Chapitre I: Interaction lumière-semi-conducteur

I Introduction : L’optoélectronique est un agencement de la science de l’optique et de la

technologie de l’électronique. Autrement dit : elle engendre les phénomènes optiques au moyen
de composants à semiconducteur (SC).

I.1 Description de la lumière :

Il existe deux théories différentes pour décrire la nature de la lumière :
a. La théorie corpusculaire qui maintient que la lumière est composée de particules d’énergie
appelées photos (quantas).
b. La théorie ondulatoire soutient que la lumière consiste en de l’énergie qui se propage sous
forme d’ondes EM.

1..11 Photon – Onde électromagnétique

Un photon est un grain d’énergie sans masse. Il se propage à la vitesse de 3. 108 m/s environ dans le
vide en vibrant à une fréquence f (aussi notée ), formant ainsi dans l’espace une onde

électromagnétique. Un photon transporte l’énergie Eph = h avec h ≈ 6,62·10−34 Js

(Constante de Planck).
La puissance rayonnante d’un faisceau lumineux monochromatique (une seule fréquence ʋ)
comprenant Np photons par seconde est : P = Nph E Unités : W= s−1J
La vitesse (ou célérité) des photons dépend du milieu traversé. En conséquence, la longueur d’onde
aussi. Dans le vide, comme dans l’air, C ≈ 3·108 m/s.

λ =C/ Unités: m=ms-1/Hz=ms-1/s−1

La fréquence définit la couleur (pour le visible) de l’onde électromagnétique. Bien que la longueur
d’onde dépende du milieu traversé, on la préfère généralement à la fréquence.

L’énergie E/M et la quantité du mouvement sont liées par la relation suivante :

P=E/c
mais puisque E est l’énergie du photon Eph = hʋ donc : P = h/λ

1.2 Grandeurs et unités optiques

Il existe deux systèmes d’unités optiques (Tableau. I.1) : les unités énergétiques et les unités
lumineuses en référence à la perception visuelle humaine.

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Correspondance des grandeurs et unités

1 W = 683 lm, 1 W/m2 = 683 lx, 1 W/sr = 683 cd et 1 W/sr/m2 = 683 cd/m2.

I.3 différents type d’interactions lumière-matières

L'Optoélectronique est l'étude des composants qui interagissent avec de la lumière. Elle est
généralement considérée comme une sous branche de la photonique.
Suivant leur mode opératoire, on distingue deux types de composants optoélectroniques :
 Les photodétecteurs qui sont des composants qui convertissent le signal optique en un signal
électrique,
 Les photoémetteurs qui convertissent le signale électrique en un signal optique
Ces deux types de composants sont élaborés à partir de matériaux semi-conducteurs et leurs principes
de fonctionnement sont basés sur les interactions rayonnement- semi-conducteur.
Les trois processus d’interaction entre le rayonnement et le semi-conducteur d’énergie de gap Eg
(bande interdite) étant :
 L’absorption du photon par un électron de la bande de valence et son passage vers la bande de
conduction, entrainant l’apparition d’un trou dans la bande de valence (figure 1-a).
 L’émission spontanée d’un photon par retour de l’électron excité de la bande de conduction
vers la bande de valence et sa recombinaison avec le trou (figure 1-b), dans le cas où l’énergie
cédée par l’électron est de type radiatif.
 L’émission stimulée d’un photon avec retour de l’électron excité vers la bande de valence et sa
recombinaison avec un trou (figure 1-c). le photon émis est identique, en longueur d’onde et
en phase, au photon incident, il est dans le même état de polarisation. Ce dernier processus est
à la base de l’effet laser.

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Figure I.1 : Absorption (a), émission spontanée (b) et émission stimulée (c) d’un photon par un semi-
conducteur.
L’élément de base dans la fabrication de ces composants est le matériau semi-conducteur. Les semi-
conducteurs sont définis par leurs résistivités ρ, leurs concentrations intrinsèques ni et leurs énergies
de gap Eg.
La nature et l’énergie du gap Eg du semi-conducteur jouent un rôle déterminant dans le choix du
matériau à utiliser pour la fabrication du composant optoélectronique. Les semi-conducteurs employés
dans l’industrie des composants sont (voir figure 2) le silicium Si ou le germanium Ge (groupe IV),
des composés intermétalliques (groupe III-V) tels GaAs, AlAs, InSb, GaP et GaAlAs, ou des
composés (II-VI) tels ZnO, CdTe et ZnS.
L’énergie de gap des semi-conducteurs est comprise entre 0.5 et 4 eV, elle est surtout voisine de 1 eV.
Le tableau ci-dessous donne quelques exemples à 300 K.

Qu’il s’agisse d’absorption ou d’émission de radiation par un semi-conducteur (figure 2), le

photon d’énergie :
E = h. = hc/λ
Avec : h: constante de Planck = 4,136 10-15 eV.s
c: vitesse de la lumière dans le vide = 3 108 m/s

Figure I.2 : Absorption (a) et émission (b) de radiation par un semi-

conducteur

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doit assurer le passage de l’électron de la bande de valence à la bande de conduction (absorption) ou la

recombinaison de la paire électron-trou (émission). Dans les deux cas, son énergie doit être égale à Eg :
E = Ec- Ev = Eg
La relation entre la longueur d’onde du photon et l’énergie de gap du semi-conducteur est alors :
Eg (eV) .λ(μm) = 1.24

Exemple :
Dans le cas d’un cristal d’arséniure de gallium (GaAs), la bande interdite Eg est de 1,43 eV.
La longueur d’onde du photon d’énergie égale à Eg est alors :
, Soit environ 870 nm (proche Infrarouge).