EMINES- PE-2023/2024 Fiche de Réalisation

Date : 25/01/24 Expérience N°2 : circuit préamplificateur Groupe :

1. Titre de l’expérience :
La régulation du gain à travers une tension appliquée.

2. Objectif de l’expérience
L'expérience vise à automatiser la variation du volume du haut-parleur (modélisé par une tension)
en régulant le gain d'un amplificateur grâce à une tension appliquée, à l’aide d’un circuit
préamplificateur.
3. Liste du matériel
⮚ Un GBF
⮚ Oscilloscope
⮚ Générateur de tension(-15V,+15V)
⮚ Des résistances (R1=220ohm,R2=1K,R3=100K)
⮚ Un amplificateur opérationnel
⮚ Transistor à effet du champ
⮚ Une plaque d’essai

4. Système/phénomène étudié
Dans cette expérience notre système étudié est un préamplificateur utilisé pour amplifier le
signal provenant de la source du son (un microphone par exemple), il permet d’augmenter
l’amplitude du volume avant qu’il n’atteigne notre amplificateur de puissance.
5. Schéma/photo de l’expérience :

Figure 1: schéma électrique du circuit préamplificateur

Figure 2: montage électrique du circuit préamplificateur

 EMINES- PE-2023/2024 Fiche de Réalisation

6. Etapes de l’expérience

⮚ A l’aide d’une plaque d’essai, on branche à l’aide d’un GBF la tension d’entrée de notre système
(une tension sinusoïdale)
⮚ Nous avons relié la résistance R1=220ohm avec un transistor à effet de champs qui fonctionne
comme un conducteur ohmique que nous allons par la suite le caractériser.
⮚ On branche les deux résistances avec un amplificateur opérationnel
⮚ On relie la base du transistor avec une tension continue
⮚ A l’aide d’un oscilloscope on visualise la sortie et l’entrée de notre système.
⮚ On varie l’amplitude d’entrée afin de déterminer la gamme de fonctionnement de notre système.

Expérience auxiliaire :

Pour des faibles tensions, les transistors à effet de champs se comportent comme un conducteur
ohmique, c’est pourquoi nous avons opté pour la caractérisation de ce composant afin de déterminer
la gamme où ce transistor fonctionne comme un conducteur ohmique.

Voilà les étapes de réalisation :

❖ On a connecté le drain et la source du transistor à un multimètre en mode ohmmètre.
❖ On applique une tension variable à la grille du transistor.
❖ On mesure la résistance entre le drain et la source pour chaque valeur de tension de grille
❖ On trace une courbe de la résistance drain-source en fonction de la tension de grille
❖ La zone où la résistance drain-source varie linéairement avec la tension de grille est la zone
ohmique
 EMINES- PE-2023/2024 Fiche de Réalisation

7. Résultats et Traitement

Figure 4: tension de sortie et tension d'entrée du

circuit préamplificateur avec une tension Vgs = 1V
Figure 3: tension de sortie et tension d'entrée après
l'amplification
Tension Resistance
10 225
50 225
100 225.06
150 225.16
200 225.75
250 225.96
300 226.28
400 227.06
500 228.15
600 228.75
700 230.4
800 232.34
Figure 5: tension de sortie et tension d'entrée du
circuit préamplificateur avec une tension Vgs = -2V 900 234.61
1000 237.37
1200 244
1400 249.34
1500 249.71
1700 262
1900 309.15
2000 403.65
2040 489
2047 498
Figure 6: Tableau de valeurs de la résistance du transistor en
fonction la tension Vgs
 EMINES- PE-2023/2024 Fiche de Réalisation

Figure 7: la résistance du transistor en fonction la tension Vgs

8. Conclusion
- Le dispositif a fonctionné, en faisant varier la tension Vgs entre 1V et -2V l’amplitude du signale
issue du haut-parleur varie, en d’autres termes le volume varie.

𝑅
- Théoriquement 𝑉𝑠 = −𝑈𝑒 × 𝑅 𝑅𝑇𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟
+𝑅
× 𝑅5, en pratique elle peut être assimiler à une
𝑇𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 1 2
fonction linéaire dépendante de 𝑅𝑇𝑟𝑎𝑛𝑠𝑖𝑠𝑡𝑜𝑟 .

- Nous avons réussi à commander le gain d’un amplificateur à l’aide d’une tension, il ne reste plus
qu’à remplacer la tension contrôlée par un générateur, par celle en sortie du régulateur PID pour
automatiser la modification du gain.