Les Défauts dans les cristaux

La structure cristalline des matériaux solides a jusqu’ici été supposée parfaite. Elle le sera,
sauf mention contraire, dans toute la suite de ce document. Mais il faut garder présent à
l’esprit que ceci est une simplification des cristaux réels. En effet, les cristaux réels
présentent des défauts cristallins qui sont à l’origine de certaines propriétés des matériaux.

Le principal défaut, inévitable, est créé par les surfaces libres du matériau, qui rompent la
périodicité du cristal. A ce défaut dû aux surfaces, il faut ajouter ceux, en volume, qui
rompent également la périodicité du réseau cristallin.

Dans ce chapitre, nous abordons tout d’abord les défauts ponctuels dans le cristal. Ils
permettent d’expliquer les phénomènes de diffusion, qui sont par exemple utilisés dans les
semi-conducteurs extrinsèques lors du dopage ( chapitre suivant). Ensuite, les défauts
linéaires, ou dislocations, sont brièvement décrits. Puis, on décrira ,les défauts surfaciques ,
tels que les fautes d’empilement ,et on clôtura avec les Défauts volumiques.

I. Défauts ponctuels (dimension 0)

1. Définition

On désigne par défaut ponctuel une perturbation de la périodicité cristalline dont le volume
est de l’ordre de grandeur du volume atomique. Les principaux défauts ponctuels sont
décrits dans ​la figure 1​ :
– ​Les lacunes correspondent à l’absence d’un atome dans un site normalement
occupé.
– ​Les interstitiels ​sont des atomes en excès occupant un site du cristal normalement
vide. Ce peut être un atome étranger (le carbone en insertion dans le fer se place au centre
des arêtes ou au centre des faces de la maille cubique centrée du fer, voir chapitre 5) ou un
atome du cristal de base (on parle alors d’auto-interstitiel).

​ Figure 1. Différents types de défauts ponctuels

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 – les atomes en substitution remplacent certains sites atomiques du cristal de
départ. Ce sont donc nécessairement des atomes étrangers. Des atomes étrangers en
substitution sont par exemple utilisées pour doper un cristal semi-conducteur ( objectif du
chapitre suivant ).

L’introduction d’un défaut ponctuel dans un cristal supposé parfait augmente son énergie
d’une quantité ∆E appelée énergie de formation du défaut. Mais il augmente aussi l’entropie
de configuration puisque l’objet peut être placé en différents lieux, et parfois de différentes
manières.

Dans le cas le plus simple et le plus courant où cet objet (atome étranger ou lacune) occupe
un site atomique (en substitution) et possède la symétrie de l’atome qu’il remplace, cette
variation d’entropie calculée pour n objets identiques disposés sur N sites atomiques.

Autour de chaque type de lacune dans un cristal ionique, les ions sont légèrement déplacés
du fait de la modification des attractions coulombiennes en jeu.

Figure 2. Lacunes cationiques et anioniques dans un cristal ionique

II. Les Défauts Linéaires ou ​Dislocations​ (dimension 1)

​ 1. Concept

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Figure 3. Cisaillement d’un cristal en 2D. Le comportement est élastique (réversible),
puis plastique (irréversible), lorsque la contrainte appliquée augmente

Pour introduire le concept de dislocation, il est intéressant de chercher à calculer la limite

d’élasticité d’un cristal. Cette limite d’élasticité correspond au seuil d’effort (ou de contrainte)
à partir duquel le cristal subit un changement de forme irréversible. Ceci est illustré en 2D
dans ​la figure 3​. Le cristal est cisaillé par une contrainte dite de cisaillement, ou cission, τ .
A partir d’une certaine valeur, le changement de forme demandé ne pourra plus être réalisé
que par glissement d’un plan atomique sur l’autre. Dans ce cas, lorsque la contrainte de
cisaillement est relâchée, la forme du solide, après le retour élastique, a changé de façon
irréversible. On peut donc imaginer que la limite d’élasticité du cristal sera la contrainte limite
à partir de laquelle les plans atomiques glisseront les uns sur les autres.

Pour expliquer la limite d’élasticité anormalement basse des métaux, les scientifiques ont
imaginer un mécanisme dans lequel le déplacement d’un plan atomique sur un autre se fait
par propagation d’une vague plutôt que d’un seul bloc. On imagine aisément que pour
déplacer un tapis sur le sol, il est plus facile de faire propager une bosse d’un bout à l’autre
que de le déplacer d’un bloc. Ceci est illustré dans l​a figure 4.

Figure 4. Déplacement d’un tapis sur le sol d’une quantité u par propagation d’une
onde

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 ​ 2. Définition
Dans les cristaux, le principal mécanisme de déformation plastique est le mouvement de
défauts linéaires (comme l’onde dans ​la figure 4​) appelés dislocations. Il n’y a pas de
déplacement en bloc d’une partie du cristal par rapport à l’autre, comme dans ​la figure 3.

Figure 5. Dislocations coin

Il existe deux principaux types de dislocations : les dislocations coin et les dislocations vis.
Celles-ci sont schématisées dans ​les figures 5 et 6​. On remarque sur ces figures que leur
déplacement sous l’effet d’une contrainte de cisaillement n’est pas le même.Les dislocations
coins se déplacent parallèlement à la contrainte de cisaillement appliquée, alors que les
dislocations vis se déplacent perpendiculairement à celle-ci. En revanche, les deux types de
dislocation se déplacent dans le même plan, appelé ​plan de glissement​.

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 Figure 6. Dislocations vis

En fait, dans un matériau, les dislocations sont rarement purement coin ou purement vis.
Elles sont le plus souvent mixtes, et forment des courbes dans le cristal. Elles ont une
longueur finie, car elles sont ancrées de chaque côté par un défaut tel qu’un atome ou un
arrangement d’atomes étrangers. ​La figure 7 montre des dislocations observées au
microscope électronique en transmission.

Figure 7. Observation de lignes de dislocations dans un acier inoxydable

(a), et d’une dislocation coin dans l’aluminium (b)

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III. Défauts planaires ou surfaciques (dimension 2)

Un défaut planaire correspond à une région perturbée du cristal dont le volume est
comparable à celui d’un plan d’atomes. Des exemples de défauts planaires sont les surfaces
libres qui limitent un échantillon cristallin réel ou ​les joints de grains​, surfaces frontières
entre les cristallites constituant les échantillons polycristallins ​[Figure 8a]​. ​Les défauts
d’empilement sont également courants dans les structures compactes formées par les
métaux [​Figure 8b]​.

(a) (b) Figure 8 : (a) ​Représentation schématique de l’arrangement des atomes au niveau
d’un joint de grain dans un échantillon polycristallin. Le joint de grain, zone située entre deux
cristallites adjacents, est un défaut qui correspond à la fois à une discontinuité d’orientation
cristalline et à une zone dans laquelle les positions relatives des atomes ne correspondent
pas aux positions d’équilibre minimisant le potentiel d’interaction. ​(b) ​Défaut d’empilement
produit par l’absence d’un plan C dans la séquence …ABC ABC A… constituant une
structure cubique compacte.

IV. Défauts volumiques (dimension 3)

.
❏ Les pores sont des «bulles» dans la matière. Cela peut être des cavités de vide,
obtenues par condensation de lacunes. En effet, si le cristal contient de nombreuses
lacunes, celles-ci diffusent et se regroupent pour former une cavité vide. Les pores
peuvent aussi contenir du gaz mais sous faible pression.

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❏ Les défauts volumiques les plus courants sont ​les précipités​, formés par l’inclusion
d’une phase cristalline au sein d’une autre.
Un précipité est une phase hétérogène et minoritaire différente de celle de
l'ensemble du cristal. Ceux-ci sont formés par l'inclusion d'une phase (cristalline)
dans une autre. Ils se créent en générale dans un mélange deux éléments ou plus
par un processus de diffusion. Sa formation se déroule en trois étapes principales:
germination, croissance et coalescence.

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 Les Propriétés Des Matériaux
-La conductivité électrique : caractérise l'aptitude d'un matériau ou d'une solution à laisser les
charges électriques se déplacer librement et donc permettre le passage d'un courant électrique.

Unités SI​ : siemens par mètre (S·m​−1​)

Autres unités​ : (Ω·m)​−1

Nature​ : Grandeur scalaire intensive

Unités internationales​ : ​Siemens per meter​, ​Ohm meter

La conductivité caractérise la ​résistance au passage du courant ou de la ​chaleur dans un

matériau​. La caractéristique inverse est ​la ​résistivité​.
Par exemple, dans un matériau homogène, non affecté par l'épaisseur, la ​conductivité thermique
qualifie la ​vitesse d'écoulement de la chaleur, dans des conditions bien définies, à travers une
surface unitaire, par unité de variation de température dans une direction perpendiculaire à la
surface.
La conductivité d'un bon conducteur, tel que l'​argent ou le ​cuivre peut être plus d'un million de
fois supérieure à celle d'un bon ​isolant comme le verre ou le mica. On observe un phénomène
de ​supraconductivité lorsque certaines substances sont refroidies à une température voisine du
zéro absolu: leur conductivité devient alors quasi infinie.
Le cuivre pur est un excellent conducteur d'électricité d'une conductivité égale à 95% de celle de
l'argent

- La Ductilité
La ductilité est une propriété purement géométrique qui traduit la capacité des matériaux
métalliques à se déformer avant rupture et ne préjuge pas de la contrainte nécessaire pour
la provoquer. L'allongement à rupture, estimé lors d'un essai de traction, est par exemple
une mesure de la ductilité. Qualitativement, la ductilité d'un matériau dépend de la capacité,
plus ou moins grande, qu'ont les dislocations à se déplacer dans le réseau cristallin.
S'il y résiste bien, il est dit ​ductile​, sinon il est dit ​fragile​.

La compacité de la structure CC (68%) étant moindre que celle des structures CFC (74%),
la contrainte de cisaillement critique requise pour générer un glissement des dislocations y
est plus élevée. De manière générale, la ductilité des structures CC est donc moins grande
que celle des structures CFC.

- ​Résistance aux chocs

La résistance aux chocs permet de déterminer la dureté du matériau. Le matériau a une
grande dureté s’il reste indéformable après avoir subi un impact important.
Ce sont des solides très peu compressibles, à forte densité électronique et présentant des
liaisons chimiques​ fortement ​covalentes​.