les degrés de liberté des calculs
On a : RL = 1 kΩ, V BE = 0.6 Volt , β = 200.
- Recalculer le point de repos avec les valeurs normalisées de résitances.
Dynamique
Les condensateurs C0 , C’0 et CE de forte valeur, se comportent quasiment comme des court-circuits aux
fréquences de travail considérées ( f > 100 Hz).
TD 4. 3
Electronique Analogique TD 4. Transistor bipolaire. TEC
ie C' IB C
0
+ - B
C is
g E 0
R + -
g
R
v e (t) 2
e R v s (t)
g IP E R
L
Figure 2
Dynamique
Les condensateurs C0 et C’0 de forte valeur, se comportent quasiment comme des court-circuits aux
fréquences de travail considérées ( f > 100 Hz).
Le montage amplificateur étant vu comme un Quadripôle, déterminer ses paramètres :
vs
- Gain en tension : AVC = (Gain en tension en charge sur RL )
ve
- Résistance d’entrée : R = v e
e
ie
is
- Gain en courant : Ai =
ie
p v i
- Gain en puissance : Ap = s = s s = AVC Ai
pe ve ie
vs
- Résistance de sortie : Rs =
is rentrant
ve = 0
Figure 3
Dynamique
Les condensateurs C0 , C’0 et CB de forte valeur, se comportent quasiment comme des court-circuits aux
fréquences de travail considérées ( f > 100 Hz).
Le montage amplificateur étant vu comme un Quadripôle, déterminer ses paramètres :
- Résistance d’entrée : R = v e
e
ie
vs
- Gain en tension : AVC = (Gain en tension en charge sur RL )
ve
is
- Gain en courant : Ai =
ie
p v i
- Gain en puissance : Ap = s = s s = AVC Ai
pe ve ie
vs
- Résistance de sortie : Rs =
is rentrant
ve = 0
TD 4. 4
Electronique Analogique TD 4. Transistor bipolaire. TEC
R
D
D
G
R R
G S
Figure 11
I D SS = 5 mA
Le TEC a pour caractéristiques : L'alimentation continue est : E = 20 Volts .
V p = −4 Volts
R
D C
2
C D
1
G + -
+ -
S
v
s
v +
e R R C
G S S
-
Figure 12
I D SS = 5 mA
Le TEC a pour caractéristiques :
V p = −4 Volts
E = 20 Volts
RS = 470 Ω
On a :
RD = 3.3 kΩ
RG = 1 MΩ
- Calculer le point de polarisation P.
- Calculer : - le gain en tension à vide : AV0
- la résistance d'entrée : Re
- la résistance de sortie : R0
du montage vu ainsi comme un Quadripôle en dynamique :
R0
v Re AV v v
e 0 e s
1
- Justifier le rôle du condensateur de découplage CS en calculant le gain en tension AV0 pour le montage sans CS .
TD 4. 5
Electronique Analogique TD 4. Transistor bipolaire. TEC
D
+ - G
+ -
S
v R R
e G S v
s
Figure 13
I D SS = 5 mA
Le TEC a pour caractéristiques :
V p = −4 Volts
E = 20 Volts
On a : RS = 1 kΩ
RG = 1 MΩ
R
D
+ - S D + -
G
v v
e s
R
S
V V
DD SS
-V
Figure 14 SS Alimentations continues
TD 4. 6
Electronique Analogique TD 4. Transistor bipolaire. TEC
R
D
D
+ - G
+ -
S
v R R
e G S v
s
Figure 15
TD 4. 7
Electronique Analogique TP 4. Transistor bipolaire
1. Matériel nécessaire
- Oscilloscope
- Générateur de signaux Basses Fréquences (GBF)
- Alimentation stabilisée ( 2x[ 0-30 V] _ + 1x[ 5 V] _ ) ( _ ≡ continu)
&&& &&& &&&
- Multimètre
- Moniteur MS06 (plaquette de câblage)
- Câbles : - 1 T, 1 BNC-BNC, 1 BNC-Banane, 2 sondes oscilloscope, 6 fils Banane, petits fils.
2. Notation du TP
Faire valider par le professeur en fin de séance, l’ensemble étude théorique et compte-rendu de manipulation.
3. Etude théorique
3.1. Transistor en commutation
Soit le montage suivant :
+E
R
C T : 2N2222
R T
B E : 5 Volts
V
CE V : tension continue (0 ou 5 Volts)
e
V
e
Figure 1
TP 4. 1
Electronique Analogique TP 4. Transistor bipolaire
4. Logique à transistors
On considère les montages à états logiques :
+E +E
T : 2N2222 RC
RC
E : 5 Volts
L Ve : tension continue (0 ou 5 Volts) L
RB T RB
L : LED (Rouge)
Vs Vs
Ve RB : 1 kΩ Ve T
RC : 1 kΩ
Figure 2 Figure 3
5. Transistor en amplification
Montage Emetteur Commun
+E
R1 RC is T : 2N2222 (NP N)
+ - E : 20 Volts
ie C'0 IB C IC
C0 v e (t) : signal sinusoïdal d'amplitude 10 mV
+ - B T
E RL : 10 kΩ
IE RL
R2 v s (t)
v e (t) +
RE C
IP - E
Figure 4
TP 4. 2
Electronique Analogique TP 4. Transistor bipolaire
6. Etude expérimentale
6.0. Test des transistors NPN et PNP (en câblage uniquement)
- Mesurer la résistance RCE du transistor : RCE doit être très élevée (> 10 MΩ) dans les 2 sens.
- Mesurer RDirecte et RInverse des diodes B-E et B-C. Dans les 2 cas, le rapport RInverse / RDirecte doit être
> 100.
- En position « transistor test » : on obtient directement le gain en courant β du transistor.
- Vérifier les diodes B-E et B-C des transistors (selon le modèle d’Ebers-Moll) à l’aide du multimètre
en position « diode test » : (les générateurs de courant du modèle n’interviennent qu’en polarisation)
On obtient, dans le sens passant, le seuil de ces diodes :
(N)
C (P) C
C C
B ≡ B B ≡ B
(P) (N)
E (N) E (P)
E E
IC0
. En déduire la valeur de β : β=
IB
0 en statique ( polarisation )
Instrument : Multimeter Pour cette mesure, déconnecter le générateur sinusoïdal d’entrée ve (t)
TP 4. 3
Electronique Analogique TP 4. Transistor bipolaire
β
- En comparant le Gain en tension AVC expérimental à la théorie ( AVC théorique = − (Rc // RL ) ) et en utilisant pour
r
IC0
β la valeur de la question précédente ( β = ), déduire la valeur de la résistance d’entrée r en
IB
0 en statique ( polarisation )
dynamique du transistor 2N2222 donnée par le datasheet du constructeur.
TP 4. 4
Electronique Analogique TP 4. Transistor bipolaire
2. Simuler le montage Collecteur Commun du TD avec (mesurer le gain en tension en charge Avc) :
Transistor 2N2222
ve sinusoïdal, fréquence 1 kHz, amplitude 1 mV,
E=20V,
Co’=4.7µF, Co=4.7µF
R1=33kΩ, R2=3.3kΩ, RE=100Ω, RL=10kΩ,
r=1kΩ, β=195
Le TEC est interessant ici car la commande se fait directement en tension (≠ au transistor bipolaire).
vi vi
A
vA
t t
0 0
(Horloge) vc (Horloge) vc Te
t t
0 0
Vp Vp
vo Décharge de C vo
te
≈ C d'après les ordres de
vA grandeur de C, R et T
L e
t t
0 te 0
≈ C avec une prise d'échantillon instantanée
DOCUMENTATION
DES COMPOSANTS
BROCHAGE DES TRANSISTORS BIPOLAIRES
__________
TP 4. 5
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
5. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
1. Association de transistors
Ex. : Transistor Darlington avec 2 transistors bipolaires (ex.: NPN
C
I I C
C
2
I I
i B I i
2 C
B T2 (β 2 ) 1 ≡ B T (β )
I'
I
T1 (β 1 )
E I E
2 B1
I
E
1
I'
E
avec : β = β 1 (1 + β 2 ) + β 2 ≈ β 1 β 2
I C1 = β1 I B1 I C 2 = β 2 I B2
I E1 = (β1 + 1) I B1 I E 2 = ( β 2 + 1) I B2
I = I C1 + I C 2 = β1 I B1 + β 2 I B2 = β1 I E 2 + β 2 I B2 = β1 (β 2 + 1) I B2 + β 2 I B2 = i [β 2 + β1 (1 + β 2 )]
I =βi
β = β1 (1 + β 2 ) + β 2
I ' = (β + 1)i
En posant , on a :
≡ Amplificateur de différence)
2. Amplificateur Différentiel (≡
Principe : à partir de 2 signaux d'entrée u1 et u2, l'amplificateur différentiel doit fournir un signal de sortie :
u s = Ad (u1 − u 2 ) ( Ad : gain différentiel)
2 types :
u u u
1 s 1
u
s
u u
2 2
5. 1
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
I
0
-E T1, T2 identiques
• Statique (≡ polarisation) :
u1 = u2 = 0
VCE > VCESat
Les transistors doivent être dans une zone linéaire de fonctionnement :
VBE ≅ 0.6 Volt
(VCE = E par ex. (classe A) car alim. = 2E)
I
Le dispositif est symétrique → I C1 = I C2 = 0 → us = 0
2
I0
On a : E = RC + VCE − VBE
2
I0
VCE > VCESat → E − RC + VBE > VCESat
2
I
VCE = E (classe A) → RC 0 = VBE
2
• Dynamique :
u
s
i i
b S S b
1 1 M 2 2
R i i R
C c c C
r β i 1 2 β i r
b b
1 2
v v
S M S M
1 2
u N
1 u
2
v
NM
5. 2
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
R R
C C
S S
1 2 T
3
T T
1 2
u N
1 u
2
u
R s
I Z
0
-E
T3 , monté en Collecteur Commun, ne prélève que très peu de courant sur le Collecteur de T2 .
→ Symétrie conservée → u s ≈ 0 (T1 , T2 identiques)
• Statique :
En plus des conditions décrites pour le montage à sortie flottante, il faut ajouter la condition :
I0
u s = 0 lorsque u1 = u 2 = 0 → E = − RC − VBE − VZ = 0 avec VBE = 0.6 Volt.
2
• Dynamique :
Schéma équivalent
β i β i
b b r i
1 N 2 3 b
i i
b b
1 2 β i
3 b
R r R r R 3 R
C 0 C Z
us
0
u
s
u u
1 2
5. 3
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
us
RZ (β 3 + 1)
u s ≈ u s0 : Collecteur Commun → gain ≈ 1 : = ≈ 1
0 r3 + RZ (β 3 + 1)
us
On a : [
u s = − RC β ib2 + ib ≈ − β R C ib2 ]
[
u1 = r ib1 + R0 (β + 1) ib1 + (β + 1) ib2 ≈ r ib1 + R0 β ib1 + ib2 ] ( )
u 2 = r ib2 + R [( β + 1)i
0 b1 + (β + 1) ib2 ]≈ ri b2 + R0 β (i b1 +i )
b2
ib1 − ib2 = r (u1 − u 2 ) (1)
1
u1 − u 2 = r ib1 − ib2 ( )
→
→
u1 + u 2 = (r + 2 β R0 ) ib1 + ib2 ( ) ib + ib = 1
(u1 + u2 ) (2)
1 2
r + 2 βR0
− β RC
us = (u1 + u 2 ) + βRC (u1 − u 2 )
et : u s = − β RC ib2 → 2[r + 2 β R0 ] 2r
u s = Ac (u1 + u 2 ) + Ad (u1 − u 2 )
β RC − β RC
avec : Ad : gain différentiel : Ad = Ac : gain de mode commun : Ac =
2r 2(r + 2 β R0 )
Le Montage se rapproche d'autant plus d'un ampli différentiel que : Ad >> Ac .
Ad
On définit le taux de réjection de mode commun : K=
Ac
Remarque :
Si on a un générateur de courant I0 parfait → R0 = ∞ → Ac = 0
R R R R R
C C Z C C
2
S S S S
1 2 T 1 2 T
3 3
u
T
1
N
T
2 ≡ u
T
1
N
T
2
1 u 1 u
2 2
T u u
4 I R s R s
Z
I Z I Z
0 0
V
V R Z
R E
E
-E -E
• R z 2 est calculée pour que la diode zener soit dans la zone verticale de la caractéristique : I Z < 2 E − VZ < I Z
min
RZ max
VZ − 0.6
• VRE = C te = VZ − 0.6 → I 0 = = C te
RE
• De plus : si u1 = u2 = 0, il faut VBE = 0.6 Volt (polarisation) → u1 = 0 = VBE + VCE + VZ − 0.6 − E → VCE + E − VZ
1 4 4
5. 4
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
3. Amplificateur Opérationnel
3.1. Introduction
Définition :
C'est un amplificateur différentiel à référence commune.
Il nécessite 2 alimentations généralement symétriques +E et -E , notées +Vcc et -Vcc (+Vcc de l'ordre de 3 à 15 V).
La référence du potentiel est purement arbitraire, mais il est habituel de prendre le potentiel à partir duquel sont
comptées les alimentations +E et -E , ce qui garantit à priori une excursion symétrique pour la tension de sortie.
On a : − Vcc ≤ Vs ≤ +Vcc
Symbole
Nouveau Ancien
+ Vcc
+ Vcc
- -
V- + V- +
V -V V
s cc s
V -V V
+ cc +
i
- -
R
V- R0 i
MC
- -
ε R R0
i Aε V-
ε R
D Aε
Vs i + +
Vs
i + + V+
V+ R
MC
i− = −i+ i − ≠ −i +
RD : Résistance d’entrée différentielle: R D ≈ 1 MΩ
RMC : Résistance d’entrée de mode commun: R MC ≈ 10 MΩ
Ve
Impédance d'entrée vue du générateur : = RD // RMC :
ie
ie
-
Ve
eg +
Dans un montage à AOP, si la sortie n’est pas réinjectée sur au moins une des entrées + ou - , l’AOP est en BO (Boucle
Ouverte).
5. 5
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
Vs
+ Vcc
A
0
ε
−εs εs
− Vcc
Du fait de la très faible plage de linéarité pour ε , le fonctionnement linéaire (≡ stabilité) ne peut réellement exister
(≡ point de fonctionnement dans la plage linéaire) que s'il y a rebouclage de la sortie sur l'entrée inverseuse :
Z
-
+
Sans bouclage sur l’entrée inverseuse, l’AOP est donc toujours instable (sortie saturée à + Vcc ou − Vcc ).
Mais même avec un bouclage de la sortie sur l’entrée inverseuse, l’AOP peut fonctionner en régime saturé (instable).
Ces quelques règles pratiques sont insuffisantes pour décrire précisément le fonctionnement d’un montage à AOP.
La théorie des systèmes bouclés et l’étude de la stabilité (cf. cours sur la stabilité) sont alors nécessaires pour
déterminer si l’AOP fonctionne en régime linéaire ou non.
GdB
A dB
100 dB
− 20 dB / décade
0 dB fréquence
10 Hz 1 MHz
Facteur de mérite :
Soit un système bouclé à base d’AOP possédant un gain (≡ amplitude de la tension de sortie % à celle d’entrée) en
Boucle Fermée G ′ et une Bande Passante ( BP)′ .
Le produit (Gain en BF).(Bande Passante en BF) , soit : G ′ ⋅ ( BP )′ , appelé facteur de mérite, est Constant quelle
que soit la fréquence : Réduire G ′ permet d’accroître ( BP)′ et réciproquement.
5. 6
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
A=∞
Il est obtenu en faisant : Ri = ∞ dans le modèle différentiel. (ou :
A=∞
dans le modèle différentiel et de mode commun).
RD = ∞
R0 = 0 RMC = ∞
R0 = 0
a) A=∞ :
Vs = A (V+ − V− ) = A ε .
Vs
En régime linéaire : − Vcc ≤ Vs ≤ +Vcc → ε = V+ − V− = = 0 si A = ∞
A
→ V+ = V−
RD = ∞
b) Ri = ∞ : (ou : RMC = ∞
)
Les impédances d'entrée étant infinies, les courants d'entrée + et - sont donc nuls :
→ i+ = i− = 0 .
c) R0 = 0 :
La tension de sortie en charge est égale à la tension de sortie à vide, c'est à dire : Vs = A ε quelle que soit la charge.
Exemples :
Convertisseur Tension-Courant Convertisseur Courant-Tension
i i
Z R2
i
- -
R1 A M A
+ B + i
s
V1 i Z
V2 V
s
B
5. 7
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
Amplificateur inverseur
. Rebouclage de la sortie sur l’entrée inverseuse et pas de rebouclage de la sortie sur l’entrée non inverseuse → Régime linéaire possible
R2
Vs
R1 + Vcc Vcc
-
0 V em Ve
Ve + Vs − V em
− Vcc − V cc
Régime linéaire
. V+ = V − (régime linéaire) :
Ve V s 0
R V + R2Ve + +
V+ = 0 V− = 1 s (th. de Millman) ( V = R1 R2 Ri avec Ri résistance d’entrée ∞ de l’AOP )
R1 + R2 −
1 1 1
+ +
R1 R2 Ri
R2
Approximation del’AOP parfait : V+ = V− (masse virtuelle en V− ) → vs (t ) = − ve (t )
R1
Vs ( jω ) R
Ve ( jω ) → Gain complexe : G ( jω ) = =− 2
R2
En notations complexes, on a : Vs ( jω ) = −
R1 Ve ( j ω ) R1
Régime non linéaire
R0 ≠ 0
• Erreurs statiques: résultant de la présence de générateurs de tension et courant parasites.
• Erreurs dynamiques: issues de la présence d'éléments réactifs (≡ dépendant de la fréquences)
(capacités ou selfs parasites).
5. 8
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
V1 − V− Vs − V− V− − V2
La loi des noeuds en (-) donne : + = (2)
R1 R2 Ri
Vs = A(V2 − V− )
V
→ V− = − s + V2
A
R1
γ=
En posant R1 + R2 et en remarquant que : R12 = γ R2 et : R12 = (1 − γ ) R1
R12 = R1 // R2
Aγ Ri
(2) → Vs + 1 =
A Ri
[V2 − (1 − γ )V1 ]
R12 + Ri R12 + Ri
on a : Vs [γ AR + 1] = AR [V2 − (1 − γ )V1 ]
A Ri
En posant : AR = (relation à comparer avec (1))
R12 + Ri
→ Tout se passe comme si l'amplificateur opérationnel avait une Résistance d’entrée Ri ∞ et un Gain de Boucle
1
Ouverte AR car l’erreur relative s'écrit : ε R = .
AR γ
5. 9
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
1 A 1 1 1
On a : V ' s = − AVC → en B, on a (Th. de Millman) : VC − = Vs + +
R2 R0 RL R0 R2
R0 1 A A VC
<< R2 → << → Vs = − ⋅
A R2 R0 R0 1 1 1
+ +
R0 RL R2
En posant : As =
A
on a : Vs = − As VC = − As (V+ − V− )
1 1
1 + R0 +
RL R2
1
→ Tout se passe comme si l'AOP avait un Gain de Boucle Ouverte As . Erreur relative introduite : ε R =
As γ
La tension en sortie de l'AOP n'est pas nulle lorsque l'on connecte les deux entrées V+ et V− à la masse :
on n’a pas : ε = 0 ⇒ Vs = Aε = 0 du fait d’un biais de l’AOP.
Le constructeur indique comment réaliser, à l'aide d'un potentiomètre extérieur et des connexions (entrées) spécifiques
de l’AOP, un réglage permettant, pour le montage spécifique envisagé, de se rapprocher d'une tension de sortie nulle (cf.
Travaux Pratiques).
-
Voffset
+
Vs = 0
Voffset = Constante
En appliquant le principe de superposition, la tension de décalage d'offset peut être représentée comme un générateur de
tension d'erreur en série avec l'une des deux entrées de l'AOP :
Voffset
5. 10
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
Vs idéal Vs réel
+ Vcc + Vcc
A
A
Offset
0 0
ε ε
− Vcc − Vcc
i C
-
V R
e + Vs
v e (t ) = R i(t ) t0 + t
V+ = V− = 0 dv (t ) 1
i− = i+ = 0
→
i(t ) = −C
dv s (t ) → v e (t ) = − RC s
dt
ou encore : v s (t ) = −
RC ∫ v (τ )dτ
t0
e (1)
dt
A cause de Voffset , ve (t ) → ve (t ) + Voffset = ve (t ) + C te
→ v s (t ) va saturer à + Vcc ou − Vcc (selon le signe de la C te ) car une C te intégrée est une rampe, et
− Vcc ≤ v s (t ) ≤ +Vcc :
v e (t ) v s (t ) + Vcc
C te
t t
Pour éviter ce phénomène de saturation de l’intégrateur (dû à l’offset) , on peut restreindre la plage d’utilisation (≡ de
fréquences) de l’intégration en n’intégrant qu’à partir d’une fréquence de quelques Hertz (et non à partir de la fréquence
0 correspondant à l’offset continu).
Ceci peut être réalisé en plaçant une résistance R’ aux bornes du condensateur (R’ en parallèle avec C).
1
La fréquence f’ à partir de laquelle le montage va intégrer, dite fréquence de coupure, est : f′= .
2π R ′C
Le montage ne va donc pas intégrer pour toutes les fréquences comme le montage initial mais seulement pour les
fréquences supérieures à f’.
V s ( jω )
On peut le montrer sur un diagramme de Bode en traçant le gain complexe : G ( jω ) = :
Ve ( jω )
- Pour le montage initial (sans R’ ), on a, en écrivant l’équation (1) en régime harmonique (≡ sinusoïdal) et en notation
complexe, où ω désigne la pulsation de la sinusoïde d’excitation (≡ de v e (t ) ) :
5. 11
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
t 0 +t
1 V e ( jω ) Ve ( jω )
V s ( jω ) = −
RC jω
car ∫ v (τ )dτ
t0
e s’écrit
jω
en notation complexe,
V s ( jω ) 1 1 1
d’où : G ( jω ) = =− =− avec ωc = .
Ve ( jω ) RCjω ω RC
j
ωc
G (jω ) dB
0 dB
ω (échelle log.)
ωc
(-1)
G ( jω ) dB = 20 log G ( jω )
(-1) ≡ -20 dB / décade
- Pour le montage corrigé (avec R’ ), on a en utilisant les résultats de l’amplificateur inverseur, et en notation complexe:
Z ( jω ) R′
G ( jω ) = − où Z ( jω ) est l’impédance de R’ // C, soit : Z ( jω ) =
R 1 + jω R ′C
R′ 1 1
→ G ( jω ) = − avec ω c′ = : pulsation de coupure.
R ω R ′C
1+ j
ω c′
G (jω ) dB
G0
ω
dB
(échelle log.)
0 dB
ω c′ Courbe asymptotique
Courbe réelle
(-1)
G ( jω ) dB = 20 log G ( jω )
R′
G0 dB
= 20 log
R
(-1) ≡ -20 dB / décade
V +
1
i
B+ Vs
Soit V1 tel que Vs = 0. (V1 ≡ -Voffset) : les 2 entrées sont parcourues par des courants i B − et i B + .
5. 12
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
iB − + iB+
On appelle : - courant de polarisation, le courant : iB =
2
- courant résiduel d'entrée (courant d'offset) : iD = iB − − iB+
On peut les représenter par 2 générateurs de courant i B − et i B + sur les 2 entrées de l'AOP :
-
i +
B-
i
B+
VA V A − Vs
Loi des noeuds en A : − iB − = i1 + i2 avec : i1 = et i2 =
R1 R2
V A = Voffset + V− = Voffset + V+ du fait que : V− = V+
Voffset − R3 i B + Voffset − R3 i B + − Vs
Comme V+ = − R3 i B + , on a : i1 = et i2 =
R1 R2
Voffset − R3 i B + Voffset − R3 i B + − Vs
→ − iB − = +
R1 R2
Vs 1 1 1 1
→ = Voffset + − R3 i B + + + i B −
R2 R
1 R 2 R
1 R 2
On peut ajuster le potentiomètre d'offset de façon à donner à Voffset une valeur telle que Vs = 0 . Mais ce réglage
n'est pas indépendant par exemple, de la température → on peut optimiser le dispositif :
Calculons Vs en fonction de i B et i D :
iD
i B − = i B + 2 Vs 1 1 1 1 i i
→ = Voffset + − R3 + i B − D + i B + D
i = i − i D R2 R1 R2 R1 R2 2 2
B + B 2
Vs 1 1 1 1 i D 1 1
→ = Voffset + + i B 1 − R3 + + 1 + R3 +
R2 R
1 R 2 R
1 R 2 2 R
1 R 2
1 1
Le courant de polarisation n'intervient pas si : 1 − R3 + = 0 → R3 = R1 // R2
R1 R2
5. 13
Electronique Analogique 5. Amplificateur Opérationnel
R1 R2 R1 R2
- -
+ +
Ve Ve
Vs R3 Vs
∆t
Sortie s(t)
Entrée e(t)
∆v
∆v
0 t
Slew Rate : SR =
∆t
Plus le slew rate est élevé, meilleure est la qualité de l’AOP.
V+ ≠ V− Vs ≠ A (V+ − V− )
+ V + Vcc
s
0
V
2
0 ε = V+ − V−
5. 14
Electronique Analogique TD 5. Amplificateur Opérationnel
TD 5. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
-
R
1
+
v
1 v
2
V2
- Calculer le Gain en tension G= du montage.
V1
- L’amplificateur opérationnel étant alimenté en (+Vcc, -Vcc), à partir de quelles valeurs d’amplitude de v1(t), notées
v1min et v1max , le montage fonctionne-t-il en régime non linéaire (saturation de la sortie v 2 ) ?
2. Montage Intégrateur
C
-
R
1
+
v
1 v
2
-
R
1
+
v
v 2
1
V2
Calculer le gain en tension G= du montage. Cas particulier où R2 = 0 .
V1
4. Amplificateur Différentiel
R
2
R
1
-
+
R
3
v R
1 v 4
2 v
s
TD 5. 1
Electronique Analogique TD 5. Amplificateur Opérationnel
Calcul Analogique
5. Equations différentielles
Soit le système suivant permettant de résoudre une équation différentielle du 2nd ordre, linéaire, à coefficients
constants a, b , c, d :
R/c
R/d
R R/b C C
R/a
- R
AOP1 - R
x(t)
+ AOP2 - R
+ AOP3 -
+ AOP4
v (t) v (t) v (t) +
1 2 3 y(t)
+
-Vcc
v v
e s
R
R 1
2
Vref
a) Tracer le graphe v s = f ( ve )
Aide : Commencer par déterminer les seuils de ve provoquant le basculement de vs puis commencer le graphe en prenant une valeur particulière
de ve ( ve = +∞ ou ve = −∞ par exemple) et faire progresser ve jusqu’au basculement, dans un sens puis dans l’autre.
TD 5. 2
Electronique Analogique TD 5. Amplificateur Opérationnel
-
R
1
+
v
1 v
2
V2
- Calculer le Gain complexe en tension G= , la résistance d’entrée Re , la résistance de sortie Rs du montage.
V1
2. Montage Intégrateur
C
-
R
1
+
v
1 v
2
V2
Calculer le Gain complexe en tension G= .
V1
3. Montage Dérivateur
R
C
-
+
v
1 v
2
V2
Calculer la tension v 2 ( t ) , ainsi que le gain complexe en tension G = .
V1
4. Montage non Inverseur
R
2
-
R
1
+
v
v 2
1
+
v
v 2
1
V2
Calculer : le gain en tension G= , la résistance d’entrée Re , la résistance de sortie Rs du montage.
V1
TD 5. 3
Electronique Analogique TD 5. Amplificateur Opérationnel
-
R
1
+ R
3
v R
1 v 4
2
V2
Calculer : - le gain en tension G= ( R3 , R4 << R1 , R2 )
V1
7. Amplificateur à gain ajustable (inverseur - non inverseur)
R
2
R
1
-
R +
v
1 αR v
2
V2
Calculer le gain en tension G= en fonction de R1 , R2 , et α .
V1
8. Montage Sommateur (Mixeur) inverseur
Calculer la tension Vx du sommateur pondéré passif :
R R
1 v 2
v x v
1 2
+
0
v v
e s
TD 5. 4
Electronique Analogique TD 5. Amplificateur Opérationnel
Z -
- + L
v
e ou +
+ -
v
e
Z
L
V
On a la relation : Z e = e = −α Z L . Déterminer α .
Ie
12. Amplificateur logarithmique et amplificateur exponentiel
Logarithmique : (D bloquée si v e < 0.6 Volt) Exponentiel : (D bloquée si v e < 0.6 Volt)
D
R
R D
- -
+ +
v v v v
e s e s
- ou si ve est bipolaire : (Diodes bloquées si : -0.6 Volt < v e < 0.6 Volt) :
D'
R
R
D D'
- -
D
+ +
v v v v
e s e s
TD 5. 5
Electronique Analogique TP 5. Amplificateur Opérationnel
TP 5. AMPLIFICATEUR OPERATIONNEL
1. Matériel nécessaire
- Oscilloscope
- Générateur de signaux Basses Fréquences (GBF)
- Alimentation stabilisée ( 2x[ 0-30 V] _ + 1x[ 5 V] _ )
&&& &&&
- Multimètre
- Moniteur MS06 (plaquette de câblage)
- Câbles : - 1 T, 1 BNC-BNC, 1 BNC-Banane, 1sonde oscilloscope, 6 fils Banane, petits fils.
- Composants : - 4 Résistances 1 kΩ (1/4 Watt)
- 1 Résistance 2.2 kΩ (1/4 Watt)
- 1 Résistance 10 kΩ (1/4 Watt)
- 1 Potentiomètre 10 kΩ (1/4 Watt)
- 1 Condensateur 10 nF
- 2 Condensateurs 4.7 µF
- 1 Condensateur 47 µF
- 1 Diode 1N4148 (1/4 Watt)
- 1 Amplificateur Opérationnel UA741 (ou TL081 ou TL071)
(le type 741 ayant une Bande Passante plus faible ne convient pas pour la partie « multivibrateur astable » :
l’oscillation engendrée par un 741 aurait une forme « entre triangulaire et carrée » plutôt que carrée.
2. Notation du TP
Faire valider par le professeur en fin de séance, l’ensemble étude théorique et compte-rendu de manipulation.
3. Etude théorique
Sauf indication contraire, les alimentations de l’Amplificateur Opérationnel sont : +Vcc = +15 V -Vcc = -15 V.
I. MONTAGES FONDAMENTAUX
V s ( jω )
- Dans chacun des montages suivants, calculer la Fonction de Transfert : H ( jω ) = ainsi que
Ve ( j ω )
l’expression temporelle de la sortie : v s (t ) .
Le signal d’entrée ve (t ) est sinusoïdal de fréquence 1 kHz et d’amplitude 0.5 Volt
Figure 1
AOP : UA741
ve (t ) signal sinusoïdal de fréquence 1 kHz et d’amplitude 0.5 Volt
+Vcc = +15 V -Vcc = -15 V
Instrument : Simulation → Analyses Setup → Transient
vs
- Gain en tension théorique : Av = =1
ve
TP 5. 1
Electronique Analogique TP 5. Amplificateur Opérationnel
R2
R1
Figure 2
AOP : UA741
ve (t ) signal sinusoïdal de fréquence 1 kHz et d’amplitude 0.5 Volt
+Vcc = +15 V -Vcc = -15 V
R1 = 1 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
Instrument : Simulation → Analyses Setup → Transient
vs R
- Gain en tension théorique : Av = = 1+ 2
ve R1
R1 C R 1 nécessaire
R (sinon saturation dûe à
+ Vcc l'intégration dès la fréquence 0
- et donc intégration jusqu'à
saturation de l'offset de l'ampli. op.)
+
ve - Vcc
vs
Figure 4
AOP : UA741
ve (t ) signal sinusoïdal de fréquence 100 kHz et d’amplitude 0.5 Volt
+Vcc = +15 V -Vcc = -15 V
R = 1 kΩ, R1 = 1 kΩ, C = 10 nF
Instrument : Simulation → Analyses Setup → Transient
- Ampli intégrateur : la tension vs est en retard % à ve d’1/4 de période (quadrature retard) pour des fréquences > ~ 50 kHz
TP 5. 2
Electronique Analogique TP 5. Amplificateur Opérationnel
R R3 Figure 8
4
AOP : UA741
ve1 (t ) signal continu d’amplitude 1 Volt
ve2 (t ) signal continu d’amplitude 2 Volts
+Vcc = +15 V -Vcc = -15 V
R1 = R2 = R3 = R4 = 1 kΩ
Instrument : Simulation → Analyses Setup → Transient
- Ampli additionneur : v s = v e1 + v e 2
ve +
- Vcc
1
R3 vs
ve
2 Figure 9
R4
AOP : UA741
ve1 (t ) signal continu d’amplitude 1 Volt
ve2 (t ) signal continu d’amplitude 3 Volts
+Vcc = +15 V -Vcc = -15 V
R1 = R2 = R3 = R4 = 1 kΩ
Instrument : Simulation → Analyses Setup → Transient
- Ampli soustracteur : v s = v e 2 − v e 1
TP 5. 3
Electronique Analogique TP 5. Amplificateur Opérationnel
ANNEXE TP
DOCUMENTATION DES COMPOSANTS
Brochage de l’AOP type 741 (TL081 ...)
NC +Vcc vs Offset
8 7 6 5
NC : Non Connecté
1 2 3 4
Offset : ne pas utiliser si on ne veut pas régler le décalage d'offset
Offset v- v+ -Vcc
__________
TP 5. 4
Electronique Analogique 6. CAN - CNA
6. CAN - CNA
CAN - CNA Conversion Analogique/Numérique (CAN ADC) - Conversion Numérique/Analogique (CNA DAC)
1. Généralités
Le traitement d'un signal analogique nécessite souvent des circuits complexes (→ problèmes de réalisation) et peut
engendrer un bruit non négligeable.
La conversion de ce signal en un signal numérique introduit au départ un bruit de quantification mais ensuite :
- affranchit le traitement de la quasi-totalité du bruit (le bruit a moins d'influence sur des 0 et des 1 que sur un signal
analogique. De plus, le codage numérique autorise la détection et la correction des erreurs.
- rend les traitements beaucoup plus puissants (codage, compression sans perte, cryptage ...) et souples (le câblage
des circuits est remplacé par un algorithme de calcul).
- a l'inconvénient cependant de ralentir les traitements (temps de conversion A/N, N/A, temps de décodage des
instructions pour un traitement numérique, en plus du temps d’exécution par les circuits électroniques, seul temps
requis par un traitement analogique)
Echantillonneur CAN
Bloqueur Quantification Codage 1001010
d'ordre 0 DCB,Cà2 , ...
s (t ) s* (t ) s* (t ) s* (t ) N mots binaires
B BQ
(1 mot par échantillon)
t t t t
Te Période d'échantillonnage Te t
Le rôle du bloqueur d’ordre 0 est de maintenir constante la valeur d’un échantillon pendant le temps nécessaire au CAN.
CNA
t t t
Te Te
Période d'échantillonnage
• Un convertisseur est dit « unipolaire » s'il convertit des tensions soit > 0, soit < 0 mais pas les deux.
• Un convertisseur est dit « bipolaire » s'il convertit des tensions pouvant être > 0 ou < 0.
6. 1
Electronique Analogique 6. CAN - CNA
s (t ) s * (t )
B
t
C H (t )
Horloge H
s * (t ) Te
B
6. 2
Electronique Analogique 6. CAN - CNA
R R R'
m -1 m -2
R
2 2
... _
Vs
+
ER ′ m−1 ER ′
→ Vs = −
R
[
2 bm−1 + 2 m− 2 bm−2 + L + b0 ] → Vs = −
R
[bm−1 bm−2 L b0 ]
ER ′
Vs = − ⋅N Vs proportionnelle à N
R
Inconvénients : . Imprécision sur E et sur les résistances
. Nécessité de valeurs de résistances ayant entre elles un rapport précis.
Vs
N
Influence d'une imprécision sur les résistances
2.1.2. CNA à réseau en échelle (réseau R - 2R) (montage le plus rencontré dans les circuits CNA du commerce)
2 valeurs de résistances seulement sont utilisées.
Ex : Convertisseur sur m = 4 bits :
b E b E
2
b E b E
3 1 0
2R 2R 2R 2R
Vs
R R R
2R
6. 3
Electronique Analogique 6. CAN - CNA
Le mot N est comparé en permanence à une séquence aléatoire B d'impulsions. Le comparateur effectue un certain
nombre de fois ( m ) un ET logique entre N et B pour donner V N . Un filtre passe-bas retient la valeur moyenne
(= Cte) de V N comme sortie du CNA.
m comparaisons tension
électrique
Comparateur
VN
N (ET logique) Filtrage Vs
+ Passe-bas
1010011010 Codeur
code binaire VN Vs (Moyenne de VN )
t t
1 0 1 00 11 0 1 0
Générateur
aléatoire Légende
de bruit (B ) B m fils (m bits)
Numérique
t 1 fil
Inconvénient : . Convertisseur original mais plus lent que les précédents ( m doit être assez élevé pour avoir un bon résultat)
Le rôle de l’ensemble Comparateur/Générateur aléatoire est d’engendrer une tension électrique à partir d’un code binaire.
- Sans le codeur (donnant un poids plus important aux bits de plus fort poids), Vs serait proportionnelle au nombre de bits à 1 de N
- le code choisi (en général, binaire pur, DCB, ou code complément à 2 pour les convertisseurs bipolaires),
- la précision souhaitée qui détermine le nombre m de bits (→ la dynamique = 2m )
du mot de sortie,
- la vitesse de conversion (de l’ordre de la microseconde, voire la nanoseconde pour les convertisseurs rapides à Fe ~ 1 GHz).
2.2.1. Les convertisseurs à essais successifs de niveaux (Convertisseurs lents car toutes les valeurs sont essayées)
6. 4
Electronique Analogique 6. CAN - CNA
+ V cc
C Vin
R + VN Compteur
V _ N
ref V1 _
00101000
(incrémenteur)
Tension Cte < 0 Vmax (période H) Mot binaire
+ V1
V1 0
t=0 00000000
Vin t=H 00000001
t = 2H 00000010
0 t t
t = 3H 00000011
0
... ........
t=T 00101000
VN
K se ferme et se rouvre instantanément
+ V cc
t
0 T Te
Quantification Codage
Le signal à convertir Vin ( 0 < Vin < Vmax ) est constant pendant le temps de la conversion Te car il provient de
l'ensemble échantillonneur-bloqueur.
Au bout de Te , un autre échantillon bloqué arrive en Vin immédiatement après que l'interrupteur K ait déchargé le
condensateur C pour générer une nouvelle rampe. Le compteur au début de la conversion démarre (incrémente) son
cycle de comptage de 0 et il est arrêté au temps T. Il fournit un mot N binaire proportionnel à Vin codé en DCB.
Pour s'affranchir de la dérive RC de l'intégrateur engendrant la rampe ( τ = RC varie légèrement au cours du temps, car
nde
dépendant de la température), on peut utiliser un convertisseur double rampe qui va retrancher l'erreur de dérive sur la 2
rampe, ou encore faire appel à un générateur de dent de scie précis (ex : rampe numérique) :
+ V cc
Tension Cte < 0 Vref K1 C
R _
VN Compteur
Vin _ N 00101000
V1
+ (incrémenteur)
+ (période H) Mot binaire
V1 0 V1 t = 0 00000000
K1 bascule t = H 00000001
t = 2H 00000010
0 t 0 t t = 3H 00000011
θ T 0 T ... ........
t = T 00101000
VN K se ferme et se rouvre instantanément
+ V cc et K1 rebascule en V
ref
t
0 T Te
Quantification Codage
Vin est le signal à convertir.
Dans un premier temps K1 est sur Vref et l'intégrateur délivre une rampe > 0 en V1. Ensuite, K1 bascule à Vin (au bout
d’un temps θ toujours le même) et l'intégrateur délivre une rampe < 0 (on suppose ici Vin > 0) en V1.
6. 5
Electronique Analogique 6. CAN - CNA
Quantification Codage
Il peut être réalisé, si on veut plus de rapidité, en logique câblée (≡ circuits non programmables donc figés) ou, si on
veut plus de souplesse, en logique programmée (≡ circuits programmables (microprocesseur, microcontrôleur ...) donc à
action non figée) :
En logique programmée
Bus d'adresses
Bus de données
Algorithme
Début
V MAX V
V = ; V0 = ; i = m -1
2 2
NON OUI
Vin ≥ V ?
V
0
V = ; i = i -1
0
2
NON OUI
i = -1 ?
N [ m- 1 ] N [0 ]
Vin : Signal analogique d'entrée (on suppose : 0 < Vin < V MAX )
V MAX : Valeur maximale possible pour Vin
m: Nombre de bits pour le codage
V0 : « Pesée » successive
N: Mot binaire de sortie codé en binaire pur
6. 6
Electronique Analogique 6. CAN - CNA
Principe
On découpe l’intervalle [0, VMAX ] en 2 parties égales et on compare par rapport à Vin → Selon le résultat, on met 0 ou 1
V V
dans le bit de poids fort de N puis on redécoupe en 2 intervalles égaux l’intervalle [0, MAX ] si Vin < MAX (et
2 2
VMAX
l’intervalle [ , VMAX ] sinon) et on regarde à nouveau dans quel intervalle se situe Vin etc ...
2
VMAX
VMAX
2 VMAX
4 Vin 0 t
2.2.3. Les convertisseurts simultannés (Flash) (Convertisseurs les plus rapides mais aussi les plus chers)
m
Dans ce type de convertisseur à m bits , les 2 valeurs possibles des différentes dichotomies de la méthode des convertisseurs à
essais successifs de digits sont comparées simultanément dans 2m comparateurs analogiques au signal d'entrée Vin .
Le mot de sortie est obtenu ensuite par codage des sorties des comparateurs :
Vin +
_
7.5
+
_
6.5
+
_
5.5
+
CODEUR
_
4.5
(constitué de
+ portes logiques
N (3 bits)
_ combinatoires)
1.5
+
_
0.5
8 comparateurs
6. 7
Electronique Analogique TD 6. CAN - CNA
TD 6. CAN - CNA
1. CNA
Etude d'un Convertisseur Numérique-Analogique
Pour convertir un nombre N (valeur décimale), qui s'écrira en binaire : (N codé sur 12 bits)
N = A11 A10 A9 L A2 A1 A0 en une tension analogique proportionnelle à N : Va = aN , on utilise un circuit
intégré dont le schéma synoptique traduit une architecture R - 2R (figure 1) :
S1 S2
J J
1 2
2R Vo
Io
N0 A
0
2R
R
N1 A
1
2R
R
N A
2
2
2R
R
N
3
2R
R
Vi
Ii
N Ai
4
2R
R
N
5
2R
R
N
6
2R
R
N
7
2R
R
N
8
2R
R
N A
9 9
2R
R
V10
I 10
N A 10
10
2R
R
V11
N A 11
11
2R I
11
V Figure 1
TD 6. 1
Electronique Analogique TD 6. CAN - CNA
V
J
1
S
N 1
Réseau R - 2R
S
2
A11 A10 A9 L A2 A1 A0
J
2
Schéma synoptique
Le circuit comporte :
- un réseau en échelle R - 2R, qui est alimenté par une tension constante V de polarité quelconque.
On donne R = 10 kΩ.
- deux sorties notées S1 et S2 , qui devront être portées à un potentiel nul lors de l'utilisation.
- un jeu de douze commutateurs analogiques commandés par les signaux logiques A11 A10 A9 L A2 A1 A0 .
Quand le bit Ai est au niveau logique 0 (on notera Ai = 0), la résistance 2R traversée par le courant Ii est connectée à
la sortie S2 .
Quand le bit Ai est au niveau logique 1 (on notera Ai = 1), la résistance 2R correspondante est connectée à la sortie S1 .
La figure 1 est représentée dans le cas où A11 = A10 = L = A2 = 0 , A1 = 1 et A0 = 0 .
A A A0
11 10
N Figure 2
2. On réalise le montage de la figure 3 dans lequel l'amplificateur opérationnel est considéré comme idéal pour
simplifier les calculs (amplification infinie, courants de polarisation et tension de décalage nuls).
J1 R
S -
1
Réseau R - 2R
V S +
2
J2
Va
A A A
11 10 0
N Figure 3
TD 6. 2
Electronique Analogique TD 6. CAN - CNA
2. CAN
Va CAN N
Le montage étudié est représenté figure 7. La tension à convertir v6 est une tension continue positive et inférieure à 5
Volts. Les amplificateurs opérationnels utilisés en comparateurs et considérés comme idéaux, sont alimentés sous les
tensions +Vcc et 0; on donne Vcc = 15 V. Les tensions de saturation sont donc de +Vcc et 0.
Le générateur de rampe fournit une tension périodique uR(t) représentée figure 8 et d’expression uR(t) = at - b
pour t compris entre 0 et TR avec a = 20 V/s et b = 5 V.
Sa période est TR = 2b/a .
La période de l’horloge TH petite devant TR est égale à 1ms pour tout le problème, sauf pour la question 5.
Le signal d’horloge uH est rectangulaire, variant entre 0 et +Vcc, et périodique de période TH (figure 10)
1. Etudier les niveaux de sortie des comparateurs et des circuits logiques utilisés dans les différents cas proposés dans le
tableau (figure 9) de la feuille réponse. Remplir les cases correspondantes du tableau avec la notation de 1 ou 0 pour les
niveaux hauts et bas de S1, S2 et S3. Pour la tension u7(t) indiquer quand elle est nulle et quand elle reproduit le signal
d’horloge uH (t) de période TH. uH (t) est un signal rectangulaire (0 ou 15V).
2. Dans quel intervalle de temps le comptage TC s’effectue-t-il ? Exprimer la durée du comptage TC en fonction
de a et de v6.
3. Exprimer le nombre N de périodes d’horloge reçues par le compteur en fonction de TC et de TH.
4. En remplaçant TC par l’expression trouvée à la question 2 exprimer N en fonction de v6, a et TH.
5. Tracer l’allure du graphe de u7(t) pour une tension v6 = 3 V en précisant où se trouvent TC, t1 et TH et en
donnant la valeur numérique de N. On prendra, pour cette question seulement, TH = 25 ms.
Figure 7
Comparateur Porte OU
Tension à convertir Porte ET
S1 Exclusif
v6 − S3
C1
Générateur + & Compteur Affichage
de Comparateur =1
rampes + [N]
uR(t) C2 S2
u7(t)
− Horloge
uH(t)
TD 6. 3
Electronique Analogique TD 6. CAN - CNA
uH
Vcc
t
TH
FIGURE 10
TD 6. 4
Electronique Analogique TD 6. CAN - CNA
3. (facultatif)
On va évaluer la tolérance sur les composants R et 2R pour que le convertisseur ait certaines performances.
On admet que la tolérance x est la même pour toutes les résistances R et 2R.
On se place dans le cas le plus défavorable en supposant que la résistance 2R connectée à V dans le schéma de la figure 1 a sa valeur
maximale, soit 2R (1 + x) et que toutes les autres résistances ont leur valeur minimale, soit R (1 - x) ou 2R (1 - x).
On s'intéresse alors à la tension de sortie Va quand N vaut 2047, puis 2048.
3.1. On désire que le convertisseur numérique-analogique soit monotone. Calculer la valeur x1 à attribuer à x.
3.2. On désire que l'erreur de non-linéarité différentielle soit inférieure à 1/4 de quantum. Calculer la valeur x2 à attribuer à x.
3.3. La résistance R utilisée pour boucler l'amplificateur opérationnel est en fait intégrée dans le convertisseur.
Quel type d'erreur créerait cette résistance si elle ne valait pas exactement R ?
2. Echantillonnage
1. Un commutateur analogique K découpe, au rythme d'un signal d'horloge h(t), le signal d'entrée e(t).
Il en résulte le signal e Ech ( t ) :
e(t) e (t)
Ech
K
h(t)
t
0
T
e
t
0
T
e
1.3. Décomposer m(t ) en série de Fourier. On exprimera les coefficients de la série en fonction de α
1.4. En déduire la décomposition de e Ech (t ) . Représenter son spectre pour α = 0.1 .
2. On désire retrouver le signal e(t) à partir du signal e Ech (t ) de la question précédente. On réalise pour cela
un filtrage passe-bas.
e (t) e(t)
Ech
Filtre
Passe-bas
2.1. Comment choisir Fe (fréquence d'échantillonnage) par rapport à f (fréquence du signal e(t)) pour
pouvoir restituer e(t) à partir des échantillons e Ech (t ) par un filtrage passe-bas idéal ?
TD 6. 5
Electronique Analogique TD 6. CAN - CNA
3. Quantification
Bruit de quantification
La quantification d’un signal analogique s peut se représenter comme l’addition d’un bruit ε dit de
quantification. Le signal quantifié sq s’écrit donc : sq t = s t − ε t () () ()
Par exemple, dans le cas de la quantification par arrondi, on a la représentation graphique suivante, en appelant
q le pas de quantification :
Quantification par Arrondi s s
q
sq
q t
+ -q/2 q
s(t) sq (t)
q/2
s ε
- -q
-q
ε ( t) q/2
0 t
-q/2
Calculer la valeur moyenne et la valeur efficace de ε (t ) dans le cas d'approximation où les variations de
s(t ) sont grandes par rapport à l'échelon de quantification q.
__________
TD 6. 6
Electronique Analogique TP 6. CAN - CNA
TP 6. CAN - CNA
1. CAN - CNA
1. CNA
Simuler le circuit CNA.ckt (fichier Circuit Maker) et répondre aux questions incluses dans le fichier.
2. Décodage
Ouvir le fichier Wav file header. txt (Fichier Texte) et répondre aux questions incluses dans le fichier.
__________
TP 6. 1
Electronique Analogique TP 6. CAN - CNA
- 5v V 3 22 AGND
ADC
SS
High Range 4 21 CLK
PARTIE
High Reset 5 20 INT
CAN
DB 6 19 BUSY
7
DB 7 18 ST
6
DB 8 17 RD
5
DB 9 16 CS 0v = Low
4
DB 10 15 WR
3
DB 11 14 DB
2 0
Low DGND 12 13 DB1
Figure 1
.Entrées numériques du CNA (8 bits) : DB0 (LSB) à DB7 (MSB) : DataBits
.Sortie analogique du CNA : VOUT
.Référence de la sortie : AGNDDAC : Analog Ground pour la CNA (DAC)
. WR : Un front montant provoque la conversion CNA des données présentes DB0 à DB7
.VSS et Range :
.VSS = Low (0 Volts) : Conversion unipolaire : VOUT générée est telle que :
. Range = Low : 0 < VOUT < 1.25 Volts
. Range = High : 0 < VOUT < 2.5 Volts
.VSS = - 5 Volts : Conversion bipolaire :
. Range = Low : -1.25 Volts < VOUT < 1.25 Volts
. Range = High : -2.5 Volts < VOUT < 2.5 Volts
TP 6. 2
Electronique Analogique TP 6. CAN - CNA
Les convertisseurs ont une résolution de 8 bits et demandent un temps de conversion d’1 µs, autorisant une
fréquence maximale d'échantillonnage d'1 MHz. Ils sont bipolaires (2.5 Volts), c'est-à-dire que la tension v
analogique d'entrée acquise par CAN,ou de sortie restituée par CNA, est telle que : -2.5 Volts < v < +2.5 Volts.
On a la correspondance pour ce type de convertisseur (codage complément à 2) :
Mot Tension analogique : CNA
0D = 00H = 0000 0000B 0.0 V
127D = 7FH = 0111 1111B 2.5 V
-128D = 80H = 1000 0000B -2.5 V Figure 2
quantum :
q = 5 Volts/256 = 19.53 mV
q +127
N
-128 0 mot binaire d'entrée
- 2.5 Volts
4. Etude Expérimentale
4.1. Acquisition (CAN) / Restitution (CNA) directement par le composant AD7569JN
4.1.1. CNA de mots tests
Après avoir câblé le convertisseur AD7569JN (composant et non interne à la carte d’interface) en CNA, lui
présenter des données permettant (manuellement) de tester le bon fonctionnement de celui-ci en lui envoyant
quelques mots connus et en mesurant la tension de sortie correspondante (cf. figure 2).
Les données à 1 (resp. à 0) seront matérialisées par une connexion au + 5 Volts (resp. à la masse).
Le signal d’horloge ( WR ) sera engendré par le GBF en sortie TTL (on pourrait aussi utiliser une horloge type
NE555) avec une fréquence de quelques Hertz suffisante vu la vitesse (manuelle) d’arrivée des données.
4.1.2. CAN de signaux tests
Lire le datasheet du composant en détail.
Après avoir câblé le convertisseur AD7569JN en CAN, tester le bon fonctionnement de celui-ci en lui envoyant
quelques signaux continus (issus de l’alimentation stabilisée par ex.) de valeur connue et en déterminant le mot
de sortie correspondant (cf. figure 2).
Le signal d’horloge ( RD ) sera engendré par le GBF en sortie TTL (on pourrait aussi utiliser une horloge type
NE555) avec une fréquence de quelques Hertz suffisante vu la vitesse d’arrivée des signaux.
TP 6. 3
Electronique Analogique TP 6. CAN - CNA
On voit que le complément à 1 comme le complément à 2 respectent le bit de signe comme MSB.
TP 6. 4
Electronique Analogique
ELECTRONIQUE
ANALOGIQUE
ANNEXE
Annexe
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
1. La Contre-Réaction
ie is
Rs
ue Re A.ue= u s us RL
v
En régime sinusoïdal et notation complexe, on peut faire correspondre au schéma précédent le gain complexe H ( jω )
de l’amplificateur : (schéma en BO (Boucle Ouverte)) :
U e ( jω ) U s ( jω ) = H ( jω )U e ( jω )
H( jω ) U s ( jω )
H ( jω ) =
U e ( jω )
(comme : u e (t ) = u (t ) − u r (t ) )
Schéma-bloc :
+
U e ( jω )
U ( jω ) H ( jω ) U s ( jω )
-
U r ( jω )
K ( jω )
R2 U ( jω )
avec : K ( jω ) = = r et : U e ( jω ) = U ( jω ) − U r ( jω )
R1 + R2 U s ( jω )
7. Annexe 1
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
Si la perturbation causée par la Boucle de Réaction n'est pas négligeable, il faut faire intervenir les paramètres
d’impédance d'entrée et de sortie, par exemple, des 2 quadripôles H ( jω ) et K ( jω ) pour témoigner de leur
comportement différent à vide et en charge (dans le schéma-bloc les FTs en charge apparaissent alors; par ex., la FT en
charge H c ( jω ) s’obtient à partir de la FT à vide H ( jω ) par l’expression faisant intervenir la charge K ( jω ) de
Re K ( jω )
H ( j ω ) : H c ( jω ) = H ( jω ) où Re K ( jω ) désigne l’impédance d’entrée de K ( jω )
Re K ( jω ) + Rs H ( jω )
et Rs H ( jω ) l’impédance de sortie de H ( jω ) ).
En posant (notation de Laplace en régime sinusoïdal) : p = jω , on peut représenter un Système Bouclé (SB) par le
schéma bloc général :
+ Xe(p)
X(p) H(p) Y(p) ≡ X(p) G(p) Y(p)
-
Xr(p)
K(p)
Y ( p ) = H ( p ) Xe( p) = H ( p)[ X ( p) − Xr ( p )] = H ( p )[ X ( p ) − K ( p )Y ( p )]
Y ( p) H ( p) Y ( p)
→ = = G( p)
X ( p) 1 + K ( p ) H ( p) X ( p)
H ( p)
G ( p) =
1 + K ( p) H ( p)
Y ( p ) = H ( p) Xe( p ) = H ( p )[ X ( p ) + Xr ( p)] = H ( p )[ X ( p ) + F ( p )Y ( p )]
Y ( p) H ( p) Y ( p)
→ = = G( p)
X ( p) 1 − F ( p ) H ( p) X ( p)
H ( p)
G ( p) =
1 − F ( p) H ( p)
On a évidemment : K ( p) = − F ( p)
7. Annexe 2
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
+
X ( jω ) H ( jω ) Y ( jω ) ≡ X ( jω ) G ( jω ) Y ( jω )
-
K ( jω )
H ( jω )
G ( jω ) =
1 + K ( jω ) H ( jω )
Soit T ( jω ) = K ( jω ) H ( jω ) : FT de la BO
Exemple
Im[T ( jω )]
-2 -1 ω = +∞ ω =0
Re[T ( jω )]
A O B
M
P
ω
Lorsqu’on réalise une boucle de réaction d’un système, on cherche à réaliser une CR et non une RP (si l’on désire
que le système fonctionne en régime linéaire).
Ex. AOP (Amplificateur Opérationnel) rebouclé de la sortie vers l’entrée inverseuse pour le stabiliser.
7. Annexe 3
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
Le bouclage se traduit pour les systèmes linéaires, par une CR (et non une RP).
is
- courant : CR d'intensité
H
- courant : CR parallèle ir H
7. Annexe 4
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
Entrée
- CR série :
Zs
Ze H
u ue H
H
ur
Zs
K Ze
K
K
La CR série augmente l'impédance d'entrée Ze du système ouvert équivalent à la CR, par rapport à l'impédance
d'entrée Ze H (car Ze H est en série avec Zs K )
- CR parallèle :
La CR parallèle diminue l'impédance d'entrée Ze H (car Ze H est en // avec Zs K )
Sortie
- CR de tension :
La CR de tension diminue l'impédance de sortie Zs ( Zs H en // avec Ze K )
- CR d'intensité :
La CR d'intensité augmente l'impédance de sortie Zs ( Zs H en série avec Ze K )
Un système est stable au sens strict, ou encore asymptotiquement stable (stabilité au sens de Lyapunov), s'il y a retour à
l'équilibre après disposition de la perturbation, et instable s'il s'écarte de cette position d'équilibre pour aller
éventuellement vers un autre état d'équilibre s'il existe.
Autre définition de la stabilité (au sens large) : à entrée bornée correspond une sortie bornée pour le système.
7. Annexe 5
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
K ( jω )
H ( jω )
Soit : T ( jω ) = K ( jω )H ( jω ) (BO) G ( jω ) =
1 + T ( jω )
Rappel : complexe en coordonnées cartésiennes et polaires :
Im [ T ( jω )]
O x
Re [ T ( jω )]
0 ϕ
ψ ω
y M
T ( jω )
Coordonnées cartésiennes ( x , y ): T ( jω ) = x + jy
Coordonnées polaires ( OM , ϕ ): OM = T ( jω ) = x 2 + y 2 ϕ ≡ ψ = ArgT ( jω ) = Arctg
y
(ψ − ϕ = 2π )
x
Critère du revers algébrique : on compare T ( jω ) par rapport à − 1 (point critique) (point complexe (Re= -1; Im= 0):
Soit ω0 la pulsation telle que : Arg[T ( jω 0 )] = −π .
Si T ( jω 0 ) ( = T ( jω ) ) est : < 1 : le Système Bouclé est stable
à ω =ω 0
Le point A correspond à ω = ω 0
-1 ω 0 ω = +∞ ω =0
Re [ T ( jω )]
A A A 0
ω ω
ω
SB G ( jω ) stable
SB G ( jω ) oscillant (à ω0 ) T ( jω ) = − 1
SB G ( jω ) instable
ω0
0 dB
ω
Arg[T ( jω )]
0 ω0
ω
SB G ( jω ) stable
SB G ( jω ) oscillant (à ω0 ) T ( jω ) = −1
−π SB G ( jω ) instable
7. Annexe 6
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
ω0 ω
ω=0
ω0 ω 0 dB SB G ( jω ) stable
Arg[T ( jω )] SB G ( jω ) oscillant (à ω0 ) T ( jω ) = −1
−π
SB G ( jω ) instable
ω0
ω = +∞
K ( jω )
H ( jω )
Soit : T ( jω ) = K ( jω )H ( jω ) (BO) G ( jω ) =
1 − T ( jω )
Le point critique est le point +1 et non plus -1 comme pour les Systèmes Bouclés à comparateur +/-.
Critère du revers algébrique : on compare T ( jω ) par rapport à + 1 (point complexe (Re = 1; Im = 0)) :
Soit ω0 la pulsation telle que : Arg[T ( jω 0 )] = 0 .
Si T ( jω 0 ) ( = T ( jω ) ) est : < 1 : le Système Bouclé est stable
à ω =ω 0
-
R
1
+
x
y
Ne pas écrire V+ = V− qui suppose déjà que le système fonctionne en linéaire alors que la théorie des systèmes
bouclés peut déterminer si le fonctionnement est linéaire (≡ stabilité). En écrivant V+ = V− on aboutit à un
module non bouclé :
x − R2 / R1 y
On écrit donc :
y = A(V+ − V− ) = Aε R1 y + R2 x (th. de Millman) V+ = 0 ε = V+ − V−
V− =
R1 + R2
d’où le schéma-bloc :
R2 + −ε
x
R1 + R2 −A y
+
R1
R1 + R2
On peut ensuite appliquer la théorie des SB pour voir dans quel domaine le SB est linéaire (≡ stable ici).
7. Annexe 7
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
3. Oscillateurs sinusoïdaux
Parmi les différents signaux périodiques, la sinusoïde est la seule qui se conserve le long d'un réseau linéaire (les
sinusoïdes sont des fonctions propres des filtres linéaires).
Les oscillateurs sinusoïdaux sont des systèmes actifs (≡ alimentés par une source stationnaire, permanente), qui sans
entrée, fournissent en sortie un signal sinusoïdal.
2 types d'oscillateurs : - oscillateurs à réaction
- oscillateurs à résistance négative
e ~
s
H
En pratique, le démarrage des oscillations () se fait à l’aide des tensions parasites (bruit d’antenne ...) qui sont filtrées
par le système H ( jω ) K ( jω ) (qui se trouve à la limite de la linéarité), en une sinusoïde dont la théorie linéaire peut
prédéterminer la fréquence. La phase est donc purement formelle, et le montage est suffisant.
K ( jω ) K ( jω )
Condition d'oscillation
H ( jω ) K ( jω ) = 1
Remarque
Avec un Système Bouclé à comparateur +/- , on aurait pour condition d'oscillation : H ( jω ) K ( jω ) = −1
+
e=0 H ( jω ) s
-
K ( jω )
7. Annexe 8
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
Arg [H ( jω ) K ( jω )] = 0 (1) → ω = ω0
H ( jω ) K ( jω ) = 1 ↔ H ( jω ) K ( jω )
à ω =ω 0
=1 ( 2)
Remarque
Avec un Système Bouclé à comparateur +/- , on aurait pour traduction de la condition d'oscillation :
Arg [H ( jω ) K ( jω )] = −π (1) → ω = ω0
H ( jω ) K ( jω ) = −1 ↔ H ( jω ) K ( jω )
à ω =ω 0
=1 ( 2)
L'amplitude e0 de l'oscillation est fixée par les non-linéarités du système : la théorie linéaire est incapable de
prédéterminer e0 → théorie des systèmes non-linéaires nécessaire.
C
L R
La solution de ce circuit à une impulsion de courant (bruit extérieur) est oscillatoire, amortie par la résistance R.
Si une résistance négative ρ compense R, on a un oscillateur :
i
C
L R ρ s
i2 i1
ds(t ) 1 t0 + t
i (t ) = −(i1 (t ) + i 2 (t )) = − C + ∫ s(t )dt ( t0 : instant initial)
dt L 0
t
1 1
s( t ) = ( R / / ρ ) i ( t ) → i ( t ) = − s( t )
R ρ
1 t0 + t ds(t ) d 2 s(t ) 1 1 ds(t ) 1
L ∫t0
→ s ( t ) dt + C + i ( t ) = 0 → C + − + s( t ) = 0
dt dt R ρ dt L
d 2 s( t ) 1
Si R= ρ : C + s(t ) = 0 : solution sinusoïdale pour s(t)
dt L
s(t ) = s0 sin(ω 0 t + ϕ 0 )
1
→ avec : ω 0 =
LC
7. Annexe 9
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
A B
v
v ↔ déformation mécanique du quartz (phénomène réversible).
r C L
f
A B fp
fs
C'
1
fs =
2π LC
On a : 1
fp =
CC '
2π L
C + C'
Le quartz, inséré dans un circuit oscillateur, stabilisera la fréquence f 0 de l'oscillation entre f s et f p → f 0 ≈ Cte.
+
x y ≡ x y
H ( jω ) G ( jω )
-
K ( jω )
H ( jω ) ∆
G ( jω ) = T ( jω ) = K ( jω ) H ( jω )
1 + K ( jω ) H ( jω )
Le critère de stabilité porte sur T ( jω ) = H ( jω ) K ( jω ) par rapport au point -1.
7. Annexe 10
Electronique Analogique 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
+
x y ≡ x y
H ( jω ) G ( jω )
+
K ( jω )
H ( jω ) ∆
G ( jω ) = T ( jω ) = K ( jω ) H ( jω )
1 − K ( jω ) H ( jω )
4.3. Oscillateur sinusoïdal à réaction (≡ Système Bouclé à comparateur +/+ et sans entrée (≡ à entrée nulle))
+
x=0 y ≡ y
H ( jω ) H ( jω )
+
K ( jω ) K ( jω )
C’est un cas particulier de Système Bouclé à comparateur +/+ dans le cas d’une entrée nulle : x=0
→ on applique le critère relatif aux Systèmes Bouclés à comparateur +/+.
__________
7. Annexe 11
Electronique Analogique TD 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
Rc
ie
vi
ve vs
RE
vr
2. Filtre dérivateur
R1 R2
x y
X ( jω ) Y ( jω )
Y ( jω ) H ' ( jω )
a) Déterminer H ′ ( jω ) = .
X ( jω )
Z = R1 C
b) En posant :
mettre le système sous la forme d'un Système Bouclé (SB).
c) Retrouver l'expression de H ′ ( jω ) d'après b).
Stabilité
3. Stabilité d’un amplificateur bouclé
H0 H 0 = −50
Un amplificateur a pour Fonction de Transfert (FT) : H ( jω ) =
ω ω 0 = 105 rd / s
3
1 + j
ω0
a) Montrer qu'avec une boucle de réaction de FT : K ( jω ) = K 0 = 0.08 , le SB est stable.
(boucle de réaction à comparateur +/+).
b) Déterminer la valeur de K0 pour que le SB entre en oscillation. Donner la pulsation ω os de l’oscillation.
TD 7. Annexe 1
Electronique Analogique TD 7 Annexe. Contre-Réaction - Stabilité - Oscillateurs sinusoïdaux
Oscillateurs sinusoïdaux
4. Oscillateur à Réseau Déphaseur
R2
-
C C C R +
1
R R R vs
R +
1
v
s
R C
C R
R1 Rc
C2
C1
Z1
R2
Z3
Z2
TD 7. Annexe 2
Electronique Analogique TP 7 Annexe. Oscillateurs sinusoïdaux
2. Notation du TP
Faire examiner par le professeur en fin de séance, l’ensemble étude théorique et compte-rendu de manipulation.
3. Etude théorique
3.1. Oscillateur à réseau déphaseur
Soit le circuit où l’Amplificateur Opérationnel (AO) est alimenté en +Vcc et -Vcc avec Vcc = 15 Volts :
R2
-
C C C R +
1
R R R vs
Figure 2
R2
-
R +
1
v
s
R C
C R
Figure 3
TP 7. Annexe 1
Electronique Analogique TP 7 Annexe. Oscillateurs sinusoïdaux
4. Etude expérimentale
4.0. Test de l’Amplificateur Opérationnel
Monter (et simuler) l’AO en suiveur (figure 8). La sortie doit être identique à l’entrée prise sinusoïdale par ex.,
d’amplitude ∼1 Volt et de fréquence ∼ 1 kHz , en alimentant l’Ampli. Op. avec : ±Vcc ≈ ± 15 Volts.
+ Vcc
+
-
ve - Vcc v
s
Figure 8
T= ( )
t H + t B = 0.693 R A + 2 R B C : période de v s ( t ) f = 1/T ≈
1.44
( R A + 2 R B )C
: fréq. de v s ( t )
TP 7. Annexe 2
Electronique Analogique TP 7 Annexe. Oscillateurs sinusoïdaux
tH R + RB
Rapport cyclique de v s (t ) : R0 = × 100 % = A 50 % < R0 < 100 %
T R A + 2 RB
R0 = 50 % pour R B >> R A R0 = 100 % pour R B = 0
4.4. Oscillateur à quartz en logique (oscillateur rectangulaire, donc non sinusoïdal) (facultatif)
Câbler le montage suivant (fig. 11) et visualiser les signaux en A et B : (Alimentation TTL : +5 Volts)
Rp
RB A B
T0
Inverseur
Inverseur
T0 = 1 / f
0
Quartz
Fondamental f 0
C2 C1
Rp = 10 MΩ
RB = 2 kΩ
C1 = C2 = 62 pF
Quartz : 32 kHz
Inverseurs : CMOS 4049
R B : Resistance
- Soit Z B la charge de la porte oscillateur : ZB :
C B : Capacite equivalente a C1 et C2 :
CB :
En choisissant CB = 32 pF ( CB doit être compris entre 20 et 32 pF)
On obtient : C1 = C2 = 2 CB → C1 = C2 = 64 pF (62 pF : valeur normalisée)
TP 7. Annexe 3
Electronique Analogique TP 7 Annexe. Oscillateurs sinusoïdaux
L C
RL
Figure 11
C0
1 2π
→ Z B = RB # avec ω0 = : pulsation d'oscillation.
ω 0 CB T0
- On a les correspondances :
- Proposer, calculer et réaliser un filtre simple (filtre passif RC intégrateur du 1er par exemple) pour obtenir un
()
signal sinusoïdal à partir de v s t .
ANNEXE TP
DOCUMENTATION
DES COMPOSANTS
NC +Vcc vs Offset
8 7 6 5
NC : Non Connecté
1 2 3 4
Offset : ne pas utiliser
Offset v- v+ -Vcc
__________
TP 7. Annexe 4
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
x(t ) : x 2 (t )dt
1
Puissance du signal P=
T ∫T
P croît avec l'amplitude de x(t)
A2
T : durée (ou période) de x(t) (Ex.: x(t ) = Asin ωt → P = )
2
La transmission d'une onde HF autorise des antennes de petite taille. La portée est néanmoins réduite du fait de la
traversée des couches enveloppant la terre :
BF HF
Terre Terre
8. Annexe 1
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
Pour que l’occupation en fréquence soit minimal, on utilise généralement une porteuse sinusoïdale (la porteuse n’occupe
alors qu’une seule fréquence : la fréquence de la sinusoïde).
0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0
Niveau 1
Signal à transmettre : Niveau 0
0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0
Modulation d'amplitude AM :
0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0
Modulation de fréquence FM :
0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0
Modulation de phase PM :
3 types de modulation :
- Modulation analogique continue
- Modulation analogique par impulsions
- Modulation par impulsions codées (Modulation Numérique)
Pour la modulation d'amplitude : s p (t ) sinusoïdale de fréquence allant de qq. 100 kHz à qq. MHz.
Pour la modulation de fréquence : s p (t ) sinusoïdale de fréquence de l'ordre de 100 MHz.
→ Avec une porteuse de fréquence 1 MHz, l'encombrement spectral du signal audio de l'exemple précédent
occupant de 20 Hz à 20 kHz, est translaté de 1 MHz et devient maintenant :
de 1.00005 MHz à 1.02 MHz → l'antenne est alors adaptée à toute la plage (et une dimension raisonnable).
Il suffit à la réception de s'accorder sur la fréquence porteuse, autour de laquelle la variation de fréquence relative est
faible → différenciation aisée, ≠ à sans modulation : la détection, ou démodulation, consiste alors en un simple filtrage
fréquentiel (passe-bas, pour éliminer la porteuse HF et ne conserver que le signal utile BF).
8. Annexe 2
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
Φ 3 /ω
Φ0 Φ 2 /ω
Φ1
Rappel : spectre
Spectre d'amplitude : il indique l’amplitude de chacune des composantes harmoniques (≡ sinusoïdales) de x(t)
( Ck n'existe que pour k ≥ 0)
Exemple :
Ck
C1
C2
C0
k
0 1 2 3 4 5 6
kν
0 ν 2ν 3ν 4ν 5ν 6ν
ν
0 F F2
1 F3
Spectre de x1 (t)
} Spectre de x 2 (t)
Alors on a :
Filtre passe-bas : 0 − F1 x1 (t )
y(t ) = x1 (t ) + x2 (t )
Filtre passe-bande : F2 − F3 x2 (t )
8. Annexe 3
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
Résumé
S( f )
f 20 Hz 20 kHz
20 Hz 20 kHz
Les 2 signaux se mélangent si on les transmet tels quels car, à la réception, il est imposiible de les séparer.
Le principe de la séparation consiste en un filtrage fréquentiel : le récepteur se cale sur (sélectionne) la fréquence
(ou la gamme de fréquences) du signal à détecter et élimine le reste des fréquences. Si des signaux occupent la
même plage de fréquences, il est donc impossible de les séparer à la réception par filtrage fréquentiel aveugle.
La modulation consiste à effectuer une transposition de fréquences du signal à émettre autour de la fréquence f p de la
porteuse (porteuse sinusoïdale de fréquence f p ~ 1 MHz).
Ainsi, la variation relative de fréquence du signal modulé est très faible et autorise une détection (démodulation, filtrage
fréquentiel) permettant de récupérer le signal original en se calant sur la fréquence de la porteuse. Pour transmettre
plusieurs signaux BF, il suffit alors d’utiliser pour chacun une fréquence de porteuse différente autour de laquelle le
récepteur se calera pour la détection.
Exemple : Emission avec modulation d’un signal de musique (spectre allant de 20 Hz à 20 kHz) ( f p ~ 1 MHz) :
Spectre d’amplitude Spectre occupé (occupation en fréquence)
S( f )
f
fp - 20 Hz fp + 20 kHz
fp = 1 MHz fp - 20 Hz fp + 20 kHz
2 porteuses ne peuvent donc avoir la même fréquence sinon on ne peut démoduler (→ l’espace des fréquences est
règlementé).
La porteuse constitue donc une enveloppe (au sens du courrier « postal ») dans laquelle on insère le signal à transmettre
(c’est la modulation) pour ne pas que les signaux à émettre se mélangent durant le transport. (L’enveloppe est elle-même
un signal, le signal porteur, de fréquence unique et de HF). La démodulation doit se charger d’éliminer cette « enveloppe »
par filtrage fréquentiel passe-bas (les HF sont éliminées).
Si le signal à transmettre est caractérisé par un spectre très étroit (même à BF), il est clair qu’il n’a pas besoin de porteuse.
Mais la plupart des informations ont pour support un signal BF de spectre de fréquences large en valeur relative et doivent
donc être modulés.
8. Annexe 4
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
Porteuse: s p (t ) = A p ⋅ cos 2π f p t ( ) Signal BF (supposé sinusoïdal dans un 1er temps): s m (t ) = Am ⋅ cos (2π f m t )
s m (t )
Sm ( f )
t Am
0
Graphe de s m (t ) : Spectre de s m (t ) : f
0 fm
<--- s(t)
s( t )
sBF ( t )
<--- sBF(t)
t
Le signal s m (t ) est, au facteur k Ap près, le signal sBF (t), qui est l’enveloppe, au sens graphique, de s (t ) .
s (t ) = k
A p Am
2
[cos{2π ( f p + f m )t }+ cos{2π ( f p − f m )t } ]
d’où le spectre d’amplitude S ( f ) de s (t ) (décomposition en série de Fourier réduite ici à une simple linéarisation
Ap Am S( f )
k
2
f
du produit de cosinus) : 0
( f p − fm ) fp ( f p + fm )
s( t )
<--- sBF(t)
t
t
8. Annexe 5
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
Ex. :
sp ( t )
Multiplicateur
s ( t ) = k . sp ( t ) . s ( t )
s (t )
m
∏ k
m
Rappel :
I
−q
V
I = I s ⋅ e − λV avec I s ≅ 1 pA (courant de saturation) et λ= ≅ 40 (à 27°C)
kT
q : charge de l’électron k : constante de Bolltzman T : température en Kelvin
amplificateur logarithmique I
_
x
R +
y
1 x
y= ⋅ ln
λ R ⋅ Is
amplificateur exponentiel
I _ R
+ y
x
y = − R ⋅ I s ⋅ e −λ x
Elle peut être obtenue en multipliant s(t) par une porteuse locale (à la réception): s ′p (t ) avec :
s ′p (t ) = A′p ⋅ cos(2π f p t ) puis en filtrant
k k ′A p A′p
s1 (t ) = k ′ ⋅ s ′p (t ) ⋅ s(t ) = k k ′A′p A p Am cos 2 (2πf p t ) ⋅ cos(2πf m t ) =
2
[ ]
⋅ Am 1 + cos(4π f p t ) ⋅ cos( 2πf m t )
k k ′A p A′p k k ′A p A′p
s1 (t ) = k ′ ⋅ s ′p (t ) ⋅ s(t ) =
2
⋅ Am ⋅ cos(2πf m t ) + Am ⋅
4
[cos{2π (2 f p − f m )t } + cos{2π (2 f p + f m )t } ]
14444244443 1444444444442444444444443
v(t) éliminé par un filtre passe-bas
k k ′A p A′p
v(t) = s m (t ) au facteur ⋅ Am près. Spectre de s1 (t ) : 0 f
2 fm 2 f p − fm 2 f p + fm
8. Annexe 6
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
sm ( t )
sm_fading( t )
<--- sm(t)
<--- sm_fading(t)
Cet inconvénient peut néanmoins être contourné par la reconstruction, à la réception, de la porteuse s ′p (t ) à partir du
signal reçu s (t ) .
[ ] [ ]
s (t ) = A p + s m (t ) ⋅ cos(2πf p t ) = A p + Am ⋅ cos(2πf m t ) ⋅ cos(2πf p t )
Am 1
En posant : m= : indice, ou taux de modulation (en %) m = k Am avec : k=
Ap Ap
on a : s (t ) = A p [1 + m ⋅ cos(2πf m t )] ⋅ cos(2πf p t )
<--- sBF(t)
s( t ) <--- s(t)
sBF ( t )
-Ap(1-m)
8. Annexe 7
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
m=0 : L’enveloppe > 0 du signal s(t ) ne témoigne pas suffisamment du signal à transmettre s m (t ) :
il y a sous-modulation (l’information utile est indétectable)
<--- sBF(t)
<--- s(t)
s( t )
sBF ( t )
m =1 : L’enveloppe > 0 du signal s(t ) est le signal à transmettre s m (t ) (à un facteur près et un offset près) :
on est à la limite de la sur-modulation : 0 ≤ enveloppe positive de s(t ) ≤ 2 Ap
s( t )
<--- sBF(t)
sBF ( t ) <--- s(t)
m >1 : L’enveloppe > 0 du signal s(t ) ne témoigne plus fidèlement du signal à transmettre s m (t )
(perte d’informations à la transmission, donc à la réception) : il y a sur-modulation
s( t )
<--- sBF(t)
sBF ( t ) <--- s(t)
Ap(1+m) --->
Ap --->
Ap(1-m) --->
Ap 0
- Am Am -A -Am 0 Am
p
8. Annexe 8
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
[ ] [
s (t ) = A p + s m (t ) ⋅ cos(2πf p t ) = A p + Am ⋅ cos(2πf m t ) ⋅ cos(2πf p t ) ]
Am
En linéarisant le produit de cosinus, on a : (avec : m= )
Ap
s (t ) = Ap cos(2πf p t ) +
m Ap
{cos [2π ( f p ] [ ]
+ f m )t + cos 2π ( f p − f m )t } d’où les spectres :
2
S( f )
Ap
m Ap Am
=
Sm ( f ) 2 2
f
0
Am ( f p − fm ) fp ( f p + fm )
f
0 fm
S( f )
Am Ap
2
Sm ( f ) AM
f
A
m
2 0
( fp − fM ) fp ( f p + fM )
AM
sp ( t ) Sommateur
Multiplicateur + s (t )
s (t )
m
∏ k + ∑
8. Annexe 9
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
(La diode ne garde que l’enveloppe > 0 de s (t ) . Elle est suivie d’un filtre passe-bas pour ne retenir que les Basses Fréquences de s (t ) ).
s (t )
R v (t )
C
On a bien : v(t ) ~ s m (t )
C
s (t ) R v (t )
En fait, pour amplifier en plus, le signal modulé, on utilise un transistor par exemple :
+Vcc
R
c
C v (t )
s (t ) R
8. Annexe 10
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
s ′p (t ) = A′p ⋅ cos(2πf p t )
Filtre passe-bas
s (t )
Multiplicateur
v(t )
s'p ( t ) ∏ k f
fm 2fp
k Ap A′p
k s(t ) ⋅ s ′p (t ) =
2
m m
[
1 + m cos( 2πf m t ) + cos(4πf p t ) + cos 2π (2 f p − f m )t + cos 2π (2 f p + f m )t
] [ ]
2 2
14444244443 144444444444424444444444443
v(t) éliminé par le filtre passe-bas
v(t) est bien proportionnel à s m (t ) après élimination de la composante continue (par un simple condensateur en
cascade après v(t)) :
v (t ) C v' ( t )
Suppression de la composante continue de v(t) : v’(t) n’a plus d’offset.
3.4.2.1. Limiteur
Pour éviter le problème de fading, l’oscillateur s ′p (t ) pour la détection synchrone peut être obtenu avec un limiteur à
partir de s(t) :
Limiteur s l (t )
s (t ) Filtre passe-bas s'p ( t )
[ A0 , - A0 ]
<--- s(t)
A0
s( t )
0
sl ( t )
<--- sl(t)
-A0
Réalisation du limiteur :
s (t ) s l (t )
A0 - A0
8. Annexe 11
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
Pour éviter le problème de fading vu prédécemment, on utilise de préférence un asservissement PLL pour reconstituer
s ′p (t ) à partir de s(t) (pour la détection synchrone) :
Filtre passe-bas
s (t ) Multiplieur
p(t )
u(t ) ∏ k f
fm 2 fp
VCO
d ϕ (t ) d ϕ (t )
= a p (t ) avec : a : Cte et << 2πf p
dt dt
Filtre passe-bas
s (t ) Multiplieur
s (t )
∏ k f
fm 2 fp PLL
u(t ) p(t )
s'p ( t ) Déphaseur u(t )
+π/2 VCO
(avance)
Signal démodulé
(si on élimine la composante continue)
Détection synchrone à PLL
Le signal porteur n'est pas une sinusoïde mais un créneau (interrupteur, commutateur analogique commandé par une
horloge carrée HF) : (→ introduction d’harmoniques supplémentaires, donc de bruit à la transmission)
s BF Interrupteur K s
s HF
8. Annexe 12
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
<--- s(t)
s( t )
0
sBF ( t )
<--- sBF(t)
t
s BF
s BF S
Transformateur
à Point Milieu
s
HF
On a vu que la multiplication du signal utile s m (t ) = Am cos( 2πf m t ) par la porteuse s p = A p cos(2πf p t ) provoque 2
A p Am
composantes fréquentielles sinusoïdales d'amplitudes k et de fréquences ( f p + f m ) et ( f p − f m ).
2
La modulation BLU ne conserve qu'une seule de ces 2 composantes :
S( f )
Ap A m
k
2
Ap A M
Sm ( f ) k f
0
A
m AM
2 fp ( f p + fM )
Spectres : f
( f p + fm)
f fM
m
→ En ne conservant qu'une seule Bande Latérale, on limite la bande de fréquences nécessaire à la transmission.
Ex. : Obtention par filtrage de la BLI (Bande Latérale Inférieure) ou par déphasage :
k 0 Ap Am cos(2πf p t ) cos(2πf m t )
Multiplieur
s p ( t ) = Ap cos(2πf p t ) ∏ k0 Soustracteur
Déphaseur
+
- ∑ [
k 0 A p Am cos 2π ( f p + f m )t ]
−π/2 Multiplieur
(retard)
∏ k0 k 0 A p Am sin(2πf p t ) sin(2πf m t )
sm (t ) = Am cos(2πf m t ) Déphaseur
−π/2
(retard)
Filtre passe-bas
s( t )
Multiplieur u( t )
Signal démodulé
s ′p (t ) ∏ k f
fm 2fp
Avantage : La FM est moins sensible que la modulation d'amplitude aux bruits parasites car ceux-ci agissent
directement sur l'amplitude du signal modulé (bruit additif) donc du signal utile à la réception, et
quasiment pas sur sa fréquence.
(Les sources de bruit électromagnétique sont diverses : bruit de pollution électromagnétique des moniteurs (écrans, télés, ordinateurs...), bruit
électromagnétique des moteurs, bruit galactique (bruit électromagnétique terrestre), bruit d’interférence d’autres émissions modulées ... et sont
désormais soumises à une règlementation de CEM (Compatibilité ElectroMagnétique).
8. Annexe 14
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
Le signal modulé (≡ signal émis) peut s’écrire : s(t ) = A(t ) ⋅ cos θ (t ) avec : θ (t ) : phase de s(t ) .
A(t ) = kA p Am cos (2πf m t ) = kA p sm (t )
En modulation AM : sm (t ) intervient dans A(t ) Ex. :
θ (t ) = 2πf p t
En modulation PM et FM : sm (t ) intervient dans θ (t ) : θ (t ) = 2πf p t + ϕ (t ) et : A(t ) = Ap
- en PM : ϕ ( t ) = k sm ( t )
dϕ ( t )
- en FM : = k sm ( t )
dt
Dans le cas où le signal utile (≡ signal à transmettre, encore appelé signal modulant) sm (t ) est sinusoïdal (cas
intéressant pour une étude élémentaire) : sm (t ) = Am cos (2πf m t ) , on a, pour expression du signal modulé s(t ) :
- en FM : s(t ) = A p cos2πf p t +
kAm
2πf m
[
sin( 2πf m t ) = A p cos 2πf p t + m ⋅ sin(2πf m t ) ]
kAm
avec : m = : indice de modulation.
2πf m
Pour sm (t ) sinusoïdal :
s( t )
s( t )
8. Annexe 15
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
s (t ) = A p cos{2πf p t + m sin ( 2πf m t )} = A p {cos( 2πf p t ) ⋅ cos(m ⋅ sin( 2πf m t ) ) − sin ( 2πf p t ) ⋅ sin (m ⋅ sin( 2πf m t ) )}
14243 14243
≠0 ≠0
s (t ) ≈ A p cos(2πf p t ) − A p sin(2πf p t ) ⋅ m ⋅ sin (2πf m t )
⋅ cos{2π ( f p + f m )t }− ⋅ cos{2π ( f p − f m )t }
m Ap m Ap
→ s (t ) ≈ A p cos(2πf p t ) +
2 2
↑ ↑ ↑
porteuse BLS BLI
Spectres :
S( f )
Ap
m Ap
Sm ( f ) 2
f
0
Am ( f p − fm ) fp ( f p + fm )
f
0 fm
5.3.2. m quelconque
∑ [J (m ) ⋅ cos (2π ( f ]
∞ ∞
+ n f m )t )
i 2π ( f p + n f m )t
s (t ) = Ap ⋅ Re ∑ J n (m ) ⋅ e → s(t ) = Ap n p
n = −∞ n = −∞
Fonctions de Bessel :
J0(m) ---> 1
J3( m ) 0
0.5
0 5 10 15 20 25
m
8. Annexe 16
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
f 0 : fréquence d'oscillation : f 0 = f (L, C) f 0 est variable par la capacité C variable (C : diode varicap par ex.).
s(t ) L C v (t )
jLω jLω 1
Soit : Z = Z ( jLω ) =
L
C = Z= avec : ω0 =
1 − LCω 2 ω 2
LC
1−
ω 02
V (ω )
1
S (ω )
∆A
ω
ω0 V (ω ) Z
∆ω =
S (ω ) Z + R
Inconvénient : la plage utilisable est faible si on veut une bonne linéarité (pas de féformation du signal).
(il faut : ∆ A = fonction linéaire de ∆ω si on veut réaliser une transmission fidèle).
8. Annexe 17
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
s (t ) x1 ( t ) x2 ( t ) x3 ( t )
Dérivateur Filtrage
Trigger Monostable s (t )
+ diode Passe-bas m
s (t )
seuil haut
seuil bas
t
x (t )
1
x (t )
2
x (t )
3
VM
t
τ toutes les impulsions ont pour même largeur et la même amplitude
sm (t )
t
le filtre passe-bas donne la valeur moyenne de x (t )
3
Monostable : circuit délivrant à partir d'impulsions non calibrées, des impulsions calibrées d'amplitude Cte = VM et de
durée Cte = τ.
8. Annexe 18
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
Dans les transmissions stéréophoniques, deux signaux provenant de deux micros indépendants sont transmis de
l'émetteur vers le récepteur. A la réception, ces deux signaux sont aiguillés vers deux haut-parleurs différents. Le son
reconstitué est ainsi plus proche du son naturel, dans la mesure où chaque oreille reçoit un son différent.
Sachant que les signaux L(t ) et R(t ) ont été au préalable limités à 15 kHz, l'encombrement spectral du signal m(t )
est donné plus bas.
L (t ) L (t ) - R ( t )
[ L ( t ) - R ( t ) ] cos 2 π 2 f t
+ CP
Multiplicateur
Soustracteur
- X
Oscillateur Doubleur + m (t )
de K cos 2 π f t Modulateur
f = 19 kHz CP + Additionneur
CP
Fréquence + FM
R (t )
+
Additionneur
+ L ( t ) + R (t )
M (f )
M
K
M
2
f ( kHz )
0 15 19 23 38 53
L(t )+ R (t ) [ L ( t ) - R ( t )] cos 2 π 2 f t
CP
8. Annexe 19
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
A la réception, le signal m(t ) reconstitué par le démodulateur FM est appliqué au système décrit plus bas.
A partir des signaux L(t ) - R(t ) et L(t ) + R(t ) , le dispositif isole les signaux R(t ) et L(t ) par addition et
soustraction.
Remarque :
Le signal m(t ) encombre une bande de fréquence s'étendant de 0 à 53 kHz. La bande de fréquence nécessaire à la
transmission est donc : B = 2(∆f + 53 kHz )
où ∆ f est la déviation maximale de fréquence. Cet encombrement fréquentiel est compatible avec l'écart minimum
entre les fréquences porteuses des stations radiophoniques qui est de 200 kHz.
1
[ L( t) - R ( t) ]
[ L ( t ) + R ( t ) ] cos 2 π 2 f t 2
CP
+
Démodulateur L( t)
Additionneur
f synchrone
0 23 53 kHz +
cos 2 π 2 f t
CP
m (t )
Doubleur de
Démodulateur
8
FM
f Fréquence
0 19 kHz
cos 2 π fCP t
+
Amplificateur R (t)
Soustracteur
f gain 1/2
-
0 15 kHz
L( t) + R ( t) 1
[ L( t) + R ( t) ]
2
8. Annexe 20
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
6. Transmissions Numériques
6.1. Les modulations d'impulsions
En télécommunications, le signal représentant l'information à transmettre subit une transposition de fréquence de façon à
occuper une bande de fréquence de largeur relativement faible autour d'une porteuse HF.
Cette transposition est effectuée par modulation d'un des paramètres caractérisant la porteuse : amplitude, fréquence ou
phase.
Si la porteuse est constituée d'impulsions, la modulation présente l'avantage de pouvoir transporter plusieurs signaux à la
fois : c'est le multiplexage temporel (multiplexage ≡ sélection, commutation de 1 signal parmi N).
Les impulsions de la porteuse ont pour fréquence Fe : fréquence des échantillons du signal numérique. A la réception,
il suffit de se caler sur la fréquence d’échantillonnage Fe pour démoduler.
sm ( t )
H τ
H t
0 Te
s (t )
K
s m (t ) * ( t ) = s (t )
sm
t
( BF ) (signal émis) Te
Spectre de s (t ) :
On montre à l'aide de la Transformée de Fourier que l'échantillonnage temporel a pour effet de périodiser le spectre de
s m (t ) : (à la période (fréquentielle) Fe ) :
| S ( f )| | S ( f )|
m
f f
- Fm Fm - Fe - Fm Fm Fe 2 Fe
0 0 Fe - Fm Fe + Fm
8. Annexe 21
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
Démodulation
La démodulation se fait simplement par filtrage passe-bas de s (t ) avec Fm pour fréquence de coupure.
Multiplexage
On peut, sur un même canal de transmission (≡ une même porteuse (équivalent d’une ligne de transmission pour les transmissions
filaires))
transporter plusieurs messages en même temps par multiplexage temporel (≡ sélection d’un signal parmi N).
A la réception, il faut séparer les messages par démultiplexage (≡ récupération des N signaux à partir d’1 signal).
sm ( t )
1 sm sm* sm* sm
1 1 1 1
MUX Filtre
DEMUX
Passe-bas
t
s*
sm ( t )
2 sm sm* sm* sm
2 2
s* 2 2
Filtre
Passe-bas
t t
0 Te
Echantillonneurs Multiplexeur temporel Démultiplexeur temporel
Ce système de multiplexage est utilisé en téléphonie : la fréquence supérieure de la voix est de l'ordre de Fm = 4 kHz.
L'échantillonnage se fait à Fe = 8 kHz. On arrive à transporter plusieurs dizaines de voies téléphoniques sur la même
ligne de transmission.
8. Annexe 22
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
Les impulsions ont toutes la même amplitude, mais c'est leur durée τ qui est fonction du signal s m (t ) à transporter.
s m (t )
t
0
Te
s (t ) signal émis
t
0 Te τ
Les impulsions ont toutes la même amplitude et la même durée, mais leurs fronts montants n’apparaissent tous les Te
secondes, comme dans les cas précédents. Ils sont retardés d'un temps τ qui est fonction du signal s m (t ) à transmettre :
s m (t )
t
0 Te
s (t )
signal émis
E
t
0 Te
τ
Les impulsions ont toutes la même amplitude et la même durée, mais leur densité (≡ fréquence) est fonction du signal
s m (t ) à transmettre :
s m (t )
s (t )
t
0
8. Annexe 23
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
6.2. La modulation d'impulsions codées (MIC) 1 impulsion est codée par 1 mot binaire
Les échantillons successifs du signal à émettre ne sont pas utilisés directement mais sont quantifiés et codés
numériquement en un mot binaire à l'aide d'un convertisseur analogique-numérique (CAN).
La quantification va arrondir l'amplitude de l'échantillon (cas de la modulation en amplitude) ou sa durée (cas de la
modulation en durée) etc ..., à une valeur discrète parmi N = 2m valeurs possibles
(m : nombre de bits de quantification, N : dynamique de quantification, de codage).
(L'échantillonnage discrétise le temps à la période d’échantillonnage Te , alors que la quantification discrétise la valeur, l’amplitude de
l'échantillon).
Le but du codage peut être de limiter l’occupation spectrale du signal à émettre, ou l’immunisation au bruit, ou encore le
compactage, la compression des données ...
H T
+
0 t Horloge
V 0 1 1 0 0 0 1 1 0 1 0
+
0 t Code Binaire initial
V
+
0
-
t Code Biphasé
V
+
0 t Code Biphasé différentiel
V
+
0
-
t Code RZ
V
+
0
-
t Code Bipolaire
V
+
0
-
t Code NRZ
Le signal numérisé (≡ échantillonné, quantifié et codé) est parfois codé directement suivant le code binaire pur
(≡ code binaire initial) ou mieux, suivant le code binaire réfléchi (code de Gray) par exemple, pour autoriser la détection
et la correction des erreurs de transmission.
Le code biphasé présente, quant à lui, l’avantage de limiter le spectre de fréquences occupé par le signal à émettre par
rapport au code binaire pur.
8. Annexe 24
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
0 0 0 0 0 0 0 0 0
1 0 0 0 1 0 0 0 1
2 0 0 1 0 0 0 1 1
3 0 0 1 1 0 0 1 0
4 0 1 0 0 0 1 1 0
5 0 1 0 1 0 1 1 1
6 0 1 1 0 0 1 0 1
7 0 1 1 1 0 1 0 0
8 1 0 0 0 1 1 0 0
...
Dans le tableau ci-dessus, on voit que l'on trouve alternativement l'ordre binaire naturel et son inverse, d'où le nom de
code binaire réfléchi donné au code de Gray. Le passage du code binaire pur N au code de Gray est donné par :
N ⊕ 2N
n= où : ⊕ symbolise l’opération logique OU EXCLUSIF.
2
L'avantage du code de gray est que l'on passe d'un mot au suivant que par modification d'un seul bit, autorisant aisément
la détection des erreurs de transmission.
Le code DCB (Décimal Codé Binaire) est utilisé pour interpréter au 1er coup d'oeil le code binaire pur :
4 bits sont nécessaires pour coder en binaire les chiffres de 0 à 9 (le code de chaque chiffre de 0 à 9 est en binaire pur).
La quantification introduit un bruit dit bruit de quantification afin d'accroître le rapport signal / bruit SNR (Signal to Noise
Ratio),
on a intérêt à utiliser un pas de quantification variable avec l'amplitude du signal : pas faible au voisinage de 0 et
plus grand pour les fortes amplitudes :
La quantification non linéaire peut être considérée comme une compression suivie d'un codage linéaire : (compression
logarithmique) :
8. Annexe 25
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
A la réception, un expanseur ayant une courbe symétrique permet de reconstituer le signal initial :
amplificateur exponentiel
_ R
s comprimé + s
A l'émission, le mot binaire à transmettre est sérialisé à l'aide d'un registre à décalage, afin de n'utiliser qu'une seule ligne
de transmission (une seule ligne pour une transmission filaire, une seule porteuse dans le cas de transmission
Hertzienne) :
Horloge Horloge
Emission Réception
A la réception, un registre à décalage effectue de même le groupement parallèle des bits série avant d'attaquer un
convertisseur numérique-analogique (CNA).
6.2.1. La Modulation ∆ :
Plutôt que de transmettre le mot binaire de chaque échantillon, on ne transmet que la différence d’amplitude entre 2
échantillons consécutifs et pouvant souvent être codée sur un seul bit si la valeur des échantillons ne varie pas trop
brutalement.
≡ numérique)
6.3. Transmission du signal binaire (≡
Les impulsions de courant matérialisant les 0 et les 1 sont appliquées directement pour l'émission, on dit dans ce cas que
la transmission se fait en bande de base.
Compte tenu du théorème de Shannon, un signal dont la bande de fréquence utile (≡ occupée) est B nécessite un canal
de largeur 2B.
Le plus souvent, la transmission en bande de base n'est pas possible du fait de la faible Bande Passante du canal de
transmission, et il faut adapter le mode de représentation de l'information au canal disponible : c'est la modulation.
8. Annexe 26
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0
Niveau 1
Signal à transmettre : Niveau 0
0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0
Modulation d'amplitude AM :
0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0
Modulation de fréquence FM :
0 0 1 1 0 1 0 0 0 1 0
Modulation de phase PM :
Le bruit dans les systèmes de transmission binaire peut modifier un bit du mot. Plusieurs codes de détection et de
correction existent :
A chaque mot du message à transmettre, est ajouté un bit choisi de telle sorte que le mot résultant ait une parité paire (ce
bit ajouté est appelé bit de parité) :
8. Annexe 27
Electronique Analogique 8 Annexe. Modulation - Démodulation
• Codes de Hamming
Codes détecteurs et correcteurs. Ils ajoutent plusieurs bits à des emplacements bien déterminés dans le mot (chacun de
ces bits contrôle un groupe de bits du mot avec recoupements des groupes) pour détecter la position des erreurs et ainsi
les corriger plus efficacement
• Codes cycliques
Pour une transmission sûre à 100 % le Codage à Redondance Cyclique (CRC) peut être utilisé, pour lequel les données
sont codées sous forme polynomiale.
Ce contrôle consiste à comparer les restes des divisions d'un polynôme par un polynôme fixe pour la donnée initiale et
pour la donnée après transmission (les données étant représentées sous forme de polynômes dont la longueur
conditionne le choix des polynômes diviseurs).
Plusieurs codes à redondance cyclique sont définis suivant la longueur des mots à transmettre.
8. Annexe 28
Electronique Analogique TD 8 Annexe. Modulation - Démodulation
R
D
R
C'
C'
R
v
1
R v
R C' s
C
v
2
v1 (t) est le signal de porteuse (HF). v2 (t) est le signal à transmettre (BF)
v1 (t ) = A cos ω 0 t v 2 (t ) = B cos Ω t ω 0 >> Ω
Les condensateurs C', de forte capacité, se comportent comme des court-circuits aux fréquences considérées.
2
V
I D = I DSS 1 − GS
On rappelle les équations caractéristiques du TEC: Vp VGS0 : polarisation (pt de repos)
VGS = VGS0 + vGS
1. Calculer VGS
2. Déterminer la tension de sortie v S . Donner le spectre des amplitudes de v S .
I DSS = 11 mA RD = 4.7 kΩ
A.N. : V p = −35
. V A = 1V
VGS0 = −2.7 V B = 0.5 V
3. On remplace la résistance RD par un circuit LC accordé sur la pulsation ω0 :
Z dB
3 dB
L
R C Z
D
r f
0 f
0
BP : Bande Passante
r + jLω 1
(r : résistance de fuite de la self) Z= ω 0 = 2π f 0 =
1 − LCω + jrCω
2
LC
f Lω 0
Q : facteur de surtension, de qualité, de résonance : Q = 0 =
BP r
a) Mettre v S (t ) sous la forme : v S (t ) = −V0 (1 + mcosΩt )cosω 0 t (Modulation AM)
b) Déterminer V0 et m (on rappelle qu'à la pulsation ω 0 on a : Z ≡ Q Lω 0 ).
c) Donner le schéma de principe de ce modulateur d'amplitude à TEC.
f 0 = 21.3 kHz
A.N : L = 5.6 mH
r = 53.5 Ω
TD 8 Annexe. 1
Electronique Analogique TD 8 Annexe. Modulation - Démodulation
On considère le schéma synoptique suivant d'un modulateur de fréquence appelé modulateur d'Armstrong :
y (t ) Soustracteur
x (t ) Intégrateur v (t )
Multiplieur v (t )
s
+
v (t )
2
v (t ) Déphaseur
1
1. Rappeler le montage utilisé pour obtenir un intégrateur à partir d'un amplificateur opérationnel,
d'une résistance R et d'un condensateur de capacité C.
Quelle correction doit-on apporter à cet intégrateur lors d'une mise en oeuvre pratique ?
2. Le multiplieur délivre une sortie v = k v1 y . Exprimer v en considérant que :
x( t ) = X cos Ω t et v1 ( t ) = V cos ω 0 t ω 0 >> Ω
Donner la décomposition spectrale de v.
3. Le déphaseur est réalisé selon la structure suivante :
R
1
R
1
-
+
R' v
v 2
1 C'
V2 ( jω )
Déterminer la Fonction de Transfert de ce circuit.
V1 ( jω )
Donner le diagramme de Bode du module et de la phase de cette Fonction de Transfert.
A quelle condition obtient-on des tensions v1 (t ) et v 2 ( t ) en quadrature ?
Donner alors l'expression de v 2 ( t ) que l'on conservera dans la suite du problème.
4. On s'intéresse enfin au schéma suivant :
R
b
Ra
-
+
v Rc v
s
v
2
Rd
Rappeler la condition pour que ce montage fonctionne en soustracteur. Quelle est alors l'expression de vs en
fonction de v et de v2 ?
6. Montrer que v s (t ) s'écrit : vs (t ) = f (t ) sin (ω 0t + Arc tan[α sin (Ωt )]) . Préciser f (t ) et α .
TD 8 Annexe. 2
Electronique Analogique TD 8 Annexe. Modulation - Démodulation
H M1 M2
1
H est une horloge de rapport cyclique et de période T.
2
M1 est un monostable déclenchant sur front positif et de durée ε. M2 est un monostable déclenchant sur front négatif et
de durée T - 2 ε.
E B est un échantillon-bloqueur de durée T.
Le signal e1 ( t ) issu de l'échantillonneur-bloqueur est comparé au signal e2 ( t ) issu d'un générateur de dent de scie
synchrone du signal d'horloge.
()
Le signal sd t est un signal constitué d'impulsions modulées en durée.
m2 ( t ) K2
e (t)
2
m1 ( t )
K1
C
-V
V et - V sont les tensions d'alimentation, I et une source de courant, K1 et K2 sont deux commutateurs analogiques
commandés par les signaux m1 (t ) et m2 ( t ) issus des monostables M1 et M2 .
Ces commutateurs sont fermés lorsque M1 ou M2 sont au niveau haut.
On supposera la constante de temps Ron C négligeable devant les durées ε et T ( Ron est la résistance à l'état
passant des commutateurs).
L'entrée du comparateur présente une impédance infinie.
1.1. Représenter en concordance de temps h( t ), m1 ( t ), m2 ( t ) et e2 (t ) .
1.2. On désire que la dent de scie évolue entre - V et V. Exprimer alors la relation entre I, C, V, T et ε.
2. Etude du modulateur
e(t ) triangulaire évoluant entre
V V
2.1. Pour un signal et − et de période 10T, représenter
2 2
e(t ), e1 (t ), e2 ( t ) et sd ( t ) ; on négligera ε pour la représentation.
sd ( t ) est un signal impulsionnel de période constante mais dont la durée des
Vérifier que le signal
impulsions dépend de e(t ) . Quelles doivent être les valeurs extrêmes de e(t ) ?
TD 8 Annexe. 3
Electronique Analogique TD 8 Annexe. Modulation - Démodulation
2.3. Le signal de sortie sd ( t ) contient donc les valeurs successives des échantillons de e(t ) , soit le signal
échantillonné e ∗ ( t ) . Quelle condition doit respecter la fréquence F de l'horloge pour que la restitution
soit possible, si f max est la fréquence maximale dans le spectre de e(t ) ?
3.2. Si l'on suppose f max << F , on peut considérer que e(t ) varie peu à l'échelle de la période
d'échantillonnage et on peut considérer la relation précédente comme valable en remplaçant E par e(t ) .
La valeur moyenne de sd ( t ) suivra alors les évolutions de e(t ) selon la loi S moy = C e( t ) .
Montrer, alors que dans ce cas, un simple filtrage passe-bas suffit à restituer e(t ) .
Comment doit-on choisir la fréquence de coupure de ce filtre si f max est la fréquence maximale du
signal e(t ) ?
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TD 8 Annexe. 4
Electronique Analogique Projets
ELECTRONIQUE ANALOGIQUE
PROJETS
Projets. 0
Electronique Analogique Projets
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Projets. 1