Module: Phénomènes de diffusion

Chapitre 1 : Les défauts de la microstructure cristalline

Chapitre 2 : Les lois de diffusion dans les matériaux
cristallins (les lois de Fick) ;
Chapitre 3 : Mécanismes de diffusion dans les solides
cristallins.
Chapitre 4 : La théorie atomique de la diffusion dans les
solides.
Chapitre 5 : Application du phénomène de la diffusion dans
différents domaines.
Chapitre 6 : La diffusion dans les alliages.
Chapitre 1 : Les défauts de la
microstructure
1. Introduction: L’arrangement atomique dans un cristal réel s’écarte localement de la
structure du cristal idéal en raison de la présence de défauts dans la structure cristalline
 modifient de manière considérable les propriétés des matériaux.
Les défauts de structure couramment rencontrés dans les cristaux sont de quatre types:
• Les défauts ponctuels sont de l’ordre de grandeur du volume d’un atome.
• Les défauts linéaires ou dislocations sont des perturbations de la structure du cristal
situées le long d’une ligne d’atomes ou d’une rangée réticulaire.
• Les défauts bidimensionnels ou défauts plans mettent principalement en jeu des
imperfections comme celles situées a l’interface séparant deux cristaux.
• Les défauts tridimensionnels qui sont introduits lors de l’élaboration des matériaux.
2. Défauts Ponctuels
- Lacunes et atomes étrangers
 Lorsqu’un défaut existe à l’échelle d’un atome, on parle alors d’un défaut ponctuel, en
dépit du fait que ce défaut occupe un certain volume.
 Comme tous les défauts, les défauts ponctuels déforment le réseau et génèrent un
champ de contrainte dans le cristal qui englobe un volume largement plus grand que
celui du défaut même.
 On distingue trois types principaux de défauts ponctuels:
• La lacune caractérise l’absence d’un atome d’un site normal du réseau cristallin.
• L’interstitiel apparait lorsqu’un atome étranger de petite taille s’insère dans les espaces
vides du réseau cristallin. Lorsqu’un atome constitutif du cristal est place en insertion,
on a affaire a un auto-interstitiel.
• L’atome en substitution résulte du remplacement d’un atome constitutif du cristal
placé en position régulière par un atome étranger.

Figure 1: Point defects: (a) vacancy, (b) interstitial atom, (c) small substitutional atom,
(d) large substitutional atom, (e) Frenkel defect, and (f ) Schottky defect.
A la température ambiante la concentration des lacunes est faible mais elle augmente
avec l’augmentation de la température suivant la loi :

Avec nv: le nombre des lacunes par cm3;

Qv est l’énergie nécessaire pour produire une mole de lacunes (cal/mol ou Joules/mol);
R est la constante des gaz parfait (1.987cal/molK ou 8.31Joules/molK);
T la température absolue (K).
Exercice 1: Calculer la concentration des lacunes dans le Cu à T = 25 °C. A quelle
température devons nous chauffer le Cu pour avoir une concentration des lacunes 1000
fois supérieure à celle de 25 °C.
Données: l’énergie de formation d’une mole de lacune dans le cuivre est 20000 cal et
acu = 0.36151 nm. La constante des gaz parfaits R = 1.987cal/mol/K = 8,31987J/mol/K.
Exercice 2: Calculer le nombre de lacune/cm3 nécessaire dans le fer CC
pour avoir une densité de l’ordre de 7, 8 g/ cm3 sachant que le paramètre
cristallin est a = 2,866 x 10-8 cm (la masse molaire du fer est M = 55,847
g/mol.
Exercice 3: Dans le fer CFC, les atomes de carbone occupent les site
octaédriques (les centres des arrêtes : sites ((1/2, 0, 0) et le centre du
cube (1/2, 1/2, 1/2). Dans le fer CC, les atomes c occupent
préférentiellement les sites tétraédriques comme (1/4, 1/2, 0). Le
paramètre cristallin du fer CFC est 0.3571 et celui du fer CC est 0.2866
nm.
Dans quelle structure la distorsion est plus importante sachant que le
rayon atomique des atomes de c est 0.071nm?
Quelle sera la concentration maximale en c dans chaque structure si on
considère que tous les sites interstitiels doivent être occupés?
Amas de défauts:
Il peut y avoir des combinaisons plus complexes de défauts, que l'on appelle «amas» ou
de «complexes» (cluster).
Exemples:
 Les amas lacunes-atomes solutés: dans les alliages d’aluminium.
 L'amas (4:1) de la wüstite (oxyde de fer FeO), composé de 4 lacunes de fer VFe et d'un
atome de fer interstitiel Fei.
Les défauts linéaires:
Les défauts linéaires concernent une rangée d'atomes. Les dislocations sont les seules
défauts linéaires. Le concept de Dislocation est introduit théoriquement avant d’être
démontré expérimentalement pour expliquer certaines phénomènes comme la
déformation des matériaux et la croissance des cristaux.
Définition: La dislocation est un défaut du cristal qui résulte d’une perturbation de la
structure centrée autour d’une ligne (rangée réticulaire).

Electron micrograph showing a dislocation

in silver, imaged as a dark line. The small
triangular features that decorate the
dislocation are stacking faults formed by
the aggregation of point defects. [From W.
Sigle, M. L. Jenkins, and J. L. Hutchison,
Phil. Mag. Lett., 57 267 (1988).
a. La Dislocation vis (Screw Dislocation):
Le déplacement des atomes se fait parallèlement à la ligne de dislocation, on induit une
torsion hélicoïdale du cristal. Ce défaut linéaire est appelé dislocation-vis.
La dislocation-vis ne contient pas de plan supplémentaire: les plans réticulaires
perpendiculaires à la ligne de dislocation sont légèrement déformés et s’enroulent en
spirale le long de la ligne de dislocation prise comme axe.
- Le vecteur de Burgers d’une dislocation vis est toujours // à la ligne de dislocations.

Les dislocations vis se déplacent dans une direction

perpendiculaire au vecteur de Burgers et elles se déplacent
dans les plans définis par le vecteur de Burgers et la ligne
de dislocation  la dislocation vis possède plusieurs plans
de glissement.
b. La Dislocation coin (edge dislocation) :
La figure ci contre schématise une dislocation-coin (symbole
⊥) avec le plan supplémentaire au-dessus du plan de
déplacement. Dans la partie du cristal située au-dessus de la
ligne de dislocation, le cristal est en compression. En
dessous de la ligne de dislocation, au contraire, les atomes
sont écartés et le cristal est en traction. Le déplacement des
atomes en dehors de leur position d’équilibre au voisinage de
la ligne de dislocation augmente par conséquent l’énergie
interne du système.
Si on fait une rotation de 180 ° autour de la ligne de
dislocation, on obtient une dislocation-coin négative
(symbole ⊥ ).
- Le vecteur de Burgers d’une dislocation coin est toujours
perpendiculaire à la ligne de dislocation .
- Le plan de glissement d’une dislocation coin est celui défini
par la ligne de plissement et le vecteur de Burgers.
c. La Dislocation mixte (Mixed dislocation):
C’est-a-dire une dislocation ayant en même temps
une composante-vis et une composante-coin

Le vecteur de Burgers:
Le vecteur qui caractérise l’amplitude, la direction et le sens du déplacement des atomes
de la dislocation est appelé vecteur de Burgers, b. On le détermine par la méthode dite
du circuit de Burgers.
La figure ci-dessous représente un plan réticulaire perpendiculaire à la ligne de
dislocation. Le circuit de Burgers, qui se parcourt, par convention, dans le sens des
aiguilles d’une montre, s’effectue au départ d’un atome quelconque du plan réticulaire
et il comporte un nombre de pas identique dans toutes les directions :

(a) (b) (c)

- Si le circuit est effectué dans un plan réticulaire d’un cristal parfait (Figure (a)), on
revient à l’atome de départ et le vecteur b = 0.
- Si le circuit est effectue autour d’une dislocation-coin (Figure (b)) ou d’une
dislocation-vis (Figure (c)), on ne revient pas à la fin du circuit à l’atome de départ et le
défaut de fermeture du circuit est un vecteur qui définit le vecteur de Burgers.

- Si une dislocation prend la forme d’une boucle elle

change de caractère le long de la ligne (figure ci- contre).
Ainsi, on observe qu’en A, la dislocation a un caractère
exclusivement vis, tandis qu’en B, elle a uniquement un
caractère coin. Entre A et B la dislocation est de type
mixte, c’est-a-dire intermédiaire entre vis et coin.

-Il est très important de noter qu’une dislocation ne se termine jamais à l’intérieur d’un
cristal. Elle s'étend d’une surface à une autre surface (qui peut être une interface comme
un joint de grain).
- On montre également que le vecteur de Burgers reste constant sur toute la longueur de
la dislocation : le déplacement des atomes est le même, bien que la ligne change de
direction.
-Il existe un autre type de boucle de
dislocation qui reste immobile dans le cristal.
Sa formation s’explique de la manière
suivante :
- lorsqu’on refroidit un métal qui se trouve à
température élevée, un nombre important de
lacunes doit disparaitre puisque la
concentration d’équilibre en lacunes décroit
fortement lorsque la température diminue.
Plusieurs mécanismes peuvent intervenir pour
éliminer les lacunes excédentaires (par
exemple migration à la surface).
-Pour les lacunes qui se trouvent à l’intérieur
du cristal, il existe un mécanisme
d’élimination qui fait intervenir leur
regroupement en amas lenticulaires dans un
plan atomique.
- Cette boucle lacunaire a une configuration
entièrement coin, son vecteur de Burgers b est
perpendiculaire au plan de l’amas.
Mouvements des dislocations:
- Le processus de déplacement des dislocations dans leurs plans de glissement constitue
la base du mécanisme de la déformation plastique à basse température (T < 0,4 Tm) dans
la plupart des matériaux cristallins, les métaux principalement.
- La déformation plastique entraine un changement permanent de la forme du matériau.
Si le nombre des dislocations glissiles est élève, la formation de multiples marches
microscopiques donne lieu a un changement de la forme macroscopique.
-La déformation plastique est facilitée par la présence de dislocations : en leur absence,
il faudrait appliquer des contraintes de cisaillement très élevées pour déplacer une partie
du cristal par rapport à l’autre, car il serait nécessaire de rompre simultanément toutes
les liaisons adjacentes au plan de glissement, ce qui demanderait des contraintes de
l’ordre du G/10. Cependant, la déformation plastique des cristaux métalliques s’opère
sous l’action de contraintes beaucoup plus faibles que E/10 en raison du déplacement
aise des dislocations présentes dans ce type de matériau.
- le processus par lequel les dislocations se déplacent est dit le glissement.
- la direction dans laquelle le glissement aura lieu est dite direction de glissement,
- durant le glissement, la dislocation balaye le plan formé par la ligne de dislocation et
le vecteur de Burgers, ce plan est le plan de glissement.
- La combinaison entre le plan et la direction de glissement forme le système de
glissement:
- Pour les dislocations vis où b // la ligne de dislocation , la ligne de dislocation se
déplace dans un sens  à b, bien que la déformation résultante est // à b.
- Pour une dislocation coin où b  à la ligne de dislocation, le glissement se fait suivant
la direction du vecteur de Burgers et dans le plan formé par b et la ligne de dislocation.
La déformation résultante est // à b.
-La figure ci-dessous montre de manière schématique comment la présence de
dislocations facilite la déformation plastique. Lors du passage d’une dislocation-coin à
travers un cristal, il y a peu d’atomes impliques et peu de liaisons à rompre
simultanément.

- Il faut souligner que le mouvement des dislocations se fait toujours dans une direction
perpendiculaire à la ligne de dislocation. La formation de marches à la surface d’un
cristal prismatique après le passage de dislocations ne donne aucune information sur le
type de dislocations qui a traverse le cristal.
- Lorsque la dislocation a traversé le cristal, on aboutit, dans les deux cas, à la formation
de la même marche de glissement de profondeur égale au vecteur de Burgers.
- Le déplacement de la ligne de dislocation est toujours  à celle-ci et est parallèle à la
force appliquée dans le cas de la dislocation-coin et  dans le cas de la dislocation-vis.
-Dans le cas des cristaux métalliques (a liaisons isotropes), les plans de glissement
préférentiels des dislocations sont des plans cristallographiques de densité atomique
élevée: plans {111} pour les cristaux CFC, plans {110} pour les cristaux CC et plans
{0001} pour les cristaux HC.
- Dans le cas des cristaux ioniques, le mouvement des dislocations est beaucoup moins
aise car le système de glissement effectif ne dépend pas uniquement de la densité
atomique. Les modes de glissement favorisés sont ceux qui ne mettent pas en contact
des ions de même signe. Ainsi, dans le cas du cristal CFC de MgO ou de NaCl, les
plans de glissement sont les plans réticulaires {110}.
- Dans les cristaux à liaison covalente, le caractère oriente des liaisons rend difficile le
déplacement des dislocations. C’est pour ces diverses raisons que les céramiques
ioniques et covalentes ont peu de dislocations et que leur mobilité est très faible. La
déformation plastique des céramiques est très difficile, c’est-a-dire que ces matériaux
ont généralement un comportement fragile. Ce n’est qu’a des températures très élevées
que l’on observe une déformation plastique importante.
- Les polymères semi-cristallins sont, dans un grand nombre de cas, des matériaux
fragiles. Dans ces matériaux, le mouvement des dislocations est fortement limite par la
présence des chaines et, de plus, leur propagation sur de grandes distances est rendue
plus difficile en raison de la présence d’une phase amorphe intercristalline. Il faut
cependant noter que la présence de dislocations a été mise en évidence
dans les polymères notamment dans le cas des monocristaux.
- Les dislocations se déplacent sous l’effet des contraintes de cisaillement dites les
contraintes de Peierls-Nabarro stress données par la relation suivante:

Avec :  la contrainte de cisaillement nécessaire pour le glissement, d la distance

interplanaire, b la longueur du vecteur de Burgers et c et k sont des constantes
caractéristiques du matériaux.
- Le glissement de dislocations se produit dans les systèmes de glissement nécessitant la
plus faible valeur de . Plusieurs paramètres déterminent le système de glissement le
plus favorable:
i) la contrainte  augmente en exponentiel avec l’augmentation de la longueur du
vecteur de Burgers  la direction de glissement doit avoir la plus courte distance
interatomique  la direction de glissement est la direction ayant la grande densité
linéaire.
ii) La contrainte nécessaire pour faire glisser une dislocation diminue
exponentiellement avec la distance interplanaire des plans de glissement  le
glissement se produit plus facilement entre les plans atomiques ayant une distance
interplanaire relativement grande  les plans atomique les plus denses sont les
plans de glissement les plus favorables.

Le tableau suivant résume les systèmes de glissement pour certaines structures

cristallines.
iii) Le glissement des dislocation est relativement difficile dans les matériaux comme
SiO2 et les polymères ayant des liaisons covalentes à cause de la force et nature
directionnelle de ces liaisons  le matériau se casse avant que la contrainte nécessaire
de glissement soit atteinte.
iv) Dans la majorité des polymères, la déformation se produit lorsque les chaines
deviennent séparées et donc étendues. Le glissement des dislocations joue un rôle
mineur dans la déformation.
v) Les matériaux ayant des liaisons ioniques (MgO par exemple) sont résistant à la
déformation par glissement des dislocations : (i) le déplacement des dislocations
perturbe l’équilibre électrostatique, (ii) durant le glissement des ions de même charge
passent les uns près des autres  répulsion, (iii) le vecteur de Burgers est très
important.
Exercice 1:
Calculer la longueur du vecteur de Burgers dans le Cuivre (a = 0.36151 nm).
Exercice 2:
La densité planaire du plan (112) du Fe CC est 9,94 x 1014 atoms/cm2. Avec un
paramètre cristallin a = 0.2866 nm. Calculer (1) la densite des plans (110) et (2) La
distance interplanaire des plans (112) et (110). Sur quel plan le glissement aura lieu?
La densité des dislocations:
La densité des dislocations ρ est une mesure de la longueur totale des lignes de
dislocations par unité de volume. Cette densité de dislocations s’exprime donc par:
ρ = longueur des dislocations / volume du cristal.
Dans les métaux, la densité de dislocations augmente considérablement durant la
déformation plastique. Dans un métal recuit, la densité ρ est de 105 à 106 cm–2. Après
une déformation plastique importante, on a déterminé que la densité maximale des
dislocations est de l’ordre de 1012 cm–2. Dans un cristal déformé il y a environ 1020
atomes par cm3 qui sont affectes par les dislocations. Comme 1 cm3 d’un cristal
métallique contient environ 1023 atomes  la fraction des atomes perturbes (~10–3)
reste relativement faible et la structure cristalline est en majeure partie préservée.
 Les défauts surfaciques
Types les plus courants de défauts surfaciques :
Surfaces libres;
Interfaces entre phases;
Joints de grains = interfaces entre grains;
Fautes d’empilement et macles.
a. Surfaces libres:
- Perturbation du voisinage des atomes de surface
- Perte de certains premiers et seconds voisins
- Energie importante
-Adsorption facile d’espèces chimiques ou de particules.
- L’énergie de surface d’un cristal dépend de l’orientation du cristal sous-jacent qui
gouverne la réactivité de la surface (oxydation par exemple): principe de la révélation
des grains par attaque chimique.

Microstructure obtenue par microscopie

optique après attaque oxydante
b. Interfaces interphase:
- La structure de l’interface dépend de la structure et de la cristallographie des phases
- On distingue trois types de joints d’interphase:
c. Joints de grains:
-un grand nombre de matériaux ont une structure polycristalline, c’est-a-dire une
structure formée de cristaux de petite taille (grains).
-Les régions ou les grains se touchent sont appelées joints de grains. Ceux-ci
constituent des zones de transition caractérisées par une structure plus ou moins
perturbée permettant l’accommodation géométrique et cristallographique des cristaux.

- Les grains ont la forme de polyèdres à facettes multiples et la structure du joint

dépend de l’orientation des faces de ces polyèdres, les unes par rapport aux autres.
- Si on considère le degré de désorientation, on peut distinguer deux types de joints de
grain: les joints de et les sous-joints. La différenciation entre sous-joints et joints se fait
en général sur la base de la valeur de l’angle de rotation  entre les grains situes de
part et d’autre du joint. Si θ est inferieur à 10°, on considère qu’il s’agit de sous-joints.
-Il existe deux types de joints : les joints de flexion qui contiennent l’axe de rotation des
grains (c-ad l’angle désorientation est perpendiculaire au plan du joint) et les joints de
torsion qui sont perpendiculaires a cet axe (c-ad l’angle désorientation est parallèle au
plan du joint) .

Types de joints:
-(a) joint de flexion;
-(b) joint de torsion.

- Les sous joints ou les joints de faible angle peuvent être

décrits en termes de réseaux de dislocations. On distingue
entre sous-joints de flexion, dont la structure peut être
considérée comme un ensemble de dislocations-coin
parallèles, et sous-joints de torsion, caractérises par un
réseau de dislocations-vis. Nous nous limiterons au cas
des joints de flexion
- Les atomes sont moins liés à travers le joints de grains que le reste du grain et sont
donc dans un état énergétique plus élevé que les atomes du grain  une certain énergie
du joint de grain  la valeur de cette énergie dépond du degré de désorientation entre
les grains voisins: elle est plus importante quand  est importante.
-À cause de l’énergie de surface de J.G. l’attaque chimique des JG plus rapide que le
cristal.
- Les J.G. sont des sites préférentielles pour la ségrégation atomes impureté à cause de
leur grande énergie.
- Les matériaux à gros grains ont une énergie plus faible que celle des matériaux à petit
grains.
Fautes d’empilement:
Ces défauts sont spécifiques des structures CFC ou HCP où le réseau est le résultat
d’un empilement de plans compacts suivant la séquence ABCABC… (dans le cas de
CFC) et ABAB… (dans le cas de HCP). Une faute d’empilement sera constituée par
une séquence anormale comme le montre la figure ci-dessous.

Faute d’empilement

Les macles:
- Les joints de macles sont un type de JG à travers
lesquels il y a une symétrie miroir de telle sorte que le
grain situé d’une coté du joint de macle est l’image
miroir du grain situé dans l’autre coté. La région située
entre ces joints est dite macle.

-Les macles peuvent se produire durant la croissance des cristaux ou durant la

déformation.
-Le maclage se produit dans des plans cristallographiques définis et suivant des
directions spécifiques qui dépondent de la structure cristalline.
-Un cisaillement parallèle au joint de macle peut produire une macle en particulier si le
glissement est difficile à démarrer ou à se propager dans cette direction et ce plan
particulier.
- le cisaillement du réseau est uniforme c’est-à-dire que le déplacement d’un nœud du
réseau est proportionnel à la distance au joint de macle et parallèle à celui-ci.
- On peut observer les macles de recuit dans les métaux de structure CFC alors que les
macles de déformation sont observées dans les métaux de structure CC et HCP.