Cours

Partie 3:
Composants Optoélectronique
Mourad Menif
Professeur
Novembre 2023
École Supérieure des Communications de Tunis (Sup’Com)
2083 El Ghazala Ariana, Tunisie
Plan du cours
Ce cours présente les notions théoriques et appliquées nécessaires en optoélectronique:
• Principes physiques et processus optiques dans les semi-conducteurs

• Composants optoélectroniques (LD, LED, APD, etc…)
o Structures, opération, performances et spécifications des principaux composants
o Matériaux et méthodes de fabrication
o Applications
À la fin de ce cours, vous devrez être en mesure:
• de comprendre les principes physiques fondamentaux des composants optoélectroniques;

• de connaître les divers types de composants optoélectroniques et leurs caractéristiques;
• d’interpréter les spécifications de performances des composants optoélectroniques;
Objectifs
• d’appliquer les notions acquises à des problèmes concrets, d’analyse ou de conception,

portant sur les composants ou systèmes utilisant l’optoélectronique
Mourad Menif Page 23

Optoélectronique?
L’optoélectronique est un domaine technologique qui combine la physique de l’optique et
l’électronique.
L’optoélectronique englobe la théorie, la conception, la fabrication et l’opération de

composants qui convertissent des signaux électriques en lumière ou des signaux lumineux en
des signaux électriques.
Objectifs

Sommaire
1. Propriétés des semi-conducteurs
• Revue des notions fondamentales des semi-conducteurs: (Matériaux, bande d’énergie, dopage, niveau Fermi)
• Processus optiques dans les semi-conducteurs: (absorption, émission spontanée, émission stimulée)
2. Les photo-détecteurs
• Concept de base: (Responsivité, efficacité quantique, coefficient d’absorption, …)
• Photodiodes: (PN, PIN, APD,…)
• Les bruits dans les photodiodes: (Bruit de grenaille, bruit thermique, cas pin, cas APD, …)
3. Les diodes électroluminescentes
• Principe de fonctionnement:
• Structures, Matériaux, Caractéristiques: (Homojonction, hétérojonction, spectre d’émission, …)
4. Les lasers à semi-conducteur
• Revue sur le LASER: (conditions d’oscillation Laser, …)
• Cas d’une diode laser à semi-conducteur: (Homojonction, hétérojonction, …)
5. Les amplificateurs optiques à semi-conducteurs
• Description des SOAs:
• Principe de l’amplification optique:
• Suppression de la cavité résonnante:
• Caractéristiques fondamentales d’une SOA:

Chapitre 1: Les semi-conducteurs
Les composants optoélectroniques sont principalement fabriqués à partir de matériaux semi-
conducteurs.
Un matériau semi-conducteur est un solide cristallin ou amorphe dont la conductivité
électrique se situe entre celle d’un métal et d’un isolant.
Facteurs affectant la conductivité d’un semi-conducteur:

II III IV V VI
• Température,
(B) (C) (N)
Bore Carbone Nitrogène
• Contenu en impuretés,
Aluminium Silicium Phosphore Soufre
• Intensité lumineuse incidente, (Al) (Si) (P) (S)
• Tension électrique appliquée. Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium

(Zn) (Ga) (Ge) (As) (Se)
Cadmium Indium Antimoine Tellure
(Cd) (In) (Sb) (Te)
Les principaux éléments entrant dans la fabrication des

composants optoélectroniques
Les matériaux semi-conducteurs
Composants Composants
Elémentaire Composants IV
binaire III-V binaire II-VI
Si SiC AlP ZnS
Ge SiGe AlAS ZnSe
AlSb ZnTe
GaN CdS
GaP CdSe
GaAs CdTe
GaSb
InP
InAs
InSb
Quelques composants semi-conducteurs.

Les semi-conducteurs
• Les bons conducteurs ont leur dernière couche incomplète (1 à 3 électrons de valence): Ils
céderont facilement leurs électrons
• Les bons isolants ont leur couche saturée ou presque saturée (5 à 8 électrons de valence): Ils
accepteront peu d’électrons
• Les semi-conducteurs élémentaires ont autant d’électrons (4) à prendre qu’à donner pour
avoir leur couche saturée.

Les bandes d’énergie dans un SC
Figure 5: Diagramme des bandes d’énergie. Table 3 : Valeur de l’énergie de la bande

interdite pour trois solides
Arséniure de
Carbone Silicium Germanium
gallium
7eV 1,1 eV 0,7 eV 1,43 eV

Les électrons de valence
• Ce sont les électrons de la couche périphérique d’un atome.
• La couche périphérique peut contenir un maximum de 8 électrons.
• Les électrons de valence créent les liens covalents avec d’autres atomes.
• Le niveau d’énergie associé aux électrons de valence est appelé bande de valence.
• Ils peuvent être libérés pour générer de la conduction (bande de conduction).
Atome seul Ensemble d’atomes

dans un solide
Dopage des semi-conducteurs
 Un semi-conducteur extrinsèque est un cristal dans lequel des
impuretés ont été ajoutées pour augmenter de manière significative
la concentration des porteurs de charges d’une polarité par rapport
à l’autre.
 Semi-conducteur de type n : La concentration d’électrons est

beaucoup plus élevée que celle des trous.
 Semi-conducteur de type p : La concentration des trous est
beaucoup plus élevée que celle des électrons.

Dopage des semi-conducteurs
Probabilité de trouver un électron
dans un état quantique avec une
énergie E:
1
f  E, T  
E E f
1 e kBT
Dépendance du niveau de Fermi selon le dopage
Niveau de Fermi?
Ef est une démarcation imaginaire, située au
milieu, entre les niveaux occupés qui lui sont
supérieurs et les niveaux inoccupés qui lui
sont inférieurs.
Dépendance de la probabilité d'occupation avec la
température
Niveau de Fermi
(E) (E–Ec)1/2
E E E
Ec+
[1–f(E)]
BC
Électrons
Surface = n E ( E )dE  n
Ec Ec nE(E)
EF EF
Ev Ev pE(E)
Surface = p
Trous
BV
0
(E) f (E) nE(E) ou pE(E)
Figure 9: (a) bande d’énergie d’un semi-conducteur, (b) densité d’état dans la bande de valence et la
bande de conduction, (c) fonction de distribution de Fermi-Dirac et (d) la densité des porteurs.

SC à bande directe et indirecte
Les électrons de la bande de conduction et les trous de la bande de valence se conduisent
comme des particules libres à l'intérieur du cristal et il est possible de relier leur énergie cinétique
à leur quantité de mouvement.

Les jonctions PN
Eo–E
Ec
e(Vo–V)
Ec
EFn Eo+E
EFp eV
Ec
Ev
Ev e(Vo +Vinv)
EFp
p n Ec
Ev EFn
Ev
I
V p n
Jonction non-polarisée E Fn E Fp Quasi-équilibre
Jonction polarisée en Vinv

directe.
Jonction polarisée en
inverse.
Homojonction
 Une jonction entre deux semi-conducteurs dopés différemment (p-n)
mais de même matériau est appelée homojonction.
 Avantages:
Simple
 Économique
 Inconvénients:
 Des électrons peuvent atteindre la surface par diffusion et se recombiner
avec des défauts cristallins de surface. Ce processus de recombinaisons
non-radiatives diminue la puissance émise.
 Si les recombinaisons se produisent sur une distance relativement longue
(causées par de grandes longueurs de diffusion des électrons), les chances
de réabsorption augmentent. La réabsorption augmente avec le volume et
l’efficacité quantique diminue.

Hétérojonction
 Une jonction entre deux semi-conducteurs de gap différent est
appelée hétérojonction.
 L’hétérojonction ou double-hétérostructure consiste à placer des
couches de semi-conducteurs ayant des Eg plus élevées et des
indice de réfraction plus bas de chaque côté de la couche active.

 Ceci a pour but de confiner les porteurs de charge à la zone active
et de confiner la lumière (guide d’onde)
 Une hétérojonction a une meilleure efficacité quantique et une plus
grande intensité émise.

Les processus optiques
Énergie de l’électron
h  E g
h  E g
h  Eg h
h
Absorption
Emission spontanée
Emission stimulée

Chapitre 2: Les photo-détecteurs
Les photodiodes sont les dispositifs de détection les plus utilisés en photonique. Elles sont
fabriquées à base de matériaux semi-conducteurs.
Le processus de détection se résume de la manière suivante:
1. Absorption de photons par le matériau et génération

de paires électron-trou.
2. Dérive des porteurs de charge sous l’effet d’un
champ électrique interne suffisant.

3. Collecte des porteurs de charge aux électrodes de
contact du composant.
4. Génération d’un photo-courant proportionnel à la
puissance optique incidente.

Responsivité: sensibilité spectrale
La responsivité R d’une photodiode caractérise sa performance en terme de photo-courant généré
(Iph) par une puissance optique (Po) à une longueur d’onde donnée:
Photocourant (A) I ph
R 
Puissance optique incidente (W) Po
Responsivité
e e
Rη 
hν hc
Courbe de sensibilité de trois semi-conducteurs en

fonction de la longueur d'onde
Efficacité quantique
Tous les photons ne sont pas absorbés pour créer des paires électron-trou libres qui peuvent être
collectées et générer un photo-courant. L’efficacité de ce processus de conversion est mesurée
par l’efficacité quantique  du détecteur définie comme
# de paires électron - trou générées et collectées


# de photons incidents
I ph e Efficacité

Po h quantique
où Iph est le photo-courant dans le circuit et Po est la puissance optique incidente.

Absorption
Le processus d’absorption de photons pour la
photo-génération de paires électron-trou requiert
que l’énergie du photon soit au moins égale à
l’énergie du gap du matériau semi-conducteur
pour qu’un électron soit excité de la bande de
valence vers la bande de conduction.
La longueur d’onde seuil d’absorption photo-
générative est donnée par:
1.24 D = Gap direct, I = Gap indirect

g ( m)  Longueur d’onde
E g (eV ) seuil vs gap

Coefficient d’absorption
Les photons incidents de longueur d’onde plus courte que g seront absorbés. L’intensité I de la
lumière (proportionnelle au nombre de photons) décroîtra exponentiellement avec la distance x
dans le semi-conducteur selon
I ( x)  I o exp(x)
où Io est l’intensité initiale et  est le coefficient d’absorption qui dépend de la longueur
d’onde.
Le coefficient d’absorption est une propriété du matériau:

• 63% de l’absorption des photons se produit sur la distance 1/,
• d =1/ est la longueur d’absorption.

Coefficient d’absorption
La puissance absorbée dans le matériau sur Chaque photon absorbé crée une paire
une tranche comprise entre z et z+dz: électron-trou, l’efficacité quantique  est :
P
dPabs  z   Pin e     z dz   abs  1  e   W
Pin Énergie du photon (eV)
5 4 3 2 1 0.8 0.7
0.9
La longueur d’onde de coupure est:
Coefficient d’absorption dans

1 108
différents semi-conducteurs
1, 24
c   m  
E g  eV  1 107
Ge In0.7Ga0.3As0.64P0.36
La puissance transmise pour un semi- In0.53Ga0.47As

Si
1 106
conducteur de profondeur W est alors : GaAs
(m-1)
Ptr  Pin e   W
InP
1 105
a-Si:H
La puissance absorbée par le semi- 1 104

conducteur devient alors :
Pabs  Pin  Ptr  Pin 1  e   W  1 103
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8
Longueur d’onde ( m)

Les photodiodes
I ( A)
Les photodiodes se présentent sous forme de structures:
• PN, 4
• PIN, 3
• PDA. 2
Polarisation Polarisation
inverse directe
En plus, une photodiode peut être utilisée suivant deux 1
-60 -50 -40 -30 -20 -0.5

modes : Id
Iph Popt= 0 0.5 1
V (V)
ILu -1
Popt= 1 W
• mode photovoltaïque : qui correspond à une diode
Popt= 2 W
non polarisée en circuit ouvert. La lumière crée des Popt= 3 W
-2
paires électron-trou dans la zone de charge d’espace, Photocourant

augmente avec
-3
Changement
d’échelle
il se crée alors une différence de potentiel à travers la l’intensité
lumineuse
jonction. C’est le cas des cellules solaires. Mode photoconducteur Mode

photovoltaïque
• mode photoconducteur : qui correspond à une

  eV  
diode polarisée en inverse. I  I d  exp    1  I ph
  k BT  
Les photodiodes à jonction p-n
SiO 2
+
Jonction p+-n en polarisation
Électrode
inverse
> + – Na >> Nd
E
Couche anti-reflet
Électrode
Région de déplétion
net
Densité de charge dans la

région de déplétion
–
E( )
Champ électrique dans la

région de déplétion
E max

Les photodiodes pin
La photodiode pin comporte une couche de semi-conducteur intrinsèque entre une couche
de type p et une couche de type n (p – intrinsèque – n).
La largeur W fixe de la région intrinsèque est indépendante de la tension de polarisation.
Cela offre des avantages par rapport à la photodiode p-n:
• Permet d’ajuster la capacité de la région désertée pour satisfaire à des temps de
réponse plus courts.
• L’épaisseur de la région désertée est ajustée au coefficient d’absorption du matériau à
la longueur d’onde d’intérêt pour absorber un maximum de photons.

Principe et structure
SiO2
Électrode + Électrode
Structure pin: p+ -intrinsèque- n+ : Couche intrinsèque beaucoup plus
large (W~5-50 m) que p+ et n+. (En réalité, un léger dopage est présent dans
-Si +
i-Si; mais par simplicité on le considère purement intrinsèque).
Au 1er contact, les trous de p+ et les électrons de n+ diffusent vers i-Si où ils se
recombinent et disparaissent, laissant une mince couche d’ions accepteurs
négatifs dans p+ et une autre d’ions donneurs positifs dans n+.
Un champ uniforme Eo se crée entre les zones chargées. Ce champ empêche
–
maintenant la diffusion.
Une tension de polarisation inverse est appliquée. Le champ dans i-Si passe à
E( )
E  E o  Vinv W  Vinv W (Vinv  Vo ).

E
>
Des photons incidents sont absorbés dans la couche i-Si et les paires
+ –
électron-trou photo-générées sont séparées par E et dérivent vers les couches
p+ et n+. Cela produit un photo-courant externe Iph qui est détecté comme
une tension (Vsortie) aux bornes d’une résistance RL.
Temps de réponse
La plupart du temps on cherche à avoir des photo-détecteurs qui répondent rapidement aux
variations de la puissance optique incidente (surveillance, communications).
Le temps de réponse d’une photodiode pin est déterminé par:
• Le temps de transit (dérive) des porteurs: tdér
• La constante de temps RC (i.e. la résistance de la charge et la capacité du détecteur):
tRC
• Le temps de diffusion des porteurs générés hors de la région de déplétion: tdiff
ttot  t dér
2
 t RC
2
 t diff
2

Temps de réponse: temps de transit
Pour un porteur de charge photo-généré au bord de la couche intrinsèque, le temps de transit ou
de dérive à travers cette couche est W
t dér 
vd
où vd est la vitesse de dérive.
Pour réduire le temps de dérive, on peut diminuer W
mais cela réduira le nombre de photons absorbés et
dégradera l’efficacité quantique.
On peut également augmenter vd en augmentant le

champ appliqué E. À des valeurs élevées de champ, vd
n’est plus égale à d E (où d est la mobilité) mais
sature à vsat autant pour les électrons que pour les
trous. Pour une couche i-Si de 10 m, avec
des porteurs dérivant à la vitesse de
saturation (~105 m/s), le temps de transit
est d’environ 100 ps.
Temps de réponse: constante RC
La réponse d’une photodiode est aussi limitée par la constante de temps RC qui correspond au
temps pris par la capacité du dispositif pour se décharger dans la résistance de charge RL. La
constante RC est égale à
t RC  RL C J
où R est la résistance de charge du circuit et CJ est la capacité de la jonction ou de la couche de
déplétion définie par
 o r A
CJ 
W
où A est la surface de la jonction et or est la permittivité du semi-conducteur.

Temps de réponse: constante RC
La capacité de la photodiode pin peut être diminuée en augmentant l’épaisseur de la région de
déplétion W.
En changeant W, il y a un compromis à faire entre l’efficacité quantique et le temps de réponse,
jusqu’à ce que l’effet de la capacité CJ  1/W se fasse sentir.
Si W est trop mince, la capacité de la jonction peut être excessive, ce qui va limiter le temps de
réponse de la diode.
Si W est trop grande, le temps de transit peut être excessif.
Un bon compromis est typiquement: 1/s < W < 2/s.

Temps de réponse: temps diffusion
Le temps de diffusion des porteurs générés hors de la région de déplétion peut affecter le temps
de réponse de la photodiode pin si:
•La largeur W de la couche intrinsèque est courte par rapport à la longueur d’absorption
nécessaire à la longueur d’onde d’intérêt:
Il y aura alors des porteurs générés dans la couche n+ qui devront la traverser (sans
champ électrique pour les accélérer) avant de participer au courant.
•Des photons sont absorbés près de la surface (couche mince p+):
Les électrons devront alors traverser la couche p+ (sans champ électrique) avant de
pouvoir dériver à travers la couche i.

La photodiode à avalanche (APD)
Les photodiodes à avalanche (APD: de l’anglais ‘‘Avalanche PhotoDiode’’) ont un mécanisme
de gain interne basé sur le phénomène d’avalanche.
• Elles fonctionnent sous polarisation inverse élevée.
• Elles sont surtout utilisées en communications optiques.
• Avantages (par rapport aux photodiodes pin):

 Nécessite moins d’amplification électronique

=> Réponse plus rapide du module
 Meilleure sensibilité

La photodiode à avalanche fonctionne en
forte polarisation inverse. L’opération se situe
dans le 3e quadrant de la courbe I-V dans la
zone où le courant augmente très rapidement
avec Vinv.
Pour une puissance optique donnée, il y aura un
gain supplémentaire en photocourant par
rapport à une photodiode pin.
Le courant d’obscurité Id est plus élevé en

mode avalanche.
I ph  I Lu  I d
Vbr ≡ Tension de claquage (breakdown voltage).
ILu ≡ Courant lu sur un ampèremètre pour Tension inverse à laquelle le courant augmente de
une puissance optique donnée. manière incontrôlable (Iph →∞).
Structure APD de Silicium:
Électrode
SiO 2
n+-p–p (léger dopage p, quasi-intrinsèque)- p+
E
>
– + Les photons sont absorbés dans la couche p et génèrent des
+ +
paires électron-trou. Les charges dérivent ensuite sous l’effet du
champ électrique et donne lieu à un courant primaire.
net Électrode
La forte polarisation inverse et la grande différence de charge à

n+-p crée un champ électrique très élevé à partir de la couche p
qui augmente l’énergie cinétique (> Eg) des électrons qui

l’atteignent.
E( )
Ces électrons très énergétiques génèrent d’autres paires
électron-trou par ionisation par impact ce qui produit un gain
supplémentaire en courant.
Région
d’absorption
Région
d’avalanche

Ionisation par impact
Les électrons dérivant vers la couche p gagnent de l’énergie cinétique en pénétrant dans celle-
ci à cause du fort champ présent et ionisent par impact des liens covalents du matériau créant
d’autres paires électron–trou.
Les nouvelles paires électron-trou sont à leur tour accélérées par le fort champ toujours présent
en p et en génèrent d’autres produisant ainsi une avalanche de processus d’ionisation par
impact.
L’APD possède un mécanisme de gain interne où un seul photon peut produire un grand
nombre de paires électron-trou, multipliant ainsi le photo-courant observé.

Facteur de multiplication
La multiplication des porteurs dans la région d’avalanche dépend de la probabilité d’ionisation
par impact qui dépend du champ électrique dans cette région et donc de la tension de
polarisation inverse Vinv.
Le facteur de multiplication d’avalanche M est défini comme:
Photocoura nt multiplié I ph
M 
Photocourant primaire I pho
où Ipho correspond au photo-courant que l’on mesurerait sous une faible polarisation inverse
(hors de la zone d’avalanche).

Facteur de multiplication
Le facteur de multiplication d’avalanche M s’exprime empiriquement comme:
1
M n Gain d’un APD
 Vinv 
1   
 Vbr 
où Vbr est la tension de claquage et n est un facteur caractéristique du matériau, de la
concentration de dopant et de la structure.
Vbr et n ont une forte dépendance en température.
Valeurs typiques: n≈4
Si: Vbr = 150 - 200 V M = 10 -100

InGaAs: Vbr = 45 - 80 V M = 10 - 20
Ge: Vbr = 20 - 40 V M = 10 - 20
Bruit dans les photodiodes
Les sources de bruit dans le processus de photo-détection proviennent de la nature statistique
de la conversion photon-électron et du bruit thermique associé au circuit d’amplification.
Par exemple, pour un flux lumineux constant, le photo-courant produit ne sera pas strictement
constant. On aura un courant instantané i(t) avec une valeur moyenne Iph en ampères qui est le
signal et un courant de bruit efficace, (<i2>)1/2, en ampères aussi.
Iph ≡ Valeur moyenne du photo-courant
s ≡ Écart-type de la distribution
= bruit du courant

Bruit dans p-n et pin
Le signal le plus faible qu’un photo-détecteur peut détecter est déterminé par l’amplitude des
fluctuations aléatoires dans le courant causées par différents processus stochastiques dans le
composant.
Lorsqu’une jonction p-n est en polarisation inverse et dans l’obscurité, il y a toujours un petit
courant Id qui circule appelé ‘‘courant d’obscurité’’ causé par la génération thermique de
paires électron-trou dans la région déserte.
Si Id était parfaitement constant, le moindre changement dans le photo-courant Iph causé par un
signal optique serait détecté (en soustrayant Id).
Ce courant d’obscurité et ses fluctuations constituent la première limite à la détectivité d’une

photodiode.

Bruit dans les photodiodes
Bruit de circuit
Bruit de circuit Bruit de gain

F M 
Bruit de photon Bruit de Bruit de

photo-électron Bruit de photon
M photo-électron
Signal détecté
Signal
Signal
Signal détecté
M

gain
(a) (b)
Différentes sources de bruit de photo-détection (a) dans

une PIN et (b) dans une APD

Bruit de grenaille: shot noise
Photoélectrons
Amplification des photo-électrons
M1
M2
Origine du bruit de grenaille dans les photo-

détecteurs (a) PIN et (b) APD.
Courant électrique
(bruit de grenaille)

Les photodiodes: Les Caractéristiques typiques
Photodiode Plage pic R @ pic Gain tr Id M x f3dB
spectrale (nm) (A/W) M (ps) ou GB
(nm) (GHz)
Si p-n 200-1100 600-900 0.5-0.6 <1 500 0.01-0.1 nA
Si pin 300-1100 800-900 0.5-0.6 <1 30-50 0.01-0.1 nA
Si APD 400-1100 830-900 40-130 10-100 100 1-10 nA > 200

Ge p-n 700-1800 1500-1600 0.4-0.7 <1 50 0.1-1 A
Ge APD 700-1700 1500-1600 4-14 10-20 100 1-10 A 10-15
InGaAs-InP pin 800-1700 1500-1600 0.7-0.9 <1 30-100 0.1-10 nA
InGaAs-InP APD 800-1700 1500-1600 7-18 10-20 70-100 10-100 nA 20-80

Chapitre 3: Les diodes électroluminescentes
Une diode électroluminescente (DEL) est:
• Une jonction p-n

• Fabriquée typiquement à partir d’un semi-conducteur à gap direct
• La recombinaison des paires électron-trou résulte en l’émission spontanée de lumière

• Le processus d’émission est appelé ‘‘électroluminescence’’
• Applications principales:
 Affichage
 Éclairage
 Communications
 Capteurs
 Tests et mesures

Les diodes électroluminescentes
h  E g
Figure 1: (a) le diagramme d’énergie d’une jonction p-n+ non polarisée, le potentiel V0 empêche les
électrons de diffuser à partir de n+ vers p. (b) la tension appliquée réduit le potentiel permettant
ainsi les électrons de se diffuser dans p par injection. La recombinaison au voisinage de la jonction
et à l’intérieur de la longueur de diffusion dans p permet l’émission des photons.

Structure
Figure 2: Une illustration d’une
jonction plane d’une LED. (a) la
couche p est réalisée en croissance
épitaxiale sur un substrat en n+, (b) n+
est réalisé en croissance épitaxiale puis
la région p est formée en dopant par

diffusion dans la couche épitaxiale.
• Les DEL les plus simples sont fabriquées par croissance épitaxiale sur un substrat approprié.
• Le substrat est un support mécanique pour la jonction p-n qui peut être un matériau semi-conducteur
différent.
• Les constantes de maille du substrat et des couches épitaxiales doivent être compatibles sinon les tensions
créeront des défauts qui encourageront des recombinaisons non-radiatives réduisant ainsi l’efficacité.
• Par exemple, le GaAs est un substrat bien adapté à l’alliage AlxGa1-xAs. Des DEL rouges très efficaces sont
fabriquées à partir de ces matériaux.

Homojonction
Une jonction entre deux semi-conducteurs dopés différemment (p-n) mais de même matériau
est appelée homojonction.
La couche p doit être la plus mince possible (quelques microns) pour permettre aux photons de
s’en échapper sans être réabsorbés.
La couche p peut être formée par diffusion de dopants dans la couche épitaxiale n+.
Les photons émis vers le côté n sont soit absorbés ou réfléchis à l’interface air-substrat.

Homojonction
Lumière émise
Réflexion totale La réflexion totale interne empêche certains rayons de
interne
p
s’échapper. Par exemple, l’angle critique de l’interface
n+ GaAs-air est de 16o.
Substrat
Lumière Semi-conducteur Semi-conducteur p formé en dôme pour que les rayons

en forme de dôme
frappent sa surface à des angles plus petits que l’angle
n+
critique. Fabrication plus complexe.
Électrodes
Dôme de
plastique
Encapsulation de la jonction p-n
dans un dôme de plastique.
Jonction p-n Solution économique.
Électrodes

Homojonction/Hétérojonction
Avantages:
- Simple
- Économique
Désvantages:
- Des électrons peuvent atteindre la surface par diffusion et se recombiner avec des défauts
cristallins de surface. Ce processus de recombinaisons non-radiatives diminue la puissance
émise.
- Si les recombinaisons se produisent sur une distance relativement longue (causées par de
grandes longueurs de diffusion des électrons), les chances de réabsorption augmentent. La
réabsorption augmente avec le volume et l’efficacité quantique diminue.
Hétérojonction:
Une jonction entre deux semi-conducteurs de gap différent est appelée hétérojonction.
Une hétérostructure a une meilleure efficacité quantique et une plus grande intensité émise.

Hétérojonction
Une DEL à double hétérojonction possède 2 jonctions entre 2 semi-
conducteurs de gap différents.
Bandes d’énergie à l’équilibre. Il y a une barrière de potentiel eVo

qui empêche les électrons de BC de n+-AlGaAs de diffuser vers p-
GaAs. Il y a aussi un changement de gap DEc entre les bandes de p-

GaAs et p-AlGaAs. Les couches d’AlGaAs à grand gap sont appelées
« couches de confinement ».
En polarisation directe, des électrons de BC de n+-AlGaAs sont

injectés dans p-GaAs. Ces électrons sont confinés dans BC de p-GaAs
à cause du DEc entre les 2 couches p.
Les recombinaisons dans p-GaAs produisent une émission spontanée

de photons. Puisque le gap Eg de l’AlGaAs est plus grand que l’énergie
des photons, ceux-ci ne sont pas absorbés et sortent par la surface de
n+-AlGaAs. Ils sont également réfléchis à l’interface p-AlGaAs/air.

Matériaux des DEL
Figure 6: le spectre couvert par les différents matériaux des LED à partir du visible jusqu’à
l’infrarouge en incluant les longueurs d’ondes utilisés dans les communications optiques.

Efficacité externe
L’efficacité externe externe d’une DEL quantifie l’efficacité de conversion de l’énergie
électrique en énergie optique émise. Cela comprend l’efficacité interne du processus de
recombinaisons radiatives et l’efficacité de l’extraction de photons du composant.
La puissance eléctrique fournie à une DEL est le produit tension-courant de la diode (VI). Si
Psortie est la puissance optique émise par la DEL, alors
Psortie Efficacité externe

 externe   100%
VI
Les semi-conducteurs à gap indirect ont une externe faible (<1%).

Les semi-conducteurs à gap direct peuvent avoir des externe très élevées.

Caractéristiques
D = Gap direct, I = Gap indirect, DH = Double hétérostructure

Spectre d’émission
3k BT
h p  E g  k B T    FWHM   p2
hc
Figure 7: (a) diagramme d’énergie avec trois possible chemin de recombinaison. (b)
distribution de l’énergie des électrons dans la BC et des trous dans la BV. La plus grande
concentration se trouve à kBT/2 au dessus de Eg. (c) intensité lumineuse relative en fonction de
l’énergie des photons. (d) l’intensité relative en fonction de la longueur d’onde dans le spectre
de sortie.
Longueur d’onde d’émission principale: Longueur
d’onde p à laquelle le spectre d’émission de la source
atteint son maximum.
h p  E g  k B T
Largeur spectrale: Différence en longueur d’onde 
entre les points où l’émission atteint la moitié de sa valeur

à p. On utilise souvent l’acronyme FWHM de l’anglais ‘‘
Full Width Half Maximum ’’
En général, la raie d’une DEL est de nature lorentzienne

puisqu’il s’agit d’émission incohérente.
3k B T Approximation de la
   FWHM   2
p largeur spectrale
hc d’une DEL

Parmi les facteurs influençant le spectre d’émission d’une DEL, on peut citer :
• la concentration des porteurs: le spectre et l’efficacité externe varient en fonction du
dopage de la région active. En général, un haut taux de dopage réduit l’efficacité externe
tout en augmentant la largeur spectrale.
• la bande interdite: si on change la bande interdite afin d’accroître la longueur d’onde

de l’émission en modifiant la composition de la région active, on accroît aussi sa largeur
spectrale.
Matériau Eg (eV) p (nm)  (nm)

GaAsP ~ 1.89 ~ 655 ~ 24
AlGaAs ~ 1.46 ~ 850 ~ 45
InGaAs ~ 1.18 ~ 1050 ~ 75
InGaAsP ~ 0.95 ~ 1300 ~ 100
Diagramme de rayonnement
Les DEL sont caractérisées par un diagramme de rayonnement lambertien (m=1) ou quasi
lambertien (m>1) défini par:
Profil de rayonnement des
I ( )  I o cos m  DEL
où I() est l’intensité radiative en fonction de l’angle d’émission , Io est l’intensité selon la
normale et 0 ≤  ≤ p /2. m=1 m=4
Émission: ± 90o Émission: ± 45o
Plus l’exposant m est élevé, plus
l’émission est étroite.
L’angle pour laquelle l’intensité chute

de moitié est égal à

1/ 2  arccos m 0.5 
Émission de surface
La figure de rayonnement d’une DEL à émission de surface est caractérisée par une émission de
grand angle.
Assemblage de type Burrus à puits
Assemblage de type Burrus à microlentille

Émission latérale
Les émetteurs latéraux sont caractérisés par deux angles
d’émission, perpendiculaire ┴ et parallèle ║ au plan de la
jonction.
Dans la direction parallèle au plan de la jonction, le rayonnement
est approximativement lambertien (100o < ║ < 120o). Dans la

direction perpendiculaire, l’angle ┴ dépend fortement de
l’épaisseur d de la région active.
Couplage dans une fibre optique multimode
Dispersion angulaire du faisceau de sortie

Couplage dans une fibre optique monomode
Chapitre 4: Les Lasers à semi-conducteurs
Un laser à semi-conducteurs (LSC) est:
• Une jonction p-n
• Fabriqué typiquement à partir d’un semi-conducteur à gap direct
• L’émission est produite par recombinaison stimulée
4. Les Lasers à semi-conducteurs
• L’amplification se fait dans une cavité résonante

• La structure confine les porteurs
o Accroissement du rendement
o Effet de guidage optique
• Applications principales:
o Communications,
o Tests et mesures,
o Bio-photonique,
o…

Les Lasers à semi-conducteurs
Le laser à semi-conducteurs a été inventé vers 1961. Ce type de laser a été le premier fabriqué
en production de masse. Le LSC a les particularités suivantes:
• Petite taille (typ.: 300 x 10 x 50 m). Il peut donc être incorporé à l’intérieur d’autres instruments.
• On peut le pomper directement par un courant électrique (<50 mA @ 2V). On peut donc le faire
fonctionner à l’aide d’un transistor.
• Bon rendement de conversion électrique/optique (typ.: 20%).

• Il peut être modulé à très haute fréquence (> 10 GHz) ce qui assure un haut débit de transmission
pour les communications par fibres optiques.
• Il peut être intégré monolithiquement sur un même substrat avec d’autres dispositifs pour former
des circuits optoélectroniques.
• Fabriqué à partir des techniques développées pour les circuits intégrés à semi-conducteurs.
• Il s’adapte très bien aux propriétés du verre des fibres optiques du point de vue de l’atténuation
ou de la dispersion.

Les Lasers à semi-conducteurs
• Opération quasi-continue ou continue à température ambiante ou supérieure.
• Durée de vie de plus de 20 ans avec dégradation minime et faible probabilité de panne.
• Courant d’opération faible (sinon le coût d’opération devient trop élevé en raison de la
consommation de puissance).
• Linéarité de l’émission de la lumière avec le courant de polarisation en haut du seuil. Cette

exigence est moins importante en modulation numérique.
• Émission de faible divergence pour assurer un bon couplage avec la fibre optique.
• Stabilité de l’émission lumineuse à court et à long terme.
• Luminance élevée.
• Largeur spectrale étroite pour limiter la dispersion chromatique.

Revue sur le Laser
LASER est l’acronyme de Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation.
pompage
miroir
Milieu
amplificateur
Faisceau
de sortie
Cavité
Un laser comprend:
1. Un milieu de gain
2. Un processus de pompage (induisant à une inversion de population)
3. Une cavité résonante pour faire croître l’intensité
L’émission laser est cohérente et bien définie en longueur d’onde.

C’est ce qui la différencie de l’émission aléatoire de photons de différentes longueurs d’onde,
par exemple, d’une lampe incandescente ou d’une DEL.
Processus optiques
Un électron dans un atome peut être excité d’un niveau d’énergie E1 à un
niveau d’énergie plus élevée E2 par l’absorption d’un photon d’énergie h
= E2-E1.
En émission spontanée, l’électron tombe d’un niveau d’énergie E2 vers E1

en émettant un photon d’énergie h = E2-E1 de direction et de phase
aléatoire.
En émission stimulée, un photon incident d’énergie h = E2-E1 stimule le

processus d’émission en incitant un électron à E2 à tomber vers E1. Le
photon émis est en phase avec le photon incident et possède la même
direction, la même polarisation et la même énergie.

Taux d’absorption
Dans un laser, l’efficacité de l’émission stimulée doit être plus élevée que celles de l’émission
spontanée et de l’absorption.
Considérons un milieu où N1 est la concentration d’atomes d’énergie E1 et N2 est la
concentration d’atomes d’énergie E2.
Le taux de transitions vers le haut (E1 vers E2) par absorption de photons d’énergie h = E2-E1
est égal à
R12  B12 N1  (h )

où B12 est une constante de proportionnalité appelée ‘‘coefficient d’Einstein d’absorption’’ et 
(h) est la densité de photons d’énergie h.

Taux d’émission
Le taux de transitions vers le bas (E2 vers E1) comprend les émissions spontanée et stimulée:
R21  A21 N 2  B21 N 2  (h )

où le premier terme est l’émission spontanée qui dépend seulement de la concentration N2 et le
deuxième terme est l’émission stimulée qui requiert des photons pour l’initier. A21 et B12 sont des
constantes de proportionnalité appelées respectivement ‘‘coefficients d’Einstein d’émission
spontanée et d’émission stimulée’’. On a que
A21  1  sp
où sp est le temps moyen d’une transition radiative spontanée.

Taux d’émission stimulée
Les conditions d'équilibre entre l'atome et le rayonnement
B12  B21
A21 / B21  8ph 3 / c 3
Exprimons maintenant le rapport de l’émission stimulée sur l’émission spontanée
R21 ( stim) c3
  (h )
R21 ( spon) 8ph 3
On en conclut que pour que l’émission stimulée surpasse largement l’émission spontanée, il doit y
avoir une grande concentration de photons. Cela est possible avec une cavité optique pour
contenir les photons.
Le rapport de l’émission stimulée sur l’absorption est quant à lui:
R21 ( stim) N
 2
R12 (absorp ) N1
On en conclut que pour que l’émission stimulée surpasse largement l’absorption, il doit y avoir
inversion de population. Cela est obtenu par pompage par une source externe.
Coefficient de gain
Le coefficient de gain g décrit l’accroissement de la puissance P de la radiation laser par unité
de distance x dans la cavité:
dP dN ph ng dN ph
g  
Pdx N phdx cN ph dt
où Nph est la concentration de photons cohérents d’énergie h et ng est l’indice de réfraction de

groupe du milieu.

Coefficient de gain
La différence entre les taux d’émission stimulée et d’absorption donne la variation nette de la
concentration de photons cohérents:
dN ph
  N 2  N1 B21  (h )
dt
Étant intéressé par l’amplification de l’onde cohérente traversant le milieu dans la direction x, on
peut négliger l’émission spontanée où les photons sont émis dans des directions aléatoires et ne
contribuent pas en moyenne à l’onde directionnelle d’intérêt.
Il y a gain lorsque chaque photon incident a une probabilité importante de générer d’autre
photons par émission stimulée.

Coefficient de gain
En pratique, l’émission et l’absorption se font sur une certaine bande d’énergie ou de fréquence
 . Cela est causé par le fait que les niveaux E1 et E2 possèdent eux-mêmes une certaine
largeur. Il y aura donc une distribution du gain g=g() sur le spectre d’émission.
Exprimons maintenant (h) en fonction de Nph. Notons que (h) représente la densité
d’énergie radiative par unité de fréquence. À ho, on a que
N ph h o
 ( h o ) 

Par substitutions dans les équations précédentes, on trouve le coefficient de gain à la
fréquence centrale:
B21ng h o
g ( o )  N 2  N1  Coefficient de
c gain optique

Gain seuil
Un laser opère en régime stationnaire pour maintenir un niveau de puissance stable à sa sortie.
Cela implique que dans la cavité optique résonante les oscillations électromagnétiques ne
croissent pas et ne meurent pas. La puissance initiale Pi et la puissance finale Pf après un aller-
retour doivent être les mêmes. Le gain optique net aller-retour Gop est alors
Gop  Pf / Pi  1

Gain seuil
Origines des pertes
• Transmission à travers les miroirs (de réflectivité R1 et R2) de la cavité
• Diffusion par les défauts et les inhomogénéités
• Absorption par les impuretés et les porteurs de charges libres
Ces pertes doivent être compensées par un gain en émissions stimulées pour maintenir le
régime stationnaire.
Les pertes réduisent la puissance en exp(-g x) où g est le coefficient d’atténuation du milieu.
La puissance Pf de la radiation après un aller-retour de longueur 2L dans la cavité est alors
Pf  Pi R1R2 expg (2 L)exp g (2 L)

Gain seuil
Condition du régime stationnaire => Gain = Pertes
La valeur du coefficient de gain g pour lequel Pf /Pi=1 est le gain seuil:
1  1 
g seuil  g  ln  Gain optique seuil

2 L  R1R2 
gseuil doit être maintenu par pompage pour que N2 soit suffisamment plus grand que N1. Cela
correspond à l’inversion de population seuil:
c
N 2  N1 seuil  g seuil Inversion de
B21ng h o population seuil
Initialement g > gseuil pour permettre aux oscillations de se construire jusqu’au point où le
régime stationnaire est établi et que g=gseuil.

Gain seuil
Figure 5: L'évolution de la différence de population (N2-N1) et de la puissance

cohérente en fonction du taux de pompage.

Condition de phase
Pour que des ondes stationnaires puissent se construire à l’intérieur de la cavité laser, le
déphasage faller-retour lors d’un aller-retour doit respecter la condition suivante:
 f aller  retour  m ( 2p ) ( m  1, 2, ... )

Facteurs déterminant faller-retour:

• Longueur L de la cavité
• Variation de l’indice de réfraction n avec le pompage (particulièrement dans les semi-
conducteurs)
• Déphasages introduits par les miroirs
Pour la suite nous considérerons que n est constant et nous négligerons les déphasages aux
miroirs.

Modes longitudinaux
Seules les ondes dont le nombre d’onde km (k=2p/), satisfait à la condition de phase pourront
exister à l’intérieur de la cavité
 m  Condition de
ng k m (2 L)  m(2p )  m L
 2n  modes
 g 

Modes longitudinaux
Seuls les modes se trouvant dans la courbe de gain du laser (ou dans le spectre d’émission
spontanée) pourront être soutenus.
La largeur de la courbe de gain devra donc être réduite si l’on désire limiter le nombre de
modes.
La séparation dm entre 2 modes consécutifs (m et m+1) est:
2nL 2nL 2nL

dm  m  m 1    2 (si m est grand)
m m 1 m
2o
 dm  Séparation entre
2nL les modes
où o est la longueur d’onde centrale.

Principe de la diode laser
Figure 7: Le diagramme de bande d’énergie pour une jonction pn dopée dégénérée (a) non polarisé,
(b) polarisé en directe pour assurer une inversion de la population et ainsi augmenter l’émission
stimulée.

Pompage par injection
L’inversion de population entre les énergies près de Ec et celles près de Ev est obtenue par
l’injection de porteurs à travers la jonction sous une forte tension de polarisation directe.
Mécanisme de pompage ≡ Courant direct de la diode

Énergie de pompage ≡ Source de tension externe
Ce processus est appelé ‘‘pompage par injection’’.

Structure des diodes laser
Un grand nombre de structures de lasers à semi-conducteurs ont été développées pour
améliorer les performances du point de vue de certains paramètres:
• Meilleur confinement des porteurs,

• Meilleur confinement de la lumière,
• Épuration du spectre,
• Stabilisation du dispositif,
• Accroissement de la linéarité,
• Accroissement de la puissance,
• Meilleur temps de réponse,
• etc,

Structure des diodes laser
La voie préférée pour atteindre des performances supérieures est celle du meilleur confinement des
porteurs et de la lumière dans un même volume à cause de l’interaction mutuelle des porteurs et
du champ optique.
Les propriétés de la cavité sont fortement influencées par la géométrie de la cavité selon les trois
axes de l’espace:
• Transverse (y): Défini le guide optique dans le plan
perpendiculaire à la région active (milieu
amplificateur).
• Latéral (x): Défini le guide optique dans le plan
parallèle à la région active.
• Longitudinal (z): Parallèle à la direction d’émission
du laser, il est lié à la cavité résonante nécessaire à la
rétroaction et détermine la dépendance spectrale de
Le confinement se manifeste par des l’émission.
caractéristiques modales
Diode laser à homojonction
Homojonction:
Même semi-conducteur à gap direct dans toute la
structure.
Cavité optique:
Formée par les surfaces réfléchissantes clivées et
polies du cristal (typiquement 32% de réflexion pour la

surface d’émission).
Longueur d’onde de la radiation:
Déterminée par la longueur L de la cavité à travers la
condition m(/2ng)=L.
Spectre d’émission:
Dépend de la distribution d’énergie des électrons et des
trous dans BV et BC autour de la jonction. Cela
détermine les caractéristiques de la courbe de gain en
fonction de la longueur d’onde.
Puissance vs. Courant et Spectre
d’émission
La radiation laser apparaît lorsque le gain optique du milieu devient égal aux pertes de photons
de la cavité. Cela se produit lorsque le courant dans la diode atteint une valeur seuil Iseuil.
• I < Iseuil : Émission spontanée, le composant se comporte comme une DEL.
• I ≥ Iseuil : Émission stimulée, la radiation émise est cohérente.

Diode laser à hétérojonction
• Deux jonctions entre deux semi-conducteurs de
gaps différents
• Matériau à gap plus élevé confine les porteurs au
centre
• Matériau à gap plus élevé a un indice de

réfraction inférieur et confine mieux la lumière
transversalement
• Abaisse le courant seuil nécessaire pour produire
l’inversion de population et le gain de 2 ordres de
grandeur par rapport à l’homojonction
• La plus employée de nos jours dans les lasers
conventionnels

Structure ruban: Guidage par le gain
• Une électrode de contact en forme de ruban de quelques microns de large est définie au centre
du dispositif sur toute sa longueur. La région activée sera de dimensions similaires.
• Permet de réduire le courant d’injection total en maintenant une grande densité de courant
localement

Structure ruban: Guidage par le gain
• Dans la structure précédente, l’émission stimulée sera produite de façon préférentielle sous le
ruban.
• Il n’y a pas de confinement latéral proprement dit mais sur les côtés, le courant n’étant pas
suffisant, il n’y aura pas d’émission.
• Il y a donc guidage par le gain le long du ruban.

• L’absence de confinement latéral est responsable d’une certaine non-linéarité de la puissance
laser en fonction du courant d’injection. Cela est dû à l’apparition de modes latéraux d’ordre
supérieur.
• Courant seuil ≈ 100 mA

Hétérostructure enterrée: Guidage d’indice
fort
Pour améliorer la linéarité de l’émission laser, on a recours au confinement latéral, en
définissant un guide optique étroit (1-1.5 m de largeur) dans la région active.
La différence d’indice de réfraction entre la région active et les régions adjacentes confine la
lumière.
Le guidage est du type ‘‘guidage d’indice fort ’’

La région active est bien définie et effectivement enterrée dans un matériau à gap plus grand
d’où le nom ‘‘hétérostructure enterrée’’.

Hétérostructure enterrée: Guidage d’indice
fort
• Courant seuil très bas (10-30 mA)
• Puissance appréciable (20-100 mW)
• Bonne stabilité
• Exigent un contrôle raffiné du procédé de
fabrication
• La divergence du faisceau est relativement grande
(15o x 30o) à cause des dimensions réduites de la
cavité.
• Le couplage avec une fibre est délicat et nécessite
une lentille pour atteindre un couplage de 25% à
50%.

Caractéristiques d’une diode laser
• La longueur L détermine la séparation des modes longitudinaux

• La largeur W et l’épaisseur d détermine les modes transverses
• Si les dimensions transverses sont assez petites, seul le mode TEM00 sera émis. Ce mode
sera composé de modes longitudinaux.
• La divergence du faisceau est limitée par la diffraction de la plus petite dimension de sortie
(d).

• La puissance relative des modes présents dans le
spectre de sortie dépend de la courbe de gain du
milieu actif
• Le laser peut être monomode ou multimode

dépendamment de la structure du résonateur et du

courant d’injection.

Le courant seuil nécessaire augmente avec la
température selon
I seuil  I o expT j To 
où Tj est la température de la jonction et Io, To

sont des paramètres du laser.
La plupart des LSC commerciaux sont vendus

avec un système de refroidissement à effet
Peltier.

L’augmentation de la température déplace la longueur d’onde d’émission vers des valeurs plus
longues.
•LSC monomode: Saut de mode
 À la nouvelle température, un autre mode satisfait la condition d’oscillation
de la cavité (n↑ → (n)↓)
•LSC multimode: Variation continue

 Suit l’énergie du gap qui s’abaisse avec la température

Le rendement  détermine l’accroissement de la puissance optique cohérente de sortie
relativement à l’accroissement du courant dans la diode au-dessus du seuil.
Po
 (W/A)
I  I seuil
Valeur commerciale typique:  ≈ 1 W/A

Facteur de confinement
• Dans un LSC à hétérojonction, l’indice de réfraction de la région active est plus élevé que
celui des couches de confinement afin de réaliser un guide d’onde.
• Le mode guidé et amplifié déborde de la région active sous forme d’un champ évanescent.
• La partie du mode dans la région active voit un milieu amplificateur alors que l’onde
évanescente voit un milieu absorbant.
• Un facteur de confinement G est introduit afin d’attribuer une pondération au gain et aux
pertes selon la fraction du champ présente dans les différentes couches.

Pour une région active symétrique d’épaisseur d, le facteur de confinement est donné par
d /2

2
E x dy
Facteur de
G d / 2
 confinement

2
E x dy

où Ex est la distribution transverse du champ électrique.

Pour le mode fondamental transverse (TE0), G est
approximé par
V2
G
(2  V 2 )
avec
2pd
V n12  n 22

où V est la fréquence normalisée,  est la longueur
d’onde laser, et n1 et n2 sont respectivement les indices
de réfraction de la couche active et des couches de
confinement.

Encapsulage
• L’encapsulage des LSC est indispensable lorsque ces composants sont utilisés
dans des appareils ou des systèmes.
• L’encapsulage influence grandement les performances et la fiabilité du composant,

ex.:
- Le couplage optique entre le « chip » laser et la fibre optique

déterminera les pertes du module.
- La soudure entre le « chip » laser et l’élément refroidisseur
déterminera l’efficacité du contrôle en température.
• Après encapsulage, des entrées et sorties optiques et électriques deviennent

facilement accessibles.

Type rectangulaire
Type coaxial

Rétroaction distribuée
 DBR: réflecteur distribué à  DFB: réflecteur distribué sur le milieu

l’extérieur de la zone de gain de gain (Distributed Feedback)
(Distributed Bragg Refelctor)

Modulation Principles
 Direct (courant du laser)
 Peu coûteux
DC
 Peut provoquer un chirp jusqu’à
1 nm (variation de longueur d'onde RF
causée par la variation des densités
d'électrons dans la zone laser)
 Externe
 2,5 à 40 Go/s
 Les bandes latérales AM (causées DC
MOD
par le spectre de modulation)
dominent la largeur de raie du
signal optique RF
Mourad Menif
Page 126
Point d’opération du Laser
Modulation directe
Po
 (W/A)
I  I seuil
Valeur commerciale typique:  ≈ 1 W/A
External Modulators
Mach-Zehnder Principle DFB laser with external on-
chip modulator
Laser
section
Modulation
section
Mourad Menif
Page 128
Les formats de transmission
Im OOK/DD Im DBPSK Im DP-QPSK Im 4C-DP- and/or Im DP-16QAM
Im 4C-DP-
QPSK
Im 4C-DP-
QPSK
Im 4C-DP-
Re QPSK
Re QPSK
Re Re Re Re Re
2.1. Les réseaux de transport optique
Re
10G 40G 100G 400G … 1T

Intensity Phase Phase QPSK, QAM, QPR
Modulation Modulation Modulation Single / Dual / Multi Carrier
Direct Self-coherent
Detection Detection Digital coherent Intradyne Detection
Single Polarization Dual Polarization
Optical Dispersion ADC, DSP, ADC, DSP,

TRX-DSP
Compensation 30 GBd, 40 nm 60 GBd, 28 nm
Mourad Menif
Page 129

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Partie 3:

• Principes physiques et processus optiques dans les semi-conducteurs

À la fin de ce cours, vous devrez être en mesure:

• de comprendre les principes physiques fondamentaux des composants optoélectroniques;

• d’appliquer les notions acquises à des problèmes concrets, d’analyse ou de conception,

Mourad Menif Page 23

L’optoélectronique englobe la théorie, la conception, la fabrication et l’opération de

Mourad Menif Page 24

Mourad Menif Page 25

Facteurs affectant la conductivité d’un semi-conducteur:

• Tension électrique appliquée. Zinc Gallium Germanium Arsenic Sélénium

Les principaux éléments entrant dans la fabrication des

Quelques composants semi-conducteurs.

Mourad Menif Page 27

Mourad Menif Page 28

Figure 5: Diagramme des bandes d’énergie. Table 3 : Valeur de l’énergie de la bande

Mourad Menif Page 29

Atome seul Ensemble d’atomes

 Semi-conducteur de type n : La concentration d’électrons est

Mourad Menif Page 31

Dépendance du niveau de Fermi selon le dopage

Mourad Menif Page 33

Mourad Menif Page 34

Jonction polarisée en Vinv

Mourad Menif Page 36

indice de réfraction plus bas de chaque côté de la couche active.

Mourad Menif Page 37

Mourad Menif Page 38

1. Absorption de photons par le matériau et génération

champ électrique interne suffisant.

Mourad Menif Page 39

Courbe de sensibilité de trois semi-conducteurs en

# de paires électron - trou générées et collectées

où Iph est le photo-courant dans le circuit et Po est la puissance optique incidente.

Mourad Menif Page 42

1.24 D = Gap direct, I = Gap indirect

Mourad Menif Page 43

Le coefficient d’absorption est une propriété du matériau:

Mourad Menif Page 44

Coefficient d’absorption dans

La puissance transmise pour un semi- In0.53Ga0.47As

La puissance absorbée par le semi- 1 104

Mourad Menif Page 45

-60 -50 -40 -30 -20 -0.5

paires électron-trou dans la zone de charge d’espace, Photocourant

jonction. C’est le cas des cellules solaires. Mode photoconducteur Mode

• mode photoconducteur : qui correspond à une

Densité de charge dans la

Champ électrique dans la

Mourad Menif Page 48

la longueur d’onde d’intérêt pour absorber un maximum de photons.

Mourad Menif Page 49

E  E o  Vinv W  Vinv W (Vinv  Vo ).

• Le temps de diffusion des porteurs générés hors de la région de déplétion: tdiff

Mourad Menif Page 51

On peut également augmenter vd en augmentant le

Mourad Menif Page 53

Un bon compromis est typiquement: 1/s < W < 2/s.

Mourad Menif Page 54

•Des photons sont absorbés près de la surface (couche mince p+):

Mourad Menif Page 55

• Elles fonctionnent sous polarisation inverse élevée.

• Elles sont surtout utilisées en communications optiques.

• Avantages (par rapport aux photodiodes pin):