‫الجمهورية الجزائرية الديمقراطية الشعبية‬

République Algérienne Démocratique et Populaire

‫وزارة التعلـــيم العــــالي و البحــــث العلــمي‬
Ministère de L’Enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique

‫المركز الجامعي تمنراســـت‬

Faculté des Science Et de ‫كلية العلوم و التكنولوجيا‬

Technologie
Département des Science Et de ‫معهد العلوم و التكنولوجيا‬
La Technologie

Centre Universitaire
Tamanrasset

Option : 2 éme Electronique

• Elément de physique des composants

➢ Présenté par :
BenAbdelkrim Abdelbari
➢ PROFESOUR : Mr Dib Abdennasser

Saison universitaire 2020/2021

 Introduction
La recherche sur les matériaux semi-conducteurs a commencée au début du
19ème siècle. Au fil des années de nombreux semi-conducteurs ont été étudiés.
Parmi les plus célèbres, nous trouvons le silicium Si et le germanium Ge de la
colonne IV du tableau périodique. Ces deux semi-conducteurs sont composés
d'atomes identiques, mais d'autres, comme l'arséniure de gallium GaAs (III-V)
sont composés d'atome d'éléments différents : Ga (III) et As (V). La composition
de semi-conducteurs permet d'accéder à des propriétés électriques et optiques
que n'ont pas les semi-conducteurs pures.

Avant l'invention du transistor bipolaire en 1947, les semi-conducteurs sont

présents dans seulement deux dispositifs électroniques que sont les photodiodes
et les redresseurs. Dans les années 1950, le germanium est le plus utilisé.
Cependant, il ne peut pas être employé dans les applications nécessitant une
faible consommation de courant et/ou soumises à de hautes températures. Le
silicium, d'un coût moins élevé et permettant des applications à faibles
consommations, sera très utilisé dés 1960.

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Définition
Un semi-conducteur est un matériau qui a les caractéristiques électriques
d'un isolant, mais pour lequel la probabilité qu'un électron puisse contribuer à un
courant électrique, quoique faible, est suffisamment importante. En d'autres
termes, la conductivité électrique d'un semi-conducteur est intermédiaire entre
celle des métaux et celle des isolants. Le comportement électrique des semi-
conducteurs est généralement modélisé, en physique de l'état solide, à l'aide de
la théorie des bandes d'énergie. Selon celle-ci, un matériau semi-conducteur
possède une bande interdite suffisamment petite pour que des électrons de la
bande de valence puissent facilement rejoindre la bande de conduction. Si un
potentiel électrique est appliqué à ses bornes, un faible courant électrique
apparaît, provoqué à la fois par le déplacement des électrons et par celui des «
trous » qu'ils laissent dans la bande de valence. La conductivité électrique des
semi-conducteurs peut être contrôlée par dopage, en introduisant une petite
quantité d'impuretés dans le matériau afin de produire un excès d'électrons ou un
déficit. Des semi-conducteurs dopés différemment peuvent être mis en contact
afin de créer des jonctions, permettant de contrôler la direction et la quantité de
courant qui traverse l'ensemble. Cette propriété est à la base du fonctionnement
des composants de l'électronique moderne : diodes, transistors, etc

Bandes d’énergie - Notion de semi-conducteur

pour un atome isolé, on sait que les électrons, gravitant autour du noyau, ne
peuvent prendre que des énergies discrètes bien déterminées correspondant à des
orbites données séparées par des bandes d’énergie interdites. Dans un solide
cristallin, les différentes interactions entre les atomes font que ces énergies
discrètes se regroupent en bandes d’énergie autorisées pour les électrons
séparées par des bandes d’énergie interdite. A basse température, les électrons
d’un solide vont remplir les bandes profondes. La dernière bande autorisée
remplie d’électrons porte le nom de bande de valence, le maximum d’énergie
correspondant à cette bande est désigné par Ev. La bande d’énergie autorisée
immédiatement supérieure est la bande de conduction, le minimum d’énergie
correspondant à cette bande est noté Ec. Entre ces deux bandes, il y a une bande
interdite (ou gap) de hauteur Eg variable suivant les matériaux.Eg=Ec-Ev

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Deux cas peuvent alors se produire : La bande de conduction est ou vide ou
partiellement remplie. Dans le 1ier cas, on n’a pas de conduction électronique
(matériau isolant). Dans le second cas, on a un matériau qui conduit. En effet,
pour qu’un matériau puisse conduire de l’électricité, il faut que les électrons de
ce matériau puissent se déplacer. Or les électrons de bande de valence (qui
participent aux liaisons de valence) ne peuvent se déplacer car cette bande est
pleine d’électrons. Donc si la bande de conduction est vide, nous aurons un
matériau isolant, alors que si elle est partiellement remplie il y aura des électrons
et de "la place" pour que ces derniers puissent se déplacer.

Les propriétés Physiques des semi-conducteurs binaries:

1-Propriétés structurales :

• Structure crystalline

Les semi-conducteurs se présentent sous plusieurs compositions chimiques avec

une grande variété de structures cristallines.

• Structure Zinc Blind

La plupart des matériaux semi-conducteurs binaire III-V et quelques matériaux

II-VI ont une structure Zinc-Blende (ZB) (Figure I-1). Cette structure est
constituée de deux sous réseaux cubique faces centrée (cfc) . La première zone
de Brillouin pour la structure zinc-blende à la forme d’un octaèdre tronqué
(Figure I -2)

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 • Structure de Rocksalt

Le Rocksalt (rs) ou structure NaCl a une base diatomique, l'atome de Cl et

l'atome de Na consiste un trellis de FCC.(Figure I-4).

2 -le constante de maille et le bande interdite

La constante de maille est définie comme étant la distance séparant deux mailles
consécutives, notée a sur la (figure I-5) [3]. Les bandes interdites et le constants
de maille des principaux semi-conducteurs sont représentées dans la (figure I.5.)

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Les points indiquent les valeurs pour les binaires et les lignes uniquement
l’évolution de ces paramètres en fonction matériau

Figure I -5 : Energie de la bande interdite de plusieurs familles de semi-

conducteurs en fonction de la constante de maille
3 - Propriétés électroniques

La structure de bande est la relation entre l'énergie de la particule et son vecteur

d’onde k dans les directions de plus hautes symétries de la première zone de
Brillouin. Elles se décomposent en bandes de valence et bande de conduction. la
bande de valence est la plus basse, la bande de conduction est la plus haute et la
bande interdite ou le gap [6].Ce gap correspond à l’énergie nécessaire au
système pour faire passer un électron de la bande de valence à la bande de
conduction. Le gap est par définition la largeur de la bande interdite, c'est-àdire
la différence d’énergie entre le minimum absolu de la bande de conduction et le
maximum absolu de la bande de valence. Dans les semi-conducteurs à gap
direct, le minimum central de la bande de conduction correspond à des électrons
de faible masse effective, donc très mobiles. Les semi-conducteurs à gap
indirect, leur bande de conduction correspond à de grande masse électrons
effective, donc ayant une faible mobilité (Figure I-6)

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4 - Propriétés optiques

L'interaction d'un électron avec un photon se fait, comme toute interaction, avec
conservation de l'énergie et du vecteur d'onde. Les transitions optiques directes
entre les extrêmes des bandes de valence et de conduction apparaissent
verticales radiatives dans le diagramme de bande des électrons. Dans le cas d’un
semi-conducteur à bande interdite indirecte, les transitions optiques à travers le
gap ne peuvent avoir lieu que grâce à une interaction supplémentaire :
transitions obliques (non radiatives).(Figure I-8)

Généralités

La formation des bandes interdites étant due à la régularité de la structure

cristalline, toute perturbation de celle-ci tend à créer des états accessibles à
l'intérieur de ces bandes interdites, rendant le gap plus « perméable ». Le dopage
consiste à implanter des atomes correctement sélectionnés (nommés
« impuretés ») à l'intérieur d'un semi-conducteur intrinsèque afin d'en contrôler

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les propriétés électriques. La technique du dopage augmente la densité des
porteurs à l'intérieur du matériau semi-conducteur. Si elle augmente la densité
d'électrons, il s'agit d'un dopage de type N. Si elle augmente celle des trous, il
s'agit d'un dopage de type P. Les matériaux ainsi dopés sont appelés semi-
conducteurs extrinsèques.

Dopage N

Le dopage de type N consiste à augmenter la densité en électrons dans le semi-

conducteur intrinsèque. Pour ce faire, on inclut un certain nombre d'atomes
riches en électrons dans le semi-conducteur. Par exemple, dans le cas du
silicium (Si), les atomes de Si ont quatre électrons de valence, chacun étant lié à
un atome Si voisin par une liaison covalente. Pour doper le silicium en N , on
inclut un atome ayant cinq électrons de valence, comme ceux de la colonne V
(VA) de la table périodique: le phosphore (P), l'arsenic (As) ou
l'antimoine (Sb)...

Cet atome incorporé dans le réseau cristallin présentera quatre liaisons

covalentes et un électron libre. Ce cinquième électron, qui n'est pas un électron
de liaison, n'est que faiblement lié à l'atome et peut être facilement excité vers la
bande de conduction. Aux températures ordinaires, quasiment tous ces électrons
le sont. Comme l'excitation de ces électrons ne conduit pas à la formation de
trous dans ce genre de matériau, le nombre d'électrons dépasse de loin le nombre
de trous. Les électrons sont des porteurs majoritaires et les trous des porteurs
minoritaires. Et parce que les atomes à cinq électrons ont un électron
supplémentaire à « donner », ils sont appelés atomes donneurs.

Dopage P

Le dopage de type P consiste à augmenter la densité en trous dans le semi-

conducteur intrinsèque. Pour ce faire, on inclut un certain nombre d'atomes
pauvres en électrons dans le semi-conducteur afin de créer un excès de trous.
Dans l'exemple du silicium, on inclura un atome trivalent (colonne III
du tableau périodique), généralement un atome de bore. Cet atome n'ayant que
trois électrons de valence, il ne peut créer que trois liaisons covalentes avec ses
quatre voisins créant ainsi un trou dans la structure, trou qui pourra être rempli
par un électron donné par un atome de silicium voisin, déplaçant ainsi le trou.
Quand le dopage est suffisant, le nombre de trous dépasse de loin le nombre
d'électrons. Les trous sont alors des porteurs majoritaires et les électrons
des porteurs minoritaires.

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Jonction P-N

Une jonction P-N est créée par la mise en contact d'un semi-conducteur dopé N
et d'un semi-conducteur dopé P. La jonction entraine l'égalisation des niveaux de
Fermi par décalage des bandes. Si l'on applique une tension positive du côté de
la région P, les porteurs majoritaires positifs (les trous) sont repoussés vers la
jonction. Dans le même temps, les porteurs majoritaires négatifs du côté N (les
électrons) sont attirés vers la jonction. Arrivés à la jonction, soit les porteurs se
recombinent (un électron tombe dans un trou) en émettant
un photon éventuellement visible (LED), soit ces porteurs continuent
leur course au travers de l'autre semi-conducteur jusqu'à atteindre l'électrode
opposée : le courant circule, son intensité varie en exponentielle de la tension. Si
la différence de potentiel est inversée, les porteurs majoritaires des deux côtés
s'éloignent de la jonction, bloquant ainsi le passage du courant à son niveau. Ce
comportement asymétrique est utilisé notamment pour redresser le courant
alternatif.

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 CONCLUSION
Cette classe de matériaux se situe entre les métaux (conducteurs) et les isolants
(non conducteurs). La résistivité des semi-conducteurs varie de 10-3 à 10+4
.cm. les électrons libres et les trous mobiles sont les porteurs de charges
responsables de la conductivité électrique. Un semi-conducteur peut être soit
intrinsèque (pur) ou extrinsèque (dopé) par des impuretés.
- Semi-conducteur intrinsèque : la résistivité du silicium pur est de l’ordre de
.cm. 103  
- Semi-conducteur extrinsèque : la résistivité du silicium dopé par le Bore ou le
phosphore est de l’ordre de .cm.10-2

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