CHAPITRE I : ELEMENTS DE CRISTALLOGRAPHIE

Ce premier chapitre apporte des informations de base sur la cristallographie qui doivent permettre
de comprendre la structure et ses conséquences sur le comportement des électrons dans un cristal.
La cristallographie est la science la plus puissante pour étudier la structure de la matière cristalline
à l’échelle atomique. Grâce aux informations qu’elle apporte, la cristallographie est indispensable
à de nombreuses disciplines, de la physique à la chimie, en passant par la biologie, et permet la
conception de matériaux aux propriétés maîtrisées. Elle est aussi une ressource précieuse pour les
industriels. L’année 2014 a été proclamée par les nations unis année internationale de la
cristallographie.

I. Introduction aux réseaux cristallins

Le fait de rapprocher l’un de l’autre deux atomes, par exemple identiques, à des distances
de l’ordre de grandeur de l’extension spatiale de la fonction d’onde de chacun d’entre eux, va
permettre aux électrons des deux atomes d’interagir, en particulier pour ceux qui sont les
moins liés, c’est-à-dire ceux qui sont situés sur les couches externes. Cette interaction va se
faire dans les directions privilégiées, c’est à dire celles où les électrons ont une grande
probabilité de présence.
La mise en commun des électrons des couches externes va constituer la liaison
chimique, mais aussi légèrement modifier les niveaux d’énergie. Dans le cas de deux atomes
identiques, deux niveaux d’énergie différents vont être créés de manière à répondre au
principe d’exclusion de Pauli. Pour continuer à respecter le principe d’exclusion de Pauli, la
création de nombreuses liaisons chimiques va multiplier le nombre de niveaux d’énergie.
En considérant les électrons des couches externes, suivant la forme et la symétrie de leurs
orbitales, ils peuvent se retrouver dans des situations d’attraction ou de répulsion : attraction
de l’électron par le noyau de l’atome voisin, répulsion par l’électron homologue de son
voisin, par exemple.

II. Réseaux cristallins

1°) Le cristal
Le cristal est un arrangement périodique d’atomes répondant à un certain nombre de symétries qui
sont l’inversion, la rotation, la réflexion dans un parallélépipède. Nous dénombrons 7 classes de
parallélépipèdes ou 7 systèmes cristallins. Le tableau ci-dessous recense ces systèmes qui sont
différentiés par leurs angles et par les dimensions relatives des côtés.
Tableau 1. Les formes géométriques qui définissent les mailles 3D sont au nombre de 7 et
constituent les 7 systèmes cristallins.

Figure 1. Les quatorze réseaux de Bravais tridimensionnels (Auguste Bravais 1848)

Etant donné un point d’un réseau, le nombre de ses plus proches voisins, souvent noté z, est appelé
coordinence. Pour un cubique simple, z = 6. De surcroît, on voit facilement que pour le cubique
centré, un atome a 8 premiers voisins (raisonner avec l’atome au centre du cube avec les huit
atomes situés aux sommets de celui-ci) ; pour le cubique à faces centrées, et raisonnant avec la
base de vecteurs primitifs, on voit que l’atome en (0, 0, 0) a effectivement 12 premiers voisins.
2°) Rangée, nœud, maille, indices de Miller

On considérer trois vecteurs non colinéaires, 𝒂 ⃗,𝒄

⃗ ,𝒃 ⃗ , qui représentent des distances périodiques
suivant les trois directions de l’espace (cf. Figure ci dessous)

Figure 2 : Représentation d’une maille construite sur la base d’un parallélépipède défini par les
⃗ , ⃗𝒃, 𝒄
trois vecteurs non colinéaires 𝒂 ⃗.

⃗⃗ = u𝒂
- nœud : extrémité du vecteur 𝒏 ⃗ +w𝒄
⃗ + v𝒃 ⃗ ,

- rangée : toute droite passant par deux nœuds,

- maille : tout parallélépipède construit sur 3 vecteurs non colinéaires,

- plan réticulaire : tout plan passant par trois nœuds portés par trois vecteurs non colinéaires,

Parallèlement à un plan réticulaire, il existe par translation d’une combinaison linéaire des
vecteurs de base, une infinité de plans réticulaires. Ils constituent donc une famille de plans
réticulaires. C’est la raison pour laquelle il sera choisi le représentant de cette famille qui se
trouve dans la maille élémentaire portée par les trois vecteurs de base des périodicités.

L’équation d’un plan réticulaire peut s’écrire sous la forme :

t = hx + ky + lz avec h, k, l et t entiers relatifs
Si t = 0, le plan passe par l’origine

Si t = ±1, le plan est le premier plus proche de l’origine.

- indices de Miller : le plan réticulaire est défini par son vecteur directeur qui a les
coordonnées entières suivant les 3 directions de l’espace, h, k, l. Par commodité, on
appellera ce plan (h, k, l).
Les nombres entiers relatifs, h, k, et l sont appelés indice de Miller.
La figure 3 montre la position du plan appelé (2,3,1) qui est représenté en pratique dans la
⃗ , ⃗𝒃, 𝒄
maille élémentaire parallélépipédique définie par les vecteurs 𝒂 ⃗.

Figure 3 : exemple de représentation d’un plan réticulaire dans une maille élémentaire. Le plan
d’indice (2,3,1) est représenté dans la première maille élémentaire comme indiqué sur la figure.
Un plan du cristal est désigné par les indices (hkl). De ramener la famille de plans à la première
maille permet de simplifier énormément les représentations.
Les indices de miller
Figure 4. Indices de quelques plans importants d’un cristal cubique (les plans réticulaires).

III. Réseau réciproque

Le réseau réciproque prend toute son utilité dans l’étude des phénomènes de propagation
électromagnétique dans le réseau cristallin ; en effet, l’analyse des réseaux depuis le début de
la cristallographie s’effectue essentiellement par analyse d’un faisceau de photons diffractés.
L’interaction photon-atome transforme le faisceau et aboutit à une transformée de Fourrier du
faisceau de photon incident. L’image du réseau n’est plus dans ce cas une image directe, mais
une image transformée. Cette nouvelle image du réseau, qui sera celle observée par les
cristallographes est appelée réseau réciproque. En d’autres termes, l’image d’un réseau
cristallin, donne aussi un réseau contenant des nœuds, mailles etc.. mais qui sera de type
différent de celui du réseau dit direct.
Par définition, le réseau réciproque est défini par ses vecteurs unitaires en utilisant la
notation de Dirac :

L’astérisque repère les vecteurs élémentaires du réseau réciproque.

Le terme 2π provient de la propagation des ondes et de la transformée de Fourrier, et apparaît ici
afin de simplifier les écritures; ainsi :
Propriétés intéressantes :
- le réseau réciproque du réseau réciproque est le réseau direct,
- une rangée du réseau réciproque est perpendiculaire à la famille des plans réticulaires
de même indice du réseau direct,

𝑟* vecteur de réseau réciproque

- la relation entre les volumes des mailles est issue du produit mixte et fait apparaître le
coefficient (2π)3 :
v*v=(2)3

⃗ , ⃗𝒃, 𝒄
où v est le volume d’une maille définie par les axes 𝒂 ⃗ est : v=𝒂 ⃗ 𝒄
⃗ .(𝒃 ⃗)
Pour définir correctement un vecteur orthogonal à un plan réticulaire (hkl), il convient d'introduire
la base réciproque 𝒂*, ⃗𝒃*, 𝒄 ⃗ , ⃗𝒃, 𝒄
⃗ * associée à la base 𝒂 ⃗ du réseau. La base réciproque est définie
comme suit :
⃗ 𝒄
⃗ *= 2 𝒃
𝒂 ⃗ *= 2 𝒄
⃗ /v, 𝒃 ⃗ 𝒂 ⃗ /v
⃗ 𝒃
⃗ /v, c*= 2 𝒂

IV. Zone de Brillouin

Cette zone se détermine dans le réseau réciproque. En effet, la zone de Brillouin va

correspondre au domaine d’influence d’un atome sur les autres atomes voisins. Il faudra
raisonner sur les énergies, et donc en fonction des fonctions d’onde. Intuitivement, plus les
atomes sont éloignés de l’atome considéré, moins ils auront d’influence. Nous allons ainsi définir
des zones d’influence, donc essentiellement avec les plus proches voisins. La notion
même de fonction d’onde, rappelle que la quantité de mouvement est très étroitement liée au
terme spatialement dépendant de la fonction d’onde. L’espace des phases (les vecteurs k) va
en pratique correspondre à celui du réseau réciproque (son origine en fait).
Par définition, la zone de Brillouin, est la maille de Wigner-Seitz correspondante. Cette
maille est déterminée par les plans médiateurs entre les plus proches voisins d’un atome. Pour
simplifier cette présentation, nous pouvons prendre l’exemple d’un réseau bidimensionnel et
carré.

La figure 5 met en évidence la première zone de Brillouin repérée par 1 et la deuxième

zone repérée par 2, délimitées dans ce cas par les médiatrices (des droites).
Figure 5 : Représentation dans un réseau bidimensionnel des deux premières zones
de Brillouin, notées 1 et 2 sur la figure. Elles sont obtenues à partir de la construction
de médiatrices successives entre les plus proches voisins. Médiatrices verticales et
horizontales pour la zone 1, à π / 4 pour la zone 2. Construction de la 1ere zone de Brillouin pour
un réseau cubique et hexagonal 2D.

Figure 6. La première zone de Brillouin est définie de manière unique comme la maille
primitive dans l'espace réciproque
V. Diffraction dans un cristal
La périodicité spatiale des atomes du réseau cristallin va permettre après diffraction d’une
onde incidente, d’obtenir, dans une direction donnée, des ondes secondaires cohérentes entre
elles, et donc des phénomènes d’interférence. La différence de chemin optique est calculée
entre deux rayons diffractés par les atomes dans la même direction, comme présenté sur la
figure 7.
 est l’angle entre le faisceau incident et le plan de cristal

Figure 7 : Phénomène de diffraction dans un réseau. Entre deux plans consécutifs, la

différence de chemin optique (égale à un multiple de longueur d’onde) crée des phénomènes
d’interférence dans une direction donnée.
Le Rayonnement n’est diffracté que dans des directions privilégiées.

2 d sin = n 

Cette formule est appelée formule de Bragg. L’entier n est appelé ordre de la réflexion
correspondante.

Remarque : il faut que la longueur d’onde, λ, soit du même ordre de grandeur que la distance entre
les plans réticulaires, d. Il faut donc que λ soit de quelques Angström au maximum. Il sera possible
d’observer de la diffraction avec des rayons X ou avec des faisceaux d’électrons suffisamment
énergétiques. Rappelons que la longueur d’onde associée à un faisceau d’électrons est donnée par
la formule issue des relations de PlanckEinstein :
12.4
= 𝑒𝑛 𝐴𝑛𝑔𝑠𝑡𝑟ö𝑚
(𝑒𝑉)
Il sera donc possible d’obtenir de la diffraction avec des tensions d’accélération de quelques 100V
à quelques kV, ce qui est tout à fait contrôlable dans un microscope électronique à balayage.

VI. Représentation du cristal de silicium

Le cristal de silicium va représenter dans le cadre de ce cours un élément privilégié
puisqu’une écrasante majorité des dispositifs microélectronique fabriqués à ce jour sont à
base de ce matériau semiconducteur. L’aspect semiconducteur sera justifié plus loin.
Le cristal de silicium est composé de liaisons entre les atomes qui constituent un tétraèdre
régulier. La structure du cristal est identique à celle du diamant, que l’on appelle aussi zinc-blende,
comme présenté figure 5 (d = 2 ,35Å).

Figure 8 : Structure cristalline du silicium, similaire à celle du diamant. Les atomes de silicium sont disposés au
sommet d’un tétraèdre régulier.

Figure 9 : Structure cubique faces centrées décalée de ¼ suivant la première

diagonale. Dans l’angle inférieur gauche de la figure, nous retrouvons maintenant le
motif du tétraèdre. L’atome situé sur la première diagonale est relié à ses plus
proches voisins.
Il est alors facile de détecter le tétraèdre (visible en bas à gauche sur la figure) construit à
partir de l’origine du premier cube, de l’origine du deuxième cube et des trois atomes centrés
sur les faces du premier cube, qui sont alors les plus proches voisins. La structure tétraédrique
peut être ainsi construite pas à pas à partir de ce premier motif. Notons, que nous observons le
début d’un tétraèdre équivalent à partir du deuxième sommet du premier cube (en bas à droite
de la figure).
Une façon simplifiée de décrire ce réseau consiste à dire que c’est un réseau cubique à face
centrée avec un motif élémentaire comportant deux atomes distants d’un quart de la diagonale
principale et dans sa direction.
Un plan réticulaire repéré par les indices (1,0,0) sera perpendiculaire au vecteur de
coordonnées (1,0,0) et sera donc parallèle à la face du cube passant par l’origine et perpendiculaire
au plan du dessin. C’est dans ce plan que seront fabriqués préférentiellement les transistors MOS
(Métal Oxyde Semiconducteur).
Selon les conditions de pression et de température, le nombre de liaisons covalentes, la charge
statique, les éléments cristallisent selon un motif élémentaire particulier. On distingue en
cristallographie 14 réseaux de Bravais ; 14 façons d’organiser la matière selon des motifs réguliers.
Le silicium et le germanium, cristallisent selon une maille appelée « diamant ».
Le graphite est l’un des deux minéraux naturels composés uniquement de carbone (C), l’autre étant
le diamant. Même si le diamant et le graphite ont la même composition chimique, la disposition
de leurs atomes de carbone diffère beaucoup.