Chapitre I : Constitutions des matériaux Cours SDM

I.1. Introduction
Un métal est formé d’une multitude de petits volumes polyédriques appelés grains dont la
taille varie en général de 2 à 20 µm, et qui sont limités par des surfaces appelées joints de
grains.

La figure 1.a représente la surface d’un métal rompu à basse température, observée au
microscope à balayage la rupture s’effectuée le long des joints de grains, mettant bien en
évidence les grains qui apparaissent en relief.

La figure 1.b représente la surface d’un métal observée au microscope optique après
polissage mécanique et attaque chimique. L’attaque chimique révèle de façon préférentielle
les joints de grains qui apparaissent suivant des lignes noires. Ces lignes limitent des surfaces
qui sont les grains du métal.

Figure 1

Chaque grain est en fait un monocristal, c.-à-d. un empilement régulier d’ions métalliques
dont la cohésion est assurée par un gaz d’électrons.

L’orientation du réseau cristallin propre à chaque grain est différente et le matériau est dit
polycristallin. Dans le cas très particulier où le matériau n’est constitué que d’un seul grain, il
est dit monocristallin figure 2.

Figure 2

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Dans les cas les plus simples (métaux purs, solutions solides) tous les cristaux ont une
structure et une composition identiques, le matériau est monophasé. Mais en général le
matériau est polyphasé, chaque ensemble de cristaux de même structure et composition
formant une phase distincte figure 3.

Figure 3
I.2. Liaisons interatomiques
I.2.1. Structure de l’atome

L’atome est constitué d’un noyau autour duquel gravitent des électrons.

Le noyau est formé de :

 Protons (symbole A) : masse mp = 1,67*10-27 Kg, charge positif e = 1,6*10-19 C.

 Neutrons (symbole N) : masse mn ≈ mp, charge nulle.
 Electrons ont une masse me = mp/1840 = 0,91*10-30Kg, charge négative = -e.

Le nombre d’électrons est égal au nombre z de protons, la charge électrique d’un atome
est nulle. Le nombre z appelé le numéro atomique de l’atome permet de classer les éléments
dans l’ordre croissant de leur nombre d’électrons (voir tableau périodique).

Les électrons sont répartis autour du noyau sur des couches électroniques de différentes
énergies appelées K, L, M, N… au fur et à mesure que l’on s’éloigne du noyau (énergies
décroissantes), chaque couche peut recevoir un nombre maximal d’électrons 2 pour K, 8 pour
L, 18 pour M…. figure 4.

La couche périphérique set la plus importante. Les éléments qui ont cette couche saturée
sont très stables : ce sont les gaz rares (hélium, néon…). Les autres éléments peuvent acquérir
cette structure stable :

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 Soit en perdant des électrons : les métaux (Mg, Al, Fe…),

 Soit en gagnant des électrons : les non métaux (Cl, O…).
ri

Figure 4
Les liaisons interatomiques sont directement reliées à cette couche périphérique. Elles
sont principalement de type ionique, covalent et métallique, et entrainent des caractéristiques
spécifiques des différents matériaux tableau 1.

Tableau 1

I.2.2. Liaison ionique

Elle a lieu entre les éléments très électropositifs (métaux) et très électronégatifs (non-
métaux). Dans cette liaison l’atome électropositif donne un ou plusieurs électrons à l’atome
électronégatif, ce qui produit des ions de charges opposées. Les forces de liaisons résultent de
l’attraction électrostatique entre les ions figure 5.

Figure 5

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I.2.3. Liaison covalente

Cette liaison, à l’opposé de la liaison ionique a lieu entre des éléments proches de la
classification périodique. Les atomes mettent en commun (partagent) des électrons pour
compléter leurs couches périphériques figure 6.

Figure 6

I.2.4. Liaison métallique

C’est elle qui nous intéresse plus particulièrement. Elle est caractérisée par le fait que les
électrons de liaison sont libres. On peut considérer le métal comme un empilement d’ions
positifs entourés par un nuage d’électrons. Ces éléments libres expliquent par exemple les
propriétés de conductivité thermique et électrique des métaux figure 7.

Figure 7

Remarque : les électrons de valence sont ceux qui occupent la couche externe. Ces électrons
sont extrêmement importants : ils participent à la liaison entre les atomes pour former des
agrégats atomiques et moléculaires.

I.3. Cristallographies géométriques

I.3.1. Réseaux cristallins

Un monocristal géométriquement parfait est un ensemble d’ions (d’atomes)

régulièrement répartis dans l’espace figure 8. Pour décrire commodément cet arrangement, on

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définit un réseau cristallin par un ensemble de nœuds obtenus à partir d’une maille
élémentaire qui fixe la périodicité tridimensionnelle de répétition d’un motif élémentaire
figure 9.

Figure 8 Figure 9

Autres définitions

Un réseau cristallin est un réseau spatial imaginaire ayant pour nœuds les atomes
(sommets des parallélépipèdes). Les droites passant par ces nœuds sont appelées rangés.
Tous les nœuds sont groupés dans des plans parallèles équidistants appelés plans
réticulaires, la distance entre deux plans voisins de la même famille est la distance
réticulaire.

Une maille élémentaire est le plus petit parallélépipède qui permet de produire tous les
réseaux tridimensionnels par translation continue de ces éléments suivant les trois directions.
Un réseau cristallin d’un solide est composé d’un nombre infini de mailles élémentaires à
l’intérieur desquelles les atomes sont disposés dans un ordre bien défini.

Motif c’est la reproduction indéfiniment et régulièrement des atomes ou ions dans le

cristal (ou tout simplement le plus petit arrangement atomique), l’ensemble régulier de motifs
est appelé réseau figure10.

Figure 10

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La maille élémentaire est définie par trois vecteurs a, b, c après avoir choisi une origine
d’axe, ces vecteurs sont les vecteurs de base sur 𝐨𝐱 ⃗⃗⃗⃗ , 𝐨𝐲
⃗⃗⃗⃗ et 𝐨𝐳
⃗⃗⃗⃗ , se sont les paramètres du
réseau. La position d‘un quelconque des nœuds du réseau est donnée par le vecteur :
R = ua + vb + wc (u, v, w sont des nombres entiers).

A partir des paramètres du réseau a, b, c et les angles α, β, γ on défini les sept systèmes
cristallins de Bravais décrits dans le tableau 2. Donc une structure cristalline est définie par la
connaissance du réseau cristallin (a, b, c) et du motif élémentaire.

Tableau 2

I.3.2. Repérage des plans et directions cristallographique

I.3.2.1. Plans cristallographiques (indices de Miller)

On appelle un plan cristallographique un plan qui passe par trois nœuds non alignés du
réseau. Soit un tel plan qui coupe les axes ⃗⃗⃗⃗
𝐨𝐱, ⃗⃗⃗⃗
𝐨𝐲 𝐞𝐭 ⃗⃗⃗⃗
𝐨𝐳 en M, N, P : ce plan sera désigné
par ces indices de Miller h, k, l définis comme les plus petits entiers proportionnels à 1/m,
1/n, 1/p figure 11. En réalité, tout ensemble h, k, l désigne non seulement un plan, mais toute
une famille de plans parallèles et équidistants que l’on désigne par (hkl).

Figure 11

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Remarque :

 Tout indice négatif est représenté par une barre au-dessus de l’indice (hkl).
 Dans certains systèmes à haute symétrie, plusieurs familles de plans sont
équivalentes, l’ensemble des familles est alors désigné par {hkl} où h, k, l sont
les indices d’un des représentants de l’ensemble.

I.3.2.2. Directions cristallographiques

On appelle droite cristallographique une droite passant par deux nœuds du réseau, donc
par une infinité de nœuds. Si l’on suppose qu’elle passe l’origine, on peut la désigner par les
coordonnées u, v, w du nœud le plus proche de l’origine figure 12. Comme pour les plans, un
ensemble de coordonnées u, v, w désignera la famille des droites parallèles à la précédente,
que l’on note [uvw] définissant une direction cristallographique.

Figure 12

Remarque :

 Tout indice négatif est représenté par une barre au-dessus de l’indice [uvw].
 Dans certains systèmes de haute symétrie, certaines directions sont physiquement
équivalentes, l’ensemble des familles est alors désigné par <uvw> où u, v, w sont
les indices d’un des représentants de l’ensemble.

I.3.2.3. Propriétés remarquables

Distance réticulaire : les plans de la famille (hkl) sont équidistants. Cette équidistance
ou distance interréticulaire notée dhkl diminue lorsque les indices de Miller augmentent.
Simultanément la densité des nœuds dans ces plans diminue figure 13. Un calcul géométrique
analytique permet de calculer la distance interréticulaire dhkl en fonction de h, k, l. elle est
égale pour le système cubique à :

a
dhkl = .
√h2 +k 2 +l2

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Figure 13

Relation de zone : lorsque des plans cristallographiques passent par une même droite, ou
plus généralement lorsque des familles de plans sont parallèles à une même direction [uvw],
on dit qu’elles forment une zone d’axe [uvw] figure 14. La condition analytique pour que les
plans (hkl) appartiennent à la zone d’axe [uvw] s’exprime par : hu + kv + lw = 0.

Figure 14

I.3.3. Nombre de coordination (coordinence) et compacité (densité volumique)

Dans le cas des métaux, tous les atomes ont le même nombre d’atomes premiers voisins
ou contigus, ce qui désigne précisément le nombre de coordination. Le nombre de
coordination caractérise la densité du réseau cristallin, c.-à-d. le volume occupé par les atomes
qu’on peut considérer comme des sphères suffisamment rigide, en d’autre terme, il indique le
nombre d’atomes situés à une distance égale et minimale de l’atome considéré, plus la
coordinence est grande, plus l’empilement des atomes est compact figure 15 (cas d’une
structure CFC).

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Figure 15

La compacité est la fraction du volume des sphères rigides dans une maille élémentaire,
selon le modèle des sphères rigides, ou encore :

volume des atomes d'une maille élémentaire Vs

C= =
volume total de la maille élémentaire Vm

Les métaux possèdent généralement une compacité relativement élevée.

I.3.4. Densité atomique linéaires et planaires ou surfaciques

L’équivalence directionnelle est liée à la densité atomique linéaire en ce sens que des
directions équivalentes ont une même densité linéaire. Le vecteur de direction est placé de
façon à passer par le centre des atomes, d’une part, et la portion de ligne comprise entre ces
atomes est égale à la densité linéaire, d’autre part.

De la même manière, des plans cristallographiques équivalents ont la même densité

atomique planaire (surfacique). Le plan est placé de façon à passer par le centre des atomes.
La densité planaire correspond à la fraction de l’aire totale du plan cristallographique
qu’occupent les atomes (représentés par des cercles). Il importe de se rappeler que la densité
linéaire et la densité planaire constituent de représentations respectivement unidimensionnelle
et bidimensionnelle de la compacité.

I.4. Structures cristallines principales des métaux purs et des alliages

I.4.1. Métaux purs :

Les structures cristallines les plus fréquentes présentées par les métaux purs à l’état solide
appartiennent comme le montre le tableau 3 aux systèmes cubiques et hexagonal. Trois
structures principales sont représentées : structure cubique centrée (CC), la structure à faces
centrées (CFC), la structure hexagonale compacte (HC).

Remarque : les exemples du tableau montrent que les métaux peuvent présenter plusieurs
structures cristallines ; ce phénomène porte le nom de polymorphisme, dans le cas des solides
élémentaires, ce phénomène est souvent nommé allotropie. Ce sont la température et la
pression extérieure qui déterminent la structure cristalline prévalente. Le fer pur qui possède

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une structure CC à la température ambiante, se transforme en fer CFC à 912 °C, comme
indiqué ci-dessous.

273 °C [CC] 912 °C [CFC] 1394°C [CC] 1538 °C

Tableau 3

Pour étudier les structures cristallines, on représente les mailles élémentaires en y plaçant
la position des centres des ions. Il faut faire attention au fait que cette représentation ne met en
évidence la vraie dimension des ions par rapport aux paramètres de la maille. Pour obtenir un
schéma à l’échelle, on dessinera chaque fois les plans de compacité maximale en représentant
les ions par des sphères dures.

I.4.1.1. Structure cubique centrée (CC)

La structure CC (Fig. 16) est définie par un motif élémentaire de 2 ions (l’un à l’origine,
l’autre au centre de la maille). La maille élémentaire comprend 2 ions par maille (1 au centre
+ 8 aux sommets du cube mais appartenant chacun à 8 mailles). Les plans denses sont les
plans {110} et les directions denses, les directions <111>, le nombre de coordination est égal
à 8.

Figure 16

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I.4.1.2. Structure cubique à faces centrées (CFC)

La structure CFC (Fig. 17) est définie par un motif élémentaire de 4 ions (l’un à
l’origine, les trois autres au centre des faces du cube). La maille élémentaire comprend 4 ions
par maille (6 sur les faces appartenant chacun à 2 mailles + 8 aux sommets appartenant
chacun à 8 mailles). Les plans denses sont les plans {111} et les directions denses, les
directions <110>, le nombre de coordination est égal à 12 (compacité maximale).

Figure 17

I.4.1.3. Structure hexagonale compacte (HC)

La structure HC (Fig. 18) est définie par un motif élémentaire de 2 ions. La maille
hexagonale représentative comprend 6 ions par maille (3 à l’intérieur + 2 sur les bases,
communes chacun à 2 mailles + 12 sur les sommets, communs chacun à 6 mailles).

Les plans et les directions denses sont de même type que dans le système CFC. Le
𝟖
nombre de coordination est égal à 12 si le rapport c/a est inférieur ou égal à √𝟑 ≃ 𝟏, 𝟔𝟑𝟑.

Figure 18

I.4.1.4. Comparaison des structures CFC et HC

On remarque figure 19 que les plans denses de ces deux structures sont identiques. On
peut montrer que les structures CFC et HC correspondent aux compacités maximales, c.-à-d.
aux deux manières d’empiler des plans compacts de sphères dans l’espace.

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L’empilement CFC correspond à un empilement de plans denses suivant ABCABCABC…

L’empilement HC correspond à un empilement de plans denses suivant ABABAB…

Figure 19

I.4.2. Structure cristallines des alliages

A part quelques cas particuliers, les métaux sont rarement utilisés à l’état pur, mais sous
forme d’alliages qui sont des matériaux obtenus à partir d’un métal et d’additions métalliques
ou non.

Les alliages sont obtenus à partir de 2 (binaire), de 3 (ternaires), … de n éléments. Ils

peuvent être selon la composition et la température, mono ou polyphasée.

Une phase est une partie d’un matériau physiquement distincte, mécaniquement
séparable, ayant une composition et une structure propres. En excluant l’état liquide qui n’est
que transitoire, on distingue à l’état solide deux types de phases : les solutions solides et les
composés définis dont les domaines de stabilité sont fournis par les diagrammes d’équilibres.

I.4.2.1. Solutions solides

Les atomes de B peuvent entrer en solution dans le réseau de A :

 Soit en occupant les interstices (lire NB) de la structure de A : ce sont les solutions
solides d’insertion figure 20. Elles ne concernent que les atomes de petit diamètre (C,
H, O, N, B) ;
 Soit en se substituant aux atomes de A : ce sont les solutions solides de substitution
figure 21. Elles sont les plus nombreuses. La substitution se fait le plus souvent au
hasard (solution désordonnée), mais dans certains cas les atomes de B occupent des
sites particuliers (solution ordonnée).

I.4.2.2. Composés définis

Ces composés ne sont stables que dans un étroit domaine de composition correspondant à
une stœchiométrie AmBn. Ils sont en général une structure cristalline différente de A et de B.
Nous pouvons citer comme exemple TiC, NbC, fe3C. La figure 22 représente la structure de
composé défini Fe3N.

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Figure 20

Figure 21 Figure 22

I.5. Détermination des indices des plans et directions cristallographiques

I.5.1. Cas des plans cristallographiques

La marche à suivre pour déterminer les indices de Miller h, k, l, pour les plans
cristallographiques est la suivante :

1. Lorsque le plan passe par le point d’origine choisi, il faut soit procéder à une
translation appropriée afin de produire un nouveau plan parallèle dans la maille
élémentaire, soit établir un nouveau point d’origine sur le coin d’une autre maille
élémentaire.
2. A ce point, le plan cristallographique croise chacun des trois axes ou leur parallèle, on
établit la longueur de l’intersection du plan avec chacun des axes sur la base des
paramètres du réseau a, b, et c.
3. On utilise l’inverse de ces nombres. Dans le cas d’un plan parallèle à un axe, son point
d’intersection se situe à l’infini et, par conséquent, l’indice est zéro.

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Chapitre I : Constitutions des matériaux Cours SDM

4. Au besoin, on multiple ou on divise ces trois nombres par un facteur commun pour les
ramener à l’ensemble des plus petits entiers possibles.
5. En dernier lieu, on place les indices exprimés par des nombres entiers entre
parenthèses sans les séparer par des virgules, comme ceci (hkl).

I.5.2. Cas des directions cristallographiques

Les étapes à suivre pour déterminer les trois indices de direction sont les suivantes :

1. On trace un vecteur de longueur appropriée en le faisant passer par le point d’origine

du système de coordonnées. Tout vecteur peut faire l’objet d’une translation sans
modification au sein du réseau cristallin, à condition que le parallélisme soit conservé.
2. On détermine la longueur de projection vectorielle sur chacun des trois axes, et on
exprime la mesure sur la base des dimensions a, b et c de la maille élémentaire.
3. On multiple ou on divise ces trois nombres par un facteur commun, afin de les
ramener aux plus petites valeurs entières possibles.
4. On inscrit ensuite les trois indices, sans les séparer par des virgules, entre des crochets
de la façon suivante : [uvw]. Les entiers u, v et w correspondent aux projections
réduites le long des axes x, y et z respectivement.

Remarque :

Pour le cas des plans cristallographiques, l’inversion de la direction de tous les indices
renvoie à un autre plan parallèle au plan du point d’origine, qui est situé de l’autre coté et à
égale distance de ce dernier la figure 23 présente plusieurs plans à indice peu élevés. Par
contre, pour le cas des directions cristallographiques, l’inversion du signe de tous les indices
produit une direction antiparallèle.
a b c

Figure 23

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Les cristaux cubiques possèdent une caractéristique qui leur est propre : les plans et les
directions ayant les mêmes indices sont perpendiculaires. En revanche, il n’existe aucune
relation géométrique simple entre les plans et les directions ayant les mêmes indices dans les
autres systèmes cristallins.

Les deux étapes mentionnées doivent subir une légère modification pour le cas des
structures hexagonales compactes.

I.5.3. Cas des structures hexagonales

On désigne les plans des structures hexagonales d’une façon légèrement différente de
celle que nous avons décrite plus haut ; afin de mieux distinguer les familles de plans et la
symétrie hexagonale, on utilise des indices appelés indices de Miller-Bravais. Au lieu de
définir les indices à partir de trois axes non coplanaires 𝐨𝐱 ⃗⃗⃗⃗ , 𝐨𝐲
⃗⃗⃗⃗ et 𝐨𝐳
⃗⃗⃗⃗ , on définit les indices de
Miller-bravais à partir de quatre axes, ⃗⃗⃗⃗
𝐚𝟏 , ⃗⃗⃗⃗
𝐚𝟐 , ⃗⃗⃗⃗
𝐚𝟑 et 𝐳⃗⃗ ; les trois premiers sont coplanaires et
forment entre eux des angles de 120° ; le quatrième est normal au plan qui contient ⃗⃗⃗⃗ 𝐚𝟏 , ⃗⃗⃗⃗
𝐚𝟐 et
⃗⃗⃗⃗
𝐚𝟑 figure 24.

Figure 24

Ces indices de plans sont notés (hkil) ; on les obtient de la même façon que les indices
de Miller. Comme les trois indices sont reliés à trois vecteurs de même longueur et
coplanaires (a1, a2, a3), le troisième indice n’est pas indépendant [i = - (h+k)].

I.6. Calcul de la masse volumique

Lorsque la structure cristalline d’un solide métallique a été identifiée, il devient possible
d’en calculer la masse volumique réelle ρ au moyen de l’équation suivante :

𝒏𝑴
𝝆=
𝒗𝒎 𝑵𝑨

Où n = nombre d’atomes associés à chaque maille élémentaire ; M = masse molaire ; Vm

= volume de la malle élémentaire ; NA = nombre d’Avogadro (6,023*1023atomes/mol).

NB : on appelle sites (interstitiels) les espaces libres laissés entre les atomes du réseau.
Un site est un polyèdre dont chacun des sommets correspond au centre des atomes qui
l’entourent.

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