Développement d’une puce instrumentée adaptée à la

mesure de température dans les modules de puissance

Ibrahima Ka, Yvan Avenas, Laurent Dupont, Mickael Petit

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Ibrahima Ka, Yvan Avenas, Laurent Dupont, Mickael Petit. Développement d’une puce instrumentée
adaptée à la mesure de température dans les modules de puissance. 2ème Symposium de Génie
Electrique (SGE 2016), Jun 2016, Grenoble, France. SGE 2016 - Symposium de Génie Electrique,
2016, <https://sge2016.sciencesconf.org/>. <hal-01466194>

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 SYMPOSIUM DE GENIE ELECTRIQUE (SGE 2016) : EF-EPF-MGE 2016, 7-9 JUIN 2016, GRENOBLE, FRANCE
Développement d’une puce instrumentée adaptée à la
mesure de température dans les modules de puissance
Ibrahima KA1, 2, Yvan AVENAS1, Laurent DUPONT2, Mickael PETIT3
1
Univ. Grenoble Alpes, G2Elab, F-38000 Grenoble, France
CNRS, G2Elab, F-38000 Grenoble, France
2
SATIE, IFSTTAR, 25 allée des Marronniers, F-78000 Versailles, France.
3
SATIE, ENS Cachan - CNAM - Université de Cergy Pontoise - CNRS UMR 8029, F-94230 Cachan, France.
RESUME – La mesure de la température des composants
semi-conducteurs de puissance est primordiale, notamment pour
l’évaluation des performances et dans la perspective de proposer
le suivi de l’état de santé des modules à composants semi-
conducteur de puissance. Aujourd’hui, les paramètres électriques
thermosensibles (PETS) sont largement utilisés pour estimer une
température représentative de celle de ces composants, souvent
dans des conditions de fonctionnement différentes de
l’environnement réel de ces derniers (mesures off-line). Il existe
néanmoins plusieurs PETS dédiés à la mesure de température
dans des conditions de fonctionnement réel des composants
(mesures on-line). La principale difficulté réside cependant dans
l’évaluation de la précision des mesures obtenues avec ces PETS.
Cet article présente un moyen permettant d’estimer la
température grâce à une puce instrumentée adaptée à une
utilisation dans les modules de puissance. L’objectif est de
fournir un outil robuste et fiable pour la mesure de la
température dans les modules de puissance sous les contraintes
fonctionnelles. Les résultats préliminaires présentés dans cet
article portent sur les procédés de réalisation du capteur et
démontrent le bon fonctionnement de cette puce instrumentée en
régime de dissipation continue.
Mots-clés—Paramétres Electriques Thermosensibles (PETS),
capteur de température, puce instrumentée, monitorage, module de
puissance.
1. INTRODUCTION
La durée de vie des modules de puissance est fortement liée
à leur environnement thermique, à travers notamment
l'amplitude des fluctuations de température auxquelles ils sont
soumis [1][2]. D'après une étude publiée en 2011 [3], les
composants à semi-conducteurs de puissance sont parmi les
éléments les plus défaillants dans les convertisseurs statiques
avec une estimation que 30% des pannes des convertisseurs
seraient liées à ces composants. Cette étude montre également
que la température serait la première cause de défaillance de
ces derniers. Dans ce contexte, la connaissance de la
température, nécessaire pour quantifier les performances
thermiques et électriques, permet d'évaluer le niveau
d'endommagement et, par conséquent, ouvre la perspective de
définir une approche basée sur les outils de diagnostic venant
compléter les besoins d’une évaluation prédictive de la durée
de vie des systèmes d'électronique de puissance. Plusieurs
techniques d'acquisition sont mises en œuvre dans le but
d'effectuer la mesure de la température au sein des
convertisseurs.
Aujourd'hui, les industriels proposent des modules de
puissance instrumentés permettant une estimation de la
température des puces de par l’intégration de capteurs sur le
substrat au plus proche des composants. L'utilisation de
modèles thermiques permet ainsi d'évaluer la température des
parties actives des puces pendant le fonctionnement des
modules. Mais, la complexité de la modélisation thermique
réside dans la prise en compte de la dégradation progressive
avec le temps des performances thermiques et électriques des
modules et du système de refroidissement associé. Par
conséquent, l'estimation de la température des parties actives à
partir d'un modèle ne reflète pas toujours l'état réel du système
[2].
L'intégration de capteurs dans la structure de la partie semi-
conductrice des modules est aussi proposée afin de mesurer
directement la température des parties actives [5]. La mise en
œuvre de cette solution engendre des surcoûts significatifs et
une complexité croissante des modules de puissance. De plus,
le capteur intégré effectue une mesure locale alors que la
répartition globale de la température au sein de la puce est
fortement non uniforme [4-6]. A l'opposé, les paramètres
électriques thermosensibles (PETS) permettent d'obtenir une
valeur « moyenne » ou « globale » de la température des puces,
ce qui rend leur utilisation attractive. Il faut noter aussi que la
mesure de la température grâce aux PETS se fait sans modifier
la structure des modules, contrairement à d'autres méthodes
comme la mesure par caméra infrarouge.
Dans la littérature scientifique telle que détaillé dans [7], les
paramètres électriques thermosensibles sont classés suivant
trois approches selon que la mesure indirecte de température
est faite pendant le fonctionnement (mesure on-line) ou à l'arrêt
(mesure off-line) des convertisseurs : PETS classiques (off-
line), caractéristiques statiques, caractéristiques dynamiques.
Par ailleurs, plusieurs auteurs se sont penchés sur l'utilisation
de la résistance interne de la grille isolée des transistors comme
PETS, la variation de cette résistance permettant d'estimer la
température de jonction des IGBTs [9][10].
 La dépendance entre les paramètres électriques chimique et une compatibilité avec la technologie de bonding
thermosensibles et la température des parties actives des classique pour le report de la connectique du capteur.
composants à semi-conducteurs de puissance est largement
définie dans la littérature scientifique [8]. Un grand nombre de 2.1.2. Structure de la puce instrumentée
PETS est présenté comme représentatif de la température des L’intégration du capteur de température a été effectuée sur
puces. Néanmoins, les conditions de mise en œuvre des PETS la surface de la métallisation d’une diode de puissance du
et la validité des mesures effectuées dans les conditions de commerce (ABB fast recovery diode 5SLX 12M1711
fonctionnement des modules ne sont généralement pas 1700V/200A, 13.56mmx13.56mm de 385µm d’épaisseur).
vérifiées. Comme démontré dans [8], les résultats obtenus à
travers les caractéristiques statiques I(V) peuvent être erronés
car les conditions de calibration du PETS sont différentes des
conditions réelles d'utilisation. En outre, le vieillissement des
modules de puissance peut avoir un impact sur la courbe de
calibration des PETS. Il est ainsi important d'évaluer la
robustesse et la représentativité des PETS dans les conditions
de fonctionnement réelles des convertisseurs et pour différents
modes d'endommagement.
L'objectif principal est d'évaluer la pertinence des mesures
de température des parties actives réalisées avec les paramètres
électriques thermosensibles adaptés aux conditions d’usage des
convertisseurs par comparaison avec les données de mesure du
capteur de température intégré. Diverses solutions sont
aujourd'hui mises en œuvre pour la mesure indirecte de la
température des modules de puissance. Dans cet article, nous
proposons une approche originale associant la mesure indirecte
par des paramètres électriques thermosensibles avec celle
effectuée par un capteur de température résistif intégré dans
une puce de puissance. Figure 1:Topologie du capteur intégré sur l’anode de la diode
La première partie de cet article présente les choix
technologiques et les étapes de réalisation de la puce
La topologie du capteur sur la surface de la diode de
instrumentée. Après une description détaillée du dispositif
puissance (Figure 1) est définie de manière à couvrir la
expérimental mis en œuvre, la seconde partie montre les
métallisation (anode) de la puce et, ainsi, de mesurer une
résultats de validation du capteur de température ainsi que
grandeur représentative de sa température moyenne. Les
l’utilisation de la puce instrumentée dans des conditions de
ouvertures sur la bordure de la puce permettent de connecter les
dissipation. Les perspectives d’utilisation de la puce
bondings de puissance sur la métallisation en aluminium de
instrumentée dans un module de puissance sont abordées dans
l’anode de la diode pour assurer la reprise de la connectique
la dernière partie de l’article.
électrique vers l’extérieur. Notons que le choix d’avoir des
2. CHOIX TECHNOLOGIQUES DE CONCEPTION DU CAPTEUR ouvertures sur les côtés n’assure pas une distribution optimale
du courant dans la puce mais permettra toutefois de réaliser des
2.1. Concepts et structure de la puce instrumentée mesures aisées à la caméra infrarouge pour la validation
expérimentale de la puce.
2.1.1. Approche technologique
Le principe de base repose sur l’intégration d’un capteur de L’évolution de la chute de tension aux bornes du capteur est
température sur la surface d’une diode de puissance [10]. Le intrinsèquement liée à la variation de la résistance et au courant
capteur de température utilise le principe de variation de la de mesure injecté dans le capteur. La valeur théorique de la
résistivité électrique de certains matériaux (métaux, semi- résistance du capteur à 25°C est évaluée à 400 Ω selon
conducteurs ou alliages) en fonction de la température. Selon l’équation 2 avec les paramètres donnés dans le Tableau 1.
l’équation 1, la résistivité de ces matériaux varie de manière Pour un courant de mesure de 1 mA, la limite basse de la chute
quasi linéaire en fonction de la température avec une constante de tension mesurée est alors de 400 𝑚𝑉 à 25°C, ce qui offre
αAl en %/°C appelée TCR (« Temperature coefficient of une précision de mesure suffisante pour les températures
resistance »). ∆R est la variation de résistance du capteur, R0 la supérieures.
résistance du capteur à une température de référence T 0 et ∆T,
l’écart de température par rapport à T0.
𝐴𝑙 𝜌 ∗𝐿
𝑅𝑐𝑎𝑝𝑡𝑒𝑢𝑟 = 𝑒∗ℎ (2)
𝐴𝑙
∆𝑅
= 𝛼𝐴𝑙 ∆𝑇 [%] (1)
𝑅0
Tableau 1. Paramètres du capteur

Résistivité de l’aluminium 𝝆𝑨𝒍

Le choix du matériau utilisé pour concevoir le capteur est 2,8 10−8 Ω. 𝑚
(@25°C)
mené à travers l’analyse de plusieurs critères dont, notamment,
Epaisseur du motif 𝒆 70 µ𝑚
la sensibilité intrinsèquement liée à la valeur du TCR α, la
linéarité, la simplicité de mise en œuvre technologique et le Epaisseur de l’aluminium 𝒉𝑨𝒍 500 𝑛𝑚
coût de fabrication. A la lumière de cette étude, l’aluminium Longueur moyenne du motif 𝑳 0.5 𝑚
présente des caractéristiques intéressantes avec un TCR
théorique de 0.43%/°C, un faible coût, une bonne stabilité
2.2. Etapes de réalisation de la puce instrumentée
La puce instrumentée est réalisée dans un environnement
contrôlé en salle blanche (Plateforme Technologique Amont de
Grenoble). Les différentes étapes de réalisation sont illustrées
sur la figure 2.
En premier lieu, les diodes du commerce sont livrées sans
passivation (polyimide) et sont spécialement fournies avant les
tests finaux de contrôle habituellement effectués par le
fabricant. Cela permet de préserver la surface de la
métallisation (anode) de la puce de toute dégradation
généralement due à l’utilisation des pointes de test. Les puces
sont d’abord nettoyées chimiquement avec une solution à base
d’acétone et d’isopropanol pour éviter une éventuelle
contamination de la surface et enlever les particules de
poussière.
L’étape 1 consiste en un dépôt d’une couche isolante
d’oxyde de silicium (SiO2) de 2µm d’épaisseur. Le dépôt est
effectué par PECVD (Plasma-Enhanced Chemical Vapor
Deposition). En dehors de l’isolation électrique, le choix de
l’épaisseur de la couche d’oxyde est lié d’une part à la
nécessité d’amoindrir la barrière thermique entre la puce et le
capteur de température et, d’autre part, au besoin d’assurer la
tenue mécanique par rapport aux tests sous pointes et à la
réalisation des bondings sur les plots du capteur. Initialement
de 400nm, la couche de SiO2 a été endommagée par les
premiers tests de calibration du capteur, ce qui a engendré un
court-circuit entre les plots de ce dernier. Des calculs
analytiques ont ensuite permis d’étudier l’impact de l’épaisseur
de la couche d’oxyde sur la différence de température entre le
capteur et l’anode de la diode. Il en découle une augmentation
de l’épaisseur d’oxyde jusqu’à 2µm, ce qui correspond à la
limite technologique imposée par l’équipement de dépôt de la
salle blanche.
Puis, un dépôt d’aluminium de 500nm d’épaisseur est
réalisé à l’étape 2 par évaporation sous vide sur toute la surface
supérieure de la puce. L’épaisseur de métal est un paramètre
déterminant de la valeur de la résistance du capteur et, par
conséquent, de la plage de tension mesurable à ses bornes vis-
à-vis du calibre et de la précision des appareils de mesure.
L’épaisseur de 500nm constitue également une limite haute
imposée par le procédé de la salle blanche.
Le motif du capteur est ensuite dessiné par lithographie
avec de la résine positive AZ1512HS (étape 3) et une gravure
chimique permet d’éliminer le métal restant. La résine de
protection est ensuite éliminée par lift-off à l’étape 4. A ce
stade du procédé, le capteur est entièrement défini et intégré sur
l’anode de la diode de puissance.
Il est ensuite nécessaire de définir les zones d’accès à la
métallisation supérieure de la puce pour pouvoir faire les
bondings de puissance. Une gravure RIE (Reactive Ion
Etching) permet d’éliminer l’oxyde thermique aux
emplacements reportés sur de la résine négative nLof2070 par
lithographie optique (étapes 5 et 6).
Enfin, une seconde couche de protection est réalisée avec
de la résine négative SU8 déposée par spincoating, recuit à
180°C avec un motif intégré par lithographie optique. Le
masque de lithographie permet d’accéder aux plots de contact
du capteur de température et à la métallisation de la diode.
Cette dernière couche de résine sert de protection pour le
capteur. Figure 2 : Illustration des différentes étapes d’intégration du capteur sur la
métallisation de la diode de puissance
3. VALIDATION EXPERIMENTALE DE LA PUCE INSTRUMENTEE
3.1. Calibration du capteur de température et d’un PETS de
la diode
3.1.1. Calibration sous pointes du capteur
La calibration sous pointes des capteurs (Figure 3) est la
première étape de l’évaluation de la résistance à la fin du
procédé de réalisation en salle blanche. La mesure est faite par
l’injection d’un courant de 1mA à travers le capteur et par la
mesure « Kelvin » de la chute de tension aux bornes du
capteur. La mesure « Kelvin » permet de s’affranchir de
l’influence de la connectique sur la mesure de la tension du
capteur et, ainsi, d’évaluer avec plus de précision la résistance
des capteurs en fonction de la température.

Figure 4: Courbe de calibration de trois capteurs (RTD01, RTD02, RTD03)

Figure 3: Calibration sous pointes des capteurs

L’injection de courant et la mesure « Kelvin » sont

effectuées avec l’aide d’une unité de source et mesure (SMU)
Keithley 2602B qui offre une précision relative d’injection de
courant de 0.03% pour un courant de mesure de 1mA. La
précision relative de la mesure de la tension est de 0.015% pour
un calibre de 1V. La température de la puce instrumentée est
imposée par une plaque chauffante (Lab Mix 35) avec une
précision de régulation de +/-5K. Pour ces tests préliminaires,
la précision sur la mesure n’est pas utile puisque nous Figure 5: Courbe de calibration du capteur de température
cherchons seulement à valider le fonctionnement des capteurs.
L’évolution de la résistance des capteurs en fonction
de la température est approchée par une équation linéaire de 3.1.2. Calibration sur substrats DBC
la forme : Les puces instrumentées sont ensuite reportées par brasage
sur un substrat DBC dans une configuration permettant de
définir une cellule de commutation (Figure 9). La calibration
𝑹𝒓𝒕𝒅 = 𝒂𝑻𝒄𝒂𝒑𝒕𝒆𝒖𝒓 + 𝒃 [Ω] (3) effectuée concerne à la fois le paramètre thermosensible de la
chute de tension directe Vf de la diode sous l’injection d’un
faible niveau de courant (50mA) et le capteur de température
Le coefficient de température (TCR) des capteurs est défini intégré par report en surface de celle-ci (courant de 1 mA).
de manière expérimentale à partir de l’équation 4. Le substrat est placé dans une enceinte thermorégulée de
manière à imposer une température homogène à tout le
dispositif. La température du substrat est estimée par un
∆𝑹
= 𝜶 ∆𝑻 + 𝜷 [%] (4) thermocouple de type K classe 2, placé au plus près sur la
𝑹𝟎
semelle. Les courants de mesure sont injectés par le SMU
Keithley 2602B pour le capteur (1mA) et par une carte de
Tableau 2. Paramètres de calibration des capteurs courant dédiée pour la mesure du PETS de la diode (50mA).
Une mesure « Kelvin » est utilisée pour s’affranchir de la chute
Capteurs 𝒂 𝒃 𝜶 𝜷 de tension due à la connectique. La mesure est effectuée par
RTD01 1.6 395.2 0.4 -0.7 une centrale d’acquisition HBM GEN3i (2MEch./s, 18bits). La
RTD02 1.6 389.6 0.4 0.0 configuration de mesure est présentée sur la figure 7.
RTD03 1.6 386.2 0.4 -0.4 La variation de la résistance du capteur de température est
évaluée en fonction de la température et permet d’obtenir les
données de calibration : sensibilité 𝑺capteur = 1.57 𝑚𝑉/°𝐶 et
TCR 𝜶capteur = 0.35 %/°𝐶.
 La courbe de calibration du PETS Vf_Ict indique une 3.2.2. Circuit d’injection du courant de puissance
sensibilité de −2.3 𝑚𝑉/°𝐶. Le dispositif expérimental utilisé pour l’injection du
courant de puissance a été développé dans le cadre des travaux
de Thollin et coll. [13]. La puce instrumentée correspond au
DUT (Device Under Test) de la figure 8. Les interrupteurs T1
et T2 permettent d’aiguiller le courant de puissance. Le shunt
aselfique (LEMSYS 1mΩ) permet de mesurer le courant de
puissance injecté dans la diode avec précision et avec une
bande passante élevée (2 MHz).

Figure 8: Schéma de l’aiguillage de puissance [13]

Figure 6: Courbe de calibration du PETS Vf_Ict de la diode

3.2.3. Procédures de mesure

3.2. Mesures de la température en dissipation Le substrat DBC sur lequel est reportée la diode
instrumentée est fixé sur une plaque à eau dont la température
3.2.1. Principe de mesure avec le paramètre électrique est contrôlée par un thermostat à circulation (Julabo MC-26)
thermosensible (PETS) Vf_Ict avec une température de consigne de 30°C. La température de
Le PETS Vf_Ict de la diode de puissance est utilisé afin de la semelle est contrôlée à l’aide d’un thermocouple de type K
mesurer indirectement la température de jonction de la diode de inséré au centre de la plaque, juste en dessous du substrat. Le
puissance en silicium. En injectant un faible courant de l’ordre banc de mesure est présenté sur la Figure 9.
de quelques dizaines de mA, on observe une variation linéaire
de la chute de tension aux bornes de la jonction PN avec une Le courant de puissance Ip, limité à 50A, est injecté dans la
sensibilité de l’ordre de -2mV/°C (Figure 6). Il est montré que diode pendant environ une minute pour atteindre le régime
la température estimée avec ce PETS correspond à une valeur stationnaire. La commande de l’interrupteur T1 arrête
proche de la température moyenne de la température de l’injection de puissance et déclenche l’enregistrement de la
jonction de la puce [11]. tension du capteur et celle du PETS par la centrale
d’acquisition HBM pour une durée t=1ms (dont 200µs des
Dans les conditions de mesure en dissipation (Figure 7), un données avant la coupure du courant de puissance).
courant de puissance est injecté dans la diode jusqu’à
l’établissement du régime stationnaire. Le courant de puissance
est ensuite est remplacé par le courant de mesure utilisé pour la
calibration (50mA). L’évolution de la chute de tension aux
bornes de la diode parcourue par le courant de mesure permet
d’observer la courbe de refroidissement de la puce
instrumentée. La température à l’instant de la coupure du
courant est obtenue par extrapolation de la partie linéaire des
mesures enregistrées, après la fin de l’injection du courant de
puissance, en fonction de la racine carrée du temps. Ce procédé
permet de s’affranchir des effets transitoires qui apparaissent au
moment de la coupure du courant de puissance sur une durée
de l’ordre de quelques centaines de µs [11].

Figure 9: Banc de mesure

La coupure du courant de puissance entraîne une

perturbation des signaux mesurés sur une durée maximale de
20µs. Il est important d’enlever les données enregistrées sur
Figure 7: Schéma de principe du dispositif expérimental cette plage où les perturbations sont importantes. Chaque
mesure est répétée dix fois afin de s’assurer de la répétabilité et
les valeurs moyennes des grandeurs caractéristiques sont une surface correspondant à la métallisation supérieure de la
calculées pour chaque niveau de courant. diode (zone puce, Figure 11).
3.2.4. Traitement des données du capteur
Le traitement des données du capteur permet de calculer la
température juste avant l’arrêt de l’injection du courant de
puissance. Afin de s’affranchir des effets transitoires dus à la
coupure de l’injection, le calcul est fait avec les échantillons
enregistrés entre 200µs et 20µs avant la coupure du courant de
puissance.
La valeur moyenne sur les points de mesure (360
échantillons) est ensuite utilisée pour calculer la température du
capteur avec l’équation de calibration.
Figure 11 : Mesures avec caméra thermique (Ip=50A)

3.2.5. Traitement des données du PETS de la diode

Pour chaque de niveau du courant de puissance, le
traitement du PETS de la diode permet de retrouver la
température initiale Tj0. Il s’agit ici d’utiliser l’équation
d’extrapolation linéaire en racine carrée du temps (Figure 10)
pour évaluer la tension Vf0 avant de remonter à la température
via l’équation de calibration de la diode.
Les résultats des mesures avec la caméra thermique
consolident les mesures avec le capteur et le PETS Vf_Ict au
vu des écarts de température. La différence de température
maximale entre ces mesures et ceux du capteur et du PETS est
inférieure à 0.6°C sur toute la gamme des courants de
puissance utilisée.

Figure 10: Extrapolation en racine carrée du temps de l’évolution du PETS Figure 12: Températures du capteur et de la caméra thermique

3.2.6. Mesures avec une caméra thermique

Une mesure complémentaire est faite avec une caméra
infrarouge (Testo 875-2i). Le dispositif est peint en noir avec
de la peinture haute température (Motip 0431) pour améliorer
l’émissivité de la surface de la puce instrumentée à une valeur
moyenne 𝜀𝑚𝑜𝑦 = 0.95. Le substrat est ensuite recuit à 160°C
pendant 60 minutes à l’aide d’une plaque chauffante. Une
calibration de la caméra infrarouge sur le même banc de
mesure est effectuée entre 30°C et 70°C après avoir peint le
substrat et sans injection de courant de puissance. La
température de calibration est limitée à 70°C par le thermostat
à circulation (Julabo MC-26).
Pendant les phases de dissipation, deux températures
moyennes sont calculées avec la caméra thermique (Figure 11).
D’abord, la température du capteur est évaluée en considérant
la moyenne sur la zone au centre de la puce (zone capteur,
Figure 11), correspondant à l’emplacement du capteur. Ensuite,
la température de la partie active de la diode est calculée sur
Figure 13 : Températures du PETS Vf_Ict et de la caméra thermique
3.2.7. Comparaison des résultats expérimentaux
Pour des niveaux de courant de puissance supérieurs à 15A,
la température mesurée par le capteur est supérieure à celle
effectuée par le PETS Vf_Ict de la diode de puissance avec un
écart maximal de température constaté de 0.5°C (Figure 14).
Figure 14: Températures estimées par le capteur et par le PETS
Le capteur de température couvre 83% de la surface de la
métallisation qui correspond à la partie active de la diode de
puissance. La valeur moyenne de la température de cette partie
active, évaluée par le PETS Vf_Ict est plus faible, notamment
parce que la température est plus chaude au centre de la puce
que sur les bords. La figure 14 illustre cette répartition de
température pour un courant de puissance de 50A. Sur cette
figure, nous traçons la température le long d’une diagonale de
la puce. Nous observons bien que les bords de la puce sont
sensiblement plus froids, comparés à la zone occupée par le
capteur de température au centre de la puce. Par conséquent, la
valeur moyenne de la température du capteur calculée sur cette
zone est plus élevée que celle calculée pour le PETS (Figure
15).
Figure 15 : Répartition de la température sur la surface puce instrumentée
Les écarts-types maximums pour chaque point de mesure
sont de l’ordre de 0.2°C, ce qui montre une faible divergence
des points de mesure autour de la valeur moyenne de la
température pour chaque niveau de courant de puissance
injectée et donc une bonne répétabilité des mesures.
4. CONCLUSIONS
A l’issue de cette étude, les recherches axées sur
l’intégration d’un capteur de température dans une diode de
puissance ont permis de valider les étapes de réalisation
technologique. En effet, des capteurs fonctionnels ont été
intégrés sur des puces du commerce grâce à un procédé
microélectronique simple et économique.
Le report de la puce instrumentée sur un substrat DBC a
permis ensuite de comparer les données du capteur avec ceux
obtenus avec un paramètre électrique thermosensible robuste et
largement utilisé dans l’industrie ou le monde académique
(chute de tension directe de la diode de puissance sous un
faible courant Vf_Ict) et avec une caméra thermique. Dans la
configuration de dissipation thermique en régime stationnaire,
les écarts de températures entre la température du capteur et
celle évaluée par le PETS d’une part, et entre la température du
capteur et celle estimée par la caméra thermique d’autre part
sont inférieurs à 0.5°C.
Pour la suite, le capteur de température sera évalué en
régime de commutation grâce au substrat présenté plus haut
afin de confirmer les résultats de la mesure de température
obtenus en dissipation statique. Il s’agira de valider le bon
fonctionnement du capteur en présence de commutations en
vue d’une utilisation de la puce dans des conditions
fonctionnelles. Des études dans ce sens sont en cours.
L’évaluation expérimentale du fonctionnement du capteur
de température sera complétée par une simulation numérique
permettant d’évaluer l’influence de l’intégration du capteur sur
le comportement électrothermique de la puce instrumentée.
Enfin, la mise en œuvre de la mesure de la température par
intégration dans une diode de puissance étant une première
étape de validation de cette approche, le procédé technologique
ainsi validé permettra de passer à l’intégration de nouvelles
versions du capteur pour les transistors IGBTs silicium. Nous
pourrons ainsi réaliser des modules de puissance dont toutes les
puces sont instrumentées. Nous aurons ainsi à disposition un
outil nous permettant de valider les PETS des IGBT et des
diodes en conditions fonctionnelles.
5. REMERCIEMENTS
Les auteurs remercient l’ANR (projet MEMPHIS ANR-13-
PRGE-0005-01 PROGELEC) pour le soutien financier apporté
pour ces recherches. Ces travaux ont également été en partie
soutenus par le réseau français RENATECH pour la réalisation
des puces instrumentées à la Plateforme Technologique Amont
(PTA) de Grenoble.
Les auteurs remercient également Jean-Christophe Crebier,
Raha Vafaei et Benoit Thollin pour leur aide sur le design de la
puce, Cyril Buttay, Vincent Bley et la société DeepConcept
pour leur aide concernant la réalisation technologique du
packaging, et Florian Dumas pour les réalisations mécaniques.
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