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Chapitre 4 - Transistor Bipolaire
Chapitre 4 - Transistor Bipolaire
Chapitre 4
Transistor bipolaire
❑ Introduction
❑ Caractéristiques statiques
❑ Polarisation du transistor
Plan
Transistor en mode dynamique
❑ Introduction
❑ Schéma équivalent
❑ Montages amplificateurs
2
Transistor en mode statique
Introduction
Chapitre 4 3
Transistor en mode statique
Chapitre 4 3
Transistor en mode statique
Polarisation du transistor
La polarisation a pour rôle de placer le point de fonctionnement du transistor dans la zone linéaire de ses caractéristiques.
Pour cela on applique sur les trois électrodes du transistor des potentiels continues de valeurs convenables.
Le point de fonctionnement est fixé par les valeurs de IB et VBE (caractéristiques d'entrée) et les valeurs de IC et VCE
(caractéristiques de sortie).
Chapitre 4 5
Transistor en mode statique
Polarisation du transistor
Chapitre 4 6
Transistor en mode statique
Polarisation du transistor
Chapitre 4 7
Transistor en mode statique
Polarisation du transistor
Polarisation par résistance de base
Chapitre 4 8
Transistor en mode statique
Polarisation du transistor
Polarisation par résistance entre base et collecteur
Chapitre 4 9
Transistor en mode statique
Polarisation du transistor
Chapitre 4 10
Transistor en mode statique
Polarisation du transistor
Exercice d’application
On considère le montage suivant avec un transistor npn de gain en courant statique e β=100 et la tension entre la base et
l'émetteur est de 0,7V
• On désire avoir un courant de 100 mA dans la charge RL, quelle valeur de résistance RB faut il choisir?
• Si on fait varier RB alors IB varie et donc IC varie aussi. Quelle est la valeur maximale qu'on peut obtenir pour IC
(transistor saturé)?
• Quelle est la valeur minimale de RB pour saturer le transistor
Chapitre 4 10
Transistor en mode statique
Correction
Chapitre 4 10
Transistor en mode dynamique
Introduction
En régime dynamique, les grandeurs d’entrée et de sortie résultent de la superposition de grandeurs continues ou statiques
(VBE0 , IB0 , IC0 et VCE0 ) et de grandeurs alternatives qui sont l’effet de source alternative.
Chapitre 4 11
Transistor en mode dynamique
❑ Le point de repos étant défini par les valeurs VBE0 , IB0 , IC0 et VCE0 qui correspondent à 4 points fixes sur le réseau
des caractéristiques statiques.
❑ Lorsque les petits variations alternatives autour du point de repos sont respectivement vbe , ib , ic et vce ; on peut
écrire :
❑ Les hij sont appelés paramètres hybrides du transistor monté en émetteur commun. Ces paramètres sont déterminés
graphiquement sur le réseau des caractéristiques du transistor autour du point de repos.
Chapitre 4 12
Transistor en mode dynamique
Chapitre 4 13
Transistor en mode dynamique
Connaissant ces paramètres, on peut tracer le schéma équivalent du transistor en régime dynamique petits signaux
basses fréquences.
En pratique μ est de très faible valeur donc la source de tension μvce est souvent négligée.
Chapitre 4 14
Transistor en mode dynamique
Montages amplificateurs
Amplificateur à transistor monté en Emetteur commun
Chapitre 4 15
Transistor en mode dynamique
Montages amplificateurs
Amplificateur émetteur commun à charge répartie (Résistance émetteur non découplée)
Chapitre 4 16
Transistor en mode dynamique
Montages amplificateurs
Amplificateur à transistor monté en collecteur commun
Chapitre 4 17
Transistor en mode dynamique
Montages amplificateurs
Amplificateur à transistor monté en base commune
Chapitre 4 18