Composants de l’électronique

TP sur la régulation de température

Thibault GERARD et Théo BONY

Etudiants de 1ère année en Electronique
et Systèmes Robotisés
2023/2024

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L'objectif de ce TP est de découvrir la conception et la mise en œuvre d'un système de
régulation de chauffage complet, en partant du capteur de température jusqu'à l'actionneur.
Ce TP nous donne l’opportunité d’étudier et d’améliorer notre compréhension des différents
composants électroniques utilisés. Nous avons séparé ce projet en 3 grandes parties afin de
rendre sa conception plus accessible et simple. La première partie traite de l’étude d’une
résistance chauffante et d’un transistor MOS, la seconde nous fait découvrir le capteur de
température et son utilisation, finalement la dernière partie on voit la création du
comparateur et l’espace de commande pour gérer la température.
(Mettre le schéma fait par le prof, je vais le faire plus tard)

Dans cette première partie, nous avons dû avant de commencer la conception du montage,
vérifier et comprendre le fonctionnement du transistor MOS. Le transistor que nous avons
utilisé est le transistor : IRLD120.

Comme tous les transistor MOS, il est utilisé pour commuter des signaux électriques. Elle est
composée de 4 broches : la Source (S), le Drain (D), la Grille (G) et enfin le Substrat (SUB).
Lorsque la tension de grille est suffisamment élevée, elle permet le passage des électrons,
créant ainsi un courant entre la source et le drain. Lorsque la tension de porte est réduite, le
courant cesse de circuler.

Tout cela fait du transistor l’élément parfait pour devenir notre interrupteur commandé.

Nous avons identifié les principales caractéristiques du transistor MOS qui seront
intéressantes pour son utilisation. Voici quelques informations importantes que nous avons
trouvé dans la datasheet :

 Tension de seuil (Threshold Voltage) : La tension nécessaire pour activer le transistor.

 Résistance à l'état passant (RDS(on)) : La résistance lorsque le transistor est
complètement activé.
 Courant de grille (Gate Current) : Le courant nécessaire pour activer la grille du
transistor.
 Courant de drain (Drain Current) : Le courant qui circule du drain (source
d'alimentation) vers la source.

Nous avons donc réalisé quelques montages simples pour mettre en évidence les différentes
caractéristiques réelles du composant.
(Mettre les différentes mesures que l’on a fait, je n’ai pas pris en photo tes notes)
Le dimensionnement a été une étape indispensable dans la conception de notre système de
régulation de température. Il nous a permis de déterminer les valeurs des composants pour
garantir que le circuit fonctionne de manière fiable et efficace. Voici la manière que nous
avons utilisé pour dimensionner notre montage de commande du courant dans la résistance
de puissance en tout-ou-rien.

(Surement ajouter certains éléments sur la puissance et ce que nous avons fait )

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Pour déterminer la puissance dissipée à travers le transistor, nous avons utilisé la loi d'Ohm
(P = I^2 * R) en tenant compte du courant maximal.

Nous avons envisagé d’intégrer des dispositifs de protection thermique si le courant était
trop élevé, tels que des dissipateurs thermiques. Mais comme nous avons mis en place une
limitation du courant sur le générateur de tension en réglant la valeur directement sur
l’appareil, nous n’en avons pas eu besoin.

(Mettre les valeurs du courant, de la tension et des puissance dissipé)

Le dimensionnement a été essentiel pour garantir que notre système de régulation de

température fonctionne de manière stable et sûre, en évitant la surchauffe des composants
et en répondant aux spécifications qui nous ont été demandés.

Cette étape nous a aidé à comprendre comment utiliser le transistor MOS IRLD120 pour
contrôler le courant dans la résistance de puissance en tout-ou-rien. Cela nous a permis de
correctement confectionner notre circuit de régulation de température pour la partie
puissance du système.