ISPTK/MBUJIMAYI MBUJI-MAYI, le 19/07/22

L1 ET L2 ETRO/ISPT-Kanshi
Ir KABEYA Papy
Durée: 2h00

EXAMEN DE PHYSIQUE POUR ELETRONIIEN 1er SEMESTRE

I. Qu’entendez-vous par :
1. la physique pour électronicien ? et donner ses objectifs
2. Structure de la matière et réseau cristallin?
3. S-C intrinsèque et dope ?
4. jonction PN hors équilibre (polarisation directe) avec croquis à l’appui ?
5. Masse effective d’un électron. Et dans quelles situations faut-il l’utiliser ?
6. hétérojonction isotype et anisotype
7. Mosfet a canal N d’enrichissement et d’appauvrissement hors équilibre ? (croquis a l’appui)
8. Jfet à canal N hors équilibre ? (croquis a l’appui)
9. Schéma d Ebers-moll ? et représentez-le
10. S-C dégénéré et non dégénéré
II. Choix des matériaux S-C
Afin de répondre aux questions suivantes, faites référence au tableau ci-dessous (T=300°K)

1. A. Nous souhaitons un dispositif optoélectronique qui émet de la lumière. Nous avons à notre
disposition du Si et GaAs. Lequel des deux matériaux choisiriez-vous ? expliquez-vous
B. Choisiriez-vous des électrons ou des trous comme porteur majoritaires dans votre dispositif ?
Expliquez-vous
2. A. Nous voulons fabriquer un dispositif électronique qui fonctionne à haute température.
Lesquels de deux matériaux choisiriez-vous ? expliquez-vous
 B. Dessiner schématiquement un diagramme de bande (énergie d’un électron en fonction de
son vecteur d’onde) et montrer clairement quelle propriété vous a mené à votre choix
III. dans les conditions suivantes a) équilibre thermique, b) dopage uniforme, c) S-C non-dégénéré d)
ionisation complète des atomes dopants.
1. trouver une expression de n et p en fonction de ND, NA, ni.
2. Faire l’application numérique pour n et p pour le silicium à T=300°K avec ND =105cm-3, NA
=104cm-3 et ni=7,5 103 cm-3
IV. un dispositif en silicium à 300 K est caractérisé par le diagramme de bande ci-dessous.

Ec est l’énergie du bas de la bande de conduction, Ev est l’énergie du haut de la bande de valence ; EF
est l’énergie de fermi (le niveau de fermi) et Ei est l’énergie de fermi intrinsèque. L est la longueur du
dispositif dans la direction x. Utiliser le diagramme ci-dessus afin de répondre aux questions suivantes
NB : Prénons comme hypothèse que dans chaque région il n y a qu’un type de dopant présent
1. le dispositif est –il à l’équilibre thermodynamique ?
2. le S-C est-il partout dégénère ou partout non dégénéré, si tel est le cas ?expliquez pourquoi. si
non expliquez pourquoi et donnez les régions (approximatives) ou le S-C est soit dégénéré, soit
non dégénéré
3. quel est le type de dopant (dominant)
a. à x=0 ?
b. à x=L/2 ?
c. à x=L ?
d. expliquez vos réponses a) à c)
4. quelles sont les concentrations d’électrons dans la bande de conduction et de tous dans la bande
de valence) à x=L ?
NB :
 Notes fermées
 Pas de téléphones pour usage de la calculette, ni accès à l’Internet
BONNE CHANCE