Chapitre 3: Oxydation du silicium

Introduction

Le SiO2, forme un écran lors des opérations de diffusion ou d’implantation ionique contre l’introduction
des impuretés dans les régions dont on désire garder inchangé le type de conductivité. L’oxyde de sili-
cium sert aussi à protéger la surface du silicium contre la contamination chimique et les rayures lors des
manipulations.
L’oxyde est aussi utilisé comme isolant de grille des transistors MOSFET

Oxydation
La couche d’oxyde est obtenue, soit par oxydation directe telle que l’oxydation thermique ou anodique,
soit par le dépôt d’une couche d’oxyde tel que le dépôt chimique sous pression atmosphérique, chemical
vapor deposition (CVD), ou le dépôt à basse pression ou assisté par plasma, low pressure CVD ou
plasma-assisted CVD.

1-Oxydation thermique du silicium

Dans ce cas, la silice est obtenue par oxydation thermique sèche (O2) ou bien humide (O2 + H2O).
L’oxydation est réalisée à pression atmosphérique en tube ouvert, à des températures allant de
800°C à 1200°C.

Les réactions de base sont les suivantes :

Si (s) + O2 (g) → SiO2 (s) Oxydation sèche

Si (s) + 2 H2O (g) → SiO2 (s) + 2 H2 (g) Oxydation humide

L’oxydation sèche produit un meilleur (plus dense) oxyde par comparaison à l’oxydation humide.
 2-Cinétique de croissance de l'oxyde

On sait aujourd'hui que dans le mécanisme d'oxydation les atomes d'oxygène diffusent dans la
couche d'oxyde, la traversent et rencontrent les atomes de silicium dans l'interface Si-SiO2. Le
modèle qui décrit la cinétique de croissance est celui de Deal/Groove, il suppose que la pression est
égale ou inférieure à 1 atm, que l’épaisseur d’oxyde est comprise entre 0.03 et 2 µm et que la
température est comprise entre 700 et 1300 °C.
Soit F1 le flux de l'agent oxydant à travers la surface extérieure de l'oxyde et F2 son flux à
travers la surface du semi-conducteur (Fig. 5.5), la concentration Co des molécules de cet agent à la
surface de l'oxyde est proportionnelle à sa pression partielle à la température d'oxydation. Soit Cs
leur concentration à la surface du semi-conducteur, le flux F1 peut être écrit :

dC D(C o − C s )
F1 = D ≅
dx x

D représente le coefficient de diffusion de l'agent oxydant dans l'oxyde de silicium et x

l'épaisseur de l'oxyde déjà présent. On suppose que F2 est proportionnel à Cs à la surface du semi-
conducteur :

F2 = k Cs

où k est la constante de réaction de la surface à l'oxydation. A l'état stationnaire F1 = F2 = F. En

combinant les deux équations précédentes on obtient :

DC o
F=
D
x+
k

S e m i- c o n d u c te u r a u d é p a r t

S e m i- c o n d u c te u r
O xyd e

C d

C0 In te r fa c e a u d é p a r t

Cs
F1

F2

O d x

Schéma de la couche d'oxyde servant au modèle de calcul de l'épaisseur d.

Soit C1 le nombre de molécules d'agents oxydants responsables de la formation de 1 cm3 de

SiO2 (C1 = 2.2x1022 cm-3 pour l'oxydation sèche et 4.4x1022 cm-3 pour l'oxydation humide). Ainsi,
le taux de croissance de l'épaisseur de la couche d'oxyde est donné par :

C
D o
dx F C1
= =
dt C1 D
x+
k
 Cette équation différentielle peut être résolue moyennant la condition initiale x(0) = do, où do
représente l'épaisseur initiale (ou l'épaisseur due à une oxydation précédente). Pour une première
oxydation, l’épaisseur do est très faible pour une oxydation humide et de l’ordre de 25 nm pour une
oxydation sèche. La solution donne la relation suivante :

D 2 DC 0
x2 + 2 x = (t + τ)
k C1

Dans cette équation τ représente un décalage dans le temps qui correspond à l'épaisseur de la
couche initiale do. τ est donné par :

D C1
τ = (do2 + 2do )
k 2DC 0
Au bout d'un temps t l'épaisseur de l'oxyde est donnée par :

x = D ⎡⎢ 2C 0 k 2 (t + τ ) ⎤
k 1+ − 1⎥
⎢ DC1 ⎥
⎣ ⎦

Pour des petites valeurs de t, cette équation se réduit à l’approximation linéaire :

C0 k
x≅ (t + τ)
C1

et pour les grandes valeurs de t à l’approximation parabolique:

2 DC0
x≅ (t + τ )
C1
Ainsi, au début, quand la réaction de la surface domine l'oxydation, l'épaisseur de l'oxyde varie
linéairement avec le temps. Mais quand l'épaisseur devient importante, c'est la diffusion des agents
oxydant dans l'oxyde qui domine l'oxydation, puisque l'agent doit d'abord traverser la couche
d'oxyde avant d'atteindre la surface du silicium.
L'équation 5.7 s'écrit souvent sous la forme :

x2 + Ax = B(t + τ)

où A = 2D/k, B = 2DCo/C1 et B/A = kC0/C1. Les équations précédentes deviennent alors :

A⎡ 4 B(t + τ ) ⎤
x= ⎢ 1+ − 1⎥
2⎣ A2 ⎦
B
x= (t + τ)
A

et
x2 = B(t + τ)
 Les paramètres A et B sont très sensibles à la température et dépendent de l'orientation du
cristal (Tableau 5.3). Ils sont donnés par :

+ E1 −E2
k BT k BT
A = K 1e et B = K 2e

où kB est la constante de Boltzmann (8.617 10-5 eV/K) et T la température absolue. K1, K2, E1 et E2
sont donnés dans le tableau 5.2.

Remarque:
Une couche d'oxyde SiO2 d'épaisseur d consomme une couche de silicium d'épaisseur 0,44d.

Croissance du SiO2 à partir de Si

Exercice
On oxyde à 1200 °C une plaquette de silicium pendant une heure sous un courant d’oxygène sec.
(a) Calculer l’épaisseur d’oxyde obtenue après l’opération.
(b) Combien de temps additionnel faudrait-il pour augmenter l’épaisseur de la couche d’oxyde de
0.1 µm à la même température et en oxydation humide ?
On donne les paramètres A et B.