Chapitre 2: métaux et alliage

1- Définitions
dans un matériau L‘échantillon considéré peut être monocristallin ou polycristallin. Il peut être
constitue d’un élément pur ou d’un alliage.

a- monocristal
L‘échantillon monocristallin est constitue d’un seul cristal. Ce type d’échantillon est
généralement réservé a des utilisations bien spécifiques et souvent utilise en laboratoire. Dans
l’échantillon monocristallin, l’arrangement des atomes (des ions) est ordonné, la répartition
atomique présente une périodicité dans l’espace.

b- polycristal
L’échantillon polycristallin est formé d’un agrégat de cristallite ou grains, c'est-a-dire d’un
ensemble de monocristaux. C’est l’échantillon industriel, celui qui est utilise dans
pratiquement tous les domaines (figure 1). Dans le polycristal, les différents grains sont
délimites par :
• Des joints de grains, si les monocristaux voisins sont de même nature et de même structure
• Des joints de phases, si les grains voisins sont de nature ou/et de structure différente.
Dans chaque grain de l’échantillon polycristallin, on retrouve l'arrangement ordonné du
 Figure 1: les joints de grains

c- L'alliage
Industriellement, les métaux sont rarement utilises a l’état pur. L’addition d’autres
éléments, métalliques ou non, donne des alliages ; ces derniers possèdent des propriétés
plus performantes que la matrice a l’état pur. Ainsi, si nous considérons l'exemple le plus
courant est ce lui du fer:
*) Fe + C : alliage (acier ou fente) plus dur que le fer pur ;
*) Fe + Si : alliage plus magnétique que le fer pur;
*) Fe + Cr + Ni : alliage plus dur et plus résistant a la corrosion que le fer pur (aciers
inoxydables).
2- Structure
Les métaux cristallisent en générale dans les structures compactes: cubique à faces
centrées, cubique centré, hexagonal compact et, plus rarement le tétragonal centré.

2-1- structure à réseau cubique centré (cc)

La maille conventionnelle est un cube ; les ions métalliques sont situes sur les sommets et
au centre du cube (figure 2)

Figure 2 : Structure cubique centrée

- Il ya deux atomes par maille, le motif est : (0,0,0) et (1/2,1/2,1/2)
· La coordinance est Z = nombre de premiers voisins = 8 (on la détermine facilement, en
considérant les 8 sommets du cube par rapport a l’atome du centre).
-La compacité C avec

-Les plans les plus denses du CC sont les plans {110}

- Les directions les plus denses sont les directions <111>, la distance interatomique est égale a :

Exemples:
Fe(α), Cr, Mo, Ti, V, Nb, W
2-2- structure à réseau cubique à faces centrées (cfc)
La maille conventionnelle est un cube ; les atomes (ou ions) occupent les sommets et les
centres des faces ( figure 3)

Figure 3: Structure cubique à faces centrées

• Il ya 4 atomes par maille, avec le motif : (0,0,0), (1/2 ,1/2,0),(1/2,0,1/2) et (0,1/2,1/2)
• La coordinance est z = 12.
• La compacité est donnée par :

• Les plans les plus denses sont les plans (111).

• Les directions les plus denses sont les directions [110], avec une distance
interatomique de:

• Exemples:
Fe(γ), AI, Ni, Cu, Ag, Au, Pb, Pt.
2-3- structure à réseau hexagonal compact (hc)
La maille conventionnelle contient 2 atomes, c'est un prisme droit a base losange, avec les
caractéristiques suivantes (figure 4)

Figure 4 : Structure hexagonale compacte

• a = b ≠ c.
• α = β = 90° ; γ = 120°
• c/a = 1,63 pour une compacite parfaite.
• Le motif est: (0, 0, 0) et (1/3,2/3,1/2) ou (2/3,1/3,1/2).
On considère souvent la maille multiple, constituée par l’ensemble de 3 prismes, car elle
permet de mieux visualiser la symétrie hexagonale. La maille hexagonale, multiple de la
maille prismatique, contient 6 atomes : 2 atomes repartis sur les sommets (1/6 sur chaque
sommet), 1 atome sur les bases et 3 atomes a l’intérieur.
• Les plans les plus denses sont les plans {0001}, distants de c/2.
Les directions les plus denses sont les directions <1120>= < 1010>, la distance interatomique
est d = 2R = a.
• La coordinance Z est égale à 12, avec 6 premiers voisins dans le même plan (0001), 3 dans
le plan au-dessus et 3 dans le plan en-dessous.
•Exemples
Elément Ti Be Zr Mg Co Zn
C/a 1.57 1.58 1.59 1.62 1.62 1.86
2-4- Empilement ABABAB........., ABCABCA............:
Considérons la répartition bidimensionnelle d'atomes A reportée sur les figures 5 et 6. Elle
peut correspondre indifféremment a un plan (111) d’un CFC ou a un plan (0001) d’un HC.
Considérons alors les plans parallèles a ce premier plan, dans les deux structures.

Figure 5: Empilement hexagonal compact (ABABAB...)

 Figure 6: Empilement compact cubique à face centrées (ABCABCABC...)

La différence entre le réseau cubique a faces centrées et le réseau hexagonal compact apparait
avec la projection des atomes du troisième plan:
 Pour l'hexagonal compact, les atomes de cette troisième couche atomique se projettent sur
les positions A du premier plan, on parle d'empilement de type ABABAB…
 Dans le réseau c.f.c, les atomes du troisième plan se projettent sur les positions C, laissées
libres par les atomes des deux premiers plans; ce sont les atomes du quatrième plan qui vont se
situes sur les atomes du premier plan, on parle d’empilement ABCABCABC…
3- Les défauts de structure
On distingue 4 types de défauts dans une structure cristalline:
 Les défauts ponctuels : les atomes étrangers (on parle d’impuretés), les atomes de la
matrice en dehors de leurs sites, les lacunes.
 Les défauts monodimensionnels ou linéaires (dislocations).
 Les défauts bidimensionnels ou ‘’plans’’ : les joints de grains, les joints de phases, les
macles, les surfaces.
 Les défauts tridimensionnels: les précipites, les amas ou les ségrégations.
1- les défauts ponctuels
1.1. définitions
Ce sont des défauts sans dimension qui ont une taille de l'ordre de la distance
interatomique. Il existe trois types de défauts ponctuels : les lacunes, les interstitiels et les
atomes en substitution, comme cela est décrit sur la figure 7. La présence de défauts
ponctuels entraîne une distorsion locale du réseau cristallin et engendre un champ de
contrainte élastique dans un volume du cristal supérieur à celui du défaut lui-même.
Figure 7: Types de défauts ponctuels dans les cristaux : (a) lacune, (b) atome
étranger interstitiel, (b') auto-interstitiel et (c) atome étranger en substitution
1- L'atome en substitution:
c'est un atome étranger qui occupe un site du réseau.

2- L'atome en insertion ou interstitiel:

c'est un atome étranger qui se met sur une position en dehors des sites du réseau, il
occupe un site interstitiel.

3- La Lacune
c'est un site inoccupé du réseau, elle correspond à un vide dans la répartition atomique.
On utilise souvent le signe pour marquer sa position et L pour sa notation.

4- L'auto-interstitiel:
c'est un atome du réseau qui se trouve sur un site interstitiel.
On peut considérer également l'association de plusieurs défauts ponctuels:

5- Si deux lacunes voisines coexistent, elles forment une bilacune. Dans les cristaux
ioniques, on peut avoir le défaut de Schottky constitué par la combinaison d'une
lacune cationique et d'une lacune anionique (L- + L + ); le défaut de Schottky n'existe
pas dans les - structures métalliques.

6- La combinaison (lacune + auto-interstitiel) constitue la paire de Frenkel. C’est

lorsqu’un atome quitte sa position normale pour venir en position interstitielle.
1.2. Enthalpies de formation et de migration du défaut ponctuel
1. Enthalpies de formation
Chaque fois que l’on crée un défaut, on augmente l’enthalpie libre du cristal ( il
existe une énergie de formation du défaut ) d’une quantité ∆Gf . Suivant la relation
thermodynamique:

où ∆Hf et ∆Sf sont respectivement l'enthalpie et l'entropie de formation du défaut.

L'introduction de n défauts identiques augmente par ailleurs l'entropie de configuration
du système. On aura donc:
2. Enthalpies de migration
Pour déplacer un atome d’un site au site voisin, il faut que le site voisin soit libre, ce
qui implique le déplacement d'une lacune dans le sens inverse. L'enthalpie de
migration d'une lacune est donc équivalente à celle du déplacement d'un atome entre
deux sites du réseau.

Figure 8: Barrière énergétique

Pour que l'atome passe d'une position I à une position III (la lacune passant donc de III à I),
il doit transiter par la position II et traverser ainsi une "fenêtre atomique" . Dans la position
II, l'atome déplacé est comprimé (ou il doit repousser ses proches voisins), il se crée un état
de contraintes internes qui correspond à une barrière énergétique, Le passage (obligé) par la
position II implique un supplément d'énergie ∆E par rapport à la position stable, l'énergie
qui correspond à la position II est :

EII = El + ∆E = El + Em

Em est l'énergie de migration, c'est l'énergie nécessaire pour qu'un atome voisin de la lacune
saute dans la lacune: c'est l'énergie de col. Le phénomène étant activé thermiquement, on
parle plutôt d'énergie d'activation.
3. Concentration à l'équilibre
Le système étant en équilibre à une température T, soit nl = n / N , la concentration en
lacunes. Si le matériau est thermodynamiquement stable, on aura:

- n est le nombre de lacunes à l’équilibre

-∆G est la variation de l'enthalpie libre due à l'introduction des n lacunes
- N le nombre du sites du réseau.
Avec:

∆Sc est l'entropie de configuration des n lacunes, il est dû à la multiplicité de distribution des
n lacunes sur les N sites du réseau et est donné par la relation de Boltzmann:

où W est le nombre de configurations possibles pour arranger les n lacunes (ou autres défauts
ponctuels) sur les N sites du réseau.
Soit :

Et, en utilisant la relation de STIRLING (logN! = N logN - N), on aura:

Dans le cas des lacunes, n << N . On aura alors:

Avec l’approximation Log(1+ε) = ε Ce qui nous donne:

Et:

La concentration à l'équilibre correspond donc à :

1.3. diffusion
a. Définition
C’est la migration des atomes dans le réseau cristallin.
b. Mécanismes de la diffusion
Sous l’effet de l’agitation thermique, les atomes d’un solide peuvent effectuer des sauts
d’un site à un site voisin, ce qui provoque leur migration progressive, les divers
mécanismes possibles sont:

Figure 9: Les principaux mécanismes de diffusion : 1) échange simple ; 2) échange

cyclique ; 3) lacunaire ; 4) interstitiel direct ; 5) interstitiel indirect ; 6) « crowdion ».
1. Échange direct: par une forte répulsion à courte distance entre les atomes, la position
intermédiaire à mi- chemin requerrait une énergie d’activation considérable.
2. échange cyclique: chaque atome pousse son voisin au cour d’une de permutation
circulaire.
3. Mécanisme lacunaire: correspondant à l'occupation d'une lacune laissée par un atome
du réseau cristallin qui peut, lui aussi se mouvoir en laissant des lacunes.
4. Mécanisme interstitiel direct: l’atome saute de site interstitiel en site interstitiel voisin.
5. Mécanisme interstitiel indirect : l’atome saute de site interstitiel en position de
substitution (auto-interstitiel) puis en position interestitiel voisin.
6. Le crowdion : qui peut se produire le long des rangées denses.
 2- Les Défauts Linéaires (dislocations)
2-1- introduction
Lorsque l'on déforme un cristal au delà de son domaine élastique, on voit apparaître à sa
surface des lignes appelées traces de glissement (voir illustration).
Ces traces correspondent à de petites marches qui traduisent le glissement des plans
cristallins les uns par rapport aux autres (voir l'illustration ci-dessous). Elles sont des
défauts linéaires présents dans le cristal : les dislocations.

Figure 10: Traces de glissement : micrographie électronique en transmission montrant

des traces de glissement à la surface d'un polycristal Aluminium - Silicium – Magnésium.
Figure 11: traces de glissement à la surface d'un super-alliage monocristallin
déformé plastiquement et schématisation de ces traces à l'échelle atomique
2-2- Concept de dislocation
Le concept d'une dislocation et son déplacement est bien visualise en utilisant l'image du
tapis de MOTT. Le déplacement de proche en proche d'un pli, par ondulations successives,
permet un déplacement final, mais qui nécessite une énergie beaucoup plus faible.

Figure 12: Déplacement de dislocation, visualise selon l’image du Tapis de MOTT

Considérons un monocristal schématise sur la figure ci-dessous. Sur le schéma (b), on
considère le déplacement d'une dislocation, Le déplacement par "pas » successifs de ce
défaut linéaire nécessite moins de liaisons atomiques a rompre a chaque étape, donc moins
d‘énergie a dépenser pour avoir le même déplacement global (cas c).

Figure 13: Déplacement d’une dislocation sous l’effet d’une contrainte

Donc les dislocations ce sont des défauts de dimension 1, c'est-à-dire que la largeur des
défauts est très petite devant les dimensions du cristal. Ces défauts sont obtenues par le
glissement d’une partie du cristal le long d’un plan.
2-3 -Les propriétés de dislocation
a- Vecteur de Burgers
Vecteur de Burgers : petit déplacement nécessaire à fermer la « boucle » autour du défaut
appelé «circuit de Burger »

Figure 14: Vecteur de Burgers

b- Ligne de dislocation
Une dislocation est caractérisée par son vecteur de Burgers et sa longueur de ligne : la ligne
de dislocation L. L'orientation de par rapport à L définit le type de dislocation:
- Si est perpendiculaire a L, la dislocation est de type coin
- Si est parallèle a L, la dislocation est de type vis.
- Si forme avec L un angle α quelconque, la dislocation est dite mixte.
Le vecteur est constant, mais la ligne de dislocation L peut changer d'orientation dans le
cristal.

2-4- Types de dislocations

a. Dislocation coin
Le vecteur de Burgers est perpendiculaire à la ligne de dislocation.
On peut aussi simplement, pour générer une dislocation coin, insérer un demi-plan d’atomes
supplémentaire dans le réseau ou en retirer un. La ligne de dislocation est le bord du demi-
plan supplémentaire
 Dislocation coin

Insertion d’un demi-plan d’atomes

b. Dislocation vis
Le vecteur de Burgers est parallèle à la ligne de dislocation il existe donc plusieurs plans
de glissement. Dans un cristal, elle peut avoir comme plans de glissement tous les plans
de zone L.

Dislocation vis
c) Dislocation mixte
Le vecteur est d'orientation quelconque par rapport à L. En chaque point de L, on définit
deux composantes pour la dislocation:
- Une composante coin, avec
- Une composante vis, avec

Dislocation mixte
2-5- Mouvement des dislocations
Les dislocations peuvent subir deux types de mouvement:
- Le glissement,
-La montée.

a- Système de glissement
Le glissement se produit sur un très grand nombre de plans parallèles équidistants, qui
constituent une bande de glissement, l'espacement des bandes de glissement est généralement
constant.

Lignes de glissement
- La direction de glissement est la direction cristallographique de densité atomique maximale.
- Le plan de glissement est un plan de densité atomique élevée, mais pas toujours maximale.
Les systèmes de glissement des structures métalliques sont regroupes dans le tableau suivant:

b- Glissement dévié
Dans le cas de la dislocation vis, il ya possibilité de glissement dévie. Considérons par
exemple un plan de glissement (111) dans une structure CFC. Si une dislocation vis, glissant
dans la direction , est bloquée par un obstacle, elle peut passer dans le plan et
continuer son glissement, toujours dans la direction .
Dans le cas le plus général, ou la dislocation comprend des parties vis et des parties coin, les
parties coins restent bloquées, les parties vis peuvent continuer leur mouvement grâce a la
possibilité du glissement dévie.
c- Montée des dislocations
Ce mouvement intervient uniquement dans le cas de la dislocation coin. Pour que cette
dislocation se déplace (monte) d'une distance interatomique vers le haut ou vers le bas, une
rangée d'atomes doit être ôtée (par la diffusion des lacunes) ou apportée (par la diffusion
d’auto-interstitiels ) le long de la ligne de dislocation.

Montée d'une dislocation.

2-5- défauts d’empilement et dislocations imparfaites
Les défauts d’empilement sont également courants dans les structures compactes formées
par les métaux. Si on cisaille un empilement de type ABCABC..... (cfc) on crée un défaut
d’empilement (plan miroir). L’empilement ABCABC... devient ABAB....... (hc).

Défaut d’empilement produit par l’absence d’un plan C dans la séquence ABCABC …

La présence du défaut d'empilement introduit une dislocation dont le vecteur de Burgers

n'est pas un vecteur du réseau. Une telle dislocation est dite imparfaite.
3- Les Défauts plans
3-1- Les macles
Deux cristaux identiques sont en position de macle si leur plan frontière est un plan miroir
(plan de macle ou joint de macle).

Les macles
3-2- Les joints de grains
a- Définition
Un joint de grains est la surface qui sépare deux cristaux d’orientations différentes dans un
agrégat polycristallin. Les métaux réels sont généralement constitués de nombreux cristaux
(ou grains) séparés par des joints de grains. Tous les grains n’ont pas la même orientation.

Représentation des joints de grains

b- joint de grains – dislocations
Lorsque la différence d'orientation entre deux cristaux voisins est faible, le joint de grain
peut se décrire comme une succession de dislocations coin ; on parle alors de «paroi de
dislocations» ou encore de «joint de faible désorientation».

Joint de faible désorientation - paroi de dislocations

4- Les solutions solides
4-1- Définition
Une solution solide est un mélange d’éléments a l’échelle atomique, et c’est analogue à un
mélange de liquides qui sont solubles l’un dans l’autre (soluté B et solvant A ( matrice A)). Il
a deux types de solutions solides: solution solide d’insertion et solution solide de
substitution.
4-2- Solution solide d’insertion
Ces solutions peuvent se former lorsque les atomes du soluté sont très petits devant les
atomes du solvant, de telle sorte qu’ils puissent se loger dans les interstices de la structure du
solvant.

Représentation schématique d’une solution solide d’insertion

Les atomes pouvant être places en insertion sont : H, O, N, C, B.

4-2- Solution solide de substitution
Dans ce deuxième type de solution solide, les atomes du soluté B occupent des sites
normalement occupés par des atomes de A dans le métal pur. Si il ont la même taille (taille
peu différente) et le même système.
Ex : Ag (diamètre 288.3 pm) et Au (diamètre 287.8 pm) ont le même système CFC et ont
des
diamètres voisins.
1- Solutions solides ordonnées et désordonnées
Deux types de solutions solides de substitution peuvent être distinguées :
● Dans les solutions désordonnées, les sites de A occupes par des atomes de B sont repartis
au hasard.
● A l’opposé, dans les solutions ordonnées , les atomes de soluté B sont repartis de façon
régulière. (Solution solide ordonnée = superstructure)

Représentation d’une solution

Représentation en 2 dimensions d'une solide ordonnée
solution solide désordonnée
2- Règles de solubilité
La solubilité des atomes en substitution peut être plus ou moins prévue par les règles de
Hume-Rothery (règles qui régissent la formation des solutions) :

1. Règle du rayon atomique ou règle des 15%: Les atomes doivent avoir une taille
voisine, leurs rayons ne doivent pas différer de plus de 15 %. Dans le cas contraire, la
solubilité sera très limitée.
2. Règle des structures électroniques: les métaux électroniquement semblables peuvent
former des solutions.
3. Règle des valences: La valence des deux éléments doit être identique (exemple:
bismuth et antimoine).
4. Règle des structures : Les éléments constituant l'alliage doivent avoir la même
structure cristallographique
5- Les diagrammes de phases (d’équilibre)
5-1- Définition
- Le diagramme de phases ou le diagramme d’équilibre est une représentation plane d'un
alliage, a pression constante, dans un référentiel température- composition, dans son état le
plus stable. Pour chaque point (T,X), il nous donnera le nombre, la composition et la
répartition des différentes phases coexistantes.

5-2- Construction d’un diagramme de phases

Les diagrammes de phases binaires sont les diagrammes les plus simples à établir.
Lorsqu’on refroidit un métal ou un alliage en fusion à température ambiante entraine une
solidification. Le passage de la phase liquide à la phase solide s’appelle un changement de
phase.

Courbe de refroidissement d’un métal pur Courbe de refroidissement d’un alliage AB

Pour construire le diagramme de phase d’un alliage binaire A-B, il suffit d’enregistrer les
courbes de refroidissement pour chaque concentration de B dans A en partant de A, métal
pur jusqu’a B, métal pur

Exemple de construction du diagramme de phase de l’alliage CuNi

5-3-Types de diagrammes d’équilibre binaires
5-3-1- Diagrammes de phases avec miscibilité totale à l’état solide
a- Diagramme à fuseau unique
C’est le cas des systèmes constitués par des éléments à solubilité mutuelle totale.
Dans le cas de l’alliage A B, nous obtenons la courbe de refroidissement du A avec un
palier à TA et la courbe de refroidissement B avec un palier à T B. Entre ces deux extrêmes,
les alliages à différentes concentrations présentent un intervalle de solidification non
isotherme. La frontière entre le domaine liquide L et le domaine biphasé L+S est le
liquidus et la frontière entre le domaine liquide S et le domaine biphasé L+S est le solidus.

Diagramme d’équilibre à un fuseau

b- Diagramme à deux fuseaux
Le diagramme à deux fuseaux possède un point de contact intermédiaire (M) entre liquidus et
solidus. Sa température est inferieure à la température de chacun des constituants. A ce point,
le comportement de l’alliage est identique à celui d’un corps pur.

Diagramme d’équilibre à deux fuseaux

5-3-1- Diagrammes de phases avec miscibilité partielle à l’état solide
C’est le cas le plus fréquent dans les alliages binaires.
a- Les diagrammes avec point eutectique
Dans ce type de diagramme existe un point invariant dont la température est inferieure à la
température de fusion des deux constituants. dans ce type de système, l’alliage peut se présenter
sous forme de trois phases: liquide, solide α (riche en A) ou solide β (riche en B). Et dans la
partie centrale du diagramme on trouve un mélange des deux solutions α et β.
L’alliage à E appelé alliage eutectique, il se solidifie comme un élément pur par transformation
isotherme à TE.

Construction d’un diagramme de phases avec point eutectique

b- Les diagrammes avec point péritectique
De même que précédemment, le mélange présente deux solutions solide α et β. Mais
contrairement au palier eutectique, la température du palier péritectique est intermédiaire
entre les deux températures de fusion.
L’alliage à P est appelé alliage péritectique, il commence à se solidifier par dépôt de la
solution solide α à partir de la phase liquide. A la température T p , la phase α obtenue se
transforme de façon isotherme en phase β, en absorbant tout le liquide restant.
- Sur le palier péritectique P, il y a équilibre entre les trois phases L, α et β.
L+ α ↔ β

Un diagramme de phases avec point péritectique

c- Les diagrammes avec existence d’une phase intermédiaire
Considérons le cas très courant où le mélange (AB) est susceptible de former 3 solutions
solides, 2 solutions extrêmes α et β et une phase intermédiaire γ .
Le nombre de paliers augmente en fonction du nombre de phase intermédiaire.

Diagrammes avec existence d’une phase intermédiaire γ

d- Les diagrammes avec composé défini
C’est un cas particulier du diagramme de phase avec existence d’une phase intermédiaire, le
domaine de concentration du composé défini est très étroit autour de la composition A xBy .

Diagramme avec composé défini

5-4- la loi des phases
L’étude et l’utilisation des diagrammes d’équilibre nécessitent le respect de la loi des phases
5-4-1- variance d’un système en équilibre (loi de Gibbs)
La variance d’un système en équilibre est définie par:

V=C+ 2-φ
-La variance V définit le nombre de facteurs indépendantes caractérisant le système en
équilibre .
-C est le nombre de constituants purs.
- φ est le nombre de phases.
- le nombre 2 correspond température et pression.

- Variance réduite
L’expérience montre que l’influence de la pression est négligeable , donc on peut éliminer
le paramètre pression et considérer une variance réduite, définie par:
V=C+ 1-φ
a- Métaux purs (C=1) donc V=2-φ
On a deux cas:
-une seule phase est stable ( liquide ou solide) donc V=1: on peut faire varier la température
sans modifier l’état du système.
- Pour T=Tf il ya équilibre entre le solide et le liquide donc V=0 , donc la solidification d’un
élément pur est isotherme
b- Alliages binaires (C=2) donc V=3-φ
Dans ce cas V ≥ 0 donc φ ≤ 3.
On a 3 cas:
-φ = 3 donc V = 0 ce sont les points invariants du diagramme d’équilibre ( eutectique,
péritectique..........)
- φ = 2 donc V=1 on peut varier soit la température soit la concentration.
- φ = 1 donc V=2 plusieurs couples ( T, X) définissent le même état thermodynamique.

5-4-2- Règle de l’horizontale

Permet de connaître la composition des phases en constituants A et B à T.

A T donné, tous les alliages tels que X1 <X < X2 :

2 phases φ 1 et φ 2 :
φ 1 teneur X1 en B et (100 - X1) en A
φ 2 teneur X2 en B et (100 - X2) en A
→ Nature et composition chimique des phases
5-4-3- Règle des segments inverses
Permet de calculer les fractions massiques des deux phases à T
A T donné, l’alliage à X% en masse de B est caractérisé par une fraction massique
de φ1 et φ2 :