Plyco Cours Antennes

UNIVERSITE HASSIBA BENBOUALI DE CHLEF
Faculté de Technologie
Département d’Electronique
Polycopié de Cours
Antennes
Destiné aux étudiants
de la 1ère Master en Télécommunications
Spécialité : Systèmes des Télécommunications
ZITOUNI Ahmed
« Maître de Conférences Classe B »
Septembre, 2018
UNIVERSITE HASSIBA BENBOUALI DE CHLEF
Faculté de Technologie
Département d’Electronique
Polycopié de Cours
Antennes
Destiné aux étudiants
de la 1ère Master en Télécommunications
Spécialité : Systèmes des Télécommunications
ZITOUNI Ahmed
« Maître de Conférences Classe B »
Septembre, 2018
Avant-Propos
Avant-Propos
Le présent polycopié a pour objectif principal d'introduire de manière unifiée et simplifiée les
principes fondamentaux de la théorie des antennes et de les appliquer à l'analyse et à la
conception des antennes. Il propose une présentation pédagogique de l'enseignement du
module «Antennes», adaptée aux niveaux de la première année Master Systèmes des
Télécommunications, selon le programme officiel.
Du fait qu’il existe une variété de structures d’antennes et un grand nombre de méthodes
d’analyse et de conception, le contenu du polycopié est limité à certaines configurations les
plus élémentaires et pratiques, telles que les dipôles, les antennes filaire, les réseaux
d’antennes, les antennes à ouverture et les antennes planaires (patchs).
Le polycopié contient cinq chapitres. Le premier chapitre est destiné aux paramètres
caractéristiques des antennes nécessaires pour décrire les performances des antennes. Les
différents paramètres à savoir le diagramme de rayonnement, la densité de puissance
rayonnée, l’intensité de rayonnement, la directivité, l’efficacité d’antenne, le gain l’efficacité
de faisceau, la polarisation l’impédance d’entrée, l’efficacité de rayonnement, longueur
effective et surfaces équivalentes, directivité maximal et surface effective maximal et
finalement équation de transmission de Friis et équation de la portée radar
Le chapitre deux fait partie en réalité dans le premier chapitre selon le programme officiel,
mais on a préféré que le chapitre soit consacré seulement aux paramètres caractéristiques des
antennes, et on a ajouté un autre chapitre pour le calcul des champs électromagnétique
rayonné par l’antenne. Ce chapitre est consacré aux équations électromagnétiques de
rayonnement, la notion du potentiel vecteur et potentiel scalaire est introduite et qui permet de
calculer le champ électromagnétique rayonné par une antenne. A la fin du chapitre, le
théorème de dualité et le théorème de réciprocité et de réaction sont abordés.
Dans le chapitre trois, en aborde les antennes filaires, le calcul du champ électrique et
magnétique, le diagramme de rayonnent ainsi que la directivité sont présentés. En commence
par le dipôle infinitésimal qui est la base de calcul de différentes formes d’antennes, par la
suite on traite le dipôle court puis le dipôle de langueur finie et on termine par dipôle demi
longueur d'onde. Dans la dernière partie, on aborde les éléments linéaires près ou sur des
conducteurs parfaits infinis et finalement on entame les effets du sol.
Le quatrième chapitre traite les réseaux d’antennes. En commence par le réseau à deux
éléments et on passe au réseau à N élément linéaire : amplitude et espacement uniforme.
i
Avant-Propos
Après, on entame le réseau linéaire à N élément : espacement uniforme, amplitude non-

uniforme, ainsi que les réseaux plan et en termine le chapitre par le réseau circulaire.
Rayonnement des ouvertures planes est le sujet du chapitre cinq. Le principe d'équivalence de
champ: principe de Huygens est abordé au début, en suite, on expose les équations de
rayonnement ainsi que directivité pour les ouvertures rayonnantes. Les ouvertures
rayonnantes rectangulaires et circulaires sont aussi présentées. Par la suite on aborde le
principe de Babinet, la transformée de Fourier dans la théorie de l'antenne á ouverture; et
finalement les effets de bord du plan de masse.
Le sixième et dernier chapitre est consacré aux réseaux d’antennes planaires (patchs). En
premier lieu on présente les caractéristiques de base, les méthodes d’alimentation et les
méthodes d’analyse des antennes patchs. Par la suite, on passe à l’étude des antennes patchs
de frome rectangulaire et circulaire puisque ce sont les formes d’antennes patchs les plus
populaires et les plus simples à étudier. En troisième lieu, on entame le facteur de qualité,
bande passante et efficacité, impédance d'entrée et le couplage. Finalement les réseaux
d’antennes et réseaux d’alimentation sont abordés
A. Zitouni
Université Hassiba Benbou Ali Chlef
ii
Table des Matières
TABLE DES MATIERES

AVANT-PROPOS ................................................................................................................................................ i
Chapitre I les Paramètres Caractéristiques des Antennes
I.1. INTRODUCTION .......................................................................................................................................... 1
I.2. DIAGRAMME DE RAYONNEMENT............................................................................................................... 1
I.2.1. DIAGRAMME ISOTROPIQUE, DIRECTIONNEL ET OMNIDIRECTIONNEL ........................................................................... 2

I.2.2. LES PRINCIPAUX DIAGRAMMES DE RAYONNEMENT.................................................................................................. 3
I.2.3. LES LOBES DU DIAGRAMME DE RAYONNEMENT ...................................................................................................... 4
I.2.4. REGIONS DU CHAMP ........................................................................................................................................ 5
I.2.5. LE STERADIAN ................................................................................................................................................. 6
I.3. DENSITE DE PUISSANCE DE RAYONNEMENT ............................................................................................... 6
I.4. INTENSITE DE RAYONNEMENT ................................................................................................................... 8
I.5. LA DIRECTIVITE ........................................................................................................................................... 8
I.5.1. DIAGRAMME DIRECTIONNEL ............................................................................................................................ 11

I.5.2. DIAGRAMMES OMNIDIRECTIONNELS ................................................................................................................. 12
I.6. EFFICACITÉ D'ANTENNE ............................................................................................................................ 14
I.7. LE GAIN .................................................................................................................................................... 15
I.8. EFFICACITÉ DE FAISCEAU .......................................................................................................................... 17
I.9. TECHNIQUES NUMÉRIQUES ...................................................................................................................... 18
I.10. POLARIZATION ....................................................................................................................................... 20
I.10.1. POLARISATIONS LINEAIRE, CIRCULAIRES ET ELLIPTIQUES ........................................................................................ 21
I.11. IMPEDANCE D’ENTREE ........................................................................................................................... 22
I.12. EFFICACITÉ DE RAYONNEMENT D'ANTENNE ........................................................................................... 25
I.13. LONGUEUR EFFECTIVE ET SURFACES ÉQUIVALENTS D’UNE ANTENNE .................................................... 26
I.12.1. LONGUEUR EFFECTIVE................................................................................................................................... 26

I.12.2. SURFACES EQUIVALENTES D’ANTENNE .............................................................................................................. 27
I.14. DIRECTIVITÉ MAXIMAL ET SURFACE EFFECTIVE MAXIMAL ..................................................................... 28

Table des Matières
I.15. EQUATION DE TRANSMISSION DE FRIIS ET EQUATION DE LA PORTEE RADAR ........................................ 31
I.15.1. EQUATION DE TRANSMISSION DE FRIIS ............................................................................................................. 31

I.15.2. ÉQUATION DE LA PORTEE RADAR ..................................................................................................................... 33
Chapitre II Les Equations Electromagnétiques de Rayonnement
II.1. INTRODUCTION ....................................................................................................................................... 35
II.2. POTENTIEL VECTEUR A POUR UNE SOURCE DE COURANT ÉLECTRIQUE J ............................................ 36
II.3. POTENTIEL VECTEUR F POUR UNE SOURCE DE COURANTE MAGNÉTIQUE M ..................................... 38
II.4. CHAMPS ÉLECTRIQUES ET MAGNÉTIQUES POUR DES SOURCES DE COURANT ELECTRIQUE J ET

MAGNETIQUE M ........................................................................................................................................... 39
II.5. SOLUTION DE L'ÉQUATION D'ONDE NON HOMOGÈNE DU POTENTIELLE VECTEUR ................................. 40
II.6. RAYONNEMENT DU CHAMP LOINTAIN .................................................................................................... 44
II.7. THÉORÈME DE DUALITÉ........................................................................................................................... 45
II.8. THÉORÈMES DE RÉCIPROCITÉ ET DE RÉACTION ....................................................................................... 47
II.8.1. RECIPROCITE POUR DEUX ANTENNES ................................................................................................................. 49

II.8.2. RECIPROCITE POUR LES DIAGRAMMES DE RAYONNEMENT D'ANTENNE ..................................................................... 50
Chapitre III Les Antennes Filaires
III.1. INTRODUCTION ...................................................................................................................................... 54
III.2. DIPOLE INFINITESIMAL ........................................................................................................................... 54
III.2.1. CHAMPS RAYONNES ..................................................................................................................................... 55

III.2.2. DENSITE DE PUISSANCE ET RESISTANCE DE RAYONNEMENT ................................................................................... 56
III.2.3. REGION DE CHAMP PROCHE ( kr << 1 ) ........................................................................................................... 58
III.2.4. REGION DE CHAMP INTERMEDIAIRE ( kr > 1 ) .................................................................................................... 59
III.2.5. REGION DE CHAMP LOINTAIN ( kr >> 1 ) .......................................................................................................... 60
III.2.6. DIRECTIVITE................................................................................................................................................ 60
III.3. DIPOLE COURT ....................................................................................................................................... 62
III.4. RÉGION DE SÉPARATION ........................................................................................................................ 64

Table des Matières
III.4.1. REGION DE CHAMP LOINTAIN ......................................................................................................................... 65

III.4.2. REGION DE CHAMP PROCHE RAYONNE (FRESNEL) ............................................................................................... 66
III.4.3. REGION CHAMP PROCHE REACTIVE .................................................................................................................. 67
III.5. DIPOLE DE LONGUEUR FINIE .................................................................................................................. 68
III.5.1. DISTRIBUTION DE COURANT .......................................................................................................................... 68

III.5.2. CHAMPS RAYONNES : FACTEUR D'ELEMENT, FACTEUR D'ESPACE ET MULTIPLICATION DE DIAGRAMME .......................... 69
III.5.3. DENSITE DE PUISSANCE, INTENSITE DE RAYONNEMENT ET RESISTANCE DE RAYONNEMENT .......................................... 70
III.5.4. DIRECTIVITE................................................................................................................................................ 73
III.5.5 RESISTANCE D'ENTREE ................................................................................................................................... 74
III.6. DIPOLE DEMI LONGUEUR D'ONDE .......................................................................................................... 76
III.7. ÉLÉMENTS LINÉAIRES PRÈS OU SUR DES CONDUCTEURS PARFAITS INFINIS ........................................... 78
III.7.1. THEORIE D'IMAGE ........................................................................................................................................ 78

III.7.2. DIPOLE ELECTRIQUE VERTICAL ........................................................................................................................ 80
III.7.3. FORMULES APPROXIMATIVES ......................................................................................................................... 85
III.7.4. DIPOLE ELECTRIQUE HORIZONTAL .................................................................................................................... 85
III.8. EFFETS DU SOL ....................................................................................................................................... 90
III.8.1. DIPOLE ELECTRIQUE VERTICAL ........................................................................................................................ 90

III.8.2. DIPOLE ELECTRIQUE HORIZONTAL .................................................................................................................... 91
Chapitre IV Réseaux d’Antennes
IV.1. INTRODUCTION ...................................................................................................................................... 93
IV.2. RESEAU A DEUX ELEMENTS .................................................................................................................... 93
IV.3. RESEAU A N ELEMENT LINÉAIRE : AMPLITUDE ET ESPACEMENT UNIFORME .......................................... 96
IV.3.1. RESEAU A RAYONNEMENT TRANSVERSAL .......................................................................................................... 99

IV.3.2. RESEAU LONGITUDINAL ORDINAIRE ...............................................................................................................100
IV.3.3. RESEAU A DEPHASAGE (BALAYAGE) ...............................................................................................................101
IV.3.4. RESEAU LONGITUDINAL DE HANSEN-WOODYARD ............................................................................................103
IV.4. RESEAU LINÉAIRE A N ELEMENTS : DIRECTIVITÉ ................................................................................... 104
IV.4.1. RESEAU TRANSVERSAL ................................................................................................................................104

IV.4.2. RESEAU LONGITUDINAL ORDINAIRE ...............................................................................................................106
IV.4.3. RESEAU LONGITUDINAL DE HANSEN-WOODYARD ............................................................................................107
Table des Matières
IV.5. RESEAU LINÉAIRE A N ELEMENTS : CARACTÉRISTIQUES 3D .................................................................. 108
IV.5.1. N ELEMENTS LE LONG DE L’AXE Z..................................................................................................................108

IV.5.2. N ELEMENTS LE LONG DE L’AXE X OU Y ..........................................................................................................109
IV.6. RESEAU LINÉAIRE A N ELÉMENT : ESPACEMENT UNIFORME, AMPLITUDE NON-UNIFORME................. 110
IV.6.1. FACTEUR DE RESEAU ..................................................................................................................................110

IV.6.2. RESEAU BINOMIALE ...................................................................................................................................111
IV.6.3. RESEAU DE DOLPH-TCHEBYCHEV .................................................................................................................113
IV.7. RESEAU PLAN ....................................................................................................................................... 119

IV.7.2. LARGEUR DU FAISCEAU ...............................................................................................................................124
IV.7.3. LA DIRECTIVITE..........................................................................................................................................125
IV.8 LES CONSIDÉRATIONS DE CONCEPTION ................................................................................................ 126
IV.9. RÉSEAU CIRCULAIRE ............................................................................................................................. 128
Chapitre V Rayonnement des Ouvertures Planes
V.1. PRINCIPE D'ÉQUIVALENCE DE CHAMP: PRINCIPE DE HUYGENS ............................................................. 132
V.2. ÉQUATIONS DE RAYONNEMENT ........................................................................................................... 137
V.3. DIRECTIVITÉ .......................................................................................................................................... 139
V.4. OUVERTURES RECTANGULAIRES ........................................................................................................... 140
V.4.1. DISTRIBUTION UNIFORME SUR UN PLAN DE MASSE INFINI ...................................................................................141

V.4.1.1. Équivalent ......................................................................................................... 141
V.4.1.2. Champs de rayonnement: Éléments et facteurs d'espace ................................. 142
V.4.1.3. Largeurs du faisceau ......................................................................................... 145
V.4.1.4. Niveau du lobe secondaire ............................................................................... 146
V.4.1.5. Directivité ......................................................................................................... 147
V.4.2. DISTRIBUTION UNIFORME DANS L'ESPACE ........................................................................................................147

V.4.2.1. Équivalent ......................................................................................................... 148
V.4.2.2. Champs rayonnés ............................................................................................. 148

Table des Matières
V.4.2.3. Largeurs de faisceau et niveaux des lobes secondaires .................................... 149
V.4.2.4. Directivité ......................................................................................................... 149
V.4.3. DISTRIBUTION EN MODE TE10 SUR UN PLAN DE MASSE INFINI ..............................................................................149

V.4.3.1. Équivalent, champs rayonnés, largeurs de faisceau et niveaux des lobes
secondaires ..................................................................................................................... 149
V.4.3.2. Directivité et efficacité d'ouverture .................................................................. 151
V.5. LES OUVERTURES CIRCULAIRES ............................................................................................................. 151
V.5.1. DISTRIBUTION UNIFORME SUR UN PLAN DE MASSE INFINI ...................................................................................153

V.5.1.1. Équivalent et champs rayonné .......................................................................... 153
V.5.1.2. Largeur de faisceau, niveau du lobe secondaire et directivité .......................... 155
V.5.2. DISTRIBUTION EN MODE TE11 SUR UN PLAN DE MASSE INFINI .............................................................................155
V.6. CONSIDÉRATIONS DE CONCEPTION....................................................................................................... 157
V.6.1. OUVERTURE RECTANGULAIRE........................................................................................................................158

V.6.2. OUVERTURE CIRCULAIRE ..............................................................................................................................158
V.7. PRINCIPE DE BABINET ........................................................................................................................... 159
V.8. TRANSFORMEES DE FOURIER DANS LA THÉORIE DE L'ANTENNE A OUVERTURE ................................... 162
V.8.1. CHAMPS RAYONNES ....................................................................................................................................162

V.8.2. ÉVALUATION ASYMPTOTIQUE DU CHAMP RAYONNE ...........................................................................................166
V.8.3. OUVERTURES COUVERTES DE DIELECTRIQUE .....................................................................................................169
V.8.4. ADMISSION DE L'OUVERTURE ........................................................................................................................170
V.9. EFFETS DE BORD DU PLAN DE MASSE: LA THÉORIE DE LA GÉOMÉTRIQUE DE DIFFRACTION.................. 173
Chapitre VI Les Antennes Planaires (Patchs)
VI.1. INTRODUCTION .................................................................................................................................... 176
VI.2. CARACTERISTIQUES DE BASE................................................................................................................ 176
FENTE RAYONNANTE #1 ............................................................................................................................... 177
VI.3. METHODES D'ALIMENTATION .............................................................................................................. 178
VI.4. METHODES D'ANALYSE ........................................................................................................................ 179

Table des Matières
VI.5. PATCH RECTANGULAIRE ....................................................................................................................... 180
VI.5.1. MODELE DE LIGNE DE TRANSMISSION ........................................................................................................... 180

VI.5.1.1. Effet de dispersion .......................................................................................... 180
VI.5.1.2. Longueur effective, largeur effective et fréquence de résonance ................... 182
VI.5.1.3. Conception ...................................................................................................... 183
VI.5.1.4. Conductance .................................................................................................... 183
VI.5.1.5. Résistance d'entrée á la résonnance ................................................................ 185
VI.5.1.6. Techniques d'adaptations ................................................................................ 186
VI.5.2. MODELE DE LA CAVITE............................................................................................................................... 187
VI.5.2.1. Configurations de champs (modes) TM x ....................................................... 190
VI.5.2.2. Densité de courant équivalente ....................................................................... 193

x
VI.5.2.3. Champs rayonnés : mode TM 010 .................................................................... 196
VI.5.3. DIRECTIVITE ............................................................................................................................................ 199
VI.6. PATCH CIRCULAIRE............................................................................................................................... 202
VI.6.1. CHAMPS ELECTRIQUES ET MAGNETIQUES : TMmnp

z ......................................................................................... 202
VI.6.2. FREQUENCES RESONNANTES ....................................................................................................................... 203

VI.6.3. CONCEPTION ........................................................................................................................................... 204
VI.6.4. DENSITES DE COURANT EQUIVALENTS ET CHAMPS RAYONNES ............................................................................ 204
VI.6.5. CONDUCTANCE ET DIRECTIVITE.................................................................................................................... 207
VI.6.6. RESISTANCE D'ENTREE A LA RESONNANCE ...................................................................................................... 208
VI.7. FACTEUR DE QUALITÉ, BANDE PASSANTE ET EFFICACITÉ ..................................................................... 208
VI.8. IMPEDANCE D'ENTREE ......................................................................................................................... 210
VI.9. LE COUPLAGE ....................................................................................................................................... 212
VI.10. LA POLARISATION CIRCULAIRE ........................................................................................................... 214
VI.11. LES RÉSEAUX ET RÉSEAUX D'ALIMENTATION ..................................................................................... 218
ANNEXEI…………………………………………………………………………………………………………………………222
ANNEXEII………………………………………………………………………………………………………………….……226
ANNEXEIII………………………………………………………………………………………………………………………230
ANNEXEIV………………………………………………………………………………………………………………………232
BIBLIOGRAPHIE.……………………………………………………………………………………………………………234
Chapitre I Les paramètres caractéristiques des antennes
CHAPITRE I
LES PARAMETRES CARACTERISTIQUES
DES ANTENNES
I.1. INTRODUCTION
Les définitions de divers paramètres sont nécessaires pour décrire les performances d’une antenne.
Certains paramètres sont liés entre eux et ne doivent pas être tous indiqués pour la description complète
des performances de l'antenne. La plus part de ces paramètres proviennent du standards IEEE pour la
définition des termes d’antennes.
I.2. DIAGRAMME DE RAYONNEMENT

Un digramme de rayonnement d'antenne est une fonction mathématique ou une représentation
graphique des propriétés de rayonnement de l'antenne en fonction des coordonnés de l'espace ; et il est
déterminé dans la région du champ lointain et représenté en fonction des coordonnées directionnelles.
Les propriétés de rayonnement comprennent la densité du flux de puissance, l'intensité de
rayonnement, le module du champ, la directivité ou la polarisation. La propriété la plus importante est
la distribution spatiale en deux ou trois dimensions de l'énergie rayonnée en fonction de la position de
l'observateur. Un système de coordonnées convenable est montré sur la figure I.1. Le tracé du champ
électrique (magnétique) reçu pour un rayon constant est appelée diagramme d’amplitude de champ
d'amplitude. D'autre part, le tracé de la variation spatiale de la densité de puissance le long d'un rayon
constant est appelé diagramme d'amplitude de puissance
1
Plan d’élévation
Lobe
principale
Lobes
secondaires
Plan d’azimut
Figure I.1 Systèmes de coordonnées pour l’analyse de l’antenne
I.2.1. Diagramme isotropique, directionnel et omnidirectionnel

Un élément rayonnant isotropique est une antenne hypothétique sans pertes ayant le même
rayonnement dans toutes les directions. Bien qu'il soit idéal et physiquement irréalisable, il est souvent
pris comme référence pour exprimer les propriétés directives des antennes réelles. Une antenne
directionnelle est une antenne ayant la propriété de rayonnée ou de recevoir les ondes
électromagnétiques plus efficacement dans certaines directions que dans d'autres. Un exemple de
diagramme de rayonnement directionnel est montré dans la figure I.2. On voit que ce diagramme est
non directionnel dans le plan d'azimut ( f(φ ), /
θ = π 2 ) et directionnel dans le plan d'élévation (
f(θ ), φ = cst ). Ce type de diagramme est appelé omnidirectionnel, et il est défini comme ayant un
diagramme essentiellement non directionnel dans un plan donné et un diagramme directionnel dans
n'importe quel plan orthogonal. Ainsi, un diagramme omnidirectionnel est cas particulier d'un
diagramme directionnel.
2
Antenne
Diagramme de
rayonnement
Figure I.2 Diagramme d’antenne omnidirectionnel

I.2.2. Les principaux diagrammes de rayonnement
Pour une antenne à polarisation linéaire, la performance est souvent décrite en termes de ses principaux
digrammes dans le plan E et H. Le plan E est défini comme " le plan contenant le vecteur du champ
électrique et la direction du rayonnement maximal, " et le plan H comme " le plan contenant le vecteur
du champ magnétique et la direction du rayonnement maximal." Il est très difficile d'indiquer les
principaux diagrammes sans considérer un exemple spécifique, dans la pratique il est habituel
d'orienter la plupart d'antenne de sorte qu'au moins un des principal digrammes coïncident avec un des
principaux plans géométriques. Un exemple est montré dans la figure I.3. Pour cet exemple le plan
x − z (plan d’élévation φ = 0 ) est le plan E principal et le plan x − y (plan d’azimut, θ = π / 2 ) est le
plan H principal.
Distribution du champ H
Champ E
Champ H
Plan H
Plan E Distribution du champ E
Figure I.3 Plans E et H principaux d’une antenne cornet
3
I.2.3. Les lobes du diagramme de rayonnement

Différents parties d'un diagramme de rayonnement sont appelés lobes, qui peuvent subdivise en lobe
principal, lobes secondaires, lobes latéraux et lobes arrière.
Un lobe de rayonnement est une partie du diagramme de rayonnement limité par des régions de
rayonnement d'intensité relativement faible. La figure I.4(a) représente un diagramme polaire en trois
dimensions symétriques avec un certain nombre de lobes de rayonnement. La figure I.4(b) représente
un diagramme en deux dimensions où les mêmes caractéristiques de rayonnement sont montrées.
Un lobe principal (ou faisceau principal) est le lobe de rayonnement contenant la direction du
rayonnement maximum. Dans certaines antennes, il peut exister plus d'un lobe principal. Un lobe
secondaire est n'importe quel lobe sauf le lobe principal. Un lobe latéral est un lobe de rayonnement
dans n'importe quelle direction autre que le lobe prévu (généralement à côté du lobe principal et occupe
l'hémisphère dans la direction du faisceau principal.) Un lobe arrière est un lobe de rayonnement dont
l'axe fait un angle approximativement 180° par rapport au faisceau de l’antenne. Généralement c’est un
lobe secondaire occupant l'hémisphère dans la direction opposée à celle du lobe principal.
En général, les lobes secondaires présentent le rayonnement dans des directions indésirables, et ils
devraient être réduits au minimum. Le niveau des lobes secondaires est exprimé par le rapport de la
densité de puissance du lobe considéré à celle du lobe principal.
Intensité de Diagramme de champ

Largeur de faisceau Diagramme de champ rayonnemen normalisé (échelle linéaire)
Lobe principal
au premier zéro normalisé (échelle linéaire)
FNBW Lobe principal
Largeur de faisceau
à mi-puissance
HPBW
Lobes secondaires Lobe latéral
Lobe latéral
Lobe arrière
Lobes secondaires
(b)
Lobe arrière
Lobes secondaires
(a)
Figure I.4 (a) Lobes de rayonnement et largeur de faisceau d’un digramme d’amplitude d’antenne
(b) tracé linéaire du diagramme de puissance et ces lobes et largeurs de faisceau associées.
4
I.2.4. Régions du champ

L’espace entourant une antenne est généralement divisé en trois régions: (a) région du champ proche
réactif, (b) région du champ proche rayonné (Fresnel) et (c) région du champ lointain (Fraunhofer)
comme représentées sur la figure I.5. Ces régions sont indiquées pour identifier la structure du champ
dans chacune d’elles.
La région du champ proche réactif est la partie de la région du champ proche entourant immédiatement
l'antenne où le champ réactif prédomine. En général, la limite externe est la distance R < 0.62 D 3 / λ
de la surface de l'antenne où λ est la longueur d'onde et D est la plus grande dimension de l'antenne.
La région du champ proche rayonné (Fresnel) est la région du champ entre la région du champ proche
réactive et la région du champ lointain où la distribution du champ dépend de la distance de l'antenne.
Si l'antenne a une dimension maximum inférieure à la longueur d'onde, cette région peut ne pas exister.
La limite de cette région est la distance 0.62 D 3 / λ ≤ R < 2 D 2 / λ où D est la plus grande dimension
de l'antenne.
La région du champ lointain (Fraunhofer) est la région du champ où la distribution angulaire du champ
est indépendante de la distance de l'antenne. La limite de cette région est la distance R ≥ 2 D 2 / λ de
l'antenne. Dans cette région, les composantes du champ sont essentiellement transversale.
Région champ lointain

(Fraunhofer)
Région champ proche

rayonné (Fresnel)
Région champ
proche réactif
Figure I.5 Régions du champ d’une antenne
5
I.2.5. Le stéradian
Un stéradian est un angle solide avec son sommet au centre d'une sphère du rayon r , qui est délimitée
par une surface sphérique égale à celle d'un carré de côté r (figure I.6).
La surface infinitésimal dA de la surface d'une sphère du rayon r représenté sur la figure I.1 est
donnée par :
dA = r 2 sin θ d θ d φ (I.1)
Donc, l'élément de l'angle solide de la sphère peut être écrit par :
dA
d=
Ω = sin θ d θ d φ (sr ) (I.2)
r2
Equivalant en Surface=r2
surface
Surface=r2
(a) Radian
(b) Stéradian
Figure I.6 Définition du radian et stéradian
I.3. DENSITE DE PUISSANCE DE RAYONNEMENT

Les ondes électromagnétiques sont employées pour transporter l'information dans un milieu sans fil ou
dans une structure de guidage, d'un point à autre. Ainsi la puissance et l'énergie sont associées aux
champs électromagnétiques. La quantité utilisée pour représenter la puissance liée à une onde
électromagnétique est le vecteur de Poynting instantané défini par :
W= e × h (W / m 2 ) (I.3)
La puissance totale traversant une surface fermée peut est obtenue en intégrant la composante normale
du vecteur de Poynting sur toute la surface, tel que:
=p ∫∫=
S
∫∫ w.nda
w.ds 
S
(I.4)
p est la puissance totale instantanée
n est le vecteur unitaire normal à la surface

6
da surface infinitésimale
Pour des champs variant dans le temps, il est plus souhaitable de calculer la densité de puissance
moyenne. Pour des variations harmoniques de la forme e j ωt , on définit les champs complexe E et H
qui sont liés à leurs équivalent instantanés e et h par :
e ( x , y , z , t ) = Re  E ( x , y , z )e j ωt  (I.5)
h ( x , y , z , t ) = Re  H ( x , y , z )e j ωt  (I.6)
1
 Ee j ωt 
On utilisant la définition (I.5) et (I.6) et l’identité Re =  Ee j ωt + E * e − j ωt  , (I.3) peut être
2
écrite comme :
1 1
w =e×h = Re  E × H * + Re  E × He 2 jωt  (I.7)
2 2
Le premier terme de (I.7) n'est pas fonction de temps. La moyenne temporelle du vecteur de Poynting
(densité de puissance moyenne) est donnée par
1
x, y , z )  w( x, y ,=
W av (= z, t )  Re  E × H * (I.8)
av 2
La partie réelle de (I.8) représente la densité de puissance moyenne, el la partie imaginaire de (I.8)
représente la densité de puissance réactive (stockée).
La puissance moyenne rayonnée par une antenne (puissance rayonnée) peut être écrite comme
1
Pr=
ad P=
av ∫∫ W
 S
rad =
.ds ∫∫ W
 S
av =
.nda
2∫∫S Re( E × H *).ds (I.9)
La puissance rayonnée par une source isotrope est donnée par

2π π
= ∫∫=
 W .dS ∫ ∫ a W ( r ).a r θ dθ d φ 4π r 2W0
sin=
2
Pr ad 0 r 0 r (I.10)
S 0 0
Et la densité de puissance :
Pr ad
=
W 0 a=
rW0 ar (I.11)
4π r 2
Qui est uniformément distribué sur une surface de sphère de rayon r
7
I.4. INTENSITE DE RAYONNEMENT

L'intensité de rayonnement dans une direction donnée est la puissance rayonnée d'une antenne par unité
d’angle solide. L'intensité de rayonnement est un paramètre de champ lointain. Elle est exprimée par :
U = r 2W rad (I.12)
Où
U Intensité de rayonnement (W/unité d’angle solide)
W rad Densité de rayonnement (W/m2)
L’intensité de rayonnement est reliée au champ électrique lointain d’une antenne par la relation
suivante
r2 r2  E ( r , θ , φ ) 2 + E ( r , θ , φ ) 2   1  E 0 (θ , φ ) 2 + E 0 (θ , φ ) 2  (I.13)
U (θ , φ= E (r , θ , φ ) 
2
)  θ φ  2η  θ φ 
2η 2η
Où E ( r , θ , φ ) est l’intensité du champ lointain de l’antenne. E θ et E φ sont les composantes du champ
lointain de l’antenne
La puissance totale est obtenue par l’intégration de l’intensité de rayonnement, qui est donnée par
(I.12) sur tout l’angle solide 4π . Ainsi :
2π π
P=
r ad ∫∫ Ud=
Ω
Ω ∫ ∫ U sin θ dθ d φ
0 0
(I.14)
Pour une source isotropique U sera indépendant de θ et φ comme pour W rad . Ainsi (I.14) donne :
2π π
=
Pr ad ∫∫ U=
Ω
dΩ0 U 0 ∫ ∫ sin θ d=
0 0
θ d φ 4π U 0 (I.15)
Ou l’intensité de rayonnement d’une source isotropique est

Pr ad
U0 = (I.16)
4π
I.5. LA DIRECTIVITE
La directivité d'une antenne est le rapport de l'intensité de rayonnement d’une antenne dans une
direction donnée à l’intensité de rayonnement moyenne dans toutes les directions. Si la direction n'est
pas indiquée, la direction de l'intensité de rayonnement maximale est utilisée. Ou plus simplement, la
8
directivité d'une source non isotropique est égale au rapport de son intensité de rayonnement dans une
direction donné à celle d'une source isotrope. En utilisant (I.16), elle peut être donnée par
U 4πU
=
D = (I.17)
U0 Pr ad
La directivité maximale est donnée par
U max 4πU max
= D=
D max 0 = (I.18)
U0 Prad
Pour une source isotrope, la directivité est unité.
Pour des antennes avec des composants à polarisation orthogonal, la directivité partielle d'une antenne
pour une polarisation donnée dans une direction donnée est définit comme " la partie de l'intensité de
rayonnement correspondant à une polarisation donnée divisée par l'intensité de rayonnement totale
moyenne dans toutes les directions." En coordonnées sphériques, la directivité total maximal pour les
composantes orthogonales θ et φ d’une antenne est donnée par :
D=
0 Dθ + D φ (I.19)
Où les directivités partielles Dθ et Dφ sont données par :
4πU θ
Dθ = (I.20)
( Prad )θ + ( Prad )φ
4πU φ
Dφ = (I.21)
( Prad )θ + ( Prad )φ
U θ : L'intensité de rayonnement dans une direction donnée contenue dans la composante θ du champ.
U φ : L'intensité de rayonnement dans une direction donnée contenue dans la composante φ du champ.
( Prad )θ : Puissance rayonnée dans toutes les directions contenues dans la composante θ du champ.
( Prad )φ : Puissance rayonnée dans toutes les directions contenues dans la composante φ du champ.
La directivité d'une source isotrope est égal á un puisque sa puissance est rayonnée identiquement dans
toutes les directions. Pour toutes autres sources, la directivité maximal est toujours plus grande que un,
et c'est une figure de mérite qui donne une indication sur les propriétés directionnelles de l'antenne par
rapport à ceux d'une source isotrope. La directivité est comprise entre zéro et D0 , ainsi 0 ≤ D ≤ D 0 .
9
Une expression plus générale pour la directivité peut être développée en utilisant des sources ayant des
diagrammes de rayonnement qui sont fonction de θ et φ . Supposant que, l'intensité de rayonnement
d'une antenne est de la forme :
1  0 2 2

=U B 0 F (θ , φ )   E (θ , φ ) + E 0
(θ , φ ) (I.22)
2η  θ φ

Où B 0 est une constante, et E θ0 et E φ0 les composantes du champ lointain de l’antenne. La valeur
maximale de (I.22) est donnée par

U max = B 0 Fmax (θ , φ ) (I.23)
La puissance totale rayonnée est donnée par :
2π π
=Pard ∫∫ U=
Ω
(θ , φ )d Ω B 0 ∫ ∫ F (θ , φ ) sin θ d θ d φ
0 0
(I.24)
L’expression générale de la directivité et la directivité maximale respectivement, on utilisant (I.17) et

(I.18) est donnée par:
F (θ , φ )
D (θ , φ ) = 4π 2π π
(I.25)
∫ ∫ F (θ , φ ) sin θ d θ d φ
0 0
F (θ , φ ) max
D 0 = 4π 2π π
(I.26)
∫ ∫ F (θ , φ ) sin θ d θ d φ
0 0
L’équation (I.26) peut être écrite sous la forme :

4π 4π
=D0 =
2π π
(I.27)
ΩA
∫ ∫ F (θ , φ ) sin θ d θ d φ / F (θ , φ ) max
0 0
Où Ω A est l’angle solide du faisceau, qui est donnée par :

2π π 2π π
1
F (θ , φ ) max ∫0 ∫0 ∫ ∫ F (θ , φ ) sin θ d θ d φ
=ΩA = F (θ , φ ) sin θ d θ d φ n (I.28)
0 0
F (θ , φ )
Fn (θ , φ ) = (I.29)
F (θ , φ ) ¨max
10
L'angle solide du faisceau Ω A est l’angle solide à travers laquelle toute la puissance de l'antenne
passerait si son intensité de rayonnement est constante (et égale à la valeur maximum deU ) pour tous
les angles dans Ω A
I.5.1. Diagramme directionnel

Il est souvent commode de calculer des expressions plus simples pour la directivité, au lieu d'employer
l'expression exacte de (I.27), même si elles sont approximatives pour calculer la directivité. Pour des
antennes avec un seul lobe principal étroit et des lobes secondaires négligeables, l'angle solide du
faisceau est environ égal au produit des largeurs de faisceau à mi-puissance dans les deux plans
perpendiculaires représentés sur la figure I.7.
(a) diagramme asymétrique (b) diagramme symétrique
Figure I.7 Angles solide du faisceau pour un diagramme de rayonnement asymétrique et symétrique.
Avec cette approximation (I.27), devienne

4π 4π
D0 =  Formule de Kraus (I.30)
Ω A Θ1r Θ2 r
Avec
Θ1r : L’ouverture du faisceau à mi-puissance dans un plan (rad).
Θ2r : L’ouverture du faisceau à mi-puissance dans un plan perpendiculaire à l’autre plan (rad).
Si l’ouverture du faisceau est en dégrée, (I.30) devienne :
11
4π 4π (180 / π ) 2 41253
=D0 =  (I.31)
ΩA Θ1d Θ2 d Θ1d Θ2 d
avec
Θ1d : L’ouverture du faisceau à mi-puissance dans un plan (degré).
Θ2d : L’ouverture du faisceau à mi-puissance dans un plan perpendiculaire à l’autre plan (degré)
Pour un réseau plan une meilleure approximation de (I.31) est donnée par
32400 32400
D0   (I.32)
Ω A (°) Θ1d Θ2 d
Pour un diagramme á deux lobes principaux identiques, la valeur de la directivité maximale en utilisant
(I.30) ou (I.31) sera deux fois sa valeur réelle. Cependant, pour des diagrammes avec des lobes
secondaires non négligeables, les valeurs de directivité maximale obtenues seront généralement trop
élevées.
Généralement il est souhaitable d'exprimer la directivité en décibels (dB) tel que : DdB = 10log D
La directivité maximum d'une antenne peut également être obtenue approximativement en employant
la formule suivante :
22.181 22.181(180 / π ) 2 72815
=
D0  2 = Formule de tai et Pereira (I.33)
Θ1r + Θ2 r
2
Θ1d + Θ2 d
2 2
Θ12d + Θ22 d
où Θ1r et Θ2r sont les largeurs de faisceau à mi-puissance (en radians) du plan E et H, respectivement.
I.5.2. Diagrammes Omnidirectionnels

Certaines antennes (telles que les dipôles) montrent des diagrammes omnidirectionnels, comme le
montre la figure I.8 (a, b). Tandis que des diagrammes directionnels à un seul lobe peuvent être
rapprochés par :
 B cos n θ 0 ≤ θ ≤ π / 2, 0 ≤ φ ≤ 2π
U (θ , φ ) =  0
0 ailleurs
, des diagrammes omnidirectionnels peuvent souvent être approximés par :
=U sin n θ 0 ≤ θ ≤ π / 2, 0 ≤ φ ≤ 2π (I.34)
où n est un nombre entier ou réel. La directivité des antennes avec des diagrammes présentés par (I.34)
peut être déterminée en utilisant la définition de (I.18). Cependant, la directivité pour des antennes avec
12
des diagrammes omnidirectionnels semblables à ceux représentés sur la figure I.8 dont le lobe principal
est approximé par (I.34) est donnée par (formule de McDonald) :
101
D0  (I.35)
HPBW − 0.0027 [ HPBW ]2
Cependant, celle donnée par Pozar est donnée par :
D 0  −172.4 + 191 0.818 + 1 / HPBW (I.36)

En général, la formule (I.35) est plus précise pour des diagrammes omnidirectionnels avec des lobes
secondaires, par contre que (I.36) est plus précis pour des diagrammes omnidirectionnels avec des
lobes secondaires négligeables.
Diagramme de champ
Diagramme de champ
normalisé (échelle linéaire)
(a) Avec lobes secondaires (b) Sans lobes secondaires
Figure I.8 Diagrammes omnidirectionnels avec et sans lobes secondaires.
Pour faciliter la procédure de conception des antennes, la directivité pour des diagrammes
omnidirectionnels donnés par (I.34) en fonction de n et HPBW (en degrés) est tracée sur la figure I.9.
13
D0 exacte
D0 McDonald
Directivité D0 (sans dimensions)
D0 Pozar
Directivité D0 (dB)
Figure I.9 Comparaison entre la valeur exacte et approximée de la directivité
des diagrammes de puissance omnidirectionnels U = sin n θ
I.6. EFFICACITÉ D'ANTENNE

Certaines efficacités sont associées à une antenne et peuvent être définies en utilisant la figure I.10.
L'efficacité totale e 0 est employée pour tenir compte des pertes sur les ports d'entrée et dans la
structure de l'antenne. Ces pertes peuvent être dues, selon la figure I.10(b), à :
1. réflexions en raison de la désadaptation entre la ligne de transmission et l'antenne
2. pertes RI 2 (conduction et diélectrique)
En général, l’efficacité totale peut être écrite comme
e 0 = e r ec e d (I.37)
Avec
e r Efficacité de réflexion ( = 1 − Γ )
2
ec Efficacité de conduction
e d Efficacité de diélectrique
Γ Le coefficient de réflexion au port d’entrée de l’antenne
14
Généralement ec et e d ne peuvent être déterminées que expérimentalement. Même par des mesures
elles ne peuvent pas être séparés, et il est généralement plus pratique d’écrire (I.37) comme
=
e 0 e r= (
ecd ecd 1 − Γ
2
) (I.38)
où ecd = ec e d est l’efficacité de rayonnement d'antenne, elle est utilisée pour relier le gain et la
directivité.
Antenne
Port d’entrée Port de sortie

(a)Ports de référence pour l’antenne (b)Efficacité de réflexion, conduction et diélectrique
Figure I.10 Ports de référence et les pertes d’une antenne
I.7. LE GAIN
Le gain est une autre mesure utile décrivant la performance d'une antenne. Bien qu’il soit étroitement
lié à la directivité, c'est une mesure qui tient en compte l'efficacité de l'antenne aussi bien que ses
capacités directionnelles.
Le gain d'une antenne est le rapport de l'intensité, dans une direction donnée, à l'intensité de
rayonnement qui serait obtenue si la puissance reçue par l'antenne étaient rayonnées isotropiquement.
L'intensité de rayonnement correspondant à cette puissance est égale à la puissance reçue par l'antenne
(la puissance d'entrée) divisée par 4π . Sous forme d'équation ceci peut être exprimé par :
intensité de rayonnement U (θ , φ )
= π
G 4= 4π (I.39)
puissance totale d'entrée (reçue) Pi n
En général, on traite le gain relatif, qui est le rapport du gain de puissance dans une direction donnée au
gain de puissance d'une antenne de référence. La puissance d’entrée doit être la même pour les deux
antennes. Généralement, l'antenne de référence est un dipôle, cornet, ou n'importe quelle autre antenne
dont le gain peut être calculé ou connue. Mais, dans la plupart des cas c’est une source isotrope sans
pertes. Ainsi
15
U (θ , φ )
G = 4π (I.40)
Pi n (soure isotropique sans pertes)
Si la direction n'est pas donnée, le gain de puissance est généralement pris dans la direction du
rayonnement maximal.
De la figure I.10(a), la puissance totale rayonnée ( Pr ad ) est liée à la puissance totale d'entrée ( Pin ) par
l’équation suivante
Pr ad = ecd Pin (I.41)
Ainsi (I.40) se réduit à
U (θ , φ )
G (θ , φ ) = 4π ecd (I.42)
Pr ad
Qui est relié à la directivité de (I.17) et (I.25) par
G (θ , φ ) = ecd D (θ , φ ) (I.43)
De même la valeur maximale du gain est reliée à la valeur maximale de la directivité de (I.18) et (I.26)
par
= (θ , φ ) max ecd D=
G 0 G= (θ , φ ) max ecd D 0 (I.44)
L’équation (I.41) tient compte des pertes de l'antenne, mais elle ne tient pas compte des pertes quand
l'antenne est connectée à une ligne de transmission. Ainsi, on peut introduire le gain réalisé Gre qui
prise en compte les pertes de réflexion, qui peut être écrit comme :
Gre (θ , φ )= er G (θ , φ )= (1 − Γ )G (θ , φ )= er ecd D (θ , φ )= e0 D (θ , φ )
2
(I.45)
De même, le gain maximal réalisé Gre 0 de (I.45) est lié à la directivité maximale par l’équation
suivante :
Gre 0 (θ , φ ) = Gre (θ , φ ) max = er G (θ , φ ) max = (1 − Γ ) G (θ , φ ) max = er ecd D (θ , φ ) max = e0 D0
2
(I.46)
On peut aussi définir le gain partiel d'une antenne pour une polarisation donnée dans une direction
donnée comme "la partie de l'intensité du rayonnement correspondant à une polarisation donnée divisée
par l'intensité de rayonnement totale qui serait obtenue si la puissance accepté par l'antenne est
rayonnée isotropiquement. " Alors, avec cette définition, dans une direction donnée, le gain total est la
somme des gains partiels pour deux polarisations orthogonales quelconques. Le gain total maximal G0
pour les composantes orthogonaux θ et φ , peut être écrit sous la forme :
16
G=
0 Gθ + Gφ (I.47)
Tel que les gains partiels Gθ et Gφ sont donnés par :
4π Uθ
Gθ = (I.48)
Pin
4π U φ
Gθ = (I.49)
Pin
Où
Uθ : intensité du rayonnement dans une direction donnée contenue dans la composante du champ Eθ
Uφ : intensité du rayonnement dans une direction donnée contenue dans la composante du champ Eφ
Pin : puissance totale d'entrée (acceptée)
Pour plusieurs antennes pratiques une formule approximative pour le gain, correspondant à (I.31) ou
(I.32) pour la directivité, est donnée par
30.000
G0 = (I.50)
Θ1d Θ2d
Dans la pratique, lorsque le terme "gain" est utilisé, il se réfère généralement au gain maximum de plus
il est donné en décibels.
I.8. EFFICACITÉ DE FAISCEAU

Un autre paramètre qui est fréquemment employé pour juger la qualité des antennes de transmettre et
de recevoir est l'efficacité de faisceau. Pour une antenne avec son lobe principale dirigé le long de l'axe
z ( θ = 0 ), comme représenté sur la figure I.1, l'efficacité de faisceau ( BE ) est défini par :
puissance transmise (recevée) dans l'angle du cone θ1
BE = (I.51)
puissance transmise (recevée) par l'antenne
où θ1 est le demi-angle où se trouve la totalité de la puissance. L’équation (I.51) peut être écrite
comme
2π θ1
∫ ∫ U (θ , φ ) sin θ d θ d φ
BE = 0 0
2π π (I.52)
∫ ∫ U (θ , φ ) sin θ d θ d φ
0 0
17
Si θ1 est l’angle où le premier nul ou minimum se produit (figure I.1), alors l'efficacité de faisceau
indiquera la quantité de puissance dans le lobe principal comparé à la puissance totale.
I.9. TECHNIQUES NUMÉRIQUES

En pratique, les diagrammes de rayonnement des antennes sont complexes, de sorte qu’il n’existe pas
des expressions mathématiques exactes. Même dans les cas où il y a des expressions, leur forme est si
complexe que l'intégration pour déterminer la puissance rayonnée, nécessaire pour calculer la
directivité maximale, ne peut pas être effectuée. Des techniques numériques plus précises peuvent être
utilisées, au lieu d'utiliser les expressions approximatives de Kraus, Tai et Pereira, McDonald ou Pozar.
Supposons que l'intensité de rayonnement d'une antenne est séparable et donnée par :
U = B0 f (θ ) g (φ ) (I.53)
Où B0 est une constante. La directivité pour un tel système est donnée par :
4π U max
D0 = (I.54)
Pr ad
Où
2π π 2π
  π 
= 0 ∫ ∫
Pr ad B=  f (θ ) g (φ )sin θ d θ  d φ B0 ∫ g (φ )  ∫ f (θ ) g (φ )sin θ dθ dφ (I.55)
0 0  0 0 
Si les intégrations dans (I.55) ne peuvent pas être effectuées analytiquement, alors, on peut écrire que
π N
(θ )sin θ dθ ∑ f (θ )sin θ ∆θ
∫ f= i i i (I.56)
0 i =1
Pour N division uniforme sur intervalle π,

π
∆θi = (I.57)
N
Se référant à la figure I.11, θi peut prendre plusieurs formes différentes. Deux schémas sont illustrés à
la figure I.11, tels que
π
=θi i = , i 1,2,3,..., N (I.58)
N
Ou
π π
θi= + (i − 1) , i= 1,2,3,..., N (I.59)
2N N
18
θi (Eq I.59)
θi (Eq I.58)
φ j (Eq I.62)
φ j (Eq I.63)
Figure I.11 Schéma de numérisation du diagramme en coordonnées sphériques.
Dans le premier cas, θi est prise á la fin de chaque division; dans le dernier cas, θi est prise au milieu
de chaque division. Le choix de θi dépend du problème à l'étude.
De même, pour les variations φ on peut écrire :
2π M
(φ )dφ ∑ g (φ ) ∆φ
∫ g= j j (I.60)
0 j =1
où pour M divisions uniformes on a :

2π
∆φ j = (I.61)
M
De même, se référant à la figure I.11, on a
2π
=φi j= , j 1, 2,3,..., M (I.62)
M
Ou
2π 2π
φ j= + ( j − 1) , i= 1,2,3,..., M (I.63)
2M M
La substitution de (I.56), (I.57), (I-60) et (I.61) dans (I.55) donne
π 2π M
  N

Pr ad = B0 j ∑  g (φ )  ∑ f (θ ) sin θ  
i i (I.64)
N M
=j 1 =i 1  
Puisque les variations θ et φ sont séparables, on peut écrire (I.64) sous la forme suivante :
19
π 2π  M  N 
Pr ad = B0  ∑ g (φ j )   ∑ f (θi ) sin θi  (I.65)
N M  j 1=
= i 1 
Si les variations θ et φ ne sont pas séparables, et l'intensité du rayonnement est donnée par
U = B0 F (θ , φ ) (I.66)
la puissance rayonnée peut être écrite sous la forme suivante :
π 2π M
 N

Pr ad = B0
N M
∑  ∑ F (θ , φ ) sin θ 
=j 1 =i 1
i j i (I.67)
I.10. POLARIZATION
La polarisation d'une antenne dans une direction donnée est la polarisation de l’onde transmise
(rayonné) par l'antenne. La polarisation d'une onde rayonnée est la figure tracée en fonction du temps
par l'extrémité du vecteur à un endroit fixe dans l'espace, et le sens dans lequel elle est tracée, comme
observé le long de la direction de propagation (figures I.12).
La polarisation peut être classifiée en linéaire, circulaire, ou elliptique. Pour la polarisation linéaire, le
vecteur qui décrit le champ électrique à un point dans l'espace en fonction du temps est toujours dirigé
suivant une ligne. En général la figure tracée est une ellipse, et le champ serait polarisé elliptiquement.
Les polarisations linéaires et circulaires sont des cas particuliers de polarisation elliptique. Dans la
pratique, les différentes parties du diagramme puissent avoir différentes polarisations.
Grande axe Petit axe
(b) ellipse de polarisation

(a) Rotation de l’onde
Figure I.12 Rotation d’une onde plane et son ellipse de polarisation en fonction du temps á z = 0
20
I.10.1. polarisations linéaire, circulaires et elliptiques

Le champ instantané d'une onde plane, propageant dans la direction z négative, peut être écrit comme
=
e( z , t ) e x ( z , t ) a x + e y ( z , t ) a y (I.68)
Les composants instantanés selon (I.5) sont liés à leurs composants complexes par
 E x 0 cos (ωt + kz + φx )
j (ωt + kz )
e=
x ( z, t ) Re  E x− e =  Re  E x 0e j(ωt=
+ kz +φx )
 (I.69)
 
j (ωt + kz +φ y )
e= j (ωt + kz )
Re  E y− e =    E cos (ωt + kz + φ )
 Re  E y 0e =
y ( z, t ) (I.70)
 y0 y
où E x 0 et E y 0 sont les amplitudes maximal des composants suivant x et y. respectivement.
 Polarisation linéaire
Pour une onde à polarisation linéaire, la différence de phase entre les deux composantes doit être :
∆φ = φy − φx = nπ n = 0,1, 2,...... (I.71)
Ainsi, le vecteur de champ (électrique ou magnétique) possède :

• Seulement une composante, ou
• Deux composantes linéaires orthogonal qui sont en phase ou déphasé de 180° (ou multiples de
180°).
 Polarisation circulaire
La polarisation circulaire est obtenue si les amplitudes des deux composants sont identiques et la
différence de phase entre eux est des multiples impairs de π / 2 . C'est-à-dire,
Ex 0 = Ey 0 (I.72)
 +( 12 + 2n )π n=
0,1,2..... sens des aiguilles d ' une montre
∆φ = φ y − φ x =  1 (I.73)
 −( 2 + 2n )π n=
0,1,2.....sens inverse des aiguilles d ' une montre
Si la direction de la propagation d’onde est inversée (c.-à-d., direction +z), les phases dans (I.73) doit
être échangé.
Les conditions nécessaires et suffisantes pour une polarisation circulaire est que si le vecteur de champ
(électrique ou magnétique) possède :
• Le champ doit avoir deux composants linéaires orthogonal, et
• Les deux composants doivent avoir la même amplitude, et
• Les deux composants doivent avoir une différence de phase des multiples impairs de 90°.
21
 Polarisation Elliptique
La polarisation elliptique peut être atteinte quand la différence de phase entre les deux composants est
des multiples impairs de π / 2 et leurs amplitudes ne sont pas identiques ou quand la différence de
phase entre les deux composants n'est pas égale aux multiples de π / 2 (indépendamment de leurs
amplitudes). C'est-à-dire
Ex 0 ≠ Ey 0 (I.74)
 +( 1 + 2n )π pour CW
∆φ = φ − φ =  2 (I.75)
y x
n = 0,1, 2.....  −( 2 + 2n )π
1 pour CCW
ou
n > 0 pour CW
∆φ= φ − φ ≠ ± π  (I.76)
y x 2 < 0 pour CCW
n = 0,1, 2.....
Pour la polarisation elliptique, la courbe tracée à une position donnée en fonction du temps est en
général, une ellipse inclinée, comme représenté sur la figure I.11(b).
Ainsi, les conditions nécessaires et suffisantes pour une polarisation sont :
• Le champ doit avoir deux composants linéaires orthogonal, et
• Les deux composants peuvent être de la même amplitude ou d’amplitude différente.
• Si les deux composants ne sont pas de même amplitude, la différence de phase ne doit pas être
00 ou multiples de 1800(parce qu'il sera alors linéaire).Si les deux composantes sont de même
amplitude, la différence de phase ne doit pas être des multiples impairs de 90° (parce qu'elle
sera alors circulaire).
I.11. IMPEDANCE D’ENTREE

L'impédance d'entrée est l’impédance présentée par une antenne à ses bornes ou le rapport des
composants appropriés du champ électrique au champ magnétique à un point. L'impédance de l'antenne
est donnée par :
Z=
A R A + jX A (I.77)
En général la partie résistive de (I.79) se compose de deux composants :
R= Rr + RL
A (I.78)
22
où
R r = résistance de rayonnement de l'antenne
R L = résistance de perte de l'antenne

Si on suppose que l’antenne est reliée à un générateur avec une impédance interne tel que
Z=
g R g + jX g
et l'antenne est utilisée en mode de transmission (figure I.13(a)), on peut représenter l'antenne et le
générateur par un circuit équivalent comme le montre la figure I.13(b). Le courant fournit par le
générateur est donnée par :
Vg Vg
=Ig =
Z A + Z g Rr + RL + Rg + j ( X A + X g )
La puissance délivré à l’antenne pour le rayonnement est donnée par :

2
1 2 Vg Rr
=Pr = I g Rr (I.79)
2 2 ( R r + R L + R g )2 + ( X A + X g )2
et celle dissipé par chaleur est donnée par

2
1 2 Vg RL
=PL = I g RL (I.80)
2 2 ( R r + R L + R g )2 + ( X A + X g )2
La puissance restante est absorbée comme chaleur sur la résistance interne du générateur R g , et elle
est donnée par :

2
1 2 Vg Rg
=Pg = I g Rg (I.81)
2 2 ( R r + R L + R g )2 + ( X A + X g )2
La puissance maximum fournie à l'antenne se produit pour l'adaptation conjugué ;

Rr + RL =
Rg
X A = −X g
Dans ce cas
2
Vg Rr
Pr = (I.82)
8 ( R r + R L )2
23
2
Vg RL
PL = (I.83)
8 ( R r + R L )2
2 2 2
Vg Rg Vg 1 Vg
=Pg = = (I.84)
8 ( R r + R L )2 8 R r + R L 8R g
Des équations (I.84)-(I.86) on voit que

2 2
Vg Rg Vg Rr + RL
Pg = Pr + PL = = (I.85)
8 (Rr + RL ) 2
8 ( R r + R L )2
La puissance délirée par le générateur pour l’adaptation conjuguée est
2
1 Vg 1
=Ps = Vg I g* (I.86)
2 4 Rr + RL
Antenne
Onde rayonnée
(a)Antenne en mode de transmission (b) Schéma équivalant de Thevenin
Figure I.13 Antenne en mode de transmission et son schéma équivalant
Pour l’adaptation conjuguée, la moitié de la puissance fournie par le générateur est absorbée comme
chaleur dans la résistance interne du générateur et l'autre moitié est fournie à l'antenne.
Pour le mode de réception montrée sur la figure I.14(a), l’onde d'incidente induit une tension V T . De
même, on peut montrer en utilisant la figure I.14 que en mode de réception pour l’adaptation conjuguée
+ RL =
( R r = − X T ) les puissances délivrées à RT , R r et R L sont données respectivement par :
RT et X A
2 2 2
VT RT VT 1 V
=PT = = T (I.87)
8 (Rr + RL ) 2
8 R r + R L 8RT
2
V Rr
Pr = T (I.88)
8 ( R r + R L )2
24
2
VT RL
=PL = (I.89)
8 ( R r + R L )2
La puissance induite (capturée ou collectée) est donnée par :
2
1 VT V T* V 1
=Pc = V T I T* = T (I.90)
2 2 2( R r + R L ) 4 Rr + RL
La puissance Pr de (I.90) délivré à R r est la puissance dispersée (rayonnée). On remarque que, pour
l’adaptation conjuguée, la moitié de la puissance total capturée est fournie à la charge RT et l'autre
moitié est dispersé ou rayonnée par R r et absorbé comme chaleur par R L .

Généralement, l'impédance d'entrée d'une antenne est fonction de la fréquence. De plus, l'impédance
d'entrée de l'antenne dépend de plusieurs facteurs tels que sa géométrie, sa méthode d'excitation et sa
proximité aux objets environnants.
Antenne
Onde
incidente
(a) Antenne en mode de réception (b) Schéma de Thevenin équivalant
Figure I.14 Antenne de réception et son schéma équivalant
I.12. EFFICACITÉ DE RAYONNEMENT D'ANTENNE

Il est très difficile de calculer ou de séparer les pertes de conduction et diélectrique d'une antenne et
dans la plupart des cas elles sont mesurées et elles sont généralement groupées ensemble pour former
l'efficacité ecd . La résistance R L est employée pour représenter les pertes de conduction-diélectrique.
L'efficacité de conduction-diélectrique ecd est donnée par
Rr
ecd = (I.91)
RL + Rr
25
I.13. LONGUEUR EFFECTIVE ET SURFACES ÉQUIVALENTS D’UNE ANTENNE

Une antenne en mode de réception est utilisée pour capturer et extraire la puissance à partir des ondes
électromagnétiques, comme représenté sur les figures I.15(a) et (b). Pour chaque antenne, on peut
définir une longueur équivalente et un certain nombre de surfaces équivalentes. Ces quantités sont
employées pour décrire les caractéristiques de réception d’une antenne.
Champ E d’une
onde plane
Champ E d’une Direction de

onde plane propagation
Direction de
propagation
Répéteur
(b) antenne à ouverture en mode ré réception

(a) antenne dipôle en mode ré réception
Figure I.15 Onde plane uniforme incidente sur une antenne
I.12.1. Longueur effective

La longueur effective d'une antenne (ou la hauteur effective), est employée pour déterminer la tension
induite sur les bornes en circuit ouvert de l'antenne quand une onde arrive sur elle. Généralement, la
longueur effective l e pour une antenne est une quantité vectoriel complexe donnée par
l e (θ , φ ) aθ l θ (θ , φ ) + aφ l φ (θ , φ )
= (I.92)
Elle aussi liée u champ lointain E a rayonné par l'antenne, avec un courant I in à ses bornes, par la
relation suivante :
kI
Ea = − jη in le e − jkr
aθ Eθ + aφ Eφ = (I.93)
4π r
La longueur effective représente l'antenne en modes de transmission et de réception, et elle est relie la
tension en circuit ouvert V oc de l’antenne réceptrice et le champ incident par la relation suivante :
V oc = E i l e (I.94)
Où, E i est le champ incident et l e est le vecteur de longueur effective.
26
De plus le vecteur longueur effective de l'antenne est employée pour déterminer l'efficacité de
polarisation de l'antenne.
I.12.2. surfaces équivalentes d’antenne

À chaque antenne, on peut associer un certain nombre de surfaces équivalents. Elles sont employées
pour décrire les caractéristiques de capture de puissance de l'antenne quand une onde arrive sur elle.
Parmi ces surfaces équivalentes est la surface effective (ouverture), qui dans une direction donnée est
défini par le rapport de la puissance disponible sur les bornes d'une antenne de réception à la densité de
puissance d'une onde plane incidente sur l'antenne de cette direction. Si la direction n'est pas donnée, la
direction de l'intensité maximum de rayonnement est utilisée. Sous forme d'équation elle donnée par :
2
PT IT RT / 2
=
Ae = (I.95)
Wi Wi
Ae :surface effective (ouverture effective) (m2)
PT :puissance fournie à la charge (w)
W i :densité de puissance de l’onde d'incident (W/m2)

Si on multiplie l'ouverture effective par la densité de puissance incidente on obtient la puissance
fournie à la charge. En utilisant le schéma équivalant (figure I.14), (I.97) peut 6etre écrite sous la
forme :
2
V RT
Ae = T (I.96)
2W i ( R r + R L + RT ) 2 + ( X A + X T ) 2
Dans le cas d’adaptation conjugué, la surface effective de (I.98) se réduit à l'ouverture effective
maximum qui est donnée par
2 2
VT RT VT 1
=Aem = (I.97)
8W i ( R r + R L ) 2
8W i ( R r + R L )
Ainsi, pour l’adaptation conjuguée seulement la moitié de la puissance capturée est délivrée à la
charge ; l'autre moitié est dispersée et absorbée comme chaleur. Alors pour la puissance dispersée et
absorbée on définit des surfaces effectives de dispersion, de perte et de capture.
La surface de dispersion est la surface équivalente qui est une fois multiplié par la densité de puissance
incidente donne la puissance dispersée (rayonnée). Pour l’adaptation conjuguée, on a
27
2
V Rr
As = T (I.98)
8W i ( R r + R L ) 2
La surface de perte est la surface équivalente, qui est une fois multiplié par la densité de puissance
incidente donne la puissance absorbée comme chaleur par R L . Pour l’adaptation conjuguée, on a
2
V RL
AL = T (I.99)
8W i ( R r + R L ) 2
Enfin, la surface de capture est la surface équivalente, qui est une fois multiplié par la densité de
puissance incidente donne la puissance totale capturée ou interceptée par l'antenne. Pour l’adaptation
conjuguée, on a
2
VT RT + Rr + RL
Ac = (I.100)
8Wi ( Rr + RL ) 2
En général, la surface totale de capture est égal à la somme des trois autres surface, ou
surface de capture =
surface effective + surface dedispersion + surface de perte
L’efficacité d'ouverture d'une antenne ε ap est le rapport de la surface effective maximale de l'antenne
Aem à sa surface physique Ap , ou
Aem
ε ap = (I.101)
Ap
La valeur maximum de l'efficacité d'ouverture est inférieure à l'unité (100%), et elle n'est pas
nécessairement la même que l'ouverture physique.
I.14. DIRECTIVITÉ MAXIMAL ET SURFACE EFFECTIVE MAXIMAL

La convention géométrique de la figure I.16 est utilisée pour déduire le rapport entre la directivité et la
surface effective maximale. L'antenne 1 est utilisée comme émetteur et 2 comme récepteur, et leurs
surfaces effectives et directivités sont At , Ar et Dt , Dr . Si l'antenne 1 est isotrope, sa densité de
puissance rayonnée à une distance R est donnée par
Pt
W0 = (I.102)
4π R 2
28
où Pt est la puissance totale rayonnée. En raison des propriétés de la directivité de l'antenne, sa densité
réelle est
PD
=
Wt W=
0 Dt
t t
(I.103)
4π R 2
La puissance rassemblée (reçu) par l'antenne et transférée à la charge est donnée par
PD
t t Ar
=
Pr W=
t Ar (I.104)
4π R 2
Ou
Pr
Dt Ar = (4π R 2 ) (I.105)
Pt
Direction de propagation de
l’onde
Atm , Dt Arm , Dr
Emetteur Récepteur
Figure I.16 Deux antennes séparées par une distance R
Si l'antenne 2 est utilisée comme émetteur, et l’antenne 1 comme récepteur, et le milieu est linéaire,
passif et isotrope, on peut écrire :
Pr
Dr At = (4π R 2 ) (I.106)
Pt
Les équations (I.107) et (I.108) donnent
Dt Dr
= (I.107)
At Ar
L'augmentation de la directivité d'une antenne augmente sa surface effective. Ainsi, (I.109) peut être
écrit comme
D0t D0 r
= (I.108)
Atm Arm
29
où Atm et Arm ( D0t et D0r ) sont les surfaces effectives (directivités) maximales des antennes 1 et 2,
respectivement.
= 1 et sa surface effective maximale peut être exprimé par
Si l'antenne 1 est isotrope, alors D0t
Arm
Atm = (I.109)
D0 r
L’équation (I.111) montre que la surface effective maximale d'une source isotrope est égale au rapport
de la surface effective maximale à la directivité maximale de n'importe quelle autre source. Pour un
dipôle très court ( l << λ ) sa surface effective est 0.119λ 2 et la directivité maximal est 1.5. Ainsi, la
surface effective maximale de la source isotrope est donnée par
Arm 0.119λ 2 λ 2
=
Atm = = (I.110)
D0 r 1.5 4π
En utilisant (I.93), (I.92) peut être écrite sous la forme suivante :
 λ2 
=
Arm D=
0 r Atm D0 r   (I.111)
 4π 
Ainsi en général, l'ouverture effective maximale ( Aem ) de n'importe quelle antenne est liée à sa
directivité maximale ( D0 ) par l’équation suivante :
λ2
Aem = D0 (I.112)
4π
Ainsi, la puissance maximale qui peut être fournie à la charge est obtenue en multipliant l'ouverture
effective maximale par la densité de puissance de l’onde incidente. Ceci suppose qu'il n'y a aucune
perte ( ecd = 1 ), l'antenne est adaptée à la charge ( er = 1 ), et la polarisation de l’onde incidente s’adapte
à celle de l'antenne. S'il y a des pertes liées à l’antenne, Aem sera donnée par :
λ2
Aem = ecd D0 (I.113)
4π
Si de plus, la réflexion et les pertes de polarisation sont incluses, alors la surface effective maximale
sera donnée par
λ2
( 2 λ
)
∧ ∧ 2 2 ∧ ∧ 2
=
A e0 D0 ρ w . ρ= e 1 − Γ D0 ρ w . ρ a (I.114)
4π 4π
em a cd
30
∧ ∧
Où ρ w est le vecteur unitaire de polarisation de l‘onde incidente et ρ a le vecteur unitaire de polarisation
de l’antenne.
I.15. EQUATION DE TRANSMISSION DE FRIIS ET EQUATION DE LA PORTEE

RADAR
L’équation de transmission Friis et de l'équation de la portée radar sont souvent utilisées pour l’analyse
et la conception des systèmes de communication et de radar.
I.15.1. Equation de transmission de Friis

L'équation de transmission Friis relie la puissance reçue à la puissance transmise entre deux antennes
séparées par une distance R > 2 D 2 / λ , où D est la plus grande dimension de l'une des antennes.
En se référant à la figure I.17, supposons que l'antenne d'émission est premièrement isotrope. Si la
puissance d'entrée aux bornes de l'antenne d'émission est Pt , alors sa densité de puissance isotrope W0
à la distance R de l'antenne est donnée par
Pt
W0 = et (I.115)
4π R 2
où et est l’efficacité de rayonnement de l'antenne d'émission. Pour une antenne non isotrope, la densité
de puissance de (I.115) dans la direction θ t , φt peut soumettre sur la forme suivante :
t t (θ t , φt )
PG P D (θ , φ )
=Wt = et t t t 2 t (I.116)
4π R 2
4π R
où Gt (θ t , φt ) e Gt (θ t , φt ) sont respectivement le gain et la directivité de l'antenne d'émission dans la
direction θ t et φt . La surface effective de l'antenne réceptrice est liée à son efficacité et directivité par
la relation suivante :
λ2
Ar = er Dr (θ r , φr ) (I.117)
4π
31
Antenne émettrice
Antenne réceptrice
Figure I.17 Orientation géométrique des antennes d'émission et de réception

pour l'équation de transmission de Friis
En utilisant (I.116) et (I.117), la quantité de puissance collectée par l'antenne de réception peut être
donnée par :
λ2 λ 2 Dt (θt , φt ) Dr (θ r , φr ) Pt
= r Dr (θ r , φr )
Pr e= ρˆ t .ρˆ r
2
Wt et er (I.118)
4π (4π R ) 2
Ou le rapport entre la puissance reçue et la puissance d'entrée est donnée par :
Pr λ 2 Dt (θt , φt ) Dr (θ r , φr )
= et er (I.119)
Pt (4π R ) 2
La puissance reçue de (I.119) suppose que les antennes d'émission et de réception soient adaptées à
leurs lignes ou charges respectives et la polarisation de l'antenne réceptrice est adaptée à la polarisation
de l’onde incidente. Si ces deux facteurs sont également inclus, (I.119) devienne
Pr λ2
= ecdt ecdr (1 − Γt )(1 − Γt ) Dt (θ t , φt ) Dr (θ r , φr ) ρˆ t .ρˆ r
2 2 2
(I.120)
Pt (4π R ) 2
Pour des antennes adaptées en réflexion et en polarisation alignées dans la direction de rayonnement et
de réception maximale, (I 120) se réduit à
Pr  λ 
2
=  G0t G0 r (I.121)
Pt  4π R 
L’équation (I.119), (I.120) ou (I.121) est appelée équation de transmission de Friis, et elle relie la
puissance délivrée à la charge du récepteur à la puissance d'entrée de l'antenne d'émission. Le terme
(λ / 4π R) 2 est appelé le facteur de perte en espace libre, qui prend en compte les pertes dues à la
diffusion sphérique de l'énergie par l'antenne.
32
I.15.2. Équation de la portée radar

Supposons maintenant que la puissance transmise est incidente sur une cible, comme le montre la
figure I.18. On introduit maintenant une quantité appelée la section radar ou zone d'écho (σ) d'une cible
qui est définie comme la zone interceptant cette puissance qui, lorsqu'elle est diffusée de façon
isotrope, produit au récepteur une densité égale à celle diffusée par la cible réelle. En forme d'équation
cela est donnée par la relation suivante
 σ Wi 
lim  = Ws (I.122)
R →∞ 4π R 2 
 
Ou
  Es 
2
 Hs 
2
2 Ws   4π R  lim  4π R 
=σ lim
=  4π R W  Rlim= 2 2
(I.123)
R →∞ →∞  i 2  R →∞  i 2 
 i 
 E   H 
Où σ : zone d'écho, R : distance d'observation de la cible, Wi : densité de puissance incidente, Ws :
densité de puissance dispersée Ei ( Es ) : champ électrique incident (dispersé) et H i ( H s ) : champ

magnétique incident (dispersé)
L'une des définitions de (I.123) peut être utilisée pour calculer la section efficace du radar de n'importe
quelle antenne ou cible.
Onde incidente
Antenne émettrice
Onde dispersé
Onde dispersé
Antenne réceptrice
Figure I.18 Disposition géométrique de l'émetteur, la cible et du récepteur pour l'équation de portée radar.
En utilisant la définition de la section efficace radar, on peut considérer que la puissance transmise
incidente sur la cible est initialement capturée, puis elle est ré-rayonnée isotropiquement, dans la
33
mesure où le récepteur est concerné. La quantité de puissance capturée est obtenue en multipliant la
densité de puissance incidente de (I.116) par la section radar, tel que
t t (θ t , φt )
PG P D (θ , φ )
Pc σ=
= Wt σ = etσ t t t 2 t (I.124)
4π R1 2
4π R1
La puissance captée par la cible est ré-rayonnée isotropiquement, et la densité de puissance dispersée
peut être donnée par
Pc P D (θ , φ )
=
Ws = ecdtσ t t t t2 (I.125)
4π R2
2
(4π R1 R2 )
La quantité d'énergie fournie à la charge du récepteur est donnée par
2
P D (θ , φ ) D (θ , φ )  λ 
=
Pr A=
rWs ecdt ecdrσ t t t t r r r   (I.126)
4π  4π R1 R2 
où Ar est la surface effective de l'antenne de réception donnée par (I.117)
L'équation (I.126) peut être écrite sous la forme suivante :
2
Pr D (θ , φ ) D (θ , φ )  λ 
= ecdt ecdrσ t t t r r r   (I.127)
Pt 4π  4π R1 R2 
L'expression (I.127) ne prend en compte que les pertes de conduction-diélectrique des antennes
d'émission et de réception. Si les pertes par réflexion et les pertes de polarisation sont incluses, alors
(I.127) devienne :
2
Pr D (θ , φ ) D (θ , φ )  λ 
= ecdt ecdr (1 − Γt )(1 − Γt )σ t t t r r r   ρˆ w .ρˆ r
2 2 2
(I.128)
Pt 4π  4π R1 R2 
où, ρˆ w : vecteur unitaire de polarisation des ondes dispersées, ρˆ r : vecteur unitaire de polarisation de
l'antenne de réception.
Pour les antennes de polarisation adaptée alignées dans la direction de rayonnement et de réception
maximale, (I 128) se réduit à
2
Pr G G  λ 
= σ 0t 0 r   (I.129)
Pt 4π  4π R1 R2 
L’équation (I.127) ou (I.128) ou (I.129) est appelée équation de distance radar, et elle relie la puissance
délivrée à la charge du récepteur à la puissance d'entrée transmise par une antenne, après qu'elle ait été
dispersée par une cible avec une section radar (zone d'écho).
34
CHAPITRE II
LES EQUATIONS ÉLECTROMAGNETIQUES
DE RAYONNEMENT
II.1. INTRODUCTION
La procédure habituel dans l'analyse des problèmes de rayonnement, est indiqué les sources et puis
déterminer les champs rayonnés par les sources. Il est très courant dans la procédure d'analyse
d’introduire des fonctions auxiliaires, connues sous le nom de potentiels vecteur, qui faciliteront la
solution des problèmes. Les potentiels vecteurs les plus courant sont A (potentiel vecteur magnétique)
et F (potentiel vecteur électrique). Une autre paire est les potentiels de Hertz Π e et Π h . Bien que les
intensités de champ électrique et magnétique ( E et H ) représentent des quantités physiquement
mesurables, les potentiels vecteurs sont seulement des outils mathématiques. Bien qu'il est possible de
déterminer les champs de E et H directement des sources densités de courantes J et M , comme
représenté sur la figure II.1, il est généralement beaucoup plus simple de déterminer premièrement les
fonctions potentielles auxiliaires et de déterminer ensuite E et H . Ce procédé en deux étapes est
également montré sur la figure II.1.
La procédure en une étape, par le chemin 1, relie les champs E et H à J et M par des relations
intégrales. La procédure en deux étapes, par le chemin 2, relie les potentiels A et F (ou Π e et Π h )
des potentiels à J et M par des relations intégrales. Alors E et H sont simplement déterminés en
dérivant A et F (ou Π e et Π h ). Bien que le procédé en deux étapes exige l'intégration et la
différentiation, alors que le chemin 1 exige seulement l'intégration, les fonctions à intégrer du procédé
en deux étapes sont beaucoup plus simples.
L'intégration exigée pour déterminer les fonctions potentielles est restreinte au limites des sources J et
M . Ainsi A et F (ou Π e et Π h ) sont fonctions des coordonnées du point d'observation ; la
différentiation pour déterminer E et H doit être faite en fonction des coordonnées du point
35
d'observation. La procédure d'intégration en une étape exige également que ses limites soient
déterminées par les limites des sources.
Les potentiels vecteurs de Hertz Π e et Π h sont analogue à A et F respectivement La relation entre
eux est une constante de proportionnalité qui est fonction de la fréquence et des paramètres constitutifs
du milieu.
Chemin 1
Sources Intégration
J, M Champs rayonné
E, H
Chemin 2
Chemin 2
Intégration
Différentiation
Potentiels vecteurs
A, F
Ou
Пe, Пh
Figure II.1 Schéma fonctionnel pour le calcul des champs rayonné par
des sources électriques et magnétiques.
II.2. POTENTIEL VECTEUR A POUR UNE SOURCE DE COURANT ÉLECTRIQUE

J
Le potentiel vecteur A est utile pour la résolution du champ EM produit par un courant électrique J .
Le flux magnétique B est toujours solénoïdal ; c'est-à-dire ∇.B =
0 , il peut être représenté par le
rotationnel d'un autre vecteur parce qu'il obéit à l'identité vectoriel
∇.∇ × A = 0 (II.1)
Où A est un vecteur quelconque. Ainsi on définit
BA = µ H A = ∇ × A (II.2)
Ou
1
H A= ∇× A (II.3)
µ
36
où l'indice A indique le champ dû au potentiel A . Substituant (II.3) dans l'équation de rotationnel de

maxwell
∇ × E A = − jωµ H A = − jω∇ × A
(II.4)
⇒ ∇ × ( E A + jω A) = 0
De l’identité vectorielle
∇ × ( −∇φe ) = 0 (II.5)
et de (II.4) on obtient
E A + jω A = −∇φe ⇒ E A = − jω A − ∇φe (II.6)
La fonction scalaire φe représente un potentiel scalaire électrique arbitraire qui est fonction de la
position.
En prenant le rotationnel des deux côtés de (II.2) et en utilisant l'identité vectorielle
∇ × ∇ × A = ∇(∇. A) − ∇2 A
Ce qui donne ∇ × ( µ H A ) = ∇(∇. A) − ∇2 A (II.7)

Pour un milieu homogène (II.7) se réduit à
µ∇ × H A = ∇(∇. A) − ∇2 A (II.8)
De l’équation de Maxwell :
∇ × H A= J + jωε E A (II.9)
(II.8) donne
µ J + jωµε E A = ∇(∇. A) − ∇2 A (II.10)
Substituant (II.6) dans (II.10), ce qui donne
∇2 A + k 2 A = − µ J + ∇(∇. A) + ∇( jωµεφe ) = − µ J + ∇(∇. A + jωµεφe ) (II.11)
Où k 2 = ω 2 µε
Le rotationnel de A a été définie dans (II.2). Maintenant on peut définir la divergence de A , qui est
indépendante de son rotationnel. Afin de simplifier (II.10), on pose
1
∇. A =− jωµεφe ⇒ φe =− ∇. A (II.12)
jωµε
qui est connu comme la jauge de Lorentz. La substitution de (II-12) dans (II.11) donne
37
∇2 A + k 2 A =−µ J (II.13)
De plus (II.6) se réduit à
1
E A = − jω A − j ∇(∇. A) (II.14)
ωµε
Une fois A est connu, H A peut être déterminé de (II.3) et E A de (II.14), ou de (II.9) avec J = 0 .
II.3. POTENTIEL VECTEUR F POUR UNE SOURCE DE COURANTE

MAGNÉTIQUE M
Bien que les courants magnétiques semblent être physiquement irréalisables, les courants magnétiques
équivalents surgissent quand on utilise les théorèmes d'équivalence de surface ou de volume. Les
champs produits par un courant magnétique harmonique dans une région homogène, avec J = 0 mais
M ≠ 0 , doivent satisfaire ∇.D =
0 . Par conséquent, EF peut être exprimé comme le rotationnel du
potentiel vecteur F par
1
EF = − ∇ × F (II.15)
ε
En remplaçant (II.15) dans l’équation de rotationnel de Maxwell
∇ × H F = jωε EF (II.16)
Ce qui donne
∇ × ( H F + jω F ) = 0 (II.17)
De l’identité vectorielle (II.5), il vient que :
H F = −∇φm − jω F (II.18)
où φm représente un potentiel scalaire magnétique arbitraire qui est fonction de la position. On Prenant
le rotationnel de (II-15)
1 1
∇ × EF = − ∇ × ∇ × F = − ∇∇.F − ∇2 F  (II.19)
ε ε
et on l’égalisant à l’équation de maxwell
∇ × EF = − M − jωµ H F (II.20)
On obtient
∇2 F + jωµε H F = ∇∇.F − ε M (II.21)
38
La substitution de (II.18) dans (II.21) donne

∇2 F + k 2 F = −ε M + ∇(∇.F ) + ∇( jωµεφm ) (II.22)
En posant
1
∇.F =− jωµεφm ⇒ φm =− ∇.F (II.23)
jωµε
Alors (II.22) ce réduit à
∇2 F + k 2 F =−ε M (II.24)
Et (II.18) se réduit à
j
H F = − jω F − ∇(∇.F ) (II.25)
ωµε
Une fois que F est connu, EF peut être déterminé de (II.15) et H F de (II.25) ou de (II.20) avec
M =0
II.4. CHAMPS ÉLECTRIQUES ET MAGNÉTIQUES POUR DES SOURCES DE

COURANT ELECTRIQUE J ET MAGNETIQUE M
La procédure de calcule des champs électriques et magnétiques produits par une source de courant
électrique J et magnétique M exige que des potentiel auxiliaire A et F produit respectivement, par
J et M sont d'abord. Déterminés. À leurs tours, les champs électriques et magnétiques correspondants
sont alors déterminées ( E A , H A dû à A et EF , H F dû à F ). Le champ total est alors obtenus par la
superposition des différents champs dus à A et F ( J et M ).

La procédure qui peut être employé pour déterminer les champs est comme suit :
1. spécifié J et M (sources densité de courant électriques et magnétiques).
2. a. déterminer A (due à J ) en employant
µ e − jkR
A=
4π ∫∫∫ J
V
R
dv ' (II.26)
qu'est la solution de l'équation d'ondes non homogène de (II.13).

b. déterminer F (due à M ) en employant
39
ε e − jkR
F=
4π ∫∫∫ M
V
R
dv ' (II.27)
qu'est la solution de l'équation d'ondes non homogène de (II.24). Dans (II.26) et (II.27), k 2 = ω 2 µε et
R est la distance entre n'importe quel point dans la source et le point d'observation.
3. a. déterminer H A en utilisant (II.3) et E A en utilisant (II-14). E A peut également déterminer en
= .
employant l'équation de maxwell (II.9) avec J 0
b. déterminer EF en utilisant (II.15) et H F en utilisant (II-25). H F peut également déterminer en
= .
employant l'équation de maxwell (II.20) avec M 0
4. les champs total sont alors déterminés par
1 1
E = E A + EF = − jω A − j ∇(∇. A) − ∇ × F (II.28)
ωµε ε
Ou par
1 1
= E A + E=
E ∇× HA − ∇× F (II.29)
jωε ε
F
Et
1 1
H= H A + H F= ∇ × A − jω F − j ∇(∇.F ) (II.30)
µ ωµε
Ou par
1 1
H= H A + H F= ∇× A− ∇ × EF (II.31)
µ jωµ
Pour le calcul des champs lointain, il sera plus facile d'employer (II.14) pour E A et (II.25) pour H F
parce que le deuxième terme dans chaque expression devient négligeable dans cette région.
II.5. SOLUTION DE L'ÉQUATION D'ONDE NON HOMOGÈNE DU POTENTIELLE

VECTEUR
Pour déterminer la solution de l’équation d’onde du potentiel vecteur, on suppose qu'une source avec
une densité de courant J z , qui est à la limite une source infinitésimal, est placée à l'origine d'un système
40
de coordonnées (x, y, z) comme représenté sur la figure II.2(a). Puisque la densité de courant est
dirigée le long de l’axe z, seulement une composante Az existera. Ainsi on peut écrire (II.13) comme
−µ J z
∇2 Az + k 2 Az = (II.32)
Aux points en dehors de la source ( J z = 0 ), l'équation d'ondes se réduit à
∇2 Az + k 2 Az =
0 (II.33)
Puisque à la limite la source est un point, alors Az n'est pas fonction de la direction (θ et φ) ; dans un
= Az ( r ) où r est la distance radiale.

système de coordonnées sphérique, Az
Ainsi (II.33) peut être écrite comme
1 ∂ 2 ∂Az ( r )
∇2 Az ( r ) + k 2=
Az ( r ) r + k 2=
Az ( r ) 0 (II.34)
r ∂r
2
∂r
Ou
d 2 Az ( r ) 2 dAz ( r )
2
+ + k 2 Az ( r ) =
0 (II.35)
dr r dr
L'équation différentielle de (II.35) a deux solutions indépendantes
e − jkr
Az1 = C1 (II.36)
r
e + jkr
Az 2 = C2 (II.37)
r
L'équation (II.36) représente une onde se propageant dans la direction radiale et (II.37) représente une
onde se propageant dans le sens inverse. Pour ce problème, la source est placée à l'origine avec les
champs rayonnés propageant dans la direction radiale. Par conséquent, on choisit la solution de (II.36),
ou
e − jkr
=
Az A=
z1 C1 (II.38)
r
ω 0,=
Dans le cas statique (= k 0) , (II.38) se simplifie à
C1
Az = (II.39)
r
41
qu'est la solution de l'équation d'ondes de (II.33), de (II.34), ou de (II.35) quand k = 0 . Ainsi aux points
en dehors de la source, les solutions en régime variable et statiques de (II.38) et (II.39) ne diffèrent que
par le facteur e − jkr . En présence de la source ( J z ≠ 0 ) et k = 0 , l'équation d'ondes de (II.32) se réduit à
−µ J z
∇2 Az = (II.40)
Cette équation est appelé équation de Poisson. L'équation de poisson la plus connue est celle qui relie
le potentiel scalaire électrique φ à la densité de charge électrique ρ . Elle est donnée par
ρ
∇2φ =− (II.41)
ε
Où sa solution est donnée par
1 ρ
4πε ∫∫∫ r
φ= dv ' (II.42)
V
où r est la distance de n'importe quel point sur la densité de charge au point d'observation. Puisque
(II.40) est semblable en forme à (II.41), sa solution est semblable á (II.42), ainsi
µ Jz
Az =
4π ∫∫∫
V
r
dv ' (II.43)
L’équation (II.43) représente la solution de (II.32) quand k = 0 (cas statique). En utilisant l'analogie
comparative entre (II.38) et (II.39), la solution en régime variable de (II.32) peut être obtenue en
multipliant la solution statique de (II.43) par e − jkr . Ainsi
µ e − jkr
Az =
4π ∫∫∫ J z
V
r
dv ' (II.44)
Si les densités de courant étaient dans les directions x et y ( J x et J y ), l'équation d'ondes pour chacune
se réduit à
−µ J x
∇2 Ax + k 2 Ax = (II.45)
−µ J y
∇2 Ay + k 2 Ay = (II.46)
Avec des solutions correspondant similaires en forme à (II.44) où

µ e − jkr
Ax =
4π ∫∫∫ J x
V
r
dv ' (II.47)
42
µ e − jkr
Ay =
4π ∫∫∫ J y
V
r
dv ' (II.48)
Les solutions (II.44), (II.47) et (II.48), nous permet d’écrire la solution de l’équation d’onde du
potentiel vecteur de (II.13) comme
µ e − jkr
A=
4π ∫∫∫ J
V
r
dv ' (II.49)
Si la source est mise á une position représentée par les coordonnées primées ( x ', y ', z ' ), comme
représenté sur la figure II.2(b), (II.49) peut être écrite comme
µ e − jkR
A( x, y , z ) =
4π ∫∫∫ J ( x ', y ', z ')
V
R
dv ' (II.50)
où les coordonnées primées représentent la source, les non primés le point d'observation, et R la
distance de n'importe quel point sur la source et le point d'observation. De même, on peut montrer que
la solution de (II.24) est donnée par
ε e − jkR
F ( x, y , z ) =
4π ∫∫∫ M ( x ', y ', z ')
V
R
dv ' (II.51)
Si J et M représente des densités linéaire, (II.50) et (II.51) se réduisent à un intégrale de surface, tel
que
µ e − jkR
A=
4π ∫∫ J s ( x ', y ', z ')
s
R
ds ' (II.52)
ε e − jkR
F=
4π ∫∫ M s ( x ', y ', z ')
s
R
ds ' (II.53)
Pour des courants électriques et magnétiques I e et I m (II.52) et (II.53) se réduisent à un intégrale

linéaire de la forme
µ e − jkR
4π C∫
A= I e ( x ', y ', z ') dl ' (II.54)
R
ε e − jkR
4π C∫
F= I m ( x ', y ', z ') dl ' (II.55)
R
43
(b) source en dehors de l’origine

(a) source à l’origine
Figure II.2 Système de coordonnées pour calculer des champs rayonnés par des sources.
II.6. RAYONNEMENT DU CHAMP LOINTAIN

Pour les antennes de dimensions finies, une solution générale de l'équation d'ondes du potentiel vecteur
de (II.13) en composantes sphériques prend la forme générale
A = ar Ar ( r, θ , φ ) + aθ Aθ ( r, θ , φ ) + aφ Aφ ( r, θ , φ ) (II.56)
Les variations d'amplitude de r dans chaque composante de (II.56) sont de la forme 1 / r n , n = 1, 2,... .
En négligeant les termes d'ordre supérieur de 1 / r n , (II.56) se réduit à

e − jkr
A   ar A ' r (θ , φ ) + aθ A 'θ (θ , φ ) + aφ A 'φ (θ , φ )  , r→∞ (II.57)
r
En remplaçant (II.57) dans (II.14), ce qui donne
1
{ 1
}
E =− jωe − jkr  ar (0) + aθ A 'θ (θ , φ ) + aφ A 'φ (θ , φ )  + 2 {...} + ...
r r
(II.58)
La composant radial du champ E n’as pas de termes en 1 / r , parce que ses contributions des premières
et deuxièmes termes de (II.14) s’annules.
De même, en employant (II.57), on peut écrire (II.3) comme
1  ω − jkr  1
=H  j e  ar (0) + aθ A 'φ (θ , φ ) − aφ A 'θ (θ , φ )   + 2 {...} + ... (II.59)
r η  r
où η = µ / ε est l'impédance intrinsèque du milieu.
44
En négligeant les termes d'ordre supérieur de 1 / r n , les champs rayonnés ont seulement des
composantes en θ et φ . Ils peuvent être exprimés comme
 Région champ lointain
Er = 0 

Eθ  − jω Aθ  ⇒ E A  − jω A (II.60)
Eφ  − jω Aφ 

Hr = 0 

ω Eφ  a ω
H θ  + j Aφ =
−  ⇒ H A  r × EA =
− j ar × A (II.61)
η η  η η
ω E 
H φ  − j Aθ =
+ θ
η η 
Les composants radiales du champ existent seulement pour des termes d'ordre supérieur de 1 / r n .
D'une façon semblable, les champs lointains dus à une source magnétique M (potentiel F ) peuvent
être écrits comme
 Région champ lointain
Hr = 0 

H θ  − jω Fθ  ⇒ H F  − jω F (II.62)
H φ  − jω Fφ 
Er = 0 

Eθ  − jωη F=
φ η H φ  ⇒ EF  −η ar × H=
F jωη ar × F (II.63)
−η H θ 
Eφ  + jωη Fθ =
On remarque que, les composants du champ lointain E et H sont orthogonaux entre eux et forment un
mode TEM.
II.7. THÉORÈME DE DUALITÉ

Quand deux équations qui décrivent le comportement de deux variables différentes sont de la même
forme mathématique, leurs solutions seront également identiques. Les variables dans les deux équations
qui occupent des positions identiques sont connues comme quantités duelles et la solution de l'une peut
45
être constituée par un échange systématique des symboles à l'autre. Ce concept est connu comme le
théorème de dualité.
En comparant les équations (II.3), (II.4), (II.9), (II.13), et (II.14) à (II.15), (II.17), (II.20), (II.24), et
(II.25), respectivement, il est évident qu'elles sont des équations duelles et leurs variables des quantités
duelles. Ainsi, connaissant les solutions d’une ensemble (c.-à-d., J ≠ 0, M =
0 ), la solution de l'autre
ensemble =
( J 0, M ≠ 0 ) peut être constitué par un échange approprié des quantités. Les équations
duelles et leurs quantités duelles sont données, respectivement dans les tableaux II.1 et II.2 pour des
sources électriques et magnétiques. La dualité sert seulement de guide pour des solutions
mathématiques.
Tableau II.1 Equations duelles pour des sources électrique (J) et magnétique (M)
Sources électriques Sources magnétiques
( J ≠ 0, M =
0) =
( J 0, M ≠ 0 )
∇ × E A = − jωµ H A ∇ × H F = jωε EF
∇ × H A= J + jωε E A −∇ × E=
F M + jωµ H F
∇2 A + k 2 A =−µ J −ε M
∇2 F + k 2 F =
µ e − jkR ε e − jkR
A=
4π ∫∫∫ J
v
R
dv ' F=
4π ∫∫∫ M
v
R
dv '
1 1
H A= ∇× A EF = − ∇ × F
µ ε
1 1
E A = − jω A − j ∇(∇. A) H F = − jω F − j ∇(∇.F )
ωµε ωµε
46
Tableau II.2 Quantités duelles pour des sources électrique (J) et magnétique (M)
Sources électriques Sources magnétiques
( J ≠ 0, M =
0) =
( J 0, M ≠ 0 )
EA HF
HA − EF
J M
A F
ε µ
µ ε
k k
η 1
η
1 η
η
II.8. THÉORÈMES DE RÉCIPROCITÉ ET DE RÉACTION

Pour les circuits, le théorème de réciprocité, qui dit que "dans n’importe quel réseau composé des
éléments localisés, linéaires, bilatéraux, si on place un générateur de courant constant (de tension) entre
deux nœuds (dans n’importe quelle branche) et en place un voltmètre (ampèremètre) entre n'importe
quels deux autres nœuds (dans n’importe quelle branche), et on observe la lecture de la mesure, et on
échange alors les endroits de la source et du voltmètre, la lecture de mesure sera inchangé ".
Supposant que dans un milieu linéaire et isotrope, mais pas nécessairement homogène, peut exister
deux ensembles de sources J 1 , M 1 , et J 2 , M 2 qui sont autorisés de rayonner simultanément ou
individuellement à l’intérieur du même milieu à la même fréquence et de produire des champs E1 , H1 ,
et E2 , H 2 , respectivement. On peut montrer que les sources et les champs satisfont
−∇.( E1 × H 2 − E2 ×=
H1 ) E1 . J 2 + H 2 .M 1 − E2 . J 1 − H1 .M 2 (II.64)
qui s'appelle le théorème de réciprocité de Lorentz en forme différentielle.
En Prenant l’intégrale de volume des deux côtés de (II.64) et en utilisant le théorème de divergence
pour le côté gauche, on peut écrire
47
∫∫ ( E1 × H 2 − E2 × H=
−
S
1 ).ds ' ∫∫∫ ( E .J
V
1 2 + H 2 .M 1 − E2 . J 1 − H1 .M 2 ) dv ' (II.65)
qui s'appelle le théorème de réciprocité de Lorentz en forme intégrale.

S’il y a pas de source ( J=1
J=
2 M=1 M=
2 0 ), (II.64) et (II.65) se réduisent, respectivement, à
−∇.( E1 × H 2 − E2 × H1 ) = 0 (II.66)
Et
∫∫ ( E1 × H 2 − E2 × H1 ).ds ' =
−
S
0 (II.67)
Une autre forme utile de (II.65) est de considérer que les champs ( E1 , E2 , H1 , H 2 ) et les sources (
J 1 , J 2 , M 1 , M 2 ) sont dans un milieu qui est enfermé par une sphère de rayon infini. Supposer que les
sources sont placées dans une région finie et que les champs sont observés dans la zone lointaine
(idéalement à l'infini). Alors le côté gauche de (II.65) est égal à zéro, ou
∫∫ ( E1 × H 2 − E2 × H1 ).ds ' =
−
S
0 (II.68)
Ce qui réduit (II.65) à
∫∫∫ ( E .J
V
1 2 + H 2 .M 1 − E2 . J 1 − H1 .M 2 ) dv ' =
0 (II.69)
L’équation (II.69) peut être écrite comme
∫∫∫ ( E .J
V
1 2 − H1 .M 2 ) dv ' =∫∫∫ ( E2 . J 1 − H 2 .M 1 ) dv '
V
(II.70)
Le théorème de réciprocité, comme exprimé par (II.70), est la forme la plus utile.
Une observation de (II.65), montre qu'elle ne représente pas en général des relations de puissance parce
que les conjugués n'apparaît pas. De même pour les cas particuliers représentés par (II.67) et (II.70).
Chaque intégrale dans (II.70) peut être interprétée comme un couplage entre un ensemble de champs et
un ensemble de sources, qui produisent un autre ensemble de champs. Ce couplage a été défini comme
la réaction et chaque intégrale dans (II.70) est noté par
=
1, 2 ∫∫∫ ( E .J
V
1 2 − H1 .M 2 ) dv (II.71)
=
2, 1 ∫∫∫ ( E .J
V
2 1 − H 2 .M 1 ) dv (II.72)
48
La relation 1, 2 de (II.71) relie la réaction (couplage) des champs ( E1 , H1 ), qui sont produites par les
sources J 1 , M 1 aux sources ( J 2 , M 2 ), qui produisent les champs E2 , H 2 ; 2, 1 relie la réaction des
champs ( E2 , H 2 ) aux sources ( J 1 , M 1 ). Pour avoir la réciprocité, il faut que la réaction d'un ensemble
de sources avec les champs correspondants d'un autre ensemble de sources doive être égale à la
réaction du deuxième ensemble de sources avec les champs correspondants du premier ensemble de
sources, et vice versa.
Sous forme d'équation, on écrit
1, 2 = 2, 1 (II.73)
II.8.1. Réciprocité pour deux antennes
Soit deux antennes, dont les impédances d'entrée sont Z1 et Z 2 , séparées par un milieu linéaire et
isotrope (mais pas nécessairement homogène), comme représenté sur la figure II.3. Une antenne (# 1)
est employée comme émetteur et l’autre (# 2) comme récepteur. Le schéma équivalent de chaque
antenne est représenté á la figure II.4. On assume que l'impédance interne du générateur Z g est le
conjugué de l'impédance de l'antenne #1 tandis que l'impédance de charge Z L est le conjugué de

l'impédance de l'antenne #2.
La puissance fournie par le générateur à l'antenne #1 est donnée par
2
1 * 1
 Vg Z1 Vg*  Vg
=P1 =  
Re V1 I1  Re   (II.74)
2 2  Z1 + Z g ( Z1 + Z g )*  8R1
Si l’admittance de transfert du réseau combiné comprenant l'impédance du générateur, les antennes, et

l'impédance de charge est Y21 , le courant dans la charge est Y21Vg et la puissance fournie à la charge est
1 1 2
= =Re  Z 2 (VgY21 )(VgY21 )* 
2
P2 R2 Vg Y21 (II.75)
2 2
Le rapport de (II.75) à (II.74) donne
P2
= 4 R1 R2 Y21
2
(II.76)
P1
49
Figure II.3 Système d’antenne émettrice-réceptrice
Figure II.4 Système á deux antennes avec deux charges conjuguées
De même, on peut montrer que quand l'antenne #2 est émettrice et l’antenne #1 est réceptrice, le
rapport de puissance P1 / P2 est donné par
P1
= 4 R2 R1 Y12
2
(II.77)
P2
Dans les conditions de réciprocité ( Y21 = Y12 ), la puissance fournie dans l'une ou l'autre direction est la
même.
II.8.2. Réciprocité pour les diagrammes de rayonnement d'antenne

Le diagramme de rayonnement est une caractéristique d'antenne très importante. Bien qu'il soit
généralement plus pratique de mesurer le diagramme en mode de réception, en raison de la réciprocité,
il est identique à celui en mode d'émission.
La réciprocité pour les diagrammes d'antenne est générale à condition que les matériaux utilisés pour
les antennes et les alimentations, et les milieux de propagation des ondes soient linéaires. Les
dispositifs non linéaires, tels que les diodes, peuvent rendre le système d'antenne non réciproque. Les
antennes peuvent avoir n'importe quelle forme ou taille, et elles n'ont pas besoin d'être adaptées à leurs
lignes d’alimentation ou charges correspondantes à condition qu'il existe un mode de propagation
50
unique distinct à chaque port. L’autre restriction pour la réciprocité à maintenir est que les antennes
dans les modes d'émission et de réception soient adaptées en polarisation, y compris le sens de rotation.
Ceci est nécessaire pour que les antennes puissent transmettre et recevoir les mêmes composantes de
champ, et donc la puissance totale.
Pour détailler la procédure et la base des mesures des diagrammes et de la réciprocité, nous référons
aux figures II.5 (a) et (b). L'antenne sous test est # 1 alors que l'antenne de la sonde (# 2) est orientée
pour émettre ou recevoir le maximum de rayonnement. Les tensions et courants V1 , I1 aux bornes 1-1
de l’antenne # 1 et V2 , I 2 aux bornes 2-2 de l'antenne # 2 sont liés par
=
V1 Z11 I1 + Z12 I 2
(II.78)
=
V2 Z 21 I1 + Z 22 I 2
Où Z11 est l’impédance caractéristique de l'antenne # 1, Z 22 est l’impédance caractéristique de
l'antenne # 2 et Z12 , Z 21 est les impédances mutuelles entre les antennes # 1 et# 2.
Si un courant I1 est appliqué aux bornes 1-1 et la tension V2 (désignée par V2OC ) est mesurée aux
bornes ouvertes ( I 2 = 0 ) de l'antenne # 2, alors une tension égale V1OC sera mesurée aux bornes
ouvertes ( I1 = 0 ) de l'antenne # 1 à condition que le courant I 2 de l'antenne # 2 soit égal à I1 . En forme

d'équation, on peut écrire
V2oc
Z 21 = (II.79)
I1 I 2 =0
V1oc
Z12 = (II.80)
I2 I1 =0
Si le milieu entre les deux antennes est linéaire, passif, isotrope et les ondes monochromatiques, alors
en raison de la réciprocité
V2oc V1oc
=
Z 21 = = Z12 (II.81)
=
I1 I 0=I2 I 0
2 1
Si de plus I1 = I 2 , alors
V1OC = V2OC (II.82)
51
Les points ci-dessus sont valables pour toute position et toute configuration de fonctionnement entre les
deux antennes.
Sphere d’observation Sphere d’observation
Antenne de teste (#) Antenne de teste (#)
(a) (b)
Figure II.5 Disposition de l'antenne pour les mesures de diagramme et le théorème de réciprocité
La réciprocité sera maintenant examinée pour deux modes de fonctionnement. Dans un mode, l'antenne
# 1 est maintenue stationnaire tandis que # 2 est autorisée à se déplacer sur la surface d'une sphère à
rayon constant, comme indiqué sur la figure II.5 (a). Dans l'autre mode, l'antenne # 2 est maintenue
stationnaire tandis que # 1 pivote autour d'un point, comme le montre la figure II.5 (b).
Dans le mode de la figure II.5 (a), l'antenne # 1 peut être utilisée comme émetteur ou récepteur. En
mode d'émission, lorsque l'antenne # 2 se déplace sur la surface de la sphère à rayon constant, la
tension en circuit ouvert V2OC est mesurée. En mode de réception, la tension en circuit ouvert V1OC est
enregistrée.
Puisque le graphe tridimensionnel de V2OC est identique à celui de V1OC (en raison de la réciprocité), les
diagrammes de champ de transmission ( V2OC ) et de réception ( V1OC ) sont également égaux. La même
conclusion peut être tirée si l'antenne # 2 est autorisée à rester stationnaire pendant que # 1 tourne,
comme indiqué dans la figure II.5 (b).
Le mode de fonctionnement de réception de la Figure II.5 (b) pour l'antenne d'essai est le plus
largement utilisé pour mesurer les diagrammes d'antenne car l'équipement de transmission est, dans la
plupart des cas, volumineux et lourd tandis que le récepteur est petit et léger. Dans certains cas, le
récepteur est simple détecteur á diode. L'équipement d'émission est généralement constitué de sources
et d'amplificateurs. Pour effectuer des mesures précises, notamment aux hyperfréquences, il est
52
nécessaire d'avoir des stabilités de fréquence et de puissance. Par conséquent, l'équipement doit être
placé sur des plates-formes stables et sans vibrations. Cela peut être mieux accompli en permettant à
l'équipement de transmission d'être stationnaire et à l'équipement de réception de tourner.
53
CHAPITRE III
LES ANTENNES FILAIRES
III.1. INTRODUCTION
Les antennes filaire, linéaire ou courbée, sont les plus ancien, les plus simple, les moins chers et
dans plusieurs cas les plus souple pour énormément d'applications. Pour simplifier les détails
mathématiques, on essaye au début de réduire au minimum la complication de la structure et de la
géométrie de l'antenne.
III.2. DIPOLE INFINITESIMAL

Un fil linéaire infinitésimal ( l << λ ) est placé symétriquement à l'origine d’un système de
coordonnées et orienté le long de l'axe z , comme représenté sur la figure III.1(a). Bien que les
dipôles infinitésimaux ne soient pas très pratiques ; ils sont utilisés comme des modules de
construction des géométries plus complexes. Les extrémités plates sont utilisées pour fournir un
chargement capacitif pour maintenir le courant uniforme sur le dipôle. Puisqu'on suppose que les
extrémités sont petites, leur rayonnement est négligeable. De plus, le fil est très petit ( l << λ ), est
très mince ( a << λ ). La variation du courant est supposé constante et donnée par
I ( z ') = a z I 0 ( III.1)
Où I 0 = cst
plaque d'extrémité
(a) Dipôle infinitésimale (b) Orientation du champ électrique

Figure III.1 Représentation géométrique d'un dipôle infinitésimale et de ses composants
associés de champ électrique sur une surface sphérique.
54
III.2.1. Champs rayonnés

La procédure en deux étapes de la figure II.1 est employée pour déterminer les champs rayonnés
par le courant élémentaire. On doit déterminer d'abord A et F et ensuite E et H . La relation
entre A et J est donnée par (II.50), (II.52), ou (II.54). Des relations semblables sont disponibles
pour F et M , comme donné par (II.51), (II.53), et (II.55).
Puisque la source contient seulement un courant électrique I e , I m et la fonction potentiel F sont
nuls. Pour A on a
µ e − jkR
4π C∫
A( x, y , z ) = I e ( x ', y ', z ') dl ' ( III.2)
R
où ( x, y , z ) représentent les coordonnées de point d'observation, ( x ', y ', z ') représentent les
coordonnées de la source, R la distance entre n'importe quel point sur la source et le point
d'observation, et C le chemin le long de la source. De la figure III.1, on a
I e ( x ', y ', z ') = a z I 0 ( III.3)
x=' y=' z=' 0(dipôle infinitésimale) ( III.4)
R = ( x − x ') 2 + ( y − y ') 2 + ( z − z ') 2 = x 2 + y 2 + z 2 =r =cst ( III.5)
dl ' = dz ' ( III.6)

Alors (III.2) devienne
µ I 0 − jkr µ I 0 l − jkr
l /2
=
A( x, y , z ) a=
z
4π r
e ∫
− l /2
dz '
4π r
e ( III.7)
L’étape suivant de la procédure est de trouver H A en utilisant (II.3) et puis E A en utilisant (II.14)
J = . Pour cela, il est plus simple de transformer (III.7) des composants

ou (II.9) avec 0
cartésiennes aux composants sphériques et puis utiliser (II.3) et (II.14) ou (II.9) en coordonnées
sphériques pour trouver H et E .
Les relations entre les composants cartésiennes et sphériques sont donnée par
 Ar   sin θ cos φ sin θ sin φ cos θ   Ax 
  cos θ cos φ cos θ sin φ  
= Aθ  − sin θ   Ay  ( III.8)
 
 Aφ   − sin φ cos φ 0   Az 
 
Dans notre cas A=
x A=
y 0 , alors en utilisant (III.70), (III.8) se réduit à
55
µ I 0 l − jkr
= z cos θ
Ar A= e cosθ ( III.9)
4π r
µI l
− Az sin θ =
Aθ = − 0 e − jkr sin θ ( III.10)
4π r
Aφ = 0 ( III.11)
Puisqu’il n’est pas de variations suivant φ , (II.3) peut être écrite en coordonnées sphérique sous
la forme suivante :
1 ∂ ∂A 
=H aφ  ( rAθ ) − r  ( III.12)
µ r  ∂r ∂θ 
En substituant (III.9)-(III.11) dans (III.12) ce qui donne
=
H r H=
θ 0 ( III.13)
kI 0 l sin θ  1  − jkr
=Hφ j 1 + jkr  e ( III.14)
4π r  
Le champ électrique E est déterminé en employant (II.14). Ainsi
1 1
E = E A = − jω A − j ∇(∇. A) = ∇×H ( III.15)
ωµε jωε
En substituant (III.9)-(III.11) ou (III.13)-(III.14) dans (III.15) ce qui donne
I 0 l cos θ  1  − jkr
=Er η 1 + jkr  e ( III.16)
2π r 2  
kI 0 l sin θ  1 1  − jkr
=Eθ jη 1 + jkr − ( kr ) 2  e ( III.17)
4π r  
Eφ = 0 ( III.18)
Les composants du champ E et H sont valides partout, sauf sur la source elle-même, et ils sont
tracés sur la figure III.1(b) sur la surface d'une sphère de rayon r .
III.2.2. Densité de puissance et résistance de rayonnement

Pour une antenne sans pertes, la partie réelle de l'impédance d'entrée représente la résistance de
rayonnement. C'est par le mécanisme de la résistance de rayonnement que la puissance est
transférée de l’onde guidée à l’onde en espace libre. Pour déterminer la résistance d'entrée pour
une antenne sans pertes, on détermine le vecteur de Poynting. L’intégration du vecteur de
56
Poynting sur une surface fermée (habituellement une sphère du rayon constant), donne la
puissance totale rayonnée par la source. En utilisant (III.13)-(III.14) et (III.16)-(III.18), le vecteur
de Poynting pour le dipôle infinitésimal est donné par
1 1 1
W= ( E × H * ) = ( ar Er + aθ Eθ ) × ( aφ H φ* ) = ( ar Eθ H φ* − aθ Er H φ* ) ( III.19)
2 2 2
Alors, les composants radiale et transversale Wr et Wθ sont donnés respectivement, par
η I 0 l sin 2 θ
2
 1 
=Wr 1 − j ( kr )3  ( III.20)
8 λ r2  
k I l cos θ sin θ 
2
1 
=Wθ jη 0 1+ 2
( III.21)
16π r
2 3
 ( kr ) 
La puissance complexe propageant dans la direction radiale est obtenue par l'intégration de
(III.19)-(III.21) sur une sphère fermée de rayon r . Ainsi elle est donnée par
2π π 2π π
π I 0l 
2
1 
∫∫S

P= ∫0 ∫0
= + θ θ φ ∫0 ∫0
= θ θ φ η
= 1− j
2 2
W .ds ( a W a W ).a r sin d d W r sin d d  ( kr )3 
θ θ
3 λ 
r r r r
( III.22)
La composante transversale Wθ de la densité de puissance est purement imaginaire, elle ne
contribuera pas à la puissance réelle rayonnée. Cependant, elle contribue à la puissance
imaginaire (réactive), qui est plus dominante pour les petites valeurs de kr . L'équation (III.22),
peut être également écrite sous la forme
π I 0l 
2
1 1 
P = ∫∫ E × H * .ds = η 1− j
2 S 3 λ  ( kr )3  ( III.23)
=+Pr ad 2 jω (We − Wm )
P = la puissance (dans la direction radiale)

Pr ad = la puissance moyenne rayonnée
Wm = densité d’énergie magnétique moyenne (dans la direction radiale)
We = densité d’énergie électrique moyenne (dans la direction radiale)
2ω (Wm − We ) =puissance moyenne réactive (dans la direction radiale)

De l’équation (III.22) on a :
57
π I 0l
2
Pr ad =η ( III.24)
3 λ
π I 0l
2
1
2ω (Wm − We ) =
−η ( III.25)
3 λ ( kr )3
De (III.25) on remarque que l'énergie électrique radiale doit être plus grande que l'énergie
magnétique radiale. Pour kr >> 1 (ou r >> λ ), la puissance réactive diminue et disparaît quand
kr → ∞ .
La résistance de rayonnement pour le dipôle infinitésimal est relié á la puissance rayonnée par
π I 0l
2
1 2
Pr ad η=
= I 0 Rr ( III.26)
3 λ 2
Où Rr est la résistance de rayonnement. Ainsi
2π  l 
2 2
2 l 
=Rr η=   80π   ( III.27)
3 λ λ
Pour qu’une antenne filaire soit classifiée comme dipôle infinitésimal, sa longueur totale doit être
très petite (généralement l ≤ λ / 50 ). La réactance d'un dipôle infinitésimal est capacitive.
III.2.3. Région de champ proche ( kr << 1 )
pour kr << λ ou r << λ / 2π , les équations (III.13)-(III.14) et (III.16)-(III.18) peuvent être

réduits en formes plus simples tel que
I 0 le − jkr
Er  − jη cosθ ( III.28)
2π kr 3
I 0 le − jkr
Eθ  − jη sin θ ( III.29)
4π kr 3
E=
φ H=
r H=
θ 0 ( III.30)
I 0 le − jkr
Hφ  sin θ ( III.31)
4π r 2
Les composants du champ E sont en phase, mais en quadrature de phase avec la composante du
champ H φ . Alors, il n'y a aucun flux de puissance moyenne lié à eux, puisque :
58
1 1
W= Re  E × H *=

 Re  ar Eθ H φ* − aθ Er H φ*  ( III.32)
2 
av
2
Qui se réduit en utilisant (III.28)-(III.31) à
1  η I 0 l sin θ cosθ 
2
η I 0 l sin 2 θ
2
Wav =Re  −ar j + aθ j = 0 ( III.33)

2  k 4π r 5
k 8π 2 r5 
La condition kr << 1 peut être satisfaite aux distances modérées loin de l'antenne à condition que
la fréquence de l'opération soit très basse. Les équations (III.28) et (III.29) sont semblables à ceux
d'un dipôle électrique statique et (III.31) à celle d'un élément à courant statique. Généralement
(III.25)-(III.31) représentent un champ quasi-stationnaire.
III.2.4. Région de champ intermédiaire ( kr > 1 )
Lorsque les valeurs de kr deviennent modérées ( kr > 1 ), les expressions de champ peuvent être
approximées encore mais sous une forme différente. Alors, le premier terme entre parenthèses
des (III.14) et (III.16) devient plus dominant et le deuxième terme peut être négligé. Le même est
pour (III.17) où le deuxième et troisième terme devient moins dominant que le premier. Ainsi
pour kr > 1 on peut écrire
I 0 le − jkr
Er  η cosθ ( III.34)
2π r 2
kI 0 le − jkr
Eθ  jη sin θ ( III.35)
4π r
E=
φ H=
r H=
θ 0 ( III.36)
kI 0 le − jkr
Hφ  j sin θ ( III.37)
4π r
Ainsi pour des valeurs modérées de kr , les composants du champ E seront en quadrature de
phase, qui est une indication de la formation du flux de puissance moyenne dans la direction
radiale (phénomène de rayonnement).
59
III.2.5. région de champ lointain ( kr >> 1 )
Puisque (III.34)-(III.37) sont valables seulement pour des valeurs de kr > 1 ( r > λ ), alors Er doit
être plus petit que Eθ , parce que Er est inversement proportionnel à r 2 alors que Eθ est
inversement proportionnel à r . Dans la région où kr >> 1 , (III.34)-(III.37) peuvent être

simplifiées et approximées par
kI 0 le − jkr
4π r
Er  E=
φ H=
r H=
θ 0 ( III.39)
kI 0 le − jkr
4π r
Le rapport de Er à H φ est appelé impédance d’onde tel que
Er
Zw = η ( III.41)
Hφ
Où η est l’impédance intrinsèque ( 120π  377Ω pour l’espace libre)

Les composants du champ E et H sont perpendiculaires entre eux, transversales à la direction de
propagation. La forme du diagramme n'est pas fonction de la distance radiale r , et les champs
forment une onde électromagnétique transversale (TEM) dont l'impédance d’onde est égale à
l'impédance intrinsèque du milieu.
III.2.6. Directivité
L'expression de la puissance réelle rayonnée par le dipôle Prad donnée par (III.24), peut être obtenue
en calculant d'abord la densité de puissance moyenne, en utilisant (III.38)-(III.40). C'est-à-dire,
η kI 0 l sin 2 θ
2
1 1
Wav= Re( E × H *= Eθ = ar
2
) ar ( III.42)
2 2η 2 4π r2
L'intégration de (III.42) sur une sphère fermée de rayon r donne l’équation (III.24).
L’intensité de rayonnement U , associée à la densité de puissance moyenne de (III.42) est donnée
par
60
η  kI 0 l 
2
r2
=
U r= = θ Eθ ( r, θ , φ
2 2 2
Wav 
2  4π   sin
2η
( III.43)
Le diagramme normalisé de (III.43) est montré sur la figure III.2. La valeur maximal se produit à
θ = π / 2 et elle est donnée par
η  kI l 
2
U max =  0  ( III.44)
2  4π 
En utilisant (III.24) et (III.43), la directivité se réduit à
U 3
= π max
D 0 4= ( III.45)
Prad 2
Et l’ouverture effective maximale se réduit à
λ2 3λ 2
=
A em = D0 ( III.46)
4π 8π
Diagramme de rayonnement
Antenne dipôle
Figure III.2 Diagramme de rayonnement en 3D d’un dipôle infinitésimal
La résistance de rayonnement du dipôle peut être obtenue par la définition de (III.26). Puisque la
puissance rayonnée obtenue par l'intégration de (III.42) sur une sphère fermée est identique à
celle de (III.24), la résistance de rayonnement en employant cette équation sera également
identique à celle de (III.27).
61
III.3. DIPOLE COURT

Pour le dipôle infinitésimal, la distribution du courant est supposé constante. Bien qu'une
distribution de courant constante ne soit pas réalisable, elle est employée pour représenter des
distributions de courant réelles des antennes qui ont été décomposées en plusieurs petites
longueurs.
La variation triangulaire est une meilleure approximation de la distribution de courant des
λ 50
antennes filaires, dont les longueurs sont couramment / λ 10 . Les variations
< l ≤ /
sinusoïdales sont des représentations plus précises de la distribution de courant de n'importe
quelle antenne filaire.
La représentation géométrique la plus commode pour l'analyse d'un dipôle est de le placer
symétriquement par rapport à l'origine avec sa longueur dirigée le long de l’axe z , comme le
λ 50
montre la figure III.3(a). La distribution du courant d'un dipôle court ( / λ 10 ) est
< l ≤ /
montrée dans la figure III.3(b), et elle est donnée par
  2 
a z I 0  1 − l z '  , 0 ≤ z ' ≤ l / 2
  
I e ( x ', y ', z ') =  ( III.47)
a I  1 + 2 z '  , − l / 2 ≤ z ' ≤ 0
 z 0  l 

Où I 0 = cst
On suivant la procédure établi dans la section précédente, le potentiel vecteur en employant
(III.47) peut être écrit comme
µ  0  2  e − jkR l /2
 2 e
− jkR

A( x, y ,=
z)  z ∫ 0
a I 1 + z '  dz ' + a z ∫ 0I 1 − z '  dz '  ( III.48)
4π  − l /2  l  R 0  l  R 
l ≤ λ 10 ), pour différentes
Puisque la longueur totale du dipôle est très petite (généralement /
valeurs de z ' sur la longueur du fil ( −l / 2 ≤ z ' ≤ l / 2 ) R  r dans tout le chemin d'intégration.
L'erreur de phase maximum dans (III.48) pour R=r et λ 50
/ λ 10 ,
< l ≤ / sera
=
kl / 10 18° pour l = λ / 10 . Généralement cette erreur de phase est considérée négligeable
/ 2 π=
et a très peu d'effet sur les caractéristiques globales de rayonnement. On calculant l’intégrale,
(III.48) donne
62
1  µ I 0 le − jkr 
=A a= az 
2  4π r 
z Az ( III.49)
qui est la moitié de celle obtenu pour le dipôle infinitésimal donné par (III.7).
La fonction du potentiel donnée par (III.49) devient une approximation plus précise lorsque
kr → ∞ . Puisque la fonction du potentiel pour une distribution triangulaire est la moitié de celle
correspondant à la distribution de courant constante, les champs correspondants de ce dernier
sont aussi la moitié de ceux du premier. Ainsi, les champs rayonnés par un dipôle court sont
donnés par
kI 0 le − jkr
8π r
Er  E=
φ H=
r H=
θ 0 ( III.51)
kI 0 le − jkr
8π r
avec l'impédance d’onde, égale à celle de (III.41).
La directivité, et la surface effective maximale sont identique à ceux donnée par (III.45) et
(III.46), respectivement.
La résistance de rayonnement de l'antenne dépend de la distribution du courant. En utilisant la
procédure établie pour le dipôle infinitésimal, on peut montrer que pour un dipôle court sa
puissance rayonnée est un quart de l’équation (III.26). Ainsi la résistance de rayonnement se
réduit à
2
2 Prad l
=
Rr = 20π 2   ( III.53)
λ
2
I0
qui est également un quart de celle obtenu pour le dipôle infinitésimal. Leurs diagrammes relatifs
sont identiques et sont montrés sur la figure III.2.
63
(b) Distribution du courant

(a) Géométrie du dipôle
Figure III.3
III.4. RÉGION DE SÉPARATION

Pour une antenne dipôle de longueur et distribution de courant quelconques, il deviendra de plus
en plus difficile de déterminer les champs partout. Alors, serait très intéressant de discuter
l’espace de séparation entourant l’antenne dans trois régions ; à savoir, le champ proche réactif, le
champ proche rayonné (Fresnel) et le champ lointain (Fraunhofer). Des approximations peuvent
être faites, pour donner des solutions en forme analytiques. Les mêmes approximations
simplifiaient la formulation des champs rayonnés par un dipôle fini sont également employées
pour formuler les champs rayonnés par la plupart des antennes pratiques. Les difficultés
proviennent de l'incapacité d'effectuer l'intégration de
µ e − jkR
4π C∫
A( x, y , z ) = I e ( x ', y ', z ') dl ' ( III.54)
R
Où
R= ( x − x ') 2 + ( y − y ') 2 + ( z − z ') 2 ( III.55)

Pour le dipôle infinitésimal R = r et pour le dipôle court R  r parce que la longueur du dipôle
= λ / 10 . La simplification principale de (III.54) sera dans l'approximation de R .
est limitée à l
Un dipôle très mince de la longueur finie l est placé symétriquement par rapport à l'origine et
dirigée le long de l’axe z , comme représenté sur la figure III.4(a).
64
(b) Convention géométrique pour l’approximation

(a) Géométrie d’un dipôle finie
champ lointain
Figure III.4 Géométrie du dipôle fini et approximation champ lointain
Puisqu'on suppose que le fil est très mince ( x=' y=' 0 ), on peut écrire (III.55) comme
R= x 2 + y 2 + ( z − z ') 2 = x 2 + y 2 + z 2 − 2 zz ' + z '2 = r 2 − 2r cos θ z ' + z '2 ( III.56)
Où : z = r cos θ
En utilisant le développement binomiale, on peut écrire (III.56) comme
1  z '2  1  z '3 
r − z 'cos θ + 
R= sin 2 θ  + 2  cos θ sin 2 θ  + .... ( III.57)
r 2  r  2 
III.4.1. Région de champ lointain

La simplification la plus utilisé de (III.57) autre que R  r , sera de le rapprocher par ses deux
premières termes, ou
R  r − z 'cos θ ( III.58)
Le terme négligé le plus significatif de (III.57) est le troisième dont la valeur maximum est
1  z '2  z '2
 = sin 2
θ  = pour θ π / 2 ( III.59)
r 2  max 2r
Quand (III.59) atteint sa valeur maximale, on peut montrer que les termes d'ordre plus supérieur
dans (III.57) s’annulent. Par conséquent rapprocher (III.57) par (III.58) présente une erreur
maximale donnée par (III.59).
65
Pour la plupart des antennes pratiques, avec des longueurs totales plus grandes qu'une longueur
d'onde ( l > λ ), une erreur de phase maximale de π/8 n'est pas très nuisible dans les formulations
analytiques. En utilisant ce critère et (III.59), l'erreur de phase maximale devrait toujours être
z '2 π
k ≤ ( III.60)
2r 8
Pour −l / 2 ≤ z ' ≤ l / 2 (III.60) se réduit à
 l2 
r ≥ 2  ( III.61)
λ
L’équation(III.61) montre que, pour maintenir l'erreur de phase maximale d'une antenne égale ou
inférieur à π / 8 rad , la distance d'observation r doit être supérieur ou égale à 2l 2 / λ où l est la
plus grand dimension de la structure d'antenne. Pour la région de champ lointain, R dans
l'exponentiel ( e − jkR ) de (III.54) est approximé par (III.58) et R dans le dénominateur de (III.54)
est approximé par R  r . Ainsi, pour la région de champ lointain on a
R  r − z 'cosθ pour les termes de phase
( III.62)
Rr pour les termes d'amplitude
Où r satisfait (III.61).
Pour R= r − z 'cos θ , où θ est l'angle mesuré à partir de axe z , les vecteur R et r doivent être
parallèle, comme représenté sur la figure III.4(b). Pour une antenne dont la dimension maximale
est D , l'approximation de (III.62) est valide si les observations sont faites à une distance
D2
r≥2 ( III.63)
λ
III.4.2. Région de champ proche rayonné (Fresnel)
= l
Si le point d'observation est choisi inférieur à r 2 2
/ λ , l'erreur de phase maximale par
l'approximation de (III.62) est plus grand que π / 8 , qui peut être indésirable dans plusieurs
applications. S'il est nécessaire de choisir les distances d'observation plus petite que (III.63), un
autre terme (le troisième) dans (III.57) doit être maintenu pour garder une erreur de phase
maximale de π/8. Ainsi, (III.57) peut être rapprochée par
1  z '2 2 
r − z 'cos θ + 
R= sin θ  ( III.64)
r 2 
66
Le quatrième terme est le terme le plus significatif qu’on a négligé dans (III.57). Pour trouver
l'erreur de phase maximale, l'angle θ auquel ceci se produit est donnée par
∂  1  z '3   z '3
 2 cos θ sin 2
θ =
 sin θ  − sin 2 θ + 2cos2 θ=
 0
∂θ  r  2   2 r 2
( III.65)
⇒  − sin 2 θ + 2cos2 θ  = 0 ⇒ θ = θ1 = tan −1 ( ± 2)
La solution θ = 0 n’est pas prise parce qu’elle donne une erreur minimale (nulle).
La distance r où l'erreur de phase maximale doit d'être inférieur ou égale à π/8, est donnée par
kz '3 π l3 π 2 l3  l3 
cos θ sin θ =
2
≤ ⇒ r ≥ = 0.385   ⇒ r ≥ 0.62 l 3 / λ
2
12 3 λ r 3 3λ λ
2 2
2r z ' = l /2 8
θ = tan1 2
( III.66)
Ainsi cette région qui est appelée région du champ proche rayonné est définie par
2l 2 / λ ≥ r ≥ 0.62 l 3 / λ ( III.67)
Dans cette région, la densité de puissance rayonnée est plus grande que la densité de puissance
réactive et le diagramme de champ (sa forme) est fonction de la distance radiale r .
Si l'antenne n'est pas une source linéique, l dans (III.67) doit représenter la plus grande
dimension de l'antenne.
Les limites de séparation des régions champ lointain, champ proche rayonné et champ proche
réactive ne sont pas uniques. De plus, les champs ne changent pas brutalement d'une région à
l'autre mais subissent une transition progressive.
III.4.3. Région champ proche réactive

Si la distance de l'observation est plus petite que la limite interne de la région de Fresnel, cette
région est appelée région du champ proche réactif avec les limites interne et externe définies par
0.62 l 3 / λ > r > 0 ( III.68)

Dans cette région la densité de puissance réactive prédomine.
En résumé, l'espace entourant une antenne est divisé en trois régions dont les limites sont données
par
67
champ proche réactif 0.62 D 3 / λ > r > 0 ( III.69)

 
champ proche rayonné  2D 2 /λ >r ≥ 0.62 D 3 / λ  ( III.70)

 
champ lointain  ∞ ≥ r ≥ 2D 2 /λ  ( III.71)
III.5. DIPOLE DE LONGUEUR FINIE

Pour réduire les complexités mathématiques, on supposera que le dipôle a un diamètre
négligeable (idéalement zéro). C'est une bonne approximation si le diamètre est plus petit que la
longueur d'onde de fonctionnement.
III.5.1. Distribution de Courant

Pour un dipôle très mince, la distribution de courant peut être donnée par
  l 
a z I 0 sin  k  − z '   , 0 ≤ z ' ≤ l / 2
  2 
I e=
( x ' 0,=
y ' 0,=
z ')  ( III.72)
a I sin  k  l + z '   , − l / 2 ≤ z ' ≤ 0
 z 0   2 

Cette distribution suppose que l'antenne est alimenté au centre et le courant est nul aux points
d’extrémités ( z ' = ± l / 2 ). Pour l = λ / 2 et λ / 2
< l < λ la distribution de courant de (III.72) est
montré sur les figure III.5(a) et III.5(b), respectivement. La géométrie de l'antenne est celle
représentée sur la figure III.5.
(a) l = λ / 2 (b) λ / 2

< l <λ
Figure III.5 Distribution du courant pour un dipôle de longueur finie
68
III.5.2. Champs rayonnés : Facteur d'élément, Facteur d'espace et multiplication

de diagramme
En général, en raison des complications mathématiques dans l'intégration du potentiel vecteur A

.on se limite à la région du champ lointain,
L'antenne dipôle fini de la figure III.4 est subdivisée en un certain nombre de dipôles
infinitésimal de longueur ∆z ' . Quand le nombre de subdivisions augmente, chaque dipôle
infinitésimal sera de longueur dz ' . Pour un dipôle infinitésimal de longueur dz ' placé le long de
l'axe z , à z ' les composants de champ électrique et magnétique lointains, en utilisant (III.38)-
(III.40), sont donnés par
kI 0 ( x ', y ', z ')e − jkR
dEθ  jη sin θ dz ' ( III.73)
4π R
=
dEr  dEφ =
dH r =
dH θ 0 ( III.74)
kI 0 ( x ', y ', z ')e − jkR

dH φ  j sin θ dz ' ( III.75)
4π R
Où R est donnée par (III.55) ou (III.56)
En Employant les approximations champ lointain données par (III.62), (III.73) est donnée par
kI 0 ( x ', y ', z ')e − jkr
dEθ  jη sin θ e jkz 'cosθ dz ' ( III.76)
4π r
Ainsi, le champ rayonné par un dipôle fini est donné par
l /2
ke − jkr  l /2 
=Eθ ∫ dEθ jη
=
− l /2
4π r
sin θ  ∫ I e ( x ', y ', z ')e jkz 'cosθ dz ' 
 − l /2 
( III.77)
Le facteur en dehors des parenthèses est appelé facteur d'élément et entre parenthèses facteur
d'espace. Pour cette antenne, le facteur d'élément est égal au champ d'un dipôle infinitésimal de
longueur unité situé à un point de référence (l'origine). En général, le facteur d'élément dépend du
type de courant et de sa direction tandis que le facteur d'espace est fonction de la distribution de
courant le long de la source.
Le champ total de l'antenne est égal á la multiplication des facteurs d’élément et d'espace. Ceci
est appelé la multiplication de diagramme pour des sources à distribution continue et il donné par
champ total=(facteur d'élement) × (facteur d'éspace) ( III.78)
69
Pour la distribution de courant de (III.72), (III.77) est donnée par
ke − jkr  0  l 
l /2
 l  
Eθ  jη sin θ  ∫ sin  k  + z '   e + jkz 'cosθ dz ' + ∫ sin  k  − z '   e − jkz 'cosθ dz ' 
4π r  − l /2   2  0  2  
( III.79)
On utilisant l’intégrale :
eα x
∫e =
αx
sin( β x + γ )dx [α sin( β x + γ ) − β cos( β x + γ )] ( III.80)
α2 + β 2
Alors (III.79) donne
  kl   kl  
 cos  cos θ  − cos   
− jkr
Ie
Eθ  jη 0  2   2  ( III.81)
2π r  sin θ 
 
De même, ou en employant la relation entre Eθ et H φ donnée par (III.41), la composante H φ est
donnée par
  kl   kl  
 cos  cos θ  − cos   
− jkr
E Ie
Hφ  θ  j 0  2   2  ( III.82)
η 2π r  sin θ 
 
III.5.3. Densité de puissance, intensité de rayonnement et résistance de

rayonnement
Pour le dipôle, le vecteur de Poynting moyenne peut être donné par
1 1 1  Eθ*  1
= Re  E ×=
H *  Re  aθ Eθ × aφ=
H φ*  Re  aθ Eθ × aφ=
2
Wav
2 2 2  η   ar
2η
Eθ
2
  kl   kl   ( III.83)
2
 cos  cos θ  − cos   
I
= arη 02 2  2   2 
 
Et l’intensité de rayonnement est donnée par
70
2
  kl   kl  
2 cos 
 cos θ  − cos   
=
U r=
2 I
Wav η 0 2  2   2  ( III.84)
8π  sin θ 
 
λ / 4 , λ / 2 , 3λ / 4 et λ
Les diagrammes de puissance normalisés, donné par (III.84) pour l =
sont montrés sur la figure III.6. Lorsque la longueur de l'antenne augmente, le faisceau devient
plus étroit. Ainsi, la directivité augmente avec la longueur.
Figure III.6 Diagrammes d'amplitude dans le plan d’élévation pour un dipôle mince
avec une distribution de courant sinusoïdale
Lorsque la longueur du dipôle augmente au-delà d'une longueur d'onde ( l > λ ), le nombre de
lobes commencent à augmenter. Le diagramme de puissance normalisé pour un dipôle avec
λ /4,
l = 1.25λ est montré sur la figure III.7. La distribution de courant pour les dipôles avec l =
λ / 2 , 3λ / 2 et 2λ , est montré sur la figure III.8.
La puissance rayonnée est donnée par
2
  kl   kl  
2π π 2 π  cos  cos θ  − cos   
θ dθ d φ η 0 ∫     2 
I 2
= ∫∫=
Pr ad 
S
Wav .ds ∫ ∫ U sin=
0 0
4π 0 sin θ
dθ ( III.85)
On utilisant le sinus et cosinus intégrale, (III.85) ce réduit à

2
I0
Pr ad= η
4π
{C + ln(kl ) − C (kl ) +
i
1
2
sin( kl ) [ Si (2kl ) − 2 Si ( kl )]
( III.86)
+ 12 cos( kl ) [C + ln( kl / 2) + Ci (2kl ) − 2Ci ( kl )]}
71
Où C = 0.5772 (constante d’Euler), Si et Ci sont le sinus intégrale et cosinus intégrale donnés

par
x
sin y
Si ( x ) = ∫ dy ( III.87)
0
y
∞ 0
cos y cos y
−∫
Ci ( x ) = ∫
dy = dy ( III.88)
x
y ∞
y
La résistance de rayonnement peut être obtenue en employant (III.26) et (III.86) tel que
η
{C + ln(kl ) − Ci (kl ) + 12 sin(kl ) [ Si (2kl ) − 2Si (kl )]
2 Prad
Rr = =
I0
2
2π ( III.89)
La partie imaginaire de l'impédance, relative au courant maximal est donnée par
η    2ka 2   
X= 2 Si ( kl ) + cos( kl ) [ 2 Si ( kl ) − Si (2kl )] − sin( kl )  2Ci ( kl ) − Ci (2kl ) − Ci   
4π
m
   l   
( III.90)
Figure III.7 Diagramme d’amplitude bidimensionnel pour un dipôle mince

de l =1.25λ et distribution de courant sinusoïdale.
72
Figure III.8 Distribution de courant le long de la longueur d’une antenne filaire.
III.5.4. Directivité
Comme a été montré sur la figure II.6, le diagramme de rayonnement d'un dipôle devient plus
directionnel lorsque sa longueur augmente. Quand la longueur totale est plus grande qu’une
longueur d'onde, le nombre de lobes augmente et l'antenne perd ses propriétés directionnelles. Le
paramètre qui est employé comme une "figure de mérite" pour les propriétés directionnelles de
l'antenne est la directivité qui est donnée par
F (θ , φ ) ¨max
D0 = 4π 2π π
( III.91)
∫ ∫ F (θ , φ )sin θ dθ dφ
0 0
Où F (θ , φ ) est relié à l’intensité U par
U = B0 F (θ , φ ) ( III.92)
De (III.84) on a
2
  kl   kl  
 cos  2 cosθ  − cos  2  
F (θ=
, φ ) F=
(θ )      ( III.93)
 sin θ 
 
Et
2
I0
B0 = η ( III.94)
8π 2
73
Puisque le diagramme n'est pas fonction de φ , (III.91) se réduit à
2 F (θ ) max
D0 = π ( III.95)
∫ F (θ )sin θ dθ
0
En utilisant (III.85), (III.86) et (III.93), l'équation (III.95) peut être écrite comme
2 F (θ ) max
D0 = ( III.96)
Q
Avec
{C + ln(kl ) − Ci (kl ) + 12 sin(kl ) [ Si (2kl ) − 2Si (kl )]

Q=
( III.97)
La valeur maximum de F (θ ) dépend de la longueur du dipôle.

L'ouverture effective maximale est liée à la directivité par
λ2
Aem = D0 ( III.98)
4π
III.5.5 Résistance d'entrée

La résistance de rayonnement d'un dipôle de longueur l avec une distribution de courant
sinusoïdale, de la forme donnée par (III.72), est exprimée par (III89). Par cette définition, la
résistance de rayonnement est indiquée pour le courant maximal qui pour certaines longueurs ne
se produit pas sur les bornes d'entrée de l'antenne. Pour déterminer la résistance de rayonnement
aux bornes d'entrée de l'antenne, on suppose d'abord que l'antenne elle-même est sans perte.
Alors la puissance sur les bornes d'entrée est égale à la puissance au courant maximal.
De la figure III.9, on peut écrire
2 2 2
I in I0 I0
R=
in Rr ⇒ R=
in Rr ( III.99)
2 2 I in
où
Rin = résistance de rayonnement aux bornes d'entrée
Rr = résistance de rayonnement au courant maximal
I 0 =courant maximal
74
I in =courant sur bornes d'entrée
Pour un dipôle de longueur l , en utilisant la figure III.9, le courant sur les bornes d'entrée I in est
lié au courant maximal par
 kl 
I in = I 0 sin   ( III.100)
2
Ainsi la résistance d'entrée de (III.99) est donnée par
Rr
Rin = ( III.101)
 kl 
sin 2  
2
Quand la longueur totale de l'antenne est un multiple de λ, il découle de (III.72) et de la figure
III.8 que I in = 0 C'est-à-dire,
 l 
I in =
I 0 sin  k  ± z '   =
0 ( III.102)
 2   z '=0
=l n= λ,n 0,1,2...
qui indique que la résistance d'entrée sur les bornes d'entrée, donné par (III.99) ou (III.101) est
infinie. Dans la pratique ce n'est pas le cas parce que la distribution du courant ne suit pas une
distribution sinusoïdale exacte, particulièrement au point d'alimentation. Cependant, elle a des
valeurs très élevées.
Figure III.9 Distribution du courant d'une antenne filaire linéaire

quand le courant maximal ne se produit pas sur les bornes d'entrée.
75
La résistance de rayonnement et la résistance entrée, comme donnée, par (III.89) et (III.101),

respectivement sont basées sur une distribution de courant idéale de (III.72) et ne pris pas en
compte le rayon fini du fil ou le saut d'espacement à l'alimentation.
III.6. DIPOLE DEMI LONGUEUR D'ONDE

Une des antennes les plus généralement utilisées est le dipôle λ / 2 . Puisque sa résistance de
rayonnement est de 73Ω, qui est proche des impédances caractéristiques de certaines lignes de
transmission.
Les composants de champ électrique et magnétique d'un dipôle λ / 2 peuvent être obtenus à
partir de (III.81) et (III.82) avec l = λ / 2 . Ainsi on obtient
 π 
 cos  cos θ  
− jkr
Ie
Eθ  jη 0  2  ( III.103)
 
 π 
 cos  cos θ  
− jkr
E Ie
Hφ  θ  j 0  2  ( III.104)
η 2π r  sin θ 
 
De plus, la densité de puissance moyenne et l'intensité de rayonnement, peuvent être écrites

respectivement comme
2
 π 
2
 cos  cosθ   2
I0
Wav = η 2 2   2  I0
  η 2 2 sin 3 θ ( III.105)
8π r  sin θ  8π r
 
2
 π 
2 cos 
 cos θ   2
=
U W= 2 I0
η 2  2  I0
  η 2 sin 3 θ
av r ( III.106)
8π  sin θ  8π
 
Le diagramme 2D et 3D sont montrés sur la figure III.6 et III.10 respectivement.
76
Figure III.10 Diagramme 3D d’un dipôle λ / 2
La puissance totale rayonnée peut être obtenue comme un cas particulier de (III.85), ou
π 
cos2  cos θ  2 2 π
I0  2  I0
4π ∫0
=Prad η= dθ η Cin (2π ) ( III.107)
sin θ 8π
Avec
1 − cos y
x
Cin ( x ) = ∫ dy = ln(γ x ) − Ci ( x ) = ln(γ ) + ln( x ) − Ci ( x ) = 0.5772 + ln( x ) − Ci ( x )
0
y
( III.108)
Et
Cin (2π )  2.435 ( valeurs donnée dans des tableaux ) ( III.109)
En utilisant (III.106), (III.107), et (III.109), la directivité maximum un dipôle λ / 2 se réduit à
U U θ =π /2 4
= π max 4π =
D0 4=  1.643 ( III.110)
Pr ad Pr ad Cin (2π )
La surface effective maximale correspondante est donnée par
λ2
Aem = D0  0.13λ 2 ( III.111)
4π
et la résistance de rayonnement (pour η = 120π ), est donnée par
2 Pr ad η
=
Rr = Cin (2π )  73 ( III.112)
I0
2
4π
77
La résistance de rayonnement de (III.112) est également la résistance de rayonnement sur les

bornes d'entrée (résistance d'entrée) puisque le maximum du courant pour un dipôle λ/2 se
produit sur les bornes d'entrée. La partie imaginaire de l'impédance d'entrée d'un dipôle est
fonction de sa longueur (pour l = λ / 2 , elle est égale à j 42.5 ). Ainsi l'impédance d'entrée est
donnée par
Z in= 73 + j 42.5 ( III.113)
Selon le rayon du fil, la longueur du dipôle pour la première résonance est environ
l = 0.47λ à 0.48λ .
III.7. ÉLÉMENTS LINÉAIRES PRÈS OU SUR DES CONDUCTEURS PARFAITS

INFINIS
Jusqu'ici nous avons considéré les caractéristiques de rayonnement des antennes rayonnant dans
un milieu illimité. La présence d'un obstacle, particulièrement quand il est près de l'élément
rayonnent, peut changer les propriétés globales de rayonnement de l'antenne. Dans la pratique
l'obstacle le plus habituel qui est toujours présent est le sol. Toute énergie de l'élément rayonnent
orienté vers le sol subit une réflexion. La quantité d'énergie réfléchie et sa direction sont
contrôlées par la géométrie et les paramètres constitutifs du sol.
En général, le sol est un milieu avec pertes ( σ ≠ 0 ) dont la conductivité effective augmente avec
la fréquence. Ainsi, il agit comme un très bon conducteur pour certaine fréquence, dépendant
principalement de sa composition et son contenu d'humidité. Pour simplifier l'analyse, on
supposera d'abord que le sol est un conducteur électrique parfait, plat et infini.
III.7.1. Théorie d'image

Pour analyser la performance d'une antenne près d'un conducteur plat infini, des sources
virtuelles (images) seront présentées pour tenir compte des réflexions. Pour des fins d'analyse, le
système équivalent donne le même champ rayonné sur et au-dessus du conducteur que le système
réel lui-même. Au-dessous du conducteur, le champ est nul.
Supposent qu'un dipôle électrique vertical est placé à une distance h au-dessus d'un conducteur
électrique parfait, plat infini, comme représenté sur la figure III.11(a). La flèche indique la
polarité de la source. Pour un point d'observation P1 , il y a une onde directe. De plus, une onde de
78
la source réelle rayonnée vers le point d'interface R1 subit une réflexion. La direction est
déterminée par la loi de la réflexion ( θ1i = θ1r ). Cette onde passera par le point d'observation P1 .
En prolongeant son chemin réel au-dessous de l'interface, il semblera provenir d'une source
virtuelle placé à une distance h au-dessous de l’interface. Pour un autre point d'observation P2 , le
point de réflexion est R2 , mais la source virtuelle est la même que précédemment. La même
chose est conclue pour tous les autres points d'observation au-dessus de l'interface.
Direct
Source réelle Réfléchie Direct
Réfléchie
Source virtuelle (image)

(a) Dipôle électrique vertical
Direct
Réfléchie
(b) composantes du champ au point de réflexion
Figure III.11 Dipôle électrique vertical au-dessus d’un conducteur électrique parfait, plat infini
Pour un conducteur électrique parfait au-dessous de l'interface, l’onde incidente est complètement
réfléchie et le champ au-dessous de l’interface est nul. Selon les conditions aux limites, les
composants tangentiels du champ électrique sont nuls à tous les points le long de l'interface.
La figure III.12 montre les sources et leurs images pour un conducteur électrique et magnétique
parfait, plat et infini.
79
Electrique Electrique Magnétique Magnétique
Sources réelles
Conducteur électrique
(a) Conducteur électrique

Electrique Electrique Magnétique Magnétique
Sources réelles
Conducteur magnétique
(b) Conducteur magnétique

Figure III.12 Sources électriques et magnétiques et leurs images porche d’un
conducteur électrique (CEP) et magnétique (CMP)
III.7.2. Dipôle électrique vertical

En se référant à la géométrie de la figure III.13(a), basant sur (III.38), la composante directe du
champ électrique zone lointaine d’un dipôle infinitésimal de la longueur l , de courant constant
I 0 , et de point d'observation P est donné par
kI 0 le − jkr1
Eθd = jη sin θ1 ( III.114)
4π r1
La composante réfléchie peut être expliqué par l'introduction de la source virtuelle (image),
comme représenté sur la figure III.13(a), et elle est donnée par
kI 0 le − jkr2
Eθr = jRvη sin θ 2 ( III.115)
4π r2
Ou
80
kI 0 le − jkr2
Eθr = jη sin θ 2 ( III.116)
4π r2
Puisque le coefficient de réflexion Rv est égal à l'unité.
Le champ total au-dessus de l'interface ( z ≥ 0 ) est égal à la somme des composants directs et
réfléchies comme donné par (III114) et (III.116). Le champ est nul au-dessous de l'interface. Pour
simplifier l'expression du champ électrique total, elle est référée à l'origine du système de
coordonnées. En général, on peut écrire que
1/2
r1 =  r 2 + h 2 − 2rh cosθ  ( III.117)
1/2
r2 =  r 2 + h 2 − 2rh cos(π − θ )  ( III.118)
Pour des observations champ lointain ( r >> h ), (III.117) et (III.118) se réduits à

r1  r − hcoθ ( III.119)
r2  r + hcoθ ( III.120)
Pour les variations d'amplitude on a

r1  r2  r pour l'amplitude ( III.121)
En Employant (III.119)-(II.121), le champ électrique total est donné par
kI 0 le − jkr 
sin θ [ 2cos( kh cos θ ) ] z ≥ 0 
Eθ  jη
4π r  ( III.122)
=Eθ 0 z < 0 
(b)Observations champ lointain

(a)Dipôle électrique vertical au-dessus d’un plan de masse
Figure III.13 Dipôle électrique vertical au-dessus d’un conducteur électrique parfait infini
81
Il est évident que le champ électrique total soit égal au produit du champ d'une seule source
placée symétriquement par rapport à l'origine et d'un facteur qui est fonction de la hauteur
d'antenne ( h ) et de l'angle d'observation (θ).
La forme et l'amplitude du champ est non seulement contrôlée par le champ de l'élément seul
mais également par la position de l'élément par rapport au sol.
Les diagrammes de puissance normalisés pour certaines valeurs de h sont tracés sur la figure
λ /4
III.14. En raison de la symétrie, seule la moitié de chaque diagramme est montrée. Pour h >
plus de lobes secondaires sont formés. Lorsque h > λ h , un nombre plus grand de lobes
secondaires sont formés (figure III.15).
En général, le nombre total de lobes est égal au nombre entier qui est le plus proche de
2h
nombre de lobes  +1 ( III.123)
λ
Figure III.14 Diagramme d'amplitude dans le plan d'élévation d'un dipôle électrique
infinitésimal vertical pour différentes hauteurs au-dessus d'un conducteur électrique parfait infini
Puisque le champ total de l'antenne est différent de celui de l’élément seul, la résistance de
rayonnement et la directivité sont aussi différentes. La puissance total rayonnée est donnée par
2π π /2
1 π π /2 2 2
Pr ad ∫∫= ∫∫ η ∫0 θ
= θ dθ d φ
r sin= E r sin θ dθ
2 2
Wav .ds Eθ
S
2η 0 0
2
( III.124)
I l  1 cos(2kh ) sin(2kh ) 
= πη 0  − +
λ  3 (2kh )2 (2kh )3 
82
Lorsque kh → ∞ la puissance rayonnée est égal à celle d'un élément isolé ; alors que, pour
kh → 0 elle est deux fois celle d'un élément isolé. En utilisant (III.122), l'intensité de
rayonnement est donnée par
η I 0l
2
1
=
U r= = sin 2 θ cos2 ( kh cosθ )
2 2 2
Wav r Eθ ( III.125)
2η 2 λ
La valeur maximal de (III.125) se produit à θ = π / 2 et elle est donnée par
η I 0l
2
=
U max U= ( III.126)
θ =π /2
2 λ
qui est quatre fois plus grandes que celle d'un élément isolé. La directivité est donnée par
4π U max 2
=D0 = ( III.127)
Pr ad  1 cos(2kh ) sin(2kh ) 
 3 − (2kh ) 2 + (2kh )3 
 
=
Pour =
kh 2.881 ( h 0.4585λ ) =
, D0 D=
0 max 6.566 qui est quatre fois plus grande que celle d'un
élément isolé. La directivité est représentée sur la figure III.16.
Figure III.15 Diagramme d'amplitude dans le plan d'élévation d'un dipôle électrique
infinitésimal vertical pour h = 2λ et 5λ au-dessus d'un conducteur électrique parfait infini
En utilisant (III.124), la résistance de rayonnement est donnée par
 l   1 cos(2kh ) sin(2kh ) 
2
2P
2πη    −
Rr =rad2 = + ( III.128)
I0  λ   3 (2kh )
2
(2kh )3 
83
où sa valeur pour kh → ∞ est la même que celle de l'élément isolé ; alors que pour kh = 0 elle
≤h≤ λ,
est deux fois. La résistance de rayonnement est représentée sur la figure III.16 pour 0 5
l = λ / 50 et l'élément est dans l’espace libre.

L'impédance d'entrée d'un monopole λ/4 au-dessus d'un plan de masse est égale à la moitié de
celle d'un dipôle λ/2 isolé. Ainsi, pour un courant maximal, l'impédance d'entrée est donnée par
2[
=1
Z dipôle ) =
2 im (
Z im ( monopole ) 1
+ j 42. 5]
73 = + j 21. 25
36. 5 ( III.129)
L'impédance d’entrée Z im (courant maximal) d'un dipôle vertical λ/2 au-dessus d’un plan de
masse en fonction de la hauteur, est tracée sur la figure III.17. Il est évident que la conductivité
n'influe pas fortement les valeurs d'impédance. On observe que lorsque la hauteur augmente, les
valeurs de la résistance et de la réactance s'approchent à ceux de l'élément isolé.
Résistance de rayonnement
Directivité (sans dimension)
Directivité
Résistance de rayonnement
Hauteur (longueur d’onde)

Figure III.16 Directivité et résistance de rayonnement d'un dipôle électrique infinitésimal
vertical en fonction de son hauteur au-dessus d'un conducteur électrique parfait infini
Impédance d’entrée Zim(Ω)
Hauteur (longueur d’onde)

Figure III.17 Impédance entrée d'un dipôle vertical λ/2 au-dessus d'une surface conducteur électrique plat
84
III.7.3. Formules approximatives

Bien que la résistance d'entrée d'un dipôle de longueur quelconque puisse être calculée en
employant (III.89) et (III.101), et celle du monopole correspondant en utilisant (III.129) ; des
expressions approximatives plus simples peuvent être utilisés. Soit G tel que
G = kl / 2 pour dipôle ( III.130)
G = kl pour monopole ( III.131)
où l est la longueur totale de chaque élément, la résistance d'entrée du dipôle et monopole peut
être calculé approximativement en utilisant
0 < G < π / 4 (résistance d'entrée du dipôle inférieur à 12.337Ω)
= 20G 2
Rin (dipôle) 0<l <λ /4 ( III.132)
= 10G 2
Rin (monopole) 0<l <λ /8 ( III.133)
π / 4 < G < π / 2 (résistance d'entrée du dipôle inférieur à 76.383Ω)

=
Rin (dipôle) 24.7G 2.5 λ /4<l <λ /2 ( III.134)
=
Rin (monopole) 12.35G 2.5 λ /8<l <λ /4 ( III.135)
π / 2 < G < 2 (résistance d'entrée du dipôle inférieur à 200.53Ω)

=
Rin (dipôle) 11.14G 4.17 λ / 2 < l < 0.6366λ ( III.136)
=
Rin (monopole) 5.57G 4.17 λ / 4 < l < 0.3183λ ( III.137)
III.7.4. Dipôle électrique horizontal

Une autre configuration est quand le dipôle est placé horizontalement par rapport au plan de
masse infini, comme représenté sur la figure III.18. La procédure d'analyse est identique à celle
du dipôle vertical. En introduisant une image et en supposant des observations de champ lointain,
comme représentées sur la figure III.19 (a, b), la composante direct est donnée par
kI 0 le − jkr1
Eψd  jη sinψ ( III.138)
4π r1
Et la composante réfléchie est donnée par
kI 0 le − jkr2
Eψr  jRhη sinψ ( III.139)
4π r2
85
Ou
kI 0 le − jkr2
Eψ  − jη
r
sinψ ( III.140)
4π r2
puisque le coefficient de réflexion R h = −1 .

On a
cosψ = a y .( a x sin θ cos φ + a y sin θ sin φ + a z cos θ ) =
a y .ar = sin θ sin φ ( III.141)
Ainsi
sinψ =−
1 cos2 ψ =−
1 sin 2 θ sin 2 φ ( III.142)
Pour les observations champ lointain
r1  r − h cos θ 
 pour les variations de phase ( III.143)
r2  r + h cos θ 
r1  r2  r pour les variations de phase ( III.144)
≥h
Le champ total, qui est valable seulement au-dessus du plan de masse ( z ;
=≤ θ ≤ π / 2, 0
0 ≤ φ ≤ 2π ), est donné par
kI 0 le − jkr
Eψ = Eψd + Eψr = jη 1 − sin 2 θ sin 2 φ [ 2 j sin( kh cos θ )] ( III.145)
4π r
L'équation (III.145) est égale au produit du champ de l’élément isolé placé symétriquement à
l'origine et à un facteur appelé facteur de réseau.
Direct
Réfléchie Direct
Source
réelle
Réfléchie
Source virtuelle (image)

Figure III.18 Dipôle électrique horizontal, et son image associée,
au-dessus d'un conducteur électrique parfait plat infini.
86
(a) Dipôle électrique horizontal au-dessus d'un plan de masse (b) observations champ lointain
Figure III.19 Dipôle électrique horizontal au-dessus d'un conducteur électrique parfait infini.
Pour examiner la variation du champ total en fonction de la hauteur de l’élément au-dessus du

plan de masse, des diagrammes dans le plan d’élévation pour φ= 90° sont représentés sur la
figure III.20. Lorsque h > λ , le nombre de lobes augmente (figure III.21)
Le nombre total des lobes est égal au nombre entier qui est le plus proche de
h
nobmre de lobes  2   ( III.146)
λ
Figure III.20 Diagrammes d'amplitude dans le plan d’élévation d'un dipôle électrique
infinitésimal horizontal pour différentes h au-dessus d'un conducteur électrique parfait infini.
87
π I 0 l  2 sin(2kh ) cos(2kh ) sin(2kh ) 

2
Pr ad= η − − + ( III.147)
2 λ  3 2kh (2kh ) 2 (2kh )3 
Et la résistance de rayonnement est donnée par
 l   2 sin(2kh ) cos(2kh ) sin(2kh ) 

2
R= ηπ    − − + ( III.148)
 λ  3 (2kh )3 
r
2kh (2kh ) 2
Pour kh → 0 , (III.148) se réduit à
 l   2 2 8  2π h   32π 3  l   h 
2 2 2 2
kh → 0
=Rr ηπ    − + =   η     ( III.149)
 λ   3 3 15  λ   15  λ   λ 
Pour kh → ∞ , Rr est celle d'un élément isolé.
Figure III.21 Diagrammes d'amplitude dans le plan d’élévation d'un dipôle électrique
infinitésimal horizontal pour h = 2λ et 5λ au-dessus d'un conducteur électrique parfait infini.
L'intensité de rayonnement est donnée par
η I 0l
2
r2 2
U = Eψ (1 − sin 2 θ sin 2 φ )sin 2 ( kh cos θ ) ( III.150)
2η 2 λ
La valeur maximal de (III.150) dépend de la valeur de kh tel que :
η I 0l
2
 sin 2 ( kh ) kh ≤ π / 2 ( h ≤ λ / 4)
2 λ (θ = 0° )
U max = ( III.151)
η
2
I 0l
kh > π / 2 ( h > λ / 4)
2 λ
 φ =

0° et sin( kh cos θ max ) = cos−1 (π /2 kh ) 
1 ou θ max =

En utilisant (III.147) et (III.151), la directivité est donnée par
88
 4sin 2 ( kh )
kh ≤ π / 2 ( h ≤ λ / 4)
4π U max  R( kh )
=D0 =  ( III.152)
Prad  4 kh > π / 2 ( h > λ / 4)
 R( kh )
Avec
 2 sin(2kh ) cos(2kh ) sin(2kh ) 
R( kh ) =
 3 − 2kh − (2kh ) 2 + (2kh )3  ( III.153)
 
Pour kh → 0 , la première partie de (III.152) se réduit à
2
kh → 0 4sin 2 ( kh )  sin kh 
=D0 = 7.5   ( III.154)
 3 − 3 + 15 ( kh ) 
2 2 8 2
 kh 
Pour h = 0 l'élément est court-circuité et il ne rayonne pas.

L'impédance d'entrée (pour le courant maximal) d'un dipôle horizontal λ/2 au-dessus d'un
conducteur électrique plat avec perte est tracée sur la figure III.22. On remarque que, la
conductivité a un effet plus remarquable sur les valeurs d'impédance. Lorsque h augmente, les
valeurs de la résistance et de la réactance s'approchent de ceux de l'élément isolé ( 73 + j 42.5 ).
Impédance d’entrée Zin (Ω)
Hauteur h (Longueur d’onde)

Figure III.22 Impédance entrée d'un dipôle vertical λ/2 au-dessus d'une surface conducteur électrique plat
89
III.8. EFFETS DU SOL

Le sol (terre) est obstacle qui est toujours présent dans n'importe quel système d'antenne, et qui
n'est pas un conducteur idéal De plus, le sol n'est pas une surface plate ; mais pour simplifier
l'analyse on suppose qu’il est plat, qui est bonne approximation pour l'analyse du diagramme.
En général, les caractéristiques d'une antenne aux basses et moyennes fréquences dépendent
profondément de la perte de sol. Quand la hauteur de l’antenne est petite comparée à la
profondeur de peau de la terre, la résistance d'entrée peut être plus grande que ses valeurs en
espace libre ; ce qui dégrade l’efficacité. L'efficacité peut être améliorée en plaçant des fils
radiaux ou les disques métalliques sur le sol.
Les procédures analytiques pour examiner les effets de sol sont basées sur la théorie d’image. Les
coefficients de réflexions sont en général fonction des angles d'incidence et des paramètres
constitutifs des deux milieux.
III.8.1. Dipôle électrique vertical

Le champ rayonné par un dipôle électrique infinitésimal placé au-dessus de la terre peut être
obtenus en se basent sur la géométrie des figures III.13(a) et (b). Supposant que la terre est plate
et les observations sont faites en champ lointain, la composante directe du champ est donné par
(III.114) et la composante réfléchie est donnée par (III.115) où le coefficient de réflexion est
donné par
η0 cosθi − η1 cosθt
Rv = = − R ( III.155)
η0 cosθi + η1 cosθt
où R est le coefficient de réflexion pour la polarisation parallèle et η0 impédance intrinsèque de
l’espace libre
jωµ1
η1 = : Impédance intrinsèque du sol
σ 1 + jωε1
θi : Angle d'incidence (relativement à la normale)

θ t : Angle de la réfraction (relativement à la normale)
Les angles θ i et θ t sont reliés par la loi de réfraction
γ 0 sin θi = γ 1 sin θt ( III.156)
90
où
γ 0 = jk0 : Constante de propagation pour l’espace libre
γ 1 (α1 + jk1 ) : Constante de propagation pour la terre
=
α1 : Constante d'atténuation pour la terre

k1 : Constante de phase pour la terre
En utilisant les approximations champ lointain de (III.119)-(III.121), le champ électrique total au-
dessus de la terre ( z ≥ 0 ) est donné par
kI 0 le − jkr
=Eθ jη sin θ  e jkh cosθ + Rv e − jkh cosθ  z≥0 ( III.157)
4π r
Le diagramme normalisé pour un dipôle infinitésimal au-dessus du sol est montré sur la figure
III.23. En présence du sol, le rayonnement dans la direction verticale ( 60°> θ > ° ) est plus
0
intense que celui pour un conducteur électrique parfait, mais il est nul pour θ= 90° , parce que le
Rv ≈ −1 Ainsi les effets du sol sur les diagrammes d'une antenne à polarisée verticale sont
sensiblement différents de ceux d'un conducteur parfait.
Figure III.23 Digramme d'amplitude dans le plan d’élévation d'un dipôle vertical infinitésimal
σ 1 10−2 S/m,=
au-dessus d'un conducteur électrique parfait et d’un sol plat (= ε r1 5,=
f 1GHz ).
III.8.2. Dipôle électrique horizontal

La formulation analytique du dipôle horizontal au-dessus du sol peut également être obtenue
d'une façon semblable au dipôle électrique vertical. En se référant à la figure III.19(a) et (b), la
91
composante directe est donné par (III.138) et réfléchie par (III.139) où le coefficient de réflexion
Rh est donné par
 R⊥ pour φ = 0°, plan 180°

Rh =  ( III.158)
 R pour φ= 90°, plan 270°
où R est le coefficient de réflexion pour la polarisation parallèle, comme donné par (III.155), et
R⊥ est le coefficient de réflexion pour la polarisation perpendiculaire donné par
η1 cosθi − η0 cosθt
R⊥ = = − R ( III.159)
η1 cosθi + η0 cosθt
Les angles θi et θ t sont reliés par la loi donnée par (III.156).
En utilisant les approximations champ lointain de (III.143) et (III.144), le champ total au-dessus
du sol est donné par
kI 0 le − jkr
Eψ =jη 1 − sin 2 θ sin 2 φ  e jkh cosθ + Rh e − jkh cosθ  z≥h ( III.160)
4π r
Le diagramme normalisé dans le plan y − z est montré sur la figure III.24. Dans l'espace au-
dessus de l'interface, le diagramme relatif en présence du sol n'est pas sensiblement différent de
celui d'un conducteur parfait ; car, pour le sol Rh ≈ −1 pour la plupart des angles d'observation
(la valeur pour un conducteur parfait).
Figure III.24 Digramme d'amplitude dans le plan d’élévation d'un dipôle horizontal infinitésimal
σ 1 10−2 S/m,=
au-dessus d'un conducteur électrique parfait et d’un sol plat (= ε r1 5,=
f 1GHz ).
92
CHAPITRE IV
RESEAUX D’ANTENNE
IV.1. INTRODUCTION
Le diagramme de rayonnement d'un seul élément est généralement relativement large, et fournit
des petites valeurs de directivité (gain). Mais, pour satisfaire les demandes de communication de
longue distance il est nécessaire de concevoir des antennes très directives (gains très élevés). Ceci
peut seulement être accompli en augmentant la taille électrique de l'antenne.
L’agrandissement des dimensions de l’élément mène souvent à des caractéristiques plus
directives. Une autre manière d'agrandir les dimensions de l'antenne, sans augmenter
nécessairement la taille des différents éléments, est de former un ensemble d’éléments rayonnants
dans une configuration électrique et géométrique. Cette nouvelle antenne, constituée par plusieurs
éléments, est appelée réseau. Dans la plus part des cas, les éléments d'un réseau sont identiques,
de forme quelconque.
Le champ total d’un réseau est déterminé par l'addition vectorielle des champs rayonnés par les
différents éléments. Ceci suppose que le courant est le même pour tous les. Si les éléments sont
identiques, il y a au moins cinq contrôles qui peuvent être employées pour former le diagramme
global de l'antenne. Ceux-ci sont :
1. la configuration géométrique du réseau (linéaire, circulaire, rectangulaire, sphérique, etc.…)
2. espacement relatif entre les éléments
3. l'amplitude d'excitation des différents éléments
4. la phase d'excitation des différents éléments
5. le diagramme relatif des différents éléments
IV.2. RESEAU A DEUX ELEMENTS

Supposons que l'antenne à étudié est un réseau à deux dipôles infinitésimal horizontales placés le
long de l’axe z , comme le montre la figure IV.1(a). Le champ total rayonné par les deux
éléments dans le plan y − z est égal à la somme des deux et donné par
93
kI 0 l  e − j[kr1 − β /2] e − j[kr2 + β /2] 

Et = E1 + E2 = aθ jη  cos θ1 + cos θ 2  ( V.1)
4π  r1 r2 
où β est la différence de phase d'excitation entre les éléments. L'intensité de l’excitation des
éléments est identique. Supposant, l’observation champ lointain et en se réfère á la figure IV.1(b),
on peut écrire ;
θ1  θ 2 ( V.2)
r1  r − d2 cos θ 
 pour les variations de phase ( V.3)
r2  r + d2 cos θ 
r1  r2  r pour les variations d'amplitude ( V.4)
(a) Deux dipôles infinitésimales (b) Observations champ lointain

Figure IV.1 Géométrie d’un réseau à deux éléments positionné le long de l’axe z
L’équation IV.1 se réduit à

kI 0 le − jkr
cos θ  e + j ( kd cos + ) /2=
+ e − j ( kd cosθ + β ) /2 
θ β
=Et aθ jη
4π r
− jkr
( V.5)
kI le  1 
aθ jη 0 cosθ  2cos  ( kd cosθ + β )  
4π r  2 
L’équation (IV.5) montre que, le champ total du réseau est égal au champ d'un seul élément placé
à l'origine multipliée par un facteur appelé facteur de réseau. Ainsi pour un réseau à deux
éléments d'amplitude constante, le facteur de réseau est donné par
94
1 
=AF 2cos  ( kd cos θ + β )  ( V.6)
2 
ou sous forme normalisée est donné par
1 
=AFn cos  ( kd cos θ + β )  ( V.7)
2 
Le facteur de réseau est fonction de la géométrie du réseau et de la phase d'excitation. Les
caractéristiques du facteur de réseau et le champ total du réseau peuvent être contrôlées par la
séparation d et/ou la phase β .
Ainsi, le champ lointain d'un réseau uniforme à deux éléments identiques st donné par
E (total) E [ un seul élément à un point de référence ] × [ facteur de réseau ] ( V.8)
Ce résultat est également valide pour des réseaux á nombre quelconque d'éléments identiques qui
n'ont pas nécessairement des amplitudes, des phases, et/ou des espacements identiques entre eux.
En général, le facteur de réseau est fonction du nombre d'éléments, de leur disposition
géométrique, de leurs amplitudes relatives, de leurs phases relatives, et de leurs espacements. Le
champ total du réseau est obtenu par l'utilisation de (IV.8), ou l’élément est supposé une source
ponctuelle ayant l'amplitude, la phase, et l'endroit de l'élément correspondant qu'elle remplace.
Pour mieux illustré la règle de multiplication de diagramme, les diagrammes normalisés d’un seul
élément, le facteur de réseau, et le réseau total sont montrés sur la figures IV.2. Puisque le facteur
de réseau est presque isotropique, le diagramme de l'élément et diagramme total sont presque
identique en forme.
Elément t
Facteur de réseau Total
Figure IV.2 Diagramme d’élément, facteur de réseau, et diagramme du champ total d'un réseau à 'deux
élément de dipôle infinitésimal horizontal avec une phase d’excitation identique (β = 0°, d = λ / 4).
95
IV.3. RESEAU A N ELEMENT LINÉAIRE : AMPLITUDE ET ESPACEMENT

UNIFORME
Soit un réseau á N , comme le montre la figure IV.4(a), supposant que tous les éléments ont des
amplitudes identiques mais chaque élément suivant a un courant avec une phase progressive β
.par rapport au précédent ; ce type de réseau est appelé réseau uniforme. Le champ total peut être
obtenu en utilisant la règle de multiplication de (IV.8), qui s’applique seulement pour des réseaux
à 'éléments identiques.
Le facteur de réseau est donné par
N
AF =1 + e j ( kd cosθ + β ) + e j 2( kd cosθ + β ) + .... + e j ( N −1)( kd cosθ + β ) =∑ e j ( n −1)( kd cosθ + β ) ( V.9)
n =1
ou
N
=
AF ∑e
n =1
j ( n −1)ψ
=
avec ψ kd cosθ + β ( V.10)
Le facteur de réseau total peut être représenté par la somme vectorielle de N vecteurs
d’amplitude unité et de phase progressive ψ comme le montre la figure IV.3(b). On remarque
que l'amplitude et la phase de AF peuvent être contrôlées dans les réseaux uniformes en
choisissant correctement la phase relative ψ .
(b) Diagramme de Fresnel

(a) Géométrie
Figure IV.3 Géométrie du champ lointain et diagramme de Fresnel

d’un réseau à N éléments de sources isotropes placées le long de l’axe z
96
Le facteur de réseau de (IV.10) peut être exprimé sous une autre forme simple, tel que
( AF )e jψ = e jψ + e j 2ψ + e j 3ψ + .... + e j ( N −1)ψ + e jNψ ( V.11)
On soustraie (IV.10) de (IV.11) donne :
e jNψ − 1 j ( N −1) /2 ψ e
jN /2ψ
− e − jN /2ψ
AF ( e jψ − 1)
= e jNψ − 1 ⇒ AF
= = e
e jψ − 1 e j /2ψ − e − j /2ψ
N 
sin  ψ  ( V.12)
=e
j ( N −1) /2 ψ 2 
1 
sin  ψ 
2 
Si le point de référence est le centre physique du réseau, le facteur de réseau de (IV.12) devient
N 
sin  ψ 
AF = 2  ( V.13)
1 
sin  ψ 
2 
Pour de petites valeurs de ψ, l'expression de AF peut être approchée par
N 
sin  ψ 
AF ≈ 2  ( V.14)
1
ψ
2
La valeur maximale de (IV.13) ou (IV.14) est égale à N. Les facteurs de réseau normalisé de
(IV.13) et (IV.14) sont donnés par
N 
sin  ψ 
( AF ) n =
1 2  ( V.15)
N 1 
sin  ψ 
2 
N 
sin  ψ 
( AF ) n ≈ 2  ( V.16)
N
ψ
2
Les valeurs maximales de (IV.15) sont donnée par
97
ψ 1
= ( kd cosθ + β ) = ± mπ
2 2 θ =θ m
( V.17)
 λ 
⇒ θ m cos 
= ( − β ± 2m=
−1
π )  , m 0,1,2,...
 2π d 
Le facteur de réseau de (IV.16) a seulement un maximum, donné par :
 λβ 
θ m = cos −1   ( V.18)
 2π d 
Qui est l'angle d'observation pour laquelle ψ = 0 .
Les zéros du réseau sont donnés par
N  N  λ  2n  
sin  ψ  =0 ⇒ ψ =± nπ ⇒ θ n =cos −1   − β ± π 
2  2 θ =θ n  2π d  N 
n = 1, 2, 3... ( V.19)
n ≠ N , 2 N , 3N ...pour (IV.15)
Le point -3dB pour le facteur de réseau de (IV-16) est donné par
N N
ψ= ( kd cosθ + β ) = ±1.391
2 2 θ =θ h
 λ  2.782  
⇒ θ h cos −1 
=  −β ±  ( V.20)
 2π d  N  
π  λ  2.782  
= − sin −1   −β ± 
2  2π d  N  
Pour d >> λ , elle se réduit à
π λ  2.782 
θh  −  −β ±  ( V.21)
2 2π d  N 
La largeur du faisceau à mi-puissance pour un diagramme symétrique est donnée par
Θ=
h 2 θm − θh ( V.22)
Les maximum des lobes secondaires pour le facteur de réseau de (IV.16) sont donnés par
N  N 
sin  ψ= sin  ( kd cos θ + β )  θ =θS  ±1
2  2 
N 2s + 1
⇒ ( kd cos θ + β )  ± π ( V.23)
2 2
 λ  2s + 1  
⇒ θ s cos −1 
=  −β ± = π   , s 1,2,3,...
 2π d  N 
98
ou
π  λ  2s + 1  
θs = − sin −1   − β ± N π   , s = 1,2,3,... ( V.24)
2  2π d 
Pour d >> λ , elle se réduit à
π λ  2s + 1 
θs = −  − β ± N π  , s = 1,2,3,... ( V.25)
2 2π d
Le maximum du premier lobe secondaire de (IV.15) est donné par :
N N 3π
ψ= ( kd cosθ + β ) = ±
2 2 θ =θ s 2
( V.26)
 λ  3π 
⇒ θ s cos 
=  −β ±
−1

 2π d  2 
IV.3.1. Réseau à rayonnement transversal

Dans certaines applications, il est souhaitable d'avoir un rayonnement maximal dirigé
perpendiculairement à l'axe du réseau ( θ=
0 90° de la figure IV.3(a)). Pour cela, les maximums
d’un seul élément et du facteur de réseau devraient être orientés dans la direction θ=
0 90° . Ceci
peut être accomplie par un choix judicieux des éléments rayonnent, de la séparation et
l'excitation.
De l’équation (IV.15) ou (IV.16), le premier maximum du facteur de réseau est donné par :
ψ kd cosθ =
= +β 0 ( V.27)
Puisqu'on désire avoir le premier maximum orienté dans la direction θ=

0 90° , alors
ψ=
kd cos θ + β θ= 90°
β=
= 0 ( V.28)
Ainsi pour avoir le maximum du facteur d’un réseau linéaire uniforme dirigé dans la direction
θ=
0 90° , il est nécessaire que tous les éléments aient la même phase d’excitation (de plus la
même amplitude d’excitation). Pour assurer qu'il n'y a aucun maximal principal dans d'autres
directions, la séparation entre les éléments ne devrait pas être égale aux multiples d'une longueur
d'onde ( d ≠ nλ , n =
1,2,3..) lorsque β = 0 .
=
Si λ , n 1,2,3.. et β = 0 , alors
d n=
ψ =+
kd cos θ β d = nλ
β= 0
2π n cos θ θ =
= 0° ,180°
±2nπ
= ( V.29)
n =1,2,3...
99
Cette valeur de ψ une fois substituée dans (IV.15) rend le facteur de réseau atteint sa valeur
maximale. Ainsi pour un réseau uniforme avec β = 0 et d = nλ , en plus d’un maximum du
facteur de réseau dirigé dans la direction transversal ( θ=
0 90° ), des maximums supplémentaires
sont dirigés le long de l'axe ( θ 0 =

0°, 180° ) du réseau (rayonnement longitudinal).
Souvent il exiger de choisir un espacement maximal entre les éléments mais sans les lobes
secondaires. Pour cela, l’espacement maximal d max < λ .
Le facteur de réseau tridimensionnel d'un réseau uniforme à 10 éléments est montré sur la figure
IV.4(a). Le seul maximum se produit à θ=
0 90° . Pour la figure IV.5(b), le diagramme a un
maximum à θ=
0 90° , et des maximum supplémentaire orientés á θ 0 =
0°, 180° .
Diagramme de champ
normalisé (échelle linéaire) Diagramme de champ
(a) transversal β=0, d=λ/4 (b) transversal/longitudinal β=0, d=λ
Figure IV.4 Diagramme d’amplitude en 3D pour un réseau transversal et transversal/longitudinal (N=10)
IV.3.2. Réseau longitudinal ordinaire

Le maximum de rayonnement peut le dirigé le long de l'axe du réseau (longitudinal). En fait, il
est nécessaire qu'il rayonne vers une seule direction ( θ 0 = 0° ou =
θ0 180° ).
Pour diriger le premier maximum vers θ 0 = 0° , il faut que
ψ=kd cosθ + β θ = 0°
=kd + β =⇒
0 β=−kd ( V.30)
θ0 180° , alors
Si le premier maximum est dirigé vers =
ψ=kd cosθ + β =θ 180° =−kd + β =⇒

0 β=kd ( V.31)
100
Si l’espacement est d = λ / 2 , le rayonnement longitudinal existe simultanément dans les deux

directions ( θ 0 = 0° et =
θ0 180° ). Si
= λ ,
d n= n 1 , 2, 3. . . , il existe quatre maximum ; deux dans les
directions transversales et deux le long de l'axe du réseau. Pour avoir un seul maximum
longitudinal et éviter tous les lobes secondaires, il faut que l'espace maximal d max < λ / 2 .
= λ / 4,
Les diagrammes de rayonnement d'un réseau à 10 éléments avec d β = ± kd sont tracés
dans la figures IV.5. Quand β = −kd , le maximum est dirigé le long θ 0 = 0° ; mais quand
β = −kd , le maximum est orienté vers θ=

0 180° .
Diagramme d’amplitude
Diagramme d’amplitude
Figure IV.5 Diagramme d’amplitude en trois dimensions pour un réseau

longitudinal vers θ0 = 0° et θ=
0 180° (N=1,0 d=λ/4)
IV.3.3. Réseau à déphasage (balayage)

Comme on a vue précédemment, le rayonnement principal d'un réseau peut être dirigé dans les
directions transversal et longitudinal, en contrôlant la phase d'excitation entre éléments On peut
alors orienter le rayonnement maximum dans n'importe quelle direction pour former un réseau à
balayage.
Pour avoir le rayonnement maximum du réseau guidé vers un angle θ 0 ( 0° ≤ θ 0 ≤ 180° ), la phase
d’excitation β entre les éléments doit vérifier la condition suivante :
ψ=kd cos θ + β θ =θ =kd cos θ 0 + β =⇒

0 β=−kd cos θ 0 ( V.32)
0
101
Ainsi en commandant la différence de phase progressive entre les éléments ; le rayonnement

maximal peut être orienté dans n'importe quelle direction désirée pour former un réseau de
balayage. C'est le principe de base du fonctionnement du réseau à déphasage par balayage
électronique.
Pour montrer le principe du balayage, les diagrammes de rayonnement en 3D et 2D d'un réseau à
10 éléments, avec d = λ / 4 et un maximum orienté dans la direction θ=
0 60° , sont montrés dans
les figure IV.6(a) et (b) respectivement.
Diagramme d’amplitude Diagramme facteur

normalisé (échelle linéaire) de réseau (dB)
3D
2D
Figure IV.6 Diagramme de facteur de réseau 3D et 2D d’un réseau à amplitude
uniforme à déphasage (N=10, β = Kdcosθ 0 , θ0=60°, d=λ/4)
La largeur de faisceau à mi-puissance du réseau à déphasage est obtenu en utilisant (IV-20) avec
β = −kd cosθ0 . Alors, la largeur total du faisceau est donnée par
 λ  2.782   −1  λ  2.782  
= Θh cos −1   kd cos θ 0 −   − cos   kd cos θ 0 + 
 2π d  N   2π d  N  
( V.33)
 2.782  −1  2.782 
= cos −1  cos θ 0 −  − cos  cos θ 0 + 
 Nkd   Nkd 
Puisque N= ( L + d ) / d , (IV.33) se réduit à
 λ  −1  λ 
=Θh cos −1  cos θ 0 − 0.443  − cos  cos θ 0 + 0.433  ( V.34)
 L+d   L+d 
où L est la longueur du réseau. L'équation (IV.34) peut également être employée pour calculer la
largeur de faisceau à mi-puissance d'un réseau transversal ; mais pas pour un réseau longitudinal.
102
IV.3.4. Réseau longitudinal de Hansen-Woodyard

On constate que, le rayonnement maximum peut être dirigé le long de l'axe d’un réseau uniforme
si le déphasage progressive β entre éléments est égal à (IV.30) pour θ 0 = 0° et á (IV.31) pour
θ=
0 180° .
Pour augmenter la directivité d'un réseau longitudinal sans dégradé aucunes caractéristiques,
Hansen et Woodyard ont proposé que le déphasage entre éléments étroitement espacés d'un grand
réseau doive être
 2.92   π 
β=
−  kd +   −  kd +  ⇒ pour un maximum dans θ 0 =
0° ( V.35)
 N   N
 2.92   π 
β = kd +    kd +  ⇒ pour un maximum dans θ 0 =180° ( V.36)
 N   N
Ces conditions sont appelés conditions de Hansen-Woodyard pour le rayonnement longitudinal.
Cependant, il faut noter que ces conditions ne donnent pas nécessairement la directivité maximale
possible. En effet, le maximum peut ne pas se produire à θ 0 = 0° ou à θ=
0 180° .
Alors pour augmenter la directivité selon les conditions de Hansen-Woodyard, en plus des
conditions de (IV.35) et (IV.36), les valeurs de ψ doivent être :
Pour un maximum le long θ 0 = 0°
π
ψ = kd cosθ + β θ ==
0°
et ψ = kd cos θ + β θ =
180°
π ( V.37)
N
Pour un maximum le long θ=
0 180°
π
ψ = kd cosθ + β θ =
180°
= et ψ = kd cos θ + β θ =
0°
π ( V.38)
N
La condition ψ = N / π dans (IV.37) ou (IV.38) est réalisé par l'utilisation de (IV.35) ou
(IV.36), respectivement. Pour un réseau à N éléments, la condition ψ  π est satisfaite en
employant (IV.35) ou (IV.36) et en choisissant un espacement d tel que :

 N −1 λ
d =  ( V.39)
 N 4
Si le nombre d’éléments est très grand (IV.39) peut approcher par
λ
d ( V.40)
4
103
Ainsi pour un grand réseau uniforme, la condition de Hansen-Woodyard ne donne une directivité
améliorée que si l’espacement est approximativement λ/4. Ceci est illustré sur la figure IV.7. Le
lobe principal du réseau longitudinal ordinaire est plus large ( HPBW= 74° ) que celui du
Hansen-Woodyard ( HPBW= 37° ) ; ainsi, une directivité plus élevée. Cependant, le lobe
secondaire du réseau longitudinal ordinaire est inférieur (  −13.5dB ) à celui du Hansen-
Woodyard (  −8.9dB ).
Diagramme d’amplitude Diagramme d’amplitude

(échelle linéaire (échelle linéaire
(a) Ordinaire
(b) Hansen-Woodyard
Figure IV.7 Diagramme 3D d’un réseau longitudinal ordinal et celui de Hansen-Woodyard
= =
( N 10, d λ /4)
L'augmentation de la directivité du diagramme de la figure IV.7 pour la conception de Hansen-

Woodyard conduit á une augmentation d’environ 4dB du niveau de lobe secondaire. Ainsi
conséquent dans la conception d'un réseau, il y a un compromis entre la directivité et le niveau du
lobe secondaire.
IV.4. RESEAU LINÉAIRE A N ELEMENTS : DIRECTIVITÉ
IV.4.1. Réseau transversal

En utilisant le critère pour le rayonnement transversal données par (IV.28), le facteur de réseau
pour cette forme de réseau se réduit à
104
N 
sin  kd cos θ 
( AF ) n =
1 2  ( V.41)
N 1 
2 
Pour d << λ , (IV.41) devienne
N 
( AF ) n ≈ 2  ( V.42)
N 
 kd cos θ 
2 
L’intensité de rayonnement est donnée par :
2
 N 
 sin  kd cos θ   2
   sin( Z ) 
U (θ ) [ (=
AF ) n ] 
2
= =  
2
 ( V.43)
  N kd cos θ    Z 

  2 
 
N
Avec Z = kd cos θ
2
La valeur moyenne U 0 de l'intensité est donnée par
2
 N 
π 2 π  sin  kd cos θ  
1  sin( Z ) 
    sin θ dθ
1 1 2
=U0 =
4π
Pr ad ∫ 
20 Z   =sin θ dθ ∫
20 N  
( V.44)
kd cos θ 
  2  
En utilisant le changement de la variable,
N N
Z =kd cos θ ⇒ dZ =
− kd sin θ dθ
2 2
(IV.44) devienne
− Nkd /2 2 Nkd /2 2
1  sin Z  1  sin Z 
U0 =
− ∫
Nkd Nkd /2  Z 
dZ = ∫
Nkd − Nkd /2  Z 
dZ ( V.45)
Pour un grand réseau ( Nkd / 2 → ∞ ), (IV.45) peut être approché en prolongeant les limites à
l'infini. Ainsi
+∞
π
Nkd /2 2 2
 sin Z  1  sin Z 
=U0 = ∫  Z 
− Nkd /2 
dZ  ∫
Nkd −∞  Z 
dZ
Nkd
( V.46)
Alors, la directivité est donnée par
105
U max Nkd d   L  d 
=
D  = 2N  = 2  1 +   ( V.47)
0
U0 π λ  d  λ 
L ( N − 1)d , la longueur totale du réseau. Pour un grand réseau ( L >> d ), (IV.47) se
Avec =
réduit à
 L
D0  2   ( V.48)
λ
IV.4.2. Réseau longitudinal ordinaire
Pour un réseau longitudinal, avec un rayonnement maximal dans la direction θ 0 = 0° , le facteur

de réseau est donnée par
N 
sin  kd ( cos θ − 1) 
( AF ) n =
1 2  ( V.49)
N 1 
sin  kd ( cos θ − 1) 
2 
Qui est pour d << λ , peut être approché par
N 
sin  kd ( cos θ − 1) 
( AF ) n  2  ( V.50)
N 
 kd ( cos θ − 1) 
2 
Ainsi, l’intensité de rayonnement est donnée par
2
 N 
 sin  kd ( cos θ − 1)   2
   sin Z 
U (θ ) [ (=
AF ) n ] 
2
= =  
2
 ( V.51)
  N kd ( cos θ − 1)    Z 

  2 
 
N
=
Avec Z kd (cos θ − 1) ; sa valeur maximal est unité et se produit à θ 0 = 0° . La valeur
2
moyenne de l’intensité de rayonnement est donnée par
106
2
 N 
2π π  sin  kd ( cos θ − 1)  
    sin θ dθ d φ
1 2
U0 = ∫ ∫
4π 0 0   N 
 kd ( cos θ − 1)  
  2  
2
( V.52)
 N 
πsin  kd ( cos θ − 1)  
= ∫    sin θ dθ
1 2
20 N 
kd ( cos θ − 1)  
  2  
En utilisant le changement de la variable,
N N
Z = kd (cos θ − 1) ⇒ dZ =− kd sin θ dθ
2 2
(IV.52) peut être écrite sous la forme :
− Nkd 2 Nkd 2
1  sin Z  1  sin Z 
U0 =
− ∫ 
Nkd 0  Z   dZ = ∫
Nkd 0  Z 
dZ ( V.53)
Pour un grand réseau ( Nkd / 2 → ∞ ), (IV.53) est donnée par

+∞
π
Nkd /2 2 2
 sin Z  1  sin Z 
=U0 ∫0  Z  dZ  Nkd ∫0  Z  dZ 2 Nkd
= ( V.54)
Alors, la directivité est donnée par

U max 2 Nkd d   L  d 
=
D  = 4N  = 4  1 +   ( V.55)
0
U0 π λ  d  λ 
Pour un grand réseau ( L >> d ), (IV.55) se réduit à
 L
D0  4   ( V.56)
λ
Ainsi, la directivité d’un réseau longitudinal est deux fois celle d’un réseau transversal.
IV.4.3. Réseau longitudinal de Hansen-Woodyard

Pour un réseau longitudinal de Hansen-Woodyard, l'intensité de rayonnement maximal est
donnée par
1  π  π 2
2

=U0    + − 1.8515
Nkd  2   2 π  ( V.57)
0.871 1.742  π 
= = = 0.554  
Nkd 2 Nkd  2 Nkd 
107
La valeur moyenne de l'intensité de rayonnement, donnée par (IV.57), est 0.554 fois celle d’un
réseau longitudinal ordinaire. Ainsi, en utilisant (IV.57), la directivité peut être exprimée par :
U max 1 2 Nkd   d 
=
D0 = = 1.805  4 N    ( V.58)
U0 0.554 π   λ 
qui est 1.805 fois celle d’un réseau longitudinal ordinaire. L’équation (IV.58) peut également être
écrite sous la forme suivante :
  d    Ld
=D0 1.805 =4 N    1.805  4  1 +   ( V.59)
  λ    d λ
Pour un grand réseau ( L >> d ), (IV.59) se réduit à
  L 
D0  1.805  4    ( V.60)
  λ 
IV.5. RESEAU LINÉAIRE A N ELEMENTS : CARACTÉRISTIQUES 3D

Dans la pratique, seulement les diagrammes bidimensionnels puissent être mesurés, une en
semble d'eux peut être employée pour reconstruire les caractéristiques 3D d'un réseau.
IV.5.1. N éléments Le long de l’axe Z

Un réseau linéaire de N éléments isotopiques sont placés le long de l’axe Z et séparés par une
distance d , comme le montre la figure IV.3(a). L'amplitude de l’excitation de chaque élément est
an avec un déphase progressif d'excitation β entre les éléments. Pour le champ lointain, le
facteur de réseau peut être donné selon (IV.9) par
N N
=AF
=
n
n 1=
∑ ae γ β
j ( n −1)( kd cos + )
= ∑a e
n 1
n
j ( n −1)ψ
( V.61)
=
Avec ψ kd cos γ + β , et γ est l'angle entre l'axe du réseau (axe Z) et le vecteur radial de
l'origine au point d'observation. Pour la géométrie de figure IV.3(a), on a :
     
γ a z .a=
cos= r a z .( a x sin θ cos φ + a y sin θ sin φ + a z cos θ=
) cos θ ⇒ =
γ θ ( V.62)
Ainsi (IV.61) avec (IV.62) est identique à (IV.9), parce que le système de la figure IV.3(a)
possède une symétrie autour de l'axe Z. Ce n'est pas le cas quand les éléments sont placés le long
de n'importe quels autres axes.
108
IV.5.2. N éléments le long de l’axe X ou Y

Considèrent un réseau à N éléments isotropes le long de l’axe X, comme représenté sur la figure
IV.8. Le facteur de réseau en zone lointaine de ce réseau est identique en forme à celui de la
figure IV.3(a) sauf le facteur de phase ψ . Pour cette géométrie on a :
     
cos γ = a x .( a x sin θ cos φ + a y sin θ sin φ + a z cos θ ) =
a x .a r = sin θ cos φ
( V.63)
⇒
= φ ⇒ γ cos −1 ( sin θ cos φ )
coγ sin θ cos=
Le facteur de réseau de ce réseau est également donné par (IV.61) mais avec γ définie par
(IV.63). Pour ce système, le facteur de réseau est fonction de θ et φ .
D'une façon semblable, le facteur de réseau pour N éléments isotropes placés le long de l'axe Y
est donné par (IV.61) mais avec γ défini par
 
cos= γ a y .a=
r γ cos −1 ( sin θ sin φ )
sin θ sin φ ⇒= ( V.64)
Physiquement placé les éléments le long de l'axe Z, X ou Y ne change pas les caractéristiques du
réseau. Numériquement ils donnent des diagrammes identiques quoique leurs formes
mathématiques soient différentes.
Figure IV.8 Réseau linéaire à N éléments isotropique positionnés le long de l’axe X
109
IV.6. RESEAU LINÉAIRE A N ELÉMENT : ESPACEMENT UNIFORME,

AMPLITUDE NON-UNIFORME
Les réseaux uniformes possèdent généralement la plus grande directivité. Cependant, les antennes
directives possèdent des directivités plus grandes que les réseaux uniformes. Bien qu'une grande
directivité soit pratiquement possible, les réseaux directifs exigent généralement de forts courants
avec des phases opposées entre les éléments adjacents. Ainsi le courant total et l’efficacité de
chaque réseau sont très petits comparés à ceux d'un élément individuel.
Avant d'introduire des méthodes de conception pour des distributions d'amplitude non uniformes,
on va déterminer d'abord le facteur de tableau.
IV.6.1. Facteur de réseau

Un réseau à un nombre pair d’éléments isotropique 2M est placé symétriquement le long de
l’axe Z, comme le montre la figure IV.9(a). La séparation entre les éléments est d, et les M
éléments sont placés de chaque côté d'origine.
Nombre pair d’éléments Nombre impair d’éléments
Figure IV.9 Réseau à amplitude non uniforme à nombre d’éléments pair et impaire
Supposant que l’amplitude d'excitation est symétrique par rapport de l'origine, le facteur de
réseau pour un réseau transversal d’amplitude non uniforme est donné par
110
1 3 2 M −1
jkd cos θ jkd cos θ jkd cos θ
=
( AF ) 2 M a1e 2 + a2 e 2 + ... + a M e 2
2 M −1 ( V.65)
 2n − 1 
1 3 M
− jkd cos θ − jkd cos θ − jkd cos θ
+ a1e 2
+ a2 e 2
+ ... + a M e 2
2∑ an cos 
= kd cos θ 
n =1  2 
et on forme normalisé se réduit à
M
 2n − 1 
( AF ) 2 M = ∑ an cos  kd cos θ  ( V.66)
n =1  2 
Les an sont les coefficients d'excitation des éléments du réseau.
Si le nombre total des éléments est impairs 2M+1, comme représenté sur la figure IV.8(b), le
facteur de réseau est donné par
2a1 + a2 e jkd cos θ + a3e j 2 kd cos θ ... + a M +1e Mjkd cos θ
( AF ) 2 M =
M ( V.67)
+ a2 e − jkd cos θ + a3e −2 jkd cos θ + ... + a M +=
1e
− Mjkd cos θ
2∑ an cos [ ( n − 1)kd cos θ ]
n =1
qui est on forme normalisé se réduit à

M +1
=
( AF ) 2 M ∑a
n =1
n cos [ ( n − 1)kd cos θ ] ( V.68)
L’amplitude d'excitation de l'élément central est 2a1 .

Les équations (IV.68) et (IV.70) peuvent être écrites sous d’autres formes normalisés tel que
M
=
( AF ) 2 M ∑a
n =1
n cos [ (2n − 1)u ] ( V.69)
M +1
=
( AF ) 2 M ∑a
n =1
n cos [ ( n − 1)u ] ( V.70)
πd
où u = cos θ
λ
IV.6.2. Réseau binomiale
Le facteur de réseau pour un réseau binomial est représenté par (IV.69) et (IV.70) où an sont les
coefficients d'excitation qu’on doit déterminer.
a) Coefficients d’excitation
Pour déterminer les coefficients d'excitation d'un réseau binomial, on utilise le développement
binomiale de la fonction (1 + x )
m −1
, donnée par :
111
( m − 1)( m − 2) 2 ( m − 1)( m − 2)( m − 3) 3

(1 + x )
m −1
=+
1 ( m − 1) x + x + x + .... ( V.71)
2! 3!
Les coefficients positifs de développement pour différents valeurs de m sont (triangle de Pascal)
m=1 1
m=2 1 1
m=3 1 2 1
m=4 1 3 3 1
m=5 1 4 6 4 1
m=6 1 5 10 10 5 1
m=7 1 6 15 20 15 6 1
m=8 1 7 21 35 35 21 7 1
m=9 1 8 28 56 70 56 28 8 1
m=10 1 9 36 84 126 126 84 36 9 1
Si les valeurs de m sont employées pour représenter le nombre d'éléments du réseau, alors les
coefficients de développement représentent les amplitudes relatives des éléments.
b) Procédé de conception
Pour la méthode binomiale, l’une des conditions est les coefficients d’amplitude d'excitation pour
un nombre donnés d'éléments. Ceci peut être accompli en utilisant soit (IV.73) ou le triangle de
pascal. D'autres figures du mérite sont la directivité, la largeur de faisceau à mi-puissance et le
niveau du lobe secondaire. Les réseaux binomiaux ne présentent pas de lobes secondaires si
l'espacement d ≤ λ / 2 . Pour les réseaux binomiaux pour un espacement quelconque, il n’existe
pas des expressions exactes pour la directivité et la largeur de faisceau à mi-puissance.
Cependant, pour un espacement d = λ / 2 , des expressions approximatives ont été déterminées
pour la largeur de faisceau à mi-puissance et la directivité maximale en fonction de nombres
d'éléments ou de la longueur du réseau, et elles sont données respectivement par
1.06 1.06 0.75
=
HPBW ( d λ / 2)  = = ( V.72)
N −1 2L / λ L/λ
2
D0 = π 2( N −1)
( V.73)
 π 
∫0 cos  2 cos θ  sin θ dθ
112
(2 N − 2)(2 N − 4).........2
D0 = ( V.74)
(2 N − 3)(2 N − 5).........1
=
D0  1.77 N 1.77 1 + 2 L / λ ( V.75)
Ces expressions peuvent être employées pour concevoir des réseaux binomials avec une largeur
de faisceau à mi-puissance ou directivité désirées.
Pour illustrer cette méthode, les diagrammes d'un réseau binomial à 10 éléments ( 2 M = 10 ) avec
différent espacement sont représentés sur la figure IV.10. On l'observe qu'il n'y a aucun lobe
secondaire pour un espacement de λ / 4 et λ / 2 . Alors que les réseaux binomials ont des lobes
secondaires de très faible niveau, et de large largeur de faisceau. L’un inconvénient pratique
important des réseaux binomials est la grande variation entre les amplitudes des différents
éléments, particulièrement pour un grand nombre d'éléments. Pratiquement, il serait difficile
d'obtenir et maintenir de telles grandes variations d'amplitude entre les éléments. Un faible niveau
de lobe secondaire est prévu, puisque la distribution d’amplitude diminue de façon monotone du
centre vers les bords.
Puissance relative (dB)
Figure IV.10 Diagramme de puissance du facteur de réseau d’un réseau binomiale transversal à 10 éléments
IV.6.3. Réseau De Dolph-Tchebychev

La méthode est principalement un compromis entre les réseaux uniformes et binomials. Les
coefficients d'excitation sont liés aux polynômes de Tchebychev. Un réseau de Dolph-
Tchebychev sans lobes secondaires se réduit à une conception binomiale.
113
a) Facteur de réseau
De (IV.69) et (IV.70), le facteur de réseau d'un réseau à nombre pair ou impair d’éléments avec
une excitation d'amplitude symétrique ce n'est qu'une addition de M ou M+1 termes de cosinus.
Ainsi ;
=m 0=
cos( mu ) 1
=m 1=
cos( mu ) cos u
= =
m 2 cos( =
mu ) cos(2 u ) 2 cos2 u − 1
= =
m 3 cos( =
mu ) cos(3u ) 4 cos3 u − 3cos u
m = 4 cos( mu ) = cos(4u ) = 8cos4 u − 8cos2 u + 1
( V.76)
m =5 cos( mu ) =cos(5u ) =16 cos5 u − 20 cos3 u + 5cosu
m =6 cos( mu ) =cos(6u ) =32 cos6 u − 48cos4 u + 18cos2 u − 1
m =7 cos( mu ) =cos(7u ) =64 cos7 u − 112 cos5 u + 56 cos3 u − 7 cos u
m =8 cos( mu ) =cos(8u ) =128cos8 u − 256 cos6 u + 160 cos4 u − 32 cos2 u + 1
m=9 cos( mu ) =cos(9u ) =256 cos9 u − 576 cos7 u + 432 cos5 u − 120 cos3 u + 9 cos u
L’équation (IV.93) peut être mise sous la forme suivante :
m= 0 cos( mu )= 1= T0 ( z )
m= 1 cos( mu )= z= T1 ( z )
m= 2 cos( mu )= 2 z 2 − 1= T2 ( z )
m = 3 cos( mu ) = 4 z 3 − 3z = T3 ( z )
m= 4 cos( mu )= 8 z 4 − 8 z 2 + 1= T4 ( z )
( V.77)
m= 5 cos( mu )= 16 z 5 − 20 z 3 + 5z= T5 ( z )
=
m 6 cos( mu=
) 32 z 6 − 48 z 4 + 18 z 2 −=
1 T6 ( z )
m= 7 cos( mu )= 64 z 7 − 112 z 5 + 56 z 3 − 7 z= T7 ( z )
= =
m 8 cos( mu ) 128 z 8 − 256 z 6 + 160 z 4 − 32 z 2 =
+ 1 T8 ( z )
= 9 cos( mu=
m ) 256 z 9 − 576 z 7 + 432 z 5 − 120 z 3 + 9=
z T9 ( z )
et chacun est lié au polynôme de Tchebychev Tm ( z ) .

La formule de récurrence pour les polynômes de Tchebychev est donnée par
=
Tm ( z ) 2 zTm −1 ( z ) − Tm − 2 ( z ) ( V.78)
Les coefficients inconnus du facteur de réseau peuvent être déterminés en égalisant la série
représentant les termes de cosinus du facteur de réseau au polynôme de Tchebychev approprié.
b) Conception du réseau
114
Déclaration. Conception d’un réseau de Dolph-Tchebychev transversal de 2M ou 2M+1

éléments avec espacement d entre éléments. Les lobes secondaires sont R0dB au-dessous du
maximum du lobe principal. Trouver les coefficients d'excitation et former le facteur de réseau.
Procédure
a. Choisir le facteur de réseau approprié qui est donné par (IV.69) ou (IV.70).
b. Développer le facteur de réseau. Remplacer chaque fonction cos( mu ) par son développement
appropriée en série trouvée dans (IV.78).
c. Déterminer le point z = z0 tels que Tm ( z0 ) = R0 (rapport de tension). L'ordre m du polynôme de
Tchebychev est toujours le nombre total des éléments moins un.
La procédure de conception exige que le polynôme de Tchebychev dans −1 ≤ z ≤ z1 où z1 est le
zéro le plus proche de z = 1 , soit employé pour représenter les lobes secondaires du réseau. Le
lobe principal du diagramme est formé de la partie restante du polynôme jusqu'au point z0 .(
z1 < z ≤ z 0 ).
d. substitution
cos(u ) = z / z0 ( V.79)
dans le facteur de réseau de l'étape 2, le cos(u ) est remplacé par z / z0 et pas par z , de sorte que
(IV.81) soit valide pour z ≤ z0 . A z = z0 (IV.81) atteint sa valeur maximal (unité).
e. Égaliser le facteur de réseau de l'étape 2, après substitution de (IV.81), à Tm ( z ) de (IV.79). Le
Tm ( z ) choisi devrait être de l'ordre m où m est un nombre entier égal au nombre total des éléments
moins un. Ceci permettra la détermination des coefficients d'excitation an .

f. Écrire le facteur de réseau de (IV.69) ou (IV.70) en utilisant les coefficients trouvés dans
l’étape e.
La figure IV.11 montre les diagrammes de facteur de réseau d’un réseau transversal de Dolph-
Tchebychev. Puisque l’espacement d < λ le maximum n’existe qu’à θ 0 = 90 . Cependant,
lorsque d = λ le réseau a quatre maximums, et il agit comme un réseau longitudinal aussi bien
qu’un réseau transversal.
115
Diagramme du facteur Diagramme du facteur

de réseau (dB) de réseau (dB)
Figure IV.11 Diagramme de puissance du facteur de réseau d'un réseau

transversal de Dolph-Tchebychev á 10 éléments.
Dans certaines conceptions de Dolph-Tchebychev pour tirer profit du grand d possible en tout en
gardant le même niveau de tous les lobes secondaires, y compris celui dans la direction θ = 0° et
θ 180° .L'espacement maximum qui peut être utilisé tout en répondant aux exigences est obtenu
=
on utilisant (IV.81) ou
πd 
=Z z=
0 cos( u ) z0 cos  cos θ  ( V.80)
 λ 
La condition de ne pas introduire un lobe secondaire avec un niveau dépassant les autres est régie
par l’équation suivante
πd  λ
−1 ≥ Z 0 cos  max  ⇒ d max ≤ cos −1 ( −1 / z0 ) ( V.81)
 κ  π
Il y a une autre séparation d’élément appelé séparation optimale d opt , qui conduit à la plus petite
HPBW possible, pour un réseau transversal de Tchebychev avec un nombre fixe d'éléments et
niveau de lobe latéral, qui est donnée par
d=
opt λ 1 − cos −1 (1 / γ ) / π 
( )
 1  ( V.82)
= γ cosh  ln R + R 2 − 1 
 N −1 
Où R est le niveau du lobe secondaire (rapport de tension)
c. Largeur de faisceau et directivité

Pour de grands réseaux de Dolph-Tchebychev balayées pas trop près de la longitude et avec des
lobes secondaire dans la gamme de -20dB á -60dB, la largeur de faisceau à mi-puissance et la
116
directivité peuvent être détermines en introduisant un facteur d'élargissement de faisceau qui est
donné approximativement par la relation suivante
2
2  
1 + 0.636  cosh  ( cosh −1 R0 ) − π 2  
2
f = ( V.83)
 R0  
où R0 le rapport de tension du lobe principal au lobe secondaire. Le facteur d'élargissement du

faisceau est représenté à la figure IV.12(a).
La largeur de faisceau à mi-puissance d'un réseau de Dolph-Tchebychev peut être déterminée
par :
1. Calculer largeur du faisceau d'un réseau uniforme (du même nombre d'éléments et
d'espacement) en employant (IV.34)
2. Multiplication de la largeur du faisceau de la partie (1) par le facteur d'élargissement de
faisceau approprié f calculé en utilisant (IV.83) ou on le lisant de la figure IV.12(a)
Facteur d’élargissement de faisceau
Directivité
Niveau du lobe secondaire

Longueur du réseau [(L+d)/λ]
(a)Facteur d’élargissement de faisceau (b) Directivité
Figure IV.12 Facteur d’élargissement de faisceau et directivité d’un réseau de Dolph-Tchebychev
Le facteur d'élargissement de faisceau peut également être utilisé pour déterminer la directivité
des grandes réseaux de Dolph-Tchebychev balayés près de la verticale avec des lobes secondaires
dans la gamme de -20 à -60dB. Tel que,
117
2 R02
D0 = ( V.84)
λ
1 + ( R − 1) f
2
L+d
0
qui est représenté sur la figure IV.12 (b).

Des données de la figure IV.12(b) on peut conclure que :
1. La directivité d'un réseau de Dolph-Tchebychev avec un niveau de lobe secondaire donné
augmente lorsque que la taille du réseau ou le nombre d'éléments augmente.
2. Pour une longueur de réseau donnée, ou un nombre d’éléments donné, la directivité
n'augmente pas nécessairement lorsque le niveau du lobe secondaire diminue.
La largeur de faisceau et la directivité d'un réseau dépendent linéairement de la longueur totale ou
du nombre total d’éléments du réseau. Par conséquent la largeur du faisceau et la directivité doit
être reliées entre eux. Pour un réseau uniforme transversal la relation est
101.5
D0 = ( V.85)
Θd
où Θd est la largeur du faisceau á -3dB. La relation ci-dessus peut être employée comme une
bonne approximation entre la directivité et la largeur de faisceau pour la plupart des réseaux
linéaires transversaux avec des distributions pratiques (y compris ceux de Dolph-Tchebychev).
d. Conception
La conception d'un réseau de Dolph-Tchebychev est très semblable à celle des autres méthodes.
Généralement un certain nombre de paramètres est spécifié, et les autres sont obtenus ont suivant
certaines procédures.
Spécifier
a. Le niveau du lobe secondaire (en dB).
b. Le nombre d'éléments.
Procédure de conception
a. Transformer le niveau de lobe secondaire du décibel au rapport de tension en utilisant
R0 (VR ) = 10 R0 ( dB )/ 20 ( V.86)
b. Calculer P, qui représente également l’ordre du polynôme de Tchebychev, en utilisant
=P nombre d'éléments − 1
c. Déterminer z0 en utilisant :
118
1 
z0 = cosh  cosh −1 ( R0 (VR ))  ( V.87)
p 
d. Calculer les coefficients d'excitation en utilisant :
M M-q 2q-1 (q+M-2)!(2M-1)
 (-1) (z 0 ) (q-n)!(q+n-1)!(M-q)! pour 2Mélements
∑
 q=n
 n = 1,2,...M
 ( q + M − 2)!(2 M )
 M +1 ( −1) M − q +1 ( z0 ) 2( q −1) pour 2 M + 1élements
an =  ∑ ε R ( q − n )!( q + n − 2)!( M − q + 1)!
 q=n n = 1,2,.....M

 2 n = 1
 εR = 
 1 n ≠ 1

( V.88)
e. Déterminer le facteur d'élargissement du faisceau en utilisant (IV.83).
f. Calculer la largeur du faisceau à mi-puissance d'un réseau uniforme avec le même nombre
d'éléments et espacement.
g. Trouver la largeur du faisceau à mi-puissance du réseau de Tchebychev, en multipliant la
largeur du faisceau à mi-puissance du réseau uniforme par le facteur d'élargissement du faisceau.
h. L'espacement maximal entre les éléments ne doit pas dépasser celui de (IV.81).
i. Déterminer la directivité en utilisant (IV.84).
j. Le nombre de lobes secondaires pour le diagramme 3D de chaque côté du maximum principal,
en utilisant l'espacement maximal admissible, est égal à N-1.
k. Calculer le facteur de réseau en utilisant (IV.69) ou (IV.70).
IV.7. RESEAU PLAN

Les éléments d’un réseau peuvent être positionnés sous forme d’une grille rectangulaire pour
former un réseau rectangulaire ou réseau plan. Les réseaux plans donnent des variables
supplémentaires qui peuvent être employés pour commander et former le diagramme du réseau.
Les réseaux plans sont plus souples et peuvent fournir des diagrammes plus symétriques avec des
lobes secondaires réduits. En plus, ils peuvent être utilisés pour balayer le faisceau principal de
l'antenne vers n'importe quel point dans l'espace.
119

Pour déterminer le facteur de réseau pour un réseau plan, référant á la figure IV.13. Si M
éléments sont initialement placés le long de l'axe x , comme représenté sur la figure IV.17(a),
leur facteur de réseau selon (IV.61) et (IV.63) est donnée par :
M
AF = ∑ I m1e
j ( m −1)( kd x sin θ cos φ + β x )
( V.89)
m =1
où I m1 est le coefficient d'excitation de chaque élément. L'espacement et le déphasage progressif
entre les éléments le long de l'axe x sont représentés, respectivement par d x et β x . Si N réseau
sont placées l'un à côté de l'autre selon la direction y , séparé par une distance d y et avec une
phase progressive β y , un réseau rectangulaire sera formée comme représenté sur la figure
IV.13(b). Le facteur de réseau pour le réseau plan entière est peut être donné par :
N
M 
∑ I ∑ I e
j ( m −1)( kd x sin θ cos φ + β x ) j ( n −1)( kd y sin θ sin φ + β y )
AF 1n= m1 e S xm S yn ( V.90)
=n 1= m 1 
Avec
M
Smx = ∑ I m1e j ( m −1)( kd x sin θ cos φ + β x ) ( V.91)
m =1
N
Sny = ∑ I1n e
j ( n −1)( kd y sin θ sin φ + β y )
( V.92)
n =1
(a)Réseau linéaire (b)Réseau plan
Figure IV.13 Géométrie d’un réseau linéaire et plan
120
L'équation (IV.90) montre que le diagramme d'un réseau rectangulaire est le produit des facteurs
de réseaux des réseaux dans les directions x et y .
Si l’amplitude du coefficient d'excitation des éléments du réseau dans la direction y sont
proportionnel à ceux le long x , l'amplitude de l’élément ( m, n ) peut être donné par
I mn = I m1 I1n ( V.93)
Si de plus l’amplitude d'excitation du réseau entière est uniforme ( I mn = I 0 ), (IV.90) peut être
écrite sous la forme suivante :
M M
AF = I 0 ∑ I m1e j ( m −1)( kd x sin θ cos φ + β x ) ∑ e
j ( n −1)( kd y sin θ sin φ + β y )
( V.94)
=m 1=m 1
Selon (IV.9), (IV-12), et (IV.15), la forme normalisée de (IV.94) peut également être écrite sous
la forme :
 M   N 
 1 sin  2 ψ x    1 sin  2 ψ y  
AFn (θ , φ ) =       ( V.95)
ψ
 M sin  x    N sin  y   ψ
     2  
 2     
Avec ψ x kd x sin θ cos φ=
= + β x et ψ x kd x sin θ sin φ + β x
Quand l'espacement entre les éléments est supérieur ou égal á λ / 2 , plusieurs maximums de
même amplitude peuvent être formés. Le maximum principal est désigné sous le nom de lobe
principal et les restes comme les lobes secondaires. Pour former ou éviter les lobes secondaires
dans un réseau rectangulaire, les mêmes principes doit être satisfait comme pour un réseau
linéaire. Pour éviter les lobes secondaires dans les plan x − z et y − z l’espacement entre les
éléments dans les directions x et y respectivement, doit être inférieur á λ / 2 ( d x < λ / 2 et
d y < λ / 2 ).
Pour un réseau rectangulaire, les lobes principaux et les lobes secondaires de S xm et S yn dans
(IV.91) et (IV.92) sont localisent à

kd x sin θ cos φ + β x =
±2mπ m=
0, 1, 2, ... ( V.96)
kd y sin θ sin φ + β y =
±2nπ n=
0, 1, 2, ... ( V.97)
Les phases β x , et β y sont indépendantes l'une de l'autre, et elles peuvent être ajustés de sorte que
le faisceau principal de S xm ne soit pas identique á celui de S ym . Cependant, dans la plupart des
121
applications pratiques il est demandé que les faisceaux principaux coniques de S xm et S ym se
coupent et leurs maximums soient orientés dans la même direction. Si on veut avoir un seul
faisceau principal qui est dirigé le long de θ = θ 0 et φ = φ0 , le décalage de phase progressif entre
les éléments dans les directions x et y doit être égal à

β x = −kd x sin θ0 cos φ0 ( V.98)
β y = −kd y sin θ0 sin φ0 ( V.99)
qui peuvent peut être également exprimé par

β ydx
tan φ0 = ( V.100)
βxd y
2
 β   β 
2
sin θ 0  x  +  y 
= 2
( V.101)
 
 kd x   kd y 
Le maximum principal ( m= n= 0 ), et les lobes secondaires peuvent être localisés par
kd x ( sin θ cos φ − sin θ 0 cos φ0 ) =
±2mπ m =
0, 1, 2, ... ( V.102)
kd y ( sin θ sin φ − sin θ 0 sin φ0 ) =

±2nπ n =
0, 1, 2, ... ( V.103)
Ou
mλ
sin θ cos φ − sin θ 0 cos φ0 =
± m=
0, 1, 2, ... ( V.104)
dx
nλ
sin θ sin φ − sin θ 0 sin φ0 =
± n=
0, 1, 2, ... ( V.105)
dy
qui une fois résolues simultanément, donne :

 sin θ 0 sin φ0 ± nλ / d y 
φ = tan −1   ( V.106)
 sin θ 0 cos φ0 ± mλ / d x 
et
−1  sin θ 0 cos φ0 ± mλ / d x   sin θ 0 sin φ0 ± nλ / d y 

=θ sin
=   sin −1   ( V.107)
 cos φ   sin φ 
Pour qu’un lobe secondaire puise se produire, les deux formes de (IV.107) doivent être satisfait
simultanément (c.-à-d., donne la même valeur de θ ).
122
Le facteur de réseau d’un réseau plan a été déterminé en supposant que chaque élément est une
source isotrope. Si l’antenne est un réseau á élément identique, le champ total peut être obtenu en
appliquant la règle de multiplication de diagramme de (IV.8) de la même façon que pour le
réseau linéaire.
Pour illustrer la formation des lobes secondaires, lorsque d est grande, le diagramme en deux
dimensions d’un réseau à 5 × 5 est présenté à la figure IV.14. En plus des maximum suivant
θ = 0 et θ = 180 , lorsque θ = 90 des maximums supplémentaires de même intensité appelés
lobes secondaires, apparaissent le long des plans principaux.
Quand seul l’élément central d'un grande réseau planaire est excité, on a observé
expérimentalement que des zéros supplémentaires dans le diagramme de l'élément sont
développés ce qui ne sont pas expliqués par la théorie qui n'inclut pas le couplage. Les zéros qui
ont été observés deviennent plus nombreux et plus étroit lorsque le nombre des éléments
entourant l’élément excité augmente. Le couplage diminue très lentement avec la distance, ainsi
même les éléments éloignés des éléments excités subissent une excitation parasite consistante.
Diagramme Diagramme
d’antenne (dB) d’antenne (dB)
Figure IV.14 Diagrammes d'antenne en deux dimensions d'un réseau plan

d'éléments isotropes avec d=
x d=
y λ / 2 de même excitation, amplitude et phase.
123
IV.7.2. Largeur du faisceau

Une procédure très simple peut être employée pour calculer la largeur de faisceau d’un réseau
plan á amplitude non uniforme, dont le maximum n'est pas balayé trop loin de la verticale. La
méthode utilise les résultats d'un réseau linéaire uniforme et du facteur d'élargissement de
faisceau de la distribution d'amplitude.
Le maximum du faisceau principal conique du réseau est supposé orienté vers θ 0 , φ0 comme
représenté sur la figure IV.15. Pour définir la largeur du faisceau, deux plans sont choisi. Un est
le plan d’élévation défini par φ = φ0 et un l’autre plan qui lui est perpendiculaire. La largeur du
faisceau mi-puissance á chacun est donnée, respectivement par Θh et Φ h . Par exemple, si le
maximum de réseau est dirigé vers θ 0 = π / 2 et φ0 = π / 2 , Θh représente la largeur de faisceau
dans le plan y-z, et Φ h la largeur de faisceau dans le plan x-y.

Pour un grand réseau, avec son maximum proche de la vertical, la largeur de faisceau dans le plan
d’élévation Θh , est approximativement donné par
1
Θh = ( V.108)
cos θ 0  Θ cos φ0 + Θ−y20 sin 2 φ0 
2 −2
x0
2
où Θ x 0 représente la largeur de faisceau á mi-puissance d'un réseau linéaire de rayonnement
transversal á M éléments. De même, Θ y 0 représente la largeur de faisceau á mi-puissance d'un
réseau rayonnement transversal de N éléments.

θ0
Θh
Φh
φ0
Figure IV.15 Largeur de faisceau à mi-puissance pour un

faisceau principal conique orienté vers θ = θ 0 et φ = φ0
124
Pour une distribution de Tchebychev, les valeurs de Θ x 0 et Θ y 0 sont obtenus en multipliant
chaque valeur de la distribution uniforme par le facteur d'élargissement de faisceau de (IV.83) ou

la figure IV.12(a). Le même concept peut être employé pour obtenir la largeur de faisceau pour
d’autres distributions si leurs facteurs d'élargissement de faisceau sont disponibles.
Pour un réseau carrée ( M =N , Θ x 0 =Θ y 0 ), et (IV.108) se réduit à :
Θh =Θ x 0 sec θ 0 =Θ y 0 sec θ 0 ( V.109)
La largeur á mi-puissance Φ h , dans le plan perpendiculaire à l'élévation φ = φ0 , est donnée par :
1
Φh = ( V.110)
Θ sin φ0 + Θ−y20 cos2 φ0
−2
x0
2
et elle est indépendante de θ 0 . Pour un réseau rectangulaire, (IV.110) se réduit à :
Φ h =Θ x 0 =Θ y 0 ( V.111)
Les valeurs de Θ x 0 et Θ y 0 sont identiques á ceux dans (IV.108) et (IV.109).
Pour un réseau plan, il est nécessaire de définir l’angle solide de faisceau par :
Ω A =Θh Φ h ( V.112)
En utilisant (IV.108) et (IV.110), (IV.122) sera donnée par :
Θ x 0Θ y 0 sec θ 0
ΩA = 1/ 2 1/ 2
( V.113)
 2 Θ2y 0   2 Θ2x 0 
sin φ0 + 2 cos φ0  sin φ0 + 2 cos φ0 
2 2
 Θx0   Θy0 
IV.7.3. La directivité
La directivité du facteur de réseau AF (θ , φ ) dont le faisceau principal se dirige dans la direction
θ = θ0 et φ = φ0 , peut être obtenue en utilisant la définition de (I.26) et en l’écrivant sous la
forme suivante :
4π [ AF (θ 0 , φ0 )][ AF (θ 0 , φ0 )]
∗
D0 = 2π π
max
( V.114)
∫ ∫ [ AF (θ , φ )][ AF (θ , φ )] sin θθ dφ
∗
0 0 0 0
0 0
125
Une procédure très simple est utilisée pour calculer la directivité d'un réseau plan en utilisant des
données des réseaux linéaires.
Il faut souligner que la directivité d'un réseau avec des caractéristiques bidirectionnelles serait la
moitié de la directivité du même réseau avec des éléments unidirectionnels.
Pour les grands réseaux linaires, qui sont presque transversal, la directivité est donnée par :
D0 = π cos θ 0 Dx D y ( V.115)
Où Dx et D y sont les directivités de chaque réseau linaire transversal, de longueur et nombre
d'éléments Lx , M et Ly , N respectivement. Le facteur cos θ 0 explique la diminution de la
directivité en raison de la diminution de la surface projetée du réseau. Les valeurs de Dx et D y ,
peuvent être obtenus en employant (IV.84) avec le facteur d’élargissement de faisceau f
approprié. Pour des réseaux de Tchebychev, Dx et D y peuvent être obtenues en utilisant (IV.83)
ou la figure IV.12(a) et (IV.84). Alternativement, elles peuvent être obtenues en utilisant les
données graphiques de la figure IV.12(b).
Pour la plupart de distribution d'amplitude pratique, la directivité de (IV.115) est lié à l'angle
solide du faisceau du même réseau tel que
π2 32400
=D0 = ( V.116)
Ω A ( rad ) Ω A (degré 2 )
2
IV.8 LES CONSIDÉRATIONS DE CONCEPTION

Les réseaux d'antennes peuvent être conçus pour contrôler leurs caractéristiques de rayonnement
en sélectionnant correctement la distribution de phase et / ou d'amplitude entre les éléments. Le
contrôle de la phase peut modifier de manière significative le diagramme de rayonnement d'un
réseau. En effet, le principe de balayage des réseaux, où le maximum du diagramme de réseau
peut être orienté dans des directions différentes, repose principalement sur le contrôle de la phase
d'excitation des éléments. De plus, une transition adéquate de l'amplitude d'excitation entre les
éléments peut être utilisée pour contrôler la largeur de faisceau et le niveau des lobes secondaires.
Plus cette transition du centre du réseau vers les bords est régulière, plus le niveau du lobe
secondaire est faible et plus la largeur du faisceau à mi-puissance est grande, et inversement. En
revanche, une distribution brusque, telle que celle d’une illumination uniforme, présente la plus
petite largeur de faisceau à mi-puissance mais un niveau plus élevé des lobes secondaires. La
126
conception de Dolph-Tchebychev permet à la fois un très faible niveau de lobe latéral et une
faible largeur de bande à mi-puissance.
Il est important de relier la largeur du faisceau à la taille de l'antenne, et de maximiser la
directivité de l'antenne dans l’intervalle angulaire défini par la largeur du faisceau, en particulier
au bord de la couverture.
Dans un plan principal (plan x − z; φ =
0 ) de la figure(IV.13), et pour un petite espacement (
d x << λ et d y << λ ) et un grand nombre d'éléments, (IV.95) se réduit á
 Mkd x   Mkd x   kL 
sin  sin θ  sin  sin θ  sin  x sin θ 
( AF ) n (θ , φ= 0)=
1  2   2   2  ( V.117)
M  kd  Mkd
sin θ
kL
sin θ
sin  x sin θ  x x
 2  2 2
où Lx est la longueur du réseau dans la direction x .

Puisque la surface effective maximale d'un réseau uniforme est égale à sa surface physique
Aem = Ap , la directivité maximale est donnée par
4π 4π 4π
=
D0 = Aem = Ap Lx Ly ( V.118)
λ2 2
λ 2
λ
Par conséquent, le diagramme de puissance normalisé dans le plan x − z , multiplié par la
directivité maximale, peut être écrit comme le produit de (IV.117) et (IV.118), et il donné par
  kLx 
 sin  sin θ  
 4π Lx Ly   2 
P(θ , φ= 0)=    kL ( V.119)
 λ 2
 x
sin θ 
 2 
Le maximum de (IV.119) se produit lorsque θ = 00 . Cependant, pour tout autre angle θ = θ c , le

maximum du diagramme se produit lorsque
 kL 
sin  x sin θ c  = 1 ( V.120)
 2 
Ou
π λ
=Lx = ( V.121)
k sin θ c 2sin θ c
Par conséquent, pour maximiser la directivité au bord θ = θ c d'un intervalle angulaire donné
0 ≤ θ ≤ θ c , la dimension optimale de l’ouverture doit être choisie selon (IV.121).
127
Pour une ouverture carrée ( Lx = Ly ), la valeur du diagramme de puissance normalisé de (IV.119)
se produit lorsque θ = 00 , et elle est donnée par

2
L 
P(θ 0=
= ) 4π  x 
0
( V.122)
max
λ 
Tandis que celle au bord de la couverture, en utilisant la dimension optimale, est donnée par
2 2
L  2
P(=θ θ= c) 4π  x    ( V.123)
 λ  π 
Par conséquent, la valeur de la directivité au bord de la couverture désirée ( θ = θ c ), par rapport à
sa valeur maximale à θ = 00 , est
P(θ = θ c )  2 
2
=   = 0.4053 = −3.92dB ( V.124)

P(θ = 0)  π 
Ainsi, la variation de la directivité dans la couverture souhaitée ( 0 ≤ θ ≤ θ c ) est inférieure à 4 dB.
IV.9. RÉSEAU CIRCULAIRE

Le réseau circulaire est une configuration de réseau d'un intérêt très pratique. Ses applications
couvrent la radiogoniométrie, la navigation aérienne et spatiale, la propagation souterraine, le
radar, le sonar, communication sans fil, et en particulier les antennes intelligentes.

Supposons que N éléments isotropes sont équidistants sur le plan x − y le long d'un anneau
circulaire de rayon a , comme le montre la figure IV.16. Le champ normalisé du réseau est donné
par
N
e − jkRn
En ( r , θ , φ ) = ∑ a n ( V.125)
n =1 Rn
où Rn est la distance entre le nième élément et le point d'observation. En général on a
Rn = ( r 2 + a 2 − 2ar cosψ )1/ 2 ( V.126)
Pour r >> a , (IV.125) se réduit á

Rn  r − a cosψ n = r − a sin θ cos(φ − φn )
r − a ( âρ .âr ) = ( V.127)
Où âρ .âr = ( âx cos φn + â y sin φn ).( âx sin θ cos φ + â y sin θ sin φ + âz cos θ ) = sin θ cos(φ − φn )
Ainsi, en supposant que pour les variations d’amplitude Rn  r , (IV.125) se réduit á
128
e − jk N
En ( r , θ , φ ) =
r
∑a e
n =1
n
jka sin θ cos(φ −φn )
( V.128)
Où
an : coefficients d'excitation (amplitude et phase) du nième élément
n
φn = 2π : position angulaire du nième élément sur le plan x − y
N
En général, le coefficient d'excitation du nième élément peut être donné par
an  I n e jαn ( V.129)
Où
I n : L’amplitude d’excitation du nième élément
α n : La phase d’excitation (par rapport au centre du réseau) du nième élément

En utilisant (IV.129), (IV.128) peut s’écrire sous la forme suivante
e − jk
En ( r , θ , φ ) = [ AF (θ , φ )] ( V.130)
r
Avec
N
AF (θ , φ ) = ∑ I n e j [ka sin θ cos(φ −φn ) +αn ] ( V.131)
n =1
Figure IV.16 Géométrie d’un réseau circulaire á N éléments

129
L'équation (IV.131) représente le facteur de réseau d'un réseau circulaire á N éléments

équidistants. Pour diriger le maximum du faisceau principal dans la direction ( θ 0 , φ0 ), la phase
d'excitation du nième élément est donnée par
αn =
−ka sin θ 0 cos(φ0 − φn ) ( V.132)
Ainsi, le facteur de réseau de (IV.131) peut être écrit sous la forme
N N
=
=
AF (θ , φ )
n 1=n 1
∑
= I n e jka [sin θ cos(φ −φn ) − sin θ0 cos(φ0 −φn )] ∑I e n
jka [ cosψ − cosψ 0 ]
( V.133)
Pour simplifier l’expression de (IV.133), on définit ρ 0 tel que :

1/ 2
ρ= a ( sin θ cos φ − sin θ 0 cos φ0 ) + ( sin θ sin φ − sin θ 0 sin φ0 ) 
2 2
( V.134)
0  
Ainsi l’exponentiel dans (IV.133) prend la forme suivante :
k ρ 0 [sin θ cos(φ − φn ) − sin θ cos(φ0 − φn ) ]
ka (cosψ − cosψ 0 ) = 1/ 2
( sin θ cos φ − sin θ 0 cos φ0 )2 + ( sin θ sin φ − sin θ 0 sin φ0 )2 
 
( V.135)
cos φn ( sin θ cos φ − sin θ 0 cos φ0 ) + sin φn ( sin θ sin φ − sin θ 0 sin φ0 )
= k ρ0 1/ 2
 
On définit ξ tel que
sin θ cos φ − sin θ 0 cos φ0
cos ξ = 1/ 2
( V.136)
 
Alors
2 sin θ sin φ − sin θ 0 sin φ0
sin ξ =
1 − cos2 ξ  = 1/ 2
( sin θ cos φ − sin θ0 cos φ0 )2 + ( sin θ sin φ − sin θ 0 sin φ0 )2 
 
( V.137)
Ainsi (IV.135) et (IV.133) peuvent être récrites respectivement sous les formes suivantes :
ka ( cosψ − cosψ 0=
) k ρ 0 ( cos φn cos ξ + sin φn sin ξ=) k ρ 0 cos(φn − ξ ) ( V.138)
N N
AF (θ , φ )
=
=n 1=n 1
∑
= I n e jka [cosψ − cosψ 0 ] ∑I e n
jk ρ 0 cos(φn − ξ )
( V.139)
Avec
 sin θ sin φ − sin θ 0 sin φ0 
s ξ = tan −1   ( V.140)
 sin θ cos φ − sin θ 0 cos φ0 
130
Les équations (IV.139), (IV.134) et (IV.140) peuvent être utilisées pour calculer le facteur de
réseau lorsque N , I n , a, θ 0 et φ0 sont donnés. Cela prend généralement beaucoup de temps,
même pour des valeurs assez grandes de N . Le diagramme en deux dimensions des plans
principaux du facteur de réseau d’un réseau circulaire uniforme de 10 éléments avec ka = 10 est
montré dans la figure IV.17. Lorsque le rayon du réseau devient très grand, la directivité d'un
réseau circulaire uniforme tend vers N , ou N est le nombre d'éléments.
Pour une amplitude d’excitation uniforme pour chaque élément ( I n = I 0 ), (IV.139) peut s'écrire
sous la forme suivante :
+∞
AF (θ , φ ) = NI 0 ∑ J mN ( k ρ 0 )e jmN (π / 2 −ξ ) ( V.141)
−∞
où J p ( x ) est la fonction de Bessel du premier espace. La partie du facteur de réseau associée à la
fonction de Bessel d'ordre zéro J 0 ( k ρ 0 ) est appelée le terme principal et les termes restants sont
notés comme des résidus. Pour un réseau circulaire avec un grand nombre d'éléments, le terme
J 0 ( k ρ 0 ) seul peut être utilisé pour approcher les diagrammes en deux dimensions des plans
principaux. Les termes restants dans (IV.141) sont négligeables parce que les fonctions de Bessel
d’ordres plus grands sont très petites.
──── Plan x-z (φ=0º)

--------Plan y-z (φ=90º)
Figure IV.17 Diagramme d'amplitude du facteur de réseau des plans
principaux pour un réseau circulaire uniforme á 10 éléments ( ka = 10 )
131
CHAPITRE V
RAYONNEMENT DES OUVERTURES
PLANES
V.1. PRINCIPE D'ÉQUIVALENCE DE CHAMP: PRINCIPE DE HUYGENS
L'équivalence de champ est un principe selon lequel les sources réelles, telles qu'une antenne
et un émetteur, sont remplacées par des sources équivalentes.il a été introduite en 1936 par
S.A. Schelkunoff et il est une formulation plus rigoureuse du principe de Huygens qui dit que
"chaque point sur un front d'onde primaire peut être considéré comme une nouvelle source
d'une deuxième onde sphérique et un deuxième front d'onde peut être construit comme
l'enveloppe de cette deuxième onde sphérique".
Le champ dans un milieu sans perte est considéré comme la limite, lorsque les pertes tendent
à zéro, du champ correspondant dans un milieu avec perte. Ainsi, si les champs électriques et
magnétiques tangentiels sont complètement connus sur une surface fermée, les champs dans
la région sans source peuvent être déterminés.
Par le principe d'équivalence, les champs à l'extérieur d'une surface fermée imaginaire sont
obtenus en plaçant sur la surface fermée des densités de courant électrique et magnétique
appropriées qui satisfont les conditions aux limites. Les densités de courant sont choisies tel
que les champs à l'intérieur de la surface fermée soient nuls et à l'extérieur soient égaux au
rayonnement produit par les sources réelles. Ainsi, la technique peut être utilisée pour obtenir
les champs rayonnés à l'extérieur d'une surface fermée par des sources inclus dedans.
Soit une source rayonnante réelle, qui est représentée électriquement par des densités de
courant J 1 et M 1 , comme le montre la figure V.1(a). La source rayonne les champs E1 et H1 .
Pour développer une méthode qui produira les champs à l'extérieur d'une surface fermée, une
surface fermée S est choisie, représentée en pointillés sur la figure V.1(a), et qui contient les
densités de courant J 1 et M 1 . Le volume dans S est noté V1 et en d’hors de S est noté V2 .
La tâche principale consiste à remplacer le problème original (figure V.1(a)), par un problème
équivalent qui donne les mêmes champs E1 et H1 en dehors de S (dans V2 ). La formulation
du problème peut être simplifiée si la surface fermée est bien choisie de sorte que les champs
sur la plupart, ou la totalité de la surface, sont connus a priori.
132
Le problème équivalent de la figure V.1(a) est illustré à la figure V.1(b). Les sources
originales J 1 et M 1 sont supprimées, et on suppose qu'il existe des champs E et H à
l'intérieur de S et des champs E1 et H1 à l'extérieur de S . Pour que ces champs existent à
l'extérieur de S , il faut que les composants tangentielles du champ électrique et magnétique

satisfaire les conditions aux limites. Ainsi sur la surface imaginaire S il doit exister des
sources équivalentes tel que :
n [ H1 − H ]
J s =× (V.1)
M s =−n × [ E1 − E ] (V.2)
et ils rayonnent dans un espace illimité (même milieu). Les densités de courant de (V.1) et
(V.2) sont dites équivalentes uniquement dans V2 , car elles produisent les champs originaux (
E1 , H1 ) uniquement en dehors de S . Les champs E et H différents des originaux ( E1 , H1 ),
résultants dans V1 . Puisque les courants de (V.1) et (V.2) rayonnent dans un espace non borné,
les champs peuvent être déterminés en utilisant (II.26)-(II.31) et la géométrie de la figure
V.2(a). Dans la figure V.2(a), R est la distance entre n'importe quel point de la surface S, où
J s et M s existent et le point d'observation.
(a) Problème réel (b) Problème équivalant

Figure V.1 Modèles réel et équivalant
Jusqu'à la, les composantes tangentielles de E et H ont été utilisées pour établir le problème
équivalent. À partir des concepts d'unicité électromagnétique, les composantes tangentielles
de seulement E ou H sont nécessaires pour déterminer les champs.
Puisque les champs E et H dans S peuvent être quelconques (ce n'est pas la région qui nous
intéresse), on peut supposer qu'ils sont nuls. Dans ce cas, le problème équivalent de la figure
V.1(b) se réduit à celui de la figure V.3(a) avec les densités de courant équivalentes donnés
par
J s =× n H1
n ( H1 − H ) H = 0 =× (V.3)
133
M s =−n × ( E1 − E ) E = 0 =n × E1 (V.4)
Cette forme du principe d'équivalence de champ est connue sous le nom de principe
d'équivalence de Love. Puisque les densités de courant de (V.3) et (V.4) rayonnent dans un
milieu non borné (le même µ et ε ), elles peuvent être utilisées simultanément avec (II-26)-
(II.31) pour déterminer le champ dans tous l’espace.
Sur S Point d’observation

Sur S
(b) Champ lointain

(a) Champ proche
Figure V.2 Système de coordonnée pour l’analyse de l’antenne á ouverture
Le principe d'équivalence de Love de la figure V.3 (a) produit un champ nul dans la surface
= H
imaginaire S . Puisque la valeur de E = 0 dans S ne peut pas être perturbée si les
propriétés du milieu à l'intérieur sont modifiées, supposons qu'il est remplacé par un
conducteur électrique parfait ( σ = ∞ ). L'introduction du conducteur parfait aura un effet sur
la source équivalente J s , et interdira l'utilisation de (II-26)-(II-31) puisque les densités de
courant ne rayonnent plus dans un milieu non borné. Imaginons que la configuration
géométrique du conducteur électrique soit identique au profil de la surface imaginaire S sur
laquelle existent J s et M s . Lorsque le conducteur électrique prend sa place, comme le montre
la figure V.3(b), la densité de courant électrique J s , qui est tangente à la surface S , est court-
circuitée par le conducteur électrique. Ainsi, le problème équivalent de la figure V.3(a) se
réduit à celui de la figure V.3(b).
Il n'existe qu'une densité de courant magnétique M s sur S , et elle rayonne en présence du
conducteur électrique produisant en dehors de S des champs E1 et H1 . Dans S les champs

sont nuls mais. La difficulté d'utiliser le problème d’équivalence de la figure V.3(b) est que
(II-26)-(II-31) ne peut pas être utilisé, parce que les densités de courant ne rayonnent pas dans
134
un milieu non borné. Il semble donc que le problème d’équivalence est tout aussi difficile que
le problème original lui-même.
De la figure V.3(a), supposons qu'au lieu de placer un conducteur électrique parfait dans S ,
on introduit un conducteur magnétique parfait qui court-circuite la densité de courant
magnétique et réduit le problème équivalent à celui de la figure V.3(c). Comme c'était le cas
avec le problème d’équivalent de la figure V.3(b), (II.26)-(II.31) ne peut pas être utilisé avec
la figure V.3(c) et le problème est tout aussi difficile que celui de la figure V.3(b) ou de
l’original de la figure V.1 (a).
(a) Equivalence de Love (b) Conducteur électrique équivalant
(b) Conducteur magnétique équivalant

Figure V.3 Principe de modèles équivalents
Pour voir l'utilité du principe d'équivalence de champ, en particulier celui de la figure V.3(b),
supposons que la surface du conducteur électrique soit plate et s'étende à l'infini comme le
montre la figure V.4(a). Pour cette géométrie, le problème est de déterminer le rayonnement
d’une source magnétique en présence d'un conducteur électrique plat. De la théorie de
l'image, ce problème se réduit à celui de la figure V.4(b) où une source magnétique
imaginaire est introduite du côté du conducteur et prend sa place. Puisque la source
imaginaire est dans la même direction que la source équivalente, le problème d’équivalence
de la figure V.4(b) se réduit à celui de la figure V.4(c).
La densité de courant magnétique est doublée, elle rayonne dans un milieu non borné, et
(II.26)-(II-31) peuvent être utilisées. Le problème d’équivalence de la figure V.4(c) donne les
champs exactes E , H sur le côté droit de l'interface. Si la surface n'est pas plane et infinie,
135
mais que sa courbure est grande par rapport à la longueur d'onde, une bonne approximation
est le problème d’équivalence de la figure V.3(c).
Figure V.4 Modèles équivalents d’une source magnétique rayonnant à

proximité d'un conducteur électrique parfait.
RÉSUMÉ
Les étapes qui doivent être utilisées pour former une équivalence et résoudre un problème
d'ouverture sont les suivantes:
1. Sélectionnez une surface imaginaire entourant les sources réelles (l'ouverture). La
surface doit être bien choisie pour que les composantes tangentielles du champ
électrique et / ou magnétique soient connues, exactement ou approximativement, sur
toute son envergure. En général, cette surface est un plan s'étendant à l'infini.
2. Sur la surface imaginaire, former des densités de courant équivalentes J s , M s qui
prennent l'une des formes suivantes:
a. J s et M s sur S on supposant que les champs E et H dans S ne sont pas nuls.
b. ou J s et M s sur S en supposant que les champs E et H dans S sont nuls

(Théorème de Love)
c. ou M s sur S ( J s = 0 ) en supposant que dans S le milieu est un conducteur
électrique parfait
d. ou J s sur S ( M s = 0 ) en supposant que dans S le milieu est un conducteur
magnétique parfait.
3. Résoudre le problème équivalent. Pour les formes (a) et (b), (II.26)-(II.31) peut être
utilisé. Pour la forme (c), le problème d'une source de courant magnétique à proximité
d'un conducteur électrique parfait doit être résolu [(II.26)-(II.31) ne peuvent pas être
utilisées directement]. Si le conducteur électrique est un plan infini, le problème peut
être résolu par la théorie de l'image. Pour la forme (d), le problème d'une source de
136
courant électrique à côté d'un conducteur magnétique parfait doit être résolu. De
nouveau (II.26)-(II.31) ne peut pas être utilisé directement. Si le conducteur
magnétique est un plan plat, le problème peut être résolu par la théorie de l'image.
V.2. ÉQUATIONS DE RAYONNEMENT

Les champs rayonnés par les sources J s et M s dans un milieu non borné peuvent être calculés
en utilisant (II.26)-(II.31) en intégrant sur toute la surface occupé par J s et M s . Ces équations
donnent des solutions valables pour tous les points d'observation. Pour la plupart des
problèmes, la difficulté principale est et le calcul des intégrales dans (II.26) et (II.27).
Cependant, cette difficulté sera réduite pour les champs lointains.
Pour des observations en champ lointain, généralement R est donné par
R  r − r ' cosψ pour la variation de phase (V.5)
Rr pour la variation d'amplitude (V.6)

où ψ est l'angle entre les vecteurs r et r' . Les coordonnées primées
( x ', y ', z ', ou r ', θ ', φ ') indiquent l'espace occupé par les sources J s et M s , sur lesquelles
l'intégration doit être effectuée. Les coordonnées non primées ( x, y , z, ou r, θ , φ )
représentent le point d'observation. L'approximation de (V.5) suppose que les vecteurs R et
r sont parallèles
En utilisant (V-5) et (V-6), (II-26) et (II.27) seront données par
µ e − jkR µ e − jkr
A=
4π ∫∫ J s
S
R
ds ' 
4π r
N (V.7)
µ
∫∫ J e
− jkr ' cosψ
N= ds ' (V.8)
4π
s
S
ε e − jkR ε e − jkr
F=
4π ∫∫ M s
S
R
ds ' 
4π r
L (V.9)
ε
∫∫ M e
− jkr ' cosψ
L= ds ' (V.10)
4π
s
S
Pour le champ lointain, seules les composantes θ et φ de E et H dominent. En utilisant

(II.60)-(II.63), E A de (II.28) et H F de (II.30) seront données par
( E A )θ  − jω Aθ (V.11)
( E A )φ  − jω Aφ (V.12)
137
( H F )θ  − jω Fθ (V.13)
( H F )φ  − jω Fφ (V.14)
et EF de (II.28) et H A de (II-30), à l'aide de (V.11)-(V.14) seront données par
( EF )θ  η ( H F )φ = − jωη Fφ (V.15)
( EF )φ  −η ( H F )θ =
jωη Fθ (V.16)
( E A )φ A
( H A )θ  − jω φ
= (V.17)
η η
( E A )θ A
( H A )φ  = − jω θ (V.18)
η η
En Combinant (V.11)-(V.14) avec (V.15)-(V.18) et en utilisant (V.7)-(V.10), les champs
totales E et H peuvent être donnés par
Er  0 (V.19)
jke − jkr
Eθ  −
4π r
( Lφ + η Nθ ) (V.20)
jke − jkr
Eφ 
4π r
( Lθ − η Nφ ) (V.21)
Hr  0 (V.22)
jke − jkr  Lθ 
Hθ 
4π r  Nθ − η  (V.23)
 
jke − jkr  Lφ 
Hφ  −  Nθ +  (V.24)
4π r  η 
Nθ , N φ , Lθ et Lφ peuvent être obtenus à partir de (V.8) et (V.10). Ainsi
∫∫ J e ∫∫ ( a )
J x + a y J y + a z J z e jkr ' cosψ ds '
jkr ' cosψ
N= s ds=' x (V.25)
S S
∫∫ M e ∫∫ ( a M )
+ a y M y + a z M z e jkr ' cosψ ds '
jkr ' cosψ
=
L s ds=' x x
(V.26)
S S
En utilisant la transformation des coordonnés cartésiennes au sphériques, les composantes θ

et φ de (V.25) et (V.26) sont données par
N=
θ ∫∫ ( J
S
x cos θ cos φ + J y cos θ sin φ − J z sin θ ) e jkr ' cosψ ds ' (V.27)
∫∫ ( − J x sin φ + J y cos φ ) e
jkr ' cosψ
Nφ = ds ' (V.28)
S
138
L=
θ ∫∫ ( M
S
x cos θ cos φ + M y cos θ sin φ − M z sin θ ) e jkr ' cosψ ds ' (V.29)
∫∫ ( − M x sin φ + M y cos φ ) e
jkr ' cosψ
Lφ = ds ' (V.30)
S
RÉSUMÉ
Pour résoudre un problème utilisant les intégrales de rayonnement, la procédure á suivre est la
suivante :
1. Sélectionnez une surface fermée sur laquelle les champs E A et H A sont connus.
2. Former les densités de courant équivalentes J s et M s sur S en utilisant (V.3) et
(V.4) avec H1 = H A et E1 = E A .
3. Déterminer les potentiels A et F en utilisant (V.7)-(V.10) où l'intégration est
sur la surface fermée S .
4. Déterminer les champs rayonnés E et H en utilisant (II.28) et (II.30).
Les étapes ci-dessus sont valables pour le champ proche et champ lointain en dehors de la
surface S . Cependant, si le point d'observation est dans le champ lointain, les étapes 3 et 4
peuvent être remplacées par i et ii. A savoir
i. Déterminer Nθ , N φ , Lθ et Lφ en utilisant (V.27)-(V.30).
ii. Déterminer les champs rayonnés E et H en utilisant (V.19)-(V.24).

Certaines étapes décrites ci-dessus peuvent être réduites par un choix judicieux du modèle
équivalent.
V.3. DIRECTIVITÉ
La directivité d'une ouverture peut être déterminée en déterminant l'intensité de rayonnement
U (θ , φ ) , tel que
1  
( ) (
Re aθ Eθ + a φ Eφ × a θ Hθ + a φ H φ ) = 1
( )
* 2 2
U (θ , φ=
) Eθ0 + Eφ0 (V.31)
2  2η
Ou en forme normalisée
( 2
U n (θ , φ ) = Eθ0 (θ , φ ) + Eφ0 (θ , φ )
2
) = B F (θ ,φ )
0 (V.32)
Une équation générale pour la directivité ne peut pas être développée, parce que l'intensité de
rayonnement pour chaque antenne á ouverture sera d'une forme différente,
139
V.4. OUVERTURES RECTANGULAIRES

En raison de la configuration de l'ouverture rectangulaire, le système de coordonnées
cartésiennes est le système le plus pratique pour exprimer les champs à l'ouverture. La figure
V.5 montre les trois positions de coordonnées les plus pratiques utilisées pour la solution
d'une antenne à ouverture. Pour une distribution de champ donnée, les formes analytiques des
champs pour chaque configuration ne sont pas les mêmes. Cependant les valeurs calculées
seront les mêmes, puisque le problème physique est identique dans tous les cas.
Pour chaque géométrie illustrée à la figure V.5, la seule différence dans l'analyse réside dans
la formulation de :
(
1. les composantes des densités de courant équivalentes J x , J y , J z , M x , M y , M z )
2. la différence de trajectoires de la source au point d’observation ( r'cosψ )
3. la surface différentielle ds '
(a) (b)
(c)
Figure V.5 Positions d’ouverture rectangulaire pour l'analyse du système d'antenne
En général, les composantes non nulles de J s et M s sont :
140
J y , J z , M y , M z figure V.5(a) (V.33)
Jx, Jz, M x, Mz figure V.5(b) (V.34)
Jx, J y, M x, M y figure V.5(c) (V.35)
Les chemins différentiels prennent la forme :
r 'cosψ = ( )(
a y y '+ a z z ' . a x sin θ cos φ + a y sin θ sin φ + a z cosθ
r '.a r = ) (V.36)
= y 'sin θ sin φ + z 'cosθ [figure V.5(a)]
r '.a r =
r 'cosψ = ( )(
a x y '+ a z z ' . a x sin θ cos φ + a y sin θ sin φ + a z cosθ ) (V.37)
= x 'sin θ cos φ + z 'cos θ [figure V.5(b)]
r '.a r =
r 'cosψ = ( )(
a x y '+ a y z ' . a x sin θ cos φ + a y sin θ sin φ + a z cosθ ) (V.38)
= y 'sin θ cos φ + y 'sin θ sin φ [figure V.5(c)]
et les surfaces différentielles sont représentées par
ds ' = dy ' dz ' [figure V.5(a)] (V.39)
ds ' = dx ' dz ' [figure V.5(b)] (V.40)

ds ' = dx ' dy ' [figure V.5(c)] (V.41)
V.4.1. Distribution uniforme sur un plan de masse infini

Soit une ouverture rectangulaire montée sur un plan de masse infini, comme le montre la
figure V.6. Pour réduire les complexités mathématiques, au début le champ sur l'ouverture est
supposé constant et donné par
Ea a y E0
= −a / 2 ≤ x' ≤ a / 2 −b/2≤ y'≤ b/2 (V.42)
où E0 est une constante. Il faut trouver les champs rayonnés par ce champ, les largeurs de
faisceau, les niveaux des lobes secondaires et la directivité. Pour cela, l'équivalent sera formé
en premier.
V.4.1.1. Équivalent
Pour former l'équivalent, on choisit une surface fermée qui s'étend de -∞ à + ∞ sur le plan
x − y . Le problème physique de la figure V.6 est identique à celui de la figure V.7(a), dont
les équivalents sont ceux des figures V.7(b)-(e). En utilisant l'équivalent de la figure 12.7(e),
on a :
141
 −2n × Ea = −2a z × a y E0 =2a x E0 −a / 2 ≤ x' ≤ a / 2 −b / 2 ≤ y' ≤ b/ 2

Ms = 
0 ailleurs (V.43)
Js = 0 partout
Figure V.6 Ouverture rectangulaire sur un plan de masse électrique infini.
Figure V.7 Modèles équivalents pour l'ouverture du guide d'ondes montée sur un
plan de masse électrique infini
V.4.1.2. Champs de rayonnement: Éléments et facteurs d'espace

Les champs rayonnés en zone lointaine par l'ouverture de la figure V.6 peuvent être
déterminés en utilisant (V.19)-(V-24), (V.27)-(V.30), (V.35), (V.38), (V.41) et (V.43). Ainsi,
142
N=
θ N=
φ 0 (V.44)
b/2 a /2
∫ ∫ [M cos θ cos φ ] e
jk ( x ' sin θ cos φ + y ' sin θ sin φ )
Lθ = x dx ' dy '
−b / 2 −a / 2
(V.45)
 b/2 a /2 
Lθ = cos θ cos φ  ∫ ∫ M x e jk ( x ' sin θ cos φ y ' sin θ sin φ )dx ' dy ' 
+
 −b / 2 −a / 2 
Dans (V.45), l'intégrale entre crochets représente le facteur d'espace pour une distribution
bidimensionnelle. Pour la composante Lθ .du potentiel vectoriel F , le facteur d'élément est
égal au produit du facteur en dehors des parenthèses dans (V.45) et le facteur en dehors des
parenthèses de (V.21). Le champ total est égal au produit du facteur d'élément et facteur
d'espace, et exprimé en (V.20) et (V.21). En utilisant l'intégrale :
α 
c/2 sin  c 
e jα z dz = c 
2 
∫
−c /2
α
(V.46)
c
2
Alors, (V.45) se réduit á
 sin X sin Y 
Lθ = 2abE0 cos θ cos φ sin (V.47)
 X Y 
ka kb
avec X = sin θ cos φ et Y = sin θ sin φ
2 2
De même, on peut montrer que
 sin X sin Y 
Lφ = −2abE0 sin φ sin (V.48)
 X Y 
En substituant (V.44), (V.47) et (V.48) dans (V.19)-(V.24), les champs rayonnés par
l'ouverture peuvent être donnés par
Er  0 (V.49)
jabkE0e − jkr  sin X sin Y 

Eθ =  sin φ  (V.50)
2π r  X Y 
abkE0e − jkr  sin X sin Y 

Eφ = j  cos θ cos φ  (V.51)
2π r  X Y 
Hr = 0 (V.52)
Eφ
Hθ = − (V.53)
η
143
Eθ
Hφ = (V.54)
η
Les principaux diagrammes plans sont
Plan E ( φ = π / 2 )
E=
r E=
φ 0 (V.55)
  kb 
− jkr  sin  2 sin θ  
  
jabkE0e
Eθ = (V.56)
2π r  kb
sin θ 
 2 
Plan H ( φ = 0 )
E=
r E=
θ 0 (V.57)
  ka 
− jkr  sin  sin θ  
Eφ =
jabkE0e
cos θ  2  (V.58)
2π r  ka
sin θ 
 2 
Les diagrammes en deux dimensions dans les deux principaux plans pour une ouverture avec
a = λ , b = 2λ sont illustrés à la figure V.8. Pour cette ouverture, et pour toutes autres
dimensions d’ouvertures montées sur un plan de masse infini, les diagrammes du plan H le
long du plan de masse disparaissent. Les diagrammes du plan E, en général, ne doivent pas
disparaître le long du plan de masse, sauf si la dimension de l'ouverture ne soit un multiple
d'une longueur d'onde.
En pratique, les plans de masse infinis ne sont pas réalisables, mais ils peuvent être
approximés par de grandes structures. Les effets de bord des plans de masse finie, peuvent
être expliqués par des techniques de diffraction.
Diagramme d’amplitude Diagramme d’amplitude
Plan E
Plan H
Figure V.8 Diagramme d'amplitude des plans E et H d’une ouverture á

distribution uniforme montée sur un plan de masse infini.
144
V.4.1.3. Largeurs du faisceau

Pour le diagramme du plan E donné par (V.56), le rayonnement maximum est dirigé le long
de l'axe z (θ=0). Les zéros se produisent lorsque
kb
θ
sin= π , n 1, 2, 3,...
n= (V.59)
2 θ =θ n
Ou
−1  2nπ  −1  nλ 
=θ n sin
=   sin   rad
 kb   b 
(V.60)
 nλ 
= 57.3sin −1   degrées, n=1, 2, 3, ...
 b 
Si b >> nλ , (V.60) se réduit á
nλ  nλ 
θn  rad = 57.3   degrées, n=1, 2, 3, ... (V.61)
b  b 
La largeur total du faisceau entre les zéros est donnée par
 nλ   nλ 
Θ=
n 2θ=
n 2sin −1   rad= 114.6sin −1   degrées, n=1,2,3, ... (V.62)
 b   b 
Pour b >> nλ elle se réduit á
2nλ  nλ 
=Θn 2θ=
n  rad 114.6   degrées, n=1, 2, 3, ... (V.63)
b  b 
La largeur du faisceau au premier nul ( FNBW ) est obtenue pour n=1.
Le point á mi-puissance se produit lorsque :
kb
sin θ
= =
1.391, n 1, 2, 3,... (V.64)
2 θ =θ h
Ou
−1  2.782  −1  0.443λ  −1  0.443λ 

=θ h sin
=   sin =  rad 57.3sin   degrées (V.65)
 kb   b   b 
Si b >> 0.443λ , (V.65) se réduit á :
 0.443λ  λ 
=θ h =  rad 25.38   degrées (V.66)
 b  b
Ainsi, la largeur de faisceau á mi-puissance ( HPBW ) est donnée par :
 0.443λ  −1  0.443λ 
Θ=
h 2θ=
h 2 sin1   rad= 114.6sin   degrées (V.67)
 b   b 
Ou pour b >> 0.443λ , elle est donnée par :
145
 λ λ 
Θh   0.886  rad =
50.8   degrées (V.68)
 b b
Le maximum du premier lobe secondaire se produit lorsque :
kb
sin θ = 4.494 (V.69)
2 θ =θ s
Ou
−1  8.988  −1  1.43λ  −1  1.43λ 

=θ s sin
=   sin   rad=57.3sin   degrées (V.70)
 kb   b   b 
Si b >> 0.443λ , (V.70) se réduit á
λ  λ 
θ s  1.43   rad=81.9   degrées (V.71)
b b
La largeur du faisceau totale entre les premiers lobes secondaires ( FSLBW ) est donnée par :
 1.43λ  −1  1.43λ 
Θs = 2θ s = θ s = 2 sin −1   rad=114.6sin   degrées (V.72)
 b   b 
Ou pour b >> 0.443λ , elle est donnée par :
λ  λ 
Θs  2.86   rad=163.8   degrées (V.73)
b b
V.4.1.4. Niveau du lobe secondaire

Le maximum de (V.56) au premier lobe secondaire est donné par
sin(4.494)
Eθ (θ = θ s ) = = 0.217 = −13.26dB (V.74)
4.494
Une valeur approximative du maximum du premier lobe secondaire peut être obtenue en
supposant que le maximum de (V.56) se produit lorsque son numérateur est maximum. Ainsi
kb 3π
sin θ  (V.75)
2 θ =θ s 2
Ainsi
1
Eθ (θ = θ s )  = 0.212 = −13.47dB (V.76)
3π / 2
Cette valeur est très proche de celle donnée par (V.74).
Une procédure similaire peut être suivie pour trouver les zéros, les points à -3dB, l'ouverture
du faisceau entre les zéros et les points à -3dB, l'angle où se produit le maximum du premier
lobe secondaire et son amplitude à ce point pour le plan H de (V.58).
146
V.4.1.5. Directivité
La directivité pour l'ouverture peut être déterminée en utilisant (V.49)-(V.51), (V.31)-(V32),
et (I.22)-(I.26). Les détails de calculs sont plus difficiles et en particulier la puissance
rayonnée. Puisque l'ouverture est montée sur un plan de masse infini, une méthode
supplémentaire et plus simple peut être utilisée. La densité de puissance moyenne est d'abord
calculée en utilisant les champs à l'ouverture, et elle est ensuite intégrée sur les limites
physiques de l'ouverture. En utilisant la figure V.6 et en supposant que le champ magnétique à
l'ouverture est donné par :
E0
H a = − a x (V.77)
η

2 2
E0 E
=Pr ad ∫∫=
 W .ds
S
av = ∫∫
2η S
ds ab 0
2η
(V.78)
L'intensité de rayonnement maximale ( U max ), en utilisant les champs de (V.49)-(V.50), se
produit á θ = 0 et elle est donnée par :

0
2 2
 ab  E
U max =   0 (V.79)
 κ  2η
Ainsi, la directivité est donnée par :
4π U max 4π 4π 4π
=
D0 = = ab = AP Aem (V.80)
Pr ad λ 2
λ 2
λ2
Où AP est la surface physique de l'ouverture, Aem est la surface effective maximale de

l'ouverture. La surface physique et la surface effective maximale d'une ouverture à
distribution constante sont égales.
V.4.2. Distribution uniforme dans l'espace

Lorsque l’ouverture n'est pas montée sur un plan de masse infini, la distribution du champ est
donnée par
Ea = a y E0  −a / 2 ≤ y ' ≤ a / 2

 (V.81)
H a = − a x E0 / η  −b / 2 ≤ y ' ≤ b / 2

où E0 est une constante. La géométrie de l'ouverture de ce problème est identique à la
précédente. Cependant les équivalents et les champs rayonnés sont différents.
147
V.4.2.1. Équivalent
Pour former l'équivalent, on choisit une surface fermée qui s'étend de -∞ à + ∞ sur le plan
x − y . La difficulté rencontrée dans ce problème est que J s et M s ne sont pas nuls en dehors
de l'ouverture, et leurs expressions ne sont pas connues. Le remplacement du milieu semi-

infini à gauche de la limite (z négatif) par un conducteur électrique ou magnétique imaginaire
ne supprime que l'une des densités de courant ( J s ou M s ) mais pas les deux. Ainsi, même s’il
existe un équivalent exact de ce problème, pratiquement il ne peut être utilisé car les champs
en dehors de l'ouverture ne sont pas connus a priori. Nous sommes donc obligés d'adopter un
équivalent approximatif.
La simplification habituelle et la plus précise et qui donne les meilleurs résultats, consiste à
supposer que Ea et H a ( J s et M s ) existent sur l'ouverture mais sont nuls en dehors de celle-
ci.
V.4.2.2. Champs rayonnés

Les caractéristiques de rayonnement peuvent être déterminées en utilisant une procédure
similaire à celle de la section précédente.
Les composantes de champ sont de forme semblable à celles de l'ouverture montée sur un
plan de masse infini si le terme ( 1 + cos θ ) dans chaque composante est remplacé par 2. Ainsi,
pour de petites valeurs de θ, les diagrammes des deux ouvertures sont presque identiques.
Cependant, le système de coordonnées choisi doit avoir l'axe z perpendiculaire à l'ouverture.
Un diagramme en trois dimensions pour une ouverture avec a = 3λ , b = 2λ , est montré dans
la figure V.9. En raison de l'espace élargi sur lequel les champs existent ( 0 ≤ θ ≤ 180 ), des
 
lobes secondaires supplémentaires sont formés.

Amplitude relative Diagramme d'antenne
Plan H (plan x-z ) Plan E (plan y-z

Figure V.9 Diagramme de champ en trois )
dimensions d'une
ouverture rectangulaire à champ constant
148
V.4.2.3. Largeurs de faisceau et niveaux des lobes secondaires

Pour déterminer les largeurs de faisceau et l'angle auquel le maximum du lobe secondaire se
produit, on suppose généralement que le terme ( 1 + cos θ ) est une fonction qui varie plus
lentement que sin ( ka sin θ / 2 ) / ( ka sin θ / 2 ) ou sin ( kb sin θ / 2 ) / ( kb sin θ / 2 ) . C'est une
approximation, qui est plus valable pour les larges ouvertures et pour les angles proches du
maximal principal. Ainsi (V.59)-(V.76) peuvent être utilisées pour calculer les largeurs de
faisceau et le niveau des lobes secondaires.
V.4.2.4. Directivité
Bien que la géométrie physique de l'ouverture de ce problème soit identique à celle de la
précédente, leurs directivités ne sont pas identiques. Les champs en dehors de l'ouverture le
long du plan x − y ne sont pas exactement les mêmes. La détermination d’une expression
exacte de la directivité de cette ouverture est très difficile. Puisque les diagrammes des
ouvertures sont presque les mêmes, en particulier au lobe principal, leurs directivités sont
presque les mêmes.
V.4.3. Distribution en mode TE10 sur un plan de masse infini

L’antenne à ouverture couramment utilisée est celle d'un guide d'onde rectangulaire monté sur
un plan de masse infini. A l'ouverture, le champ est généralement approximé par le mode
dominant TE10, tel que
 π   −a / 2 ≤ x ' ≤ a / 2
Ea = a y E0 ^ cos  x '   (V.82)
 a   −b / 2 ≤ x ' ≤ b / 2
V.4.3.1. Équivalent, champs rayonnés, largeurs de faisceau et niveaux des

lobes secondaires
Parce que la géométrie physique de cette antenne est identique à celle de la figure V.6, leurs
équivalents et la procédure d'analyse de chacune sont identiques. Ils diffèrent seulement dans
la distribution du champ sur l'ouverture.
Le diagramme du plan E de cette ouverture est de forme identique (sauf un facteur de
normalisation) á celui de l'ouverture de la section précédente. Ce n'est pas le cas pour le plan
H ou pour tous les autres points loin des plans principaux. Pour démontrer cela, le diagramme
en trois dimensions pour l'ouverture en mode TE10 avec a = 3λ , b = 2λ est montré dans la
figure V.10.
149
Les expressions pour les largeurs de faisceau et le niveau des lobes secondaires dans le plan E
sont identiques à celles données par (V.59)-(V76). Cependant, pour le plan H elles sont plus
complexes. Le HPBW , FNBW , FSLBW et FSLMM dans les plans E et H sont représentés
dans les figures V.11 et V.12.
Lorsque la même ouverture n'est pas montée sur un plan de masse, on introduit dans chacune
des composantes du champ ( Eθ et Eφ ) le facteur (1 + cos θ ) / 2 .
Diagramme d'antenne
Amplitude relative

)
Figure V.10 Diagramme de champ 3D d'un guide d'onde rectangulaire en mode TE10
monté sur un plan de masse infini
Amplitude maximale relative du premier lobe secondaire
Amplitude maximale relative du premier lobe

Largeur de faisceau (degrés)
HPBW
FNBW
HPBW FSLBW
FNBW FSLMM
FSLBW
FSLMM
Dimension a de l’ouverture (longueur
Dimension b de l’ouverture (longueur
Figure V.11 Largeurs de faisceau du plan E et Figure V.12 Largeurs de faisceau du plan H et
amplitude maximale relative du premier lobe amplitude maximale relative du premier lobe
secondaire d’un guide d'onde rectangulaire en secondaire d’un guide d'onde rectangulaire en
mode TE10 monté sur un plan de masse infini. mode TE10 monté sur un plan de masse infini.
150
V.4.3.2. Directivité et efficacité d'ouverture

La directivité de cette ouverture est déterminée de la même manière que celle de l'ouverture
de distribution uniforme. En utilisant le champ électrique de l'ouverture de (V.82), et en
supposant que le champ magnétique de l'ouverture est lié au champ électrique par l'impédance
intrinsèque η , la puissance rayonnée peut être donnée par :
2
E
= ∫∫=
Pr ad  Wav .ds ab 0
4η
(V.83)
L'intensité de rayonnement maximale se produit à θ = 0 , et elle est donnée par

0
2 2
8  ab  E
U max = 2  0 (V.84)
π  λ  4η
A. Ainsi, la directivité est donnée par
8  4π   4π   4π   4π 
=D0 = =
ab  2  0.81 =
ab  2  0.81 Ap  2  Aem  2  (V.85)
π 2
λ  λ  λ  λ 
En général, la surface effective maximale Aem est liée à la surface physique Ap par
=Aem ε ap Ap , 0 ≤ ε ap ≤ 1 (V.86)
où ε ap est l'efficacité d'ouverture. Dans ce cas, ε ap = 8 / π 2  0.81 .Les antennes à ouverture
ont des efficacités d'ouverture d'environ 30% à 90%.
V.5. LES OUVERTURES CIRCULAIRES

L'une des caractéristiques intéressantes de cette ouverture est que des expressions de champ
de formes exactes peuvent être obtenues, pour n’importe quel mode qui peut exister sur
l'ouverture. La procédure pour déterminer les champs rayonnés identique à celle de
l’ouverture rectangulaire. Les différences principales résident dans la formulation des densités
de courant équivalentes ( J x , J y , J z , M x , M y , M z ), r ' cosψ et ds ' .
Les coordonnées cylindriques sont plus adaptées pour la solution des champs. Ainsi, les
composants de champ électrique et magnétique sur l'ouverture sont Eρ , Eφ , E z , H ρ , H φ et
H z . Alors, les composantes de M s et J s sont M ρ , M φ , M z , J ρ , J φ , J z .
La position la plus pratique pour placer l'ouverture est celle illustrée à la figure V.13
(ouverture sur le plan x − y ). La relation entre les composantes rectangulaires et cylindriques
de J s est donnée par
151
 J x  cos φ ' sin φ ' 0  J ρ 

 J  =  sin φ ' cos φ ' 0  J  (V.87)
 y   φ
 J z   0 0 1  J z 
Une transformation similaire existe pour les composants de M s . Les coordonnées

rectangulaires et cylindriques sont liées par
x ' = ρ ' cos φ '
y ' = ρ ' sin φ ' (V.88)
z' = z'
Figure V.13 Ouverture circulaire monté sur un plan de masse infini
En utilisant (V.87), (V.27)-(V.30) seront données par :
=Nθ ∫∫ ( J ρ cos θ cos(φ − φ ') + J φ cos θ sin(φ − φ ') − J

S
z sin θ ) e jkr ' cosψ ds ' (V.89)
∫∫ ( − J ρ sin(φ − φ ') + J φ cos(φ − φ ') ) e

jkr ' cosψ
Nφ = ds ' (V.90)
S
=Lθ ∫∫ ( M ρ cos θ cos(φ − φ ') + M φ cos θ sin(φ − φ ') − M

S
z sin θ ) e jkr ' cosψ ds ' (V.91)
∫∫ ( − M ρ sin(φ − φ ') + M φ cos(φ − φ ') ) e

jkr ' cosψ
Lφ = ds ' (V.92)
S
où r ' cosψ et ds ' , en utilisant (V.38) et (V.88), seront données par :
r ' cosψ = x 'sin θ cos φ + y 'sin θ sin φ = ρ 'sin θ cos(φ − φ ') (V.93)
= =
ds ' dx ' dy ' ρ ' d ρ ' dφ ' (V.94)
152
Alors, pour une antenne à ouverture circulaire, les champs rayonnés peuvent être obtenus par
l’une des étapes suivantes :
1. Si les champs sur l'ouverture sont connus en composantes rectangulaires, on utilise la
même procédure que pour l'ouverture rectangulaire avec (V.93) et (V.94) substituée
dans (V.27)-(V.30).
2. Si les champs sur de l'ouverture sont connus en composants cylindriques, on utilise la
même procédure que pour l'ouverture rectangulaire avec (V.89)-(V.92), et (V.93)-
(V.94), prenant la place de (V.27)-(V.30).
V.5.1. Distribution uniforme sur un plan de masse infini

Le champ rayonné par une ouverture circulaire montée sur un plan de masse infini sera
formulé. Pour simplifier les détails mathématiques, on suppose que le champ sur l'ouverture
est constant et donné par :
=Ea a y E0 ρ ' ≤ a (V.95)
Où est une E0 constante
V.5.1.1. Équivalent et champs rayonné

Le problème d’équivalent de celle-ci est identique à celui de la figure V.6. C'est-à-dire,
 −=2n × Ea a x 2 Ea ρ'≤a
Ms = 
0 ailleurs (V.96)
Js = 0 partout
Ainsi :
N=
θ N=
φ 0 (V.97)
 2π jk ρ ' sin θ cos(φ −φ ') 

a
Lθ = 2 E0 cos θ cos φ ∫ ρ '  ∫ e dφ ' d ρ ' (V.98)
0 0 
Puisque :
2π
∫e dφ ' = 2π J 0 ( k ρ ' sin θ )

jk ρ ' sin θ cos(φ −φ ')
(V.99)
0
Alors (V.98) peut être écrite comme :

a
Lθ = 4π E0 cos θ cos φ ∫ J 0 ( k ρ ' sin θ ) ρ ' d ρ ' (V.100)
0
153
où J 0 (t ) est la fonction de Bessel d'ordre zéro de premier espèce. On utilisant le changement

de variable :
t = k ρ 'sin θ
dt = k sin θ d ρ '
(V.100) se réduit á :
ka sin θ
4π E0 cos θ cos φ
Lθ =
( k sin θ )
2 ∫
0
tJ 0 (t )dt (V.101)
Puisque :
β
β
∫ zJ=
0
( z )dz
0 =
zJ 1( z) 0 β J1( β ) (V.102)
où J 1 (t ) est la fonction de Bessel d'ordre un, alors (V-101) sera donnée par forme suivante :
  J ( ka sin θ )  
Lθ = 4π a 2 E0 cos θ cos φ  1  (V.103)
  ka sin θ  
De même on obtient :
 J ( ka sin θ ) 
Lφ = −4π a 2 E0 sin φ  1 (V.104)
 ka sin θ 
En utilisant (V.97), (V.103) et (V.104), les composants du champ électrique de (V.19)-(V.21)
sont données par :
Er = 0 (V.105)
ka 2 E0e − jkr   J 1 ( ka sin θ )  

Eθ = j sin φ   (V.106)
r   ka sin θ  
ka 2 E0e − jkr   J 1 ( ka sin θ )  

Eφ = j cos θ cos φ   (V.107)
r   ka sin θ  
Dans les principaux plans E et H, les composants du champ électrique sont données par :
Plan E ( φ = π / 2 )
E=
r E=
φ 0 (V.108)
ka 2 E0e − jkr  J 1 ( ka sin θ ) 

Eθ = j  ka sin θ  (V.109)
r
Plan H ( φ = 0 )
E=
r E=
θ 0 (V.110)
154
ka 2 E0e − jkr   J 1 ( ka sin θ )  

Eφ = j cos θ   (V.111)
r   ka sin θ  
Le diagramme en trois dimensions pour une ouverture circulaire á champ constant avec
a = 1.5λ est montré dans la figure V.14. Le diagramme semble être symétrique. Cependant,
une observation plus proche montre qu’il presque symétrique
Amplitude relative
Diagramme d'antenne

)
Figure V.14 Diagramme de champ en trois dimensions d'une ouverture
circulaire à champ constant montée sur un plan de masse infini.
V.5.1.2. Largeur de faisceau, niveau du lobe secondaire et directivité

Les expressions exactes pour les largeurs de faisceau et les niveaux de lobe secondaire ne
peuvent pas être obtenues facilement. Cependant, des expressions approximatives sont
disponibles. Des données plus précises peuvent être obtenues par des méthodes numériques.
Puisque la distribution du champ sur l'ouverture est constante, la directivité est donnée par
4π 4π 4π  2π a   C 
2 2
=
D0 = Aem = Ap = π a2  =    (V.112)
λ 2
λ 2
λ 2
 λ  λ
puisque la surface efficace maximale Aem est égale à la surface physique Ap de l'ouverture
V.5.2. Distribution en Mode TE11 sur un plan de masse infini

Une antenne très pratique est un guide d'onde circulaire de rayon a monté sur un plan de
masse infini, comme le montre la figure V.13. Cependant, la distribution du champ sur
l'ouverture pour un guide d'onde circulaire est généralement celle du mode dominant TE11
donné par :
155
E0  x11'  
Eρ = J 1  ρ '  sin φ ' 
ρ'  a  
∂   x11   
'

E ρ = E0  J1  ρ '   cos φ '  (V.113)
∂ρ '   a  
Ez = 0 

x11' = 1.841 
Le diagramme en trois dimensions pour a = 1.5λ est montré dans la figure V.15.
Amplitude relative Diagramme d'antenne
Figure V.15 Diagramme de champ en trois dimensions d'un guide d'onde

circulaire en mode TE11 monté sur un plan de masse infini .
Les largeurs de faisceau et les niveaux des lobes secondaires dans les plans E et H sont
différents et il n'est pas possible d'obtenir des expressions exactes. Cependant, ils peuvent être
calculés en utilisant des méthodes itératives. Les données sont montrées aux figures V.16 et
V.17.
Lorsque l’ouverture n’est pas montée sur un plan de masse, les champs en zone lointaine ne
peuvent être déterminés en introduisant de façon appropriée, dans chacune des composantes le
facteur (1 + cos θ ) / 2 .
156
Amplitude maximale relative du premier lobe secondaire (dB )

Amplitude maximale relative du premier lobe secondaire (dB )

HPBW
HPBW
FNBW
FNBW
FSLBW
FSLBW
FSLMM
FSLMM
Rayon a de l’ouverture (longueur d’onde)

Rayon a de l’ouverture (longueur d’onde)
Figure V.16 Largeurs de faisceau et amplitude Figure V.17 Largeurs de faisceau et amplitude
maximale relative du premier lobe secondaire du maximale relative du premier lobe secondaire du
plan E pour l'ouverture circulaire en mode TE11 plan H pour l'ouverture circulaire en mode TE11
montée sur un plan de masse infini. montée sur un plan de masse infini.
V.6. CONSIDÉRATIONS DE CONCEPTION

Le niveau des lobes secondaires peut être contrôlé en diminuant la distribution à travers
l'ouverture; Plus la diminution est faible du centre de l'ouverture vers le bord, plus le niveau
du lobe secondaire est faible et plus l'ouverture du faisceau à mi-puissance est grande, et
inversement. Par conséquent, une diminution très régulière, tel que celle représenté par une
distribution binomiale, se traduirait par des lobes secondaires très faibles mais des largeurs de
faisceau à demi-puissance plus grandes. Par conséquent, si l'on souhaite atteindre à la fois un
niveau de lobe secondaire très bas et une faible largeur de faisceau à mi-puissance, un
compromis doit être fait. Typiquement, une diminution intermédiaire, telle que celle d'une
distribution de Tchebychev, devra être choisie.
Les antennes á ouverture, peuvent également être conçues pour des applications où la largeur
de faisceau peut être utilisée pour déterminer la zone d'empreinte de la couverture. Dans ce
cas, il est important de relier la largeur du faisceau à la taille de l'ouverture. De plus, il est
important de maximiser la directivité des antennes dans un intervalle angulaire souhaité défini
par la largeur du faisceau, en particulier au bord de la couverture.
157
V.6.1. Ouverture rectangulaire

Pour une ouverture rectangulaire avec une distribution uniforme, les dimensions optimales a,
b de l'ouverture pour maximiser la directivité à un angle de bord θc d'un intervalle angulaire
donné ( 0 ≤ θ ≤ θ c ) dans le plan E et H sont données par :
λ
plan E: b = (V.114)
2 sin θ ce
λ
plan H : a = (V.115)
2sin θ ch
où θ ce ( θ ch ) est l'angle dans le plan E (H), au bord de l’intervalle angulaire de couverture où
la directivité doit être maximisée.
Puisque l'antenne á ouverture est uniformément illuminée, la directivité basée sur les
dimensions optimales de (V.114) et (V.115) est donnée par :
4π 4π 4π λ λ
=
D0 = Aem = Ap (V.116)
λ 2
λ 2
λ 2sin θ ce 2sin θ ch
2
V.6.2. Ouverture circulaire

Pour une ouverture circulaire avec une distribution uniforme, le diagramme de puissance
normalisé multiplié par la directivité maximale est donnée par
 2 J ( ka sin θ ) 
2
P (θ ) = (2π a ) 2  1  (V.117)
 ka sin θ 
La valeur maximale de (V.117) se produit lorsque θ = 0 . Cependant, pour tout autre angle
θ c = 0 , le maximum du diagramme se produit lorsque
1.841λ λ
ka sin θ= 1.841 ⇒=
a = (V.118)
2π sin θ c 3.413sin θ c
c
Par conséquent, pour maximiser la directivité au bord θ = θ c d'un intervalle angulaire donné
0 ≤ θ ≤ θ c , le rayon optimal de l'ouverture circulaire uniformément illuminée doit être choisi

selon (V118).
La valeur maximale de (V.117), pour θ = 0 , est égale à :
P (θ 0)
= = max
(2π a ) 2 (V.119)
alors que sur le bord de l’intervalle angulaire ( θ = θ c ) est égal à

2
 2(0.5818) 
P (θ θ=
= c ) max (2π a ) 2  =  (2π a ) (0.3995)
2
(V.120)
 1.841 
158
Par conséquent, la valeur de la directivité á θ = θ c , par rapport à sa valeur maximale à θ = 0 ,

est
P(θ = θ c )
= 0.3995 = −3.985dB (V.121)
P(θ = 0)
Puisque l'ouverture est uniformément illuminée, la directivité basée sur le rayon optimal de
(V.118) est donnée par :
2
4π 4π 4π  1.841λ  3.3893 1.079π
=
D0 = A = A π =  = (V.122)
λ2 λ2 λ 2  2π sin θ c  sin 2 θ c sin 2 θ c
p p
V.7. PRINCIPE DE BABINET

En optique, le principe de Babinet dit que lorsque le champ derrière un écran avec une
ouverture est ajouté au champ d'une structure complémentaire, la somme est égale au champ
lorsqu'il n'y a pas d'écran. Le principe de Babinet ne tient pas compte de la polarisation, une
extension du principe de Babinet, qui inclut la polarisation et les écrans conducteurs les plus
pratiques, a été introduite par Booker.
Supposons qu'une source électrique J rayonne dans un milieu non borné d'impédance
intrinsèque η et produit au point P les champs E0 , H 0 , comme le montre la figure V.18.
Les mêmes champs peuvent être obtenus en combinant les champs lorsque la source
électrique rayonne dans un milieu d'impédance intrinsèque η en présence de :
1. un conducteur électrique parfait, plan, infini, très mince, avec une ouverture Sa , qui
produit en P les champs Ee , H e [figure V.18 (b)]
2. un conducteur magnétique plat, très mince Sa , qui produit en P les champs Em , H m

[figure V.18 (c)].
alors,
E=
0 Ee + Em
(V.123)
H=
0 He + Hm
Le champ produit par la source de la figure V.18 (a) peut être également obtenu en combinant
les champs de :
1. une source électrique J rayonnant dans un milieu d'impédance intrinsèque η en
présence d'un conducteur électrique parfait, plan, infini, très mince Sa , qui produit en
P les champs Ee , H e [ Figure V.18 (b)]
159
2. une source magnétique M rayonnant dans un milieu d'impédance intrinsèque

ηd = ε / µ en présence d'un conducteur électrique parfait, plan, très mince Sa , qui
produit en P les champs Ed , H d [Figure V.18 (c)]

alors,
E=
0 Ee + H d
(V.124)
H=
0 H e − Ed
(a)
(b)
parfait
(c)
(d)
Figure V.18 Source électrique dans un milieu non borné et les équivalents du principe de Babinet.
Le dual de la figure V.18 (d) est plus facile á réalisé en pratique que celui de la figure V.18
(c). La figure V.18 (d) est obtenue de la figure V.18 (c), en remplaçant J par M , Em par H d
, H m par − Ed , ε par μ et μ par ε. La figure V.18 (b) et la figure V.18 (d) sont également duals,
et sont appelés structures complémentaires.
Si un écran et son complément sont immergés dans un milieu avec une impédance intrinsèque
η et ont des impédances terminales Z s et Z c respectivement, comme le montre la figure
V.19, alors on a
η2
Zs Zc = (V.125)
4
160
Pour obtenir l'impédance Z c du complément (dipôle), un gap doit être introduit pour
représenter les points d'alimentation. De plus, les champs rayonnés par l'ouverture sur l'écran (
Eθ s , Eφ s , Hθ s , H φ s ) sont liés aux champs du complément ( Eθ c , Eφ c , Hθ c , H φ c ) par la relation
suivante :
E E
Eθ s =
Hθ c , Eφ s =
Hφ c , Hθ s = − φ2c
− θ2c , H φ s = (V.126)
η0 η0
Si une fente est coupée dans un conducteur plan qui est grand par rapport à la longueur d'onde
et aux dimensions de la fente, le comportement prédit par le principe de Babinet peut être très
précis. Les propriétés d'impédance de la fente peuvent ne pas être très affectées par les
dimensions finies du plan que son diagramme. La fente de la figure V.19 (a) rayonne
également des deux côtés de l'écran. Un rayonnement unidirectionnel peut être obtenu en
plaçant un support (cavité) derrière la fente dont les propriétés de rayonnement sont
déterminées par les dimensions de la cavité.
parfait
Conducteur
Ligne d’alimentation électrique
parfait
Ligne d’alimentation (b) Dipôle complémentaire
(a) Écran avec ouverture

Figure V.19 Ouverture sur un écran et son dipôle complémentaire.
Le diagramme de la fente est identique à celui du dipôle sauf que les champs E et H sont
échangés. Lorsqu'une fente verticale est montée sur un écran vertical, comme le montre la
figure V.20 (a), son champ électrique est polarisé horizontalement alors que celui du dipôle
est polarisé verticalement [figure V.20 (b)]. Changer l'orientation angulaire de la fente ou de
l'écran changera la polarisation.
161
(b) dipôle plan λ/2
(a) fente λ/2 sur un écran

Figure V.20 Champs rayonnés d'une fente λ/2 sur un écran et d'un dipôle plan
V.8. TRANSFORMEES DE FOURIER DANS LA THÉORIE DE L'ANTENNE

A OUVERTURE
L'analyse des antennes à ouverture montées sur des plans de masse infinis, recouverts de
milieux diélectriques sans perte et / ou avec pertes, devient trop complexe dans le domaine
spatial. Une simplification considérable peut être obtenue en utilisant le domaine fréquentiel.
V.8.1. Champs rayonnés

Pour appliquer la transformée de Fourier à l'analyse des antennes à ouverture, considérons une
ouverture rectangulaire de dimensions a et b montée sur un plan de masse infini, comme le
montre la figure V.21. Dans la région sans source ( z > 0 ), le champ E ( x, y , z ) d'une onde
rayonnée par l'ouverture peut être écrit comme une superposition d'ondes planes de la forme
f ( k x , k y )e − jkr . La fonction f ( k x , k y ) est l'amplitude vectorielle de l'onde, et k x , k y sont les
fréquences spectrales ( −∞ ≤ k x , k y ≤ +∞ ). Ainsi, le champ E ( x, y , z ) est donné par :

+∞ +∞
1
E ( x, y , z ) =
4π 2 ∫∫
−∞ −∞
f ( k x , k y )e − jk . r dk x dk y (V.127)
Puisque :
r = aˆ x x + aˆ y y + aˆ z z (V.128)
et le facteur de propagation k peut être défini par :

k = aˆ x k x + aˆ y k y + aˆ z k z (V.129)
Alors, (V.127) sera donnée par :

162
+∞ +∞
1
∫ ∫  f (k , k
− j ( kx x + k y y )
E ( x, y , z ) = )e − jkz z  e dk x dk y (V.130)
4π 2 x y
−∞ −∞
(a) Ouverture non couverte

(b) Ouverture diélectrique
Figure V.21 Ouvertures rectangulaires montées sur des plans de masse infinis.
La partie de l'intégrale entre crochets peut être considérée comme la transformée de

E ( x, y , z ) . Ainsi la paire de transformation est donnée par
+∞ +∞
1
∫ ∫  (k x , k y , z )e
− j (k x x +k y y )
E (x , y , z ) = dk x dk y (V.131)
4π 2 −∞ −∞
+∞ +∞
∫ ∫ E ( x, y , z )e
+ j ( kx x +k y y )
 (k x , k y , z ) = dxdy (V.132)
−∞ −∞
Où
 ( k x , k y , z ) = f ( k x , k y )e − jk z z (V.133)
En principe, selon (V.131) et (V.132), les champs E ( x, y , z ) rayonnés par une ouverture
peuvent être trouvés à condition que sa transformée  ( k x , k y , z ) soit connue. Cependant, si le
la transformé du champ à z = 0 :
 (k x , k y , = =
z 0) f (k x , k y ) (V.134)
est formé, il sera suffisant pour déterminer E ( x, y , z ) . Pour former la transformée

 (k x , k y , = =
z 0) f ( k x , k y ) , il est nécessaire et suffisant de connaître seulement les
composantes tangentielles du champ E à z = 0 . Pour le problème de la figure V.21 (a), les

composantes tangentielles du champ E á z = 0 n'existent que sur les limites de l'ouverture.
En général on a :
f ( k x , k y ) =aˆ x f x ( k x , k y ) + aˆ y f y ( k x , k y ) + aˆ z f z ( k x , k y ) (V.135)
qui peut être écrit aussi sous la forme :

163
f=
(k x , k y ) f t ( k x , k y ) + aˆ z f z ( k x , k y ) (V.136)
=
f t ( k x , k y ) aˆ x f x ( k x , k y ) + aˆ y f y ( k x , k y ) (V.137)
Pour les antennes á ouverture positionnées le long du plan x − y , les composantes de
f ( k x , k y ) á déterminer sont f x et f y . f z peut être déterminée une fois que f x et f y sont
connus. Les fonctions f x et f y sont déterminées en utilisant (V.131) et (V.132), à condition
que les composantes tangentielles sur l'ouverture ( E xa et E ya ) sont données. La solution de
(V.133) est valide à condition que la variation suivant z de E ( k x , k y , z ) soient séparables.
De plus, dans la région sans source, le champ E ( x, y , z ) de (V.131) doit satisfaire l'équation
d'onde homogène. Ceux-ci permettent de relier la constante de propagation k z à k x , k y et
k = ω µε , tel que
k z2 =k 2 − ( k x2 + k y2 ) (V.138)
Où
 +  k 2 − ( k 2 + k 2 ) 1/ 2 pour k 2 ≥ k 2 + k 2 (a )
  x y  x y
kz =  1/ 2
(V.139)
− j ( k x + k y ) − k  pour k 2 < k x2 + k y2
2 2 2
( b)
La forme de k z donnée par (V.139a) contribue au champ rayonné de (V.130) et (V.131) alors
que celle de (V.139b) contribue aux ondes évanescentes.
Pour trouver la relation entre f z et f x , f y , on procède comme suit. Dans la région sans source
( z > 0 ), le champ E ( x, y , z ) , doit satisfaire l'équation d'onde et doit être solénoïde tel que
 1 +∞ +∞ 
∇.  2 ∫ ∫ f ( k x , k y )e − jkr dk x dk y  =
∇.E ( x, y , z ) = 0 (V.140)
 4π −∞ −∞ 
En permutant entre la différentiation et l'intégration et en utilisant l'identité vectorielle
∇.(α A) =α∇. A + A.∇α (V.141)
Alors (V.140) devienne :
+∞ +∞
∫ ∫  f .∇ ( e ) dk dk
1 − jkr
=
0 (V.142)
4π 2 x y
−∞ −∞
puisque ∇ ⋅ f ( k x , k y ) = 0 . L'équation (V.142) est satisfaite si :
f .∇e − jkr =
− jf .ke − jkr =
0 (V.143)
Où
164
f .k =+
( f t aˆ z f z ).k =
0 (V.144)
Où
f .k f k + f yk y
fz =
− t = − x x (V.145)
kz kz
Les trois composantes de f ( f x , f y et f z ) peuvent être trouvées, en utilisant (V.132) et
(V.134), à condition que les deux composantes de E ( E x , E y ) à z = 0 sont connus. Puisque
E x = 0 et E y = 0 le long du plan z = 0 pour x > a / 2 et y > b / 2 ), alors (V.132) et
(V.134) se réduisent à
+b/2 +a /2
∫ ∫ Exa ( x ', y ', z ' 0)e

+ j ( k x x ' + k y y ')
=
(
f x kx , k y ) = dx ' dy ' (V.146)
−b / 2 −a / 2
+b/2 +a /2
∫ ∫ E ya ( x ', y ', z ' 0)e

+ j ( k x x ' + k y y ')
=
(
f y kx , k y ) = dx ' dy ' (V.147)
−b / 2 −a / 2
Où les variables primés indiquent les points de source. E xa ( x ', y ', z ' = 0) et
E ya ( x ', y ', z ' = 0) , (composantes tangentielles du champ E sur l'ouverture), sont les seuls
qui doivent être connus. Une fois que f x et f y sont déterminées en utilisant (V.146) et
(V.147), f z et  ( k x , k y , z ) peuvent être calculés en utilisant (V.145) et (V.133),
respectivement. Ainsi, la solution de E ( x, y , z ) pour l'ouverture de la figure V.21 (a) est

donnée par
 k x2 + k x2 ≤ k 2 
∫ ∫
− j(k x+k y )
 ( k x , k y , z )e x y dk x dk y

1  k z = k − k x + k x 
 2 2 21/2


E ( x, y , z ) = 2   (V.148)
4π  + k x2 + k x2 > k 2
∫ ∫k =−j k 2 + k 2 −k 2 1/2  (k x , k y , z )e
− j ( kx x +k y y )
dk x dk y 

 z  x x  

 f x k x + f y k y  − jk z z
 ( k x , k y , z ) =  aˆ x f x + aˆ y f y − aˆ z e (V.149)
 kz 
En résumé, le champ rayonné par l'ouverture de la figure V.21(a) peut être déterminé par la
procédure suivante:
1. Spécifiez les composantes tangentielles du champ E ( E xa et E ya ) sur les limites de
l'ouverture.
2. Trouvez f x et f y en utilisant (V.146) et (V.147), respectivement.
3. Trouvez f z en utilisant (V.145).
4. Trouvez  ( k x , k y , z ) en utilisant (V.149).
165
5. Formuler E ( x, y , z ) en utilisant (V.148).

L'intégration (V.148) est assez difficile même pour le plus simple des problèmes. Mais, des
simplifications peuvent être faites si on s’intéresse uniquement au champ lointain.
Des équations de Maxwell on a :
1 1  1 +∞ +∞

H ( x, y , z ) = −
jωµ
∇ × H ( x, y , z ) = −
jωµ
∇× 2
 4π
∫∫
−∞ −∞
f ( k x , k y )e − jkr dk x dk y  (V.150)

En échangeant la différentiation avec l'intégration et en utilisant l'identité vectorielle
∇ × (α A) = α∇ × A + (∇α ) × A (V.151)
Alors (V.150) devienne :
+∞ +∞
1
H ( x, y , z ) =
− 2 ∫ ∫
4π kη −∞ −∞
( f × k )e − jkr dk x dk y (V.152)
Puisque ∇ × f ( k x , k y ) = 0 et ∇( e − jkr ) =
− jke − jkr
V.8.2. Évaluation asymptotique du champ rayonné

Si les observations sont limitées à la région du champ lointain ( kr >> ), l'évaluation De
l’intégrale de (V.127) devient moins complexe, et sera évaluée asymptotiquement en utilisant
la méthode de Phase stationnaire. Cette méthode suppose que la contribution principale à
l'intégrale de (V.127) provient des valeurs de k x et k y où k .r reste stationnaire pour les
changements du premier ordre dans k x et k y . Pour les autres valeurs de k x et k y k .r change

− jk . r
très rapidement et la fonction e oscille très rapidement entre ±1 .
Lorsque le point d'observation tend vers l'infini, les contributions à l'intégrale de la région en
dehors des points stationnaires sont nulles. Dans la pratique, il sera supposé très loin pour que
les contributions majeures proviennent des points stationnaires.
Au début, il faut trouver les points stationnaires de k .r . Alors, k .r est écrit sous la forme
suivante :
k .r = ( aˆ x k x + aˆ y k y + aˆ z k z ).aˆ r r = r.( k x sin θ cos φ + k y sin θ sin φ + k z cos θ ) (V.153)
En utilisant (V.139a), (V.153) ce simplifie á :
=k .r r ( k x sin θ cos φ + k y sin θ sin φ + k 2 − k x2 − k y2 cos θ ) (V.154)
Les points stationnaires sont donnée par :

∂ ( k .r )
=0 (V.155)
∂k x
166
∂ ( k .r )
=0 (V.156)
∂k y
En utilisant (V.154) et (V.138), (V.155) et (V.156) se simplifient à

∂ ( k .r )  k 
= r  sin θ cos φ − x cos θ=
 0 (V.157)
∂k x  kz 
∂ ( k .r )  k 
= r  sin θ sin φ − y cos θ =
 0 (V.158)
∂k x  kz 
Ce qui donne
sin θ cos φ
kx = kz (V.159)
cos θ
sin θ sin φ
kx = kz (V.160)
cos θ
En utilisant (V.159) et (V.160), (V.138) peut être écrit sous la forme suivante :
 sin 2 θ 
k 2 = k x2 + k x2 + k z2 = k z2  1 +  ⇒ k z = k cos θ (V.161)
 cos2 θ 
Ainsi, le point stationnaire de (V.159) et (V.160) se simplifie á
= sin θ cos φ k1
k x k= (V.162)
= sin θ sin φ k2
k y k= (V.163)
La fonction k .r peut être développée en une série de Taylor, autour du point stationnaire
k1 , k2 (jusqu’á l’ordre deux), tel que
∂ ( k .r ) ∂ ( k .r )
k .r  k .r k , k + ( k x − k1 ) + ( k y − k2 )
1 2
∂k x k , k ∂k y
1 2 k1 , k2
1 ∂ 2 ( k .r ) 1 ∂ 2 ( k .r )
+ ( k − k ) 2
+ ( k y − k2 ) 2 (V.164)
2 ∂k x2 k , k 2 ∂k y2
x 1
1 2 k1 , k2
∂ 2 ( k .r )
+ ( k x − k1 )( k y − k2 )
∂k x k y
k1 , k2
Puisque les deuxième et troisième termes sont nuls au point stationnaire k x = k1 et k y = k2 ,
alors (V.164) peut être exprimé sous la forme suivante :

k .r  k .r k , k − Aζ 2 − Bη 2 − Cζη (V.165)
1 2
167
1 ∂ 2 ( k .r ) 1 ∂ 2 ( k .r ) ∂ 2 ( k .r )
Avec A= − , B= − , C= − , ζ ( k x − k1 ) ,
=
2 ∂k x2 k , k 2 ∂k y2 ∂k x k y
1 2 k1 , k2 k1 , k2
η ( k x − k1 ) .
=
En utilisant (V.161)-(V.163), (V.153) se réduit à
k .r k , k = kr (V.166)
1 2
De même, à l'aide de (V.154), A, B et C sont donnée par :
1 ∂ 2 ( k .r ) r  sin 2 θ cos2 φ 
A=
− = 1 +  (V.167)
2 ∂k x2 k , k 2k  cos2 θ 
1 2
1 ∂ 2 ( k .r ) r  sin 2 θ sin 2 φ 
B=
− = 1 +  (V.168)
2 ∂k y2 2k  cos2 θ 
k1 , k2
1 ∂ 2 ( k .r ) r sin 2 θ
C=
− = cos φ sin φ (V.169)
2 ∂k x k y k cos2 θ
k1 , k2
Ainsi (V.127) peut être approchée autour du point stationnaire k x = k1 et k y = k2 ,tel que
1
∫∫ k2 )e − j ( kr − Aξ − Bη 2 − Cξη )
f=
( k x k= d ξ dη
2
E ( x, y , z )  1, k y (V.170)
4π 2
S 1,2
ou
1
f ( k1 , k2 )e − jkr ∫∫ e + j ( Aξ + Bη 2 + Cξη )
d ξ dη
2
E ( x, y , z )  (V.171)
4π 2
S 1,2
où S1,2 est la surface autour du point stationnaire.
L'intégrale de (V.171) peut être évaluée avec la méthode de la phase stationnaire. C'est-à-dire
2πδ
∫∫ e
+ j ( Aξ + Bη 2 + Cξη )
d ξ dη = j
2
(V.172)
S 1,2 4 AB − C 2
+1 si 4 AB > C 2 et A > 0


δ=
 −1 si 4 AB > C et A < 0
2
(V.173)
 − j si 4 AB < C 2

A l'aide de (V.167)-(V.169), le facteur 4AB − C est donnée par :

2
2
 r 
4 AB − C 2 =
  (V.174)
 k cos θ 
Puisque 4AB > C et A > 0 , alors(V.172) se réduit à :

2
168
2π k
∫∫ e
+ j ( Aξ + Bη 2 + Cξη )
d ξ dη = j cos θ
2
(V.175)
S 1,2
r
Et (V.171) se réduit á :
ke − jkr
E ( r, θ , φ )  j = [cos θ f (k1 k=
sin θ cos φ , k2 k sin θ sin φ )] (V.176)
2π r
Dans la région du champ lointain, seules les composantes θ et φ . A l'aide de (V.145), f
peut être exprimé par :
f xkx + f y f y
f = aˆ x f x + aˆ y f y + aˆ z f z = aˆ x f x + aˆ y f y − aˆ z (V.177)
kz
=
Au point stationnaire sin θ cos φ , k y k=
( kx k = sin θ sin φ , k z k cos θ ), (V.177) se réduit à :
sin θ
f ( k1 , k2 ) = aˆ x f x + aˆ y f y − aˆ z ( f x cos φ + f y sin φ ) (V.178)
cos θ
Alors, les composantes θ et φ de f , sont donnée par :
f x cos φ + f y sin φ
fθ = (V.179)
cos θ
− f x sin φ + f y cos φ
fφ = (V.180)
Les composantes θ et φ du champ E de (V.176) se réduit á :
ke − jkr
E ( r, θ , φ )  j  aˆθ ( f x cos φ + f y sin φ ) + aˆφ ( − f x sin φ + f y cos φ ) 
2π r 
(V.181)
et le champ H se réduit á :
ε
,θ ,φ )
H ( r= [aˆ r × E ( r, θ , φ )] (V.182)
η
où à partir de (V.146) et (V.147)
+b/2 +a /2
fx =
( k x k1 , k=
y k=
2) ∫ ∫
−b/ 2 −a / 2
z ' 0)e + jk ( x ' sin θ cos φ + y ' sin θ sin φ ) dx ' dy '
E xa ( x ', y ', = (V.183)
+b/2 +a /2
fy =
( k x k1 , k=
y k=
2) ∫ ∫
−b/ 2 −a / 2
z ' 0)e + jk ( x ' sin θ cos φ + y ' sin θ sin φ ) dx ' dy '
E ya ( x ', y ', = (V.184)
V.8.3. Ouvertures couvertes de diélectrique

La technique de transformation peut être étendue pour déterminer le champ rayonné par des
ouvertures diélectriques. Cependant, pour une seule couverture de feuille diélectrique sans
perte d'épaisseur h , de permittivité ε r , et de constante de phase k0 , le champ rayonné Eθ ,
169
Eφ de l'ouverture couverte de la figure V.21 (b) sont liés à Eθ0 , Eφ0 de l'ouverture non
couverte de la figure V.21 (a) par la relation suivante

Eθ ( r, θ , φ ) = f (θ ) Eθ0 ( r, θ , φ ) (V.185)
Eφ ( r, θ , φ ) = g (θ ) Eφ0 ( r, θ , φ ) (V.186)
e k0 h cos θ
f (θ ) = (V.187)
cosψ + jZ h sinψ
e k0 h cosθ
g (θ ) = (V.188)
cosψ + jZ e sinψ
=ψ k0h ε r − sin 2 θ (V.189)
cos θ
Ze = (V.190)
ε r − sin 2 θ
ε r − sin 2 θ
Ze = (V.191)
ε r cos θ
Les relations ci-dessus n'incluent pas les contributions d'ondes de surface.
Les diagrammes de rayonnement du guide d’onde de la figure V.21(b) sont illustrés aux
figures V.22 (a) et V.22 (b), respectivement. Dans plan E, la composante normal (θ=π/2) est
nulle (du au plan de masse). Cependant, lorsque l'épaisseur h augmente les diagrammes dans
les plans E et H deviennent plus larges près de la surface et plus étroits ailleurs.
Plan E Plan H
Figure V.22 Diagrammes de rayonnement d'amplitude d'un guide d'onde recouvert de diélectrique
monté sur un plan de masse infini et avec une distribution de champ d'ouverture en mode TE10.
V.8.4. Admission de l'ouverture

Un autre paramètre intéressant de l'antenne est son impédance de terminaison ou son
admittance ; qui peut déterminée en utilisant les techniques de transformée de Fourier.
170
La disposition géométrique de l'antenne est un guide d'onde rectangulaire monté sur un plan
de masse infini comme le montre la figure V.21 (a). On suppose que la distribution du champ
au-dessus de la coupure, est celle donnée par le mode TE10, tel que
π  −a / 2 ≤ x' ≤ a / 2
Ea = aˆ y E0 cos  x '  (V.192)
a  −b / 2 ≤ x' ≤ b / 2
où E0 est une constante. L'admittance d'ouverture est définie par
2 P∗
Ya = 2
(V.193)
V
où, P est la puissance complexe transmis par l'ouverture et V la tension de référence de

l'ouverture.
La puissance complexe transmise par l'ouverture est donnée par
1
=P ∫∫
2 Sa
 E ( x ', y ', z ') × H * ( x ', y ', z ')  .aˆ z dx ' dy ' (V.194)
où Sa est l'ouverture de l'antenne. E ( x ', y ', z ') et H ( x ', y ', z ') représentent les champs
électrique et magnétique total à l'ouverture y compris ceux des modes qui fonctionnent au-
dessous de la coupure et contribuent à la puissance imaginaire. Pour la distribution de champ
donnée par (V.192), (V.194) sera donnée par :
1
− ∫∫  E y ( x ', y ', z ' =
P= 0)  dx ' dy '
0) × H x* ( x ', y ', z ' = (V.195)
2 Sa
La formulation de (V.195) dans le domaine spatial est complexe. Une autre plus simple pour
déterminer l'admittance d'ouverture consiste à utiliser les transformées de Fourier. On utilisant
le théorème de Parseval, (V.195) peut être écrit sous la forme suivante :
+∞ +∞
1
− ∫ ∫ E y ( x ', y ', z ' =
P= 0) H x* ( x ', y ', z ' =
0)dx ' dy '
2 −∞ −∞
+∞ +∞
(V.196)
1
= −
8π 2 ∫ ∫ E (k , k
−∞ −∞
y x y )H x* ( k x , k y )dk x dk y
où les limites de la première intégrale ont été étendues à l'infini puisque E y ( x ', y ', z ' = 0 )
s'annule en dehors des limites physiques de l'ouverture.  y ( k x , k y ) et x ( k x , k y ) sont les
transformées de Fourier des champs d'ouverture E et H, respectivement. La transformée

 y ( k x , k y , z = 0) est obtenue à partir de (V.134), alors que y ( k x , k y , z = 0) en utilisant
(V.152), peut être donnée par
171
1
y ( k x , k y , z =
0) =
− ( f × k) (V.197)
kη
Ainsi, les transformées  et  sont données par :
 y (k x , k y ) = f y (k x , k y ) (V.198)
1  k y2  1  k 2 − k x2 
x ( k x , k y ) =
−  kz +  f y =
−   fy (V.199)
kη  k z  kη  k z 
En utilisant (V.132) et (V.192), (V.198) se simplifie à :

+b/2 +a /2
 π  j ( k x ' + k y ')
f y ( k x , k y ) = E0 ∫ ∫
−b/ 2 −a / 2
cos  x '  e x y dx ' dy '
a 
(V.200)
π ab cos X   sin Y 
= E0  2 
 (π / 2) − X   Y 
2
2
où X = k x a / 2 , Y = k y b / 2
La substitution de (V.198)-(V.200) dans (V.196) donne :

+∞ +∞
1
− ∫ ∫ E y ( x ', y ', z ' =
P= 0) H x* ( x ', y ', z ' =
0)dx ' dy '
2 −∞ −∞
(V.201)
(π abE0 ) 2
+∞ +∞  k 2 − k 2  cos X
2
  sin Y 
2

=
32π 2 kη ∫−∞ −∞∫  k z* x  (π / 2) 2 − X 2   Y 
   
 dk x dk y
 
Si la tension de référence de l’ouverture est donnée par
ab
V= E0 (V.202)
2
L’admittance de l'ouverture peut être donnée par :
  k b  2 
2

 y  kxa   
+∞  sin    +∞ k 2 − k 2  cos   
  2    dk x 
*
2P 1   2 
=
Ya = 2 ∫ 
8kη −∞   k b ∫
 −∞ k z
x
  π   kxa  
2 2  dk y (V.203)
V y 
     −    

2    
2 2   
où k z est donné par (V.139a) et (V.139b).
De la figure V.23, les valeurs de k x et k y dans le cercle contribuent à la conductance
d'ouverture, et l'espace est appelé région visible. Les valeurs de k x et k y à l'extérieur du cercle
contribuent à la susceptance de l'ouverture et constituent la région invisible. Ainsi (V.203)

peut être mise sous la forme suivante :
Y=
a Ga + jBa (V.204)
172
Figure V.23 Régions visibles et invisibles dans l'espace-k.
  k b  2 
2

 sin  y    kx a   
k  k 2 − k y2  cos   
1   2   k 2 − k x2   2   dk  dk
4kη ∫0   k y b  ∫
Ga =  x y (V.205)
1/2
  π   k x a 2 
2
 k − ( k x + k y )  
2 2 2
     − 
0
  

2   2   2   
   k b  2 
2

 k   sin  y    kx a   
∞  cos   
1    2   k x2 − k 2   2   dk  dk
4kη  ∫0   k y b  ∫
Ba =   x
1/2
  π 2  k x a 2  y
( k x + k y ) − k  
2 2 2
   k 2 − k y2
  −    
 
2   2   2   
(V.206)
  k b  2 
2
 
 sin  y   ∞  kx a    
∞   cos   
  2   k x2 − k 2   2    
+∫ 
 k y b  ∫0  ( k 2 + k 2 ) − k 2 1/2
dk x  dk y 
K 
  π 2  k x a 2   
    x y    −     

2   2   2    
L'évaluation numérique de (V.205) et (V.206) est complexe.
V.9. EFFETS DE BORD DU PLAN DE MASSE: LA THÉORIE DE LA

GÉOMÉTRIQUE DE DIFFRACTION
Les plans de masse de taille infinie ne sont pas réalisables en pratique, mais ils peuvent être
approchés par de très grandes structures. Les caractéristiques de rayonnement des antennes
montées sur des plans de masse finie peuvent être considérablement modifiées, notamment
dans les régions de très faible intensité, par les effets des bordes. Les diffractions de bord du
plan de masse pour une antenne à ouverture sont illustrées sur la figure V.24. Pour ces
problèmes, des solutions rigoureuses n'existent pas. Maintenant, il existe deux méthodes qui
173
peuvent être utilisées pour prendre en compte les effets de bord; la méthode du moment (MM)
et la méthode de la théorie géométrique de la diffraction (GTD).
La théorie géométrique de la diffraction (GTD), développée à l'origine par Keller. La GTD est
une extension de l'optique géométrique classique, qui surmonte certaines limitations en
introduisant le mécanisme de diffraction.
Le champ diffracté est initié en des points de la surface de l'objet où il y a discontinuité dans
le champ incident. La phase du champ sur un rayon diffracté est supposée égale au produit de
la longueur optique du rayon (à partir d'un point de référence) et de la constante de phase du
milieu. Des sauts de phase appropriés doivent être ajoutés lorsqu'un rayon passe par des
caustiques.
La valeur initiale du champ sur un rayon diffracté est déterminée à partir du champ incident à
l'aide d'un coefficient de diffraction approprié. Le coefficient de diffraction est généralement
déterminé à partir des solutions asymptotiques des problèmes de limites les plus simples qui
ont la même géométrie que l’objet étudié aux points de diffraction.
(a) Supérieur-inférieur (b) gauche-droite

Figure V.24 Mécanismes de diffraction pour une ouverture montée sur un plan de masse finie
(diffractions sur les bords supérieur-inférieur et gauche-droit du plan de masse).
L'objectif principal de l'utilisation de la GTD pour résoudre des géométries complexes est de
résoudre chaque problème en composants plus petits. La subdivision est faite de sorte que
chaque composant plus petit représente une géométrie canonique d'une solution connue. La
solution finale est une superposition des contributions de chaque problème canonique.
Certains des avantages de la GTD sont
1. elle est simple à utiliser.
174
2. elle peut être utilisé pour résoudre des problèmes complexes qui n'ont pas de solutions
exactes.
3. elle donne un aperçu physique des mécanismes de rayonnement et de dispersion des
différentes parties de la structure.
4. elle donne des résultats précis qui se comparent très bien avec les expériences et d'autres
méthodes.
5. elle peut être combiné avec d'autres techniques telles que la méthode du moment.
Pour démontrer la souplesse et le potentiel de la GTD, trois exemples sont considérés. Le
premier est le diagramme dans le plan E d'une ouverture rectangulaire de dimensions a , b
montée sur un plan de masse finie, comme le montre la figure V.24. La formulation de la
GTD le long du plan E inclut le rayonnement direct et les champs diffractés par les deux
bords du plan de masse, comme le montre la figure V.25. Les diagrammes dans le plan E
calculé et mesuré sont représentés sur la figure V.26; un excellent accord est indiqué.
Diffracté
Optique géométrique
(incident et réfléchi)
Diffracté
Figure V.25 Géométrie d'ouverture dans le plan E ( ).

Puissance relative
``
Expérience
Théorie (GO et GTD)
Théorie (GO)
Figure V.26 Diagrammes d'amplitude du plan E d'une antenne à

ouverture montée sur un plan de masse infinie.
175
CHAPITRE VI
LES ANTENNES PLANAIRES (PATCHS)
VI.1. INTRODUCTION
Dans les applications où la taille, le poids, le coût, les performances, la facilité d'installation et
le profil aérodynamique sont des contraintes, les antennes à profil réduit peuvent être
nécessaires. Actuellement, il existe plusieurs applications, telles que la radio mobile et les
communications sans fil, qui ont des spécifications similaires. Pour répondre à ces exigences,
des antennes microruban peuvent être utilisées. Ces antennes sont á profil réduit, conformable
aux différentes formes de surfaces, simple et peu coûteux à fabriquer, mécaniquement robuste
quand ils sont montés sur des surfaces rigides, compatibles avec des conceptions MMIC, et
lorsqu’une forme du patch et un mode particuliers sont sélectionnés, ils sont très flexibles en
termes de fréquence de résonance, de polarisation, de diagramme et d'impédance. De plus, en
ajoutant des charges entre le patch et le plan de masse, tels que des diodes PIN et varicap, des
éléments on peut varier la fréquence de résonance, l'impédance, la polarisation, et le
diagramme.
Les inconvénients majeurs des antennes microruban sont faible efficacité, faible puissance, Q
élevé (parfois > 100 ), pureté de polarisation médiocre, faible performance de balayage et
rayonnement parasite et une bande passante très étroite. Cependant, il existe des méthodes
pour augmenter l'efficacité et la bande passante, telles que l'augmentation de la hauteur du
substrat. Mais, lorsque la hauteur augmente, les ondes de surface sont introduites, ce qui n’est
pas généralement souhaitables. Les ondes de surface se propagent dans le substrat et sont
dispersées dans les courbures et la surface des discontinuités, et dégrader le diagramme
d'antenne et les caractéristiques de polarisation. Les ondes de surface peuvent être éliminées
tout en maintenant de larges largeurs de bande, en utilisant des cavités. L’empilement de
l’élément microruban, ainsi que d'autres méthodes, peuvent être également utilisées pour
augmenter la bande passante.
VI.2. CARACTERISTIQUES DE BASE

Les antennes microruban ont reçu une attention considérable à partir des années 1970.
L’antenne microruban (figure VI.1(a)) est constituée d'une bande métallique (patch) très
mince ( t << λ0 , où λ0 est la longueur d'onde de l'espace libre) placée au-dessus d'un plan de
176
masse ( h << λ0 , généralement 0.003λ0 ≤ h ≤ 0.05λ0 ). Le patch microruban est conçu pour que
son diagramme maximum soit normal au patch. Ceci est accompli en choisissant correctement
le mode (configuration de champ) de l'excitation sous le patch. Le rayonnement longitudinal
peut être aussi réalisé par un choix judicieux du mode. Pour un patch rectangulaire, la
longueur de l'élément L est généralement λ0 / 3 < L < λ0 / 2 . Le patch et le plan de masse sont
séparés par une feuille diélectrique (appelée substrat), comme le montre la figure VI.1 (a).
Fente Fente rayonnante

rayonnante #1 #2
Substrat
Plan de masse
(a) Antenne microruban
Plan de masse
(b) Système de coordonnées pour chaque fente rayonnante
(b) Vue de côté
Figure VI.1 Antenne microruban et système de coordonnées
De nombreux substrats peuvent être utilisés pour la conception des antennes microruban,
leurs ε r est généralement 2.2 ≤ ε r ≤ 12 . Les substrats épais dont ε r est faible offrent une
meilleure efficacité, une large largeur de bande, des champs faiblement liés pour le
rayonnement dans l'espace, mais au détriment d'une plus grande taille. Des substrats minces
avec des ε r plus élevées sont souhaitables pour les circuits hyperfréquences car ils nécessitent
des champs étroitement liés pour minimiser les rayonnements et couplages indésirables, et
conduisent à des tailles plus petites.
Les antennes microruban sont souvent appelées antennes patch. Les éléments rayonnants et
les lignes d'alimentation sont généralement photogravés sur le substrat diélectrique. Le patch
rayonnant peut être carré, rectangulaire, dipôle, circulaire, elliptique, triangulaire ou toute
autre configuration (figure VI.2). La polarisation linéaire et circulaire peut être obtenue soit
avec des éléments simples ou des réseaux d'antennes microruban. Des réseaux microruban,
avec des alimentations simples ou multiples, peuvent également être utilisés pour introduire
des fonctionnalités de balayage et obtenir de plus grandes directivités.
177
(e) Ecliptique
(a) Carré (b) Rectangulaire (c) Dipôle (d) Circulaire
(f)Triangulaire (g) secteur du disque (h) Anneau circulaire (i) Secteur d’anneau
Figure VI.2 Différentes formes de patch
VI.3. METHODES D'ALIMENTATION

De nombreuses configurations peuvent être utilisées pour alimenter les antennes microruban.
Les plus habituels sont la ligne microruban, la sonde coaxiale, le couplage par ouverture et le
couplage de proximité (figure VI.3). Les circuits équivalents pour chaque configuration sont
présentés à la figure VI.4. L'alimentation par ligne microruban est facile à fabriquer, facile à
adapter en contrôlant la position d'insertion et plutôt simple à modéliser. Cependant, lorsque
l'épaisseur du substrat augmente, les ondes de surface et le rayonnement parasite augmentent,
ce qui limite la bande passante (généralement 2 à 5%).
L’alimentation par ligne coaxiale, où le conducteur interne est attaché au patch et le
conducteur externe est connecté au plan de masse, est aussi largement utilisées. Elle est facile
à fabriquer et à adapter et présente un faible rayonnement parasite. Cependant, elle a
également une bande passante étroite et elle est plus difficile à modéliser, en particulier pour
les substrats épais ( h > 0.02λ0 ).
L’alimentation par ligne microruban et par sonde génèrent des modes d'ordre supérieur qui
produisent un rayonnement à polarisation croisée. Pour surmonter ces problèmes, des
alimentations par couplage par ouverture sans contact (figures VI.3 (c, d)), ont été introduites.
Le couplage par ouverture est le plus difficile à fabriquer et il a une bande passante étroite
Cependant, il est un peu plus facile à modéliser et présente un rayonnement parasite modéré.
Le couplage par ouverture est constitué de deux substrats séparés par un plan de masse. La
ligne d'alimentation microruban est en bas du substrat inférieur dont l'énergie est couplée au
patch à travers une fente sur le plan de masse. Cette disposition permet l’optimisation
indépendante du mécanisme d'alimentation et de l'élément rayonnant. Un matériau á ε r élevé
est généralement utilisé pour le substrat inférieur et un matériau à ε r faible et épais pour le
substrat supérieur. Le plan de masse isole également l'alimentation de l'élément rayonnant et
minimise l’interférence du rayonnement parasite. Pour cette conception, les paramètres
178
électriques du substrat, la largeur de la ligne d'alimentation et la taille et la position de la fente

peuvent être utilisés pour optimiser la conception. Le couplage par proximité a la plus grand
bande passante (jusqu'à 13%), et il est relativement facile à modéliser et présente un faible
rayonnement parasite. La longueur du stub d’alimentation et le rapport largeur-ligne du patch
peut être utilisé pour contrôler l’adaptation.
Substrat Patch circulaire
Substrat
Plan de masse
(a) Alimentation par ligne microruban Connecteur coaxial Plan de masse
(b) Alimentation par sonde
Patch
Patch
Ligne
microruban
Fente
Ligne
microruban
(d) Alimentation par proximité
(c) Alimentation par couplage par ouverture

Figure VI.3 Alimentations typiques pour les antennes microruban.
(a) Ligne microruban (b) Sonde
(d) Couplage par proximité

(c) Couplage par ouverture
Figure VI.4 Circuits équivalents pour les alimentations typiques de la figure VI.3.
VI.4. METHODES D'ANALYSE

Il existe de nombreuses méthodes d’analyse des antennes microruban. Les modèles les plus
habituels sont la ligne de transmission, la cavité et la pleine onde (équations
179
intégrales/méthode des moments). Le modèle de la ligne de transmission est le plus simple,

mais il est moins précis et il est plus difficile de modéliser le couplage. Par contre, le modèle
de la cavité est plus précis mais en même temps plus complexe. Cependant, il est difficile de
modéliser le couplage, bien qu'elle ait été utilisée avec succès. En général, lorsqu'il est
appliqué correctement, le modèle pleine onde est très précis, très souple et peut traiter des
éléments simples, des réseaux finis et infinis, des éléments empilés, des éléments de forme
arbitraire et le couplage. Cependant, c’est le modèle le plus complexe.
VI.5. PATCH RECTANGULAIRE

Le patch rectangulaire est la configuration la plus utilisée. Il est très facile à analyser en
utilisant les modèles de ligne de transmission et de cavité, qui sont les plus précis pour les
substrats minces.
VI.5.1. Modèle de ligne de transmission

Le modèle de ligne de transmission est le plus simple, mais il donne des résultats moins précis
et manque de souplesse. Principalement le modèle de ligne de transmission représente
l'antenne microruban par deux fentes, séparées par une ligne de transmission de faible
impédance Z c de longueur L .
VI.5.1.1. Effet de dispersion

Puisque les dimensions du patch sont finies, les champs sur les bords du patch subissent des
dispersions. Ceci est illustré le long de la longueur des figures VI.1 (a, b) pour les deux fentes
rayonnantes de l'antenne microruban. La même chose s'applique le long de la largeur. La
quantité de dispersion est fonction des dimensions du patch et de la hauteur du substrat. Pour
le plan principal E (plan x − y ), la dispersion est fonction du rapport L / h et ε r . Puisque
pour les antennes microruban L / h >> 1 , les dispersions sont réduites; mais cela influence la
fréquence de résonance de l'antenne. De même pour la largeur.
Pour la ligne microruban représentée à la figure VI.5 (a), les lignes de champ électrique sont
illustrées à la figure VI.5 (b). C'est une ligne non homogène de deux diélectriques; le substrat
et l'air. La plupart des lignes de champ électrique demeurent dans le substrat et des parties de
certaines lignes existent dans l'air. Comme L / h >> 1 et ε r >> 1 , les lignes de champ
électrique se concentrent principalement dans le substrat. Dans ce cas, les dispersions rendent
la ligne microruban plus large par rapport à ses dimensions physiques. Puisque, certaines
ondes se déplaçant dans le substrat et d'autres dans l'air, une constante diélectrique effective
180
ε reff est introduite pour tenir compte des dispersions et de la propagation de l’onde dans la
ligne.
Pour introduire ε reff , on suppose que le conducteur central de la ligne microruban avec ses
dimensions initiales et sa hauteur au-dessus du plan de masse est intégré dans un diélectrique,
comme le montre la figure VI.5 (c). ε reff est définie comme la constante diélectrique d’un
matériau diélectrique uniforme de sorte que la ligne de la figure VI.5 (c) présente des
caractéristiques électriques identiques, en particulier la constante de propagation, comme la
ligne réelle de la figure VI.5 (a).
(a) Ligne microruban (b) Ligne de champ électrique
(C) Constante diélectrique effective

Figure VI.5 Ligne microruban et ses lignes de champ électrique, et géométrie de
Pour une ligne avec de l'air au-dessus du substrat, 1 < ε reff < ε r Pour la plupart des
applications où ε r >> 1 , ε reff  ε r . ε reff est également fonction de la fréquence. Lorsque la
fréquence de fonctionnement augmente, la plupart des lignes de champ électrique se

concentrent dans le substrat. Par conséquent, la ligne microruban se comporte comme une
ligne homogène d'un seul diélectrique (uniquement le substrat), et ε reff  ε r .
Les valeurs initiales (à basse fréquence) de ε reff sont appelées valeurs statiques et sont
données par
W / h >1
−1/2
εr + 1 εr −1  h (VI.1)
ε reff = + 1 + 12 W 
2 2
181
VI.5.1.2. Longueur effective, largeur effective et fréquence de résonance

En raison des effets de dispersions, le patch est électriquement plus grand que ses dimensions
physiques. Pour le plan principal E, ceci est montré sur la figure VI.6 où les dimensions du
patch sur sa longueur ont été étendues à chaque extrémité d'une distance ∆L , qui est fonction
de ε reff et de du rapport W / h . En générale, une relation approximative pour ∆L est donnée
par :
∆L (ε + 0.3) (W / h + 0.264 )
= 0.412 reff (VI.2)
h (ε reff − 0.258)(W / h + 0.8)
Puisque la longueur du patch a été étendue de ∆L de chaque côté, la longueur effective du

patch est maintenant ( L = λ / 2 pour le mode TM010 dominant sans dispersions) égale á
Leff = L + 2∆L (VI.3)
Pour le mode dominant TM010, la fréquence de résonance de l'antenne microruban est fonction
de sa longueur. Généralement, elle est donné par
1 c0
=
( f r )010 = (VI.4)
2 L ε r ε 0 µ0 2 L ε r
où c0 est la vitesse de la lumière dans le vide. Puisque (VI.4) ne tient pas compte des
dispersions, elle doit être modifié pour inclure les effets de bord , tel que
1 1 1 c0
=( f r )010 = = q= q (VI.5)
2 Leff ε reff ε 0 µ0 2( L + 2∆L) ε reff ε 0 µ0 2 L ε r ε 0 µ0 2L ε r
q = ( f rc )010 / ( f r )010 est appelé facteur de dispersion. Lorsque la hauteur du substrat

augmente, la dispersion augmente ce qui conduit á la diminution de la fréquence de résonance
(généralement de 2 à 6%.)
(b) Vue de côté

(a) Vue de dessus
Figure VI.6 Longueurs physique et effective d’un patch rectangulaire
182
VI.5.1.3. Conception
Sur la base de la formulation simplifiée qui a été décrite, la procédure de conception suppose
que les informations spécifiées sont ε r du substrat, la fréquence de résonance f r et la hauteur
du substrat h . La procédure est la suivante:

1. Pour un élément rayonnant efficace, une largeur pratique conduisant à une bonne
efficacité de rayonnement est donnée par :
1 2 c0 2
=W = (VI.6)
2 f r ε 0 µ0 ε r + 1 2 f r εr + 1
2. Déterminer ε reff de l’antenne microruban en utilisant (VI.1).
3. Une fois W déterminé en utilisant (VI.6), déterminer ∆L en utilisant (VI.2).

4. La longueur réelle du patch peut être maintenant déterminée en résolvant (VI.5) pour
L , tel que
1
=L − 2 ∆L (VI.7)
2 f r ε reff ε 0 µ0
Les longueurs typiques de patchs microruban varient entre :

λ0
L ≈~ (0.47 − 0.49) =(0.47 − 0.49)λd (VI.8)
εr
où λd est la longueur d'onde dans le diélectrique. Plus ε r du substrat est petite, plus la
dispersion est grande; ainsi la longueur du patch est plus petite. En revanche, plus ε r est
grande, plus les champs sont maintenus dans le substrat; ainsi, la dispersion est plus petite et
la longueur est plus longue et plus proche de λd / 2 .
VI.5.1.4. Conductance
Chaque fente rayonnante est représentée par une admittance équivalente parallèle Y ; comme
le montre la Figure VI.7. L’admittance de la fente, basée sur une fente uniforme infiniment
large, est donnée par :
Y=
1 G1 + jB1 (VI.9)
où pour une fente de largeur finie W , on a

W  1 
G1 =− 1 ( k0h ) 2  h / λ0 < 1 / 10 (VI.10)
120λ0  24 
W
B1 = [1 − 0.636(k0h)] h / λ0 < 1 / 10 (VI.11)
120λ0
183
Puisque les fentes sont identique alors : G2 = G1 et B2 = B1

En général, la conductance est définie par :
2 Pr ad
G1 = 2
(VI.12)
V0
(a) Patch rectangulaire (b) Modèle de transmission équivalant

Figure VI.7 Patch rectangulaire et son modèle de ligne de transmission équivalent.
En utilisant le champ électrique de (VI48), la puissance rayonnée est donnée par ;
  k0W 
cos θ  
V0 π   2
sin
  sin 3 θ dθ
Pr ad = ∫ 
2πη0 0  cos θ 
(VI.13)
 
Par conséquent, la conductance de (VI.12) peut être exprimée par :

I1
G1 = (VI.14)
120π 2
Où
  k0W 
π  sin  2 cos θ   3
I1 =∫     sin θ dθ =−2 + cos( X ) + XS ( X ) + sin( X ) / X (VI.15)
0 
cos θ 
i
 
X = k0W (VI.16)
Les valeurs asymptotiques de (VI.14) et (VI.15) sont
 1  W 2
   W << λ0
 90  λ0 
G1 =  2
(VI.17)
 1 W 
 90  λ  W >> λ0
  0
Les valeurs de (VI.17) pour W >> λ0 sont identiques à celles données par (VI.10) pour
h << λ0 .
184
VI.5.1.5. Résistance d'entrée á la résonnance

L’admittance d'entrée est obtenue en transférant l'admittance de la fente #2 des terminaux de
sortie aux terminaux d'entrée en utilisant l'équation de transformation d'admittance des lignes
de transmission. Théoriquement, les deux fentes sont séparées par λ / 2 . Puisque la longueur
du patch est plus longue que la longueur réelle dû á la dispersion, la séparation réelle des deux
fentes est légèrement inférieure à λ / 2 . Si la réduction de la longueur est bien choisie en
utilisant (VI.2) (typiquement 0.47λ < L < 0.49λ ), l'admittance transformée de la fente #2
devienne :
Y2 =G 2 + jB 2 =G1 − jB1 (VI.18)
Par conséquent, l'admission d'entrée á la résonance est réelle et est donnée par
Yin = Y1 + Y2 = 2G1 ⇒ Z in = 1 / 2G1 = Rin (VI.19)
La résistance d'entrée á la résonance, donnée par (VI.19), ne tient pas compte des effets
mutuels entre les fentes. Cela peut être achevé en modifiant (VI.19), tel que
1
Rin = (VI.20)
2(G1 ± G12 )
où le signe plus (+) est utilisé pour les modes avec distribution de tension de résonance
impaire sous le patch et entre les fentes tandis que le signe moins (-) est utilisé pour les modes
avec distribution de tension de résonance paire. La conductance mutuelle est définie, en
fonction des champs rayonnés, tel que
1
=G12 2
Re ∫∫ E1 × H 2*.dS (VI.21)
V0 S
où E1 est le champ électrique rayonné par la fente #1, H 2 est le champ magnétique rayonné
par la fente #2, V0 est la tension aux bornes de la fente et l'intégration est faire sur une sphère
de grand rayon. G12 peut être calculé en utilisant la relation suivante:
  k0W 
π sin  cos θ  
1  2   J ( k L sin θ )sin 3 θ dθ
2 ∫
G12 = (VI.22)
120π 0  cos θ
0 0

 
où J 0 est la fonction de Bessel du premier espèce d'ordre zéro. Pour les antennes microruban
typiques, la conductance mutuelle obtenue par (VI.22) est faible par rapport à la conductance
propre G1 de (VI.10) ou (VI.14).
185
Une autre expression approchée pour l'impédance d'entrée, pour un patch á la résonance est
donnée par :
ε r2  L 
Rin = 90
ε r − 1  W 
(VI.23)
Cette expression est valable pour des substrats minces ( h << λ0 ).
Les équations (VI.20) et (VI.23) donnent des résultats raisonnables pour Rin , bien qu'ils ne
soient pas identiques. La résistance à l'entrée ne dépend pas fortement de la hauteur du
substrat h . En effet, pour k0h << 1 , Rin est indépendante de h . De plus, Rin peut être
diminuée en augmentant la largeur du patch W . Ceci est valable lorsque W / L ≤ 2 , car

l'efficacité d'ouverture d'un seul patch diminue lorsque W / L > 2 .
VI.5.1.6. Techniques d'adaptations

La résistance d'entrée á la résonance, calculée par (VI.20), est pour la fente #1. Cependant, la
résistance d’entrée á la résonnance peut être modifiée en utilisant une alimentation enfoncée
(á encoche) á une distance y0 de la fente #1, comme le montre la figure VI.8(a).
(a) Alimentation á ligne microruban enfoncée (b) Résistance d’entrée normalisée

Figure VI.8 Alimentation avec encoche et variation de la résistance d'entrée normalisée.
Cette technique peut être utilisée efficacement pour adapter l’antenne patch à l’aide d’une
ligne microruban dont l’impédance caractéristique est donnée par ;
 60  8h W0 
 ln  +  W0 / h ≤ 1
ε
 reff  W 0 4 h 

Zc =  120π (VI.24)
 W0 / h > 1
 ε reff  W  W  

0
+ 1.393 + 0.667 ln  0
+ 1.444  
  h  4h 
où W0 est la largeur de la ligne microruban. La résistance d'entrée pour une alimentation avec
encoche est approximativement donnée par :
186
1  2  π  G12 + B12 π  B  2π  
Rin ( y =
y0 ) =  cos  y0  + sin 2  y0  − 1 sin  y0   (VI.25)
2(G1 ± G12 )  L  Yc2
 L  Yc  L 
où Yc = 1 / Z c . Puisque pour la plupart des microrubans G1 / Yc << 1 et B1 / Yc << 1 , alors

(VI.25) se réduit à :
1 π  π 
Rin =
( y y=
0) cos2  y=
0 Rin =
( y 0) cos2  y0  (VI.26)
2(G1 ± G12 ) L  L 
Les valeurs obtenues par (VI.25) concordent assez bien avec les données expérimentales.
Cependant, l’encoche introduit une capacité de jonction, qui influe légèrement sur la
fréquence de résonance. De (VI.26) et de la figure VI.8(b), on observe que la valeur maximale
apparaît au bord de la fente ( y0 = 0 ), les valeurs typiques sont ente 150-300Ω. La valeur
minimale apparaît au centre du patch ( y0 = L / 2 ).

Autres techniques d'adaptations tel que la ligne microruban avec encoche couplé et le
transformateur d'impédance λ / 4 sont montrées dans la figure VI.9 (a, b). Rin de la figure
VI.9 (b) est la résistance d'entrée au bord d’attaque du patch résonnant; elle doit être réelle.
(a) Couplée (b) Transformateur d'impédance
Figure VI.9 Autres techniques d'alimentation de l'antenne microruban pour l'adaptation d'impédance.
VI.5.2. Modèle de la cavité

Les antennes microruban ressemblent à des cavités diélectriques et présentent des résonances
d'ordre supérieur. Les champs normalisés dans le substrat peuvent être déterminés plus
précisément en traitant cette région comme une cavité délimitée par des conducteurs
électriques (au-dessus et en dessous) et par des parois magnétiques (pour simuler un circuit
ouvert) le long du périmètre du patch. Cependant, en supposant que les champs réels sont
approximatifs à ceux générés par un tel modèle, le diagramme calculé, l'admittance d’entrée
et les fréquences de résonance se comparent bien aux mesures.
Lorsque le patch microruban est sous tension, une distribution de charge est établie sur les
surfaces supérieure et inférieure du patch, ainsi que sur la surface du plan de masse, comme le
187
montre la figure VI.10. La distribution de charge est contrôlée par deux mécanismes; un
mécanisme attractif et répulsif. Le mécanisme attractif est entre les charges opposées sur la
face inférieure du patch et le plan de masse, ce qui tend à maintenir la concentration de charge
au bas du patch. Le mécanisme répulsif est entre les charges similaires sur la surface
inférieure du patch, ce qui a tendance de pousser les charges du bas du patch, autour de ses
bords, vers sa surface supérieure. Le mouvement de ces charges crée des densités de courant
J b et J t sur les surfaces inférieure et supérieure du patch, respectivement, comme le montre
la figure VI.10. Puisque h / W << , le mécanisme attractif domine et la plus grande partie de la
concentration de charge et la circulation du courant reste sous le patch. Une petite quantité de
courant circule sur les bords du patch jusqu'à sa surface supérieure. Cependant, cette
circulation du courant diminue lorsque h / W diminue. À la limite, la circulation du courant
vers le haut serait nulle, ce qui ne créerait aucune composante tangentiel de champ
magnétique sur les bords du patch. Cela permettrait de modéliser les quatre parois latérales
comme des conducteurs magnétiques parfaits, ce qui ne perturberait pas le champ magnétique
et la distribution du champ électrique sous le patch. En pratique h / W est fini, bien que petit,
les champs magnétiques tangentiels aux bords ne seraient pas exactement nuls. Cependant,
comme ils seront petits, une bonne approximation du modèle de la cavité consiste à traiter les
parois latérales comme des conducteurs magnétiques parfaits.
Figure VI.10 Distribution de la charge et création de la densité de courant sur le patch
Le champ dispersé est un autre mécanisme qui peut être utilisé pour expliquer le rayonnement
de l’antenne microruban. Considérant la vue latérale de l’antenne patch de la figure VI.10.
Puisque le courant à la fin du patch étant nul (circuit ouvert), le courant est maximal au centre
du patch demi-onde et théoriquement nul au début du patch. Cette faible valeur de courant à
l'alimentation explique en partie pourquoi l'impédance est élevée lorsqu'elle est appliquée au
bord d'attaque, comme le montre la figure VI.8 (a). Puisque l’antenne patch peut être
considérée théoriquement comme une ligne de transmission à circuit ouvert, le coefficient de
réflexion de tension est +1 ; ainsi, la tension et le courant sont déphasés.
Sur la base de la structure du champ de la figure VI.11, ce sont les champs dispersés qui sont
responsables du rayonnement. Les champs dispersés aux bords d'attaque et de fuite de
188
l'antenne patch sont tous deux dans le même sens. Par conséquent, les champs E dispersés sur
les bords d'attaque et de fuite de l'antenne à microruban s'ajoutent en phase et produisent le
rayonnement de l'antenne microruban. Le courant s’ajoute également en phase sur le patch;
cependant, un courant égal mais de sens opposé se trouve sur le plan de masse, ce qui annule
le rayonnement. Cela explique aussi pourquoi l’antenne microruban rayonne, mais pas la
ligne de transmission microruban. Le rayonnement de l'antenne microruban provient des
champs dispersés.
Total
Pas de dispersions
Dispersions
(a) Pas de dispersions (b) Dispersions

Figure VI.11 Vue latérale de l'antenne microruban, sans et avec dispersions
De plus, plus ε r est petite, plus le champ dispersé est grand; c'est-à-dire que le champ
"s'éloigne" du patch. Par conséquent, l'utilisation d'un plus faible ε r produit un rayonnement
plus efficace.
Si l'antenne microruban est traitée seulement comme une cavité, il ne suffirait pas de trouver
les amplitudes absolues des champs électriques et magnétiques. En effet, en traitant les parois
de la cavité, ainsi que le matériau qui s'y trouve, comme sans perte, la cavité ne rayonnerait
pas et son impédance d'entrée serait purement réactive. Pour tenir compte du rayonnement, un
mécanisme de perte doit être introduit. Ceci par la résistance de rayonnement Rr et la
résistance de perte RL . Ainsi, l'impédance d'entrée est complexe. Pour tenir compte des pertes
à l'aide du modèle de cavité, en introduit une tangente de perte effective δ eff .
Puisque, l'épaisseur du microruban étant généralement très faible, les ondes générées dans le
substrat diélectrique subissent des réflexions considérables lorsqu'elles arrivent au bord du
patch. Par conséquent, seule une petite fraction de l'énergie incidente est rayonnée; ainsi,
l'antenne est non efficace. Les champs sous le patch forment des ondes stationnaires. La
hauteur du substrat étant très faible ( h << λ ), les variations de champ le long de la hauteur
seront considérées comme constantes. De plus, en raison de la très faible hauteur du substrat,
les dispersions des champs le long des bords du patch sont également très faibles, le champ
électrique étant presque normal à la surface du patch. Par conséquent, seules les
configurations de champs TM x seront considérées dans la cavité.
189
VI.5.2.1. Configurations de champs (modes) TM x

Les configurations de champ dans la cavité peuvent être déterminées en utilisant l'approche de
potentiel vectoriel. Le volume sous le patch peut être traité comme une cavité rectangulaire
chargée d'un matériau diélectrique de permittivité ε r (figure VI.12).
Le matériau diélectrique du substrat est supposé être tronqué et non étendu au-delà des bords
du patch. Le potentiel vecteur Ax doit satisfaire l’équation l’onde homogène, tel que
∇2 Ax + k 2 Ax =
0 (VI.27)
dont en général, la solution en utilisant la séparation des variables est écrite sous la forme
suivante :
[ A1 cos k x x + B1 sin k x x ]  A2 cos k y y + B2 sin k y y  [ A3 cos k z z + B3 sin k z z ] (VI.28)

Ax =
où k x , k y et k z sont les nombres d'onde dans les directions x , y et z respectivement; qui
seront déterminées en fonction des conditions aux limites. Les champs électriques et
magnétiques à l'intérieur de la cavité sont liés au potentiel vecteur Ax , tel que:
1  ∂2 
Ex =
−j  + k 2  Ax Hx =
0
ωµε  ∂x 2

1 ∂ 2 Ax 1 ∂Ax
Ey =
−j Hy = (VI.29)
ωµε ∂x∂y µ ∂z
1 ∂ 2 Ax 1 ∂Ax
Ey =
−j Hz =
−
ωµε ∂x∂z µ ∂y
avec les conditions aux limites :
E y ( x ' = 0, 0 ≤ y ' ≤ L, 0 ≤ z ' ≤ W ) = E y ( x ' = h, 0 ≤ y ' ≤ L, 0 ≤ z ' ≤ W ) = 0
H y (0 ≤ x ' ≤ h, 0 ≤ y ' ≤ L, z ' = 0) = H y (0 ≤ x ' ≤ h, 0 ≤ y ' ≤ L, z ' = W ) = 0 (VI.30)
H z (0 ≤ x ' ≤ h, y ' = 0, 0 ≤ z ' ≤ W ) = H z (0 ≤ x ' ≤ h, y ' = L, 0 ≤ z ' ≤ W ) = 0
Les coordonnées primées x ' , y ' , z ' 'sont utilisées pour représenter les champs dans la
cavité.
Figure VI.12 Géométrie du patch microruban rectangulaire

190
En Appliquant les conditions aux limites E y ( x ' = 0, 0 ≤ y ' ≤ L, 0 ≤ z ' ≤ W ) = 0 et
E y ( x ' = h, 0 ≤ y ' ≤ L, 0 ≤ z ' ≤ W ) = 0 , on peut montrer que B1 = 0 et
mπ
=kx = , m 0,1, 2,... (VI.31)
h
De même, en appliquant les conditions aux limites H y (0 ≤ x ' ≤ h, 0 ≤ y ' ≤ L, z ' = 0) = 0 et
H y (0 ≤ x ' ≤ h, 0 ≤ y ' ≤ L, z ' = W ) = 0 , on peut montrer que B3 = 0 et
pπ
=kz = , p 0,1, 2,... (VI.32)
W
Finalement, en appliquant les conditions aux limites H z (0 ≤ x ' ≤ h, y ' = 0, 0 ≤ z ' ≤ W ) = 0
et H z (0 ≤ x ' ≤ h, y ' = L, 0 ≤ z ' ≤ W ) = 0 , on peut montrer que B2 = 0 et
nπ
=ky = , n 0,1, 2,... (VI.33)
L
Ainsi, la forme finale du potentiel vecteur Ax dans la cavité est donnée par :
Ax = Amnp cos( k x x ') cos( k y y ') cos( k z z ') (VI.34)
où Amnp représente les coefficients d'amplitude de chaque mode mnp ; où m, n, p
représentent respectivement le nombre de variations de champ en demi-cycle le long des

directions x , y , z .
Puisque les nombres d'onde k x , k y et k z sont soumis à l'équation de contrainte, tel que
 mπ   nπ   pπ 
2 2 2
k +k +k =   +  = k r = ωr µε
2 2 2 2 2
x y z   (VI.35)
 h   L  W 
les fréquences de résonance de la cavité sont données par :
 mπ   nπ   pπ 
2 2 2
1
=( f r ) mnp   +    (VI.36)
2π µε  h   L  W 
En substituant (VI.34) en (VI.29), les champs électriques et magnétiques à l’intérieur de la
cavité sont donnée par :
191
k 2 − k x2
Ex = − j Amnp cos( k x x ') cos( k y y ') cos( k z z ')
ωµε
kxk y
Ey = − j Amnp sin( k x x ') sin( k y y ') cos( k z z ')
ωµε
kx kz
Ez = − j Amnp sin( k x x ') cos( k y y ') sin( k z z ')
ωµε (VI.37)
Hx = 0
kz
Hy = − Amnp cos( k x x ') cos( k y y ') sin( k z z ')
µ
ky
Hz = Amnp cos( k x x ') sin( k y y ') cos( k z z ')
µ
Pour toutes les antennes microruban h << L et h << W . Si L > W > h , le mode dominant est
x
le TM 010 dont la fréquence de résonance est donnée par :
1 c0
=
( f r )010 = (VI.38)
2 L µε 2 L ε r
Si, de plus, L > W > L / 2 > h , le deuxième mode est le TM 001

x
dont la fréquence de résonance
est donnée par :
1 c0
=
( f r )001 = (VI.39)
2W µε 2W ε r
Sur la base de (VI.37), la distribution du champ électrique tangentiel le long des parois
x x x x
latérales de la cavité pour les modes TM 010 , TM 001 , TM 020 et TM 002 est présentée,
respectivement, sur la figure VI.13
Figure VI.13 Configurations de champ (modes) pour un patch microruban rectangulaire

192
Dans la discussion précédente, on a supposé qu'il n'y avait pas de dispersions des champs le
long des bords de la cavité. Cependant, les effets de dispersions doivent être pris en compte
dans la détermination de la fréquence de résonance. Cela a été fait dans (VI.5) pour le mode
x
dominant TM 010 .1
VI.5.2.2. Densité de courant équivalente

On suppose que le matériau du substrat est tronqué et ne dépasse pas les bords du patch. Les
quatre parois latérales représentent quatre fentes à travers lesquelles le rayonnement se
produit. En utilisant le principe d’équivalence de champ (principe de Huygens), le patch est
représenté par une densité de courant électrique équivalente J t à la surface supérieure du
patch pour tenir compte de la présence du patch (il y a aussi une densité J b au bas du patch
qui n'est pas nécessaire pour ce modèle). Les quatre fentes latérales sont représentées par la
densité de courant électrique équivalente J s et la densité de courant magnétique équivalente
M s , comme le montre la figure VI.14(a), chacune représentée par


J s= n × H a (VI.40)
et

M s =−n × Ea (VI.41)
où Ea et H a représentent respectivement les champs électriques et magnétiques aux fentes.
Puisque W / h << , J t << J b , on supposera qu'elle est négligeable. On a également, les champs
magnétiques tangentiels le long des bords du patch sont très petits. Par conséquent, J s <<
(idéalement nulle). Ainsi, la seule densité de courant non nulle est M s le long de la périphérie
latérale de la cavité rayonnant en présence du plan de masse, comme le montre la figure VI.14
(b). La présence du plan de masse peut être prise en compte par la théorie de l'image qui
doublera la densité de courant magnétique équivalente, tel que

Ms = −2 n × E a (VI.42)
autour de la périphérie latérale de patch rayonnant dans l'espace libre, comme le montre la
figure VI.14 (c).
Dans ce modèle, même s'il y a quatre fentes représentant l'antenne, seuls deux (les fentes
rayonnantes) représentent la majeure partie du rayonnement; les champs rayonnés par les
deux autres, séparés par la largeur du patch W , s'annulent le long des plans principaux. Les
fentes sont séparées par une ligne de transmission à plaques parallèles de très faible
193
impédance de longueur L , qui agit comme transformateur. La longueur de la ligne de

transmission est d'environ λ / 2 , afin que les champs à l'ouverture des deux fentes aient une
polarisation opposée. Ceci est illustré aux figures VI.1 (a) et VI.13 (a). Dans une direction
perpendiculaire au plan du masse, les composants du champ s’ajoutent en phase et donnent un
rayonnement maximum normal au patch; c'est donc une antenne transversale.
(b) , avec plan de masse
(a) , avec plan de masse
(c) Sans plan de masse

Figure VI.14 Densités de courants équivalents sur les quatre côtés du patch rectangulaire.
x
En supposant que le mode dominant dans la cavité est le TM 010 , de (VI.37) les composantes
du champ électrique et magnétique sont données par :
π 
E x = E0 cos  y ' 
L 
π 
H z = H 0 sin  y '  (VI.43)
L 
E=
y E=
z H= x H= y 0
où E0 = − jω A010 et H 0 = (π / µ L) A010 .
En utilisant le principe d'équivalence, chaque fente rayonne les mêmes champs qu'un dipôle
magnétique avec densité de courant M s égales à (VI.42). De la figure VI.15, les densités de
courant magnétique équivalentes le long des deux fentes, chacune de largeur W et de hauteur
h , ont la même amplitude et phase. Par conséquent, ces deux fentes forment un réseau à deux
éléments avec des sources de même amplitude et phase et séparées par L . Ainsi, ces deux
sources vont s’ajouter dans une direction normale au patch et au plan de masse, formant ainsi
194
un diagramme transversal comme le montre la figure VI.16(a). Dans le plan H, le diagramme

normalisé de chaque fente et des deux est le même, comme le montre la figure VI.16 (b).
Figure VI.15 Fentes rayonnantes du patch rectangulaire et densités de courant magnétique équivalentes.
(a) Plan E (b) Plan H

Figure VI.16 Diagrammes typiques des plans E et H de chaque fente du patch et des deux ensembles.
Les densités de courant équivalentes pour les deux autres fentes, chacune de longueur L et de
hauteur h , sont illustrées à la figure VI.17. Puisque, les densités de courant sur chaque paroi
étant de même amplitude mais de sens opposé, les champs rayonnés par ces deux fentes
s'annulent dans le plan principal H. De plus, puisque les fentes correspondantes sur les parois
opposées étant déphasées de 180◦, les rayonnements correspondants s'annulent dans le plan
principal E. Le rayonnement de ces deux parois latérales dans les plans non principaux est
faible comparé aux deux autres parois latérales. Par conséquent, ces deux fentes sont
généralement appelées fentes non rayonnantes.
Figure VI.17 Densité de courant sur les fentes non rayonnantes du patch rectangulaire.
195
x
VI.5.2.3. Champs rayonnés : mode TM010
Pour trouver les champs rayonnés par chaque fente, on suit une procédure similaire à celle
utilisée pour analyser de l'ouverture rayonnante. Le champ total est la somme du réseau à
deux éléments, chaque élément représentant une fente. Puisque les fentes sont identiques, ceci
est réalisé en utilisant un facteur de réseau pour les deux fentes.
Fentes Rayonnantes
En suivant une procédure similaire à celle utilisée pour analyser de l'ouverture rayonnante, les
champs électriques rayonnés de la zone lointaine rayonnés par chaque fente, en utilisant les
densités de courant équivalentes de (VI.42), sont donnés par :
Er ≈ Eθ ≈ ~ 0 (VI.44)
k0 hWE0 e − jk0r  sin X sin Z 

Eφ = j
2π r sin θ X Z 
(VI.45)
avec
k0 h
X = sin θ cos φ (VI.46)
2
k0W
Z= cos θ (VI.47)
2
Pour k0 h << 1 , (VI.45) se réduit à
 kW 
− jk0 r  sin  0 cos θ  
Eφ ≈ j
V0 e
sin θ  2  (VI.48)
πr  cos θ 
 
où V0 = hE0 . Le facteur de réseau pour les deux éléments, de même amplitude et phase,
séparés par une distance Le le long de la direction y est donné par
 k Le 
( AF ) y = 2 cos  0 sin θ sin φ  (VI.49)
 2 
où Le est la longueur effective de (VI.3). Ainsi, le champ électrique total pour les deux fentes
(l’antenne microruban) est donnée par
k0 hWE0 e − jk0r  sin X sin Z  k L 
=Eφt j
πr sin θ X Z   × cos  0 e sin θ sin φ 
 2 
(VI.50)
k0 h kW
Avec : X = sin θ cos φ et Z = 0 cos θ
2 2
Pour k0 h << 1 , (VI.50) se réduit à
196
 kW 
− jk0 r  sin  0 cos θ  
Eφ ≈ j
2V0 e
sin θ  2   cos  k0 Le sin θ sin φ 
π cos θ  2  (VI.51)
   
 
où V0 = hE0 est la tension aux bornes de la fente.
Plane E
( θ 90 , 0 ≤ φ ≤ 90 et 270 ≤ φ ≤ 360 ) est le
Pour l'antenne microruban, le plan x − y=
plan E principal. Pour ce plan, l’expression du champ rayonné de (VI.50) se réduise à
  k0 h 
− jk0 r  sin  2 cos φ  
Eφt = j
k0 hWE0 e
    cos  k0 Le sin φ 
πr  2  (VI.52)
 k0 h cos φ   
 2 

Plane H
( φ 0 , 00 ≤ φ ≤ 180 ) est le plan H principal. Pour
Pour l'antenne microruban, le plan x − z =
ce plan, l’expression du champ rayonné de (VI.50) se réduise à
 k h  kW 
− jk0 r  sin  0 sin θ  sin  0 cos θ  
Eφt = j
k0 hWE0 e
sin θ  2   2  (VI.53)
πr  k 0 h
sin θ
k 0W
cos θ 
 2 2 
Pour illustrer la modélisation de l’antenne microruban à l’aide du modèle de cavité, les

diagrammes des plans E et H principaux à deux dimensions ont été calculées pour un patch
rectangulaire et un plan de masse de 10 cm×10 cm et sont représentés sur la figure VI.18 où
ils sont comparés aux mesures. Un bon accord est indiqué. Les effets de bord peuvent être pris
en compte en utilisant la théorie de la diffraction. L'asymétrie constatée dans les diagrammes
mesurées et simulées est due à l'alimentation qui n'est pas positionnée symétriquement le long
du plan E. La simulation tient compte de la position de l'alimentation, tandis que le modèle de
la cavité n'en tient pas compte.
La présence du plan de masse recouvert de diélectrique modifie le coefficient de réflexion, ce
qui influe sur l'amplitude et la phase de l'image. Pour tenir compte du diélectrique, le
coefficient de réflexion pour la polarisation verticale de +1 doit être remplacé par le
coefficient de réflexion de (III.155) tandis que le coefficient de réflexion pour la polarisation
horizontale de -1 doit être remplacé par le coefficient de réflexion de (III.158). Le résultat est
que (III.155) modifie la forme du diagramme dans le plan E. Mais, puisque le coefficient de
réflexion pour la polarisation horizontale pour un conducteur parfait est de -1 pour tous les
197
angles d’observation et que celui de (III.158) pour le plan de masse diélectrique est proche de
-1 pour tous les angles d’observation, le diagramme dans le plan H est fondamentalement
inchangé par la présence du diélectrique.
Simulation
Simulation Mesures
Modèle de cavité
Mesures
Modèle de cavité
Plan H φ=00
Plan E θ=900
Figure VI.18 Diagrammes 2D normalisés du patch rectangulaire (
)
Fentes non rayonnantes

Les champs rayonnés par les fentes dites non rayonnantes, chacune de longueur effective Le
et de hauteur h , se déterminent selon la même procédure que pour les deux fentes
rayonnantes. En utilisant les champs de (VI.43), la densité de courant magnétique équivalente
d’une fente non rayonnante orientée vers + z est donnée par
  π 
Ms =−2 n × E a =a y 2 E0 cos  y '  (VI.54)
 Le 
et elle est tracée dans la figure VI.17. De même pour celle orientée vers − z . En utilisant la
même procédure que pour les fentes rayonnantes, les composantes de champ électrique
normalisées de la zone lointaine rayonné par chaque fente sont données par
k0 hLe E0 e − jk0r  sin X cos Y  j ( X +Y )
Eθ = −
2π r Y cos φ X Y 2 − (π / 2) 2  e (VI.55)
 
k0 hLe E0 e − jk0r  sin X cos Y  j ( X +Y )
Eφ =
2π r Y cos θ sin φ X Y 2 − (π / 2) 2  e (VI.56)
 
k0 h kL
avec X = sin θ cos φ , Y = 0 e sin θ sin φ .
2 2
198
Puisque les deux fentes non rayonnantes forment un réseau á deux éléments, de même
amplitude mais de phase opposée, séparés d’une distance W le long de l’axe z , le facteur de
réseau est donné par
k W 
( AF ) z = 2 j sin  0 cos θ  (VI.57)
 2 
Par conséquent, le champ électrique total de la zone lointaine est donné par le produit de
(VI.55) et (VI.56) avec le facteur de réseau de (VI.57).
φ 0 , 0 ≤ θ ≤ 180 ), (VI.55) et (VI.56) sont nuls car le champ rayonné par
Dans le plan H (=
chaque quart de cycle de chaque fente est annulé par le champ rayonné par l'autre quart. De
( θ 90 , 0 ≤ φ ≤ 90 et 270 ≤ φ ≤ 360 ), le champ total est également
même, dans le plan E=
nul car (VI.57) est nulle. Cependant, ces deux fentes rayonnent loin des plans principaux,
mais leur intensité de champ dans ces autres plans est faible comparée à celle rayonnée par les
deux fentes rayonnantes, de sorte qu’il est généralement négligé.
VI.5.3. Directivité
Comme pour toute autre antenne, la directivité est l’une des figures de mérite les plus
importantes dont la définition est donnée par
U max 4π U max
=
D0 = (VI.58)
U0 Prad
Une seule fente k0 h << 1

En utilisant le champ électrique de (VI.48), l’intensité de rayonnement maximale et la
puissance rayonnée sont données respectivement par:
2 2
V  πW 
U max = 0 2  (VI.59)
2η0π  λ0 
2
  k0W 
2 π sin 
 cos θ  
= 0 2 ∫    sin 3 θ dθ
V 2
Pr ad (VI.60)
2η0π 0  cos θ 
 
Par conséquent, la directivité d’une seule fente peut être exprimée comme suit:
2
 2π W  1
D0 =   (VI.61)
 λ0  I1
où
199
2
  k0W 
π  sin  cos θ  
I1 = ∫     sin 3 θ dθ = −2 + cos X + XS ( X ) + sin X / X
2
[ ]
cos θ
i
0   (VI.62)
 
X = k0W
Asymptotiquement, les valeurs de (VI.62) sont données par :
= 3.3 5.2dB W << λ0

D0 =   W  (VI.63)
4  λ  W >> λ0
  0
La figure VI.19 montre les courbes de directivité d'une seule fente. Il est évident que la
directivité d'une fente unique n'est pas fortement influée par la hauteur du substrat, tant qu'elle
est maintenue électriquement petite.
Directivité (dB)
Largeur du patch ( )
Figure VI.19 Directivité calculée d'une et de deux fentes en fonction de la largeur de la fente.
Deux fentes k0 h << 1

Pour deux fentes, en utilisant (VI.51), la directivité peut être donnée par :
2 2
 2π W  π 2 W 
D=   = D=   (VI.64)
 λ0  I 2  λ0 
2 0
15Grad
où Grad est la conductance du rayonnement et

2
  k0W 
π π  sin  cos θ  
I2 = ∫ ∫  
2   sin 3 θ cos2  k0 Le sin θ sin φ  dθ d φ
cos θ  2  (VI.65)
0 0    
 
200
La directivité totale transversale pour les deux fentes rayonnantes, séparés par le champ du
x
mode dominat TM 010 , peut également être écrite sous la forme suivante :
2
=
D2 D=
0 D AF D0 (VI.66)
1 + g12
2 g12 <<1
DAF =  2 (VI.67)
1 + g12
Où
D0 :directivité du seul fente [donnée par (VI.61) et (VI.62)]
 k L 
DAF : Directivité du facteur de réseau AF  AF = cos  0 e sin θ sin φ  
  2 
g12 = G12 / G1 : Conductance mutuelle normalisée.
La conductance mutuelle normalisée g12 peut être obtenue en utilisant (VI.14), (VI.15) et
(VI.22). Les valeurs calculées basées sur (VI.22) montrent que g12 << 1 ; ainsi (VI.67) est
généralement une bonne approximation pour (VI.66). Asymptotiquement, la directivité de
deux fentes (antenne microruban) peut être exprimée par :
= 6.6 8.2dB W << λ0

D2 =   W  (VI.68)
8  λ  W >> λ0
  0
La courbe de directivité d'une antenne microruban, modélisées par deux fentes, est
représentée sur la figure VI.19. Il est évident que la directivité est indépendante de la hauteur,
tant que la hauteur est maintenue électriquement petite. Une différence d'environ 2 dB est
indiquée entre la directivité d'une et deux fentes.
La directivité des fentes peut également être approximée par les formules de Kraus et de Tai
& Pereira, en fonction de largeurs de faisceau dans les plans E et H, qui peuvent être
approchées par :
7.03λ02
ΘE  2 sin −1 (VI.69)
4(3L2e + h 2 )π 2
1
ΘH  2 sin −1 (VI.70)
2 + k0W
Les valeurs des directivités obtenues en utilisant (VI.69) et (VI.70) avec (I.30) ou (I.33) ne
seront pas très précises car les largeurs de faisceau, en particulier dans le plan E, sont très
grand. Cependant, elles peuvent servir de directives.
201
VI.6. PATCH CIRCULAIRE

L’autre configuration la plus habituel est le patch circulaire ou le disque, comme le montre la
figure VI.20. Les modes supportés par l'antenne circulaire peuvent être déterminés en traitant
le patch, le plan de masse et le matériau entre les deux comme une cavité circulaire. Comme
pour le patch rectangulaire, les modes supportés principalement par une antenne microruban
circulaire dont h << λ sont TM z où z est pris perpendiculairement au patch. Pour le patch
circulaire, il n’y a qu’un seul degré de liberté à contrôler (rayon du patch). Cela ne change pas
l'ordre des modes; mais, il modifie la valeur absolue de leur fréquence de résonance.
Figure VI.20 Géométrie de l’antenne patch microruban.

L’antenne circulaire ne peut être analysée de façon pratique qu’avec l’utilisation du modèle de
cavité (ou la pleine onde). La procédure est similaire à celle du patch rectangulaire mais avec
des coordonnées cylindriques. La cavité est composée de deux conducteurs électriques
parfaits en haut et en bas pour représenter le patch et le plan de masse, et par un conducteur
magnétique parfait cylindrique autour de la périphérie circulaire de la cavité. Le matériau
diélectrique du substrat est supposé être tronqué au-delà de l'étendue du patch.
VI.6.1. Champs électriques et magnétiques : TMzmnp
Pour trouver les champs dans la cavité, on utilise l’approche du potentiel vecteur. Pour TM z
on doit d'abord trouver le potentiel vecteur magnétique Az , qui doit satisfaire l'équation
d'onde homogène en coordonnées cylindriques, tel que
∇2 Az ( ρ , φ , z ) + k 2 Az ( ρ , φ , z ) =
0 (VI.71)
Pour les modes TM z , dont les champs électriques et magnétiques sont liés au potentiel
vecteur Az par :
202
1 ∂ 2 Az 1 ∂Az
Eρ =
−j Hρ =
ωµε ∂ρ∂z µρ ∂φ
1 1 ∂ 2 Az 1 ∂Az
Eφ =
−j Hφ =
− (VI.72)
ωµε ρ ∂φ∂z µ ∂ρ
1  ∂2 
Ez =
−j  + k 2  Az Hz =
0
ωµε  ∂z 2

Avec les conditions aux limites :
Eρ (0 ≤ ρ ' ≤ a, 0 ≤ φ ' ≤ 2π , z ' = 0) = 0
Eρ (0 ≤ ρ ' ≤ a, 0 ≤ φ ' ≤ 2π , z ' = h ) = 0 (VI.73)
H φ ( ρ =' a, 0 ≤ φ ' ≤ 2π , 0 ≤ z ≤ h )= 0
le potentiel vecteur magnétique Az se simplifié à :
=Az Bmnp J m ( k ρ ρ ') [ A2 cos( mφ ') + B2 sin( mφ ') ] cos k z z ' (VI.74)
avec l'équation de contrainte suivante :

(kρ )2 + (kρ )2 = ωr2 µε
k r2 = (VI.75)
Les coordonnées cylindriques primées ρ ' , φ ' , z ' sont utilisées pour représenter les champs
dans la cavité, et
= '
k ρ xmn =m 0,=
1, 2,... n 1, 2, 3,... (VI.76)
= π /h
k z p= p 0, 1, 2,... (VI.77)
'
xmn représente les zéros de la dérivée de la fonction de Bessel J m ( x ) , et ils déterminent
l'ordre des fréquences de résonance.
VI.6.2. Fréquences résonnantes

Les fréquences de résonance de la cavité, et donc de l’antenne microruban, se déterminent en
utilisant (VI.75)-(VI.77). Étant donné que pour la plupart des antennes microrubans
h < 0.05λ0 , les champs le long de z sont essentiellement constants et sont présentés par
p = 0 et k z = 0 . Par conséquent, les fréquences de résonance pour les modes TM mn

z
0 en
utilisant (VI.75) sont données par :

'
1 xmn
( f r ) mn 0 = (VI.78)
2π µε a
z
Le mode dominant est le TM 110 dont la fréquence de résonance est :
203
1.8412 1.8412C0
=
( f r )110 = (VI.79)
2π a µε 2π a ε r
La fréquence de résonance de (VI.79) ne prend pas en compte les dispersions. Les dispersions
sont pris en compte en introduisant un rayon effectif ae , pour remplacer le rayon réel a ,
donné par :
1/2
 2h  πa  
ae =
a 1 + ln  2h  + 1.7726  (VI.80)
 π aε r    
z
Par conséquent, la fréquence de résonance de (VI.79) pour le dominant TM 110 doit être
modifiée en utilisant (VI.80) tel que:
1.8412 8.791 × 109 8.791 × 109
(=
f rc )110 = =
⇒ ae (VI.81)
2π ae µε ae ε r f rc ε r
VI.6.3. Conception
La procédure de conception des antennes microruban circulaires pour le mode dominant
z
TM 110 est basée sur la formulation du modèle de cavité. La procédure est la suivante:
- Spécifier ε r , f r ( Hz ) et h( cm )
- Déterminer le rayon réel a du patch.

Procédure de conception
Une approximation de premier ordre de la solution de (VI.80) pour a consiste à trouver ae .
Ceci est fait en substituant (VI.81) pour ae sur le côté gauche de (VI.80) et pour a seulement
dans les accolades {..} sur le côté droit de (VI.80). Ainsi
F
a= 1/2
(VI.82)
 2h  πF  
1 +  ln   + 1.7726 
 πε r F   2h  
avec
8.791 × 109
F= (VI.83)
fr ε r
VI.6.4. Densités de courant équivalents et champs rayonnés

Les champs rayonnés par le patch circulaire peuvent être trouvés en utilisant le principe
d'équivalence selon lequel la paroi circonférentielle de la cavité est remplacée par une densité
de courant magnétique équivalente de (VI.42) comme le montre la figure VI.21. Sur la base
204
z
de (VI.72)-(VI.74) et en supposant une distribution de champ en mode TM 110 sous le patch,
les champs électriques et magnétiques normalisés dans la cavité peuvent être écrits sous les
formes suivantes :
E=
ρ E=
φ H=
z 0 (VI.84)
E z = E0 J 1 ( k ρ ') cos φ ' (VI.85)
E0 1
Hρ = J J 1 ( k ρ ') sin φ ' (VI.86)
ωµ0 ρ
E0
Hφ = J J 1' ( k ρ ') cos φ ' (VI.87)
ωµ0
où φ ' est l'angle azimutal le long du périmètre du patch.
Selon (VI.85) évaluée au bord électrique équivalent du disque ( ρ ' = ae ), la densité de courant
magnétique de (VI.42) peut être écrite sous la forme suivante :
 
Ms = −2 n × E a ρ ' = a =aφ 2 E0 J 1 ( kae ) cos φ ' (VI.88)
e
Puisque la hauteur du substrat est très petite et que la densité de courant de (VI.88) est
uniforme le long de la direction z , on peut rapprocher (VI.81) par un courant magnétique
filamentaire, tel que
 
= =
I m hM s =
aφ 2hE0 J 1 ( kae ) cos φ ' aφ 2V0 cos φ ' (VI.89)
où V0 = hE0 J 1 ( kae ) à φ ' = 0 .
Figure VI.21 Modèle de cavité et densité de courant magnétique équivalente

pour une antenne patch microruban circulaire.
En utilisant (VI.89) l’antenne microruban peut être traitée comme une boucle circulaire. En
utilisant les résultats pour les antennes en boucle et les ouvertures rayonnants, on peut écrire :
Er = 0 (VI.90)
k0 aeV0 e − jk0r
Eθ = − j cos φ J 02'  (VI.91)
2r
205
k0 aeV0 e − jk0r
Eφ = j [cos θ sin φ J 02 ] (VI.92)
2r
=J 02' J 0 ( k0 ae sin θ ) − J 2 ( k0 ae sin θ ) (VI.93)
=J 02 J 0 ( k0 ae sin θ ) + J 2 ( k0 ae sin θ ) (VI.94)
où ae est le rayon effectif donné par (VI.80). Les champs dans les principaux plans se
réduisent à:
=
Plan E ( φ 0 , 180 , 0 ≤ θ ≤ 90 )
k0 aeV0 e − jk0r '

Eθ = j  J 02  (VI.95)
2r
Eφ = 0 (VI.96)
=
Plan H ( φ 90 , 270 , 0 ≤ θ ≤ 90 )
Eθ = 0 (VI.97)
k0 aeV0 e − jk0r
Eφ = j [cos θ J 02 ] (VI.98)
2r
Les diagrammes ont été calculés pour un patch circulaire avec un plan de masse de
10cm×10cm, basé sur (VI.95)-(VI.98), et ils sont présentés sur la figure VI.22 où ils sont
comparés avec des diagrammes mesurés et simulés. L'asymétrie constatée dans les
diagrammes mesurées et simulées est due à l'alimentation qui n'est pas positionnée
symétriquement le long du plan E. Les simulations tiennent compte de la position de
l’alimentation, tandis que le modèle de la cavité n’en tient pas compte.
Simulation
Mesures
Simulation Modèle de cavité
Mesures
Modèle de cavité
Plan E φ=00 Plan H φ=900
Figure VI.22 Diagrammes 2D normalisés du patch microruban circulaire (

)
206
VI.6.5. Conductance et directivité

La conductance due à la puissance rayonnée et à la directivité de l'antenne patch microruban
circulaire peut être calculée en utilisant leurs définitions respectives de (VI.12) et (VI.58). La
puissance rayonnée, basée sur les champs de (VI.91) et (VI.92) du modèle de cavité peut être
exprimé par :
π /2
( k 0 ae ) 2
= ∫  J + cos2 θ J 022  sin θ dθ
2 '2
Pr ad V0 02 (VI.99)
960 0
Par conséquent, la conductance à travers l’écart entre le patch et le plan de masse à φ ' = 00
sur la base de (VI.12) et (VI.99) peut être écrite sous la forme suivante:
π /2
( k 0 ae ) 2
= ∫  J + cos2 θ J 022  sin θ dθ
'2
Gr ad 02 (VI.100)
480 0
La conductance de (VI.100) prend en compte les pertes dues au rayonnement, mais pas les
pertes de conduction et les pertes diélectriques, qui peuvent être exprimées sous la forme
suivante
ε moπ (πµ0 f r ) −3/2
=Gc ( kae ) 2 − m 2  (VI.101)
4h 2 σ
ε mo tan δ
=Gd ( kae ) 2 − m 2  (VI.102)
4 µ0 hf r 
où ε mo = 2 pour m = 0 , ε mo = 1 pour m ≠ 0 et f r représente la fréquence de résonance du
mode mn0 . Ainsi, la conductance totale peut être écrite sous la forme suivante :
Gt = Grad + Gc + Gd (VI.103)
Selon (VI.58), (VI.91), (VI.92), (VI.99) et (VI.100), la directivité pour la fente à θ = 0 peut
être exprimée par :
( k 0 ae ) 2
D0 = (VI.104)
120Grad
z
Un tracé de la directivité du mode dominant TM 110 en fonction du rayon du disque est
représenté sur la figure VI.23. Pour de très petites valeurs du rayon, la directivité se rapproche
de 3 (4.8 dB), qui équivaut à celle d'une fente au-dessus d'un plan de masse et correspond à la
valeur de (VI.63) pour W << λ0 .
207
Figure VI.23 Conductance du rayonnement en fonction du rayon effectif

pour le patch microruban circulaire fonctionnant en mode dominant .
VI.6.6. Résistance d'entrée á la résonnance

L'impédance d'entrée d'un patch circulaire à la résonance est réelle. La puissance d'entrée est
indépendante de la position du point d'alimentation le long de la circonférence. On Prenant la
référence de l'alimentation à φ ' = 0 , la résistance d'entrée à une distance ρ ' = ρ 0 du centre de
patch, pour le mode dominant TM 11 (qui n'a pas un zéro dans le diagramme d'amplitude
normal au patch), peut être écrit sous la forme suivante :
1 J 12 ( k ρ 0 )
ρ ' ρ=
Rin (= 0) (VI.105)
Gt J 12 ( kae )
où Gt est la conductance totale donnée par (VI.103). La résistance d’entrée á la résonnance

d’un patch circulaire avec une alimentation, qui est généralement une sonde, peut être écrite
sous la forme suivante :
J 12 ( k ρ 0 )
ρ ' ρ=
Rin (= 0) ρ ' ae )
Rin (= (VI.106)
J 12 ( kae )
1
ρ ' a=
Rin ( = e) (VI.107)
Gt
où Gt est donné par (VI.103).
VI.7. FACTEUR DE QUALITÉ, BANDE PASSANTE ET EFFICACITÉ

Le facteur de qualité, la bande passante et l’efficacité sont des caractéristiques de l’antenne,
qui sont étroitement liés. Par conséquent, pour avoir une performance optimale de l'antenne, il
y a toujours un compromis entre eux. Cependant, on préfère optimiser l'une d'entre elles tout
en réduisant la performance de l'autre.
Le facteur de qualité est une figure de mérite représentatif des pertes d'antenne.
Généralement, il y a des pertes de rayonnement, de conduction, diélectriques et des ondes de
208
surface. Par conséquent, le facteur de qualité total Qt dépend de toutes ces pertes et est en
général écrit sous la forme suivante :
1 1 1 1 1
= + + + (VI.108)
Qt Qrad Qc Qd Qsw
Qrad :facteur de qualité dû aux pertes de rayonnement.
Qc :facteur de qualité dû aux pertes de conduction
Qd :facteur de qualité dû aux pertes diélectriques
Qsw :facteur de qualité dû aux ondes de surface

Pour des substrats très minces, les pertes dues aux ondes de surface sont négligées.
Cependant, pour les substrats très épais, ils doivent être pris en compte. Ces pertes peuvent
également être éliminées en utilisant des cavités
Pour des substrats très minces ( h << λ0 ) de formes arbitraires (y compris rectangulaires et
circulaires), il existe des formules approchées pour représenter les facteurs de qualité des
différentes pertes et peuvent être exprimés par les formules suivantes
Qc = h π f µσ (VI.109)
Qd = 1 / tan δ (VI.110)
2ωε r
Qrad = K (VI.111)
hGt / l
où tan δ est la tangente à la perte du substrat, σ est la conductivité des conducteurs associés
au patch et au plan de masse, Gt / l est la conductance totale par unité de longueur de
l’ouverture rayonnante et
∫∫
2
E dA
K=
surface
(VI.112)
∫
2
E dl
perimètre
x
Pour une ouverture rectangulaire fonctionnant en mode dominant. TM 010
K = L/4 (VI.113)
Grad
Gt / l = (VI.114)
W
Le Qrad tel que représenté par (VI.111) est inversement proportionnel à la hauteur du substrat,
et le facteur dominant pour les substrats très minces.
209
La bande passante fractionnelle de l’antenne est inversement proportionnelle á Qt et elle est

définie par :
∆f 1
= (VI.115)
f 0 Qt
Cependant, (VI.115) peut ne pas être utile car elle ne prend pas en compte l'adaptation
d'impédance aux bornes d'entrée de l'antenne. Une définition plus significative de la bande
passante fractionnelle est sur une bande de fréquences où le VSWR aux bornes d’entrée est
égal ou inférieur à une valeur maximale souhaitée, en supposant que le VSWR = 1 à la
fréquence de conception. Une forme modifiée de (VI.115) qui prend en compte l’adaptation
d'impédance est donnée par :
∆f VSWR − 1
= (VI.116)
f 0 Qt VSWR
En général, la bande passante est proportionnelle au volume, qui pour une antenne
microruban rectangulaire à une fréquence de résonance constante peut être exprimée par :
1 1 1
BW  volume=surface.heuteur=longueur.largeur.hauteur  εr = (VI.117)
εr εr εr
Une expression approximative de la largeur de bande (pour VSWR ≤ 2 , Γ ≤ 1 / 3 ), à condition
que la puissance de l’onde de surface soit très petite que celle rayonnée est donnée par :
16  ε r − 1  h W  ε r − 1 h W
=BW =  (ε ) 2  λ L 3.771  (ε ) 2  λ L (VI.118)
3 2 r  0  r  0
L'expression est valable pour h << λ0 .
Ainsi, selon (VI.117), la largeur de bande est inversement proportionnelle à εr .

L'efficacité du rayonnement d'une antenne est définie comme la puissance rayonnée sur la
puissance d'entrée. Elle peut être également exprimé en fonction des facteurs de qualité de
l’antenne microruban, tel que
1 / Qrad Qt
=
ecdsw = (VI.119)
1 / Qt Qrad
VI.8. IMPEDANCE D'ENTREE

Des expressions approximatives décrivant la variation de la résistance d'entrée á la résonnance
en fonction de la position d’alimentation, peuvent être utilisées pour adapter l'élément
d'antenne à la ligne de transmission d'entrée.
210
En général, l'impédance d'entrée est complexe et varie en fonction de la fréquence, et une

variation typique est illustrée à la figure VI.24. Théoriquement, la résistance et la réactance
présentent une symétrie par rapport à la fréquence de résonance. Généralement, pour les
substrats très minces, la réactance d'alimentation est très petite, comparée à la résistance de
résonnance. Cependant, pour des éléments épais, la réactance peut être importante et doit être
prise en compte dans l'adaptation d'impédance et dans la détermination de la fréquence de
résonance d'un élément chargé. Les variations de la réactance d'alimentation en fonction de la
position peuvent être expliquées intuitivement en considérant le modèle de cavité d'un patch
rectangulaire. Lorsque le point d'alimentation est éloigné de l'un des bords, l'inductance
associée à la densité d'énergie magnétique stockée dans un petit volume de test à proximité de
l'alimentation sera principalement due au courant de l'alimentation réelle. Cependant, lorsque
l’alimentation se trouve sur l'un des bords, l'inductance et la réactance associée sont deux fois
plus élevées que lorsque l'alimentation est éloignée du bord. Lorsque l’alimentation se trouve
à un coin, l'inductance et la réactance associées sont quatre fois plus importantes que lorsque
l’alimentation est écartée d'un bord ou d'un coin. Ainsi, la plus grande réactance se produit
lorsque l’alimentation se situe à un coin ou près d’un coin tandis que la plus petite est lorsque
l’alimentation est éloignée d’un bord ou d’un coin.
Résistance de résonance
maximale.
Xf=réactance d’alimentation=
Figure VI.24 Variation typique de la résistance et de la réactance

de l'antenne microruban rectangulaire en fonction de la fréquence
Ce raisonnement prédit les variations relatives de la réactance en fonction de la position. En

fait, il surestime les valeurs des alimentations directement sur le bord; les valeurs réelles
prédites par le modèle de cavité sont plus petites. Une formule proposée pour approximer la
réactance de l’alimentation, qui ne prend en compte aucune image, est donnée par :
211
η kh   kd  
Xf −  ln   + 0.577  (VI.120)
2π   4  
où d est le diamètre de la sonde d'alimentation.
VI.9. LE COUPLAGE
Le couplage entre deux patchs microruban ou plus peut être pris en compte à l'aide de
l'analyse à pleine onde Cependant, il est plus difficile d’utiliser les modèles de ligne de
transmission et de cavité. On peut montrer que le couplage entre deux patchs, tout comme le
couplage entre deux ouvertures ou deux antennes filaires, est fonction de la position d'un
élément par rapport à l'autre.
Pour deux patchs rectangulaires, le couplage est fonction de l'alignement relatif. Lorsque les
éléments sont positionnés de manière colinéaire le long du plan E, cette disposition est
appelée plan E, comme le montre la figure VI.25 (a); lorsque les éléments sont positionnés de
manière colinéaire le long du plan H, cette disposition est appelée plan H, comme le montre la
figure VI.25 (b). Pour une séparation s de bord à bord, le plan E présente la plus petit
couplage pour s un très petit (généralement s < 0.10λ0 ) tandis que le plan H présente le plus
petit couplage pour un grand espacement (généralement s > 0.10λ0 ). L'espacement pour
lequel le couplage d’un plan dépasse l'autre dépend des propriétés électriques et des
dimensions géométriques de l'antenne microruban. Les variations typiques sont illustrées à la
figure VI.26.
En général, le couplage mutuel est principalement attribué aux champs qui existent le long de
l'interface air-diélectrique. Les champs peuvent être décomposés en ondes d’espace (variation
1 / ρ ), ondes d'ordre supérieur (variation 1 / ρ 2 ), ondes de surface (variation 1 / ρ 1/2 ) et ondes
de fuites (variation e − λρ / ρ ). Les ondes d’espace et de l’ordre supérieur sont les plus
1/2
dominantes pour les très petits espacements. Les ondes de surface existent et se propagent
dans le diélectrique et leur excitation est fonction de l'épaisseur du substrat. Le premier mode
d’onde de surface est TM (impair) avec une fréquence de coupure nulle suivie du mode TE
(pair) et alternativement des modes TM (impair) et TE (pair). Pour un patch microruban
rectangulaire, les champs sont TM dans une direction de propagation le long du plan E et TE
dans une direction de propagation le long du plan H. Étant donné que pour la disposition du
plan E de la figure VI.25 (a) les éléments sont placés de manière colinéaire le long du plan E,
il y a une excitation par onde de surface plus forte (mode dominant) entre les éléments et le
couplage est plus grand. Cependant, pour la disposition du plan H de la figure VI.25 (b), il n'y
212
a pas une forte excitation des ondes de surface en mode dominant; alors il y a moins de
couplage entre les éléments. Cela change au fur et à mesure que l'épaisseur du substrat
augmente, ce qui permet l’excitation d’onde de surface TE d’ordre supérieur.
(b) Plan H
(a) Plan E
Figure VI.25 Dispositions des plans E et H des antennes patch microruban.
Plan E Plan H
Mesurée -Carver
Calculée -Pozar
Plan E
Plan H
Figure I.26 Couplage mutuel mesuré et calculé entre deux antennes microruban à alimentation coaxiale,
pour le couplage du plan E et H ( )
Pour la disposition du plan E de la figure VI.25 (a) et pour une distribution de champ en mode
impair sous le patch, qui représente le mode dominant, la conductance mutuelle est donnée
par :
2
  k0W 
 sin  2 cos θ  
    sin 3 θ  2 J  Y 2π sin θ 
 0 
1 επ cos θ    λ0 
G12 =
π ∫
µ 
0
 

(VI.121)
Y + L  Y − L  
+J0  2π sin θ  + J 0  2π sin θ   dθ
 λ0   λ0  
où Y est la séparation centre à centre entre les fentes. Le premier terme dans (VI.121)
représente la conductance mutuelle de deux fentes séparées par une distance X le long du
213
plan E et le deuxième et troisième terme représentent les conductances de deux fentes

séparées le long du plan E par des distances Y + L et Y − L respectivement. Les résultats
normalisés sont illustrés dans la figure VI.26.
Pour la disposition du plan H de la figure VI.25 (b) et pour une distribution de champ en
mode impair en dessous du patch, qui représente le mode dominant, la conductance mutuelle
est donnée par :
2
  k0W 
π  sin  cos θ  
2 ε
 
2   sin 3 θ cos  Z 2π cos θ  1 + J  L 2π sin θ   dθ (VI.122)
G12
π ∫
µ0 cos θ 

 λ0

 
0 
 λ0

 
 
où Z est la séparation centre à centre entre les fentes. Le premier terme dans (VI.122)
représente le double de la conductance mutuelle de deux fentes le long du plan H séparées par
une distance Z tandis que le second terme représente le double de la conductance entre deux
fentes le long du plan E séparées par une distance L et le long du plan H par une distance Z .
Les résultats normalisés sont illustrés á la figure VI.27. Il est clair que la conductance
mutuelle pour la disposition du plan H, diminue avec la distance plus rapidement que celle du
plan E. On observe également que la conductance mutuelle pour la disposition du plan E est
plus grande pour les éléments plus larges alors que c’est l’inverse pour la disposition du plan
H.
Plan E
Plan H
Figure VI.27 Conductance mutuelle des plans E et H en fonction de la séparation des patchs pour des
antennes patch rectangulaires à microrubans ( ).
VI.10. LA POLARISATION CIRCULAIRE

Les patchs rectangulaires et circulaires discuté ci-dessus, rayonnent principalement des ondes
polarisées linéairement si des alimentations conventionnelles sont utilisées sans aucune
214
modification. Cependant, des polarisations circulaires et elliptiques peuvent être obtenues en

utilisant diverses dispositions d'alimentation ou de légères modifications faites aux éléments.
La polarisation circulaire peut être obtenue si deux modes orthogonaux sont excités avec une
différence de phase de 90 entre eux. Cela peut être fait en ajustant les dimensions physiques
du patch et en utilisant un seul, ou plusieurs alimentations. Pour un patch carré, le moyen le
plus simple d'exciter théoriquement une polarisation circulaire consiste à alimenter l'élément
sur deux bords adjacents, comme le montrent les figures VI.28 (a, b), pour exciter les deux
x x
modes orthogonaux; le TM 010 et le TM 001 . La différence de phase en quadrature est obtenue
en alimentant l'élément avec un diviseur de puissance 90 ou un hybride 90 .

z
Pour un patch circulaire, la polarisation circulaire pour le mode TM 110 est obtenue en utilisant
deux alimentations avec une séparation angulaire appropriée. Un exemple est illustré á la
figure VI.28 (c) en utilisant deux alimentations coaxiales séparées de 90 qui génèrent des
champs orthogonaux. Aussi avec cette disposition, chaque sonde est toujours positionnée à un
point où le champ généré par l'autre sonde présente une valeur nulle; il y a donc un faible
couplage mutuel entre les deux sondes. Pour obtenir une polarisation circulaire, il est aussi
nécessaire que les deux alimentations créaient des champs avec différence de phase de 90
entre eux. Cela est possible grâce à l'utilisation d'un hybride 90 , comme le montre la figure
VI.29 (c). Un court-circuit est placé au centre du patch pour relier le patch au plan de masse,
pour améliorer la qualité de la polarisation circulaire.
Pour les modes d'ordre supérieur, l'espacement entre les deux sources pour obtenir une
polarisation circulaire est différent. Ceci est illustré dans la figure VI.28 (d) et présenté dans le
tableau VI.1. Cependant, pour préserver la symétrie et minimiser la polarisation croisée, en
particulier pour les substrats relativement épais, deux sondes d'alimentation supplémentaires
situées diamétralement à l'opposé des pôles originales sont généralement recommandées. Pour
z z
les modes pairs ( TM 210 et TM 410 ), les quatre sondes d'alimentation doivent avoir des phases
de 0 , 90 , 0 et 90 alors que les modes impairs ( TM 110

z z
et TM 310 ) doivent avoir des phases
de 0 , 90 , 180 et 270 , comme le montre la figure VI.28 (d).

Pour surmonter les complexités du double alimentation, la polarisation circulaire peut
également être obtenue en alimentant le patch en un seul point pour exciter deux modes
dégénérés orthogonaux (d'une certaine fréquence de résonance) dont les amplitudes sont
théoriquement égales. Puisque les deux modes auront des fréquences légèrement différentes,
par une conception appropriée le champ d'un mode peut être avancé de 45 et de l'autre peut
215
être retardé de 45 , ce qui entraîne une différence de phase de 90 pour la polarisation
circulaire. Pour y réaliser, plusieurs dispositions ont été proposées, comme le montre la figure
VI.29
Les fréquences de résonance f1 et f 2 de la largeur de bande de (VI.116) associée aux deux
longueurs L et W d'un microruban rectangulaire sont donnée par
f0
f1 = (VI.123)
1 + 1 / Qt
=f1 f 0 1 + 1 / Qt (VI.124)
où f 0 est la fréquence centrale. En alimentant l'élément le long de la diagonale, en partant du

coin inférieur gauche vers le coin supérieur droit, comme le montre la figure VI.29 (b), on
obtient théoriquement une polarisation circulaire à gauche. La polarisation circulaire à droite
peut être obtenue en alimentant le long de la diagonale opposée comme montre la figure
VI.29 (c). Au lieu de déplacer le point d’alimentation à chaque fois pour changer les modes
afin de changer le type de polarisation circulaire, des diodes varicap peuvent être utilisées.
Diviseur de Patch carré Hybride 900 Patch carré
puissance
(a) Patch carré alimenté aux côtés (b) patch carre alimente aux cotes
adjacents par diviseur de puissance adjacents par un hybride 900
Connecteur coaxial
Hybride
900
Centre du disque
relié au plan de
Connecteur coaxial masse
(c) Patch circulaire alimenté par câble coaxial
(d) Disposition d’alimentation du patch circulaire pour les modes et d’ordre supérieur
Figure VI.28 Dispositions du patch rectangulaire et circulaire pour la polarisation circulaire
D'autres moyens pratiques pour obtenir une polarisation circulaire, consistent á coupé des
fentes très fines comme le montrent les figures VI.30 (a, b) avec les dimensions
216
L W
=c = (VI.125)
2.72 2.72
c L W
=
d = = (VI.126)
10 0.272 0.272
TABLEAU VI.1 Espacement angulaire de la sonde d'alimentation de différents modes pour la
polarisation circulaire
TM110 TM210 TM310 TM410 TM510 TM610
45◦ 30◦ 22.5◦ 18◦., 54◦ 15◦, 45◦
𝛼𝛼 90◦ ou ou ou ou ou
135◦ 90◦ 67.5◦ 90◦ 75◦
Patch presque
carré
Point
Point
d’alimentation
d’alimentation
(a) Patch presque carrée (b) circulaire à gauche (c) circulaire à droite
Figure VI.29 Dispositions à alimentation unique pour la polarisation circulaire des patchs
rectangulaires.
Une autre méthode consiste à couper les extrémités des deux coins opposés d’un patch carré
et alimenter au point 1 ou 3 , comme le montre la figure VI.31 (a). La polarisation circulaire
peut également être obtenue avec un patch circulaire en le rendant légèrement elliptique ou en
ajoutant des languettes, comme illustré à la figure VI.31 (b).
Patch Patch
carré carré
Figure VI.30 Polarisation circulaire pour patch carré à fentes fines sur patch
( )
(a) Carré tronqué (L=W) (b) Elliptique avec languettes

Figure VI.31 Polarisation circulaire en coupant les coins opposés d’un patch carré et
en faisant un patch circulaire légèrement elliptique et en ajoutant des languettes.
217
VI.11. LES RÉSEAUX ET RÉSEAUX D'ALIMENTATION

Les antennes microruban sont utilisées non seulement comme des éléments individuels, mais
sont très répandues dans les réseaux. Les réseaux sont très souples et sont utilisés pour
synthétiser un diagramme requis qui ne peut être obtenu avec un seul élément. De plus, ils
sont utilisés pour balayer le faisceau d’un système d’antenne, augmenter la directivité et
effectuer diverses autres fonctions qui seraient difficiles avec un seul élément. Les éléments
peuvent être alimentés par une seule ligne, comme illustré à la figure VI.32 (a), ou par
plusieurs lignes dans un réseau d'alimentation, comme illustré à la figure VI.32 (b). Le
premier est appelé réseau série, et le second est appelé réseau parallèle.
Le réseau d'alimentation parallèle est utilisé pour fournir des divisions de puissance de 2n (
n = 2, 4, 8, 16, 32 , etc.). Ceci est réalisé en utilisant des lignes effilées, comme illustré à la
figure VI.33 (a), pour adapter les patchs de 100Ω à une entrée de 50Ω ou en utilisant des
transformateurs d’impédance quart d’onde, comme le montre la figure VI.33 (b).
(a) Alimentation série
(b) Alimentation parallèle

Figure VI.32 Dispositions d'alimentation pour les réseaux microrubans.
(a) Lignes effilées
(b) transformateurs λ/4

Figure VI.33 Lignes effilées et transformateurs d’impédance λ/4 pour adapter les
patchs de 100Ω à une ligne de 50Ω.
Les réseaux d’alimentations série peuvent être fabriqués en utilisant la photolithographie pour
les éléments rayonnants et le réseau d'alimentation. Cependant, cette technique est limitée aux
réseaux avec un faisceau fixe ou ceux qui sont balayés par variation de la fréquence, mais elle
peut être appliquée à des réseaux linéaires et plans à polarisation simple ou double. De plus,
tout changement dans l'un des éléments ou lignes d'alimentation affecte les performances des
218
autres. Par conséquent, il est important de pouvoir prendre en compte ces effets et d’autres,
tels que le couplage mutuel et les réflexions internes.
Les réseaux d’alimentation parallèle sont généraux et souples. Avec cette méthode, on a plus
de contrôle sur l’alimentation de chaque élément (amplitude et phase) et elle est idéale pour le
balayage des réseaux déphaseur, des réseaux multifaisceaux ou des réseaux à faisceau
modelé. La phase de chaque élément peut être contrôlée à l'aide de déphaseurs, tandis que
l'amplitude peut être ajustée à l'aide d'amplificateurs ou d'atténuateurs.
Les concepteurs de réseaux microrubans indiquent que les rayonnements provenant de la
ligne d'alimentation, en utilisant un réseau en série ou en parallèle, constituent un problème
sérieux qui limite la polarisation croisée et le niveau des lobes secondaire. La polarisation
croisée et les niveaux des lobes secondaires peuvent être améliorés en isolant le réseau
d'alimentation de la face rayonnante du réseau. Cela peut être réalisé en utilisant soit des
alimentations á sonde ou un couplage par ouverture.
Dans les réseaux microrubans, le couplage mutuel entre les éléments peut entraîner un
aveuglement de balayage qui limite, pour un certain coefficient de réflexion maximal, le
volume angulaire sur lequel les réseaux peuvent être balayés. Pour les antennes microruban,
cette limitation de balayage est fortement influée par les ondes de surface dans le substrat. Ce
volume angulaire de balayage peut être étendu en éliminant les ondes de surface. L'une des
façons pour le faire consiste à utiliser des cavités en conjonction avec des éléments
microruban ; comme le montre.la figure VI.34. Il a été démontré que la présence de cavités,
circulaires ou rectangulaires, peut avoir une augmentation marquée du volume de balayage
dans le plan E, en particulier pour les substrats plus épais. Cependant, la forme de la cavité,
circulaire ou rectangulaire, n'influence pas fortement les résultats.
(b) Vue de côté
(a) Vue de dessus
Figure VI.34 Réseau de patchs circulaire supporté par cavités circulaires
219
Des résultats typiques pour un coefficient de réflexion apparié d’un réseau infini de patchs
circulaires et soutenu par des cavités circulaires et rectangulaires pour le plan E et H, sont
représentés sur la figure VI.35. Le coefficient de réflexion apparié Γ (θ, φ) est défini par
Z in (θ , φ ) − Z in (0, 0)
Γ(θ , φ ) = (VI.127)
Z in (θ , φ ) + Z in* (0, 0)
où Z in (θ , φ ) est l'impédance d'entrée lorsque le faisceau principal est balayé vers un angle
(θ , φ ) . Les résultats sont comparés à ceux d'une cavité habituelle. Il est évident qu'il existe
une amélioration importante du balayage pour le plan E, en particulier pour un VSWR
d'environ 2 : 1 . L'amélioration du plan H se produit pour les coefficients de réflexion
supérieurs à 0.60 . Pour le réseau habituel, la réponse du plan E présente un Γ  1 , près d'un
angle de balayage de θ 0 = 72.5 . C'est la preuve de l’aveuglement de balayage, qui est
attribuée au couplage entre les éléments du réseau dû aux ondes de fuite. L’aveuglement de
balayage se produit pour les plans E et H à l'incidence rasante ( θ 0 = 90 ).
Une autre façon de minimiser les ondes de surface, sans utiliser les cavités, consiste à monter
les patchs sur des surfaces EBG avec des vias, comme le montre la figure VI.36 (a). Une
cellule élémentaire 2×2 de surface EBG, avec un dipôle en son milieu, est représentée sur la
figure VI.36 (b). Ces surfaces ont la capacité de contrôler et de minimiser les ondes de surface
dans les substrats.
Patch. Abit (Plan E)
Cavité. Circ (Plan E)
Plan E
Cavité. Rect (Plan E) habituel
Patch. Abit (Plan H)
Coefficient de réflexion │Γin│
Cavité. Circ (Plan H) Plan H

Cavité. Rect (Plan H) habituel
Plan H
cavité
Plan E
cavité
Angle de balayage θ0 (degrés)

Figure VI.35 Coefficient de réflexion apparié en entrée du plan E et H en fonction de l'angle de
balayage pour un réseau infinie de patch microruban circulaires avec et sans cavités.
Le coefficient de réflexion simulé d’un dipôle microruban, placé sur une surface à haute
impédance est représenté á la figure VI.37. La gamme de fréquences de la bande interdite était
de 9,7-15,1 GHz. Il est clair qu'en utilisant des substrats classiques, le coefficient de réflexion
varie en fonction de l'angle de balayage, et crée un aveuglement de balayage autour de 50 .
220
Cependant, pour la surface à haute impédance, le coefficient de réflexion a été réduit, en

particulier dans le plan E, et l’aveuglement a été éliminé.
Substrat avec
plan de masse
(a) (b)
Figure VI.38 Réseau déphaseur de dipôles sur une surface EBG.
(a) réseau 3×3. (b) Dipôle entre cellule élémentaire 2×2.
f=13.0 GHz, εr=2.2

Zin(transversale)=82.43-j0.15
Longueur du dipôle=9.766mm
Hauteur du substrat h=4.771mm
Coefficient de réflexion
Substrat habituelle
Substrat EBG
Angle de balayage en degré

Figure VI.39 Coefficient de réflexion du réseau déphaseur de dipôles
sur un substrat habituelle et un substrat PBG de cellule élémentaire 4×4.
221
Annexe I
ANNEXE I
VECTEURS
I.1. IDENTITES ALGEBRIQUES
A B = A⋅ B + A× B
2 2 2 2
( I.1)
( A × B ) ⋅ C = ( B × C ) ⋅ A = (C × A) ⋅ B ( I.2)
A × ( B × C ) = B( A ⋅ C ) − C ( A ⋅ B ) ( I.3)
( A × B ) ⋅ (C × D ) = ( A ⋅ C )( B ⋅ D ) − ( A ⋅ D )( B ⋅ C ) ( I.4)
( A × B ) × (C × D ) = [ ( A × B ) ⋅ D ] C − [ ( A × B ) ⋅ C ] D ( I.5)
I.2 IDENTITES DIFFERENTIELLES
∇.(∇ × A) = 0 ( I.6)
∇ × ∇ψ = 0 ( I.7)
∇(φ + ψ ) = ∇φ + ∇ψ ( I.8)
∇(φψ ) = φ∇ψ + ψ∇φ ( I.9)
∇.( A + B ) = ∇. A + ∇.B ( I.10)
∇ × ( A + B) = ∇ × A + ∇ × B ( I.11)
∇.(ψ A) = A.∇ψ + ψ∇. A ( I.12)
∇ × (ψ A) = ∇ψ × A + ψ∇ × A ( I.13)
∇( A.B= ) ( A.∇) B + ( B.∇) A + A × (∇ × B ) + B × (∇ × . A) ( I.14)
∇.( A × B )= B.∇ × A − A.∇ × B ( I.15)
∇ × ( A × B ) = A∇.B − B∇. A + ( B.∇) A − ( A.∇) B ( I.16)
∇ × ∇) × A = ∇(∇. A) − ∇2 A ( I.17)
I.3 IDENTITES INTEGRAL
∫ A.dl= ∫∫ (∇ × A).ds
C S
Théorème de Stoke ( I.18)
∫∫ A=

C
.ds ∫∫∫ (∇. A)dv
V
( I.19)
∫∫ (nˆ × A)=
 C
ds ∫∫∫ (∇ × A)dv
V
( I.20)
∫∫ ψ ds

C
= ∫∫∫ ∇ψ dv
V
( I.21)
∫ ψ=
C
dl ∫∫ nˆ × ∇ψ ds ( I.22)
I.3. TRANSFORMATIONS VECTORIELLES

I.3.1. Cartésiennes au cylindriques (et vice versa)
La transformation des coordonnées rectangulaire ( x, y , z ) au cylindrique ( ρ , φ , z ) est
donnée par
222
Annexe I
x = ρ cos φ
y = ρ sin φ ( I.23)
z=z
Les relations entre les vecteurs unitaires en coordonnées cartésiennes et cylindriques sont les
suivantes
= aˆ x aˆ ρ cos φ − aˆφ sin φ
=aˆ y aˆ ρ sin φ + aˆφ cos φ ( I.24)
aˆ z = aˆ z
où aˆ x , aˆ y , aˆ z sont les vecteurs unitaires en cordonnées cartésiennes, et aˆ ρ , aˆφ , aˆ z sont les
vecteurs unitaires en cordonnées cylindrique
Pour un vecteur A qui a les composantes Ax , Ay , Az en coordonnées cartésiennes, il peut être
écrit en coordonnées cylindrique tel que
= Aρ Ax cos φ + Ay sin φ
− Ax sin φ + Ay cos φ
Aφ = ( I.25)
Az = Az
où Aρ , Aφ , Az sont les composantes du vecteur A en coordonnées cylindrique.
La transformation des coordonnées cylindrique au coordonnées cartésiennes est donnée par
= Ax Aρ cos φ − Aφ sin φ
=Ay Aρ sin φ + Aφ cos φ ( I.26)
Az = Az
I.3.2. Cylindriques au sphériques (et vice versa)
La transformation des coordonnées cylindrique ( ρ , φ , z ) au sphérique ( r, θ , φ ) est donnée
par
ρ = r sin θ
( I.27)
z = r cos θ
La transformation cylindrique au sphérique des composants du vecteur A est donnée par
= Ar Aρ sin θ + Az cos θ
=Aθ Aρ cos θ − Az sin θ ( I.28)
Aφ = Aφ
où Ar , Aθ , Aφ sont les composantes du vecteur A en coordonnées sphérique.
La transformation des coordonnées sphériques au coordonnées cylindriques est donnée par
= Aρ Ar sin θ + Aθ cos θ
Aφ = Aφ ( I.29)
= Az Ar cos θ − Aθ sin θ
I.3.3. Cartésiennes au sphériques (et vice versa)
La transformation des coordonnées cartésiennes ( x, y , z ) au sphérique ( r, θ , φ ) est donnée
par
223
Annexe I
x = r sin θ cos φ
y = r sin θ sin φ ( I.30)
z = r cos θ
La transformation cartésienne au sphérique des composants du vecteur A est donnée par
Ar = Ax sin θ cos φ + Ay sin θ sin φ + Az cos θ
Aθ = Ax cos θ cos φ + Ay cos θ sin φ − Az sin θ ( I.31)
Aφ = − Ax sin φ + Ay cos φ
La transformation des coordonnées sphériques au coordonnées cartésiennes est donnée par
Ax = Ar sin θ cos φ + Aθ cos θ cos φ − Aφ sins φ
Ay = Ar sin θ sin φ + Aθ cos θ sin φ + Aφ cos φ ( I.32)
= Az Ar cos θ − Aθ sin θ
I.4. OPÉRATEURS DIFFÉRENTIELS
I.4.1. Coordonnées cartésiennes
∂ψ ∂ψ ∂ψ
ψ aˆ x
∇= + aˆ y + aˆ z ( I.33)
∂x ∂y ∂z
∂Ax ∂Ay ∂Az

∇. A= + + ( I.34)
∂x ∂y ∂z
 ∂A ∂Ay   ∂Ax ∂Az   ∂Ay ∂Ax 

=
∇ × A aˆ x  z −  + aˆ y  −  + aˆ z  −  ( I.35)
 ∂y ∂z   ∂z ∂x   ∂x ∂y 
∂ 2ψ ∂ 2ψ ∂ 2ψ
∇.∇ψ = ∇2ψ = + + ( I.36)
∂x 2 ∂y 2 ∂z 2
∇2 A = aˆ x ∇2 Ax + aˆ y ∇2 Ay + aˆ z ∇2 Az ( I.37)
I.4.2. Coordonnées cylindriques

∂ψ 1 ∂ψ ∂ψ
ψ aˆ ρ
∇= + aˆφ + aˆ z ( I.38)
∂ρ ρ ∂φ ∂z
1 ∂ 1 ∂Aφ ∂Az
=∇. A ( ρ Aρ ) + + ( I.39)
ρ ∂ρ ρ ∂φ ∂z
 1 ∂Az ∂Aφ   ∂Aρ ∂Az   1 ∂ ( ρ Aφ ) 1 ∂Aρ 

=
∇ × A aˆ ρ  −  + aˆφ  −  + aˆ z  −
ρ ∂φ 
( I.40)
 ρ ∂φ ∂z   ∂z ∂ρ   ρ ∂ρ
1 ∂  ∂ψ  1 ∂ 2ψ ∂ 2ψ
=∇2ψ  ρ ∂ρ  + ρ 2 ∂φ 2 + ∂z 2 ( I.41)
ρ ∂ρ  
224
Annexe I
 ∂ 2 Aρ 1 ∂Aρ Aρ 1 ∂ Aρ
2
2 ∂Aφ ∂ Aρ
2

∇ A = ∇(∇. A) − ∇ × ∇ × A = aˆ ρ 
2
+ − + − + 
 ∂ρ 2 ρ ∂ρ ρ 2 ρ 2 ∂φ 2 ρ 2 ∂φ ∂z 2
 
 ∂ 2 Aφ 1 ∂Aφ Aφ 1 ∂ Aφ
2
2 ∂Aρ ∂ Aφ
2

+ aˆφ  + − + + +  ( I.42)
 ∂ρ 2 ρ ∂ρ ρ 2 ρ 2 ∂φ 2 ρ 2 ∂φ ∂z 2
 
 ∂ 2 Az 1 ∂Az 1 ∂ 2 Az ∂ 2 Az 
+ aˆ z  + + + 
 ∂ρ ρ ∂ρ ρ 2 ∂φ 2 ∂z 2 
2
I.4.3 Coordonnées sphériques

∂ψ 1 ∂ψ 1 ∂ψ
ψ aˆr
∇= + aˆθ + aˆφ ( I.43)
∂r r ∂θ r sin θ ∂φ
1 ∂ 2 1 ∂ 1 ∂Aφ
=
∇. A ( r Ar ) + ( Aθ sin θ ) + ( I.44)
r ∂r
2
r sin θ ∂θ r sin θ ∂φ
 ∂
aˆ r ∂Aθ  aˆθ  1 ∂Ar ∂ 
=∇× A  ∂θ ( Aφ sin θ ) − ∂φ
r sin θ  + r  r sin θ ∂φ − ∂r ( rAr ) 
    ( I.45)
aˆφ  ∂ ∂Ar 
+  ( rAθ ) − 
r  ∂r ∂θ 
1 ∂  2 ∂ψ  1 ∂  ∂ψ  1 ∂ 2ψ
=∇2ψ r + 2  sin θ  + ( I.46)
r 2 ∂r  ∂r  r sin θ ∂θ  ∂θ  r sin θ ∂φ
2 2 2
 ∂ 2 A 2 ∂Ar 2 1 ∂ 2 Ar cot θ ∂Ar

∇2 A = ∇(∇. A) − ∇ × ∇ × A = aˆ r  2r + − Ar + + 2
 ∂r r ∂r r 2 r 2 ∂θ 2 r ∂θ
1 ∂ 2 Ar 2 ∂Aθ 2 cot θ 2 ∂Aφ   ∂ 2 Aθ 2 ∂Aθ
+ 2 2 − − Aθ −  + aθ  2 +
ˆ
r sin θ ∂φ 2 r 2 ∂θ r2 r 2 sin θ ∂φ   ∂r r ∂r
1 ∂ 2 Aθ cot θ ∂Aθ ∂ Aφ ∂ 2 Aθ 2 ∂A
2
Aθ 1
− + + + + + 2 r ( I.47)
r sin θ r ∂θ
2 2 2 2
r ∂θ
2
∂z 2
r sin θ ∂φ
2 2 2
r ∂θ
2 cot θ ∂Aφ   ∂ 2 Aφ 2 ∂Aφ 1 1 ∂ Aφ
2
− 2  + aˆφ  2 + − Aφ + 2
r sin θ ∂φ   ∂r r ∂r r 2 sin 2 θ r ∂φ 2
cot θ ∂Aφ 1 ∂ 2 Aφ 2 ∂Ar 2 cot θ ∂Aθ 

+ + + 2 + 
r ∂θ r sin θ ∂φ
2 2 2 2
r sin θ ∂φ r 2 sin θ ∂φ 
225
Annexe II
ANNEXE II
FONCTIONS DE BESSEL
II.1. DEFINITION
Les fonctions de Bessel du premier et du second espèce, d'ordre n , sont les solutions de
l'équation différentielle dite de Bessel:
d2y dy
x2 2
+x + ( x2 − p2 ) y =
0 ( II.1)
dx dx
pour tout nombre réel ou complexe p . Le plus souvent, p est un entier naturel (on dit alors
que c'est l'ordre de la fonction), ou un demi-entier.
Il existe deux sortes de fonctions de Bessel :
- Les fonctions de Bessel de première espèce J n , solutions de l'équation différentielle
(II.1) qui sont définies en 0;
- Les fonctions de Bessel de seconde espèce Yn , solutions qui ne sont pas définies en 0
(mais qui ont une limite infinie en 0).
Les représentations graphiques des fonctions de Bessel ressemblent à celles des fonctions
sinus ou cosinus, mais s'amortissent comme s'il s'agissait de fonctions sinus ou cosinus
divisées par un terme de la forme x.
II.2. EXPRESSION DES FONCTIONS DE BESSEL
Pour les valeurs entières de p = n , les fonctions de Bessel de première espèce J n sont
définies par la série entière (de rayon de convergence infini) suivante :
2 k +n
+∞
( −1) k x
J n ( x) = ∑   ( II.2)
k =0 k ! Γ( k + n + 1)  2 
Plus généralement, pour p non entier, on a le développement analogue

2k + p
+∞
( −1) k x
J p ( x) = ∑   ( II.3)
k =0 k ! Γ( k + p + 1)  2 
où Γ( z ) est la fonction gamma, généralisant la fonction factorielle à des valeurs non entières.
Les fonctions de Bessel de deuxième espèce, fonctions de Neumann ou encore fonctions de
Weber-Schläfli sont définies par :
J λ ( x ) cos(λπ ) − J − λ ( x )
Yn ( x ) = lim ( II.4)
λ →n sin(λπ )
226
Annexe II
II.3. INTEGRALES DE BESSEL

Pour les valeurs entières de p = n , les fonctions de Bessel peuvent être représentées par des
intégrales :
π π
1 1
∫ cos(nτ − x sinτ )dτ = π∫
− i ( nτ − x sin τ )
J n ( x) = e dτ ( II.5)
π 0 0
C'est la définition qu'en donna Bessel, et qui lui servit à obtenir de nombreuses propriétés de
ces fonctions (à commencer par l'équation différentielle, qui en découle par différentiation
sous le signe d'intégration, suivie d'une intégration par parties). Cette définition peut s'étendre
au cas p non entier (pour Re( x ) > 0 ), en ajoutant un autre terme :
π ∞
1 sin( pπ )
∫ cos( pτ − x sinτ )dτ − ∫e
− x sinh( t ) − pt
J n ( x) = dt ( II.6)
π 0
π 0
II.4. PROPRIETES DES Jn

nJ n ( x )
J=
n +1 ( x ) − J n' ( x ) ( II.7)
x
2n
J n +1 ( x ) + J n −1 ( x ) = J n ( x) ( II.8)
x
J n +1 ( x ) − J n −1 ( x ) =
−2 J n' ( x ) ( II.9)
J 1 ( x ) = − J 0' ( x ) ( II.10)
d n
( x J n ( x )) = x n J n −1 ( x ) ( II.11)
dx
1
∫ xJ
0
n (λi x ) J n (λ j x )dx = 0 ( II.12)
où λi et λ j étant deux zéros distincts de J n J n est souvent défini par l'intermédiaire
d'une série de Laurent, correspondant à la fonction génératrice :

∞
e( x /2)( t −1/ t ) = ∑J
n = −∞
n ( x )t n ( II.13)
Cette approche est celle de Peter Andreas Hansen en 1843. Elle peut se généraliser à des
ordres n non entiers, par l'intermédiaire, par exemple, d'intégrales de contour.
Des développements analogues; mais utilisant des séries trigonométriques, sont dus à Jacobi
et Anger ; on a
∞
eiz cosφ = ∑i
n = −∞
n
J n ( z )einφ ( II.14)
227
Annexe II
∞
eiz sin φ = ∑J
n = −∞
n ( z )einφ ( II.15)
II.5. DEVELOPPEMENTS ASYMPTOTIQUES

Les fonctions de Bessel ont les formes asymptotiques suivantes (pour p positif). Près de 0 (et
plus précisément pour 0 < x << p + 1 , on a[
1
J p ( x) ≈ ( x / 2) p ( II.16)
Γ( p + 1)
2
 π [ ln( x / 2) + γ ] si p =
0
Yp ( x) ≈  ( II.17)
 − Γ( p ) ( x / 2) p si p > 0
 π
où γ est la constante d'Euler-Mascheroni ( 0.577 ) et Γ est la fonction gamma. Pour x tendant
vers l'infini (et plus précisément pour x >> p 2 − 1 / 4 ), ces développements deviennent
2  pπ π 
J p ( x) ≈ cos  x − −  ( II.18)
πx  2 4
2  pπ π 
Yp ( x) ≈ sin  x − −  ( II.19)
πx  2 4
II.6. FONCTION DE HANKEL
Les fonctions de Hankel, du nom du mathématicien Hermann Hankel, notées H p(1) ( x ) H p(2) ( x )
, sont des fonctions spéciales de la physique mathématique. Ce sont les solutions linéairement
indépendantes de l'équation de Bessel .
Fonction de Hankel du premier type :
=
H p(2) ( x ) J p ( x ) − iY p ( x ) ( II.20)
=
H p(1) ( x ) J p ( x ) + iY p ( x ) ( II.21)
Fonction de Hankel du deuxième type

La présence de i montre qu'il s'agit de solutions complexes. Les fonctions de Hankel sont des
combinaisons linéaires des deux autres solutions de l'équation de Bessel. Les fonctions de
Hankel sont par conséquent aussi nommées fonctions de Bessel de troisième espèce.
Propriétés
228
Annexe II
J − p ( x ) − e − pπ i J p ( x )
H p(1) ( x ) = ( II.22)
i sin( pπ )
J − p ( x ) − e pπ i J p ( x )
H (2)
( x) = ( II.23)
−i sin( pπ )
p
H −(1)p ( x ) = e pπ i H p(1) ( x ) ( II.24)
H −(2)p ( x ) = e − pπ i H p(2) ( x ) ( II.25)
Figure II.1 Fonctions de Bessel du premier espèce
Figure II.1 Fonctions de Bessel du deuxième espèce
229
Annexe III
ANNEXE III
SINUS ET COSINUS INTEGRALES
Le sinus et cosinus intégrales sont des fonctions qui apparaissent parfois dans les applications
d'intégration et d'ingénierie. Le sinus intégral est appelée Si ( x ) , et le cosinus intégral est
appelée Ci ( x ) . Ils sont généralement définis par

x
sin(t )
Si ( x ) = ∫ dt ( III.1)
0
t
cos(t ) − 1
x
γ + ln( x ) + ∫
Ci ( x ) = dt ( III.2)
0
t
cos(t ) − 1
x
Cin ( x ) = ∫ dt ( III.3)
0
t
Ou parfois défini par

∞
π sin(t )
Si ( x=
) −∫ dt ( III.4)
2 x
t
∞
cos(t )
Ci ( x ) = − ∫ dt ( III.5)
x
t
Ces relations de symétrie donnent

Si ( − x ) =− Si ( x ) ( III.6)
) Ci ( x ) − iπ ou 0 < arg( x ) < π

Ci ( − x= ( III.7)
Où
γ =
0.577215664901533 (Constante d’Euler)
Si ( x ) s’approche de π / 2 lorsque x → ∞ , et Ci ( x ) s’approche de 0 lorsque x → ∞ +. Ces
développements de séries calculent également les intégrales:
∞
( −1) n x 2 n +1
Si ( x ) = ∑ ( III.8)
n =0 (2n + 1)(2n + 1)!
∞
( −1) n x 2 n
γ + ln( x ) + ∑
Ci ( x ) = ( III.9)
n =1 2n (2n )!
( −1) n +1 x 2 n
∞
Cin ( x ) = ∑ ( III.10)
n =1 2n (2n )!
230
Annexe III
Figure III.1 Tracés de sinus et cosinus intégrales
231
Annexe IV
ANNEXE IV
Divers
VI 1. IDENTITES TRIGONOMETRIQUES
= e ± ix cos x ± i sin x ( IV.1)
=
cos x
2
(
1 ix
e + e − ix ) ( IV.2)
=sin x
2i
( e − e−ix )
1 ix
( IV.3)
cos( x ± π / 2) =  sin x ( IV.4)
sin( x ± π / 2) = ± cos x ( IV.5)
2 sin x cos x = sin 2 x ( IV.6)
sin 2 x + cos2 x = 1 ( IV.7)
cos x − sin x =
2 2
cos 2 x ( IV.8)
1
cos= 2
x (1 + cos 2 x ) ( IV.9)
2
1
sin= 2
x (1 − cos 2 x ) ( IV.10)
2
1
= cos3 x (3cos x + cos 3x ) ( IV.11)
4
1
= sin 3 x (3sin x − sin 3x ) ( IV.12)
4
sin( x= ± y ) sin x cos y ± cos x sin y ( IV.13)
cos( x ± y ) = cos x cos y  sin x sin y ( IV.14)
tan x ± tan y
tan( x ± y ) = ( IV.15)
1  tan x tan y
1
=
sin x sin y [cos( x − y ) − cos( x + y )] ( IV.16)
2
1
=
cos x cos y [cos( x − y ) + cos( x + y )] ( IV.17)
2
1
sin x cos= y [sin( x − y ) + sin( x + y )] ( IV.18)
2
a cos x + b cos y = C cos( x + θ ) ( IV.19)
Avec= C et θ tan −1 ( −b / a )
a 2 + b2 =
IV.2. INTEGRALES INDEFINIES
∫ udv= uv − ∫ vdu ( IV.20)
∫ f ( x )=
g '( x )dx f ( x ) g ( x ) − ∫ f '( x ) g ( x )dx ( IV.21)
1
∫ sin axdx = − cos ax
a
( IV.22)
1
∫ cos axdx = a sin ax ( IV.23)
232
Annexe IV
1
∫ x=
sin axdx
a2
(sin ax − ax cos ax ) ( IV.24)
1
∫ x=
cos axdx
a2
(cos ax + ax sin ax ) ( IV.25)
1
∫ x sin axdx
= 3 (2ax sin ax + 2 cos ax − a 2 x 2 cos ax )
2
( IV.26)
a
1
∫ x cos = (2ax cos ax − 2 sin ax + a 2 x 2 sin ax )
2
axdx ( IV.27)
a3
sin( a − b) x sin( a + b) x
∫ sin ax sin bxdx = 2( a − b)
−
2( a + b)
a 2 ≠ b2 ( IV.28)
 cos( a − b) x cos( a + b) x 
∫ sin ax cos bxdx =
−
 2( a − b)
+
2( a + b)   a 2 ≠ b2 ( IV.29)
cos( a − b) x sin( a + b) x
∫ cos ax cos bxdx = 2( a − b)
+
2( a + b)
a 2 ≠ b2 ( IV.30)
1 ax
∫ e dx = a e
ax
( IV.31)
1 ax
=∫ xe dx a 2 e (ax − 1)
ax
( IV.32)
1 ax 2 2
∫ x= e ( a x − 2ax + 2)
2 ax
e dx ( IV.33)
a3
e ax
= ∫ ( a sin bx − b cos bx )
ax
e sin bxdx ( IV.34)
a 2 + b2
e ax
= ∫ ( a cos bx + b sin bx )
ax
e cos bxdx ( IV.35)
a 2 + b2
1 1 −1 x
∫ x 2 + a 2 dx = a tan a ( IV.36)
x 1
∫ x 2 +=a 2
dx
2
ln( x 2 + a 2 ) ( IV.37)
233
Bibliographie
BIBLIOGRAPHIE
[1] Constantine A. Balanis, Antenna Theory Analysis and Design, 4ème édition, John Wiley &
Sons, 2016.
[2] Stutzman. Warren L, Antenna Theory and Design, Wiley & Sons 1981.
[3] John d. Kraus, Antennas, 2ème édition, Ata McGraw-Hil, 1997.
[4] Ramesh Garg, Prakash Bhartia, Inder Bahl, Apisak lttipiboon, Microstrip Antenna Design
Handbook, Artech House, 2001
[5] Robert E. Collin, Antennas and Radiowave Propagation, McGraw-Hill, 1985.
[6] Richard c. Johnson, Antenna Engineering Handbook, 3ème édition, McGraw-Hill, Inc,
1993.
[7] Thomas A. Milligan, Modern Antenna Design, 2ème édition, John Wiley & Sons, Inc,
2005.
[8] Peter Newell, Trevor S. Bird, Fundamentals of Aperture Antennas and Arrays: From
Theory to Design, Fabrication and Testing, John Wiley & Sons, Inc, 2015.
[9] Constantine A. Balanis, Modern Antenna Handbook, John Wiley & Sons, Inc, 2008.
[10] J R James, P s Hall. Handbook of Microstrip Antennas, Peter Peregrinus Ltd, 1989
[11] Constantine A. Balanis, Advanced Engineering Electromagnetics, 2ème édition, John
Wiley & Sons, 2012
234

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UNIVERSITE HASSIBA BENBOUALI DE CHLEF

Après, on entame le réseau linéaire à N élément : espacement uniforme, amplitude non-

TABLE DES MATIERES

Chapitre I les Paramètres Caractéristiques des Antennes

I.1. INTRODUCTION .......................................................................................................................................... 1

I.2. DIAGRAMME DE RAYONNEMENT............................................................................................................... 1

I.2.1. DIAGRAMME ISOTROPIQUE, DIRECTIONNEL ET OMNIDIRECTIONNEL ........................................................................... 2

I.3. DENSITE DE PUISSANCE DE RAYONNEMENT ............................................................................................... 6

I.4. INTENSITE DE RAYONNEMENT ................................................................................................................... 8

I.5. LA DIRECTIVITE ........................................................................................................................................... 8

I.5.1. DIAGRAMME DIRECTIONNEL ............................................................................................................................ 11

I.6. EFFICACITÉ D'ANTENNE ............................................................................................................................ 14

I.7. LE GAIN .................................................................................................................................................... 15

I.8. EFFICACITÉ DE FAISCEAU .......................................................................................................................... 17

I.9. TECHNIQUES NUMÉRIQUES ...................................................................................................................... 18

I.10. POLARIZATION ....................................................................................................................................... 20

I.10.1. POLARISATIONS LINEAIRE, CIRCULAIRES ET ELLIPTIQUES ........................................................................................ 21

I.11. IMPEDANCE D’ENTREE ........................................................................................................................... 22

I.12. EFFICACITÉ DE RAYONNEMENT D'ANTENNE ........................................................................................... 25

I.13. LONGUEUR EFFECTIVE ET SURFACES ÉQUIVALENTS D’UNE ANTENNE .................................................... 26

I.12.1. LONGUEUR EFFECTIVE................................................................................................................................... 26

I.14. DIRECTIVITÉ MAXIMAL ET SURFACE EFFECTIVE MAXIMAL ..................................................................... 28

I.15. EQUATION DE TRANSMISSION DE FRIIS ET EQUATION DE LA PORTEE RADAR ........................................ 31

I.15.1. EQUATION DE TRANSMISSION DE FRIIS ............................................................................................................. 31

Chapitre II Les Equations Electromagnétiques de Rayonnement

II.1. INTRODUCTION ....................................................................................................................................... 35

II.2. POTENTIEL VECTEUR A POUR UNE SOURCE DE COURANT ÉLECTRIQUE J ............................................ 36

II.3. POTENTIEL VECTEUR F POUR UNE SOURCE DE COURANTE MAGNÉTIQUE M ..................................... 38

II.4. CHAMPS ÉLECTRIQUES ET MAGNÉTIQUES POUR DES SOURCES DE COURANT ELECTRIQUE J ET

II.5. SOLUTION DE L'ÉQUATION D'ONDE NON HOMOGÈNE DU POTENTIELLE VECTEUR ................................. 40

II.6. RAYONNEMENT DU CHAMP LOINTAIN .................................................................................................... 44

II.7. THÉORÈME DE DUALITÉ........................................................................................................................... 45

II.8. THÉORÈMES DE RÉCIPROCITÉ ET DE RÉACTION ....................................................................................... 47

II.8.1. RECIPROCITE POUR DEUX ANTENNES ................................................................................................................. 49

Chapitre III Les Antennes Filaires

III.1. INTRODUCTION ...................................................................................................................................... 54

III.2. DIPOLE INFINITESIMAL ........................................................................................................................... 54

III.2.1. CHAMPS RAYONNES ..................................................................................................................................... 55

III.3. DIPOLE COURT ....................................................................................................................................... 62

III.4. RÉGION DE SÉPARATION ........................................................................................................................ 64

III.4.1. REGION DE CHAMP LOINTAIN ......................................................................................................................... 65

III.5. DIPOLE DE LONGUEUR FINIE .................................................................................................................. 68

III.5.1. DISTRIBUTION DE COURANT .......................................................................................................................... 68

III.6. DIPOLE DEMI LONGUEUR D'ONDE .......................................................................................................... 76

III.7.1. THEORIE D'IMAGE ........................................................................................................................................ 78

III.8. EFFETS DU SOL ....................................................................................................................................... 90

III.8.1. DIPOLE ELECTRIQUE VERTICAL ........................................................................................................................ 90

Chapitre IV Réseaux d’Antennes

IV.1. INTRODUCTION ...................................................................................................................................... 93

IV.2. RESEAU A DEUX ELEMENTS .................................................................................................................... 93

IV.3. RESEAU A N ELEMENT LINÉAIRE : AMPLITUDE ET ESPACEMENT UNIFORME .......................................... 96

IV.3.1. RESEAU A RAYONNEMENT TRANSVERSAL .......................................................................................................... 99

IV.4. RESEAU LINÉAIRE A N ELEMENTS : DIRECTIVITÉ ................................................................................... 104

IV.4.1. RESEAU TRANSVERSAL ................................................................................................................................104

IV.5. RESEAU LINÉAIRE A N ELEMENTS : CARACTÉRISTIQUES 3D .................................................................. 108

IV.5.1. N ELEMENTS LE LONG DE L’AXE Z..................................................................................................................108

IV.6. RESEAU LINÉAIRE A N ELÉMENT : ESPACEMENT UNIFORME, AMPLITUDE NON-UNIFORME................. 110

IV.6.1. FACTEUR DE RESEAU ..................................................................................................................................110

IV.7. RESEAU PLAN ....................................................................................................................................... 119

IV.7.1. FACTEUR DE RESEAU ..................................................................................................................................120

IV.8 LES CONSIDÉRATIONS DE CONCEPTION ................................................................................................ 126

IV.9. RÉSEAU CIRCULAIRE ............................................................................................................................. 128

IV.9.1. FACTEUR DE RESEAU ..................................................................................................................................128

Chapitre V Rayonnement des Ouvertures Planes