Chapitre 1 : notation de base sur la physique du solide

1. Structure cristalline
2. Etats électroniques
3. Notation de bande d’énergie

I.1 Introduction

Habituellement la matière se présente sur trois formes : gaz et (plasma), liquides ou solides,
bien que A l’état solide on distingue deux types, type au lequel l'arrangement des atomes est
aléatoire et celui dans lequel les atomes sont arrangés régulièrement aux nœuds d'un réseau.
Le premier état est dit amorphe. Le deuxième état, qui nous intéresse plus particulièrement ici,
c’est l'état cristallisé. Le cristal est un solide dont l’unité structurale (atomes, molécules ou
ion) est regroupée de manière régulière, par contre au solide amorphe Les solides amorphes,
comme par exemple le verre, sont caractérisés par une répartition non-périodique des unités
structurales dans l'espace. Leur structure est similaire à des liquides où l'ordre existe
seulement à une courte distance. Ceci résulte de l'existence d'un seul type de forces entre les
unités de croissance : forces de courte distance, Cependant, des matériaux comme le carbone
ou la silice peuvent exister aussi bien sous des formes cristallines qu'amorphes. La figure
suivante montre en 2D la silice cristallisée et amorphe (vitreuse), on constate sur la figure la
différence entre un si cristallin (des atomes ordonnés) et un si amorphes ou les atomes sont
arrangées d’une façon désordonnés.

a) b)

Les cristaux les plus communs sont : la neige, le sucre, les sels, les oxydes, les sulfures,
les métaux et les pierres précieuses (figureI.1).

Fig.I.1 : silice dans l’état (a) cristallin & (b) état amorphe.
Les cristaux les plus connu sont ; nuage ……
 b) c)
a)

d) e) f)

Figure I.2 : Cristaux réale existes dans la nature : a) cristaux du nuage, b) cristaux de
diamant, c et f) cristaux de pyrite de fer (sulfure de fer : FeS2) à cristaux cubique, d)
substrat de cristaux de MgO, e) cristaux de sel et f) cristaux de pyrite de fer

Un cristal idéal ne comporte pas de défauts cristallins, mais les cristaux réels sont loin de cette
finition. Au-delà d'une certaine concentration des défauts.

I.2 Réseaux périodique d’atome

Un cristal idéal peut être construit par une répétition périodique d’unité structurale identique
dans tout l’espace. On décrit la structure cristalline de type des cristaux par un réseau
périodique, chaque noud de réseau est attaché par un atome ou un groupe d’atome, cette
atome ou ce groupe d’atome est appelé la base ou motif, l’unité structurale généralement
contient des atomes (C, Fr, Si…), des ions (Na+, Cl-) ou des molécules(H2O) comme la figure
suivante montre, donc les deux concepts fondamentaux qui sont à la base de la
description de la structure cristalline: le réseau et le motif..
 Fig.I.3 : Structure cristallin de :( a) Molécule de la glace (H2O), ( b) Ion de
(Na+Cl-) et ( c) structure cristallin de Chrome ( Cr )
I.2.1 Réseaux cristallin : les atomes d'un cristal sont arrangés à l'intérieur d'un réseau. Un
réseau c’est une abstraction géométrique infinie discrète ; ou est un ensemble infini de point
ordonné et répartis régulièrement dans l’espace. Il est montré par des vecteurs de base
linéairement indépendants, qui ne forment pas nécessairement un système orthonormée. De
manière générale, dans un espace à n dimensions, un réseau est décrit par n vecteurs.

a. Réseau d’espace unidimensionnel : l’espace à une dimension, consiste en une

répétition périodique des nœuds équidistants au le long d’une seule direction d’un axe,
la distance entre deux nœuds est le paramètre du réseau a, l’axe définissent la
direction du réseaux est appelé rangée, le choix de l’origine de réseaux est arbitraire
sue un nœud quelconque, Ainsi tout les nœuds du réseaux sera défini par le vecteur ⃗⃗
⃗⃗ (I.1)

Avec U entier positif négatif ou nul

⃗
𝒂 ⃗
𝒂
oa o a M
M’
(a) (b)

fig.I.4 : Réseaux unidimensionnel ensemble des point équidistantes de même nature sur: (a)
espace a un dimension, (b) exemple deux nœud M et M ; ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗ et ⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗
 b. Réseau d’espace bidimensionnelle : Les vecteur de la maille sont indiqués par
les lettres et ⃗ , l’angle inter-axial est appelé γ. On peut construire un réseau par
translation de ces deux vecteurs si ayant la même origine, le réseau à deux
dimensions peut également être engendré par la juxtaposition de mailles
identiques en forme de parallélogramme de côté a et b. Dans un cristal, les
nœuds d'un réseau ne correspondent pas à des atomes, ce sont des objets
mathématiques qui permettent de décrire le réseau cristallin. Il peut arriver qu'un
nœud du réseau coïncide avec la position d'un atome, selon l'origine choisie du
réseau.

b
b
 
a a

b
 b

a a

Fig.I.4 : Réseau et noud de réseau a deux dimension, Différents choix possibles pour les
vecteurs primitifs ( & ⃗)

3c. Réseau d’espace à 3 dimension : Dans l'espace à trois dimensions, il existe pour
chaque réseau une infinité de triplets de vecteurs de base linéairement indépendants.
Les vecteurs de base dans l'espace à trois dimensions sont notés ⃗ . Un triplé de
vecteurs de base est toujours choisi de façon à former un trièdre direct. Les nœuds d'un
réseau sont des points de l'espace situés aux extrémités de tous les vecteurs du réseau
centrés sur une origine commune. L'origine du réseau est choisie arbitrairement,
attendu que chaque nœud du réseau est équivalent aux autres. dans un réseau a 3D, les
vecteurs de translation fondamentaux, a , b , c , appelés vecteurs primitifs. La position
de chaque maille du cristal est définie par un vecteur du réseau
 ⃗ ⃗ ou ; u , v et W sont des entiers.

L'ensemble des points définis par le vecteur ⃗ pour toutes les valeurs de u, v, w
M
constitue le réseau.

c
o b
a

Fig.I.5 : Réseau à 3 dimension, exemple le vecteur (rangé ⃗⃗⃗⃗⃗⃗ ⃗ )

Motif : Plus petite entité identifiables qui se répète par translation, le motif est l’entité
chimique de base constituant le cristal, ou, c'est l'ensemble minimal d'atomes qui après
application des opérations de symétrie reconstitue une maille, les motifs peuvent être des
atomes comme ( Fe, C, Si, Ge, Zn….etc), des molécules (H2O la glace) ou des groupements
ioniques (Cl- , CS+, Na+, Ca++….etc) occupant les nœuds du réseau cristallin, le motif a une
orientation et une géométrie bien déterminées,

Exemple:

Solides Liaison Motif

Cu Métallique

Na + Cl- Ionique

SiO2 Covalente

L’ensemble régulière de motifs dénommé réseau cristallin

 Structure cristallin à partir de motif de Structure cristallin à partir de motif de

Na+Cl-(liaison ionique ) CuivreCu(liaison métallique).

En conséquence on peut dire que :

Structure Cristallin = Réseaux + motif

I.3 Type réticulaire fondamentaux

Les réseaux cristallin sont invariants par les diverses opérations de symétries, Ces
opérations sont d'une part des translations et d'autre part des opérations ponctuelles telles que
les rotations autour d'un axe ou des inversions par rapport à un point. L'ensemble des
opérations de symétrie du cristal constitue le groupe de symétrie du cristal. En ne considérant
que les opérations ponctuelles, rotations et inversions ou combinaisons des deux, on définit le
groupe ponctuel du cristal. En considérant en outre les opérations de translation, on définit le
groupe spatial du cristal. Dans le réseaux cristallin on trouve des réseaux qui possède des axe
de rotation d’ordre 1,2,3,4 ou 6 ce qui correspondent a des rotation de =2/n (n l’ordre de
rotation), Donc on trouve des rotations des angles 2, 2/2, 2/3, 2/4 ou 2/6 ou de
multiplicité de ces angle, On ne peut pas avoir des rotations de l’ordre 5 ou 7, une molécule
seulement peut avoir cette rotation mais pas un réseau périodique
 • On Apple groupe ponctuel l’ensemble des opérations de symétries qui laissent le
réseau invariant lorsqu'on applique des opérations autour d’un noud de réseaux les
rotations possible

• Y on a aussi des opérations de symétries par a port a des pals noté m,

a) Les axes et les plans de symétrie d’un cube

• 1 un plans de symétries parallèle aux faces du cube

• 2, un plan diagonal de symétrie d’un cube

• 3: trois axes quaternaires

• 4: quatre axes ternaires d’un cube

• 5: six axes binaires d’un cube

I.3.1 Systèmes réticulaire

a) système réticulaire deux dimension

Dans un système à deux dimension on peut réaliser un nombre illimité de réseaux par ce que
les longueurs de vecteur de translation a et b et l’angle entre eux peuvent être quelconque,
dans ce systèmes cristallin Ilya 5 systèmes réticulaires, les 5 système dénommes réseaux de
bravais, les 5 systèmes sont regroupés dans le tableau suivant :
 Paramètre Disposition de Réseau de bravais
Système réticulaire à 2D
géométrique

𝑏⃗

1. Réseau Carré | | |⃗ |

| | |⃗ | 𝑏⃗
2. Réseau 𝑎 
hexagonal

3. Réseau | | |⃗ |
rectangulaire
𝑏⃗

𝑎

Les axes
| | | ⃗ | et l’angle
4. Réseau 𝑏⃗
parallélogramme 
(losangique)
quelconques 𝑎 

Réseau | | |⃗ |
𝑏⃗
Rectangulaire centré

𝑎
 b) Système réticulaire à 3 dimensions

Dans un système à 3 dimensions Il existe 7 systèmes cristallins. Bravais (1848) a montré

qu’il y avait en fait 14 systèmes cristallins et tous les cristaux appartiennent à ces systèmes,
les 14 réseaux sont classé dans le tableau suivant :
I.2 Etats électroniques
I.2.1 Structure atomique

L'atome comporte un noyau au centre, composé de protons chargé positivement et de

neutrons particules neutre, entouré par des électrons chargé négativement qui orbitent autour
du noyau (figure I. 1), le nombre du proton égal le nombre des électrons négatifs dans les
atomes stable. Chaque type d’atomes possède un numéro atomique et nombre de masse,
exemple : le numéro atomique de germanium (Ge) c’est 32 et de carbone C et 6.

Electron

Noyau

Proton

Neutron

Fig.I.1 : Structeure d’un atome (modèle se BOHR) .

I.2.1 : Couche électroniques & nombre d’électron dans les couches

Un ensemble des orbites dans un atome regroupées en bandes énergétiques appelées couche.
Les couches les plus éloignées du noyau est la moins énergie que ceux situés proche de
moyeu. Les couches sont définies par les lettres : K, L, M, N, ..etc, ainsi identifiées par leur
nombre quantique n, valant 1, 2, 3, etc. Ou (1=K et 2=L…..). La couche la plus rapproche K
port le numéro 1, la couche L numéro 2…..et ainsi de suite.

M n=3
L n=2

K n=1

Fig.I.2 : Couche électronique

On peut calculer le nombre maximal d’électron Né qui pouvant exister dans chaque couche
par la formule suivant :

Où n le nombre de la couche
Tableau I.1 : Distributions l’électron sur les couches
Couche formule Nombre maximal d’électron
K 2
L 8
M 18
N 32
O 50

Exemple : la distribution des é dans le Si, C et Cu et représentées dans la fuguer suivent

Carbone C (6é) Silicium Si (14é) Cuvier Cu (29)

Fig.I.3 : Distribution des é dans le Si, C et Cu.

 Chaque couche à des sous couche et un des niveaux d’énergie est sous niveau
d’énergie, la couche K à un niveau d’énergie et la couche L à 2 sous niveau d’énergie.
 Le niveau d’énergie augmente à mesure qu’on s’éloigne du noyau de l’atome.
 I.1.2 Electron de valence :
La couche la plus éloignée est connue sous le nom de couche de valence et les
électrons dans cette couche sont appelés électrons de valence.

Couche de valence
Electrons
de valence
Les électrons sur les couches plus éloignées
du noyau ont une énergie plus grande et sont
moins liés à l’atome. La force d’attraction
entre les charges positives du noyau et les
charges négatives des électrons diminue
qu’on s’éloigne du noyau.

Fig. I.4: couche & éélectrons de valence.

 on peut représenté l’atome par la couche de valence et un cœur formé de toutes les couches
intérieures et du noyau. Les proton du cœur calculé par la formule suivent

Le nomber des proton du cœur = le nombre des protons de noyau – le nombre d’électrons
soft l’électron de valence
Exemple : l’atome de soufre s possède 16 é donc :
Le nomber des proton du cœur = 16-10 = 6p+ (p+6)

Cœur
Cœur P+6
Electrons
de valence Couche de valence

P+4

Couche de valence

Fig. I.5 : Représentation de l’atome de soufre sous la forme d’un cœur et d’une couche de valence.
I.2 CONDUCTEURS, SEMI-CONDUCTEURS ET ISOLANTS

Tout matériau est constitué d’atomes. Ces atomes contribuent aux propriétés électriques d’un
matériau. Suivant leurs propriétés électriques, les matériaux peuvent être classés en trois
groupes: les conducteurs, les semi-conducteurs et les isolants :
I.2.1 : Conducteur :
Est un matériau qui conduit le courant électrique. Les meilleurs conducteurs sont des
matériaux constitués d’un seul électron dans leur couche de valence faiblement lié à l’atome,
peu se détacher de leur atome devenir des électrons libres. Par conséquent, un matériau
conducteur possède beaucoup d’électrons libres qui, lorsqu’ils se déplacent tous dans la même
direction, engendrent le courant comme le cuivre, l’argent, l’or et l’aluminium, de
conductivité > 103 S/cm (argent 106 S/cm).

Cœur P+1
Cuvier Cu (29)

Fig. I.6 : Atome d’un conducteur cuvier

I.2.2 Isolants
Un matériau qui ne conduit pas le courant électrique sous des conditions normales. La plupart
des bons isolants sont des matériaux composés de plusieurs éléments, contrairement aux
conducteurs. Les électrons de valence sont solidement rattachés aux atomes, laissant très peu
d’électrons libres de se déplacer dans un isolant, leur conductivité < 10-8 S/cm
(Diamant 10-14 S/cm).
I.2.3 Semi-conducteurs

Un semi-conducteur est un matériau classé entre les conducteurs et les isolants. Un semi-
conducteur est un matériau, qui peut être conducteur d'électricité sous certaines conditions
seulement, Les semi-conducteurs à élément unique se caractérisent par des atomes à quatre
électrons de valence, en effet les éléments de la colonne (IV) de tableau périodique telles que:
l'antimoine, l'arsenic, le bore, le carbone, le germanium. Des éléments composés des élément
de la colonne (III) et(V) les élement de la colonne (IIB) et (VIA)ou tels ’arséniure de gallium
sont l'antimoniure d'indium et les oxydes de la plupart des métaux.. La conductivité des semi-
conducteurs entre 10-8 > > 103 S/cm

4 é dans la couche de
valence

Fig.I.7 : Atome d’une semi conducteur silicume & clacment des semi conducteur au tableu périodique

I.3 Notion de bande d’énergie :

Configuration électroniques des semi-conducteurs

La distribution des électrons sur les orbitales atomiques obéie au règles des configurations
électroniques telles que : le principe de l’exclusion de Pauli et la réglé de hund

Principe d’exclusion de Pauli :

Dans un atome, il ne peut y avoir deux électrons ayant le même nombre quantiques (le spin)
dans le même état quantique
(orbitale atomique). Autrement dit : Les électrons d’un même état quantique ne peuvent avoir
leurs quatre nombres
quantiques, n, l, et tous identiques.
 n, c’est le nombre quantique principal : n = 1, 2, 3, 4....
 l, le nombre quantique orbital : 0  l  n -1.
  , le nombre quantique magnétique : -l   +l
 , le spin :
Règle de Hund :
La répartition des électrons dans les niveaux dégénérés (2p, 3d, etc) se fait de façon à avoir le
maximum de spins parallèles.
 Les trois nombres quantiques n, l, ne déterminent pas complètement l’état quantique de
l’électron, ils déterminent
seulement l’orbitale.
 En plus des trois nombres quantiques (n, l, ), l’état quantique de l’électron est déterminé
par un quatrième nombre
quantique . Il précise son moment magnétique intrinsèque, appelé « spin » : ( , vers le haut =
spin up
()) et ( vers le bas = spin down ())

Considérons un atome de silicium Si isolé, les niveaux énergétiques de ses électrons sont discrets
(voir le modèle de Bohr pour l'hydrogène). Lorsque l'on rapproche de ce dernier un atome identique,
les niveaux énergétiques discrets de ses électrons se scindent en deux sous l'interaction réciproque
des deux atomes. Plus généralement, lorsque l'on approche N atomes, les niveaux énergétiques se
scindent en N niveaux. Ces N niveaux sont très proches les uns des autres et si la valeur de N est
grande, ce qui le cas pour un cristal, ils forment une bande d'énergie continue. La notion de
rapprochement des atomes est donnée par la distance inter-atomique
. Ce concept ilustres dans la figure suivent :

Bande permise
Niveau d’énergie
Bande interdite
Permise
interdite
Permise Les bandes du
Interdit cœur
Permise
Noyau

A présent considérons des atomes de silicium Si arrangés aux nœuds d'un réseau périodique, mais
avec une maille très grande de telle manière que les atomes puissent être considérés comme isolés.
Les deux niveaux les plus énergétiques sont repérés par E1 et E2. Rapprochons homothétiquement les

atomes les uns des autres, les états énergétique électronique se fractionnent et forment deux bandes
continues appelées bande de conduction BC et bande de valence BV. La figure 1 montre la
formation de ces bandes en fonction de la distance interatomique. Pour le Si la distances inter-
atomique ( d =2.35A ),

Figure 1 : Formation des bandes d'énergie pour les électrons d'atomes de Si arrangés en
mailles cristallines de type diamant

1. Bande de valence est la dernière bande d'énergie complètement remplie par les
électrons .
2. Bande de conduction est la bande d'énergie supérieure ou égale à celle de la
bande de valence, la bande de concution est vide .
3. Band gap : L'énergie qui sépare ces deux bandes est appelée gap, Eg. appelée un
écart énergétique.

Au zéro degré absolu la bande de valence est pleine d'électrons, la bande de conduction est
vide. A la température ambiante, à laquelle fonctionnent la plupart des composants
électroniques, certains électrons sont thermiquement excités depuis la bande de valence et
occupent la bande de conduction.

Niveau d’énergie

Ec Bande de conduction (BC)

Eg Bande interdite bande gap

Ev Bande de valence (BC)

 Les électrons de la bande de conduction sont dit délocalisés : ils peuvent se déplacer au sein
du matériau, d'atome en atome, pour participer à la conduction électrique. La figure I.8
montre les diagrammes d’énergie pour un isolant, un semi-conducteur et un conducteur.

Niveau d’énergie Niveau d’énergie Niveau d’énergie

Ec Bande de conduction (BC) Ec Bande de conduction (BC) Ec Bande de conduction (BC)

Eg Bande interdite Eg<3.5ev Chevauchement
Bande interdite bande gap
Eg Ev Bande de valence (BC) Ev Bande de valence (BC)
Eg > 5ev

Ev Bande de valence (BC)

Semi-conducteur Conducteur
Isolant

Fig.I.8 : diagrammes d’énergie pour un isolant, un semi-conducteur et un conducteur

 Niveau de Fermi : est une caractéristique indispensable qui traduit la répartition des
électrons dans un semi-conducteurs en fonction de l'énergie et la température, En
effet, c’est le niveau de plus haute énergie occupé par les électrons de semi-
conducteur à 0 K.

1 : Gap directe et indirecte :

Le gap c’est la différence d’énergie entre le maximum de la bande de conduction et le

minimum de la bande de conduction.

Les structures de bandes représentées sur la figure 2 font apparaît deux types fondamentaux

de semi-conducteur. Les semi-conducteurs dans lesquels le minimum de la bande de

conduction et le maximum de la bande de valence sont situés en des points différents de

l'espace des k, et les semi-conducteurs pour lesquels ces extrema sont situés au même point de
l'espace des k. Les seconds sont dits à gap direct, exemple en est le GaAs, les premiers sont

dits à gap indirect le phosphure de gallium.

Figure 2 : s/c à gap direct, GaAs & s/c les premiers sont dits à gap indirect le phosphure de gallium.

 La nature du gap est importante pour les applications d’optoélectroniques, par ce

que les règles de transition ne peuvent être respectées que si Eg est directe.