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Chap II LES QUADRIPOLES

LINEAIRES

INTRODUCTION
Un quadripôle est un réseau c’est à dire une « boite » qui comporte 4 bornes de liaison avec les circuits
extérieurs. Les échanges avec l’extérieur se font au travers de deux bornes utilisées comme bornes
d’entrée et vers deux autres bornes utilisées comme bornes de sortie.
Il est souvent possible de décomposer un dispositif électrique ou électronique complexe en un ensemble
de module fonctionnels qui sont les quadripôles. Ces modules sont ensuite associés en cascade : les
grandeurs de sortie de l’un constituent les grandeurs d’entrée du suivant.
Typologie.
les quadripôles peuvent entre actifs ou passifs. Parmi les quadripôles passifs nous pouvons avoir les
quadripôles linéaires et les non-linéaires.
La suite du chapitre sera consacrée aux quadripôles linéaires pour lesquels les éléments constitutifs ont
des valeurs constantes.
Représentions et convention :
Une convention de signe est nécessaire pour normaliser les calculs indépendamment des sens réels des
tensions et des courants.

Les quadripôles linéaires 1 . AMYE EKOBENA Séraphin.

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On utilisera la convention récepteur ( la plus généralement rencontrée).

Remarque : il arrive souvent qu’un quadripôle ait une borne commune entre son entrée et sa sortie dans
ce cas nous parlons plutôt de « tripôle ».

I. REPRESENTATION D’IMPEDANCE
Définition
On exprime les tensions en fonction des courants. Les éléments de la matrice ont la dimension
d’impédances (résistances).

Exemple : considérons l’association des résistances suivantes :

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Deux méthodes méthode permettent de déterminer les éléments de notre matrice :

1ère méthode :
Détermination de Z11 :

𝑉1
𝑍11 = | = 𝑅2 + 𝑅1
𝐼1 𝐼2 =0

Détermination de Z12 :

𝑉1
𝑍12 = | = 𝑅2
𝐼2 𝐼1 =0

Détermination de Z21 :

𝑉2
𝑍21 = | = 𝑅2
𝐼1 𝐼2 =0

Détermination de Z22 :

𝑉2
𝑍22 = | = 𝑅2 + 𝑅3
𝐼2 𝐼1 =0

L’écriture de la matrice est la suivante :

𝑍11 𝑍12 𝑅 + 𝑅2 𝑅2
[ ]=[ 1 ]
𝑍21 𝑍22 𝑅2 𝑅2 + 𝑅3

2ème méthode : elle consiste à écrire la loi des mailles en entrée et en sortie :

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Les grandeurs fondamentales

Quand le quadripôle est attaqué par un générateur (EG, RG) et qu’il est fermé sur une charge (RC), il
existe un état électrique du quadripôle qui dépend du générateur et de la charge.
Il est possible de définir des grandeurs caractéristiques comme l’impédance
d’entrée, l’impédance de sortie, les gains en courant, tension et puissance.
Impédance d’entrée RE
RE est l’impédance vue en entrée quand la sortie est chargée par une impédance RC. La matrice
impédance permet d’écrire :

Impédance de sortie RS
RS est l’impédance vue en sortie quand l’entrée est fermée par l’impédance du générateur RG. La matrice
impédance permet d’écrire :

Le gain en courant Ai

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Le gain en tension Av

1. Schéma équivalent
Il est parfois commode de remplacer le quadripôle étudié par son schéma
équivalent donné par la matrice du quadripôle.

La connaissance de ce schéma équivalent est particulièrement utile lorsque

le réseau réel n’est pas connu et que la détermination des paramètres résulte de mesures.

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II. REPRESENTATION D’ADMITTANCE

On exprime les tensions en fonction des tensions. Les éléments de la matrice ont la dimension
d’admittances. Considérons le quadripôle en pi suivant et déterminons les éléments de la matrice
d’admittance.

1ère méthode :
Détermination de Y11 : Si V2=0 alors, I1=Y11.V1

𝐼1
𝑌11 = | = 𝑌2 + 𝑌1
𝑉1 𝑉2 =0

Détermination de Y21 : Si V2=0 alors, I2=Y21.V1

𝐼2
𝑌21 = | = −𝑌2
𝑉1 𝑉2 =0

Détermination de Y12 : Si V1=0 alors, I1=Y12.V2

𝐼1
𝑌12 = | = −𝑌2
𝑉2 𝑉1 =0

Détermination de Y22 : Si V1=0 alors, I2=Y22.V2

𝐼2
𝑌22 = | = 𝑌2 + 𝑌3
𝑉2 𝑉1 =0

L’écriture de la matrice est la suivante :

𝑌11 𝑌12 𝑌 + 𝑌2 −𝑌2
[ ]=[ 1 ]
𝑌21 𝑌22 −𝑌2 𝑌2 + 𝑌3

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2ème méthode :
Elle consiste à écrire la loi des nœuds en entrée et en sortie

Schéma équivalent

Lien entre les paramètres impédances et admittance

Pour des raisons de simplicité, la détermination de la matrice admittance peut passer par la détermination
de la matrice impédance

III. LES PARAMETRES HYBRIDES

On exprime le courant de sortie et la tension d’entrée en fonction du courant d’entrée et de la tension de

sortie. C’est une représentation utilisée pour l’étude des transistors.

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Considérons le quadripôle en pi présenté à la figure ci-dessous et déterminons ses paramètres hybrides.

En écriture matricielle nous avons :

𝑅1 . 𝑅2 𝑅1
ℎ11 ℎ12 𝑅 + 𝑅2 𝑅1 + 𝑅2
[ ]= 1
ℎ21 ℎ22 −𝑅1 𝑅1 + 𝑅2 + 𝑅3
[ 𝑅1 + 𝑅2 (𝑅1 + 𝑅2 )𝑅3 ]

Schéma équivalent :

IV. LES PARAMETRES DE TRANSFERT

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On exprime les grandeurs de sortie en fonction des grandeurs d’entrée

Considérons à nouveau un quadripôle en « T » suivant :

La matrice de transfert est la suivante :

𝑅3 𝑅1 . 𝑅3
1+ 𝑅1 + 𝑅2
𝑇11 𝑇12 𝑅2 𝑅2
[ ]=
𝑇21 𝑇22 1 𝑅1
1+
[ 𝑅2 𝑅2 ]

V. ASSOCIATION DES QUADRIPÔLES

Association en série de deux quadripôles

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Association en parallèle de deux quadripôles

Association en cascades de deux quadripôles

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Exercice d’application

VI. TRAVAUX DIRIGES

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exercice3

Les quadripôles linéaires 12 . AMYE EKOBENA Séraphin.

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Chap III LES TRANSISTORS

BIPOLAIRES

INTRODUCTION
Définition :
Les transistors bipolaires sont des composants actifs à jonction (semi-conducteur) utilisé comme une source de
courant commandée en courant. Ils peuvent servir comme :
Amplificateur le courant ou de la puissance électrique, lorsqu’il fonctionne en régime linéaire.

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Interrupteur commandé, on dit alors qu’il fonctionne en commutation (régime saturé ou bloqué).

I. DESCRIPTION ET SYMBOL
I.1) Les mouvement rectiligne :

Un transistor bipolaire à jonction ou bipolar junction transistor (BJT) encore appelé transistor à jonction est formé
par une succession de 3 semi-conducteurs respectivement de type NPN (transistor NPN) ou PNP (transistor PNP).

La zone du milieu, mince, constitue la Base. Les deux extrémités, aux géométries et aux dopages
différents, constituent l’Émetteur et le Collecteur. Les trois zones ainsi dopées forment deux
jonctions : la jonction base-émetteur (BE) dite jonction de commande, et la jonction base-collecteur
(BC).
La flèche représente le sens réel du courant Emetteur. Elle est sortante dans le cas du type NPN et entrante dans
le cas du transistor PNP.
Le fonctionnement des deux types de transistors étant analogues, nous nous limiterons à l’étude des transistors de
type NPN qui sont les plus répandus et les plus faciles à réaliser.

II. LES MODES DE FONCTIONNEMENT

Sachant désormais qu’un transistor bipolaire est constitué de deux jonctions à semi-conducteurs :

Une jonction base-émetteur (BE).

Une jonction base-collecteur (BC).
Chaque jonction est assimilable à une diode et donc soumise à deux états de fonctionnements : passante ou
bloquée, on en déduit qu’il peut y avoir quatre grands comportements répertoriés dans le tableau suivant :

Jonction BE Jonction BC Régime de fonctionnement

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bloquée Bloquée Bloqué : on a les circuits ouverts entre les trois bornes
Inverse
Bloquée Passante Ce régime est inutilisé, et il peut parfais entrainer la destruction du
composant
Actif ou normal ou linéaire
C’est le régime le plus utilisé : il permet une amplification des
Passante Bloquée
signaux via l’exploitation de la source de courant équivalente au
transistor
Saturé
Passante passante
On peut l’assimiler à un court-circuit entre les trois bornes.
De tous ces modes de fonctionnement, seul le mode normal présente un intérêt pour nous.
Les valeurs des courants et tensions donnant ces modes sont données ci-après

III. RESEAU DES CARACTERISTIQUES STATIQUES

La caractéristique électrique des transistors dépend de la configuration du transistor, c’est-à-dire de
la manière dont on perçoit l’entrée et la sortie du transistor.

D’après les conventions du transistor (cf. figure 3), un BJT dispose d’un ensemble de 6 grandeurs
électriques (IE; IB; IC; VBE; VCE; VBC), qui sont liées entre elles. Il existe ainsi différentes manières de
représenter les caractéristiques électriques d’un transistor :

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Montage base commune : la base est l’électrode commune entre l’entrée et la sortie

𝐼𝐸 (𝑉𝐸𝐵 , 𝑉𝐶𝐵 ), 𝐼𝐶 (𝑉𝐶𝐵 , 𝐼𝐸 ) 𝑜𝑢 𝐼𝐸 (𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐵𝐶 ), 𝐼𝐶 (𝑉𝐵𝐶 , 𝐼𝐸 ),

Montage collecteur commun : le collecteur est l’électrode commune entre l’entrée et la sortie (montage
très difficile à rencontrer)

Montage émetteur commun 𝐼𝐵 (𝑉𝐵𝐸 , 𝑉𝐶𝐸 ), 𝐼𝐶 (𝑉𝐶𝐸 , 𝐼𝐵 ) ce montage nécessite deux sources de tension.

EQUATIONS ET RESEAU CARACTERISTIQUES D’UN TRANSISTOR

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Comme on vient de le voir, la jonction B-E du transistor fonctionne comme une diode
conductrice. Soit le montage de la figure ci-dessus, et en considérant le mode de fonctionnement linéaire,
nous pouvons décrire le transistor par les équations suivantes :
1) Equation des courants :
𝐼𝐸 = 𝐼𝐵 + 𝐼𝐶

2) Equation de la jonction B-E conductrice

𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 = 𝐼𝑆𝐵 𝑒 𝑉𝑇
Où comme pour la diode, VT est le potentiel thermique équivalent à l’énergie thermique kT des porteurs
de charge q
𝑘𝑇
𝑉𝑇 = ≈ 26𝑚𝑉 = 300𝐾
𝑞
Et ISB est le courant de saturation inverse de la jonction BE (de l’ordre du fA)
3) Equations du courant de collecteur
a) 𝐼𝐶 commandé par le courant de base 𝐼𝐵
𝐼𝐶 = 𝛽. 𝐼𝐵
Où 𝛽 est le gain en courant du transistor (pratiquement supérieur à 100)
b) 𝐼𝐶 commandé par la tension 𝑉𝐵𝐸
𝑉𝐵𝐸 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐶 (𝑉𝐵𝐸 ) = 𝛽. 𝐼𝐵 = 𝛽. 𝐼𝑆𝐵 𝑒 𝑉𝑇 = 𝐼𝑆 𝑒 𝑉𝑇

c) 𝐼𝐶 dépendant de 𝑉𝐶𝐸

𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 (𝑉𝐶𝐸 ) = 𝐼𝐶 (𝐼𝐵 ) (1 + )
𝑉𝐴
où VA, dit potentiel de Early, sert à décrire la pente non nulle des caractéristiques
de sortie du transistor ; sa valeur est de l'ordre de la centaine de volts.

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Le transistor est alors en mode bloqué

Si VBE < V0, alors IB = 0, la jonction BE se bloque et aucun courant ne circule dans le transistor
(IC = 0).
Le transistor est en mode saturé.
Quand VCE < VCEsat, la jonction BC devient passante et l’effet transistor disparaît : le gain
en courant β diminue. Les deux jonctions (BE et BC) sont passantes, et le transistor est alors
court-circuité.

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Le réseau des caractéristiques du transistor s’obtient en assemblant sur un même graphique les
différentes courbes précédentes.

IV. LE POINT DE FONCTIONNEMENT

Les caractéristiques d’un transistor sont plus complexes que celles de la diode : il possède deux degrés
de liberté, puisqu’il s’agit d’un composant actif non-linéaire à 3 bornes.
Tout comme pour les diodes, pour étudier convenablement un circuit électronique comprenant des
BJT, il est nécessaire de déterminer dans quel mode de fonctionnement ils se trouvent. Il s’agit
ainsi de déterminer les grandeurs électriques de chaque transistor, soit l’ensemble des 6 grandeurs :
(𝐼𝐸; 𝐼𝐵; 𝐼𝐶; 𝑉𝐵𝐸; 𝑉𝐶𝐸; 𝑉𝐵𝐶)𝑄 au point de fonctionnement Q. Pour cela, on sait que le point de fonctionnement Q
est déterminé par les caractéristiques électriques du transistor et par les lois de Kirchhoff appliquées au le circuit
dans lequel le transistor est intégré (i.e. imposée par le circuit externe au transistor).

Ainsi les lois de Kirchhoff permettent d’établir en configuration EC du schéma suivant :

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 A l’entrée du transistor :
L’application de la loi des mailles conduit à l’équation suivante :

𝑉𝑡ℎ = 𝑅𝑡ℎ . 𝐼𝐵 + 𝑉𝐵𝐸

Ce qui conduit à l’équation de la droite de charge statique suivante :

𝑉𝑡ℎ − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝑡ℎ

 A la sortie du transistor :

L’application de la loi des mailles conduit à l’équation suivante :

𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶 + 𝑉𝐶𝐸

Ce qui conduit à l’équation de la droite de charge statique suivante :

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐶𝐸
𝐼𝐶 =
𝑅𝐶

Le point de fonctionnement d’un transistor bipolaire est constitué de 6 grandeurs électriques :

(IE; IB; IC; VBE; VCE; VBC)Q correspondant aux intersections des droites d’attaque et de charge
avec la caractéristique du transistor

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Exemple
Considérons le circuit suivant :

Déterminons le point de fonctionnement pour

𝑉𝐸 = 1𝑉 𝑅𝐵 = 30𝑘Ω; 𝑅𝐶 = 3𝑘Ω; 𝑉𝐶𝐶 = 10𝑉; 𝛽 = 100; 𝑉𝐶𝐸 = 0,7𝑉

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A l’entrée du transistor :
Loi des maille

𝑉𝐸 − 𝑉𝐵𝐸 1 − 0,7
𝐼𝐵𝑄 = 𝐴𝑁: 𝐼𝐵𝑄 = = 10−5 𝐴 = 10𝜇𝐴
𝑅𝐵 3. 104
Effet transistor :
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽. 𝐼𝐵𝑄 𝐴𝑁: 𝐼𝐶𝑄 = 100 × 10−5 𝐴 = 1𝑚𝐴

A la sortie du transistor :
La loi des mailles appliquée à la sortie du transistor est :
𝑉𝐶𝐶 = 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶𝑄 + 𝑉𝐶𝐸𝑄 ⟹ 𝑉𝐶𝐸𝑄 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶𝑄

𝑉𝐶𝐸𝑄 = 10 − 3000 × 10−3 = 7𝑉

V. ETUDE DE LA POLARISATION
La polarisation d’un transistor consiste à choisir et dimensionner les éléments du circuit qui vont
alimenter le transistor en régime statique (eg. les résistances, les sources de tension ou de courant,
etc.) de telle façon que le transistor fonctionne à tout instant dans le mode de fonctionnement voulu :
linéaire, bloqué ou saturé.
Un transistor possède deux degrés de liberté. Afin de fixer un point de repos, il faudra donc que le
montage impose deux caractéristiques courant-tension : une à l’entrée (caractéristique d’attaque) et
une à la sortie (caractéristique de charge).
Pour satisfaire ces critères, il existe de très nombreux circuits de polarisation des BJTs.
La stabilité du point de repos d’un transistor vis-à-vis des variations des paramètres externes et
internes est un paramètre important.
En effet, la température influence la tension 𝑉𝐵𝐸 et le gain β. Ce dernier est également influencé par la
valeur de 𝐼𝐶 et peut varier substantiellement entre des transistors satisfaisant la même fiche technique,
i.e. dispersion de fabrication. Ce n’est donc pas une bonne idée de concevoir un circuit dont le
fonctionnement
repose sur une connaissance précise des valeurs de 𝑉𝐵𝐸 ou de β, car son fonctionnement serait très
sensible aux conditions de température et du choix du composant. Le circuit pourrait également
changer radicalement de comportement si, à la suite du remplacement d’un transistor défectueux, le
nouveau composant pouvait fonctionner en dehors du mode fonctionnement désiré. Les principales
caractéristiques d’un circuit de polarisation sont donc liées à :
 à la sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor ;
 à la stabilité thermique, i.e. risque d’emballement thermique.
Les choix et réglages de la polarisation se font généralement selon :

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La tension (ou puissance) de l’alimentation ;

Amplitude maximale à la sortie ;
Impédance d’entrée et de sortie (i.e., impédance d’entrée et de sortie) ;
Amplification de tension (ou puissance) maximale ;
Étage à faible bruit (oui/non ?) ;
Facteur de distorsion (eg., distorsions non linéaires) ;
Gamme de fréquence, etc.
Circuits de polarisation
Souvent, le point de fonctionnement du transistor doit être placé dans la zone linéaire
de ses caractéristiques. Cela peut être fait en principe par deux sources de tension extérieures, mais en
réalité, la polarisation du transistor s’effectue par une seule source de tension en
combinaison avec quelques résistances.
Montage simple : polarisation par résistance de base
les équations des mailles d’entrée et de sortie permettent
d’écrire :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸
𝐼𝐵 =
𝑅𝐵
𝑉𝐶𝐸 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶
On utilise dans les deux cas la droite de commande statique
et la droite de charge statique. Le courant de collecteur au
point de fonctionnement est donné par :
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸𝑄
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽𝐼𝐵𝑄 = 𝛽
𝑅𝐵
Les dispersions de b sont grandes (par exemple b varie entre 50 et 300 pour le transistor 2N2222). En
plus, b dépend de la température. Le point de fonctionnement est
donc instable ce qui représente le principal inconvénient de ce montage.
Polarisation par diviseur de tension
Le montage à deux résistances de base et à résistance d’émetteur permet d’obtenir une meilleure stabilité
du point de fonctionnement.
On utilise le théorème de Thévenin appliqué au pont diviseur de tension constitué de R1, de R2 et de la
tension d’alimentation continue VCC :

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On note :

𝑅2
𝐸𝑇𝐻 = 𝑉
𝑅1 + 𝑅2 𝐶𝐶
Et
𝑅1 . 𝑅2
𝑅𝑇𝐻 =
𝑅1 + 𝑅2

Ce qui conduit au montage suivant :

Les équations des mailles sont :

𝐸𝑇𝐻 = 𝐼𝐵0 . 𝑅𝑇𝐻 + 𝑉𝐵𝐸0 + 𝑅𝐸 . 𝐼𝐸0 𝑒𝑡 𝑉𝐶𝐸0 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝑅𝐸 . 𝐼𝐸0 − 𝑅𝐶 . 𝐼𝐶0
On utilise les simplifications suivantes :
𝐼𝐵0
𝐼𝐵0 ≈ , 𝐼 = 𝐼𝐵0 + 𝐼𝐶0 ≈ 𝐼𝐶0
𝛽 𝐸0
Il vient :
𝑘. 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐵𝐸𝑄
𝐼𝐶𝑄 = 𝛽 𝑒𝑡 𝑉𝐶𝐸0 = 𝑉𝐶𝐶 − (𝑅𝐸 + 𝑅𝐶 ). 𝐼𝐶0
𝑅𝑇𝐻 + 𝛽𝑅𝐸

Contrairement à la polarisation par une seule résistance de base, pour cette polarisation, le courant
IC0 dépend d’autant moins du gain 𝛽 et de ses variations que la résistance

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équivalente 𝑅𝑇𝐻 est petite par rapport à 𝛽𝑅𝐸 . Il en est de même pour la tension 𝑉𝐶𝐸0
qui dépend du courant 𝐼𝐶0 .

Pour stabiliser le point de fonctionnement, on prend :

𝑅𝑇𝐻 ≪ 𝛽𝑅𝐸

Remarque. Les circuits de polarisation du transistor sont les mêmes pour les
trois montages fondamentaux (émetteur commun, collecteur commun et base commune).

VI. LE POINT DE FONCTIONNEMENT

Exercice 1
La figure ci-dessous représente un circuit de polarisation du transistor NPN par deux résistances de
base. On donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸 = 0.7 𝑉, 𝑅𝐵1 = 6.8 𝑘Ω , 𝑅𝐵2 = 2.2 𝑘Ω, 𝑅𝐶 = 3 𝑘Ω
et 𝑅𝐸 = 2 𝑘Ω.

1. Faire la transformation du circuit de polarisation vu de la base du transistor en son

équivalent de Thévenin et calculer 𝐸𝑡ℎ et 𝑅𝑡ℎ.
2. Calculer le courant 𝐼𝐶 pour 𝛽 = 100 et 𝛽 = 300. Conclure.

Exercice 2
Soit le montage ci-dessous. 𝑉𝐸 est un signal rectangulaire périodique d’amplitude 0/+5V. On
donne : 𝑉𝐶𝐶 = 15 𝑉, 𝑉𝐵𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.6 𝑉, 𝑉𝐶𝐸𝑠𝑎𝑡 = 0.1 𝑉, 𝑅𝐶 = 1 𝑘Ω , et 𝛽𝑚𝑖𝑛 = 100.
1. Calculer la valeur maximale de 𝑅𝐵 (𝑅𝐵𝑚𝑎𝑥 ) qui permet de saturer le transistor lorsque
𝑉𝐸 = 5 𝑉.

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2. Pour garantir la saturation du transistor, on applique à 𝐼𝐵𝑠𝑎𝑡 ,𝑚𝑖𝑛 un coefficient de

sursaturation 𝑘 = 2. En déduire la valeur de 𝑅𝐵 dans ce cas. Choisir une valeur
normalisée pour 𝑅𝐵 parmi les valeurs de la série 𝐸24.

Exercice 3 :

Transistors bipolaires 27 AMYE EKOBENA Séraphin.

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Exercice 4

Transistors bipolaires 28 AMYE EKOBENA Séraphin.