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Techniques d’élaboration de couches minces : principe et application

Presentation · December 2018

DOI: 10.13140/RG.2.2.23988.81287

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0 325

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Lotfi Chouiref
University of Gabès
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 REPUBLIQUE TUNISIENNE
Ministère de l’enseignement Supérieur et de la Recherche Scientifique
Université de Gabès

Mémoire

Réalisé par : Lotfi Chouiref Encadré par : Ferid Mezdari

Soutenu Le 25/12/2018
 Plan

01 Introduction

Méthode chimique
02 Spin coating
Dip coating

03 Méthode physique
Pulvérisation cathodique

04 Conclusions et perspectives

2
Introduction
Introduction

Generalité

La réalisation des systèmes photovoltaïques font l'objet de nombreuses recherches afin

de permettre une meilleure exploitation de l’énergie solaire.

La découvert des nanotechnologies a ouvert plusieurs perspectives dans ce domaine.

Les couches minces présentent un intérêt particulier, elles participent de plus en plus à
l’évolution du rapport rendement /cout de fabrication des dispositifs photovoltaïques .

4
Introduction

Méthodes de dépôt des couches minces

Procédé chimique : Milieu liquide Procédé chimique : Milieu de gaz réactif

• Spin-coating • HWCVD
• Dip-coating • PECVD

Procédé physique : Milieu plasma Procédé physique : Milieu vide poussé

• Pulvérisation cathodique
• Evaporation sous vide
• Ablation laser

5
Introduction

Applications

Verre optique Écran téléviseur plat

Le transistor Micro-processeur

Capteur de gaz Cellule photovoltaique

couches minces

6
 Méthode chimique

Spin coating Dip coating

Spin coating

Principe

Dépôt de solution Rotation : étalement Évaporation Traitement thermique

Mettre au centre du substrat une Une accélération du substrat L’échantillon est mis en rotation à Le film est soumis à un traitement
certaine quantité de la solution jusqu’à sa vitesse de rotation vitesse constante afin de former une thermique pour le séchage
contenant l’élément à déposer finale désirée couche homogène
(évaporation complète du solvant
. (évaporation partielle du solvant) et cristallisation)

8
 Appareillage
Spin Coater VTC-100
Pompe à vide
Sert à maintenir le substrat fixe sur la tête
tournante au cours de dépôt

Tête tournante

Seringue
Utilisée pour contenir la solution

Partie commande
Deux phases programmables
➢ La vitesse de rotation est variable de 500 à 8000
tr/min
➢ Temps de rotation : 1 - 60s

9
Spin coating

Les différents paramètres influant sur la couche déposée

Facteurs liés au dispositif de centrifugation

• Vitesse de rotation
• Temps de rotation
Facteurs liés au composé déposé

• Volume
• Viscosité
Autres facteurs • Concentration

• Température et temps de séchage

• Nature de substrat
• Nombre de cycle

10
Spin coating

Avantages et inconvénients

Avantages Avantages

Simplicité
Rapidité
.
S P Possibilité de former des multicouches
Dépôt à température ambiante

Inconvénients Inconvénients

La difficulté de trouver un protocole

bien précis
I N Perte d’une quantité importante de
solution

11
 Résorcinol-formaldéhyde

Matrice est formée par la polycondensation

• Catalyse
du résorcinol avec du formaldéhyde en
• Photocatalyse
présence d’un catalyseur
RF ? Application • Cellule photovoltaïque

Propriétés Nickel
• [Ni]:[RF]=0%
• [Ni]:[RF]=1%

• Surface spécifique élevée

• Forte absorbance dans UV-Vis

12
Spin coating

Conditions expérimentales de dépôt

• Optimisation des paramètres de dépôt

Echantillon Solution T1 (s) SP1 (tr/min) T2 (s) SP2 (tr/min) Volume Mode

[Ni]:[RF]=0% RF Pure 20 500 20 4000 6 gouttes Dynamique

[Ni]:[RF]=1% RF dope (1%) 20 500 20 4000 6 gouttes Dynamique

• Après le dépôt, tous les échantillons sont séchés à 300°C pendant 5 min.

13
Spectres de transmittance
λ < 700 nm
• Forte absorption dans le UV-Vis
• Eg
λ > 700 nm
• Forte transmission : (85 à 95 % IR)
• Franges d’interférence
• n,d

Franges d’interférences
• Dues à des réflexions multiples dans
la couche

14
 Méthode des enveloppes
Épaisseur de la couche :
𝝀𝟏 𝝀𝟐
𝒅=𝑴
𝟐(𝒏𝟏 𝝀𝟐 − 𝒏𝟐 𝝀𝟏 )

Avec n donné par :

𝑻𝑴 −𝑻𝒎 𝒏𝟐𝒔 +𝟏
𝒏= 𝑵 + 𝑵𝟐 − 𝒏𝟐𝒔 et 𝑵= 𝟐𝒏𝒔 +
𝑻𝑴 𝑻𝒎 𝟐

d ~ 1.04 µm

Indice de réfraction
𝟐
𝑻𝑴 𝝀 − 𝑻𝒎 𝝀 𝒏𝟐𝒔 + 𝟏 𝑻𝑴 𝝀 − 𝑻𝒎 𝝀 𝒏𝟐𝒔 + 𝟏
𝒏 𝝀 = 𝟐𝒏𝒔 + + 𝟐𝒏𝒔 + − 𝒏𝟐𝒔
𝑻𝑴 𝝀 𝑻𝒎 𝝀 𝟐 𝑻𝑴 𝝀 𝑻𝒎 𝝀 𝟐

→ n ~ 1.6

15
 Coefficient d’absorption
𝟏 𝟏𝟎𝟎
loi de Beer : 𝜶 = 𝒍𝒏 ( )
1 2 𝒅 𝑻 %

λ < 700 nm α est de l’ordre de 𝟓. 𝟓 𝟏𝟎𝟒 cm -1

→ Absorption fondamentale
diminue pour avoisiner le zéro au-delà de 1000 nm

coefficient
l
d’extinction
𝜶𝛌
𝑲=
𝟒𝝅

• k élevées dans UV sont dues à

3 l’absorption intrinsèque des énergies
élevées.

• K faibles (Vis- proche IR) la couche est

transparente

16
16
Spin coating

Énergie de la bande interdite

Eg=2.08 eV
Eg=2.21 eV

Loi de Tauc (𝛂𝐡𝐯)² = 𝐀(𝐡𝐯 − 𝐄𝐠 ) Résultat

La représentation graphique de (αhν)² en fonction de Eg croit avec la concentration de dopant

l'énergie de photon (hν) présente une partie linéaire dont
l'intersection avec l'axe des énergies donne le largeur de Eg.
17
Dip coating

Principe

Immersion Retrait Évaporation Traitement thermique

Le substrat est immergé On retire le substrat Le solvant s'évapore Le film est soumis à un
dans la solution à une verticalement vers le formant ainsi une traitement thermique
vitesse constante haut à une vitesse couche mince pour le séchage
. constante contenant le
précurseur à déposer

18
 Appareillage
Dip Coater PTL-MM01
Moteur pas à pas
Relié à un Support du substrat avec un câble pour
introduire le substrat dans la solution et le retirer à
une vitesse constante

Bécher
Contenant la solution à déposer

Partie commende
Les gammes de vitesses d’immersion et de retrait
sont comprises entre 1 et 200 mm/min

19
Dip coating

Les différents paramètres influant sur la couche déposée

Facteurs lies au dispositif de dip coating

• Vitesse de retrait
• Temps d’immersion Facteurs lies au composant déposé

• Volume
• Viscosité
Autres facteurs
• Concentration
• Température et temps de séchage • Nature du solvant
• Nature de substrat
• La géométrie du réservoir

20
Dip coating

Avantages et inconvénients

Avantages
Le dépôt du matériau se fait à basse température et à
pression atmosphérique.

Avantages I P Inconvénients
Il enduit aussi les deux côtés d'un Nécessite un volume important de la solution
substrat plat en même temps le film peut nécessiter un traitement
La perte de solution est minime. thermique après le dépôt

21
Dip coating

Conditions expérimentales de dépôt

vitesse Vitesses de retrait Temps de recuit Température

Solution d’immersion (mm/min) (min) de recuit
Echantillon (mm/min) (°C)

[Ni]:[RF]=0% RF pure 200 200 5 300

[Ni]:[RF]=1% RF dopé 200 200 5 300

22
 Spectres de transmittance

λ < 600 nm
• Forte absorption dans le UV-Vis
• Eg

λ > 600 nm

• Forte transmission : (87 à 93 % IR)

• Les spectres présentent des franges d’interférence.

Epaisseur de la couche [Ni]:[RF]=0%

d ~ 2.52 µm
23
24 Indice de réfraction
1 2
Constante dans l’intervalle 1000 à 1400 nm
correspondant à la zone de très faible
absorption
n ~ 1.6

Coefficient d’absorption
•l λ < 700 nm α est de l’ordre de 4.15 104 cm -1
→ Absorption fondamentale
• diminue pour avoisiner le zéro au-delà de 900
nm
4
3
Coefficient d’extinction
• K élevées dans UV sont dues à l’absorption
intrinsèque des énergies élevées.
• K faibles (Vis-proche IR) la couche est
transparente
24
Dip coating

Énergie de la bande interdite

Eg=2.0 eV Eg=2.16 eV

Loi de Tauc (𝛂𝐡𝐯)² = 𝐀(𝐡𝐯 − 𝐄𝐠 ) Résultats

Eg croit avec la concentration de dopant

25
 Pulvérisation cathodique

Méthode physique
Pulvérisation cathodique

Principe

01

Creation du vide

27
Pulvérisation cathodique

Principe

Lorsqu’on porte la cathode à une tension négative de

quelques kV, il apparaît une décharge luminescente
entre celle-ci et l'anode
02 Application d’une difference de potentiel 04

Introduire un gaz plasmagène Bombardement et

03 pulvérisation de la cible
On introduit un flux contrôlé d’argon
ultra pur tout en gardant un pompage
dynamique pour maintenir une
circulation de gaz pur

28
Pulvérisation cathodique

Principe

Transfert des particules

pulvérisées de la cible au substrat.
06

Condensation de ces particules sur le substrat.

05

29
 Appareillage
DC Magnetron Sputtering Coater

1-Bouteille d’argon
2-Pompe EQ-FYP (VRD-8) à vide primaire
3-Câble d'entrée haute tension
4-Tube en verre de Quartz
5-Contrôleur et afficheur
6-Refroidisseur EQ-KJ3000
7-Tête de pulvérisation à magnétron
8-Cible en cuivre
9-Cache pivotante
10-Support rotatif d’échantillon
30
Pulvérisation cathodique

Les différents paramètres influant sur la couche déposée

02
01

Facteurs liés au dispositif de pulvérisation Facteurs liés au gaz et au composé déposé

• Pression du gaz plasmagène • Nature de gaz

• Courant de décharge • Nature de la cible
• Distance cible-substrat

31
Pulvérisation cathodique

Cuivre

• Le cuivre est un élément chimique de symbole « Cu » • Applications électroniques

• Métal de transition • Réalisation des bobinages
Cuivre Application

Propriétés Choix

• Conductivité thermique et électrique élevées • Faible cout

• Sa structure cubique à face centrée • Abondance dans la terre
• Non toxique

32
Pulvérisation cathodique

Conditions expérimentales de dépôt

Echantillon S1 Echantillon S2 Echantillon S3 Echantillon S4
Pression résiduel (Pa) 1.7 1.6 1.5 1.6
Pression de pulvérisation 32 31 30 31
(Pa)
Temps de dépôt(min) 6 10 20 30
Courant de décharge(mA) 58 56 56 56
Distance cible-substrat(cm) 5 5 5 5

Détermination de l'épaisseur de couche

m
L'épaisseur de couche est déterminée par la méthode de la double pesée : d=
ρs

Echantillon Epaisseur (nm)

S1 80
S2 117
S3 230
S4 329
33
Spectres de transmittance et
absorbance
• Une diminution remarquable de la
transmission en fonction du temps de
dépôt
• Forte absorption dans le UV-Vis
• Pic d’absorption en 570 nm
correspondant à 2,17 eV, signature
d’une présence d’oxyde de cuivre Cu2O
sur la couche

34
 Coefficient d’absorption

• Le coefficient d’absorption est important dans UV

• La valeur maximale est estimé 0,3 106 cm-1

• Diminue avec la longueur d’onde

35
 Conclusion

Nous avons aussi RF possède un gap

Nous avons effectué élaboré des couches direct dont les valeurs
l’installation et la mise en minces de cuivre par varient entre 2 eV et
pulvérisation
marche de trois dispositifs 2.21 eV en fonction du
cathodique
expérimentaux permettant taux de dopage en Ni
l’élaboration de couches
Nous avons élaboré des
minces Les échantillons Pour les couches
couches minces du minces de cuivre
produits ont été
polymère RF pur et dopé une oxydation
caractérisés par
au Nickel sur des Cu2O a été
spectrométrie UV- observée.
substrats de verre par
Vis-IR.
spin coating et par dip
coating
36
 Perspective

Traitements thermiques
Pour améliorer la cristallinité

Elaboration à différents dopages Etude morphologique

MET, MEB, AFM.

Etude Structurale Etude électrique

DRX, EDX. Conductivité, Capacitité.

37
 Merci pour votre attention

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